JP3446829B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JP3446829B2 JP3446829B2 JP2000238726A JP2000238726A JP3446829B2 JP 3446829 B2 JP3446829 B2 JP 3446829B2 JP 2000238726 A JP2000238726 A JP 2000238726A JP 2000238726 A JP2000238726 A JP 2000238726A JP 3446829 B2 JP3446829 B2 JP 3446829B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- brazing material
- brazing
- external lead
- support plate
- filler metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/29111—Tin [Sn] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48095—Kinked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48799—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu)
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0103—Zinc [Zn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0105—Tin [Sn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01051—Antimony [Sb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0133—Ternary Alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0134—Quaternary Alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイオード、トラ
ンジスタ、IC等の半導体チップが固着された支持板
と、支持板に連結された連結外部リードと、支持板に連
結されていない非連結外部リードと、半導体チップと非
連結外部リードとを接続する内部接続部材とを有し、半
導体チップ及び前記内部接続部材がろう材で結合されて
いる半導体装置に関する。
ンジスタ、IC等の半導体チップが固着された支持板
と、支持板に連結された連結外部リードと、支持板に連
結されていない非連結外部リードと、半導体チップと非
連結外部リードとを接続する内部接続部材とを有し、半
導体チップ及び前記内部接続部材がろう材で結合されて
いる半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】定格電流が小さい半導体装置において
は、半導体チップと外部リードとの間を金細線を使用し
たワイヤボンディング方法で接続することが多い。しか
し、比較的大きな電流が流れる電力系の半導体装置で
は、金が溶融する恐れがあるために、金細線のワイヤボ
ンディングを使用することができない。アルミニウム細
線を使用するワイヤボンディング方法もあるが、この場
合にはアルカリ系のエッチング液を用いた洗浄工程にお
いてアルミニウム細線が溶解するので、これを採用する
ことは不適当である。従って、従来の電力系の半導体装
置においては、例えば銅(Cu)にニッケルメッキを施
した比較的太い内部接続部材が半導体チップと外部リー
ドとに半田で結合されている。
は、半導体チップと外部リードとの間を金細線を使用し
たワイヤボンディング方法で接続することが多い。しか
し、比較的大きな電流が流れる電力系の半導体装置で
は、金が溶融する恐れがあるために、金細線のワイヤボ
ンディングを使用することができない。アルミニウム細
線を使用するワイヤボンディング方法もあるが、この場
合にはアルカリ系のエッチング液を用いた洗浄工程にお
いてアルミニウム細線が溶解するので、これを採用する
ことは不適当である。従って、従来の電力系の半導体装
置においては、例えば銅(Cu)にニッケルメッキを施
