CN110648908A - 一种芯片的高效切割方法 - Google Patents
一种芯片的高效切割方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110648908A CN110648908A CN201910912248.8A CN201910912248A CN110648908A CN 110648908 A CN110648908 A CN 110648908A CN 201910912248 A CN201910912248 A CN 201910912248A CN 110648908 A CN110648908 A CN 110648908A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cutting
- substrate
- chip
- cut
- sided
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 title claims abstract description 87
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 61
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims description 4
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000306 component Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
本发明涉及一种芯片的高效切割方法，包括将基板的表面洗净，并在切割区域贴满双面UV膜；将待切割芯片置于基板上，使得待切割芯片通过双面UV膜固定于切割区域内；将基板置于切割机工作台上，并沿着待切割芯片上的切割辅助线对其进行切割至完全切断；将基板从切割机工作台上取下并洗净吹干；对基板进行光照，使得双面UV膜失去粘性，并逐一取下切割后的单颗芯片。本发明通过在基板上设置双面UV膜，可将待切割的芯片固定于基板上，保证在切割时芯片的位置相对固定，并在切割完成后通过光照使得双面UV膜失去粘性，直接取下单颗芯片，无需再通过化学溶剂进行清洗，缩短了切割工艺的周期，提高了切割效率，并可保证切割精度和切割质量。
Description
技术领域
本发明涉及芯片切割技术领域，尤其涉及一种芯片的高效切割方法。
背景技术
今年以来，国内三大运营商都加大了在接入网方面的建设投入，尤其是 在FTTx的大规模建设浪潮下，进行了大规模光分配***设备的集采。光分 路器作为光分配***设备中的核心组件，三家运营商的总采购量在这几年一 直保持着快速的增长。
随着运营商集采力度的增强及采购量的增加，光分路器及其组件的价格 势必会逐渐降低。那么在保证这种电信级产品品质的前提下，提升生产效率 是光分路器生产厂家所需要考虑的重要环节。
传统的切割方法是将芯片使用石蜡粘在普通玻璃上进行切割，且切割后 还要使用化学溶剂在超声波中清洗，其周期较长，此种方法效率低下，并且 化学溶剂还会对芯片造成腐蚀，影响芯片的质量、稳定性和使用寿命。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，提供一种芯片 的高效切割方法。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种芯片的高效切割方法， 包括如下步骤：
步骤1：将基板的表面洗净，并在预先选定的切割区域贴满双面UV膜；
步骤2：将待切割芯片的基板置于贴好双面UV膜的基板上，使得待切割 芯片通过所述双面UV膜固定于所述基板上的切割区域内；
步骤3：将固定有待切割芯片置于切割机工作台上，并沿着待切割芯片 上的预先设置的切割辅助线对其进行切割至完全切断，形成多颗彼此独立的 单颗芯片；
步骤4：将所述基板连同切割后多颗彼此独立的单颗芯片从切割机工作 台上取下，并洗净吹干；
步骤5：对所述基板连同切割后多颗彼此独立的单颗芯片进行光照，使 得双面UV膜失去粘性，并逐一取下切割后的单颗芯片。
本发明的有益效果是：本发明的芯片的高效切割方法，通过在基板上设 置双面UV膜，可将待切割的芯片固定于所述基板上，保证在切割时芯片的 位置相对固定，并在切割完成后通过加热使得双面UV膜融化，直接取下单 颗芯片，无需在通过化学溶剂进行清洗，大大缩短了切割工艺的周期，提高 了切割效率，并且可以保证切割精度和切割质量。
在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进：
进一步：所述基板采用PVC材质制成。
上述进一步方案的有益效果是：采用PVC材质的基板，一方面可以方便 切割机在切割时完全切断，并且不会伤及切割机刀片，另一方面，PVC材质 的基板稳定性和耐热性较好，在老化箱中加热时可以基本不会形变，并且也 不会影响其使用寿命。
进一步：所述步骤1中，采用酒精将所述基板的表面洗净，并用无尘布 擦干。
上述进一步方案的有益效果是：通过采用酒精对所述基本进行清洗，可 以有效去除基板表面的杂质，保证所述双面UV膜与基板的表面紧密贴合， 并且避免基板上存在异物导致后续双面UV膜与基板及芯片粘接不牢固。
进一步：所述步骤2中，将待切割芯片置于贴好双面UV膜的基板时， 使得所述双面UV膜完全覆盖待切割芯片的下表面。
上述进一步方案的有益效果是：通过所述双面UV膜完全覆盖待切割芯 片的下表面，这样可以防止切割后多颗彼此独立的单颗芯片从所述基板上脱 落。
进一步：所述步骤3中，对所述待切割芯片的切割深度大于或等于其厚 度。
上述进一步方案的有益效果是：通过控制切割深度大于或等于待切割芯 片的厚度，可以比较方便的将待切割芯片完全切断，从而形成多颗彼此独立 的单颗芯片。
进一步：所述步骤4中，将所述基板连同切割后多颗彼此独立的单颗芯 片置于清水中，并采用软毛刷刷洗赶紧后吹干。
上述进一步方案的有益效果是：通过将切割后多颗彼此独立的单颗芯片 置于清水中清洗，可以去掉芯片表面切割时产生的碎屑和残渣，保证后续再 光照后取下的单颗芯片洁净无污染。
进一步：所述步骤5中，光照的能量密度为100-800MJ/cm2。
上述进一步方案的有益效果是：通过控制光照的能量密度，可以使得所 述双面UV膜快速失去粘性，这样可以便于从所述基板上顺利的取下切割后 的单颗芯片。
进一步：在所述步骤5中，在进行光照的同时，将所述基板连同切割后 多颗彼此独立的单颗芯片置于老化箱中加热，加热温度范围为50-70℃，加 热时间为0.5-2min。
上述进一步方案的有益效果是：通过在光照时同步进行加热，可以将清 洗后残留在芯片上的水分快速蒸发掉，保证芯片的质量和工作稳定性。
附图说明
图1为本发明的芯片的高效切割原理示意图；
图2为本发明的芯片的高效切割方法流程示意图。
附图中，各标号所代表的部件列表如下：
1、基板，2、双面UV膜，3、待切割芯片。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本 发明，并非用于限定本发明的范围。
如图1和图2所示，一种芯片的高效切割方法，包括如下步骤：
步骤1：将基板1的表面洗净，并在预先选定的切割区域贴满双面UV 膜2；
步骤2：将待切割芯片3置于贴好双面UV膜2的基板1上，使得待切割 芯片3通过所述双面UV膜2固定于所述基板1上的切割区域内；
步骤3：将固定有待切割芯片3的基板1置于切割机工作台上，并沿着 待切割芯片3上的预先设置的切割辅助线对其进行切割至完全切断，形成多 颗彼此独立的单颗芯片；
步骤4：将所述基板1连同切割后多颗彼此独立的单颗芯片从切割机工 作台上取下，并洗净吹干；
步骤5：对所述基板连同切割后多颗彼此独立的单颗芯片进行光照，使 得双面UV膜失去粘性，并逐一取下切割后的单颗芯片。
本发明的芯片的高效切割方法，通过在基板1上设置双面UV膜2，可将 待切割的芯片固定于所述基板1上，保证在切割时芯片的位置相对固定，并 在切割完成后通过加热使得双面UV膜2融化，直接取下单颗芯片，无需在 通过化学溶剂进行清洗，大大缩短了切割工艺的周期，提高了切割效率，并 且可以保证切割精度和切割质量。
在本发明提供的一个或多个实施例中，所述基板1采用PVC材质制成。 采用PVC材质的基板1，一方面可以方便切割机在切割时完全切断，并且不 会伤及切割机刀片，另一方面，PVC材质的基板1稳定性和耐热性较好，并 且也不会影响其使用寿命。
在本发明提供的一个或多个实施例中，所述步骤1中，采用酒精将所述 基板1的表面洗净，并用无尘布擦干。通过采用酒精对所述基本进行清洗， 可以有效去除基板1表面的杂质，保证所述双面UV膜2与基板1的表面紧 密贴合，并且避免基板1上存在异物导致后续双面UV膜2与基板及芯片粘 接不牢固。
优选地，在本发明提供的一个或多个实施例中，所述步骤2中，将待切 割芯片3置于贴好双面UV膜2的基板1时，使得所述双面UV膜2完全覆盖 待切割芯片3的下表面。通过所述双面UV膜2完全覆盖待切割芯片3的下 表面，这样可以防止切割后多颗彼此独立的单颗芯片从所述基板上脱落。
本发明中，所述双面UV膜采用50#PET UV减粘胶保护膜，其包括PET 膜(50μm)、双面亚克力胶(20μm)以及PET离型膜(50μm)，其物理 特性如下表所示：
此保护膜耐高温照紫外线前粘性较强，经紫外线照射后，粘性大幅降低， 可轻易剥离、切割；保存温度为23℃.相对湿度55％，若长期储存在温度60℃ 以上的环境中，粘着力会有大幅度下降。
优选地，在本发明提供的一个或多个实施例中，所述步骤3中，对所述 待切割芯片3的切割深度大于或等于其厚度。通过控制切割深度大于或等于 待切割芯片3的厚度，可以比较方便的将待切割芯片3完全切断，从而形成 多颗彼此独立的单颗芯片。
为了保证切割的效率和切割的安全性，切割时需沿着切割辅助线直接切 断芯片，但实际切割时由于切割精度控制会有误差，有时会伤及所述基板1， 由于基板1采用PVC材质，所以基本没有影响，但是需要控制切割时尽量不 能伤及基本过深，一方面会造成切割机刀片的不必要磨损，另一方面，会损 坏基板1的结构强度，影响其使用寿命。
在本发明提供的一个或多个实施例中，所述步骤4中，将所述基板1连 同切割后多颗彼此独立的单颗芯片置于清水中，并采用软毛刷刷洗赶紧后吹 干。通过将切割后多颗彼此独立的单颗芯片置于清水中清洗，可以去掉芯片 表面切割时产生的碎屑和残渣，保证后续光照后取下的单颗芯片洁净无污 染。
优选地，在本发明提供的一个或多个实施例中，所述步骤5中，光照的 能量密度为100-800MJ/cm2。通过控制光照的能量密度，可以使得所述双面UV膜快速失去粘性，这样可以便于从所述基板上顺利的取下切割后的单颗芯 片。
优选地，在本发明提供的一个或多个实施例中，所述步骤5中，在进行 光照的同时，将所述基板连同切割后多颗彼此独立的单颗芯片置于老化箱中 加热，加热温度范围为50-70℃，加热时间为0.5-2min。通过在光照时同步 进行加热，可以将信息后残留在芯片上的水分快速蒸发掉，保证芯片的质量 和工作稳定性。实际中，加热时间优选为1min。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明 的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发 明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种芯片的高效切割方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1：将基板的表面洗净，并在预先选定的切割区域贴满双面UV膜；
步骤2：将待切割芯片置于贴好双面UV膜的基板上，使得待切割芯片通过所述双面UV膜固定于所述基板上的切割区域内；
步骤3：将固定有待切割芯片的基板置于切割机工作台上，并沿着待切割芯片上的预先设置的切割辅助线对其进行切割至完全切断，形成多颗彼此独立的单颗芯片；
步骤4：将所述基板连同切割后多颗彼此独立的单颗芯片从切割机工作台上取下，并洗净吹干；
步骤5：对所述基板连同切割后多颗彼此独立的单颗芯片进行光照，使得双面UV膜失去粘性，并逐一取下切割后的单颗芯片。
2.根据权利要求1所述的芯片的高效切割方法，其特征在于，所述基板采用PVC材质制成。
3.根据权利要求2所述的芯片的高效切割方法，其特征在于，所述步骤1中，采用酒精将所述基板的表面洗净，并用无尘布擦干。
4.根据权利要求1所述的芯片的高效切割方法，其特征在于，所述步骤2中，将待切割芯片置于贴好双面UV膜的基板时，使得所述双面UV膜完全覆盖待切割芯片的下表面。
5.根据权利要求1所述的芯片的高效切割方法，其特征在于，所述步骤3中，对所述待切割芯片的切割深度大于或等于其厚度。
6.根据权利要求1所述的芯片的高效切割方法，其特征在于，所述步骤4中，将所述基板连同切割后多颗彼此独立的单颗芯片置于清水中，并采用软毛刷刷洗赶紧后吹干。
7.根据权利要求1所述的芯片的高效切割方法，其特征在于，所述步骤5中，光照的能量密度为100-800MJ/cm2。
8.根据权利要求1-7任一项所述的芯片的高效切割方法，其特征在于，在所述步骤5中，在进行光照的同时，将所述基板连同切割后多颗彼此独立的单颗芯片置于老化箱中加热，加热温度范围为50-70℃，加热时间为0.5-2min。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910912248.8A CN110648908B (zh) | 2019-09-25 | 2019-09-25 | 一种芯片的切割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910912248.8A CN110648908B (zh) | 2019-09-25 | 2019-09-25 | 一种芯片的切割方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110648908A true CN110648908A (zh) | 2020-01-03 |
| CN110648908B CN110648908B (zh) | 2022-06-10 |
Family
ID=68992091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910912248.8A Active CN110648908B (zh) | 2019-09-25 | 2019-09-25 | 一种芯片的切割方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110648908B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111571028A (zh) * | 2020-03-16 | 2020-08-25 | 维嘉数控科技（苏州）有限公司 | 一种分板方法 |
| CN113438817A (zh) * | 2021-07-01 | 2021-09-24 | 湖南维胜科技电路板有限公司 | 一种pcb加工方法 |
| CN114093814A (zh) * | 2021-11-12 | 2022-02-25 | 无锡微视传感科技有限公司 | 一种双面结构的圆片的划片方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08255772A (ja) * | 1995-03-17 | 1996-10-01 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
| JPH09330940A (ja) * | 1996-06-13 | 1997-12-22 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| CN101770980A (zh) * | 2008-12-26 | 2010-07-07 | 株式会社迪思科 | 工件分割方法以及带扩张装置 |
| CN104155731A (zh) * | 2013-05-13 | 2014-11-19 | 上海鸿辉光通科技股份有限公司 | 一种plc芯片的粘接方法 |
| CN108231678A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-06-29 | 武汉驿路通科技股份有限公司 | 一种平面波导型光分路器芯片切割工艺 |
| CN109049370A (zh) * | 2018-08-06 | 2018-12-21 | 甬矽电子(宁波)股份有限公司 | 晶圆切割方法 |
-
2019
- 2019-09-25 CN CN201910912248.8A patent/CN110648908B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08255772A (ja) * | 1995-03-17 | 1996-10-01 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
| JPH09330940A (ja) * | 1996-06-13 | 1997-12-22 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| CN101770980A (zh) * | 2008-12-26 | 2010-07-07 | 株式会社迪思科 | 工件分割方法以及带扩张装置 |
| CN104155731A (zh) * | 2013-05-13 | 2014-11-19 | 上海鸿辉光通科技股份有限公司 | 一种plc芯片的粘接方法 |
| CN108231678A (zh) * | 2017-12-28 | 2018-06-29 | 武汉驿路通科技股份有限公司 | 一种平面波导型光分路器芯片切割工艺 |
| CN109049370A (zh) * | 2018-08-06 | 2018-12-21 | 甬矽电子(宁波)股份有限公司 | 晶圆切割方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111571028A (zh) * | 2020-03-16 | 2020-08-25 | 维嘉数控科技（苏州）有限公司 | 一种分板方法 |
| CN111571028B (zh) * | 2020-03-16 | 2021-04-02 | 维嘉数控科技（苏州）有限公司 | 一种分板方法 |
| WO2021184813A1 (zh) * | 2020-03-16 | 2021-09-23 | 苏州维嘉科技股份有限公司 | 分板方法、电子设备及计算机可读存储介质 |
| CN113438817A (zh) * | 2021-07-01 | 2021-09-24 | 湖南维胜科技电路板有限公司 | 一种pcb加工方法 |
| CN114093814A (zh) * | 2021-11-12 | 2022-02-25 | 无锡微视传感科技有限公司 | 一种双面结构的圆片的划片方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110648908B (zh) | 2022-06-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110648908B (zh) | 一种芯片的切割方法 | |
| CN108749276A (zh) | 一种聚酰亚胺太阳能网版及制作方法 | |
| CN107459262A (zh) | 一种玻璃摄像头镜片的加工方法及其采用的装置 | |
| CN110098286B (zh) | 一种led晶片衬底减薄中的贴片方法 | |
| CN103022251A (zh) | 一种太阳能电池组件的返修方法 | |
| CN109300842A (zh) | 晶片的加工方法 | |
| CN107492585A (zh) | 一种叠片组件电池串返修方法 | |
| CN109048073A (zh) | 一种应用于网状制品的激光烧蚀制作方法 | |
| CN114664962B (zh) | 用光固化液体胶膜粘结封装光伏组件的冷层压生产方法及光伏组件 | |
| JP5099819B2 (ja) | 太陽電池モジュール部材の回収方法 | |
| CN107298428B (zh) | 一种用于sog-mems芯片单元分离的方法 | |
| CN108735665A (zh) | 一种半导体芯片的翻膜方法 | |
| CN111879230A (zh) | 制备银纳米线的聚乳酸柔性应变传感器的方法及其应用 | |
| CN104155731B (zh) | 一种plc芯片的粘接方法 | |
| CN115011419A (zh) | 一种去除芯片封装固定胶的溶液和取芯方法 | |
| TWI248423B (en) | Method for cutting plate glass | |
| JP3735231B2 (ja) | 太陽電池用ガラス基板及びその半強化処理方法 | |
| CN101945729A (zh) | 用于透镜脱粘的方法和机器 | |
| WO2022088561A1 (zh) | 一种石英产品的固定方法 | |
| CN108008530A (zh) | 一种镜片喷涂封边工艺 | |
| CN209418483U (zh) | 切割过程的基板组件 | |
| CN114654607A (zh) | 一种硅棒快速粘晶的方法 | |
| CN108519690A (zh) | 一种软化剂以及液晶盒拆分方法 | |
| CN113290325A (zh) | 激光加工方法 | |
| CN109920752A (zh) | 一种切割工艺 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |