DE102019119233B4 - Selektive Beschichtung von Halbleitergehäuse­Leitungen: Gehauste Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Bildung - Google Patents

Selektive Beschichtung von Halbleitergehäuse­Leitungen: Gehauste Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Bildung Download PDF

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Abstract

Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtung, aufweisend:Bereitstellen eines Halbleitergehäuses (100), das einen elektrisch isolierenden Formverbundkörper (102), einen Halbleiterchip (108), der durch den Formverbundkörper (102) eingekapselt ist, eine Vielzahl von elektrisch leitfähigen Leitungen (106), die jeweils aus dem Formverbundkörper (102) herausragen, und einen metallischen Wärmeleitblock (104) aufweist, wobei der metallische Wärmeleitblock (104) eine Rückseite (120) aufweist, die am Formverbundkörper (102) freigelegt ist;Bereitstellen eines Leiterrahmens (134), der einen Umfangsring (136) aufweist, wobei mindestens eine der Leitungen (106) physikalisch mit dem Umfangsring (136) und dem Wärmeleitblock (104) verbunden ist;Durchführung eines Elektroplattierungsprozesses an dem Halbleitergehäuse (100) zum Beschichten der äußeren Abschnitte (116) der Leitungen (106), die am Formverbundkörper (102) freigelegt sind, mit einer Metallbeschichtung (130);Aufbringen einer nichtleitenden Beschichtung (140) auf die Rückseite (120) des Wärmeleitblocks (104) vor der Durchführung des Elektroplattierungsprozesses, um zu verhindern, dass der Elektroplattierungsprozess die Metallbeschichtung (130) auf der Rückseite (120) des Wärmeleitblocks (104) abscheidet; undnach Abschluss des Beschichtens der äußeren Abschnitte (116) der Leitungen (106), Bereitstellen einer planaren metallischen Kühlkörper-Grenzfläche (132) auf der Halbleitervorrichtung, die:an dem Formverbundkörper (102) freiliegen; undfrei von der Metallbeschichtung (130) ist;wobei die planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche (132) durch die Rückseite (120) des Wärmeleitblocks (104) bereitgestellt wird.

Description

  • TECHNISCHER BEREICH
  • Die vorliegende Anmeldung bezieht sich auf Halbleiter-Packaging, insbesondere auf Techniken zur Bildung von Metallbeschichtungen auf Halbleitergehäuse-Leitungen.
  • HINTERGRUND
  • In vielen modernen Anwendungen erzeugen Halbleiterchips während des Betriebs eine beträchtliche Menge an Wärme. Diese Wärme muss effektiv vom Halbleiterchip abgeführt werden, um die Betriebstemperatur des Chips in akzeptablen Grenzen zu halten. Aus diesem Grund werden Kühlkörper oft an einer Außenfläche des verpackten Gerätes befestigt. Kühlkörper sind konfiguriert, um der gehausten Vorrichtung Wärme zu entziehen und die entzogene Wärme effizient abzuführen, wodurch die Temperatur der gehausten Vorrichtung gesenkt wird. Die US 2003 / 0 020 162 A1 offenbart ein Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtung, bei welchem äußere Abschnitte von Leitungen, die an einem Formverbundkörper freigelegt sind, mit einer Metallbeschichtung beschichtet werden. Ein vergleichbares Verfahren wird ferner in der US 2014 / 0 091 446 A1 offenbart. Weitere Verfahren zur Bildung von Halbleitervorrichtungen sind in der US 9 966 329 B2 , der US 6 081 027 A , der DE 10 2013 215 346 A1 , und der US 2010 / 0 059 870 A1 offenbart.
  • In einigen Anwendungen kann die Grenzfläche zwischen dem Kühlkörper und der Außenfläche des Gehäuses eine Quelle der Ineffizienz sein. Diese Grenzfläche kann im Wesentlichen thermisch resistiv sein, was die Fähigkeit des Kühlkörpers, Wärme aus der gehausten Vorrichtung abzuführen, verringert.
  • KURZFASSUNG
  • Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung wird offenbart. Gemäß einer Ausführungsform beinhaltet das Verfahren das Bereitstellen eines Halbleitergehäuses, das einen elektrisch isolierenden Formverbundkörper, einen Halbleiterchip, der vom Formverbundkörper eingekapselt ist, eine Vielzahl von elektrisch leitfähigen Leitern, die jeweils aus dem Formverbundkörper herausragen, und einen Metallheizblock umfasst, wobei der Metallheizblock eine Rückseite umfasst, die vom Formverbundkörper freigelegt ist, Beschichten der äußeren Abschnitte der Leitungen, die vom Formverbundkörper freiliegen, mit einer Metallbeschichtung, und nach Abschluss der Beschichtung der äußeren Abschnitte der Leitungen, Bereitstellen einer planaren metallischen Kühlkörper-Grenzfläche auf der Halbleitervorrichtung, die vom Formverbundkörper freiliegend und im Wesentlichen frei von der Metallbeschichtung ist.
  • Einzeln oder in Kombination sind die planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche und die elektrisch leitenden Leitungen jeweils aus einem ersten Metall gebildet, und die Metallbeschichtung umfasst ein zweites Metall mit einer höheren Lötbarkeit als das erste Metall.
  • Einzeln oder in Kombination sind die planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche und die elektrisch leitenden Leitungen jeweils aus Kupfer gebildet, und die Metallbeschichtung umfasst mindestens eines von: Gold, Nickel, Zinn und Silber.
  • Einzeln oder in Kombination wird die planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche durch die Rückseite des Wärmeleitblocks bereitgestellt, das Beschichten der äußeren Abschnitte der Leitungen umfasst einen Elektroplattierungsprozess, und Sicherstellen, dass die planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche im Wesentlichen frei von der Metallbeschichtung ist, umfasst das Verhindern, dass der Elektroplattierungsprozess die Metallbeschichtung auf der Rückseite des Wärmeleitblocks abscheidet.
  • Einzeln oder in Kombination ist der Leiterrahmen vorgesehen, um einen Umfangsring und einen Holm zu beinhalten, wobei jede der Leitungen mit dem Umfangsring verbunden und physisch von dem Wärmeleitblock getrennt ist, wobei der Holm mit dem Umfangsring und dem Wärmeleitblock verbunden ist und das Verhindern, dass der Elektroplattierungsprozess die Metallbeschichtung auf der Rückseite des Wärmeleitblocks abscheidet, umfasst das Durchtrennen des Holms vor der Durchführung des Elektroplattierungsprozesses trennt.
  • Einzeln oder in Kombination ist der Leiterrahmen vorgesehen, um einen Umfangsring zu umfassen, wobei mindestens eine der Leitungen physikalisch mit dem Umfangsring und dem Wärmeleitblock verbunden sind, und das Verhindern, dass der Elektroplattierungsprozess die Metallbeschichtung auf der Rückseite des Wärmeleitblocks abscheidet, umfasst das Aufbringen einer nichtleitenden Beschichtung auf die Rückseite des Wärmeleitblocks vor der Durchführung des Elektroplattierungsprozesses .
  • Einzeln oder in Kombination umfasst das Bereitstellen der planaren metallischen Kühlkörper-Grenzfläche das Bereitstellen eines metallischen Befestigungsstücks, das von dem Wärmeleitblock verschieden ist, und das Befestigen des metallischen Befestigungsstücks an der Rückseite des Wärmeleitblocks nach dem Beschichten der äußeren Abschnitte der Leitungen mit der Metallbeschichtung.
  • Einzeln oder in Kombination umfasst die Beschichtung der äußeren Abschnitte der Leitungen einen Elektroplattierungsprozess, der Elektroplattierungsprozess bildet die Metallbeschichtung auf der Rückseite des Wärmeleitblocks, und das metallische Befestigungsstück bedeckt die Metallbeschichtung auf der Rückseite vollständig, sobald sie an dem Wärmeleitblock befestigt ist.
  • Einzeln oder in Kombination umfasst die Befestigung des metallischen Befestigungsstücks an der Rückseite die direkte Befestigung des metallischen Befestigungsstücks an der Rückseite, so dass eine Unterseite des metallischen Befestigungsstücks mit der Rückseite des Wärmeleitblocks verbunden ist und diese bedeckt, eine Oberseite des metallischen Befestigungsstücks, die der Unterseite gegenüberliegt, stellt die ebene metallische Kühlkörper-Grenzfläche dar.
  • Einzeln oder in Kombination umfasst die Unterseite des Befestigungsstücks einen ersten Satz von Befestigungselements, die Rückseite des Wärmeleitblocks umfasst einen zweiten Satz von Befestigungselements, der erste und zweite Satz von Befestigungselements sind komplementär geformt, und das Befestigungsstück wird an dem Wärmeleitblock befestigt, indem eine ineinandergreifende Verbindung zwischen dem ersten und zweiten Satz von Befestigungselements gebildet wird.
  • Einzeln oder in Kombination bildet sich die Metallbeschichtung direkt auf der Rückseite des Wärmeleitblocks während der Beschichtung der äußeren Abschnitte der Leitungen, und die Bereitstellung der planaren metallischen Kühlkörper-Grenzfläche umfasst das Entfernen der Metallbeschichtung, die sich direkt auf der Rückseite des Wärmeleitblocks bildet.
  • Einzeln oder in Kombination umfasst das Entfernen der Metallbeschichtung, die sich direkt auf der Rückseite des Wärmeleitblocks bildet, das Durchführen eines Laser-Entfernungsprozesses, der die Metallbeschichtung mit einem Laserstrahl entfernt.
  • Einzeln oder in Kombination wird die Metallbeschichtung von einem zentralen Abschnitt des Wärmeleitblocks entfernt, so dass ein Ring der Metallbeschichtung, der sich bis zu den Außenkanten des Wärmeleitblocks erstreckt, nach dem Laserabtrag auf dem Wärmeleitblock verbleibt.
  • Einzeln oder in Kombination wird die Metallbeschichtung vollständig von dem Wärmeleitblock entfernt.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform beinhaltet das Verfahren das Bereitstellen eines Halbleitergehäuses, das einen elektrisch isolierenden Formverbundkörper, einen Halbleiterchip, der vom Formverbundkörper verkapselt ist, eine Vielzahl von elektrisch leitfähigen Leitern, die jeweils aus dem Formverbundkörper herausragen, und einen Metall-Wärmeleitblock umfasst, wobei der Metall-Wärmeleitblock eine Rückseite umfasst, die vom Formverbundkörper freigelegt ist. Ein Elektroplattierungsprozess wird auf dem Halbleitergehäuse durchgeführt, der eine Metallbeschichtung auf den äußeren Abschnitten der Leitungen bildet, die vom Formverbundkörper freigelegt sind. Die Metallbeschichtung wird daran gehindert, sich während des Elektroplattierungsprozesses auf der Rückseite des Wärmeleitblocks zu bilden.
  • Einzeln oder in Kombination umfasst das Durchführen des Elektroplattierungsprozesses das Eintauchen der Leitungen und der Rückseite des Halbleitergehäuses in eine wässrige Lösung, und das Verhindern der Bildung der Metallbeschichtung auf der Rückseite umfasst das elektrische Trennen des Wärmeleitblocks von den Leitungen vor dem Durchführen des Elektroplattieru ngsprozesses.
  • Einzeln oder in Kombination ist das Halbleitergehäuse auf einem Leiterrahmen bereitgestellt, der einen Umfangsring und einen Holm umfasst, wobei jede der Leitungen mit dem Umfangsring verbunden und von dem Wärmeleitblock getrennt ist, wobei der Holm mit dem Umfangsring und dem Wärmeleitblock verbunden ist und das elektrische Trennen des Wärmeleitblocks von den Leitungen das Trennen des Holms umfasst.
  • Einzeln oder in Kombination umfasst das Verhindern, dass sich die Metallbeschichtung auf der Rückseite des Wärmeleitblocks bildet, das Auftragen eines nichtleitenden Klebstoffs auf die Rückseite des Wärmeleitblocks vor der Durchführung des Elektroplattierungsprozesses.
  • Eine gehauste Halbleitervorrichtung wird offenbart. Die gehauste Halbleitervorrichtung beinhaltet einen elektrisch isolierenden Formverbundkörper. Die gehauste Halbleitervorrichtung beinhaltet ferner einen metallischen Wärmeleitblock mit einer Rückseite, die vom Formverbundkörper freiliegt, und einer Chipbefestigungsfläche gegenüber der Rückseite. Die gehauste Halbleitervorrichtung beinhaltet weiterhin einen Halbleiterchip, der vom Formverbundkörper eingekapselt und auf dem Wärmeleitblock montiert ist. Die gehauste Halbleitervorrichtung beinhaltet ferner eine Vielzahl von elektrisch leitfähigen Leitungen, wobei jede der Leitungen äußere Abschnitte umfasst, die vom Formverbundkörper freiliegen. Die gehauste Halbleitervorrichtung beinhaltet weiterhin eine Metallbeschichtung, die die äußeren Abschnitte jeder der Leitungen bedeckt. Die gehauste Halbleitervorrichtung beinhaltet ferner eine planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche, die vom Formverbundkörper freigelegt wird, thermisch über den Wärmeleitblock mit dem Halbleiterchip gekoppelt ist und im Wesentlichen frei von der Metallbeschichtung ist.
  • Einzeln oder in Kombination sind die planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche und die elektrisch leitenden Leitungen jeweils aus einem ersten Metall gebildet, und die Metallbeschichtung umfasst ein zweites Metall mit einer höheren Lötbarkeit als das erste Metall.
  • Einzeln oder in Kombination bildet die Rückseite des Wärmeleitblocks die planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche.
  • Einzeln oder in Kombination umfasst das Halbleitergehäuse ferner ein metallisches Befestigungsstück, das von dem Wärmeleitblock verschieden ist und an seiner Unterseite an dem Wärmeleitblock befestigt ist, und wobei eine Oberseite des metallischen Befestigungsstücks die ebene metallische Kühlkörper-Grenzfläche bereitstellt.
  • Einzeln oder in Kombination wird die Metallbeschichtung zusätzlich auf der Rückseite des Wärmeleitblocks in einem Ring gebildet, der einen zentralen Abschnitt der Heizbuchse umgibt, der von der Metallbeschichtung freigelegt ist.
  • Einzeln oder in Kombination umfasst das Halbleitergehäuse ferner eine Nut, die im Formverbundkörper gebildet ist, die Nut umgibt die Rückseite des Wärmeleitblocks, und die Rückseite des Wärmeleitblocks ist vollständig frei von der Metallbeschichtung.
  • Der Fachmann wird zusätzliche Merkmale und Vorteile erkennen, wenn er die folgende ausführliche Beschreibung liest und die beigefügten Zeichnungen betrachtet.
  • Figurenliste
  • Die Elemente der Zeichnungen müssen nicht unbedingt relativ zueinander skaliert sein. Gleiche Referenzzeichen bezeichnen entsprechende ähnliche Teile. Die Merkmale der verschiedenen veranschaulichten Ausführungsformen können kombiniert werden, sofern sie sich nicht gegenseitig ausschließen. Ausführungsformen sind in den Zeichnungen dargestellt und werden in der folgenden Beschreibung ausführlich beschrieben.
    • 1 stellt eine gehauste Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform dar.
    • 2 zeigt einen Elektroplattierungsprozess zum Bilden einer Metallbeschichtung auf den Leitern der gehausten Halbleitervorrichtung gemäß einer Ausführungsform.
    • 3 stellt eine gehauste Halbleitervorrichtung mit einer Kühlkörper-Grenzfläche dar, die frei von der Metallbeschichtung ist, die auf den Gehäuseleitungen gemäß einer Ausführungsform gebildet wird.
    • 4, die die 4A, 4B, 4C und 4D beinhaltet, stellt eine Technik dar, die verhindert, dass der Elektroplattierungsprozess die Metallbeschichtung auf der Rückseite des Wärmeleitblocks gemäß einer Ausführungsform bildet.
    • 5, die die 5A, 5B und 5C beinhaltet, stellt eine Technik dar, die verhindert, dass der Elektroplattierungsprozess die Metallbeschichtung auf der Rückseite des Wärmeleitblocks gemäß einer Ausführungsform bildet.
    • 6, die die 6A, 6B und 6C beinhaltet, stellt eine gehauste Halbleitervorrichtung mit einer Kühlkörper-Grenzfläche dar, die frei von der auf den Gehäuseleitungen gebildeten Metallbeschichtung ist, und mindestens eine Leitung, die gemäß einer Ausführungsform direkt mit dem Wärmeleitblock verbunden ist.
    • 7 zeigt eine Technik zum Bereitstellen einer Kühlkörper-Grenzfläche, die nach der Durchführung des Elektroplattierungsprozesses gemäß einer Ausführungsform frei von der Metallbeschichtung ist.
    • 8 zeigt eine Technik zum Bereitstellen einer Kühlkörper-Grenzfläche, die nach der Durchführung des Elektroplattierungsprozesses gemäß einer Ausführungsform frei von der Metallbeschichtung ist.
    • 9, die die und beinhaltet, zeigt zwei verschiedene Laserabtragtechniken zum Entfernen von Metallbeschichtungen von dem Wärmeleitblock.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Gemäß den hierin beschriebenen Ausführungsformen wird ein Halbleitergehäuse mit einem Halbleiterchip bereitgestellt, der von einem elektrisch isolierenden Formverbundkörper eingekapselt ist. Das Halbleitergehäuse beinhaltet eine Vielzahl von Leitungen, die am Formverbundkörper freiliegen. Zusätzlich ist eine Rückseite eines metallischen Wärmeleitblocks, an den der Halbleiterchip montiert ist, vom Formverbundkörper freigelegt. Sobald das Halbleitergehäuse bereitgestellt ist, wird ein Elektroplattierungsprozess verwendet, um eine Metallbeschichtung auf den Leitungen zu bilden. Vorteilhafterweise werden hierin Verarbeitungsschritte beschrieben, um eine metallische Kühlkörper-Grenzfläche auf der Außenseite des Gehäuses zu bilden, die frei von der Metallbeschichtung auf den Leitungen ist. Gemäß einigen Techniken werden vor dem Elektroplattierungsprozess Maßnahmen ergriffen, um zu verhindern, dass sich die Metallbeschichtung auf der Rückseite des Wärmeleitblocks während des Elektroplattierens bildet. In diesem Fall kann die Rückseite des Wärmeleitblocks direkt die metallische Kühlkörper-Grenzfläche bereitstellen, die frei von der Metallbeschichtung ist. Nach anderen Techniken wird nach dem Elektroplattieren ein zusätzliches Metallstück an der Rückseite des Wärmeleitblocks befestigt. In diesem Fall kann das zusätzliche Metallstück die metallische Kühlkörper-Grenzfläche bereitstellen, die frei von der Metallbeschichtung ist.
  • Unter Bezugnahme auf 1 wird ein Halbleitergehäuse 100 gemäß einer Ausführungsform dargestellt. Das Halbleitergehäuse 100 beinhaltet einen elektrisch isolierenden Formverbundkörper 102, einen metallischen Wärmeleitblock 104 und eine Vielzahl von elektrisch leitenden Leitern 106. Ein Halbleiterchip 108 ist auf einer Chipbefestigungsfläche 110 des Wärmeleitblocks 104 montiert.
  • Im Allgemeinen kann der Halbleiterchip 108 eine Vielzahl von Gerätekonfigurationen aufweisen. So kann beispielsweise der Halbleiterchip 108 als diskrete Vorrichtung konfiguriert sein, z.B. ein Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET), Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT), Diode, Thyristor, etc. Alternativ kann der Halbleiterchip 108 als integrierte Schaltung, Prozessor, Steuerung, Verstärker usw. konfiguriert sein. Der Halbleiterchip 108 beinhaltet leitfähige Ein-/Ausgangsanschlüsse 112 (z.B. Gate, Source, Drain, etc.), die elektrisch mit den Leitungen 106 verbunden sind. In der dargestellten Ausführungsform wird diese elektrische Verbindung durch leitfähige Bonddrähte hergestellt. Generell kann diese elektrische Verbindung gemäß jeder gängigen Technik hergestellt werden, z.B. mittels Bändem, Klammern, etc.
  • Der Formverbundkörper 102 ist aus einem elektrisch isolierenden Material gebildet. Exemplarische Materialien für den Formverbundkörper 102 beinhalten eine Vielzahl von Verkapselungsmaterialien, z.B. Keramik, Kunststoff, Harz, Epoxid, etc. Der Formverbundkörper 102 ist ausgebildet, um den Halbleiterchip 108 und die zugehörigen elektrischen Verbindungen zwischen dem Halbleiterchip 108 und den Zuleitungen 106 zu verkapseln. Auf diese Weise werden die gehausten Elemente vor der äußeren Umgebung geschützt.
  • Die Leitungen 106 beinhalten die Innenabschnitte 114 und die Außenabschnitte 116. Die Innenabschnitte 114 der Leitungen 106 sind vom Formverbundkörper 102 gekapselt und stellen eine Verbindungsstelle für die Anschlüsse 112 des Halbleiterchips 108 dar. Die äußeren Abschnitte 116 der Leitungen 106 sind vom Formverbundkörper 102 freiliegend und bieten einen externen elektrischen Zugang zu den Anschlüssen 112 des Halbleiterchips 108.
  • Im dargestellten Beispiel erstrecken sich die äußeren Abschnitte 116 der Leitungen 106 seitlich von den Gehäuseseitenwänden weg und biegen sich nach unten zu einer Unterseite 118 des Halbleitergehäuses 100 hin. Diese Leitungskonfiguration erzeugt eine sogenannte „Surface-Mount-Gehäuse“-Konfiguration. Dies stellt nur eine exemplarische Gehäusekonfiguration dar. Generell kann das Halbleitergehäuse 100 eine Vielzahl von Gehäusekonfigurationen aufweisen, z.B. Durchgangsloch, flach, Oberflächenmontage usw., und die hierin beschriebenen Techniken sind auf jede dieser Gehäusekonfigurationen anwendbar.
  • Der Wärmeleitblock 104 ist aus einem wärmeleitenden Material gebildet, das Metalle wie etwa Kupfer, Aluminium usw. und deren Legierungen beinhaltet. Eine Rückseite 120 des Wärmeleitblocks 104 ist vom Formverbundkörper 102 freigelegt. In diesem Beispiel ist die Rückseite 120 des Wärmeleitblocks 104 an einer Oberseite 122 des Gehäuses freigelegt, d.h. an der Seite des Gehäuses, die der Unterseite 118 gegenüberliegt. Dadurch entsteht eine so genannte Oberseiten-Kühlkonfiguration, bei der während des Betriebs der Vorrichtung Wärme von der Oberseite 122 des Halbleitergehäuses 100 abgeführt wird. Ein Kühlkörper 124 kann in dieser Konfiguration auf der Rückseite 120 des Wärmeleitblocks 104 montiert sein. Dadurch ist der Kühlkörper 124 über den Wärmeleitblock 104 direkt thermisch mit dem Halbleiterchip 108 gekoppelt. In einer anderen Gehäusekonfiguration kann der Wärmeleitblock 104 so angeordnet sein, dass die Rückseite 120, d.h. die dem Halbleiterchip 108 gegenüberliegende Oberfläche, an der Unterseite 118 des Halbleitergehäuses 100 freiliegt. Unter diese Art von Gehäuse kann ein Kühlkörper montiert sein, so dass Wärme auf ähnliche Weise abgeführt werden kann.
  • Unter Bezugnahme auf 2 wird ein Elektroplattierungsprozess an dem Halbleitergehäuse 100 durchgeführt. Unter Elektroplattierung versteht man jeden Prozess, bei dem mit elektrischem Strom eine dünne Metallschicht auf den Außenflächen des elektrifizierten Elements gebildet wird. Gemäß dieser Technik wird das Halbleitergehäuse 100 in eine wässrige Lösung 126 eingetaucht. Die wässrige Lösung 126 ist eine chemische Lösung, die Kationen eines abzuscheidenden Metalls enthält. Eine Kathode 128 wird in die wässrige Lösung 126 eingetaucht und es entsteht eine Potentialdifferenz zwischen der eingetauchten Kathode und einem eingetauchten leitenden Gegenstand (der als Anode dient). In diesem Fall werden die freiliegenden Abschnitte der Leitungen 106 und die Rückseite 120 des Wärmeleitblocks 104 in die wässrige Lösung 126 eingetaucht und stellen somit potentielle Oberflächen dar, auf die ein Metall durch den Elektroplattierungsprozess aufgebracht werden kann.
  • Unter Bezugnahme auf 3 wird das Halbleitergehäuse 100 nach der Durchführung des Elektroplattierungsprozesses dargestellt. Der Elektroplattierungsprozess wird so durchgeführt, dass die äußeren Abschnitte 116 der Leitungen 106, die dem Formverbundkörper 102 ausgesetzt sind, mit einer Metallbeschichtung 130 beschichtet werden. Durch den Elektroplattierungsprozess bedeckt die Metallbeschichtung 130 die Leitungen 106 vollständig, so dass das Grundmaterial der Leitungen 106 nicht freigelegt ist.
  • Gemäß einer Ausführungsform werden die Leitungen 106 aus einem ersten Metall gebildet und die Metallbeschichtung 130 ist ein zweites Metall, das sich vom ersten Metall unterscheidet. Im Allgemeinen kann die Metallbeschichtung 130 jedes Material beinhalten, das einen gewissen Nutzen in Bezug auf die Oberflächeneigenschaften der Leitungen 106 bringt, z.B. Lötbarkeit, Korrosionsschutz, Haftung, Leitfähigkeit, etc. Das heißt, die Metallbeschichtung 130 kann so gewählt werden, dass die Leitungen 106 leichter auf eine Leiterplatte gelötet werden können als ein Gehäuse ohne Metallbeschichtung. Darüber hinaus kann die Metallbeschichtung 130 so gewählt werden, dass sie einen gewissen Korrosionsschutz für die Leitungen 106 bietet. Alternativ können das erste und zweite Metall ähnliche oder identische Materialien beinhalten.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist die Metallbeschichtung 130 eine höhere Lötbarkeit auf als das Grundmaterial der Leitungen 106. Die Lötbarkeit bezieht sich auf die Fähigkeit eines Materials, über Lot mit einem anderen Element zu verbinden. Der hierin verwendete Lötbarkeitsgrad kann mit Hilfe des EIA/JEDEC J-STD-002 bestimmt werden, dessen Inhalt in seiner Gesamtheit durch Bezugnahme berücksichtigt wird. Zu den Faktoren, die die Lötbarkeit beeinflussen, gehören die Benetzbarkeit (d.h. die Oberflächenspannung) mit dem Lotmaterial und das Vorhandensein oder Fehlen von Oxiden auf der Oberfläche des Materials. Im Allgemeinen sind Beschichtungen, die sich gut für die Lötbarkeit und den Korrosionsschutz eignen, Zinnschichten, Silberbeschichtungen, Goldschichten, Nickelbeschichtungen und Legierungen davon. Diese Beschichtungen weisen eine höhere Lötbarkeit auf als Kupfer oder Aluminium, die übliche Materialien für Leiter von Gehäusen sind. In einem konkreten Beispiel sind die Leitungen 106 und der Wärmeleitblock 104 aus Kupfer gebildet, und die Metallbeschichtung 130 ist eine Beschichtung aus Silber oder eine Beschichtung auf Silberbasis.
  • Die Erfinder haben beobachtet, dass die oben beschriebene Metallbeschichtung 130, obwohl sie vorteilhaft ist, wenn sie auf den Leitungen 106 angebracht wird, schädlich sein kann, wenn sie auf die Rückseite 120 des Wärmeleitblocks 104 aufgebracht wird. Insbesondere kann diese Metallbeschichtung 130 Probleme in Bezug auf die Verbindung zwischen dem Kühlkörper 124 und dem Wärmeleitblock 104 verursachen, wie z.B. im Beispiel von 1 gezeigt. Der Kühlkörper 124 kann mit Hilfe einer Löttechnik oder mit einem thermischen Grenzflächenmaterial auf Polymerbasis am Wärmeleitblock 104 befestigt werden. Obwohl die Metallbeschichtung 130 im Allgemeinen dazu bestimmt ist, die Lötbarkeit der Leitungen 106 an eine externe Vorrichtung, z.B. eine Leiterplatte, zu verbessern, wird dieser Vorteil nicht entsprechend erzielt, wenn der Wärmeleitblock 104 an einen Kühlkörper 124 gelötet oder der Wärmeleitblock 104 mit einem polymerbasierten Wärmeleitmaterial an einem Kühlkörper befestigt wird. Im Gegensatz zum Löten der Leitungen 106 beinhaltet das Löten des Kühlkörpers 124 das Auftragen einer größeren Menge an verflüssigtem Lotmaterial über eine größere Oberfläche. Beim Lötreflow wird die große Menge der Metallbeschichtung 130, die auf der Rückseite 120 des Wärmeleitblocks 104 vorhanden ist, ungleichmäßig verteilt, mit großen Ansammlungen in einigen Bereichen und nackten Stellen in anderen Bereichen. Anders ausgedrückt, der erhebliche Unterschied in den physikalischen Eigenschaften zwischen den Zuleitungen 106 und dem Wärmeleitblock 104 bedeutet, dass die Metallbeschichtung 130 auf der Rückseite 120 des Wärmeleitblocks 124 nicht allgemein vorteilhaft ist.
  • 3 stellt schematisch eine planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche 132 auf dem Halbleitergehäuse 100 dar, die die oben beschriebenen Nachteile der Bildung der Metallbeschichtung 130 auf der Rückseite 120 vermeidet. Die planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche 132 ist über den Wärmeleitblock 104 thermisch mit dem Halbleiterchip 108 gekoppelt. Das bedeutet, dass die planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche 132 eine Verbindung mit geringem thermischen Widerstand zum Halbleiterchip 108 aufweist, die zumindest teilweise durch den Kühlkörper 124 bereitgestellt wird. Weiterhin ist die planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche 132 im Wesentlichen frei von der Metallbeschichtung 130. Das bedeutet, dass eine signifikante Mehrheit, z.B. mehr als fünfundsiebzig Prozent, einer Oberfläche der planaren metallischen Kühlkörper-Grenzfläche 132 nicht von der Metallbeschichtung 130 abgedeckt wird. In einigen Ausführungsformen ist die planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche 132 vollständig frei von der Metallbeschichtung 130. Weiterhin ist die planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche 132 vom Formverbundkörper 102 freigelegt. Somit ist die planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche 132 von außen zugänglich für die Bereitstellung und Verbindung zu einem Kühlkörper 124, z.B. in ähnlicher Weise wie in 1 dargestellt.
  • Die hierin beschriebenen Verfahren ermöglichen es, die planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche 132 mit den oben beschriebenen Eigenschaften zu versehen, nachdem die äußeren Abschnitte 116 der Leitungen 106 mit der Metallbeschichtung 130 beschichtet wurden, z.B. nach der oben beschriebenen Elektroplattierungstechnik. Somit ermöglichen die hierin beschriebenen Verfahren die Bereitstellung der Metallbeschichtung 130 auf den Außenabschnitten 116 der Leitungen 106, ohne die Metallbeschichtung 130 an der Schnittstelle zwischen dem Kühlkörper 124 und dem Halbleitergehäuse 100 bereitzustellen, wodurch das Problem des ungleichmäßig verteilten Beschichtungsmaterials wie zuvor beschrieben vermieden wird. In einigen Beispielen kann die planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche 132 durch die Rückseite 120 des Wärmeleitblocks 104 bereitgestellt werden. Alternativ kann die planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche 132 eine separate Struktur sein, die am Wärmeleitblock 104 befestigt ist. In beiden Fällen ist die planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche 132 thermisch mit dem Halbleiterchip 108 im Sinne der vorliegenden Spezifikation gekoppelt und bietet somit eine Oberfläche für die Montage eines Kühlkörpers 124 darauf.
  • Unter Bezugnahme auf 4 sind zwei verschiedene Konfigurationen für das Halbleitergehäuse 100 dargestellt, sowie ein entsprechender Leadframe 134, mit dem diese verschiedenen Konfigurationen für das Halbleitergehäuse 100 gebildet werden können, ist gemäß einer Ausführungsform dargestellt.
  • 4A zeigt das Halbleitergehäuse 100 wie zuvor mit Bezug auf 1 beschrieben. 4B zeigt einen Leadframe 134, der verwendet wird, um dieses Halbleitergehäuse 100 gemäß einer Ausführungsform zu bilden. Der Leiterrahmen 134 beinhaltet jeweils die Leitungen 106 und den Wärmeleitblock 104 des Halbleitergehäuses 100. Der Leiterrahmen 134 beinhaltet einen Umfangsring 136, der einen geschlossenen Kreis um den Wärmeleitblock 104 bildet. Jede der Leitungen 106 ist direkt mit dem Umfangsring 136 verbunden (z.B. durch eine integrierte physikalische Verbindung). Darüber hinaus ist jede der Leitungen 106 vom Wärmeleitblock 104 getrennt. Das heißt, die Enden der Leitungen 106 sind physikalisch von dem Wärmeleitblock 104 beabstandet. Der Leiterrahmen 134 beinhaltet zusätzlich Holme 138, die sich direkt zwischen dem Wärmeleitblock 104 und dem Umfangsring 136 erstrecken und diese physikalisch verbinden (z.B. durch eine integrierte physikalische Verbindung).
  • 4C stellt das Halbleitergehäuse 100 gemäß einer weiteren Ausführungsform dar. Das Halbleitergehäuse 100 von 4C ist identisch mit dem mit Bezug auf 1 beschriebenen Gehäuse, mit der folgenden Ausnahme. Während alle Leitungen 106 im Gehäuse von 1 physikalisch vom Wärmeleitblock 104 getrennt sind, beinhaltet das Halbleitergehäuse 100 von 4C eine erste der Leitungen 106, die direkt physikalisch mit dem Wärmeleitblock 104 verbunden ist. In einem Beispiel stellt der Wärmeleitblock 104 eine Bezugspotential- (z.B. GND)-Verbindung zum Halbleiterchip 108 her und die erste 142 der Leitungen 106 stellt einen externen Anschluss für dieses Bezugspotential zur Verfügung. Diese Konfiguration kann erfordern, dass mindestens eine der Leitungen 106 aus dem Leiterrahmen 134 (z.B. wie in 4 dargestellt) zwischen dem Umfangsring 136 und dem Wärmeleitblock 104 verbunden ist. Das heißt, anders als die zuvor beschriebene Ausführungsform kontaktiert mindestens eine der Leitungen 106 physikalisch den Wärmeleitblock 104 und stellt damit die in 4C gezeigte Konfiguration bereit. 4D zeigt einen Leadframe 134, der verwendet wird, um dieses Halbleitergehäuse 100 von 4C gemäß einer Ausführungsform zu bilden. Der Leiterrahmen 134 von 4D kann im Wesentlichen ähnlich oder identisch mit dem Leiterrahmen 134 von 4B sein, mit der Ausnahme, dass sich mindestens eine der Leitungen 106 direkt vom Umfangsring 136 bis zum Wärmeleitblock 104 erstreckt, wodurch die erste 142 der Leitungen 106 wie zuvor beschrieben bereitgestellt wird.
  • Unter Bezugnahme auf 5 wird eine Technik zum Verhindern, dass der Elektroplattierungsprozess die Metallbeschichtung 130 auf der Rückseite 120 des Heizblocks 104 abscheidet, gemäß einer Ausführungsform dargestellt. Gemäß dieser Technik ist ein Leiterrahmen 134 vorgesehen. Der Leiterrahmen kann im Wesentlichen ähnlich oder identisch mit dem Leiterrahmen 134 sein, der mit Bezug auf 5B beschrieben wird.
  • 5A zeigt den Leiterrahmen 134 mit dem Formverbundkörper 102, der über dem Wärmeleitblock 104 gebildet ist. Vor diesem Schritt wird der Halbleiterchip 108 auf die Chipanbringungsoberfläche 110 montiert und die Bonddrähte werden z.B. mit allgemein bekannten Techniken hergestellt. Anschließend wird der Verkapselungsschritt durchgeführt, um den Formverbundkörper 102 zu bilden. Dies kann mit einer Vielzahl von Techniken wie Spritzgießen, Transferpressen und Laminieren erfolgen, um nur einige zu nennen. Sobald das Verkapselungsmaterial ausgehärtet ist, wird der Wärmeleitblock 104 durch die Leitungen 106 physikalisch gestützt. Dadurch ist der Holm 138 nicht länger notwendig, um den Heizblock 104 physikalisch zu stützen.
  • Unter Bezugnahme auf 5B wird jeder der Holme 138 durchtrennt. Dies kann erfolgen, sobald der Formmassenkörper 102 ausgehärtet ist. Durch Abtrennen der Holme 138 wird der Wärmeleitblock 104 elektrisch vom Umfangsring 136 und damit von jeder der Leitungen 106 getrennt.
  • Unter Bezugnahme auf 5C wird die Metallschicht 130 auf den Leitungen 106 durch einen Elektroplattierungsprozess gebildet. Nach diesem Verfahren werden die Leitungen 106 und der Umfangsring 136 mit einer Stromquelle verbunden, während sie in eine wässrige Lösung eingetaucht sind, z.B. nach der mit Bezug auf 2 beschriebenen Technik. Dadurch wird die Metallbeschichtung 130 auf die Leitungen 106 aufgebracht. Unterdessen lagern sich die Kationen in der wässrigen Lösung 126 nicht auf der Rückseite 120 des Wärmeleitblocks 104 ab, da der Wärmeleitblock 104 von der Stromquelle, die die Leitungen 106 mit Strom versorgt, getrennt ist. Somit verhindert das Abtrennen der Leitungen 106, dass der Elektroplattierungsprozess die Metallbeschichtung 130 auf der Rückseite 120 des Wärmeleitblocks 104 abscheidet.
  • Unter Bezugnahme auf 6 wird eine Technik zum Verhindern, dass der Galvanikprozess die Metallbeschichtung 130 auf der Rückseite 120 des Wärmeleitblocks 104 abscheidet, gemäß einer weiteren Ausführungsform dargestellt. In diesem Beispiel ist ein Leiterrahmen 134 vorgesehen. Der Leiterrahmen 134 kann im Wesentlichen ähnlich oder identisch mit dem Leiterrahmen 134 sein, der in Bezug auf 4A beschrieben ist, oder mit dem Leiterrahmen 134, der in Bezug auf 4C beschrieben ist. Nach dem Bereitstellen des Leadframes 134 wird die Halbleiterdüse 108 z.B. nach den zuvor beschriebenen Techniken gekapselt.
  • Unter Bezugnahme auf 6A wird eine nichtleitende Beschichtung 140 auf die Rückseite 120 des Wärmeleitblocks 104 aufgebracht. Gemäß einer Ausführungsform bedeckt die nichtleitende Beschichtung 140 mindestens 95 Prozent der Rückseite 120 des Wärmeleitblocks 104. Im Allgemeinen kann die nichtleitende Beschichtung 140 aus einer Vielzahl von Materialien bestehen, die so geformt sein können, dass sie die Rückseite 120 des Wärmeleitblocks 104 bedecken und elektrisch isolierend sind. Beispiele für diese Materialien sind Klebstoffe, Lacke und Epoxide, um nur einige zu nennen. In einigen Ausführungsformen wird die nichtleitende Beschichtung 140 vorzugsweise durch ein Material bereitgestellt, das leicht auf die Rückseite 120 aufgebracht und von dieser entfernt werden kann, z.B. ein Klebeband.
  • Unter Bezugnahme auf 6B ist die Metallbeschichtung 130 auf den Leitungen 106 ausgebildet. Dies kann mit einem Elektroplattierungsprozess erfolgen, z.B. mit der zuvor beschriebenen Technik. In diesem Fall hindert die nichtleitende Beschichtung 140 Kationen in der wässrigen Lösungsform, sich auf der Rückseite 120 des Wärmeleitblocks 104 abzusetzen. Somit verhindert die nichtleitende Beschichtung 140, dass der Elektroplattierungsprozess die Metallbeschichtung 130 auf der Rückseite 120 des Wärmeleitblocks 104 abscheidet. Alternativ kann die Metallbeschichtung 130 im stromlosen Galvanikprozess gebildet werden. In diesem Fall verhindert die nichtleitende Beschichtung 140 eine chemische Reaktion zwischen der stromlosen Galvaniklösung und der Rückseite 120 des Wärmeleitblocks 104.
  • Unter Bezugnahme auf 6C wird nach Durchführung des Elektroplattierungsprozesses die nichtleitende Beschichtung 140 von der Rückseite 120 entfernt. Infolgedessen ist die Rückseite 120 des Wärmeleitblocks 104 im Wesentlichen frei von der Metallbeschichtung 130. Folglich kann die Rückseite 120 des Wärmeleitblocks 104 die planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche 132 bereitstellen, wie in 2 beschrieben.
  • Die Technik von 6 ermöglicht es, dass die Bildung des Halbleitergehäuses 100 ohne die Metallbeschichtung 130 an der Rückseite des Wärmeleitblocks 104 erfolgt, ohne dass der Wärmeleitblock 104 elektrisch getrennt wird. Diese Technik kann verwendet werden, um das Halbleitergehäuse 100 bereitzustellen, das mit Bezug auf 4C beschrieben wird. In diesem Fall ist die zuvor beschriebene Technik der 5, die Leitungen 106 elektrisch vom Wärmeleitblock 104 zu trennen (z.B. durch Abtrennen der Holme 138), nicht möglich, da eine Verbindung zwischen der ersten 142 der Leitungen 106 und dem Wärmeleitblock 104 erforderlich ist.
  • Unter Bezugnahme auf 7 wird eine Technik zum Bereitstellen des Halbleitergehäuses 100 mit der planaren metallischen Kühlkörper-Grenzfläche 132 gemäß einer weiteren Ausführungsform dargestellt. Anders als die zuvor beschriebenen Ausführungsformen erfordert die Technik von 7 keine Maßnahmen vor dem Elektroplattierungsprozess, um zu verhindern, dass sich die Metallbeschichtung 130 auf der Rückseite 120 des Wärmeleitblocks 104 bildet, z.B. wie in den 4 und 5 beschrieben. Stattdessen beinhaltet die Technik von 7 Verarbeitungsschritte, die nach der Durchführung des Metallbeschichtungsprozesses 130 auftreten. In 7 ist das mit Bezug auf 4A beschriebene Halbleitergehäuse 100 dargestellt. Alternativ kann die Technik von 7 verwendet werden, um das Halbleitergehäuse 100 wie in 4C beschrieben bereitzustellen.
  • Gemäß der Technik der 7. ist ein metallisches Befestigungsstück 142 vorgesehen, das vom Wärmeleitblock 104 verschieden ist. Das metallische Befestigungsstück 142 kann das gleiche Material wie der Wärmeleitblock 104 beinhalten. So sind beispielsweise nach einer Ausführungsform das metallische Befestigungsstück 142 und der Wärmeleitblock 104 jeweils aus Kupfer gebildet. Nachdem die Metallbeschichtung 130 auf den Zuleitungen 106 des Halbleitergehäuses 100 gebildet ist, wird das metallische Befestigungsstück 142 am Halbleitergehäuse 100 befestigt. Dies geschieht durch direktes Befestigen einer Unterseite 144 des metallischen Befestigungsstück 142 mit der Rückseite 120 des Wärmeleitblocks 104, so dass die Unterseite 144 des metallischen Befestigungsstücks 142 mit der Rückseite 120 des Wärmeleitblocks 104 verbunden ist und diese bedeckt. Das heißt, die beiden Komponenten werden in Kontakt gebracht und greifen ineinander. Optional kann zwischen den beiden Komponenten ein leitfähiger Klebstoff, z.B. Lot oder Leitkleber, vorgesehen werden. Sobald das metallische Befestigungsstück 142 am Wärmeleitblock 104 befestigt ist, d.h. wie in der unteren Abbildung dargestellt, wird die Rückseite 120 des Wärmeleitblocks 104 abgedeckt. Gemäß einer Ausführungsform ist das metallische Befestigungsstück 142 mindestens so groß oder größer als die freiliegende Rückseite 120 des Wärmeleitblocks 104. Auf diese Weise bedeckt das metallische Befestigungsstück 142 vollständig die Metallbeschichtung 130, die sich auf der Rückseite 120 des Wärmeleitblocks 104 bildet, wenn sie an dem Wärmeleitblock 104 befestigt ist. Eine Oberseite des metallischen Befestigungsstücks 142, die der Unterseite 144 gegenüberliegt, bildet die planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche 132.
  • In der dargestellten Ausführungsform beinhaltet das metallische Befestigungsstück 142 auf seiner Unterseite 144 einen ersten Satz 146 von Befestigungselementen, die bei der Herstellung einer sicheren Verbindung helfen. Dieser erste Satz 146 von Befestigungselementen ist konfiguriert, um mit einem zweiten Satz 148 von Befestigungselementen in der Rückseite 120 des Wärmeleitblocks 104 in Eingriff zu kommen. Der zweite Satz 148 von Befestigungselementen kann vor oder nach dem Metallbeschichtungsprozess 130 durch eine Vielzahl von Techniken gebildet werden, z.B. Stanzen, Ätzen, etc. Der zweite Satz 148 von Befestigungselementen hat eine komplementäre Form wie der erste Satz 146. Darüber hinaus kann diese komplementäre Form so konfiguriert sein, dass der erste Satz in den zweiten Satz eingesetzt und von diesem aufgenommen werden kann. Infolgedessen bilden der erste und zweite Satz 146, 148 der Befestigungselemente eine ineinandergreifende Verbindung.
  • Generell kann das metallische Befestigungsstück 142 mit einer Vielzahl von Techniken und Strukturen am Wärmeleitblock 104 befestigt sein. So können beispielsweise die Geometrie und die Anzahl der Befestigungselemente von dem Gezeigten abweichen. Anstelle von physikalischen Verzahnungsmerkmalen können leitfähige Klebstoffe wie Leitkleber, Sinter, Lot usw. verwendet werden.
  • Unter Bezugnahme auf 8 wird eine Technik zum Bereitstellen des Halbleitergehäuses 100 mit der planaren metallischen Kühlkörper-Grenzfläche 132 gemäß einer weiteren Ausführungsform gezeigt. Ähnlich wie bei der zuvor beschriebenen Ausführungsform von 7 erfordert die Technik von 8 keine Maßnahmen vor dem Elektroplattierungsprozess, um zu verhindern, dass sich die Metallbeschichtung 130 auf der Rückseite 120 des Wärmeleitblocks 104 bildet, z.B. wie in den 4 und 5 beschrieben. Stattdessen beinhaltet die Technik von 7 Verarbeitungsschritte, die nach der Durchführung des Metallbeschichtungsprozesses 130 auftreten. In 8 ist das mit Bezug auf 4A beschriebene Halbleitergehäuse 100 dargestellt. Alternativ kann die Technik von 8 verwendet werden, um das Halbleitergehäuse 100 wie in 4C beschrieben bereitzustellen.
  • Wie in 8 dargestellt, wird die Metallschicht 130 durch einen Laserabtrag entfernt. Die Durchführung des Laserabtragungsprozesses beinhaltet die Verwendung einer Laservorrichtung 152, um einen Laserstrahl 154 auf die Rückseite 120 des Wärmeleitblocks 104 zu richten. 8 stellt das Halbleitergehäuse 100 dar, während der Prozess so durchgeführt wird, dass die Metallbeschichtung 130 teilweise von dem Wärmeleitblock 104 entfernt wird. Im Allgemeinen können die Laservorrichtung 152 und die Energiedichte des Laserstrahls 154 so gewählt werden, dass eine ausreichende Energiekonzentration bereitgestellt wird, die das Material der Metallbeschichtung 130 aufbricht, ohne den Wärmeleitblock 104 wesentlich zu beschädigen. Daher wird nach Durchführung des Laserabtragungsprozesses das Halbleitergehäuse 100 mit der zuvor beschriebenen planaren metallischen Kühlkörper-Grenzfläche 132 bereitgestellt.
  • Unter Bezugnahme auf 9 sind zwei verschiedene Optionen für den Laserabtragungsprozess dargestellt. Jede dieser Techniken wird durchgeführt, nachdem ein Leiterrahmen 134 mit der Metallbeschichtung 130 beschichtet wurde, z.B. nach der in Bezug auf 5C beschriebenen Technik. Da keine Maßnahmen ergriffen werden, um die Bildung der Metallbeschichtung 130 auf dem Wärmeleitblock 104 zu verhindern, bewirkt der Plattierungsprozess, dass sich die Metallbeschichtung 130 zunächst direkt auf dem Wärmeleitblock 102 bildet und diesen bedeckt. Anschließend wird mit der Laservorrichtung 152 diese Metallbeschichtung 130 entfernt.
  • Gemäß der in 9A dargestellten Technik wird der Laserstrahl verwendet, um einen wesentlichen Teil der Metallbeschichtung 130 von der Rückseite 120 des Wärmeleitblocks 104 zu entfernen, d.h. mindestens 95% einer Fläche der Rückseite 120 des Wärmeleitblocks 104. Die verbleibende Metallbeschichtung 130 ist an den Außenkanten des Wärmeleitblocks 104 angeordnet und bildet so einen Ring um einen zentralen Abschnitt des Wärmeleitblocks 104, der von der Metallbeschichtung 130 freigelegt ist und die planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche 132 wie zuvor beschrieben bereitstellt. Der Zweck der Durchführung des Laserabtragungsprozesses auf diese Weise ist es, sicherzustellen, dass keine Energie des Laserstrahls 152 den Formverbundkörper 102 erreicht. Das heißt, der Ring der Metallbeschichtung 130 wirkt als Puffer, um sicherzustellen, dass der Laserstrahl 152 nur auf den Wärmeleitblock 104 angewendet wird. Zu diesem Zweck kann die Breite der Metallbeschichtung 130 in einer Richtung parallel zur Rückseite 120 so gewählt werden, dass sie größer als die Präzisionstoleranzen des Laserprozesses ist, z.B. zwischen etwa 50 nm und 150 nm, und die Dicke der Metallbeschichtung 130 in einer Richtung senkrecht zur Rückseite 120 kann so gewählt werden, dass sie zwischen etwa 0,5 µm und 15,0 µm liegt.
  • Gemäß der in 9B dargestellten Technik wird mit dem Laserstrahl die Metallbeschichtung 130 vollständig von der Rückseite 120 des Wärmeleitblocks 104 entfernt. Somit ist die planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche 132 flächengleich mit der gesamten Rückseite 120 des Wärmeleitblocks 104. Der Laserprozess kann ein Präzisionstoleranzfenster aufweisen, so dass es nicht möglich ist, die gesamte Metallbeschichtung 130 präzise zu entfernen, ohne etwas Laserenergie auf den unmittelbar benachbarten Formverbundkörper 102 zu richten. 9B zeigt eine Nut 154, die sich im Formverbundkörper 102 bilden kann, der durch diesen Effekt unmittelbar an den Wärmeleitblock 104 angrenzt. Daher kann es bei Anwendungen, bei denen die Planarität des Formverbundkörpers 102 wünschenswert ist, vorzuziehen sein, die mit Bezug auf 9A beschriebene Technik zu verwenden. Wenn alternativ eine maximale Fläche der planaren metallischen Kühlkörper-Grenzfläche 132 in Bezug auf die Fläche des Halbleitergehäuses 100 wichtiger ist als die Bildung der Nut 124, kann die mit Bezug auf 9B beschriebene Technik bevorzugt werden.
  • BEISPIELE
  • Beispiel 1 ist ein Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtung, umfassend: Bereitstellen eines Halbleitergehäuses, das einen elektrisch isolierenden Formverbundkörper, einen Halbleiterchip, der durch den Formverbundkörper eingekapselt ist, eine Vielzahl von elektrisch leitfähigen Leitern, die jeweils aus dem Formverbundkörper herausragen, und einen metallischen Wärmeleitblock umfasst, wobei der metallische Wärmeleitblock eine Rückseite umfasst, die vom Formverbundkörper freigelegt ist; Beschichten der äußeren Abschnitte der Leitungen, die vom Formverbundkörper freigelegt sind, mit einer Metallbeschichtung; und nach Abschluss der Beschichtung der äußeren Abschnitte der Leitungen, Bereitstellen einer planaren metallischen Kühlkörper-Grenzfläche auf der Halbleitervorrichtung, die: an dem Formverbundkörper freiliegen; und im Wesentlichen frei von der Metallbeschichtung ist.
  • Beispiel 2 ist das Verfahren nach Beispiel 1, wobei die planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche und die elektrisch leitfähigen Leitungen jeweils aus einem ersten Metall gebildet sind, und wobei die Metallbeschichtung ein zweites Metall mit einer höheren Lötbarkeit als das erste Metall umfasst.
  • Beispiel 3 ist das Verfahren von Beispiel 2, wobei die planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche und die elektrisch leitenden Leitungen jeweils aus Kupfer gebildet sind, und wobei die Metallbeschichtung mindestens eines von: Gold, Nickel, Zinn und Silber umfasst.
  • Beispiel 4 ist das Verfahren nach Anspruch 1, wobei die planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche durch die Rückseite des Wärmeleitblocks bereitgestellt wird, wobei das Beschichten der äußeren Abschnitte der Leitungen einen Elektroplattierungsprozess umfasst, und wobei das Bereitstellen der planaren metallischen Kühlkörper-Grenzfläche, die im Wesentlichen frei von der Metallbeschichtung ist, das Verhindern umfasst, dass der Elektroplattierungsprozess die Metallbeschichtung auf der Rückseite des Wärmeleitblocks abscheidet.
  • Beispiel 5 ist das Verfahren nach Anspruch 4, wobei der Leiterrahmen vorgesehen ist, um einen Umfangsring und einen Holm zu beinhalten, wobei jede der Leitungen mit dem Umfangsring verbunden und physisch von dem Wärmeleitblock getrennt ist, wobei der Holm mit dem Umfangsring und dem Wärmeleitblocks verbunden ist, und wobei das Verhindern, dass der Elektroplattierungsprozess die Metallbeschichtung auf der Rückseite des Wärmeleitblocks abscheidet, das Durchtrennen des Holms vor der Durchführung des Elektroplattierungsprozesses umfasst, oder wobei der Leiterrahmen vorgesehen ist, um einen Umfangsring aufzuweisen, wobei mindestens eine der Leitungen physikalisch mit dem Umfangsring und dem Wärmeleitblock verbunden ist, und wobei das Verhindern, dass der Elektroplattierungsprozess die Metallbeschichtung auf der Rückseite des Wärmeleitblocks abscheidet, das Aufbringen einer nichtleitenden Beschichtung auf die Rückseite des Wärmeleitblocks vor der Durchführung des Elektroplattierungsprozesses umfasst.