した比較的太い内部接続部材が半導体チップと外部リー
ドとに半田で結合されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、樹脂封止体
等の外囲体から導出されている外部リードを半田ディッ
プ等によって外部回路に接続する時に外部リードに熱が
加わり、半導体チップを外部リードに接続している内部
接続部材の半田が溶融し、接続不良を起こすことがあ
る。この問題を解決するために融点の高いろう材を使用
することが考えられる。しかし、融点の高いろう材は融
点の低いろう材に比較して濡れ性が悪い。半導体チップ
を支持板に固着するためのろう材として融点が高く且つ
濡れ性の悪いろう材を使用すると、気泡が残存し且つろ
う材が不均一に分布し、熱抵抗が大きくなること、又は
十分な結合強度が得られないことがある。
等の外囲体から導出されている外部リードを半田ディッ
プ等によって外部回路に接続する時に外部リードに熱が
加わり、半導体チップを外部リードに接続している内部
接続部材の半田が溶融し、接続不良を起こすことがあ
る。この問題を解決するために融点の高いろう材を使用
することが考えられる。しかし、融点の高いろう材は融
点の低いろう材に比較して濡れ性が悪い。半導体チップ
を支持板に固着するためのろう材として融点が高く且つ
濡れ性の悪いろう材を使用すると、気泡が残存し且つろ
う材が不均一に分布し、熱抵抗が大きくなること、又は
十分な結合強度が得られないことがある。
【0004】そこで、本発明の目的は、半導体チップの
支持板に対する良好な固着と半導体チップを外部リード
に接続するための内部接続部材の外部リードに対する接
続部分の耐熱性の確保とを合理的に達成することができ
る半導体装置を提供することにある。
支持板に対する良好な固着と半導体チップを外部リード
に接続するための内部接続部材の外部リードに対する接
続部分の耐熱性の確保とを合理的に達成することができ
る半導体装置を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、半導体チップと、前記半導体チップが固着
された金属製支持板と、前記支持板に連結された連結外
部リードと、前記支持板に連結されていない非連結外部
リードと、前記半導体チップと前記非連結外部リードと
を電気的に接続する内部接続部材と、前記半導体チップ
と前記支持板と前記内部接続部材と前記非連結外部リー
ドの前記内部接続部材に対する接続部とを囲むように設
けられた外囲体とを備えた半導体装置であって、前記半
導体チップの裏面は第1のろう材によって前記支持板に
固着され、前記内部接続部材の一端は第2のろう材によ
って前記半導体チップの表面に固着され、前記内部接続
部材の他端は第3のろう材によって前記非連結外部リー
ドに固着され、前記第1のろう材は、SnとAgとから
成るろう材又はSnとAgとCuとから成るろう材又は
SnとAgとCuとBiとから成るろう材であり、前記
第3のろう材は、Snから成るろう材又はSnとAgと
から成るろう材又はSnとSbとから成るろう材又はB
iとZnとから成るろう材であり、前記第1のろう材
は、前記第3のろう材よりも融点が低く且つ前記第3の
ろう材よりも濡れ性が良い材料であることを特徴とする
半導体装置に係わるものである。なお、請求項2に示す
ように、内部接続部材を半導体チップに接続するための
第2のろう材を、第1のろう材と同様に第3のろう材よ
りも融点が低く且つ濡れ性の良いものとすることが望ま
しく、第1のろう材と同一材料とすることが更に望まし
い。
の本発明は、半導体チップと、前記半導体チップが固着
された金属製支持板と、前記支持板に連結された連結外
部リードと、前記支持板に連結されていない非連結外部
リードと、前記半導体チップと前記非連結外部リードと
を電気的に接続する内部接続部材と、前記半導体チップ
と前記支持板と前記内部接続部材と前記非連結外部リー
ドの前記内部接続部材に対する接続部とを囲むように設
けられた外囲体とを備えた半導体装置であって、前記半
導体チップの裏面は第1のろう材によって前記支持板に
固着され、前記内部接続部材の一端は第2のろう材によ
って前記半導体チップの表面に固着され、前記内部接続
部材の他端は第3のろう材によって前記非連結外部リー
ドに固着され、前記第1のろう材は、SnとAgとから
成るろう材又はSnとAgとCuとから成るろう材又は
SnとAgとCuとBiとから成るろう材であり、前記
第3のろう材は、Snから成るろう材又はSnとAgと
から成るろう材又はSnとSbとから成るろう材又はB
iとZnとから成るろう材であり、前記第1のろう材
は、前記第3のろう材よりも融点が低く且つ前記第3の
ろう材よりも濡れ性が良い材料であることを特徴とする
半導体装置に係わるものである。なお、請求項2に示す
ように、内部接続部材を半導体チップに接続するための
第2のろう材を、第1のろう材と同様に第3のろう材よ
りも融点が低く且つ濡れ性の良いものとすることが望ま
しく、第1のろう材と同一材料とすることが更に望まし
い。
【0006】
【発明の効果】各請求項の発明によれば、非連結外部リ
ードは支持板に連結されていないので、放熱性が連結外
部リードに比べて悪いが、非連結外部リードと内部接続
部材とを接続している第3のろう材は比較的融点が高い
ので、半田ディップ等によって外部から加わった熱で第
3のろう材が溶融することがない。また、連結外部リー
ドに連結されている支持板は放熱性が良く且つ半導体チ
ップの固着位置は連結外部リード及び非連結外部リード
の外囲体との境界を基準として非連結外部リードの第3
のろう材の位置よりも遠くにある。このため、連結外部
リードと非連結外部リードに同一の熱が加わった時に半
導体チップを固着している第1のろう材の温度が非連結
外部リードの第3のろう材の温度より低くなる。従っ
て、半導体チップを第3のろう材よりも融点の低い第1
のろう材で固着しても溶融の問題は発生しない。第1の
ろう材は第3のろう材に比べて融点を下げた分だけ濡れ
性を高められている。従って、半導体チップは支持板に
対して均一且つ気泡を含まない状態に良好に固着され
る。この結果、機械的強度の大きく且つ熱抵抗の小さい
半導体チップの固着が可能になる。また、第1のろう材
の濡れ性が良いので、半導体チップの支持板に対する固
着の作業を迅速且つ円滑に進めることができる。また、
第1及び第3のろう材に環境に対して問題があるPb(鉛)
を含まないろう材を使用することによって環境対策が容
易になる。また、請求項2の発明によれば、内部接続部
材の半導体チップに対する接続を良好且つ容易に達成す
ることができる。
ードは支持板に連結されていないので、放熱性が連結外
部リードに比べて悪いが、非連結外部リードと内部接続
部材とを接続している第3のろう材は比較的融点が高い
ので、半田ディップ等によって外部から加わった熱で第
3のろう材が溶融することがない。また、連結外部リー
ドに連結されている支持板は放熱性が良く且つ半導体チ
ップの固着位置は連結外部リード及び非連結外部リード
の外囲体との境界を基準として非連結外部リードの第3
のろう材の位置よりも遠くにある。このため、連結外部
リードと非連結外部リードに同一の熱が加わった時に半
導体チップを固着している第1のろう材の温度が非連結
外部リードの第3のろう材の温度より低くなる。従っ
て、半導体チップを第3のろう材よりも融点の低い第1
のろう材で固着しても溶融の問題は発生しない。第1の
ろう材は第3のろう材に比べて融点を下げた分だけ濡れ
性を高められている。従って、半導体チップは支持板に
対して均一且つ気泡を含まない状態に良好に固着され
る。この結果、機械的強度の大きく且つ熱抵抗の小さい
半導体チップの固着が可能になる。また、第1のろう材
の濡れ性が良いので、半導体チップの支持板に対する固
着の作業を迅速且つ円滑に進めることができる。また、
第1及び第3のろう材に環境に対して問題があるPb(鉛)
を含まないろう材を使用することによって環境対策が容
易になる。また、請求項2の発明によれば、内部接続部
材の半導体チップに対する接続を良好且つ容易に達成す
ることができる。
【0007】
【実施形態】次に、図1及び図2を参照して本発明の実
施形態に係わる半導体装置を説明する。
施形態に係わる半導体装置を説明する。
【0008】図1に示す半導体装置は、全波整流回路を
構成するためのものであって、第1及び第2のシリコン
ダイオードチップ即ち半導体チップ1、2と、金属支持
板3と、連結外部リード4と、第1及び第2の非連結外
部リード5、6と、第1及び第2の内部接続部材7、8
と、外囲体としての例えばエポキシ樹脂から成る絶縁物
封止体9とを有している。
構成するためのものであって、第1及び第2のシリコン
ダイオードチップ即ち半導体チップ1、2と、金属支持
板3と、連結外部リード4と、第1及び第2の非連結外
部リード5、6と、第1及び第2の内部接続部材7、8
と、外囲体としての例えばエポキシ樹脂から成る絶縁物
封止体9とを有している。
【0009】半導体チップ1、2は、図2に示すように
PN接合を有するシリコン半導体基体10と、この基体
10の一方の主面に形成された例えばニッケルから成る
第1の金属電極11と、基体10の他方の主面に形成さ
れた例えばニッケルから成る第2の金属電極12とをそ
れぞれ有し、それぞれの第2の金属電極12が支持板3
に第1のろう材13によって固着されている。第1及び
第2の半導体チップ1、2の表面側の第1の金属電極1
1に、銅線にニッケルメッキ被覆が形成されたものから
成る第1及び第2のワイヤ状の内部接続部材7、8の一
端が第1のろう材13と同一の材料から成る第2のろう
材14によってそれぞれ固着されている。内部接続部材
7、8の他端は第1及び第2の非連結外部リード5、6
の一端部に第3のろう材15によってそれぞれ固着され
ている。
PN接合を有するシリコン半導体基体10と、この基体
10の一方の主面に形成された例えばニッケルから成る
第1の金属電極11と、基体10の他方の主面に形成さ
れた例えばニッケルから成る第2の金属電極12とをそ
れぞれ有し、それぞれの第2の金属電極12が支持板3
に第1のろう材13によって固着されている。第1及び
第2の半導体チップ1、2の表面側の第1の金属電極1
1に、銅線にニッケルメッキ被覆が形成されたものから
成る第1及び第2のワイヤ状の内部接続部材7、8の一
端が第1のろう材13と同一の材料から成る第2のろう
材14によってそれぞれ固着されている。内部接続部材
7、8の他端は第1及び第2の非連結外部リード5、6
の一端部に第3のろう材15によってそれぞれ固着され
ている。
【0010】支持板3と及び外部リード4、5、6はリ
ードフレームに基づいて形成されたものであり、それぞ
れが例えば銅板の表面にニッケルメッキ層を設けた金属
板から成る。支持板3は、平面的に見てチップ1、2の
面積の数倍以上、好ましくは3倍以上、より好ましくは
5倍以上の面積を有する。帯状に形成された連結外部リ
ード4は支持板3と一体に形成されており、支持板3の
一方の端面から直線的に導出されている。第1及び第2
の非連結外部リード5、6は連結外部リード4に平行に
配置され、これ等の一端部は支持板3の一方の端面に対
して所定の間隔を介して接近配置されている。第1及び
第2の非連結外部リード5、6はリードフレーム状態の
時には連結条によって連結外部リード4と一体化されて
いるが、組立終了後に分離される。連結外部リード4、
第1及び第2の非連結外部リード5、6は支持板3と同
一の厚みを有し且つ支持板3の一方の端面の幅W1 より
も大幅に狭い幅W2 を有する。
ードフレームに基づいて形成されたものであり、それぞ
れが例えば銅板の表面にニッケルメッキ層を設けた金属
板から成る。支持板3は、平面的に見てチップ1、2の
面積の数倍以上、好ましくは3倍以上、より好ましくは
5倍以上の面積を有する。帯状に形成された連結外部リ
ード4は支持板3と一体に形成されており、支持板3の
一方の端面から直線的に導出されている。第1及び第2
の非連結外部リード5、6は連結外部リード4に平行に
配置され、これ等の一端部は支持板3の一方の端面に対
して所定の間隔を介して接近配置されている。第1及び
第2の非連結外部リード5、6はリードフレーム状態の
時には連結条によって連結外部リード4と一体化されて
いるが、組立終了後に分離される。連結外部リード4、
第1及び第2の非連結外部リード5、6は支持板3と同
一の厚みを有し且つ支持板3の一方の端面の幅W1 より
も大幅に狭い幅W2 を有する。
【0011】半導体チップ1、2を支持板3に固着して
いる第1のろう材13は、Sn(錫)とAg(銀)との
合金から成る低温半田であって、融点が220℃よりも
低く且つ濡れ性即ち半田付け性が良い半田から成る。こ
の第1のろう材13はSn―Ag系であることが望まし
く、この好ましい組成範囲は、Sn 96.5〜98.0重量
%、Ag 2.0〜3.5 重量%である。この実施形態で
は、第2のろう材14は第1のろう材13と同一材料か
ら成り、第1のろう材と同様に比較的良い濡れ性と比較
的低い融点を有する。なお、第1及び第2のろう材1
3、14としては、 Sn 96.5重量% Ag 3.5重量% の融点が221℃のSn―Ag系ろう材又は Sn 95.75 重量% Ag 3.50 重量% Cu 0.75 重量% の融点217℃のSn−Ag−Cu系ろう材、又は、 Sn 94.25 重量% Ag 2.00 重量% Cu 0.75 重量% Bi 3.00 重量% のSn−Ag−Cu−Bi系ろう材、又は Sn 95.5 重量% Ag 2.0 重量% Cu 0.5 重量% Bi 2.0 重量% のSn−Ag−Cu−Bi系ろう材を使用することがで
