JP6568338B2 - 表示基板、それを製造するためのマスク、及び表示基板の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、表示基板、それを製造するためのマスク、及び表示基板の製造方法に関し、より詳細には表示品質を向上させるための表示基板、その製造方法及び前記表示基板を含む表示パネルに関する。
一般的に、液晶表示装置は液晶の光透過率を利用して画像を表示する表示パネル及び前記表示パネルに光を提供する光源モジュールを含む。例えば、前記光源モジュールはバックライトアセンブリであってもよい。
前記表示パネルは、薄膜トランジスタを有する第１表示基板、カラーフィルタを有する第２表示基板、及び前記第１表示基板と前記第２表示基板との間に介在した液晶層を含む。
前記表示パネルは、表示領域及び非表示領域を含む。前記第１及び第２表示基板のうち少なくとも一つには、前記非表示領域を遮断するための光遮断パターンが配置される。また、前記第１及び第２表示基板のうち少なくとも一つには前記第１及び第２表示基板の間隔を維持するためのコラムスペーサーが配置される。
製造工程を単純化するために前記光遮断パターン及び前記コラムスペーサーは１工程で同時に形成されてもよい。しかし、前記光遮断パターンと前記コラムスペーサーを同時に形成する時、前記光遮断パターンと前記コラムスペーサーの境界が不明確になって前記コラムスペーサーの高さが均一に形成されず、押圧特性が悪化する問題点がある。
米国登録特許第７６１６２７４号明細書 特開２０１０−０１４８７０号公報 韓国登録特許第１１７２２５４号明細書 米国特許出願公開第２０１２／００３３１６５号明細書
そこで、本発明は上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、光遮断部とコラムスペーサー部の境界を明確に定義してコラムスペーサー部の高さの均一性及び押圧特性を向上させる表示基板を提供することにある。
本発明の他の目的は、前記表示基板を製造するためのマスクを提供するにある。
本発明のまた他の目的は、前記表示基板の製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するためになされた一実施形態に係る表示基板は、ベース基板及び光遮断部材を含む。前記光遮断部材は、前記ベース基板上に形成される。前記光遮断部材は、第１光遮断部、第２光遮断部、及びコラムスペーサー部を含む。前記第１光遮断部は、第１高さの上面を有する。前記第２光遮断部は、前記第１光遮断部と隣接し、前記第１高さより低い第２高さの上面を有する。前記コラムスペーサー部は、前記第２光遮断部と隣接し、前記第１高さより高い第３高さの上面を有する。
本発明の一実施形態において、前記第１光遮断部、前記第２光遮断部及び前記コラムスペーサー部は一体で形成されてもよい。
本発明の一実施形態において、前記第２光遮断部は、前記第１光遮断部から前記コラムスペーサー部に行くほどますます深くなってもよい。
本発明の一実施形態において、前記第２光遮断部の幅は、５μｍより小さいか又は同じであってもよい。
本発明の一実施形態において、前記第２光遮断部は、前記コラムスペーサー部の周りを囲んでもよい。前記第１光遮断部は前記第２光遮断部の周りを囲んでもよい。
本発明の一実施形態において、前記コラムスペーサー部は平面上から見て円形を有してもよい。
本発明の一実施形態において、前記光遮断部材は、前記第１高さより高くて前記第３高さより低い第４高さの上面を有する第２コラムスペーサー部をさらに含んでもよい。
本発明の一実施形態において、前記光遮断部材は、前記第１光遮断部と前記第２コラムスペーサー部との間に配置される第３光遮断部をさらに含んでもよい。
本発明の一実施形態において、前記第３光遮断部は、前記第１光遮断部から前記第２コラムスペーサー部に行くほどますます深くなってもよい。
本発明の一実施形態において、第３光遮断部の幅は、５μｍより小さいか又は同じであってもよい。
本発明の一実施形態において、前記第３光遮断部の深さは、前記第２光遮断部の深さより深くてもよい。
本発明の一実施形態において、前記ベース基板上にはゲートライン及びデータラインが形成されてもよい。前記光遮断部材は、前記ゲートライン及び前記データラインをカバーしてもよい。
本発明の一実施形態において、前記コラムスペーサー部は、前記ゲートラインに対応する位置に配置されてもよい。
本発明の一実施形態において、前記ベース基板上には複数のカラーフィルタが形成されてもよい。前記光遮断部材は、前記カラーフィルタ間をカバーしてもよい。
上記目的を達成するためになされた一実施形態に係る表示基板は、ベース基板及び光遮断部材を含む。前記光遮断部材は前記ベース基板上に形成される。前記光遮断部材は第１光遮断部、第２光遮断部及びコラムスペーサー部を含む。前記第１光遮断部は第１厚さを有する。前記第２光遮断部は前記第１光遮断部と隣接し、前記第１厚さより小さい第２厚さを有する。前記コラムスペーサー部は前記第２光遮断部と隣接し、前記第１光遮断部より突出する。
本発明の一実施形態において、前記第１光遮断部、前記第２光遮断部及び前記コラムスペーサー部は一体で形成される。
上記他の目的を達成するためになされた実施形態に係る表示基板用マスクは、第１領域、第２領域及び第３領域を含む。前記第１領域は第１光透過率を有する。前記第２領域は前記第１領域と隣接して配置され、前記第１光透過率より低い第２光透過率を有する。前記第３領域は前記第２領域と隣接して配置され、前記第１光透過率より高い第３光透過率を有する。
本発明の一実施形態において、前記第２光透過率は０であってもよい。
本発明の一実施形態において、前記第３光透過率は１００％であってもよい。
本発明の一実施形態において、前記第２領域は前記第３領域の周りを囲んでもよい。前記第１領域は前記第２領域の周りを囲んでもよい。
本発明の一実施形態において、前記第３領域は平面上から見て円形を有してもよい。
本発明の一実施形態において、前記マスクは前記第１領域に隣接して配置され、前記第１光透過率より低い第４光透過率を有する第４領域及び前記第４領域と隣接して配置し、前記第１光透過率より高い第５光透過率を有する第５領域をさらに含んでもよい。
本発明の一実施形態において、前記第５光透過率は前記第３光透過率より低くてもよい。
本発明の一実施形態において、前記第４光透過率は前記第２光透過率と同一であってもよい。
上記他の目的を達成するためになされた実施形態に係る表示基板の製造方法は、マスクを用いてベース基板上に第１高さの上面を有する第１光遮断部、前記第１光遮断部と隣接し、前記第１高さより低い第２高さの上面を有する第２光遮断部及び前記第２光遮断部と隣接し、前記第１高さより高い第３高さの上面を有するコラムスペーサー部を形成してもよい。
本発明の一実施形態において、前記第１光遮断部、前記第２光遮断部及び前記コラムスペーサー部は一体で形成されてもよい。
本発明の一実施形態において、前記第２光遮断部は前記第１光遮断部から前記コラムスペーサー部に行くほどますます深くなってもよい。
本発明の一実施形態において、前記第２光遮断部の幅は、５μｍより小さいか又は同じであってもよい。
本発明の一実施形態において、前記マスクは前記第１光遮断部に対応する第１領域、前記第２光遮断部に対応する第２領域、及び前記コラムスペーサー部に対応する第３領域を含んでもよい。
本発明の一実施形態において、前記第１領域は第１光透過率を有してもよい。前記第２領域は前記第１光透過率より低い第２光透過率を有してもよい。前記第３領域は前記第１光透過率より高い第３光透過率を有してもよい。
本発明の一実施形態において、前記第２光透過率は０であってもよい。
本発明の一実施形態において、前記第３光透過率は１００％であってもよい。
本発明の一実施形態において、前記表示基板の製造方法は、前記ベース基板上にゲートライン及びデータラインを形成する段階をさらに含んでもよい。前記第１光遮断部、前記第２光遮断部及び前記コラムスペーサー部は前記ゲートライン及び前記データラインをカバーしてもよい。
本発明の一実施形態において、前記コラムスペーサー部は前記ゲートラインに対応する位置に配置されてもよい。
本発明の一実施形態において、前記表示基板の製造方法は、前記ベース基板上に複数のカラーフィルタを形成する段階をさらに含んでもよい。前記第１光遮断部、前記第２光遮断部及び前記コラムスペーサー部は前記カラーフィルタ間をカバーしてもよい。
このような表示基板、前記表示基板を製造するためのマスク及び前記表示基板の製造方法によると、前記光遮断部と前記コラムスペーサー部の境界が明確に定義され、前記コラムスペーサー部の高さの均一性及び押圧特性を向上させることができる。
本発明の一実施形態に係る表示パネルを示す断面図である。 図１のＡ部分を示す断面図。 図１の光遮断部材を形成するためのマスクを示す平面図。 図１の第１表示基板を示す平面図。 本発明の他の実施形態に係る表示パネルを示す断面図。 図５のＢ部分を示す断面図。 図５の光遮断部材を形成するためのマスクを示す平面図。 本発明のまた他の実施形態に係る表示パネルを示す断面図。 図８のＣ部分を示す断面図。 図８の第２表示基板を示す平面図。 本発明のまた他の実施形態に係る表示パネルを示す断面図。 図１１のＤ部分を示す断面図。
以下、図面を参照して本発明の望ましい実施形態をより詳細に説明する。
図１は本発明の一実施形態に係る表示パネルを示す断面図である。図２は図１のＡ部分を示す断面図である。
図１及び図２を参照すると、前記表示パネルは第１表示基板１１０及び第２表示基板１２０を含む。前記表示パネルは前記第１表示基板１１０と前記第２表示基板１２０との間に介在した液晶層（図示せず）をさらに含んでもよい。
本実施形態において、前記第１表示基板１１０上に光遮断部材ＢＣＳ１が配置される。前記光遮断部材ＢＣＳ１は、光遮断部ＢＭ及びコラムスペーサー部ＣＳを含む。
前記光遮断部ＢＭは前記表示パネルの非表示領域に対応して光を遮断する。例えば、前記光遮断部ＢＭはブラックマトリックスであってもよい。前記コラムスペーサー部ＣＳは前記第１表示基板１１０と前記第２表示基板１２０の離隔区間を維持してもよい。
前記光遮断部ＢＭは第１光遮断部ＢＭ１及び第２光遮断部ＢＭ２を含む。
前記第１光遮断部ＢＭ１の上面は、前記光遮断部ＢＭの下面から第１高さＨ１を有する。前記第１光遮断部ＢＭ１は第１厚さＢＨ１を有する。
前記第２光遮断部ＢＭ２は前記第１光遮断部ＢＭ１と隣接して配置される。前記第２光遮断部ＢＭ２の上面は前記光遮断部ＢＭの下面から第２高さＨ２を有する。前記第２高さＨ２は前記第１高さＨ１より低い。前記第２光遮断部ＢＭ２は第２厚さＢＨ２を有する。前記第２厚さＢＨ２は前記第１厚さＢＨ１より小さい。第２高さＨ２は直線状、円弧状、階段状、第１光遮断部ＢＭ１から離れるほど変化する形状であってもよい。
前記コラムスペーサー部ＣＳは、前記第２光遮断部ＢＭ２と隣接して配置される。前記コラムスペーサー部ＣＳの上面は前記光遮断部ＢＭの下面から第３高さＨ３を有する。前記第３高さＨ３は前記第１高さＨ１より高い。第３高さＨ３は、第２光遮断部ＢＭ２の第２厚さＢＨ２とコラムスペーサー部ＣＳの高さＣＳＨとの合計である。
前記第１光遮断部ＢＭ１、前記第２光遮断部ＢＭ２及び前記コラムスペーサー部ＣＳは同じ工程で同時に形成される。前記第１光遮断部ＢＭ１、前記第２光遮断部ＢＭ２及び前記コラムスペーサー部ＣＳは一体で形成される。従って、前記第１光遮断部ＢＭ１、前記第２光遮断部ＢＭ２及び前記コラムスペーサー部ＣＳは同じ材料を含んでもよい。しかし、第１光遮断部ＢＭ１、前記第２光遮断部ＢＭ２及び前記コラムスペーサー部ＣＳは、異なる物質で形成されてもよいし、光遮断部ＢＭを形成する１以上の他の部分と接続されてもよい。