  • Beispiel 6 ist das Verfahren von Beispiel 4, wobei der Leiterrahmen vorgesehen ist, um einen Umfangsring bereitzustellen, wobei mindestens eine der Leitungen physikalisch mit dem Umfangsring und dem Wärmeleitblock verbunden ist, und wobei das Verhindern, dass der Elektroplattierungsprozess die Metallbeschichtung auf der Rückseite des Wärmeleitblocks abscheidet, das Aufbringen einer nichtleitenden Beschichtung auf die Rückseite des Wärmeleitblocks vor der Durchführung des Elektroplattierungsprozesses umfasst.
  • Beispiel 7 ist das Verfahren nach Beispiel 1, wobei das Bereitstellen der planaren metallischen Kühlkörper-Grenzfläche umfasst: Bereitstellen eines metallischen Befestigungsstücks, das von dem Wärmeleitblock getrennt ist; und Befestigen des metallischen Befestigungsstücks an der Rückseite des Wärmeleitblocks nach dem Beschichten der äußeren Abschnitte der Leitungen mit der Metallbeschichtung.
  • Beispiel 8 ist das Verfahren nach Beispiel 7, wobei das Beschichten der äußeren Abschnitte der Leitungen einen Elektroplattierungsprozess umfasst, wobei der Elektroplattierungsprozess die Metallbeschichtung auf der Rückseite des Wärmeleitblocks bildet, und wobei das metallische Befestigungsstück die Metallbeschichtung auf der Rückseite vollständig bedeckt, sobald es an dem Wärmeleitblock befestigt ist.
  • Beispiel 9 Verfahren nach Beispiel 7, wobei das Befestigen des metallischen Befestigungsstücks an der Rückseite das direkte Befestigen des metallischen Befestigungsstücks an der Rückseite umfasst, so dass eine Unterseite des metallischen Befestigungsstücks mit der Rückseite des Wärmeleitblocks verbunden ist und diese bedeckt, wobei eine Oberseite des metallischen Befestigungsstücks, die der Unterseite gegenüberliegt, die planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche bereitstellt.
  • Beispiel 10 ist das Verfahren nach Beispiel 9, wobei die Unterseite des Befestigungsstücks einen ersten Satz von Befestigungselementen umfasst, wobei die Rückseite des Wärmeleitblocks einen zweiten Satz von Befestigungselementen umfasst, wobei der erste und zweite Satz von Befestigungselementen komplementär geformt sind, und wobei das Befestigungsstück an dem Wärmeleitblock befestigt wird, indem eine ineinandergreifende Verbindung zwischen dem ersten und zweiten Satz von Befestigungselementen gebildet wird.
  • Beispiel 11 ist das Verfahren nach Beispiel 1, wobei sich die Metallbeschichtung während der Beschichtung der äußeren Abschnitte der Leitungen direkt auf der Rückseite des Wärmeleitblocks bildet, und wobei das Bereitstellen der planaren metallischen Kühlkörper-Grenzfläche das Entfernen der Metallbeschichtung umfasst, die sich direkt auf der Rückseite des Wärmeleitblocks bildet.
  • Beispiel 12 ist das Verfahren nach Beispiel 11, wobei das Entfernen der Metallbeschichtung, die sich direkt auf der Rückseite des Wärmeleitblocks bildet, das Durchführen eines Laser-Entfernungsprozesses umfasst, der die Metallbeschichtung mit einem Laserstrahl entfernt.
  • Beispiel 13 ist das Verfahren nach Beispiel 12, wobei die Metallbeschichtung von einem zentralen Abschnitt des Wärmeleitblocks entfernt wird, so dass ein Ring der Metallbeschichtung, der sich bis zu den Außenkanten des Wärmeleitblocks erstreckt, nach dem Laser-Entfernungsprozess auf dem Wärmeleitblock verbleibt.
  • Beispiel 14 ist das Verfahren nach Beispiel 12 wobei die Metallbeschichtung vollständig von dem Wärmeleitblock entfernt wird.
  • Beispiel 15 ist ein Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtung, umfassend: Bereitstellen eines Halbleitergehäuses, das einen elektrisch isolierenden Formverbundkörper, einen Halbleiterchip, der durch den Formverbundkörper eingekapselt ist, eine Vielzahl von elektrisch leitfähigen Leitungen, die jeweils aus dem Formverbundkörper herausragen, und einen metallischen Wärmeleitblock umfasst, wobei der metallische Wärmeleitblock eine Rückseite umfasst, die am Formverbundkörper freigelegt ist; Durchführen eines Elektroplattierungsprozesses auf dem Halbleitergehäuse, der eine Metallbeschichtung auf den äußeren Abschnitten der Leitungen bildet, die am Formverbundkörper freigelegt sind; und Verhindern, dass sich die Metallbeschichtung während des Elektroplattierungsprozesses auf der Rückseite des Wärmeleitblocks bildet.
  • Beispiel 16 ist das Verfahren nach Beispiel 15, wobei die Durchführung des Elektroplattierungsprozesses das Eintauchen der Leitungen und der Rückseite des Halbleitergehäuses in eine wässrige Lösung umfasst, und wobei das Verhindern der Bildung der Metallbeschichtung auf der Rückseite das elektrische Trennen des Wärmeleitblocks von den Leitungen vor der Durchführung des Elektroplattierungsprozesses umfasst.
  • Beispiel 17 ist das Verfahren nach Beispiel 16, wobei das Halbleitergehäuse auf einem Leiterrahmen bereitgestellt wird, der einen Umfangsring und einen Holm umfasst, wobei jede der Leitungen mit dem Umfangsring verbunden und von dem Wärmeleitblock getrennt ist, wobei der Holm mit dem Umfangsring und dem Wärmeleitblocks verbunden ist, und wobei das elektrische Trennen des Wärmeleitblocks von den Leitungen das Trennen des Holms umfasst.
  • Beispiel 18 ist das Verfahren nach Beispiel 16, wobei das Verhindern der Bildung der Metallbeschichtung auf der Rückseite des Wärmeleitblocks das Auftragen eines nichtleitenden Klebstoffs auf die Rückseite des Wärmeleitblocks vor der Durchführung des Elektroplattierungsprozesses umfasst.
  • Beispiel 19 ist eine gehauste Halbleitervorrichtung, umfassend: einen elektrisch isolierenden Formverbundkörper; einen metallischen Wärmeleitblock, umfassend eine Rückseite, die am Formverbundkörper freiliegt, und eine Chipbefestigungsfläche gegenüber der Rückseite; einen Halbleiterchip, der von dem Formverbundkörper eingekapselt und auf dem Wärmeleitblock montiert ist; eine Vielzahl von elektrisch leitfähigen Leitungen, wobei jede der Leitungen äußere Abschnitte umfasst, die am Formverbundkörper freigelegt sind; eine Metallbeschichtung, die die äußeren Abschnitte jeder der Leitungen bedeckt; und eine planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche, die: an dem Formverbundkörper freiliegt; thermisch mit dem Halbleiterchip über den Wärmeleitblock gekoppelt ist; und im Wesentlichen frei von der Metallbeschichtung ist.
  • Beispiel 20 ist die gehauste Halbleitervorrichtung nach Beispiel 19, wobei die planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche und die elektrisch leitfähigen Leitungen jeweils aus einem ersten Metall gebildet sind, und wobei die Metallbeschichtung ein zweites Metall mit einer höheren Lötbarkeit als das erste Metall umfasst und/oder die Rückseite des Wärmeleitblocks die planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche bereitstellt.
  • Beispiel 21 ist die gehauste Halbleitervorrichtung von Beispiel 19, wobei die Rückseite des Wärmeleitblocks die planare metallische Kühlkörper-Schnittstellenfläche bereitstellt.
  • Beispiel 22 ist die gehauste Halbleitervorrichtung nach Beispiel 19, ferner umfassend ein metallisches Befestigungsstück, das von dem Wärmeleitblock verschieden ist und an seiner Unterseite an dem Wärmeleitblock befestigt ist, und wobei eine Oberseite des metallischen Befestigungsstücks die planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche bereitstellt.
  • Beispiel 23 ist die gehauste Halbleitervorrichtung nach Beispiel 19, wobei die Metallbeschichtung zusätzlich auf der Rückseite des Wärmeleitblocks in einem Ring ausgebildet ist, der einen zentralen Abschnitt des Wärmeleitblocks umgibt, der von der Metallbeschichtung freigelegt ist.
  • Beispiel 24 ist die gehauste Halbleitervorrichtung nach Beispiel 19, die ferner eine in dem Formverbundkörper gebildete Nut umfasst, wobei die Nut die Rückseite des Wärmeleitblocks umgibt und wobei die Rückseite des Wärmeleitblock vollständig frei von der Metallbeschichtung ist.

Claims (12)

  1. Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtung, aufweisend: Bereitstellen eines Halbleitergehäuses (100), das einen elektrisch isolierenden Formverbundkörper (102), einen Halbleiterchip (108), der durch den Formverbundkörper (102) eingekapselt ist, eine Vielzahl von elektrisch leitfähigen Leitungen (106), die jeweils aus dem Formverbundkörper (102) herausragen, und einen metallischen Wärmeleitblock (104) aufweist, wobei der metallische Wärmeleitblock (104) eine Rückseite (120) aufweist, die am Formverbundkörper (102) freigelegt ist; Bereitstellen eines Leiterrahmens (134), der einen Umfangsring (136) aufweist, wobei mindestens eine der Leitungen (106) physikalisch mit dem Umfangsring (136) und dem Wärmeleitblock (104) verbunden ist; Durchführung eines Elektroplattierungsprozesses an dem Halbleitergehäuse (100) zum Beschichten der äußeren Abschnitte (116) der Leitungen (106), die am Formverbundkörper (102) freigelegt sind, mit einer Metallbeschichtung (130); Aufbringen einer nichtleitenden Beschichtung (140) auf die Rückseite (120) des Wärmeleitblocks (104) vor der Durchführung des Elektroplattierungsprozesses, um zu verhindern, dass der Elektroplattierungsprozess die Metallbeschichtung (130) auf der Rückseite (120) des Wärmeleitblocks (104) abscheidet; und nach Abschluss des Beschichtens der äußeren Abschnitte (116) der Leitungen (106), Bereitstellen einer planaren metallischen Kühlkörper-Grenzfläche (132) auf der Halbleitervorrichtung, die: an dem Formverbundkörper (102) freiliegen; und frei von der Metallbeschichtung (130) ist; wobei die planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche (132) durch die Rückseite (120) des Wärmeleitblocks (104) bereitgestellt wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche (132) und die elektrisch leitfähigen Leitungen (106) jeweils aus einem ersten Metall gebildet sind, und wobei die Metallbeschichtung (130) ein zweites Metall mit einer höheren Lötbarkeit als das erste Metall aufweist.
  3. Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtung, aufweisend: Bereitstellen eines Halbleitergehäuses (100), das einen elektrisch isolierenden Formverbundkörper (102), einen Halbleiterchip (108), der durch den Formverbundkörper (102) eingekapselt ist, eine Vielzahl von elektrisch leitfähigen Leitungen (106), die jeweils aus dem Formverbundkörper (102) herausragen, und einen metallischen Wärmeleitblock (104) aufweist, wobei der metallische Wärmeleitblock (104) eine Rückseite (120) aufweist, die am Formverbundkörper (102) freigelegt ist; Durchführung eines Elektroplattierungsprozesses an dem Halbleitergehäuse (100) zum Beschichten der äußeren Abschnitte (116) der Leitungen (106), die am Formverbundkörper (102) freigelegt sind, und der Rückseite (120) des Wärmeleitblocks (104) mit einer Metallbeschichtung (130); und nach Abschluss des Beschichtens der äußeren Abschnitte (116) der Leitungen (106), Bereitstellen einer planaren metallischen Kühlkörper-Grenzfläche (132) auf der Halbleitervorrichtung, die: an dem Formverbundkörper (102) freiliegen; und frei von der Metallbeschichtung (130) ist, wobei das Bereitstellen der planaren metallischen Kühlkörper-Grenzfläche (132) aufweist: Bereitstellen eines metallischen Befestigungsstücks (142), das von dem Wärmeleitblock (104) verschieden ist; und Befestigen des metallischen Befestigungsstücks (142) an der Rückseite (120) des Wärmeleitblocks (104) nach dem Beschichten der äußeren Abschnitte (116) der Leitungen (106) mit der Metallbeschichtung (130) derart, dass das metallische Befestigungsstück (142) die Metallbeschichtung (130) auf der Rückseite (120) des Wärmeleitblocks (104) vollständig bedeckt.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei das Befestigen des metallischen Befestigungsstücks (142) an der Rückseite (120) das direkte Befestigen des metallischen Befestigungsstücks (142) an der Rückseite (120) aufweist, so dass eine Unterseite des metallischen Befestigungsstücks (142) mit der Rückseite (120) des Wärmeleitblocks (104) verbunden ist und diese bedeckt, wobei eine Oberseite des metallischen Befestigungsstücks (142), die der Unterseite gegenüberliegt, die planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche (132) bereitstellt.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, wobei die Unterseite des Befestigungsstücks (142) einen ersten Satz von Befestigungselementen (146) aufweist, wobei die Rückseite des Wärmeleitblocks (104) einen zweiten Satz von Befestigungselementen (148) aufweist, wobei der erste und zweite Satz (146, 148) von Befestigungselementen komplementär geformt sind, und wobei das Befestigungsstück (142) an dem Wärmeleitblock (104) befestigt wird, indem eine ineinandergreifende Verbindung zwischen dem ersten und zweiten Satz (146, 148) von Befestigungselementen gebildet wird.
  6. Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtung, aufweisend: Bereitstellen eines Halbleitergehäuses (100), das einen elektrisch isolierenden Formverbundkörper (102), einen Halbleiterchip (108), der durch den Formverbundkörper (102) eingekapselt ist, eine Vielzahl von elektrisch leitfähigen Leitungen (106), die jeweils aus dem Formverbundkörper (102) herausragen, und einen metallischen Wärmeleitblock (104) aufweist, wobei der metallische Wärmeleitblock (104) eine Rückseite (120) aufweist, die am Formverbundkörper (102) freigelegt ist; Durchführen eines Elektroplattierungsprozesses an dem Halbleitergehäuse (100), der eine Metallbeschichtung (130) auf den äußeren Abschnitten (116) der Leitungen (106) bildet, die am Formverbundkörper (102) freigelegt sind; und Verhindern, dass sich die Metallbeschichtung (130) während des Elektroplattierungsprozesses auf der Rückseite (120) des Wärmeleitblocks (104) bildet, wobei das Durchführen des Elektroplattierungsprozesses das Eintauchen der Leitungen (106) und der Rückseite (120) des Halbleitergehäuses (100) in eine wässrige Lösung aufweist, und wobei das Verhindern der Bildung der Metallbeschichtung (130) auf der Rückseite (120) das elektrische Trennen des Wärmeleitblocks (104) von den Leitungen (106) vor der Durchführung des Elektroplattierungsprozesses aufweist.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, wobei das Halbleitergehäuse (100) auf einem Leiterrahmen (134) bereitgestellt wird, der einen Umfangsring (136) und einen Holm (138) aufweist, wobei jede der Leitungen (106) mit dem Umfangsring (136) verbunden und von dem Wärmeleitblock (104) getrennt ist, wobei der Holm (138) mit dem Umfangsring (136) und dem Wärmeleitblock (104) verbunden ist, und wobei das elektrische Trennen des Wärmeleitblocks (104) von den Leitungen (106) das Trennen des Holms (138) aufweist.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, wobei das Verhindern der Bildung der Metallbeschichtung (130) auf der Rückseite (120) des Wärmeleitblocks (104) das Auftragen eines nichtleitenden Klebstoffs auf die Rückseite (120) des Wärmeleitblocks (104) vor der Durchführung des Elektroplattierungsprozesses aufweist.
  9. Gehauste Halbleitervorrichtung, aufweisend: einen elektrisch isolierenden Formverbundkörper (102); einen metallischen Wärmeleitblock (104), aufweisend eine Rückseite (120), die am Formverbundkörper (102) freiliegt, und eine Chipbefestigungsfläche (110) gegenüber der Rückseite (120); einen Halbleiterchip (108), der von dem Formverbundkörper (102) eingekapselt und auf dem Wärmeleitblock (104) montiert ist; eine Vielzahl von elektrisch leitfähigen Leitungen (106), wobei jede der Leitungen (106) äußere Abschnitte (116) aufweist, die am Formverbundkörper (102) freigelegt sind; eine Metallbeschichtung (130), die die äußeren Abschnitte (116) jeder der Leitungen (106) bedeckt; und eine planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche (132), die: an dem Formverbundkörper (102) freiliegt; thermisch mit dem Halbleiterchip (108) über den Wärmeleitblock (104) gekoppelt ist; und frei von der Metallbeschichtung (130) ist, wobei die Metallbeschichtung (130) zusätzlich auf der Rückseite (120) des Wärmeleitblocks (104) in einem Ring ausgebildet ist, der einen zentralen Abschnitt des Wärmeleitblocks (104) umgibt, der von der Metallbeschichtung (130) freigelegt ist.
  10. Gehauste Halbleitervorrichtung nach Anspruch 9, wobei die planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche (132) und die elektrisch leitfähigen Leitungen (106) jeweils aus einem ersten Metall gebildet sind, und wobei die Metallbeschichtung (130) ein zweites Metall mit einer höheren Lötbarkeit als das erste Metall aufweist und/oder die Rückseite (120) des Wärmeleitblocks (104) die planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche (132) bereitstellt.
  11. Gehauste Halbleitervorrichtung nach Anspruch 9, ferner aufweisend ein metallisches Befestigungsstück (142), das von dem Wärmeleitblock (104) verschieden ist und an seiner Unterseite an dem Wärmeleitblock (104) befestigt ist, und wobei eine Oberseite des metallischen Befestigungsstücks (142) die planare metallische Kühlkörper-Grenzfläche (132) bereitstellt.
  12. Gehauste Halbleitervorrichtung nach Anspruch 9, die ferner eine in dem Formverbundkörper (102) gebildete Nut aufweist, wobei die Nut die Rückseite (120) des Wärmeleitblocks (104) umgibt und wobei die Rückseite (120) des Wärmeleitblocks (104) vollständig frei von der Metallbeschichtung (130) ist.
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