きる。
いる第1のろう材13は、Sn(錫)とAg(銀)との
合金から成る低温半田であって、融点が220℃よりも
低く且つ濡れ性即ち半田付け性が良い半田から成る。こ
の第1のろう材13はSn―Ag系であることが望まし
く、この好ましい組成範囲は、Sn 96.5〜98.0重量
%、Ag 2.0〜3.5 重量%である。この実施形態で
は、第2のろう材14は第1のろう材13と同一材料か
ら成り、第1のろう材と同様に比較的良い濡れ性と比較
的低い融点を有する。なお、第1及び第2のろう材1
3、14としては、 Sn 96.5重量% Ag 3.5重量% の融点が221℃のSn―Ag系ろう材又は Sn 95.75 重量% Ag 3.50 重量% Cu 0.75 重量% の融点217℃のSn−Ag−Cu系ろう材、又は、 Sn 94.25 重量% Ag 2.00 重量% Cu 0.75 重量% Bi 3.00 重量% のSn−Ag−Cu−Bi系ろう材、又は Sn 95.5 重量% Ag 2.0 重量% Cu 0.5 重量% Bi 2.0 重量% のSn−Ag−Cu−Bi系ろう材を使用することがで
きる。
【0012】第3のろう材15は第1及び第2のろう材
13、14に比べて濡れ性が悪く且つ融点が約230℃
以上の高温のろう材から成り、例えば融点が232℃の
Sn100%のろう材、又は Sn 99.25 重量% Ag 0.75 重量% から成る融点が227℃のSn−Ag系ろう材、又は Sn 95 重量% Sb 5 重量% から成る融点が235℃のSn‐Sb系ろう材、又は Bi 97.3 重量% Zn 2.7 重量% の融点が255℃のBi−Zn系ろう材である。
13、14に比べて濡れ性が悪く且つ融点が約230℃
以上の高温のろう材から成り、例えば融点が232℃の
Sn100%のろう材、又は Sn 99.25 重量% Ag 0.75 重量% から成る融点が227℃のSn−Ag系ろう材、又は Sn 95 重量% Sb 5 重量% から成る融点が235℃のSn‐Sb系ろう材、又は Bi 97.3 重量% Zn 2.7 重量% の融点が255℃のBi−Zn系ろう材である。
【0013】絶縁物封止体9は第1及び第2の半導体チ
ップ1、2と支持板3と内部接続部材7、8と連結外部
リード4の支持板寄り部分と第1及び第2の非連結外部
リード5、6の支持板寄り端部とを覆うように例えばト
ランスファモールド法で形成されている。なお、第1、
第2及び第3のろう材13、14、15も絶縁物封止体
9の内部に配置されている。
ップ1、2と支持板3と内部接続部材7、8と連結外部
リード4の支持板寄り部分と第1及び第2の非連結外部
リード5、6の支持板寄り端部とを覆うように例えばト
ランスファモールド法で形成されている。なお、第1、
第2及び第3のろう材13、14、15も絶縁物封止体
9の内部に配置されている。
【0014】外部リ−ド4、5、6の例えばプリント回
路基板等に対する接続を容易にするために、外部リ−ド
4、5、6の封止体9から露出している部分の表面に半
田ディップ法で半田被覆層を形成することがある。この
半田被覆層を形成する時には、外部リ−ド4、5、6を
溶融半田に接触させる。半田ディップ工程で外部リード
4、5、6が高温の溶融半田に接触すると、半田の熱が
連結外部リード4を介して第1及び第2のろう材13、
14に及び、また非連結外部リード5、6を介して第3
のろう材15に及ぶ。非連結外部リード5、6は支持板
3に連結されておらず、放熱表面積が小さいので、これ
自体及び第3のろう材15の温度が比較的高くなる。し
かし、第3のろう材15の融点は例えば232℃のよう
に比較的高いので、半田ディップ時の熱によって溶融
し、接続不良を発生する恐れはない。半導体チップ1、
2の下面の第1のろう材13及び上面の第2のろう材1
4は第3のろう材15よりも低い融点を有するが、半田
ディップ時のこれ等の部分の温度上昇は第3のろう材1
5の温度上昇よりは低い。即ち、支持板3は大きな放熱
表面積を有するので、連結外部リード4から支持板3に
伝導した熱は速やかに放散され、第1及び第2のろう材
13、14の温度がさほど高くならず、第1及び第2の
ろう材13、14の溶融による接続不良が発生しない。
半導体装置をプリント回路基板に半田ディップ法で固着
する時にも、外部リ−ド4、5、6に熱が加わるが、第
1〜第3のろう材13、14、15は前述の半田被覆層
の形成時と同様に接続不良状態にならない。
路基板等に対する接続を容易にするために、外部リ−ド
4、5、6の封止体9から露出している部分の表面に半
田ディップ法で半田被覆層を形成することがある。この
半田被覆層を形成する時には、外部リ−ド4、5、6を
溶融半田に接触させる。半田ディップ工程で外部リード
4、5、6が高温の溶融半田に接触すると、半田の熱が
連結外部リード4を介して第1及び第2のろう材13、
14に及び、また非連結外部リード5、6を介して第3
のろう材15に及ぶ。非連結外部リード5、6は支持板
3に連結されておらず、放熱表面積が小さいので、これ
自体及び第3のろう材15の温度が比較的高くなる。し
かし、第3のろう材15の融点は例えば232℃のよう
に比較的高いので、半田ディップ時の熱によって溶融
し、接続不良を発生する恐れはない。半導体チップ1、
2の下面の第1のろう材13及び上面の第2のろう材1
4は第3のろう材15よりも低い融点を有するが、半田
ディップ時のこれ等の部分の温度上昇は第3のろう材1
5の温度上昇よりは低い。即ち、支持板3は大きな放熱
表面積を有するので、連結外部リード4から支持板3に
伝導した熱は速やかに放散され、第1及び第2のろう材
13、14の温度がさほど高くならず、第1及び第2の
ろう材13、14の溶融による接続不良が発生しない。
半導体装置をプリント回路基板に半田ディップ法で固着
する時にも、外部リ−ド4、5、6に熱が加わるが、第
1〜第3のろう材13、14、15は前述の半田被覆層
の形成時と同様に接続不良状態にならない。
【0015】本実施形態は次の効果を有する。
(1) 半導体チップ1、2を支持板3に固着するため
の第1のろう材13は、濡れ性が良いものから成るの
で、ろう材の広がりが良く且つ気泡が少なくなり、第1
のろう材13による半導体チップ1、2の固着を良好に
達成することができる。即ち、接着強度が大きく且つ電
気抵抗及び熱抵抗の小さい半導体チップ1、2の固着が
可能になる。また半導体チップ1、2の固着を作業性良
く達成することができる。要するに、第1、第2及び第
3のろう材13、14、15の全てを第3のろう材15
と同一の高温半田で構成する場合に比べて本実施例によ
れば、半導体チップ1、2の固着部の電気的、熱的及び
機械的特性が良く成る。 (2) 第2のろう材14は第3のろう材15よりも濡
れ性において優れているので、半導体チップ1、2に対
して内部接続部材7、8を良好且つ作業性良く接続する
ことができる。 (3) Pb(鉛)を含まないろう材を使用するので、環
境対策が容易になる。
の第1のろう材13は、濡れ性が良いものから成るの
で、ろう材の広がりが良く且つ気泡が少なくなり、第1
のろう材13による半導体チップ1、2の固着を良好に
達成することができる。即ち、接着強度が大きく且つ電
気抵抗及び熱抵抗の小さい半導体チップ1、2の固着が
可能になる。また半導体チップ1、2の固着を作業性良
く達成することができる。要するに、第1、第2及び第
3のろう材13、14、15の全てを第3のろう材15
と同一の高温半田で構成する場合に比べて本実施例によ
れば、半導体チップ1、2の固着部の電気的、熱的及び
機械的特性が良く成る。 (2) 第2のろう材14は第3のろう材15よりも濡
れ性において優れているので、半導体チップ1、2に対
して内部接続部材7、8を良好且つ作業性良く接続する
ことができる。 (3) Pb(鉛)を含まないろう材を使用するので、環
境対策が容易になる。
【0016】
【変形例】本発明は上述の実施形態に限定されるもので
なく、例えば次の変形が可能なものである。 (1) 絶縁物封止体9を金属容器による封止体(カン
封止体)、又はセラミック容器による封止体としてもよ
い。また、支持板3の一部を露出するように封止体9形
成することができる。 (2) 非連結外部リード5、6の内の一方を省くこと
ができる。また、非連結外部リード及び連結外部リード
を増やすことができる。 (3) 半導体チップ1、2をダイオードチップ以外の
トランジスタ、サイリスタ、ICチップ等とすることが
できる。支持板3に1つのトランジスタチップを配置す
る場合には第1及び第2の内部接続部材7、8をエミッ
タ、ベースの接続に利用する。 (4) 第2のろう材14は、第1のろう材13とは別
の材料とすることができる。
なく、例えば次の変形が可能なものである。 (1) 絶縁物封止体9を金属容器による封止体(カン
封止体)、又はセラミック容器による封止体としてもよ
い。また、支持板3の一部を露出するように封止体9形
成することができる。 (2) 非連結外部リード5、6の内の一方を省くこと
ができる。また、非連結外部リード及び連結外部リード
を増やすことができる。 (3) 半導体チップ1、2をダイオードチップ以外の
トランジスタ、サイリスタ、ICチップ等とすることが
できる。支持板3に1つのトランジスタチップを配置す
る場合には第1及び第2の内部接続部材7、8をエミッ
タ、ベースの接続に利用する。 (4) 第2のろう材14は、第1のろう材13とは別
の材料とすることができる。
【図1】本発明の実施形態に従う半導体装置を封止体を
省いた状態で示す平面図である。
省いた状態で示す平面図である。
【図2】図1の半導体装置の左側面図である。
1、2 半導体チップ
3 支持板
4 連結外部リード
5、6 非連結外部リード
7、8 内部接続部材
9 絶縁封止体
13 第1のろう材
14 第2のろう材
15 第3のろう材
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 FI
C22C 13/02 C22C 13/02
H01L 21/52 H01L 21/52 A
// B23K 101:40 B23K 101:40
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
H01L 21/60 321
H01L 23/48
H01L 29/91
Claims (2)
- 【請求項1】 半導体チップと、前記半導体チップが固
着された金属製支持板と、前記支持板に連結された連結
外部リードと、前記支持板に連結されていない非連結外
部リードと、前記半導体チップと前記非連結外部リード
とを電気的に接続する内部接続部材と、前記半導体チッ
プと前記支持板と前記内部接続部材と前記非連結外部リ
ードの前記内部接続部材に対する接続部とを囲むように
設けられた外囲体とを備えた半導体装置であって、 前記半導体チップの裏面は第1のろう材によって前記支
持板に固着され、 前記内部接続部材の一端は第2のろう材によって前記半
導体チップの表面に固着され、 前記内部接続部材の他端は第3のろう材によって前記非
連結外部リードに固着され、前記第1のろう材は、SnとAgとから成るろう材又は
SnとAgとCuとから成るろう材又はSnとAgとC
uとBiとから成るろう材であり、前記第3のろう材
は、Snから成るろう材又はSnとAgとから成るろう
材又はSnとSbとから成るろう材又はBiとZnとか
ら成るろう材であり、 前記第1のろう材は、前記第3の
ろう材よりも融点が低く且つ前記第3のろう材よりも濡
れ性が良い材料であることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 前記第2のろう材は、前記第3のろう材
よりも濡れ性が良く且つ前記第3のろう材よりも融点が
低い材料から成ることを特徴とする請求項1記載の半導
体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000238726A JP3446829B2 (ja) | 2000-08-07 | 2000-08-07 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000238726A JP3446829B2 (ja) | 2000-08-07 | 2000-08-07 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002057193A JP2002057193A (ja) | 2002-02-22 |
JP3446829B2 true JP3446829B2 (ja) | 2003-09-16 |
Family
ID=18730383
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000238726A Expired - Fee Related JP3446829B2 (ja) | 2000-08-07 | 2000-08-07 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3446829B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5310309B2 (ja) * | 2009-06-26 | 2013-10-09 | 千住金属工業株式会社 | はんだコートリッド |
