CN110718559B - 阵列基板、制备方法及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种阵列基板、制备方法及显示面板，阵列基板包括基板，基板包括显示区和非显示区，基板上依次设有薄膜晶体管层和第一像素电极层，薄膜晶体管层包括位于显示区内的薄膜晶体管和位于非显示区内的层间介电层，第一像素电极层与薄膜晶体管层连接，层间介电层在基板的非显示区开设有第一过孔；基板的非显示区设有检测器件，包括：栅极金属层，与第一过孔位置对应；源漏极层，位于第一过孔内；第二像素电极层，沉积在源漏极层上，第二像素电极层通过引线与第一像素电极层连接。本发明提供的阵列基板，降低源漏极层与阵列基板层间介电层之间的高度差，使得引线层在源漏极层与层间介电层的交界处不易发生断线，提高检测器件的可靠性。

Description

阵列基板、制备方法及显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、制备方法及显示面板。
背景技术
显示面板中漏极端电极与像素电极之间的接触阻抗决定了驱动电路的功耗大小和像素充放电响应速度，因此，在显示面板的像素设计完成后，需要对其漏极端电极与像素电极之间的接触阻抗进行测量。由于面板的显示区膜层较多，直接测量漏极端电极与像素电极之间的接触阻抗会破坏显示区的其它膜层，因此一般通过在面板的非显示区域设置检测器件，该检测器件包括薄膜晶体管和像素电极，且该像素电极通过引线与显示区域的像素电极连接，以检测漏极端电极与像素电极之间的接触阻抗。
但是，由于检测器件测试区域膜层较绕线电阻区域膜层多，因此测试区和显示区之间上的引线之间存在高度差，引线在有高度差的位置极容易断线导致器件失效。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板、制备方法及显示面板，旨在改进阵列基板的结构，降低阵列基板上检测器件与层间介电层之间的高度差，使得引线在检测器件与层间介电层的交界处不容易发生断线，提高检测器件的可靠性。
第一方面，本申请提供一种阵列基板，所述阵列基板包括基板，所述基板包括显示区和非显示区，所述基板上依次设有薄膜晶体管层和第一像素电极层，所述薄膜晶体管层包括位于所述显示区内的薄膜晶体管和位于所述非显示区内的层间介电层，所述第一像素电极层与所述薄膜晶体管层连接，所述层间介电层在所述基板的非显示区开设有第一过孔；所述基板的非显示区设有检测器件，所述检测器件包括：
第一栅极金属层，沉积在所述基板上，并与所述第一过孔位置对应；
第一源漏极层，沉积在所述第一栅极金属层上，所述源漏极层位于所述第一过孔内；
第二像素电极层，沉积在所述源漏极层上，所述第二像素电极层通过引线与所述第一像素电极层连接。
可选的，所述阵列基板还包括平坦化层，所述平坦化层位于所述薄膜晶体管层与所述第一像素电极层之间，所述平坦化层在所述基板的非显示区开设有第二过孔以形成测试区域，所述第一过孔位于所述测试区域内。
可选的，所述引线沉积在所述平坦化层和所述层间介电层上。
可选的，所述第一过孔的面积大于或等于所述第一栅极金属层的面积。
可选的，所述第一栅极金属层的上表面高度小于所述层间介电层高度。
可选的，所述第一源漏极层的上表面高度与所述层间介电层的上表面高度持平。
第二方面，本申请提供一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括显示区和非显示区，所述方法包括：
提供基板，所述基板包括显示区和非显示区；
在所述基板上形成薄膜晶体管层、第一栅极层和第一源漏极层，所述薄膜晶体管包括位于所述显示区的薄膜晶体管和位于所述非显示区的层间介电层，所述层间介电层在所述基板的非显示区开设有第一过孔；所述第一栅极金属层和所述第一源漏极层位于所述非显示区，所述第一栅极层与所述第一过孔位置对应，所述第一源漏极层位于所述第一过孔内并与所述栅极层接触；
在所述薄膜晶体管层上形成第一像素电极层、第二像素电极层和引线，所述第一像素电极层与所述薄膜晶体管连接，所述第二像素电极层位于所述第一源漏极层上，并通过引线与所述第一像素电极层连接。
可选的，所述在所述薄膜晶体管层上形成第一像素电极层、第二像素电极层和引线之前，还包括：
在所述薄膜晶体管层上形成平坦化层；
在所述平坦化层对应所述非显示区的位置开设有第二过孔以形成测试区域；其中，所述第一过孔位于所述测试区域内，所述第一像素电极层形成于所述平坦化层上，所述第二像素电极层形成于所述源漏极层上，所述引线形成于所述平坦化层和所述层间介质层上。
可选的，所述在所述基板上形成薄膜晶体管、第一栅极层和第一源漏极层，包括：
在所述基板上形成第一栅极层和第二栅极层；
在所述第一栅极层上方形成第一源漏极层；
在所述第二栅极层上方形成所述薄膜晶体管。
第三方面，本申请还提供一种显示面板，所述显示面板包括如上任一项所述的阵列基板。
有益效果：本发明实施例提供的阵列基板，通过在阵列基板的层间介电层中设置一过孔，且将源漏极层完全沉积在第一过孔中，降低源漏极层与阵列基板层间介电层之间的高度差，使得引线层在源漏极层与层间介电层的交界处不容易发生断线，提高检测器件的可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的阵列基板一实施例结构剖面图；
图2为本发明提供的阵列基板一实施例结构俯视图；
图3为本发明提供的阵列基板的制备方法一实施例流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本申请中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本发明，给出了以下描述。在以下描述中，为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本发明。在其它实例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本发明的描述变得晦涩。因此，本发明并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本申请所公开的原理和特征的最广范围相一致。
本发明实施例提供一种阵列基板、制备方法及显示面板。以下分别进行详细说明。
如图1所示，为本发明提供的阵列基板一实施例结构剖面图，该阵列基板包括基板10，基板包括显示区和非显示区，而基板上依次设置有薄膜晶体管层20和第一像素电极层30，薄膜晶体管层20包括位于显示区内的薄膜晶体管201和位于非显示区内的层间介电层202，薄膜晶体管201又包括位于显示区内第二栅极层2011和第二源漏极层2012，第二栅极层和第二源漏极层通过过孔连接；薄膜晶体管201还包括一些其他结构，如层间介电层，多晶硅层和绝缘层等，图中未画出；层间介电层202在基板的非显示区内开设有第一通孔2021。而在基板的非显示区设有检测器件，其中，检测器件包括：
第一栅极金属层40，沉积在基板10上，并且与第一过孔2021位置对应。
第一源漏极层50，沉积在第一栅极金属层40上，且第一源漏极层50位于第一过孔2021内。
第二像素电极层60，沉积在第一源漏极层50上，第二像素电极层60通过引线与第一像素电极层30连接。
本发明提供的实施例提供的阵列基板，通过在阵列基板的层间介电层202中设置第一过孔2021，且将第一源漏极层50完全沉积在第一过孔2021中，降低第一源漏极层50与阵列基板层间介电层202之间的高度差，使得引线在第一源漏极层50与层间介电层50的交界处不容易发生断线，提高检测器件的可靠性。
而在本发明的另一些实施例中，阵列基板还可以包括平坦化层70，平坦化层70为有机平坦化层，有机平坦化层70制备于层间介电层202上，且有机平坦化层70设置在薄膜晶体管层20和第一像素电极层30之间，有机平坦化层70用于帮助显示面板的上表面处于同样的高度，避免出现凹凸不平，影响显示。同时，有机平坦化层70在基板10的非显示区开设有第二过孔701以形成测试区域，便于后续对显示面板进行测试，第一过孔2021也位于测试区域内。在第二过孔中制备有阵列基板的其他结构，此处可以参考现有技术，此处不做任何限定。
而在上述实施例的基础上，第二像素电极层沉积在有机平坦化层70上方，引线沉积在第二过孔701形成的测试区域上方；第二像素电极层60同时也沉积在第一源漏极层50上方，引线用于连接位于显示区的第二像素电极层和位于非显示区的第一像素电极层，进而连接显示面板与测试区域，以便后续进行检测。
在本发明的一个实施例中，第一过孔2021的面积大于第一栅极金属层40的面积。或在本发明的另一些实施例中，第一过孔2021的面积等于第一栅极金属层40的面积。
具体的，当第一过孔2021的面积大于第一栅极金属层40的面积时，第一源漏极层50完全沉积在第一过孔2021的内部，且第一源漏极层50的面积大于第一栅极金属层40的面积。同时，第一源漏极层50的上表面高度与层间介电层202的上表面高度持平。即第一源漏极层50的上表面高度与层间介电层202的上表面高度处于同一水平面高度。
如图2所示，为本发明提供的阵列基板一实施例俯视图，平坦化层70位于阵列基板最***，而层间介电层202位于平坦化层70上方，且层间介电层202的大小小于平坦化层70的大小。而第一栅极金属层40位于层间介电层202的内部，同时第一源漏极层50沉积在第一栅极金属层40上方，第一栅极金属层40和第一源漏极层50可以为矩形。而在第一源漏极层50上方沉积有第二像素电极层60，在层间介电层202上方沉积有第一像素电极层30，第一像素电极层30和第二像素电极层60通过引线连接，即显示面板的显示区和非显示区通过引线连接。
在本发明的一些实施例中，栅极层的材料可以为钼等金属材料，而源漏极的材料可以为铝合金，具体的，可以为Ti-Al-Ti合金。
需要说明的是，上述阵列基板实施例中仅描述了上述结构，可以理解的是，除了上述结构之外，本发明实施例显示面板中，还可以根据需要包括任何其他的必要结构，具体此处不作限定。
本发明还提供一种阵列基板的制备方法，该阵列基板包括显示区和非显示区，如图3所示，为本发明提供的阵列基板的制备方法一实施例流程示意图，该方法包括步骤201至步骤203，详细说明如下：
201、提供基板，基板包括显示区和非显示区。
202、在基板上形成薄膜晶体管层、第一栅极层和第一源漏极层，薄膜晶体管包括位于显示区的薄膜晶体管和位于非显示区的层间介电层，层间介电层在基板的非显示区开设有第一过孔；第一栅极金属层和第一源漏极层位于非显示区，第一栅极层与第一过孔位置对应，第一源漏极层位于第一过孔内并与所述栅极层接触。
303、在薄膜晶体管层上形成第一像素电极层、第二像素电极层和引线，第一像素电极层与薄膜晶体管连接，第二像素电极层位于第一源漏极层上，并通过引线与第一像素电极层连接。
本发明提供的阵列基板的制作方法，通过在阵列基板的层间介电层中设置一过孔，且将源漏极层完全沉积在第一过孔中，降低源漏极层与阵列基板层间介电层之间的高度差，使得引线层在源漏极层与层间介电层的交界处不容易发生断线，提高检测器件的可靠性。
具体的，在提供了基板后，依次在基板的上方制备薄膜晶体管层和第一像素电极层，而薄膜晶体管层包括有位于显示面板显示区的薄膜晶体管和位于显示面板非显示区的层间介电层。同时，在制备层间介电层时，在层间介电层位于显示面板非显示区的位置上开设第一过孔。
在本发明的一个具体实施例中，步骤21在基板上形成薄膜晶体管层、第一栅极层和第一源漏极层，可以包括：
(1)、在基板上形成第一栅极层和第二栅极层；
(2)、在第一栅极层上方形成第一源漏极层；
(3)、在第二栅极层上方形成所述薄膜晶体管。
具体的，在基板上位于非显示区且与第一过孔对应的区域上涂覆一层栅极材料层，同时在显示面板的显示区涂覆一层栅极材料层；在栅极材料层上形成一层图案化掩模层；进行湿式蚀刻工艺微缩图案化掩模层的尺寸，以图案化掩模层为掩模，去除部分栅极材料层，分别形成第一栅极金属层和第二栅极金属层。在制备完成位于非显示区的第一栅极金属层和位于显示区的第二栅极金属层后，在第一栅极金属层上制备第一源漏极层，而在第二栅极金属层上方制备完成薄膜晶体管层。
在上述实施例中，制备薄膜晶体管等显示面板中的结构的具体方法可以参考现有技术，此处不做限定。
制备完成后的第一栅极金属层的上表面高度小于层间介电层的高度。同时，在第一栅极金属层上沉积第一源漏极层，且第一源漏极层的上表面高度与层间介电层的上表面高度持平，即第一源漏极层的上表面高度与层间介电层的上表面高度处于同一水平高度，第一源漏极层完全沉积在第一过孔内部且与第一栅极金属层对应设置。由于第一源漏极层上表面高度与层间介电层的上表面高度持平，使得第一源漏极上表面与层间介电层上表面没有高度差。同时第一源漏极层的面积大小可以大于或者等于第一栅极金属层的面积大小。
在本发明的一个实施例中，在步骤22在薄膜晶体管层上形成第一像素电极层、第二像素电极层和引线之前，本方法还可以包括：
在薄膜晶体管层上形成有机平坦化层，有机平坦化层在基板的非显示区开设有第二过孔以形成测试区域，第一过孔位于测试区域内；第一像素电极层形成于有机平坦化层上，第二像素电极层形成于源漏极层上，引线形成于有机平坦化层和层间介质层上。
具体的，在薄膜晶体管上方制备形成有机平坦化层，同时有机平坦化层在基板的非显示区开设第二过孔以形成测试区域，便于后续进行测试。第一过位于测试区域内。有机平坦化层制备完成后，在有机平坦化层上方制备形成第一像素电极层，同时在第一源漏极上方制备形成第二像素电极层。引线可以同时与像素电极制备完成，也可以在像素电极完成后，单独制备，连接第一像素电极层和第二像素电极层。引线可以为铟稼锌(ITO)材料。制备完成后的引线在显示面板的显示区与非显示区的连接处不存在高度差，因此引线不会发生断线，避免了引线断下导致的检测器件的不良。
需要说明的是，在本发明实施例提供的阵列基板中，检测器件可以为多个，且检测器件与阵列基板连接用于检测阵列基板中的不良。
本发明还提供一种显示面板，该显示面板包括前述阵列基板。该阵列基板包括基板10，基板包括显示区和非显示区，而基板上依次设置有薄膜晶体管层20和第一像素电极层30，薄膜晶体管层20包括位于显示区内的薄膜晶体管201和位于非显示区内的层间介电层202。而第一像素电极层30与薄膜晶体管层20连接，层间介电层202在基板的非显示区内开设有第一通孔2021。而在基板的非显示区设有检测器件，其中，检测器件包括：
第一栅极金属层40，沉积在基板10上，并且与第一过孔2021位置对应。
第一源漏极层50，沉积在第一栅极金属层40上，且第一源漏极层50位于第一过孔2021内。
第二像素电极层60，沉积在第一源漏极层50上，第二像素电极层60通过引线与第一像素电极层30连接。
本发明提供的显示面板，通过在阵列基板的层间介电层中设置一过孔，且将源漏极层完全沉积在第一过孔中，降低源漏极层与阵列基板层间介电层之间的高度差，使得引线层在源漏极层与层间介电层的交界处不容易发生断线，提高检测器件的可靠性。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见上文针对其他实施例的详细描述，此处不再赘述。
具体实施时，以上各个单元或结构可以作为独立的实体来实现，也可以进行任意组合，作为同一或若干个实体来实现，以上各个单元或结构的具体实施可参见前面的方法实施例，在此不再赘述。
以上各个操作的具体实施可参见前面的实施例，在此不再赘述。
以上对本发明实施例所提供的一种阵列基板集齐制备方法、显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (8)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括基板，所述基板包括显示区和非显示区，所述基板上依次设有薄膜晶体管层和第一像素电极层，所述薄膜晶体管层包括位于所述显示区内的薄膜晶体管和位于所述非显示区内的层间介电层，所述第一像素电极层与所述薄膜晶体管层连接，所述层间介电层在所述基板的非显示区开设有第一过孔；所述基板的非显示区设有检测器件，所述检测器件包括：
第一栅极金属层，沉积在所述基板上，并与所述第一过孔位置对应；
第一源漏极层，沉积在所述第一栅极金属层上，所述第一源漏极层位于所述第一过孔内，且所述第一源漏极层完全填充于所述第一过孔内，且所述第一源漏极层的上表面高度与所述层间介电层的上表面高度持平；
第二像素电极层，沉积在所述第一源漏极层上，所述第二像素电极层通过引线与所述第一像素电极层连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括平坦化层，所述平坦化层位于所述薄膜晶体管层与所述第一像素电极层之间，所述平坦化层在所述基板的非显示区开设有第二过孔以形成测试区域，所述第一过孔位于所述测试区域内。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述引线沉积在所述平坦化层和所述层间介电层上。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一过孔的面积大于或等于所述第一栅极金属层的面积。
5.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供基板，所述基板包括显示区和非显示区；
在所述基板上形成薄膜晶体管层、第一栅极层和第一源漏极层，所述薄膜晶体管层包括位于所述显示区的薄膜晶体管和位于所述非显示区的层间介电层，所述层间介电层在所述基板的非显示区开设有第一过孔，且所述第一源漏极层的上表面高度与所述层间介电层的上表面高度持平；所述非显示区包括第一栅极层和所述第一源漏极层，所述第一栅极层与所述第一过孔位置对应，所述第一源漏极层位于所述第一过孔内并与所述栅极层接触；
在所述薄膜晶体管层上形成第一像素电极层、第二像素电极层和引线，所述第一像素电极层与所述薄膜晶体管连接，所述第二像素电极层位于所述第一源漏极层上，并通过引线与所述第一像素电极层连接。
6.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述薄膜晶体管层上形成第一像素电极层、第二像素电极层和引线之前，还包括：
在所述薄膜晶体管层上形成平坦化层；
在所述平坦化层对应所述非显示区的位置开设有第二过孔以形成测试区域；其中，所述第一过孔位于所述测试区域内，所述第一像素电极层形成于所述平坦化层上，所述第二像素电极层形成于所述第一源漏极层上，所述引线形成于所述平坦化层和所述层间介电层上。
7.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述基板上形成薄膜晶体管层、第一栅极层和第一源漏极层，包括：
在所述基板上形成第一栅极层和第二栅极层；
在所述第一栅极层上方形成第一源漏极层；
在所述第二栅极层上方形成第二原漏极层。
8.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1至4任一项所述的阵列基板。
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