例えば、前記第１光遮断部ＢＭ１、前記第２光遮断部ＢＭ２及び前記コラムスペーサー部ＣＳは、フォトレジスト工程を通じて形成されてもよい。
前記第１光遮断部ＢＭ１、前記第２光遮断部ＢＭ２及び前記コラムスペーサー部ＣＳは、フォトレジスト物質を含んでもよい。例えば、前記第１光遮断部ＢＭ１、前記第２光遮断部ＢＭ２及び前記コラムスペーサー部ＣＳは、ネガティブフォトレジスト物質、ポジティブフォトレジスト物質を含んでもよい。
前記第２光遮断部ＢＭ２は、前記第１光遮断部ＢＭ１から前記コラムスペーサー部ＣＳに行くほど徐々に深くなってもよい。
前記第２光遮断部ＢＭ２の幅Ｗ及び前記第２光遮断部ＢＭ２の深さは好適に調節してもよい。前記第２光遮断部ＢＭ２の幅Ｗは、前記コラムスペーサー部ＣＳの高さＣＳＨの均一性確保及び押圧特性の向上のために好適に調節してもよい。例えば、前記第２光遮断部ＢＭ２の幅Ｗは、５μｍより小さいか又は同じであってもよい。例えば、望ましくは、前記第２光遮断部ＢＭ２の幅Ｗは２μｍより小さいか又は同じであってもよい。
前記第２光遮断部ＢＭ２の深さは前記第２光遮断部ＢＭ２の光遮断特性が維持できるように好適に調節してもよい。例えば、前記第２光遮断部ＢＭ２の光学密度（ｏｐｔｉｃａｌ ｄｅｎｓｉｔｙ）は少なくとも２．０以上であってもよい。第２光遮断部ＢＭ２の光学密度に応じて、第２光遮断部ＢＭ２の深さが調節されてもよい。例えば、第２光遮断部ＢＭ２の光学密度が増加するのに応じて、第２光遮断部ＢＭ２の深さが深くなってもよい。
前記第２光遮断部ＢＭ２の幅Ｗ及び深さは、前記第２光遮断部ＢＭ２に対応するマスクの幅及びマスクの透過率などによって調節してもよい。
前記第２光遮断部ＢＭ２は、前記コラムスペーサー部ＣＳの周りを囲んでもよい。前記第１光遮断部ＢＭ１は前記第２光遮断部ＢＭ２の周りを囲んでもよい。
例えば、前記コラムスペーサー部ＣＳは平面上から見て円形を有してもよい。これとは異なって、前記コラムスペーサー部ＣＳは平面上から見て正四角形状を有してもよい。これとは異なって、前記コラムスペーサー部ＣＳは平面上から見て正三角形状を有してもよい。これとは異なって、前記コラムスペーサー部ＣＳは平面上から見て異方形状を有してもよい。コラムスペーサー部ＣＳの断面の大きさはコラムスペーサー部ＣＳの高さＣＳＨに応じて変化してもよい。たとえば、コラムスペーサー部ＣＳの断面の大きさは高さＣＳＨに応じて増加しても減少してもよい。
例えば、前記第２光遮断部ＢＭ２は、平面上から見て前記コラムスペーサー部ＣＳを囲む円形を有してもよい。これとは異なって、前記第２光遮断部ＢＭ２は平面上から見て前記コラムスペーサー部ＣＳを囲む正四角形状を有してもよい。これとは異なって、前記第２光遮断部ＢＭ２は平面上から見て前記コラムスペーサー部ＣＳを囲む正三角形状を有してもよい。これとは異なって、前記第２光遮断部ＢＭ２は平面上から見て前記コラムスペーサー部ＣＳを囲む異方形状を有してもよい。
前記光遮断部ＢＭ上には複数の前記コラムスペーサー部ＣＳが形成されてもよい。本実施形態において、前記コラムスペーサー部ＣＳの高さは実質的に同一であってもよい。
図３は図１の光遮断部材を形成するためのマスクを示す平面図である。
図１〜図３を参照すると、前記マスクＭ１は、第１領域Ｐ１、第２領域Ｐ２及び第３領域Ｐ３を含む。前記光遮断部材ＢＣＳ１は、前記マスクＭ１を利用してフォトレジスト工程を通じて形成される。例えば、前記光遮断部材ＢＣＳ１は、ネガティブフォトレジスト物質を含んでもよい。
前記第１領域Ｐ１は、前記第１光遮断部ＢＭ１に対応する形状を有する。前記第１領域Ｐ１は第１光透過率を有する。例えば、前記第１領域Ｐ１は光を部分的に透過させるハーフトーン部（ｈａｌｆｔｏｎｅ ｐｏｒｔｉｏｎ）であってもよい。例えば、前記第１光透過率は３０％であってもよい。
前記第２領域Ｐ２は、前記第２光遮断部ＢＭ２に対応する形状を有する。前記第２領域Ｐ２は前記第１領域Ｐ１と隣接して配置される。前記第２領域Ｐ２は第２光透過率を有する。前記第２光透過率は前記第１光透過率より低い。例えば、前記第２領域Ｐ２は光を完全に遮断してもよい。前記第２光透過率は０であってもよい。
前記第２光遮断部ＢＭ２の幅Ｗは、前記第２領域Ｐ２の幅ＷＭにより決定されてもよい。例えば、前記第２光遮断部ＢＭ２の幅Ｗは、前記マスクＭ１を通過する光の回折現象によって前記第２領域Ｐ２の幅ＷＭより大きいか又は同じであってもよい。
前記第３領域Ｐ３は、前記コラムスペーサー部ＣＳに対応する形状を有する。前記第３領域Ｐ３は前記第２領域Ｐ２と隣接して配置される。前記第３領域Ｐ３は第３光透過率を有する。前記第３光透過率は前記第１光透過率より高い。例えば、前記第３領域Ｐ３は光を完全に通過させてもよい。前記第３光透過率は１００％であってもよい。
前記第２領域Ｐ２は、前記第３領域Ｐ３の周りを囲んでもよい。前記第１領域Ｐ１は前記第２領域Ｐ２の周りを囲んでもよい。
例えば、前記第３領域Ｐ３は平面上から見て円形を有してもよい。第２領域Ｐ２は同心円状であってもよい。
図４は図１の第１表示基板１１０を示す平面図である。
図１〜図４を参照すると、前記第１表示基板１１０上には複数のゲートラインＧＬ及び複数のデータラインＤＬが形成されてもよい。前記ゲートラインＧＬは第１方向Ｄ１に延びてもよい。前記データラインＤＬは前記第１方向Ｄ１と交差する第２方向Ｄ２に延びてもよい。
前記第１表示基板１１０上には前記ゲートラインＧＬ及び前記データラインＤＬに接続される複数の薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ ＴＲａｎｓｉｓｔｏＲ、ＴＦＴ）が形成されてもよい。
前記第２表示基板１２０は光源部から提供される光を所定の色に発現させるカラーフィルタを含むカラーフィルタ基板であってもよい。前記第２表示基板１２０は第１カラーフィルタ、第２カラーフィルタ及び第３カラーフィルタを含んでもよい。
例えば、前記第１カラーフィルタは赤色カラーフィルタＲであり、前記第２カラーフィルタは緑色カラーフィルタＧであり、前記第３カラーフィルタは青色カラーフィルタＢであってもよい。
本実施形態において、前記光遮断部材ＢＣＳ１は前記第１表示基板１１０上に配置される。前記光遮断部材ＢＣＳ１は前記ゲートラインＧＬ及び前記データラインＤＬをカバーする。
前記光遮断部材ＢＣＳ１は前記ゲートラインＧＬをカバーするゲート光遮断部と前記データラインＤＬをカバーするデータ光遮断部を含んでもよい。例えば、前記ゲート光遮断部の厚さが前記データ光遮断部より大きくてもよい。
前記コラムスペーサー部ＣＳは光遮断部材ＢＣＳ１内で前記ゲートラインＧＬに対応する位置に形成されてもよい。
コラムスペーサー部ＣＳは、ゲート光遮断部、データ光遮断部又は、ゲート光遮断部及びデータ光遮断部に対応する位置に形成されてもよい。
本実施形態において、前記薄膜トランジスタは前記第１表示基板１１０上に形成され、前記カラーフィルタは前記第２表示基板１２０上に形成され、前記光遮断部材ＢＣＳ１は前記薄膜トランジスタが形成される前記第１表示基板１１０上に形成される。これとは異なって、前記薄膜トランジスタ及び前記カラーフィルタは、前記第１表示基板１１０上に形成され、前記光遮断部材ＢＣＳ１は前記薄膜トランジスタ及び前記カラーフィルタが形成される前記第１表示基板１１０上に形成されてもよい。
本実施形態によると、前記マスクＭ１は、前記第１領域Ｐ１より光透過率が低い前記第２領域Ｐ２を含み、前記第２領域Ｐ２によって前記第１光遮断部ＢＭ１より厚さが小さい前記第２光遮断部ＢＭ２が形成される。従って、前記光遮断部ＢＭと前記コラムスペーサー部ＣＳの境界が明確に定義され、前記コラムスペーサー部ＣＳの高さＣＳＨの均一性が向上して前記コラムスペーサー部ＣＳの工程管理が容易になり、前記コラムスペーサー部ＣＳの高さＣＳＨが増加して前記コラムスペーサー部ＣＳの押圧特性が向上する。
図５は本発明の他の実施形態に係る表示パネルを示す断面図である。図６は図５のＢ部分を示す断面図である。
本実施形態に係る表示基板、マスク及び表示基板の製造方法は、第１表示基板上にメインコラムスペーサーとサブコラムスペーサーが形成されることを除けば、図１〜図４を参照して説明した前記表示基板、マスク及び表示基板の製造方法と同一である。従って、同じ構成要素は同じ図面符号を付与し、繰り返す説明は省略する。
図５及び図６を参照すると、前記表示パネルは、第１表示基板１１０及び第２表示基板１２０を含む。前記表示パネルは前記第１表示基板１１０と前記第２表示基板１２０との間に介在した液晶層（図示せず）をさらに含んでもよい。
本実施形態において、前記第１表示基板１１０上に光遮断部材ＢＣＳ２が配置される。前記光遮断部材ＢＣＳ２は、光遮断部ＢＭ、第１コラムスペーサー部ＭＣＳ及び第２コラムスペーサー部ＳＣＳを含む。
前記光遮断部ＢＭは、第１光遮断部ＢＭ１、第２光遮断部ＢＭ２及び第３光遮断部ＢＭ３を含む。
前記第１光遮断部ＢＭ１の上面は前記光遮断部ＢＭの下面から第１高さＨ１を有する。前記第１光遮断部ＢＭ１は第１厚さＢＨ１を有する。
前記第２光遮断部ＢＭ２は前記第１光遮断部ＢＭ１と隣接して配置される。前記第２光遮断部ＢＭ２の上面は前記光遮断部ＢＭの下面から第２高さＨ２を有する。前記第２高さＨ２は前記第１高さＨ１より低い。前記第２光遮断部ＢＭ２は第２厚さＢＨ２を有する。前記第２厚さＢＨ２は前記第１厚さＢＨ１より小さい。第２高さＨ２は、第１光遮断部ＢＭ１から第１コラムスペーサー部ＭＣＳに向かって変化する。例えば、第２高さＨ２は、直線状、円弧状、階段状、第２光遮断部ＢＭ２が第１光遮断部ＢＭ１から離れるほど変化する形状であってもよい。
前記第１コラムスペーサー部ＭＣＳは、前記第２光遮断部ＢＭ２と隣接して配置される。前記第１コラムスペーサー部ＭＣＳの上面は前記光遮断部ＢＭの下面から第３高さＨ３を有する。前記第３高さＨ３は前記第１高さＨ１より高い。第３高さＨ３は、第２光遮断部ＢＭ２の第２厚さＢＨ２とコラムスペーサー部ＣＳＨの高さＭＣＳＨとの合計である。
前記第２コラムスペーサー部ＳＣＳは、前記光遮断部ＢＭの下面から第４高さＨ４を有する。前記第４高さＨ４は前記第１高さＨ１より高い。反面、前記第４高さＨ４は前記第３高さＨ３より低い。第４高さＨ４は、第２コラムスペーサー部ＳＣＳの高さＳＣＳＨと第３光遮断部ＢＭ３の第３厚さＢＨ３との合計である。
例えば、前記第１コラムスペーサー部ＭＣＳは、メインコラムスペーサー部であってもよく、前記第２コラムスペーサー部ＳＣＳはサブコラムスペーサー部であってもよい。
前記光遮断部ＢＭは、前記第１光遮断部ＢＭ１と前記第２コラムスペーサー部ＳＣＳとの間に配置される第３光遮断部ＢＭ３をさらに含む。前記第３光遮断部ＢＭ３の上面は前記光遮断部ＢＭの下面から第５高さＨ５を有する。前記第５高さＨ５は前記第１高さＨ１より低い。例えば、前記第５高さＨ５は前記第２高さＨ２より低くてもよい。前記第３光遮断部ＢＭ３は第３厚さＢＨ３を有する。前記第３厚さＢＨ３は前記第１厚さＢＨ１より小さい。例えば、前記第３厚さＢＨ３は前記第２厚さＢＨ２より小さくてもよい。第５高さＨ５は、第１光遮断部ＢＭ１から第２コラムスペーサー部ＳＣＳに向かって変化する。例えば、第５高さＨ５は、直線状、円弧状、階段状、第３光遮断部ＢＭ３が第１光遮断部ＢＭ１から離れるほど変化する形状であってもよい。
前記第２光遮断部ＢＭ２は、前記第１光遮断部ＢＭ１から前記第１コラムスペーサー部ＭＣＳでますますますます深くなってもよい。これと似て、前記第３光遮断部ＢＭ３は前記第１光遮断部ＢＭ１から前記第２コラムスペーサー部ＳＣＳに行くほどますます深くなってもよい。
前記第２光遮断部ＢＭ２の幅Ｗ１及び前記第２光遮断部ＢＭ２の深さは、好適に調節してもよい。例えば、前記第２光遮断部ＢＭ２の幅Ｗ１は５μｍより小さいか又は同じであってもよい。例えば、望ましくは前記第２光遮断部ＢＭ２の幅Ｗ１は２μｍより小さいか又は同じであってもよい。
前記第３光遮断部ＢＭ３の幅Ｗ２及び前記第３光遮断部ＢＭ３の深さは好適に調節してもよい。例えば、前記第３光遮断部ＢＭ３の幅Ｗ２は５μｍより小さいか又は同じであってもよい。例えば、望ましくは前記第３光遮断部ＢＭ３の幅Ｗ２は２μｍより小さいか又は同じであってもよい。
例えば、前記第３光遮断部ＢＭ３の幅Ｗ２は、前記第２光遮断部ＢＭ２の幅Ｗ１と同一であってもよい。例えば、前記第３光遮断部ＢＭ３の深さは前記第２光遮断部ＢＭ２の深さより深くてもよい。
例えば、前記第２光遮断部ＢＭ２及び／又は第３光遮断部ＢＭ３の光学密度（ｏｐｔｉｃａｌ ｄｅｎｓｉｔｙ）は少なくとも２．０以上であってもよい。例えば、前記第３光遮断部ＢＭ３の光学密度（ｏｐｔｉｃａｌ ｄｅｎｓｉｔｙ）は少なくとも２．０以上であってもよい。第２光遮断部ＢＭ２及び／又第３光遮断部ＢＭ３の光学密度に応じて、第２光遮断部ＢＭ２及び／又第３光遮断部ＢＭ３の深さが調節されてもよい。例えば、光学密度が増加するのに応じて、第２光遮断部ＢＭ２及び／又第３光遮断部ＢＭ３の深さが深くなってもよい。
前記第３光遮断部ＢＭ３は前記第２コラムスペーサー部ＳＣＳの周りを囲んでもよい。前記第１光遮断部ＢＭ１は前記第３光遮断部ＢＭ３の周りを囲んでもよい。
例えば、前記第２コラムスペーサー部ＳＣＳは平面上から見て円形を有してもよい。これとは異なって、前記第２コラムスペーサー部ＳＣＳは平面上から見て正四角形状を有してもよい。これとは異なって、前記第２コラムスペーサー部ＳＣＳは平面上から見て正三角形状を有してもよい。これとは異なって、前記第２コラムスペーサー部ＳＣＳは平面上から見て異方形状を有してもよい。コラムスペーサー部ＳＣＳの断面の大きさはコラムスペーサー部ＳＣＳの高さＳＣＳＨに応じて変化してもよい。たとえば、コラムスペーサー部ＳＣＳの断面の大きさは高さＳＣＳＨに応じて増加しても減少してもよい。
図７は図５の光遮断部材を形成するためのマスクを示す平面図である。
図４〜図７を参照すると、前記マスクＭ２は、第１領域Ｐ１、第２領域Ｐ２、第３領域Ｐ３、第４領域Ｐ４及び第５領域Ｐ５を含む。前記光遮断部材ＢＣＳ２は前記マスクＭ２を利用してフォトレジスト工程を通じて形成される。例えば、前記光遮断部材ＢＣＳ２は、ネガティブフォトレジスト物質又はポジティブフォトレジスト物質を含んでもよい。
前記第１領域Ｐ１は前記第１光遮断部ＢＭ１に対応する形状を有する。前記第１領域Ｐ１は第１光透過率を有する。例えば、前記第１領域Ｐ１は光を部分的に透過させる第１ハーフトーン部であってもよい。例えば、前記第１光透過率は３０％であってもよい。
前記第２領域Ｐ２は前記第２光遮断部ＢＭ２に対応する形状を有する。前記第２領域Ｐ２は、前記第１領域Ｐ１と隣接して配置される。前記第２領域Ｐ２は第２光透過率を有する。前記第２光透過率は前記第１光透過率より低い。例えば、前記第２領域Ｐ２は光を完全に遮断してもよい。前記第２光透過率は０であってもよい。
前記第２光遮断部ＢＭ２の幅Ｗ１は、前記第２領域Ｐ２の幅ＷＭ１によって決定されてもよい。例えば、前記第２光遮断部ＢＭ２の幅Ｗ１は、工程中のマスクＭ２から透過される光の回折のために、前記第２領域Ｐ２の幅ＷＭ１より大きいか又は同じであってもよい。
前記第３領域Ｐ３は、前記第１コラムスペーサー部ＭＣＳに対応する形状を有する。前記第３領域Ｐ３は前記第２領域Ｐ２と隣接して配置される。前記第３領域Ｐ３は第３光透過率を有する。前記第３光透過率は前記第１光透過率より高い。例えば、前記第３領域Ｐ３は光を完全に通過させてもよい。前記第３光透過率は１００％であってもよい。
前記第４領域Ｐ４は前記第３光遮断部ＢＭ３に対応する形状を有する。前記第４領域Ｐ４は、前記第１領域Ｐ１と隣接して配置される。前記第４領域Ｐ４は第４光透過率を有する。前記第４光透過率は前記第１光透過率より低い。例えば、前記第４光透過率は前記第２光透過率と同一であってもよい。例えば、前記第４領域Ｐ４は光を完全に遮断してもよい。前記第４光透過率は０であってもよい。
前記第３光遮断部ＢＭ３の幅Ｗ２は、前記第４領域Ｐ４の幅ＷＭ２によって決定されてもよい。例えば、前記第３光遮断部ＢＭ３の幅Ｗ２は、工程中のマスクＭ２から透過される光の回折のために、前記第４領域Ｐ４の幅ＷＭ２より大きいか又は同じであってもよい。
前記第５領域Ｐ５は、前記第２コラムスペーサー部ＳＣＳに対応する形状を有する。前記第５領域Ｐ５は前記第４領域Ｐ４と隣接して配置される。前記第５領域Ｐ５は第５光透過率を有する。前記第５光透過率は前記第１光透過率より高い。例えば、前記第５光透過率は前記第３光透過率より低くてもよい。例えば、前記第５領域Ｐ５は光を部分的に透過させる第２ハーフトーン部であってもよい。例えば、前記第５光透過率は４７％であってもよい。
例えば、前記第３光遮断部ＢＭ３の深さは、前記第２光遮断部ＢＭ２の深さより深くてもよい。前記第５領域Ｐ５の光透過率が前記第３領域Ｐ３の光透過率より低いので、前記第５領域Ｐ５に隣接した前記第４領域Ｐ４の漏れ光が前記第３領域Ｐ３に隣接した前記第２領域Ｐ２の漏れ光より少ない。従って、前記第３光遮断部ＢＭ３が前記第２光遮断部ＢＭ２に比べてより深く形成されてもよい。
前記第４領域Ｐ４は前記第５領域Ｐ５の周りを囲んでもよい。前記第１領域Ｐ１は前記第４領域Ｐ４の周りを囲んでもよい。
例えば、前記第５領域Ｐ５は平面上から見て円形を有してもよい。第４領域Ｐ４は同心円状の形状をしてもよい。
本実施形態において、前記光遮断部材ＢＣＳ２は前記第１表示基板１１０上に配置される。前記光遮断部材ＢＣＳ２は前記ゲートラインＧＬ及び前記データラインＤＬをカバーする。光遮断部材ＢＣＳ２はゲートラインＧＬをカバーするゲート光遮断部とデータラインＤＬをカバーするデータ光遮断部を含んでもよい。ゲート光遮断部の幅は、データ光遮断部の幅より大きくてもよいし、その他適切に調節されてもよい。
本実施形態によると、前記マスクＭ２は前記第１領域Ｐ１より光透過率が低い前記第２領域Ｐ２及び前記第４領域Ｐ４を含み、前記第２領域Ｐ２及び第４領域Ｐ４により前記第１光遮断部ＢＭ１より厚さが小さい前記第２光遮断部ＢＭ２及び前記第３光遮断部ＢＭ３が形成される。従って、前記光遮断部ＢＭと前記第１及び第２コラムスペーサー部ＭＣＳ、ＳＣＳの境界が明確に定義されて前記第１及び第２コラムスペーサー部ＭＣＳ、ＳＣＳの高さＭＣＳＨ、ＳＣＳＨの均一性が向上し、前記第１及び第２コラムスペーサー部ＭＣＳ、ＳＣＳの工程管理が容易になって前記第１及び第２コラムスペーサー部ＭＣＳ、ＳＣＳの高さＭＣＳＨ、ＳＣＳＨが増加し、前記第１及び第２コラムスペーサー部ＭＣＳ、ＳＣＳの押圧特性が向上する。
図８は本発明のまた他の実施形態に係る表示パネルを示す断面図である。図９は図８のＣ部分を示す断面図である。
本実施形態に係る表示基板、マスク及び表示基板の製造方法は第２表示基板上に光遮断部材が形成されるのを除けば、図１〜図４を参照して説明した前記表示基板、マスク及び表示基板の製造方法と同一である。従って、同じ構成要素は同じ図面符号を付与して、繰り返す説明は省略する。
図３、図８及び図９を参照すると、前記表示パネルは第１表示基板１１０及び第２表示基板１２０を含む。前記表示パネルは前記第１表示基板１１０と前記第２表示基板１２０との間に介在した液晶層（図示せず）をさらに含んでもよい。
本実施形態において、前記第２表示基板１２０上に光遮断部材ＢＣＳ３が配置される。前記光遮断部材ＢＣＳ３は光遮断部ＢＭ及びコラムスペーサー部ＣＳを含む。
前記光遮断部ＢＭは第１光遮断部ＢＭ１及び第２光遮断部ＢＭ２を含む。
前記第１光遮断部ＢＭ１の上面は、前記光遮断部ＢＭの下面から第１高さＨ１を有する。前記第１光遮断部ＢＭ１は第１厚さＢＨ１を有する。
前記第２光遮断部ＢＭ２は前記第１光遮断部ＢＭ１と隣接して配置される。前記第２光遮断部ＢＭ２の上面は前記光遮断部ＢＭの下面から第２高さＨ２を有する。前記第２高さＨ２は前記第１高さＨ１より低い。前記第２光遮断部ＢＭ２は第２厚さＢＨ２を有する。前記第２厚さＢＨ２は前記第１厚さＢＨ１より小さい。第２高さＨ２は、第２光遮断部ＢＭ２が第１光遮断部ＢＭ１から離れるにつれて変化する。例えば、第２高さＨ２は、直線状、円弧状、階段状、第２光遮断部ＢＭ２が第１光遮断部ＢＭ１から離れるほど変化する形状であってもよい。第２高さＨ２は、第１高さから第２厚さＢＨ２まで変化する。
前記コラムスペーサー部ＣＳは前記第２光遮断部ＢＭ２と隣接して配置される。前記コラムスペース部ＣＳの上面は前記光遮断部ＢＭの下面から第３高さＨ３を有する。前記第３高さＨ３は前記第１高さＨ１より高い。第３高さＨ３は、コラムスペーサー部ＣＳの高さＭＣＳＨと第２厚さＢＨ２の合計である。
前記光遮断部材ＢＣＳ３は、図３のマスクＭ１を使用してフォトレジスト工程を通じて形成される。前記マスクＭ１は前記第１光遮断部ＢＭ１に対応する第１領域Ｐ１、前記第２光遮断部ＢＭ２に対応する第２領域Ｐ２及び前記コラムスペーサー部ＣＳに対応する第３領域Ｐ３を含む。
図１０は図８の第２表示基板を示す平面図である。
図８〜図１０を参照すると、前記第１表示基板１１０上には複数のゲートラインＧＬ及び複数のデータラインＤＬが形成されてもよい。
前記第１表示基板１１０上には前記ゲートラインＧＬ及び前記データラインＤＬに接続される複数の薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）が形成されてもよい。
前記第２表示基板１２０は、光源部から提供される光を所定の色に発現させるカラーフィルタを含むカラーフィルタ基板であってもよい。前記第２表示基板１２０は第１カラーフィルタ、第２カラーフィルタ及び第３カラーフィルタを含んでもよい。
例えば、前記第１カラーフィルタは赤色カラーフィルタＲであり、前記第２カラーフィルタは緑色カラーフィルタＧであり、前記第３カラーフィルタは青色カラーフィルタＢであってもよい。
本実施形態において、前記光遮断部材ＢＣＳ３は前記第２表示基板１２０上に配置される。前記光遮断部材ＢＣＳ３は前記カラーフィルタＲ、Ｇ、Ｂの間をカバーする。例えば、前記光遮断部材ＢＣＳ３は、第１方向Ｄ１に沿って前記カラーフィルタＲ、Ｇ、Ｂの間をカバーし、前記第１方向Ｄ１と交差する第２方向Ｄ２に沿って前記カラーフィルタＲ、Ｇ、Ｂの間をカバーする。
前記光遮断部材ＢＣＳ３は、前記第１表示基板１１０の前記ゲートラインＧＬに対応するゲート光遮断部と前記第１表示基板１１０のデータラインＤＬに対応するデータ光遮断部を含んでもよい。例えば、前記ゲート光遮断部の厚さが前記データ光遮断部より大きくてもよい。第１表示基板１１０上に第２表示基板１２０が配置されると、光遮断部材ＢＣＳ３は、ゲートラインＧＬ及びデータラインＤＬを覆うように配置されても良い。
前記コラムスペーサー部ＣＳは光遮断部材ＢＣＳ３内で前記ゲートラインＧＬに対応する位置に形成されてもよい。コラムスペーサー部ＣＳは、データ光遮断部、ゲート光遮断部又は、データ光遮断部及びゲート光遮断部に対応する位置に形成されてもよい。
本実施形態において、前記薄膜トランジスタは前記第１表示基板１１０上に形成され、前記カラーフィルタは前記第２表示基板１２０上に形成され、前記光遮断部材ＢＣＳ３は前記カラーフィルタが形成される前記第２表示基板１２０上に形成される。これとは異なって、前記薄膜トランジスタ及び前記カラーフィルタは前記第２表示基板１２０上に形成され、前記光遮断部材ＢＣＳ３は前記薄膜トランジスタ及び前記カラーフィルタが形成される前記第２表示基板１２０上に形成されてもよい。
本実施形態によると、前記マスクＭ１は前記第１領域Ｐ１より光透過率が低い前記第２領域Ｐ２を含み、前記第２領域Ｐ２により前記第１光遮断部ＢＭ１より厚さが小さい前記第２光遮断部ＢＭ２が形成される。従って、前記光遮断部ＢＭと前記コラムスペーサー部ＣＳの境界が明確に定義されて前記コラムスペーサー部ＣＳの高さＣＳＨの均一性が向上し、前記コラムスペーサー部ＣＳの工程管理が容易になって前記コラムスペーサー部ＣＳの高さＣＳＨが増加して、前記コラムスペーサー部ＣＳの押圧特性が向上する。
図１１は本発明のまた他の実施形態に係る表示パネルを示す断面図である。図１２は図１１のＤ部分を示す断面図である。
本実施形態に係る表示基板、マスク及び表示基板の製造方法は、第２表示基板上にメインコラムスペーサー及びサブコラムスペーサーが形成されることを除けば、図５〜図７を参照して説明した前記表示基板、マスク及び表示基板の製造方法と同一である。従って、同じ構成要素は同じ図面符号を付与して、繰り返す説明は省略する。
図７、図１０〜図１２を参照すると、前記表示パネルは第１表示基板１１０及び第２表示基板１２０を含む。前記表示パネルは前記第１表示基板１１０と前記第２表示基板１２０との間に介在した液晶層（図示せず）をさらに含んでもよい。
本実施形態において、前記第２表示基板１２０上に光遮断部材ＢＣＳ４が配置される。前記光遮断部材ＢＣＳ４は、光遮断部ＢＭ、第１コラムスペーサー部ＭＣＳ及び第２コラムスペーサー部ＳＣＳを含む。
前記光遮断部ＢＭは第１光遮断部ＢＭ１、第２光遮断部ＢＭ２及び第３光遮断部ＢＭ３を含む。
前記第１光遮断部ＢＭ１の上面は、前記光遮断部ＢＭの下面から第１高さＨ１を有する。前記第１光遮断部ＢＭ１は第１厚さＢＨ１を有する。
前記第２光遮断部ＢＭ２は前記第１光遮断部ＢＭ１と隣接して配置される。前記第２光遮断部ＢＭ２の上面は前記光遮断部ＢＭの下面から第２高さＨ２を有する。前記第２高さＨ２は前記第１高さＨ１より低い。前記第２光遮断部ＢＭ２は第２厚さＢＨ２を有する。前記第２厚さＢＨ２は前記第１厚さＢＨ１より小さい。第２高さＨ２は、第１光遮断部ＢＭ１から第１コラムスペーサー部ＭＣＳに向かって変化する。例えば、第２高さＨ２は、直線状、円弧状、階段状、第２光遮断部ＢＭ２が第１光遮断部ＢＭ１から離れるほど変化する形状であってもよい。
前記第１コラムスペーサー部ＭＣＳは前記第２光遮断部ＢＭ２と隣接して配置される。前記第１コラムスペーサー部ＭＣＳの上面は前記光遮断部ＢＭの下面から第３高さＨ３を有する。前記第３高さＨ３は前記第１高さＨ１より高い。第３高さＨ３は、第１コラムスペーサー部の高さＭＣＳＨと第２厚さＢＨ２との合計である。
前記第２コラムスペーサー部ＳＣＳは前記光遮断部ＢＭの下面から第４高さＨ４を有する。前記第４高さＨ４は前記第１高さＨ１より高い。反面、前記第４高さＨ４は前記第３高さＨ３より低い。第４高さＨ４は、第２コラムスペーサー部の高さＳＣＳＨと第３厚さＢＨ３との合計である。
前記光遮断部ＢＭは、前記第１光遮断部ＢＭ１と前記第２コラムスペーサー部ＳＣＳとの間に配置される第３光遮断部ＢＭ３をさらに含む。前記第３光遮断部ＢＭ３の上面は、前記光遮断部ＢＭの下面から第５高さＨ５を有する。前記第５高さＨ５は前記第１高さＨ１より低い。例えば、前記第５高さＨ５は前記第２高さＨ２より低くてもよい。前記第３光遮断部ＢＭ３は第３厚さＢＨ３を有する。前記第３厚さＢＨ３は前記第１厚さＢＨ１より小さい。例えば、前記第３厚さＢＨ３は前記第２厚さＢＨ２より小さくてもよい。第５高さＨ５は、第１光遮断部ＢＭ１から第２コラムスペーサー部ＳＣＳに向かって変化する。例えば、第５高さＨ５は、直線状、円弧状、階段状、第３光遮断部ＢＭ３が第１光遮断部ＢＭ１から離れるほど変化する形状であってもよい。
前記光遮断部材ＢＣＳ４は、図７のマスクＭ２を利用してフォトレジスト工程を通じて形成される。前記マスクＭ２は前記第１光遮断部ＢＭ１に対応する第１領域Ｐ１、前記第２光遮断部ＢＭ２に対応する第２領域Ｐ２、前記第１コラムスペーサー部ＭＣＳに対応する第３領域Ｐ３、前記第３光遮断部ＢＭ３に対応する第４領域Ｐ４、前記第２コラムスペーサー部ＳＣＳに対応する第５領域Ｐ５を含む。
本実施形態において、前記光遮断部材ＢＣＳ４は、前記第２表示基板１２０上に配置される。前記光遮断部材ＢＣＳ４は前記カラーフィルタＲ、Ｇ、Ｂの間をカバーする。光遮断部材ＢＣＳ４は、ゲートラインＧＬに対応するゲート光遮断部とデータラインＤＬに対応するデータ光遮断部を含んでもよい。ゲート光遮断部の幅はデータ光遮断部の幅より大きくても良い。第１表示基板１１０上に第２表示基板１２０が配置されると、光遮断部材ＢＣＳ４は、ゲートラインＧＬ及びデータラインＤＬを覆うように配置されても良い。
本実施形態によると、前記マスクＭ２は前記第１領域Ｐ１より光透過率が低い前記第２領域Ｐ２及び前記第４領域Ｐ４を含み、前記第２領域Ｐ２及び第４領域Ｐ４によって前記第１光遮断部ＢＭ１より厚さが小さい前記第２光遮断部ＢＭ２及び前記第３光遮断部ＢＭ３が形成される。従って、前記光遮断部ＢＭと前記第１及び第２コラムスペーサー部ＭＣＳ、ＳＣＳの境界が明確に定義されて前記第１及び第２コラムスペーサー部ＭＣＳ、ＳＣＳの高さＭＣＳＨ、ＳＣＳＨの均一性が向上し、前記第１及び第２コラムスペーサー部ＭＣＳ、ＳＣＳの工程管理が容易になって前記第１及び第２コラムスペーサー部ＭＣＳ、ＳＣＳの高さＭＣＳＨ、ＳＣＳＨが増加して、前記第１及び第２コラムスペーサー部ＭＣＳ、ＳＣＳの押圧特性が向上する。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
以上、説明した通り、本発明に係る表示基板は光遮断部とコラムスペーサー部の境界が明確に定義される。従って、前記コラムスペーサー部の高さの均一性及び押圧特性を向上させることができる。
１１０ 第１基板
１２０ 第２基板
ＢＣＳ１,ＢＣＳ２,ＢＣＳ３,ＢＣＳ４ 光遮断部材
ＢＭ 光遮断部
ＢＭ１ 第１光遮断部
ＢＭ２ 第２光遮断部
ＢＭ３ 第３光遮断部
ＣＳ コラムスペーサー部
ＭＣＳ 第１コラムスペーサー部
ＳＣＳ 第２コラムスペーサー部
Ｍ１,Ｍ２ マスク
Ｐ１ 第１領域
Ｐ２ 第２領域
Ｐ３ 第３領域
Ｐ４ 第４領域
Ｐ５ 第５領域Ｐ

Claims (9)

  1. ベース基板と、
    前記ベース基板上に形成されて、第１高さの上面を有する第１光遮断部、前記第１光遮断部と隣接し、前記第１高さより低い第２高さの上面を有する第２光遮断部、及び前記第２光遮断部と隣接し、前記第１高さより高い第３高さの上面を有するコラムスペーサー部を含む光遮断部材と、を含み、
    前記第２光遮断部は、前記コラムスペーサー部の周りを囲むリング状であり、
    前記第１光遮断部は、前記第２光遮断部の周りを囲むとともに、コラムスペーサーの近傍以外の領域をなし、
    前記第１光遮断部、前記第２光遮断部、及び前記コラムスペーサー部は、互いに一体に形成されることを特徴とする表示基板。
  2. ベース基板と、
    前記ベース基板上に形成されて、第１高さの上面を有する第１光遮断部、前記第１光遮断部と隣接し、前記第１高さより低い第２高さの上面を有する第２光遮断部、及び前記第２光遮断部と隣接し、前記第１高さより高い第３高さの上面を有するコラムスペーサー部を含む光遮断部材と、を含み、
    前記第２光遮断部は、前記コラムスペーサー部の周りを囲むリング状であり、
    前記第１光遮断部は、前記第２光遮断部の周りを囲むとともに、コラムスペーサーの近傍以外の領域をなし、
    前記第２光遮断部は、前記第１光遮断部から前記コラムスペーサー部に行くほどますます深くなることを特徴とする表示基板。
  3. 前記第２光遮断部の幅は、５μｍより小さいか又は同じであることを特徴とする請求項１または２に記載の表示基板。
  4. ベース基板と、
    前記ベース基板上に形成されて、第１高さの上面を有する第１光遮断部、前記第１光遮断部と隣接し、前記第１高さより低い第２高さの上面を有する第２光遮断部、及び前記第２光遮断部と隣接し、前記第１高さより高い第３高さの上面を有するコラムスペーサー部を含む光遮断部材と、を含み、
    前記第２光遮断部は、前記コラムスペーサー部の周りを囲むリング状であり、
    前記第１光遮断部は、前記第２光遮断部の周りを囲むとともに、コラムスペーサーの近傍以外の領域をなし、
    前記第２光遮断部は、垂直方向の断面において、円弧状、または、その他の下方及び外側へと膨出する滑らかな湾曲状をなすことを特徴とする表示基板。
  5. 前記コラムスペーサー部は、根元部が、他の部分よりも傾斜が急峻であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の表示基板。
  6. 前記コラムスペーサー部及びこれを囲む第２光遮断部は、平面図で見て、同心円状に配置される請求項１〜４のいずれかに記載の表示基板。
  7. ベース基板と、
    前記ベース基板上に形成されて、第１高さの上面を有する第１光遮断部、前記第１光遮断部と隣接し、前記第１高さより低い第２高さの上面を有する第２光遮断部、及び前記第２光遮断部と隣接し、前記第１高さより高い第３高さの上面を有するコラムスペーサー部を含む光遮断部材と、を含み、
    前記第２光遮断部は、前記コラムスペーサー部の周りを囲むリング状であり、
    前記第１光遮断部は、前記第２光遮断部の周りを囲むとともに、コラムスペーサーの近傍以外の領域をなし、
    前記コラムスペーサー部及びこれを囲む第２光遮断部は、平面図で見て、同心円状に配置され、
    前記光遮断部材は、前記第１高さより高く、前記第３高さより低い第４高さの上面を有する第２コラムスペーサー部をさらに含み、
    前記光遮断部材は、前記第１光遮断部と前記第２コラムスペーサー部との間に配置される第３光遮断部をさらに含み、
    前記第３光遮断部は、前記第１光遮断部から前記第２コラムスペーサー部に行くほどますます深くなり、前記第２コラムスペーサー部の周りを囲むリング状であることを特徴とする表示基板。
  8. 前記ベース基板上にはゲートライン及びデータラインが形成され、前記光遮断部材は前記ゲートライン及び前記データラインをカバーし、前記コラムスペーサー部は前記ゲートラインに対応する位置に配置されることを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
  9. ベース基板と、
    前記ベース基板上に形成され、第１厚さを有する第１光遮断部、前記第１光遮断部と隣接して前記第１厚さより小さい第２厚さを有する第２光遮断部、及び前記第２光遮断部と隣接して前記第１光遮断部より突出したコラムスペーサー部を含む光遮断部材と、を含み、
    前記第２光遮断部は、前記コラムスペーサー部の周りを囲むリング状であり、
    前記第１光遮断部は、前記第２光遮断部の周りを囲むとともに、コラムスペーサーの近傍以外の領域をなし、
    前記第１光遮断部、前記第２光遮断部、及び前記コラムスペーサー部は、互いに一体に形成されることを特徴とする表示基板。
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