JP5655714B2 (ja) * | 2011-06-09 | 2015-01-21 | 住友金属鉱山株式会社 | Bi系はんだを用いた半導体装置 |
JP6462609B2 (ja) * | 2016-02-25 | 2019-01-30 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
-
2000
- 2000-08-07 JP JP2000238726A patent/JP3446829B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002057193A (ja) | 2002-02-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100867575B1 (ko) | 열방출 능력이 개선된 전력용 모듈 패키지 및 그 제조 방법 | |
US20050056918A1 (en) | Power module package having improved heat dissipating capability | |
JP2007152385A (ja) | 高温半田及び高温半田ペースト材、及びそれを用いたパワー半導体装置 | |
WO1994005038A1 (en) | Metal electronic package incorporating a multi-chip module | |
JP2009302564A (ja) | 直付リード線を備えるicチップパッケージ | |
JP2002254194A (ja) | 電子機器およびはんだ | |
JPH10118783A (ja) | 半田材料及びそれを用いた電子部品 | |
JP2001110957A (ja) | パワー半導体モジュールの製造方法 | |
WO2012060054A1 (ja) | 回路装置およびその製造方法 | |
CN107527827B (zh) | 通过无焊剂焊接制造的半导体器件 | |
JP2005129886A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP3446829B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN111433910B (zh) | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 | |
CN110729199A (zh) | 半导体封装引线的选择性镀敷 | |
JP2003289129A (ja) | 半導体装置 | |
EP0074378A4 (en) | SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT CONTAINING A UNPLATED UNIT. | |
JPH07176664A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR102684854B1 (ko) | 반도체 패키지 및 이의 제조방법 | |
US11756923B2 (en) | High density and durable semiconductor device interconnect | |
US20230132056A1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JPS63250164A (ja) | ハイパワ−用混成集積回路基板とその集積回路 | |
JP3540249B2 (ja) | 半導体デバイスパッケージの外部リードを外部電極に接続する方法 | |
JP2001358244A (ja) | パワー半導体モジュール | |
JP2021044456A (ja) | 半導体装置 | |
JP2018503264A (ja) | パワー半導体モジュールの生成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080704 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |