CN110629289A - 一种低亮暗点的4和6英寸半绝缘砷化镓抛光片制备方法 - Google Patents
一种低亮暗点的4和6英寸半绝缘砷化镓抛光片制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110629289A CN110629289A CN201911061684.5A CN201911061684A CN110629289A CN 110629289 A CN110629289 A CN 110629289A CN 201911061684 A CN201911061684 A CN 201911061684A CN 110629289 A CN110629289 A CN 110629289A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gallium arsenide
- wafer
- single crystal
- inch
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B29/00—Machines or devices for polishing surfaces on work by means of tools made of soft or flexible material with or without the application of solid or liquid polishing agents
- B24B29/02—Machines or devices for polishing surfaces on work by means of tools made of soft or flexible material with or without the application of solid or liquid polishing agents designed for particular workpieces
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B28/00—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B28/04—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure from liquids
- C30B28/06—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure from liquids by normal freezing or freezing under temperature gradient
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/42—Gallium arsenide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/02—Heat treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明涉及一种低亮暗点的4和6英寸半绝缘砷化镓抛光片制备方法,采用HGF法合成砷化镓多晶,去除尾部杂质富集多晶,剩余多晶王水处理清洗干净,砷化镓籽晶、砷化镓多晶、碳粉、氧化硼和少量黑砷装入PBN坩埚中,再装入石英管内抽真空焊接密封,装入多温区VGF单晶炉中,采用VGF/VB生长半绝缘砷化镓单晶,采用开管惰性气体保护单晶热处理,经头尾片测试证明生长出半绝缘砷化镓单晶性能达标。然后滚圆、多线切割、倒角、粗抛光,在氧气气氛和不饱和砷蒸汽保护条件下,对抛光片热处理,再经精细抛光、清洗、封装。技术效果是开发出砷化镓抛光片制备流程,同时结合新的晶片退火的技术,降低半绝缘砷化镓抛光片表面在强光灯下目检的亮、暗点缺陷。
Description
技术领域
本发明涉及一种低亮暗点的4和6英寸半绝缘砷化镓抛光片制备方法,在这种衬底上MBE外延层形成外延片,用于高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结双极晶体管(HBT)结构的器件。
背景技术
在半绝缘砷化镓衬底上利用MBE工艺生长AlGaAs/GaAs外延层会形成较小的表面椭圆缺陷,这种缺陷将会影响HEMT器件的性能,尤其K值,这种缺陷归因于吸附在位错线上的砷沉淀。
砷化镓外延要求尽可能的减少砷化镓抛光片强光灯下呈现亮点缺陷(LPD)和暗点缺陷。这些缺陷由表面吸附的颗粒和砷化镓衬底基体中存在的缺陷两大类。表面吸附颗粒可以通过抛光片清洗工艺降低。衬底基体中的亮点缺陷与砷化镓晶体中砷沉淀有关,衬底基体中的暗点缺陷与半绝缘砷化镓晶体掺入杂质碳有关。
为了降低半绝缘砷化镓抛光片亮点缺陷,AXT公司开发出石英管密封砷化镓切片热处理技术,可以降低抛光片上的亮点缺陷(专利为[P]200810000938.8 AXT公司“制造低腐蚀坑密度半绝缘砷化镓晶片的方法及其产品”),中电46所也开发出开管砷化镓切片热处理技术,同样可以降低砷化镓抛光片的亮点缺陷(专利为[P]ZL201518007041.9“一种半绝缘砷化镓抛光片的制备方法及装置”),但砷化镓抛光片还存在一种暗点缺陷没有被去除。
发明内容
鉴于现有技术存在的问题,本发明提供了一种低亮暗点的4和6英寸半绝缘砷化镓抛光片制备方法,采用石英管密封,碳粉掺杂VGF、VB半绝缘砷化镓单晶生长技术,降低原生砷化镓晶体存在大量的砷沉淀和碳粉微团,具体技术方案是,一种低亮暗点的4和6英寸半绝缘砷化镓抛光片制备方法,其特征在于:该方法包括以下步骤:㈠采用HGF法合成砷化镓多晶:利用砷蒸汽注入高温镓熔体生成砷化镓多晶熔体,采用HGF法定向结晶,去除多晶尾部化学计量比偏离、杂质富集区,剩余的多晶打磨棱角和表面异物,经王水腐蚀、清洗、烘干;㈡采用掺碳VGF/VB法生长半绝缘砷化镓单晶:首先把砷化镓籽晶、砷化镓多晶、碳粉、氧化硼和少量黑砷装入PBN坩埚中,再装入石英管内抽真空<10-3Pa焊接密封,装料石英管装入VGF单晶炉中,砷化镓多晶融化后熔接籽晶,采用VGF生长工艺生长籽晶和晶体肩部、等径生长,生长速度0.5-2mm/h,当等径生长10-20mm后,停止VGF法生长,采用VB法以1-2mm/h进行等径生长,达到晶体等径长度后,停止VB法生长,以10-100℃/h降温到室温,拆炉取出石英管敲碎,取出粘连的砷化镓晶体的坩埚,浸泡在40-60℃甲醇中使晶体与PBN脱离;㈢、采用开管惰性气体保护热处理砷化镓单晶:砷化镓单晶装入热处理炉石英管内,盖石英盖密封。在惰性气体保护下,慢速在12-48h升温到850-1000℃,恒温热处理24-72h后,慢速降温到室温;
㈣、判定生长的半绝缘砷化镓单晶性能是否达标:利用GJB1927-94《砷化镓单晶材料测试方法》测试头尾测试片是否为电阻率>8E7Ω•cm、迁移率>4E3cm2/V•s,利用GB/T8760《砷化镓单晶位错密度的测量方法》测试头尾测试片位错密度,依据4英寸单晶的位错密度<5E3cm-2,6英寸单晶的位错密度<1E4cm-2判定位错是否达标;㈤、滚圆、多线切割、倒角,工序指标要求:4英寸砷化镓单晶滚圆到101±0.2mm,制作主次参考面,被切割成700±10μm晶片,倒角到直径100±0.2mm,6英寸砷化镓单晶滚圆到151±0.2mm、被切割成750±10μm晶片,倒角到直径150±0.2mm,然后在氨水和双氧水腐蚀液中化学腐蚀后,并清洗甩干;
㈥、晶片粗抛光、抛光片热处理:采用CMP工艺进行砷化镓晶片粗抛光,4英寸砷化镓晶片粗抛光到660±5μm,6英寸砷化镓晶片粗抛光到710±5μm,热处理用石英架、石英管和堵头预先在稀HF酸中处理后冲洗干净、烘干,砷化镓粗抛片先装入热处理石英架上,然后平推入石英管内,再装入高纯砷或黑砷,其中,高纯砷或黑砷装入量依据
石英管密封内体积和高温时产生0.5-0.7atm砷蒸气压(As4)计算,装入石英堵头,平移到封管设备,与密封法兰连接,抽真空达≤10Pa后,再依据石英管密封内体积利用质量流量计计量充入10-30ml/L的氧气,使用氢氧火焰焊接堵头密封,装入三温区水平热处理炉中,石英管内晶片必须处于热处理炉的恒温区位置内,热处理炉4-8h升温到1000-1080℃,恒温10-24h,再8-12h降温到室温;
㈦、精细抛光、清洗:热处理后晶片采用CMP工艺经精、细抛光两道工序,把表面抛光光洁,4英寸砷化镓抛光片厚度控制在625±25μm、6英寸砷化镓抛光片厚度控制在675±25μm,先放入表面活性剂、KOH熔液和去离子水构成的清洗液内清洗,再进行去离子水超声清洗,最后甩干;
㈧、检测、封装:在强光灯下,全检砷化镓抛光片表面质量,使用抛光片颗粒度测试仪抽测抛光片的表面颗粒度,测试尺寸>0.3μm的吸附颗粒、亮点缺陷和暗点缺陷表征的颗粒度的数量,要求4英寸砷化镓抛光片颗粒度<40/片、6英寸砷化镓抛光片颗粒度<80/片,使用几何参数测试仪抽测几何参数TTV 、TIR、Warp,合格晶片装入片盒中,放入锡伯带中抽真空,充氮气后封装。
本发明的技术效果是,开发出砷化镓抛光片制备流程,同时结合新的晶片退火的技术,降低半绝缘砷化镓抛光片表面在强光灯下目检的亮、暗点缺陷。
附图说明
图1为是本发明的制备流程图。
具体实施方式
实施例一
以生产4英寸半绝缘砷化镓衬底为例。
首先装入<100>晶向籽晶,再装入水含量小于200ppm氧化硼80g,再装入HGF法合成D型砷化镓多晶8.4±0.1kg和碳粉65±2mg到PBN坩埚内,再装入石英管内,抽真空<5Pa,利用氢氧火焰焊接封帽。装入多温区VGF单晶炉中,融化砷化镓多晶后,熔接籽晶。先降低下端温区和肩部所在温区的温度,使砷化镓熔体以VGF法生长籽晶和晶体肩部、等径生长,生长速度控制0.5-2mm/h。当等径生长20mm后,各温区停止降温,采用VB法以1.5mm/h进行剩余熔体的等径生长,向下生长160mm。以50℃/h降温到室温。浸泡50℃甲醇中使晶体与PBN脱离。
装入石英管内的砷化镓单晶在通氩气保护下,慢速20h升温到950℃,恒温24h后,慢速30h降温室温。切割头尾测试片测试头部,经测试电阻率>1.5E8Ω•cm,迁移率>5.4E3cm2/V•s,位错密度<1.1E3cm-2,尾部电阻率>2.3E8Ω•cm,迁移率>5.1E3cm2/V•s,位错密度<3.8E3cm-2,达标。
4英寸砷化镓单晶滚圆到101±0.2mm、制作主参考面32.5±1mm、次参考面18±1mm。采用多线切割工艺,4英寸砷化镓单晶被切割成700±10μm,数量150片, 4英寸切割片倒角到直径100±0.2mm,在氨水和双氧水腐蚀液中化学腐蚀,清洗干净。检查晶片直径、厚度、TTV,检查晶片表面去除存在花晶、夹晶等缺陷的晶片。采用CMP工艺进行砷化镓晶片粗抛光,4英寸砷化镓晶片粗抛光到660±5μm,清洗洁净甩干。
晶体热处理石英架和石英管和堵头在稀HF酸中处理后,冲洗干净烘干。砷化镓粗抛150片装入3个热处理石英架上,装入长度1.2m,内径116mm石英管,再装入高纯砷或黑砷,其中,高纯砷或黑砷装入量必须保证在石英管空间内高温时的砷蒸气压(As4)0.52atm,抽真空达6.2Pa,后再利用质量流量计计量充入40ml的氧气,并氢氧火焰焊接堵头封堵。装入三温区水平热处理炉中,晶片处于热处理炉长度800mm恒温区内,4h升温到1050℃,恒温15h,再10h降温到室温。
再采用CMP工艺经精、细抛光两道工序,把表面抛光到光洁表面。4英寸砷化镓抛光片厚度控制在625±25μm。先放入表面活性剂、KOH熔液和去离子水构成的清洗液内清洗,再在去离子水超声清洗,最后甩干。在强光灯下,全检砷化镓抛光片表面质量,抽测3片抛光片的表面颗粒度:计量尺寸>0.3μm的吸附颗粒、亮点缺陷和暗点缺陷的总颗粒度,4英寸砷化镓抛光片颗粒度应为23/片、12/片、15/片;抽测抛光片的几何参数TTV <4μm、TIR<3μm、Warp<8μm,合格晶片装入片盒中,放入铝箔袋中抽真空,充氮气后封装。
实施例二
以生产6英寸半绝缘砷化镓衬底为例。
首先装入<100>)晶向杍晶,再装入水含量小于200ppm氧化硼120g,再装入HGF法合成D型砷化镓多晶16.3±0.1kg和碳粉120±2mg到PBN坩埚内,再装入石英管内,抽真空5Pa,利用氢氧火焰焊接封帽。装入多温区VGF单晶中,融化砷化镓多晶后,熔接籽晶。先降低下端温区和肩部所在温区的温度,使砷化镓熔体以VGF法生长籽晶和晶体肩部、等径生长,生长速度1.0mm/h。。当等径生长15mm后,各温区停止降温,采用VB法以1.0mm/h进行等径生长,向下生长140mm。以40℃/h降温到室温。浸泡50℃甲醇中使晶体与PBN脱离。
砷化镓单晶在氩气保护下,慢速30h升温到950℃,恒温36h后,慢速30h降温室温。切割头尾测试片测试头部,经测试,电阻率>1.6E8Ω•cm,迁移率>5.3E3cm2/V•s,位错密度<3.8E3cm-2,尾部电阻率>1.9E8Ω•cm,迁移率>5.4E3cm2/V•s,位错密度<8.8E3cm-2,达标。
达标的6英寸砷化镓单晶滚圆到151±0.2mm,制作notch槽。采用多线切割工艺,6英寸砷化镓单晶被切割成750±10μm,数量80片,6英寸切割片倒角到直径150±0.2mm,放在氨水和双氧水腐蚀液中化学腐蚀,清洗干净。检查晶片直径、厚度、TTV,检查晶片表面去除存在花晶、夹晶等缺陷的晶片。采用CMP工艺进行砷化镓晶片粗抛光,4英寸砷化镓晶片粗抛光到710±5μm,清洗洁净、甩干。
晶体热处理石英架、石英管和堵头在稀HF酸中处理后,冲洗干净烘干。砷化镓粗抛80片装入4个热处理石英架上,装入长度1.2m,内径166mm石英管内,在石英管空间内处再装入高纯砷或黑砷,其中,高纯砷或黑砷装入量必须保证在石英管空间内高温时的砷蒸气压(As4)0.53atm,抽真空达5.0Pa,后再利用质量流量计计量充入150ml的氧气,并氢氧火焰焊接堵头封堵。装入三温区水平热处理炉中,晶片处于热处理炉长度800mm恒温区内,5h升温到1060℃,恒温24h,再10h降温到室温。
再采用CMP工艺经精、细抛光两道工序,把表面抛光到光洁表面,6英寸砷化镓抛光片厚度控制在675±25μm。先放入表面活性剂、KOH熔液和去离子水构成的清洗液内清洗,再在去离子水超声清洗,最后甩干。在强光灯下,砷化镓抛光片表面质量全检。抽测3片抛光片的表面吸附颗粒、亮点缺陷、暗点缺陷的总颗粒度:要求计量粒子尺寸>0.3μm的颗粒,6英寸砷化镓抛光片颗粒度:55/片、60/片、41/片。抽测几何参数TTV <6μm、TIR<5μm、Warp<8μm,合格晶片装入片盒中,放入铝箔袋中抽真空,充氮气后封装。
Claims (1)
1.一种低亮暗点的4和6英寸半绝缘砷化镓抛光片制备方法,其特征在于:该方法包括以下步骤:
㈠采用HGF法合成砷化镓多晶:利用砷蒸汽注入高温镓熔体生成砷化镓多晶熔体,采用HGF法定向结晶,去除多晶尾部化学计量比偏离、杂质富集区,剩余的多晶打磨棱角和表面异物,经王水腐蚀、清洗、烘干;
㈡采用掺碳VGF/VB法生长半绝缘砷化镓单晶:首先把砷化镓籽晶、砷化镓多晶、碳粉、氧化硼和少量黑砷装入PBN坩埚中,再装入石英管内抽真空<10-3Pa焊接密封,装料石英管装入VGF单晶炉中;
砷化镓多晶融化后熔接籽晶,采用VGF生长工艺生长籽晶和晶体肩部、等径生长,生长速度0.5-2mm/h,当等径生长10-20mm后,停止VGF法生长,采用VB法以1-2mm/h进行等径生长,达到晶体等径长度后,停止VB法生长,以10-100℃/h降温到室温,拆炉取出石英管敲碎,取出粘连的砷化镓晶体的坩埚,浸泡在40-60℃甲醇中使晶体与PBN脱离;
㈢、采用开管惰性气体保护热处理砷化镓单晶:砷化镓单晶装入热处理炉石英管内,盖石英盖密封,在惰性气体保护下,慢速在12-48h升温到850-1000℃,恒温热处理24-72h后,慢速降温到室温;
㈣、判定生长的半绝缘砷化镓单晶性能是否达标:利用GJB1927-94《砷化镓单晶材料测试方法》测试头尾测试片是否为电阻率>8E7Ω•cm、迁移率>4E3cm2/V•s;
利用GB/T8760《砷化镓单晶位错密度的测量方法》测试头尾测试片位错密度,依据4英寸单晶的位错密度<5E3cm-2,6英寸单晶的位错密度<1E4cm-2判定位错是否达标;
㈤、滚圆、多线切割、倒角工序指标要求:4英寸砷化镓单晶滚圆到101±0.2mm,制作主次参考面,被切割成700±10μm晶片,倒角到直径100±0.2mm;
6英寸砷化镓单晶滚圆到151±0.2mm、被切割成750±10μm晶片,倒角到直径150±0.2mm,然后在氨水和双氧水腐蚀液中化学腐蚀后,并清洗甩干;
㈥、晶片粗抛光、抛光片热处理:采用CMP工艺进行砷化镓晶片粗抛光,4英寸砷化镓晶片粗抛光到660±5μm,6英寸砷化镓晶片粗抛光到710±5μm,热处理用石英架、石英管和堵头预先在稀HF酸中处理后冲洗干净、烘干,砷化镓粗抛片先装入热处理石英架上,然后平推入石英管内,再装入高纯砷或黑砷,其中,高纯砷或黑砷装入量依据
石英管密封内体积和高温时产生0.5-0.7atm砷蒸气压(As4)计算,装入石英堵头,平移到封管设备,与密封法兰连接,抽真空达≤10Pa后,再依据石英管密封内体积利用质量流量计计量充入10-30ml/L的氧气,使用氢氧火焰焊接堵头密封,装入三温区水平热处理炉中,石英管内晶片必须处于热处理炉的恒温区位置内,热处理炉4-8h升温到1000-1080℃,恒温10-24h,再8-12h降温到室温;
㈦、精细抛光、清洗:热处理后晶片采用CMP工艺经精、细抛光两道工序,把表面抛光光洁,4英寸砷化镓抛光片厚度控制在625±25μm、6英寸砷化镓抛光片厚度控制在675±25μm,先放入表面活性剂、KOH熔液和去离子水构成的清洗液内清洗,再进行去离子水超声清洗,最后甩干;
㈧、检测、封装:在强光灯下,全检砷化镓抛光片表面质量,使用抛光片颗粒度测试仪抽测抛光片的表面颗粒度,测试尺寸>0.3μm的吸附颗粒、亮点缺陷和暗点缺陷表征的颗粒度的数量,要求4英寸砷化镓抛光片颗粒度<40/片、6英寸砷化镓抛光片颗粒度<80/片,使用几何参数测试仪抽测几何参数TTV 、TIR、Warp,合格晶片装入片盒中,放入锡伯带中抽真空,充氮气后封装。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911061684.5A CN110629289B (zh) | 2019-11-01 | 2019-11-01 | 一种低亮暗点的4和6英寸半绝缘砷化镓抛光片制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911061684.5A CN110629289B (zh) | 2019-11-01 | 2019-11-01 | 一种低亮暗点的4和6英寸半绝缘砷化镓抛光片制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110629289A true CN110629289A (zh) | 2019-12-31 |
CN110629289B CN110629289B (zh) | 2021-02-23 |
Family
ID=68978977
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911061684.5A Active CN110629289B (zh) | 2019-11-01 | 2019-11-01 | 一种低亮暗点的4和6英寸半绝缘砷化镓抛光片制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110629289B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112466998A (zh) * | 2020-12-09 | 2021-03-09 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种四英寸80微米砷化镓双抛片的制作方法 |
CN113913939A (zh) * | 2021-09-10 | 2022-01-11 | 云南鑫耀半导体材料有限公司 | 低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法 |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02107598A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-19 | Hitachi Cable Ltd | 半絶縁性砒化ガリウム半導体単結晶の熱処理方法 |
JPH02272000A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-06 | Hitachi Chem Co Ltd | ガリウム・砒素単結晶をエッチングする方法 |
JPH03205400A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-06 | Nec Corp | ガリウム砒素化合物半導体単結晶の熱処理方法 |
JPH10167898A (ja) * | 1996-12-12 | 1998-06-23 | Japan Energy Corp | 半絶縁性GaAs単結晶の製造方法 |
JP2004099410A (ja) * | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Hitachi Cable Ltd | 化合物半導体単結晶の成長方法 |
JP2004273517A (ja) * | 2003-03-05 | 2004-09-30 | Hitachi Cable Ltd | 砒化ガリウム単結晶の熱処理方法 |
JP2007106669A (ja) * | 2006-10-24 | 2007-04-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半絶縁性GaAs単結晶の製造方法 |
CN101348940A (zh) * | 2008-09-08 | 2009-01-21 | 杭州上晶光电有限公司 | 一种化合物半导体GaAs单晶的改进型坩埚下降法生长方法 |
CN101348939A (zh) * | 2008-09-08 | 2009-01-21 | 杭州上晶光电有限公司 | 一种提高砷化镓单晶利用率的生长方法 |
CN101603208A (zh) * | 2008-06-11 | 2009-12-16 | 中国科学院半导体研究所 | 生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法 |
CN108866630A (zh) * | 2018-07-25 | 2018-11-23 | 汉能新材料科技有限公司 | 一种砷化镓多晶合成方法 |
CN109112637A (zh) * | 2018-09-26 | 2019-01-01 | 汉能新材料科技有限公司 | 一种砷化镓晶体的退火方法及得到的砷化镓晶片 |
CN109252220A (zh) * | 2018-12-04 | 2019-01-22 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种vgf/vb砷化镓单晶炉结构及生长方法 |
CN110144623A (zh) * | 2019-06-20 | 2019-08-20 | 广东先导先进材料股份有限公司 | 一种砷化镓多晶的制作方法及装置 |
-
2019
- 2019-11-01 CN CN201911061684.5A patent/CN110629289B/zh active Active
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02107598A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-19 | Hitachi Cable Ltd | 半絶縁性砒化ガリウム半導体単結晶の熱処理方法 |
JPH02272000A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-06 | Hitachi Chem Co Ltd | ガリウム・砒素単結晶をエッチングする方法 |
JPH03205400A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-06 | Nec Corp | ガリウム砒素化合物半導体単結晶の熱処理方法 |
JPH10167898A (ja) * | 1996-12-12 | 1998-06-23 | Japan Energy Corp | 半絶縁性GaAs単結晶の製造方法 |
JP2004099410A (ja) * | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Hitachi Cable Ltd | 化合物半導体単結晶の成長方法 |
JP2004273517A (ja) * | 2003-03-05 | 2004-09-30 | Hitachi Cable Ltd | 砒化ガリウム単結晶の熱処理方法 |
JP2007106669A (ja) * | 2006-10-24 | 2007-04-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半絶縁性GaAs単結晶の製造方法 |
CN101603208A (zh) * | 2008-06-11 | 2009-12-16 | 中国科学院半导体研究所 | 生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法 |
CN101348940A (zh) * | 2008-09-08 | 2009-01-21 | 杭州上晶光电有限公司 | 一种化合物半导体GaAs单晶的改进型坩埚下降法生长方法 |
CN101348939A (zh) * | 2008-09-08 | 2009-01-21 | 杭州上晶光电有限公司 | 一种提高砷化镓单晶利用率的生长方法 |
CN108866630A (zh) * | 2018-07-25 | 2018-11-23 | 汉能新材料科技有限公司 | 一种砷化镓多晶合成方法 |
CN109112637A (zh) * | 2018-09-26 | 2019-01-01 | 汉能新材料科技有限公司 | 一种砷化镓晶体的退火方法及得到的砷化镓晶片 |
CN109252220A (zh) * | 2018-12-04 | 2019-01-22 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种vgf/vb砷化镓单晶炉结构及生长方法 |
CN110144623A (zh) * | 2019-06-20 | 2019-08-20 | 广东先导先进材料股份有限公司 | 一种砷化镓多晶的制作方法及装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112466998A (zh) * | 2020-12-09 | 2021-03-09 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种四英寸80微米砷化镓双抛片的制作方法 |
CN112466998B (zh) * | 2020-12-09 | 2022-08-12 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种四英寸80微米砷化镓双抛片的制作方法 |
CN113913939A (zh) * | 2021-09-10 | 2022-01-11 | 云南鑫耀半导体材料有限公司 | 低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法 |
CN113913939B (zh) * | 2021-09-10 | 2024-02-06 | 云南鑫耀半导体材料有限公司 | 低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110629289B (zh) | 2021-02-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104576307B (zh) | 一种消除12英寸单晶硅外延片表面微颗粒团聚的方法 | |
JP2017523950A5 (zh) | ||
CN110629289B (zh) | 一种低亮暗点的4和6英寸半绝缘砷化镓抛光片制备方法 | |
JP4853237B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP5682471B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法 | |
CN102534808A (zh) | 高质量碳化硅表面的获得方法 | |
US10975496B2 (en) | Single crystal silicon plate-shaped body | |
CN114232069B (zh) | 一种Ⅱ族元素掺杂GaAs单晶硅及其制备方法 | |
CN113913939B (zh) | 低颗粒度、低暗点半绝缘砷化镓晶片的制备方法 | |
JP5067301B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
CN115771996B (zh) | Vgf晶体生长用超大直径石英管的真空封焊方法 | |
TW202102727A (zh) | 砷化鎵單晶基板 | |
KR101524913B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼 | |
JP5938092B2 (ja) | 高純度シリコンの製造方法、及びこの方法で得られた高純度シリコン、並びに高純度シリコン製造用シリコン原料 | |
JP5375636B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
CN113388889A (zh) | 一种碲锌镉衬底中无第二相夹杂的控制方法 | |
KR101395392B1 (ko) | 실리콘 단결정 잉곳의 성장방법 | |
JP4498457B1 (ja) | 結晶成長方法 | |
TW201708629A (zh) | 單晶矽拉起裝置內的構件的再生方法 | |
JP4345585B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法、およびこれに用いる覗き窓ガラス、結晶観察用窓ガラス、シリコン単結晶製造装置 | |
CN110849875A (zh) | 一种分析铸造多晶硅微观结构的方法 | |
TW200406848A (en) | Method of eliminating boron contamination of annealed wafer | |
CN115369486B (zh) | 一种解决异常硅棒电阻虚高与导电类型反转的方法 | |
TWI746000B (zh) | 用於製備矽晶圓的方法 | |
JP2023097579A (ja) | 石英ガラスルツボ及びその石英ガラスルツボの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |