CN110658645A - 掩膜版及滤光基板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种掩膜版及滤光基板的制造方法，其中掩膜版包括：基板；位于基板上的挡光层，所述挡光层包括不透光区域、第一图案区域和第二图案区域，第一图案区域和第二图案区域分立，所述第一图案区域被不透光区域包围，且第二图案区域被不透光区域包围，所述第一图案区域全透光，所述第一图案区域用于形成主间隔柱，所述第二图案区域用于形成副间隔柱；所述第二图案区域包括第一子区和第二子区，第一子区包围第二子区，第一子区部分透光，第二子区全透光。采用所述掩膜版对光阻层进行曝光，使得副间隔柱的支撑性能提高。

Description

掩膜版及滤光基板的制造方法
技术领域
本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种掩膜版及滤光基板的制造方法。
背景技术
近年来，随着信息通讯领域的发展，对各种类型的显示设备的需求越来越大。目前，主流的显示装置包括：液晶显示器、等离子体显示器、电致发光显示器和真空荧光显示器等。由于液晶显示器具有轻、薄、体积小、耗电小、辐射低等优点，被广泛应用于各种数据处理设备中，例如电视、笔记本、移动电话、个人数字助理等。
液晶显示器主要包括：TFT阵列基板、彩色滤光基板、TFT阵列基板和彩色滤光基板之间的液晶层。所述TFT阵列基板和彩色滤光基板上的电极通过控制液晶分子的偏转，以调节外界光的通过率，进而达到显示的目的。
其中，彩色滤光基板上具有间隔柱，所述间隔柱用于保持TFT阵列基板和彩色滤光基板之间的距离均匀性，所述间隔柱包括主间隔柱和副间隔柱。
然而，现有的彩色滤光基板的副间隔柱的支撑性能有待提高。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种掩膜版及滤光基板的制造方法，以提高副间隔柱的支撑性能。
为解决上述问题，本发明提供一种用于形成滤光基板的掩膜版，包括：基板；位于基板上的挡光层，所述挡光层包括不透光区域、第一图案区域和第二图案区域，第一图案区域和第二图案区域分立，所述第一图案区域被不透光区域包围，且第二图案区域被不透光区域包围，所述第一图案区域全透光，所述第一图案区域用于形成主间隔柱，所述第二图案区域用于形成副间隔柱；所述第二图案区域包括第一子区和第二子区，第一子区包围第二子区，第一子区部分透光，第二子区全透光。
可选的，所述第二子区具有特征尺寸，所述第二子区的特征尺寸为1微米～5微米；所述第二子区的边缘至所述第二图案区域的边缘之间的最小距离大于等于8微米；所述第二子区的总面积为所述第一子区的总面积的1％～10％。
可选的，所述第二子区为环状结构，所述第二子区的中心与所述第二图案区域的中心重合。
可选的，所述环状结构为多边环或圆环。
可选的，所述多边环包括偶数边环。
可选的，在每个第二图案区域中，第二子区的数量为一个。
可选的，在每个第二图案区域中，第二子区的数量为多个，各第二子区相互分立，一个第二子区套设在另一个第二子区的***。
可选的，各个第二子区之间的距离为4um～16um。
可选的，所述第二子区为多边形或圆形。
可选的，在每个第二图案区域中，所述第二子区的数量为一个，所述第二子区的中心与所述第二图案区域的中心重合。
可选的，在每个第二图案区域中，所述第二子区的数量为多个，各第二子区相互分立，所述第二子区沿着第二图案区域的周向均匀分布。
可选的，所述第二子区均为开口结构；所述第一图案区域均为开口结构。
本发明还提供一种滤光基板的制造方法，包括：提供基底；在所述基底上形成遮光图案层和滤光层；在所述基底、遮光图案层和滤光层上形成光阻层；采用上述任意一项所述的掩膜版对所述光阻层进行光刻，使所述光阻层形成主间隔柱和副间隔柱，所述主间隔柱的位置对应所述第一图案区域，所述副间隔柱的位置对应所述第二图案区域。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：
本发明技术方案提供的掩膜版中，第一图案区域全透光，所述第一图案区域用于形成主间隔柱，第二图案区域包括第一子区和第二子区，第一子区部分透光，第二子区全透光，所述第二图案区域用于形成副间隔柱，因此副间隔柱对应的曝光量小于主间隔柱对应的曝光量，使副间隔柱的高度低于主间隔柱的高度。所述主间隔柱的高度大于所述副间隔柱的高度。所述主间隔柱和副间隔柱使得滤光板与TFT阵列基板之间具有足够的空间注入一定量的液晶。所述主间隔柱用于保持常规的力学性能，所述副间隔柱用于当显示屏受到超常规压力时，起到支撑作用。尽管在副间隔柱对应的曝光量不足的情况下，受到光的波动性的影响，副间隔柱中边缘区域对应的曝光量大于中间区域对应的曝光量，但是由于第二图案区域包括第二子区，而第二子区全透光，因此通过第二子区的光经过衍射后能够增强对第二图案区域的曝光量，那么使得副间隔柱中边缘区域对应的曝光量与中间区域对应的曝光量的差别减小，这样避免副间隔柱中边缘区域的高度大于中间区域的高度。综上，使得副间隔柱的支撑性能提高，表现在：当显示屏受到超常规压力时，副间隔柱用于支撑的面积较大，提高抗压性能，避免显示屏光学性能降低。
本发明技术方案提供的滤光基板的制造方法中，采用上述掩膜版对所述光阻层进行光刻，使所述光阻层形成主间隔柱和副间隔柱，所述主间隔柱的位置对应所述第一图案区域，所述副间隔柱的位置对应所述第二图案区域。所述主间隔柱的高度大于所述副间隔柱的高度，且提高了副间隔柱的支撑性能。
附图说明
图1是一种彩色滤光基板的结构示意图；
图2至图7是本发明一实施例中用于形成滤光基板的掩膜版的结构示意图；
图8至图9是本发明一实施例中滤光基板形成过程的结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述，现有的彩色滤光基板的副间隔柱的支撑性能有待提高。
一种彩色滤光基板，参考图1，包括：透明玻璃基板100；位于透明玻璃基板100上的遮光图案层(BM)110、位于遮光图案层110和透明玻璃基板100上的滤光层(RGB层)120，滤光层120覆盖在遮光图案层110的开口区域内，且滤光层120与遮光图案层110有重叠；位于滤光层120和遮光图案层110上的平坦层130；位于平坦层130上的具有段差的主间隔柱140和副间隔柱150。
所述主间隔柱140的高度大于所述副间隔柱150的高度。所述主间隔柱140和副间隔柱150使得滤光板与TFT阵列基板之间具有足够的空间注入一定量的液晶。所述主间隔柱140用于保持常规的力学性能。所述副间隔柱150用于当显示屏受到超常规压力时，起到支撑作用。
目前，用于形成彩色滤光基板的掩膜版，对应主间隔柱140的曝光区域为全透光的，对应副间隔柱150的曝光区域为部分透光的。这样设置的目的是：副间隔柱150对应的曝光量小于主间隔柱140对应的曝光量，使副间隔柱150的高度低于主间隔柱140的高度。
由于光的波动性的影响，因此副间隔柱150中边缘区域对应的曝光量大于中间区域对应的曝光量。在上述副间隔柱150对应的曝光量不足的情况下，副间隔柱150中边缘区域相对于中间区域对应的曝光量之差较大。而曝光量越大，副间隔柱150的高度越大，因此导致副间隔柱150中边缘区域的高度大于中间区域的高度，副间隔柱150的形状呈现中间低四周高的现象。而该形状的副间隔柱150的支撑性能较差，表现在：当显示屏受到超常规压力时，副间隔柱150用于支撑的面积较小，抗压性能降低，容易使显示屏光学性能降低。
在此基础上，本发明提供一种用于形成滤光基板的掩膜版，包括：基板；位于基板上的挡光层，所述挡光层包括不透光区域、第一图案区域和第二图案区域，第一图案区域和第二图案区域分立，所述第一图案区域被不透光区域包围，且第二图案区域被不透光区域包围，所述第一图案区域全透光，所述第一图案区域用于形成主间隔柱，所述第二图案区域用于形成副间隔柱；所述第二图案区域包括第一子区和第二子区，第一子区包围第二子区，第一子区部分透光，第二子区全透光。采用所述掩膜版对光阻层进行曝光，使得副间隔柱的支撑性能提高。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
本实施例提供一种用于形成滤光基板的掩膜版，请结合参考图2和图3，包括：
基板200；
位于基板200上的挡光层210，所述挡光层210包括不透光区域C、第一图案区域A和第二图案区域B，第一图案区域A和第二图案区域B分立，所述第一图案区域A被不透光区域C包围，且第二图案区域B被不透光区域C包围，所述第一图案区域A全透光，所述第一图案区域A用于形成主间隔柱，所述第二图案区域B用于形成副间隔柱；
所述第二图案区域B包括第一子区21和第二子区22，第一子区21包围第二子区22，第一子区21部分透光，第二子区22全透光。
本实施例中，所述基板200的材料为石英，所述基底200全透光。所述挡光层210的材料为不透光金属，如铬。
所述第二子区22具有特征尺寸，所述第二子区22的特征尺寸为1微米～5微米；所述第二子区22的边缘至所述第二图案区域B的边缘之间的最小距离大于等于8微米；所述第二子区22的总面积为所述第一子区21的总面积的1％～10％。
所述第二子区的特征尺寸指的是：第二子区在某一个方向上具有最小尺寸，该最小尺寸为特征尺寸。如当第二子区的形状为矩形环时，矩形环的特征尺寸为矩形环的内矩形边至外矩形边之间的距离。
所述第二子区的边缘至所述第二图案区域B的边缘之间的最小距离指的是：所述第二子区的边缘至第二图案区域B的边缘之间距离中的最小值。
所述第二子区22的特征尺寸为1微米～5微米的意义在于：若第二子区22的特征尺寸小于1微米，导致通过第二子区22光线在衍射后覆盖区域过大且光强分布散，对副间隔柱342中心区域对应的曝光量起到相对补偿作用较弱，若第二子区22的特征尺寸大于5微米，导致通过第二子区22光线在衍射后覆盖区域过小，对副间隔柱342中心区域的局部补偿过头现象，可能会出现副间隔柱342高于主间隔柱的现象。
本实施例中，对第二子区22的特征尺寸的选择，需要使得通过第二子区22光线具有一定的衍射，且衍射的程度较小，衍射的程度较小指的是：通过第二子区22光线在衍射后较少覆盖在副间隔柱342的边缘区域。
所述第二子区22的边缘至所述第二图案区域B的边缘之间的最小距离大于等于8微米的意义在于：若所述第二子区22的边缘至所述第二图案区域B的边缘之间的最小距离大于8微米，导致通过第二子区22光线对副间隔柱342边缘区域的影响较大，对副间隔柱342中间区域的相对补偿较弱。
所述第二子区22的总面积为所述第一子区21的总面积的1％～10％的意义在于：若比例太小，会引起对副间隔柱342中间区域曝光量补偿不足，若比例太大，会引起对副间隔柱342中间区域曝光量补偿过头。
而在第二子区22的特征尺寸、第二子区的边缘至所述第二图案区域的边缘之间的最小距离、以及所述第二子区的总面积占据第一子区的总面积的比例，选择上述合适的范围，使得通过第二子区22光线对副间隔柱342边缘区域的影响极小，可以忽略不计，而对副间隔柱342中间区域曝光量补偿提高且避免曝光量补偿过头。
本实施例中，所述第二子区22为环状结构，所述第二子区22的中心与所述第二图案区域B的中心重合，所述环状结构为多边环或圆环，本实施例中，以所述多边环为方形环为示例进行说明，在其它实施例中，所述多边环为偶数边环或奇数边环，所述偶数边环例如为矩形环、方形环、六边环或八边环。需要说的是，当多边环为偶数环时对副间隔柱342中心区域曝光量的均匀性，优于当多边环为奇数边环时对副间隔柱342中心区域曝光量的均匀性。
本实施例中，所述第二子区22为环状结构，在每个第二图案区域B中，第二子区22的数量为一个，所述第二子区22具有特征尺寸T1，T1为1微米～5微米，所述第二子区22的边缘至所述第二图案区域B的边缘之间的最小距离H1大于等于8微米。
在其它实施例中，如图4，所述第二子区32为环状结构，在每个第二图案区域B中，第二子区32的数量为多个，各第二子区32相互分立，一个第二子区32套设在另一个第二子区32的***，各第二子区32具有特征尺寸T2，T2为1微米～5微米，所述第二子区32的边缘至所述第二图案区域B的边缘之间的最小距离H2大于等于8微米。
当所述第二子区32为环状结构，第二子区32的数量为多个时，各个第二子区32之间的距离为4um～16um。若各个第二子区32之间的距离小于4um，从相邻的第二子区32衍射出的光线在相邻第二子区32下方空间进行叠加，那么叠加后的光线强度与未叠加的光线的强度之间的差别较大，导致对副间隔柱342中心区域曝光量的均匀性较差，副间隔柱342中心区域的表面存在凹凸不平的表面。若各个第二子区32之间的距离大于16um，那么会限制设置的第二子区32的数量。本实施例中，各个第二子区32之间的距离为4um～16um，提高了对副间隔柱342中心区域曝光量的均匀性。
本实施例中，当所述第二子区32为环状结构时，所述第二子区的边缘形状与所述第二图案区域B的边缘形状相同，第二子区的边缘平行于第二图案区域B的边缘，例如，如图3和图4，具体的，当第二图案区域B的边缘形状为正方形时，第二子区32的边缘形状为正方形。这样的好处包括：副间隔柱342曝光量分布与第二图案区域B的边缘形状相关，第二子区的边缘形状采用相同的形状，可以均匀提高副间隔柱342中心区域曝光量。
需要说明的是，图3和图4仅作为示例，在实际使用中，通常第二图案区域B的形状为圆形，这样使得形成的副间隔柱342的顶部表面边缘的形状接近为圆形，这样增加副间隔柱342的支撑性能。相应的，当第二图案区域B的形状为圆形时，第二子区在环状结构中设置为圆环结构更好。
需要说明的是，当所述第二子区为多边环结构，所述第二子区的边缘形状与所述第二图案区域B的边缘形状相同时，将第二子区的位置设置满足：第二子区外环各边分别与第二图案区域B的各边对应平行，第二子区内环各边分别与第二图案区域B的各边对应平行。
需要说明的是，当第二子区32为多边环结构时，第二子区32在各边处的特征尺寸相同或不同。
当第二子区32在各边处的特征尺寸不同时，该各边处的特征尺寸的差异能够用于弥补后续显影工艺对副间隔柱中心区域位置进行显影的不对称性。
在另一个实施例中，所述第二子区42为多边形，所述多边形为偶数边形或奇数边形，所述偶数边形例如为正方形(参考图5)、矩形、六边形或八边形。在其它实施例中，所述第二子区为圆形。
参考图5，所述第二子区42为多边形，在每个第二图案区域B中，所述第二子区42的数量为一个，所述第二子区42的中心与所述第二图案区域B的中心重合。
第二子区42具有特征尺寸T3，T3为1微米～5微米，所述第二子区42的边缘至所述第二图案区域B的边缘之间的最小距离H3大于等于8微米。
参考图6和图7，所述第二子区为多边形，在每个第二图案区域B中，所述第二子区的数量为多个，各第二子区相互分立，所述第二子区沿着第二图案区域B的周向均匀分布。
参考图6，所述第二子区52为方形，参考图7，所述第二子区62为矩形。
第二子区52具有特征尺寸T4，T4为1微米～5微米，所述第二子区52的边缘至所述第二图案区域B的边缘之间的最小距离H4大于等于8微米。
参考图5和图6，所述第二子区的边缘形状与所述第二图案区域B的边缘形状相同，第二子区的边缘平行于第二图案区域B的边缘，这样的好处包括：副间隔柱342曝光量分布与第二图案区域B的边缘形状相关，第二子区的边缘形状采用相同的形状，可以均匀提高副间隔柱342中心区域曝光量。
需要说明的是，图5和图6仅作为示例，在实际使用中，通常第二图案区域B的形状为圆形，这样使得形成的副间隔柱342的顶部表面边缘的形状接近为圆形，这样增加副间隔柱342的支撑性能。相应的，当第二图案区域B的形状为圆形时，第二子区在多边形中设置为圆形更好。
需要说明的是，当所述第二子区为多边形，所述第二子区的边缘形状与所述第二图案区域B的边缘形状相同时，将第二子区的位置设置满足：第二子区各边分别与第二图案区域B的各边对应平行。
参考图7，第二子区62的边缘形状为矩形，所述第二子区62沿着第二图案区域B的周向均匀分布。
第二子区62具有特征尺寸T5，T5为1微米～5微米，所述第二子区62的边缘至所述第二图案区域B的边缘之间的最小距离H5大于等于8微米。
所述第二子区均为开口结构；所述第一图案区域均为开口结构。
本发明还提供一种滤光基板的制造方法，图8至图9是本发明一实施例中滤光基板形成过程的结构示意图。
参考图8，提供基底300。
继续参考图8，在所述基底300上形成遮光图案层310和滤光层320。
继续参考图8，在所述基底300、遮光图案层310和滤光层320上形成光阻层340。
本实施例中，在形成光阻层340之前，还在所述基底300、遮光图案层310和滤光层320上形成平坦层330。在其它实施例中，不形成平坦层。
参考图9，采用上述的掩膜版对所述光阻层340进行光刻，使所述光阻层340形成主间隔柱341和副间隔柱342，所述主间隔柱341的位置对应所述第一图案区域A，所述副间隔柱342的位置对应所述第二图案区域B。
所述光刻步骤包括：曝光；曝光之后的显影和烘烤。
本实施例中，第一图案区域A全透光，所述第一图案区域A用于形成主间隔柱341，第二图案区域B包括第一子区和第二子区，第一子区部分透光，第二子区全透光，所述第二图案区域B用于形成副间隔柱342，因此副间隔柱342对应的曝光量小于主间隔柱341对应的曝光量，使副间隔柱342的高度低于主间隔柱341的高度。
所述主间隔柱341的高度大于所述副间隔柱342的高度。所述主间隔柱341和副间隔柱342使得滤光板与TFT阵列基板之间具有足够的空间注入一定量的液晶。所述主间隔柱341用于保持常规的力学性能。所述副间隔柱342用于当显示屏受到超常规压力时，起到支撑作用。
尽管在副间隔柱342对应的曝光量不足的情况下，受到光的波动性的影响，副间隔柱342中边缘区域对应的曝光量大于中间区域对应的曝光量，但是由于第二图案区域B包括第二子区，而第二子区全透光，因此通过第二子区的光经过衍射后能够增强对第二图案区域B的曝光量，那么使得副间隔柱342中边缘区域对应的曝光量与中间区域对应的曝光量的差别减小，这样避免副间隔柱342中边缘区域的高度大于中间区域的高度。综上，使得副间隔柱342的支撑性能提高，表现在：当显示屏受到超常规压力时，副间隔柱342用于支撑的面积较大，避免使显示屏光学性能降低。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (13)

1.一种用于形成滤光基板的掩膜版，其特征在于，包括：
基板；
位于基板上的挡光层，所述挡光层包括不透光区域、第一图案区域和第二图案区域，第一图案区域和第二图案区域分立，所述第一图案区域被不透光区域包围，且第二图案区域被不透光区域包围，所述第一图案区域全透光，所述第一图案区域用于形成主间隔柱，所述第二图案区域用于形成副间隔柱；
所述第二图案区域包括第一子区和第二子区，第一子区包围第二子区，第一子区部分透光，第二子区全透光。
2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第二子区具有特征尺寸，所述第二子区的特征尺寸为1微米～5微米；所述第二子区的边缘至所述第二图案区域的边缘之间的最小距离大于等于8微米；所述第二子区的总面积为所述第一子区的总面积的1％～10％。
3.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述第二子区为环状结构，所述第二子区的中心与所述第二图案区域的中心重合。
4.根据权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述环状结构为多边环或圆环。
5.根据权利要求4所述的掩膜版，其特征在于，所述多边环包括偶数边环。
6.根据权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，在每个第二图案区域中，第二子区的数量为一个。
7.根据权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，在每个第二图案区域中，第二子区的数量为多个，各第二子区相互分立，一个第二子区套设在另一个第二子区的***。
8.根据权利要求7所述的掩膜版，其特征在于，各个第二子区之间的距离为4um～16um。
9.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述第二子区为多边形或圆形。
10.根据权利要求9所述的掩膜版，其特征在于，在每个第二图案区域中，所述第二子区的数量为一个，所述第二子区的中心与所述第二图案区域的中心重合。
11.根据权利要求9所述的掩膜版，其特征在于，在每个第二图案区域中，所述第二子区的数量为多个，各第二子区相互分立，所述第二子区沿着第二图案区域的周向均匀分布。
12.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第二子区均为开口结构；所述第一图案区域均为开口结构。
13.一种滤光基板的制造方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底上形成遮光图案层和滤光层；
在所述基底、遮光图案层和滤光层上形成光阻层；
采用权利要求1至12任意一项所述的掩膜版对所述光阻层进行光刻，使所述光阻层形成主间隔柱和副间隔柱，所述主间隔柱的位置对应所述第一图案区域，所述副间隔柱的位置对应所述第二图案区域。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230004080A1 (en) * 2020-03-22 2023-01-05 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Mask, display panel, and electronic equipment

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103235450A (zh) * 2013-03-15 2013-08-07 合肥京东方光电科技有限公司 显示面板及其制备方法、掩膜板及其制备方法、显示装置
CN103852969A (zh) * 2012-12-05 2014-06-11 上海广电富士光电材料有限公司 掩模版、滤光板的制造方法、液晶显示装置
CN105045032A (zh) * 2015-08-27 2015-11-11 京东方科技集团股份有限公司 一种掩模板、隔垫物及显示装置
US20170139319A1 (en) * 2015-04-10 2017-05-18 Boe Technology Group Co., Ltd. Mask Sheet and Method of Manufacturing Mask Sheet

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103852969A (zh) * 2012-12-05 2014-06-11 上海广电富士光电材料有限公司 掩模版、滤光板的制造方法、液晶显示装置
CN103235450A (zh) * 2013-03-15 2013-08-07 合肥京东方光电科技有限公司 显示面板及其制备方法、掩膜板及其制备方法、显示装置
US20170139319A1 (en) * 2015-04-10 2017-05-18 Boe Technology Group Co., Ltd. Mask Sheet and Method of Manufacturing Mask Sheet
CN105045032A (zh) * 2015-08-27 2015-11-11 京东方科技集团股份有限公司 一种掩模板、隔垫物及显示装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230004080A1 (en) * 2020-03-22 2023-01-05 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Mask, display panel, and electronic equipment
US11709424B2 (en) * 2020-03-22 2023-07-25 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Mask, display panel, and electronic equipment

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