CN110544703A - 发光器件封装 - Google Patents

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Abstract

本文公开一种发光器件封装，包括：包括腔体的主体；设置在腔体的底面上的第一电极；多个第二电极，设置在腔体的底面上，配置为包围第一电极；设置在第一电极上的第一发光器件；第二发光器件，设置在多个第二电极中的一个上；及设置在主体上的透光构件，其中腔体的底面包括第一边、第二边、第三边和第四边；第一电极包括布置部和延伸部，布置部上设置有第一发光器件，延伸部配置为从布置部延伸到第三边；布置部包括第一倾斜表面、第二倾斜表面、第三倾斜表面、第四倾斜表面、第一拐角、第二拐角以及第三拐角；第一至第四倾斜表面中的每一个相对于第一边至第四边具有大于0度或小于90度的角度；多个第二电极通过第一拐角至第三拐角而分支。

Description

发光器件封装
相关申请的交叉引用
本申请要求2018年5月28日提交的韩国专利申请No.2018-0060494的优先权和权益，其公开内容通过引用的方式整体并入本文。
技术领域
本公开的示例性实施例涉及发光器件封装。
背景技术
包括诸如GaN、AlGaN等化合物的半导体器件具有许多优点，如宽且易调节的能带隙等，因此可以广泛用作发光器件、光接收器件、各种二极管等。
具体来说，随着薄膜生长技术和元件材料的发展，使用III-V或II-VI族化合物半导体的化合物半导体材料的诸如发光二极管(LED)或激光二极管等发光器件可以实现各种颜色的光，例如红光、绿光、蓝光和紫外线，也可以通过使用荧光材料或混合颜色来实现高效的白光；与诸如荧光灯、白炽灯等传统光源相比，这些发光器件还具有低功耗、半永久寿命、快速响应速度、安全和环保的优点。
另外，在诸如光检测器或太阳能电池等光接收器件使用III-V或II-VI族化合物半导体材料制作时，由于元件材料的发展，光接收元件吸收各种波长区的光，以产生光电流，从而可以使用从伽马射线到无线电波长区的各种波长区的光。此外，因为具有快速响应速度、安全、环保以及易于控制器件材料的优点，所以光器件也容易用于功率控制、微波电路或通信模块。
因此，半导体器件的应用已经扩展到了可以应用于：光通信装置的传输模块；LED背光，替代冷阴极荧光灯(CCFL)，其构成液晶显示(LCD)器件的背光；能够替代荧光灯或白炽灯的白色LED照明器件；车辆前灯；交通信号灯；检测气体或火灾的传感器，等等。此外，半导体器件的应用领域能够扩展到用于高频应用电路、其它功率控制器件和通信模块。
具体地，发出处于紫外波长范围的光的半导体器件通过执行固化和消毒而可以用于固化、医疗用途、消毒。
近来，已经积极进行了有关紫外发光器件封装的研究，但是存在的问题是，不能通过目视检查确定是否发出紫外光。另外，在单封装尺寸中对于芯片尺寸具有限制。
发明内容
本发明涉及一种能够通过目视检查确定是否发出紫外光的发光器件封装。
本发明还涉及一种发光器件封装，其能够在单尺寸封装(one size package)中利用较大尺寸的芯片来进行制造。
实施例要解决的问题不限于上述问题，还包括多个目的和效果，这些目的和效果可以通过下文描述的问题的解决方案和实施例来确定。
根据本发明的一个方面，提供了一种发光器件封装，包括：包括腔体的主体；设置在腔体的底面上的第一电极；多个第二电极，设置在腔体的底面上，配置为包围第一电极；设置在第一电极上的第一发光器件；第二发光器件，设置在多个第二电极中的一个上；以及设置在主体上的透光构件，其中腔体的底面可以包括第一边、第二边、第三边和第四边，第一边沿第一方向延伸，第二边配置为面向第一边并沿第一方向延伸，第三边配置为沿与第一方向垂直的第二方向延伸并与第一边和第二边相连，第四边配置为面向第三边、沿第二方向延伸、并与第一边和第二边相连；第一电极可以包括布置部和延伸部，布置部上设置有第一发光器件，延伸部配置为从布置部延伸到第三边；布置部可以包括第一倾斜表面、第二倾斜表面、第三倾斜表面、第四倾斜表面、第一拐角、第二拐角以及第三拐角，第二倾斜表面配置为面向第一倾斜表面，第三倾斜表面与第一倾斜表面和第二倾斜表面垂直，第四倾斜表面配置为面向第三倾斜表面，第一倾斜表面和第四倾斜表面在第一拐角相接，第二倾斜表面和第四倾斜表面在第二拐角相接，第二倾斜表面和第三倾斜表面在第三拐角相接；第一倾斜表面至第四倾斜表面中的每一个相对于第一边至第四边可以具有大于0度、小于90度的角度；多个第二电极可以通过第一拐角至第三拐角而分支。
第一发光器件发射的光可以具有处于紫外光波长范围内的峰值波长。
第二发光器件发射的光可以具有处于可见光波长范围内的峰值波长。
多个第二电极可以包括：第二-第一电极，配置为面向第一倾斜表面和延伸部，并延伸到第一边；第二-第二电极，配置为面向第四倾斜表面，并延伸到第一边和第四边；第二-第三电极，配置为面向第二倾斜表面，并延伸到第二边和第四边；以及第二-第四电极，配置为面向第三倾斜表面，并延伸到第二边和第三边。
第一拐角可以设置在第二-第一电极和第二-第二电极之间，与第一边间隔开；第二拐角可以设置在第二-第二电极和第二-第三电极之间，与第四边间隔开；第三拐角可以设置在第二-第三电极和第二-第四电极之间，与第二边间隔开。
第一拐角可以面向第一边的中心部，第二拐角可以面向第四边的中心部，第三拐角可以面向第二边的中心部。
发光器件封装还可以包括设置在延伸部上的保护元件。
主体可以包括：第一子层；第二子层，设置在第一子层上，并包括腔体的底面；以及第四子层，设置在第二子层上，并包括腔体的侧表面。
第一发光器件和第二发光器件可以设置在第二子层上。
主体可以包括设置在第二子层上的第三-第一子层，第一发光器件可以设置在第二子层上，第二发光器件可以设置在第三-第一子层上。
主体可以包括设置在第二子层上的第三-第二子层，第一发光器件可以设置在第三-第二子层上，第二发光器件可以设置在第二子层上。
主体可以包括第五子层，第五子层设置在第四子层上，并配置为构成台阶部，台阶部上设置有透光构件。
附图说明
通过参考附图详细描述示例性实施例，本发明的上述和其他目的、特征和优点对于本领域普通技术人员将变得更加明显，其中：
图1是根据本发明的示例性实施例的发光器件封装的透视图；
图2是图1的横截面图；
图3是图1的平面图；
图4是示出电极图案层的示意图；
图5是示出连接电极的示意图；
图6是示出第一电极焊盘和第二电极焊盘的示意图；
图7是示出电极图案层和一种结构的示意图，在这个结构中，连接电极电连接到电极焊盘；
图8是图1的第一发光器件的概念图；
图9是图3的变型示例；以及
图10和图11是图2的变型示例。
具体实施方式
示例性实施例可以以其他形式修改，或者各种实施例可以彼此组合，本发明的范围不限于下面描述的每个实施例。
虽然一个具体实施例中描述的内容在其他实施例中没有描述，但除非在其他实施例中另有说明或者只要其中不存在矛盾的说明，则该内容可以理解为是与其他实施例相关的。
例如，在具体实施例中描述了配置A的特征，而在另一个实施例中描述了配置B的特征时，即使没有明确描述配置A与配置B相结合的实施例，但除非在其他实施例中另有说明或者只要其中不存在矛盾的说明，则应当理解，配置A与配置B相结合的实施例也落入本发明的范围内。
在描述实施例时，在提到一个元件形成于另一个元件“上”或“下”时，词语“上”或“下”包括的含义为：两个组件彼此直接接触(直接)，或这两个组件之间设置形成有一个或多个其它组件(间接)。另外，在把一个元件描述为形成于另一个元件“上”或“下”时，这种描述包括的含义为：该元件沿另一个元件的向上方向形成以及该元件沿另一个元件的向下方向形成。
在下文，参考附图详细充分地描述本发明的示例性实施例，使得本发明所属领域技术人员可以容易实现它们。
图1是根据本发明的示例性实施例的发光器件封装的透视图，图2是图1的横截面图。
参见图1和图2，根据本发明的示例性实施例的发光器件封装可以包括主体10、第一发光器件20、第二发光器件30、保护元件40以及透光构件50。
主体10可以包括腔体11。
腔体11可以充有空气。然而，本发明不限于此，腔体11可以充有除空气之外的各种气体(例如，氮气)。
主体10可以由反射紫外光的材料制成。然而，本发明不限于此，而是腔体11的侧表面上可以形成反射紫外光的涂层(未示出)。
主体10可以包括第一子层110、设置于第一子层110上的第二子层120、设置于第二子层120上的第四子层140、以及设置于第四子层140上的第五子层150。
第一子层110和第二子层120可以是单独的层，但是本发明不一定局限于此，第一子层110和第二子层120可以是单个集成层。
第二子层120可以包括腔体11的底面。第四子层140可以包括腔体11的侧表面以及台阶部(stepped portion)13的底面。第五子层150可以包括台阶部13的侧表面。也就是说，第五子层150可以配置构成台阶部13，在台阶部13上，透光构件50设置于第四子层140上。然而，本发明不一定局限于此，而是可以省略第五子层150，从而可以不形成台阶部13。
多个子层110、120、140和150可以通过粘合剂(未示出)进行固定。
多个子层110、120、140和150可以由相同材料或不同材料制成。例如，多个子层110、120、140和150可以包括诸如AlN之类的陶瓷材料，但是本发明不一定局限于此。
从第一子层110的下表面到第二子层120的上表面的高度可以在0.22mm至0.38mm的范围内。第一子层110的厚度可以与第二子层120的厚度相等，但是本发明不一定局限于此。第四子层140的厚度可以在0.35mm至0.45mm的范围内。第五子层150的厚度可以在0.15mm至0.25mm的范围内。从第一子层110的下表面到第五子层150的上表面的高度可以在0.81mm至0.99mm的范围内。
第一发光器件20和第二发光器件30可以设置于第二子层120上。
第一发光器件20发射的光可以具有处于紫外光波长范围内的峰值波长。
例如，第一发光器件20发射的近紫外光(UV-A)可以具有处于320nm至420nm范围内的峰值波长。或者，第一发光器件20发射的远紫外光(UV-B)可以具有处于280nm至320nm范围内的峰值波长。又或者，第一发光器件20发射的深紫外光(UV-C)可以具有处于100nm至280nm范围内的峰值波长。
第二发光器件30发射的光可以具有处于可见光波长范围内的峰值波长。
例如，第二发光器件30可以发射红光。或者，第二发光器件30可以发射绿光。又或者，第二发光器件30可以发射蓝光。
第一发光器件20和第二发光器件30可以配置为同时发光。也就是说，在第一发光器件20发射紫外光时，第二发光器件30可以发射可见光。结果是，根据第二发光器件30是否发射可见光，通过目视检查可以确定第一发光器件20是否发射紫外光。
保护元件40可以设置于腔体11的底面上。例如，保护元件40可以包括齐纳二极管。
透光构件50可以设置于主体10上。透光构件50可以***到台阶部13中。透光构件50可以通过粘合剂(未示出)固定到主体10上。
没有特别限制透光构件50的材料，只要它可以把处于紫外光波长范围内的光透射过去即可。例如，透光构件50的材料可以包括诸如石英之类的光学材料，这种材料在紫外光波长范围内具有高透光率。
图3是图1的平面图。
参见图3，主体10的腔体11的底面可以包括第一边E1、第二边E2、第三边E3和第四边E4，第一边E1沿第一方向(X轴方向)延伸，第二边E2面向第一边E1并且沿第一方向(X轴方向)延伸，第三边E3沿与第一方向垂直的第二方向(Y轴方向)延伸，并与第一边E1和第二边E2相连，第四边E4面向沿第二方向(Y轴方向)延伸的第三边E3，并与第一边E1和第二边E2相连。边E1至边E4中的每一个可以表示一条线段，腔体11的底面与其侧表面在这条线段处相交。
第一电极210以及多个第二电极221、222、223和224可以设置于主体10的腔体11的底面上。
第一发光器件20可以设置于第一电极210上，第二发光器件30可以设置于多个第二电极221、222、223和224中的任何一个上。
第一电极210可以包括布置部211和延伸部213，布置部211上设置有第一发光器件20，延伸部213从布置部211延伸到第三边E3。保护元件40可以设置于延伸部213上。
布置部211可以包括第一倾斜表面B1、第二倾斜表面B2、第三倾斜表面B3、第四倾斜表面B4、第一拐角C1、第二拐角C2以及第三拐角C3，第二倾斜表面B2面向第一倾斜表面B1，第三倾斜表面B3与第一倾斜表面B1和第二倾斜表面B2垂直，第四倾斜表面B4面向第三倾斜表面B3，第一倾斜表面B1和第四倾斜表面B4在第一拐角C1相接，第二倾斜表面B2和第四倾斜表面B4在第二拐角C2相接，第二倾斜表面B2和第三倾斜表面B3在第三拐角C3相接。布置部211可以具有矩形形状，但是本发明不一定局限于此。延伸部213可以连接到第一倾斜表面B1和第三倾斜表面B3。
第一倾斜表面至第四倾斜表面B1、B2、B3和B4可以相对于第一边至第四边E1、E2、E3和E4具有大于0度或小于90度的角度。例如，第一倾斜表面B1的延长线与第一边E1之间的角度θ1可以大于30度或小于60度。第二倾斜表面B2的延长线与第二边E2之间的角度、第三倾斜表面B3的延长线与第三边E3之间的角度、以及第四倾斜表面B4的延长线与第四边E4之间的角度中的每一个可以等于第一倾斜表面B1的延长线与第一边E1之间的角度θ1，但是本发明不一定局限于此，这些角度每一个可以大于0度或小于90度，而且与第一倾斜表面B1的延长线和第一边E1之间的角度θ1不同。也就是说，布置部211可以设置成围绕主体10以预定角度旋转。结果是，布置部211的面积增加，从而单尺寸封装中的芯片安装面积可以增加。因此，可以安装大面积芯片。或者，可以增加待安装的芯片的数量。
第一拐角C1可以设置为与第一边E1间隔开，第二拐角C2可以设置为与第四边E4间隔开，第三拐角C3可以设置为与第二边E2间隔开。
第一拐角C1可以面向第一边E1的中心部，第二拐角C2可以面向第四边E4的中心部，第三拐角C3可以面向第二边E2的中心部。
多个第二电极221、222、223和224可以围绕第一电极210。也就是说，多个第二电极221、222、223和224可以设置为沿着第一电极210的第一倾斜表面至第四倾斜表面B1、B2、B3和B4围绕第一电极210。
多个第二电极221、222、223和224可以彼此间隔开。然而，本发明不限于此，多个第二电极221、222、223和224可以彼此连接。
多个第二电极221、222、223和224可以包括第二-第一电极221、第二-第二电极222、第二-第三电极223和第二-第四电极224。
第二-第一电极221可以设置为面向第一倾斜表面B1和延伸部213，并可以延伸到第一边E1。第二-第二电极222可以设置为面向第四倾斜表面B4，并可以延伸到第一边E1和第四边E4。第二-第三电极223可以设置为面向第二倾斜表面B2，并可以延伸到第二边E2和第四边E4。第二-第四电极224可以设置为面向第三倾斜表面B3，并可以延伸到第二边E2和第三边E3。
多个第二电极221、222、223和224可以通过第一拐角至第三拐角C1、C2和C3而分支(branch off)。例如，第一拐角C1可以设置在第二-第一电极221和第二-第二电极222之间，第二拐角C2可以设置在第二-第二电极222和第二-第三电极223之间，第三拐角C3可以设置在第二-第三电极223和第二-第四电极224之间。
第一发光器件20可以通过第一导线W1电连接到多个第二电极221、222、223和224中的任何一个。第二发光器件30可以通过第二导线W2电连接到第一电极210。保护元件40可以通过第三导线W3电连接到多个第二电极221、222、223和224中的任何一个。
图4是示出电极图案层的示意图。
参见图4，第一电极210和多个第二电极221、222、223和224可以设置于第二子层120的上表面120a上。
第二子层120可以包括面向彼此的第一侧表面S1和第二侧表面S2、面向彼此的第三侧表面S3和第四侧表面S4、将第一侧表面S1和第三侧表面S3相连的第一拐角区域V1、将侧表面S1与第四侧表面S4相连的第二拐角区域V2、将第二侧表面S2与第四侧表面S4相连的第三拐角区域V3、以及将第二侧表面S2与第三侧表面S3相连的第四拐角区域V4。
多个第二电极221、222、223和224每一个可以具有面向与之平行的布置部211的表面。在这种情况下，布置部211与多个第二电极221、222、223和224中的每一个之间的第一间隙d11可以在50μm至150μm的范围内。在第一间隙d11为50μm或更大时，可以确保电极之间的绝缘。或者，在第一间隙d11为150μm或更小时，可以减小封装尺寸。
第二-第一电极221和第二-第二电极222可以设置为与第一侧表面S1相邻。第二-第二电极222和第二-第三电极223可以设置为与第四侧表面S4相邻。第二-第三电极223和第二-第四电极224可以设置为与第二侧表面S2相邻。第二-第四电极224和延伸部213可以设置为与第三侧表面S3相邻。
第二-第二电极222和第二-第三电极223之间的第一间隔部d1的宽度以及第二-第三电极223和第二-第四电极224之间的第二间隔部d2的宽度可以随着布置部211的面积而变化。即，随着布置部211的面积增加，第一间隔部d1和第二间隔部d2的宽度可以增加。因此，布置部211的面积可以增加来安装大面积芯片，与此同时，第二-第一电极至第二-第四电极221、222、223和224的面积可以减小来保持封装尺寸。
第二-第二电极222和第二-第三电极223之间的第一间隔部d1可以设置在第二拐角C2和第四侧表面S4之间。第二-第三电极223和第二-第四电极224之间的第二间隔部d2可以设置在第三拐角C3和第二侧表面S2之间。第三间隔部d3可以设置在延伸部213和第二-第四电极224之间。第二-第一电极221和第二-第二电极222之间的第四间隔部d4可以设置在第一拐角C1和第一侧表面S1之间。
布置部211设置成围绕主体10沿顺时针或逆时针方向旋转，使得第二-第一电极至第二-第四电极221、222、223和224之间的第一间隔部至第四间隔部d1、d2、d3和d4的宽度可以增加，从而不与第一拐角至第三拐角C1、C2和C3接触。
第一间隔部d1和第二间隔部d2中的每一个的宽度可以在50μm至250μm的范围内。在宽度为50μm或更大时，布置部211的面积可以增加，从而可以安装大面积芯片。在宽度为250μm或更小时，可以确保第二-第一电极至第二-第四电极221、222、223和224的面积，这使得导线安装成为可能。
主体10可以包括第一分割区域A1、第二分割区域A2、第三分割区域A3和第四分割区域A4，这些分割区域由第一假想直线L1和第二假想直线L2来限定，第一假想直线L1穿过第一侧表面S1和第二侧表面S2的中心部，第二假想直线L2穿过第三侧表面S3和第四侧表面S4的中心部。
第一分割区域A1可以包括第一拐角区域V1。第二分割区域A2可以包括第二拐角区域V2。第三分割区域A3可以包括第三拐角区域V3。第四分割区域A4可以包括第四拐角区域V4。
延伸部213和第二-第一电极221可以设置于第一分割区域A1中。第二-第二电极222可以设置于第二分割区域A2中。第二-第三电极223可以设置于第三分割区域A3中。第二-第四电极224可以设置于第四分割区域A4中。
布置部211可以包括一个点，而第一假想直线L1和第二假想直线L2在这个点相交。布置部211可以设置在第一分割区域A1至第四分割区域A4上方。
图5是示出连接电极的示意图，图6是示出第一电极焊盘和第二电极焊盘的示意图，图7是示出电极图案层和一种结构的示意图，这个结构中，连接电极电连接到电极焊盘。
参见图5，第一连接电极241和第二连接电极242可以设置于第二子层120的下表面120b上。
也就是说，第一电极210以及多个第二电极221、222、223和224可以设置于第二子层120的上表面120a上，第一连接电极241和第二连接电极242可以设置于第二子层120的下表面120b上。
第一子层110可以通过第一连接电极241和第二连接电极242接合到第二子层120。这是因为，在第一子层110和第二子层120中的每一个由诸如AIN之类的绝缘材料制成时，把第一子层110直接接合到第二子层120可能是比较困难的。因此，第一连接电极241和第二连接电极242不仅可以用于将第一子层110电连接到第二子层120，而且也可以用作电连接路径。
参见图6，第一电极焊盘251、第二电极焊盘252和散热垫253可以设置于第一子层110的下表面上。
散热垫253可以设置在第一电极焊盘251和第二电极焊盘252之间。
散热垫253可以比第一电极焊盘251和第二电极焊盘252大，以用于散热，但是本发明不限于此。
参见图7，第一连接电极241可以将第一电极210电连接到第一电极焊盘251。在这种情况下，第一贯穿电极(未示出)可以设置于第一电极210的第一通孔210a、第一连接电极241的第二通孔241a以及第一电极焊盘251的第三通孔251a中，从而将第一电极210、第一连接电极241和第一电极焊盘251电连接。
第二连接电极242可以将第二-第一电极至第二-第四电极221、222、223和224电连接至第二电极焊盘252。例如，第二贯穿电极(未示出)可以设置于第二-第三电极223的第四通孔223a、第二连接电极242的第五通孔242a以及第二电极焊盘252的第六通孔252a中，从而将第二-第三电极223、第二连接电极242和第二电极焊盘252电连接。通过相同的方式，多个第二电极中的其余电极221、222和224可以电连接到第二电极焊盘252。即，第二连接电极242可以设置为与第二-第一电极至第二-第四电极221、222、223和224重叠。
第三贯穿电极260可以将第一子层110和第二子层120连接到散热垫253，从而提高散热性能。
散热垫253可以不直接连接到第一电极210，并可以传递在第一子层110和第二子层120中流动的热量。在散热垫253电连接到第一电极210时，散热垫253可能是极化的(polarized)。因此，在热传递和可靠性方面，这可能是不利的。
第一电极210、多个第二电极221、222、223和224、第一电极焊盘251、第二电极焊盘252和散热垫253每一个可以具有一种结构，在这个结构中，堆叠有多个金属层。例如，可以采用W/Ni/Pd/Au结构。在这种情况下，W的厚度可以在5μm至15μm的范围内，Ni的厚度可以在4μm至6μm的范围内，Pd的厚度可以在0.05μm至0.15μm的范围内，Au的厚度可以在0.4μm至0.6μm的范围内，但是本发明不限于此。由于把第一子层110与第二子层120接合是第一连接电极241和第二连接电极242的主要作用之一，因此第一连接电极241和第二连接电极242中的每一个可以形成为单个W层，其厚度在5μm至15μm的范围内。
图8是图1的第一发光器件的概念图。
参见图8，第一发光器件20可以包括发光结构420、第一电极442和465以及第二电极446和450，第一电极442和465电连接到发光结构420的第一导电类型半导体层424，而第二电极446和450电连接到发光结构420的第二导电类型半导体层427。
发光结构420可以包括第一导电类型半导体层424、第二导电类型半导体层427以及有源层426，有源层426设置在第一导电类型半导体层424和第二导电类型半导体层427之间。
第一导电类型半导体层424可以由III-V或II-VI族化合物半导体形成，并掺杂有第一导电掺杂剂。例如，第一导电类型半导体层424可以选自GaN、AlGaN、InGaN、InAlGaN等，其是成分式为Inx1Aly1Ga1-x1-y1N(0≤x1≤1，0≤y1≤1，0≤x1+y1≤1)的半导体材料。此外，第一掺杂剂可以是诸如Si、Ge、Sn、Se或Te之类的n型掺杂剂。在第一掺杂剂是n型掺杂剂时，掺杂有第一掺杂剂的第一导电类型半导体层424可以是n型半导体层。
有源层426设置在第一导电类型半导体层424和第二导电类型半导体层427之间。有源层426是这样一个层：其中通过第一导电类型半导体层424注入的电子(或空穴)和通过第二导电类型半导体层427注入的空穴(或电子)复合。由于电子和空穴复合，因而有源层426可以转变到低能级，并发射UV波长的光。
有源层426可以具有单阱结构、多阱结构、单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构或量子线结构中的任何一种，但是，有源层426的结构不限于此。
第二导电类型半导体层427可以形成于有源层426上，由III-V或II-VI族化合物半导体形成，并掺杂有第二掺杂剂。第二导电类型半导体层427可以由成分式为Inx5Aly2Ga1-x5-y2N(0≤x5≤1，0≤y2≤1，0≤x5+y2≤1)的半导体材料形成，或者由选自AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP的材料形成。在第二掺杂剂是诸如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba之类的p型掺杂剂时，掺杂有第二掺杂剂的第二导电类型半导体层427可以是p型半导体层。
发光结构420可以包括多个凹槽428。
多个凹槽428可以通过从第二导电类型半导体层427的下表面穿过有源层426，而设置在第一导电类型半导体层424的一部分中。第一绝缘层431可以设置在凹槽428中，从而将第一导电层465与第二导电类型半导体层427和有源层426电绝缘。
第一电极442和465可以包括第一接触电极442和第一导电层465。第一接触电极442可以设置在凹槽428的上表面上，从而电连接到第一导电类型半导体层424。
在发光结构420的铝成分增加时，发光结构420内部的电流分布特性可能劣化。此外，通过有源层426，横向表面(横磁(TM)模式)增加的发射光的量比GaN基蓝色发光器件增加的发射光的量要多。这种TM模式可能主要发生在紫外发光器件中。
紫外发光器件的电流分布特性比GaN基蓝色发光器件的电流分布特性低。因此，与GaN基蓝色发光器件相比，紫外发光器件中需要设置相对大量的第一接触电极442。
第二电极焊盘466可以设置在紫外发光器件的一侧的边缘处。
第一绝缘层431在第二电极焊盘466的下部部分开口，从而第二导电层450可以电连接到第二接触电极446。
钝化层480可以形成在发光结构420的上表面和侧表面上。钝化层480可以是与第二接触电极446相邻的区域，并可以与第二电极446下方的第一绝缘层431接触。
第一绝缘层431可以将第一接触电极442与有源层426和第二导电类型半导体层427电绝缘。此外，第一绝缘层431可以将第二导电层450与第一导电层465电绝缘。
第一绝缘层431可以由从以下各项构成的组中选择的至少一种材料形成：SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2、AlN等，但是本发明不一定局限于此。第一绝缘层431可以由单层或多层形成。例如，第一绝缘层431可以是分布式布拉格反射器(DBR)，其具有包含Si氧化物或Ti化合物的多层结构。然而，本发明不限于此，第一绝缘层431可以包括各种反射结构。
在第一绝缘层431执行反射光的功能时，从有源层426朝向其侧表面发射的光可以被向上反射，从而提高光提取效率。随着凹槽428的数量增加，紫外发光器件的光提取效率可以比发射蓝光的发光器件更为有效。
第二电极446和450可以包括第二接触电极446和第二导电层450。
第二接触电极446可以与第二导电类型半导体层427的下表面接触。第二接触电极446可以包括具有相对较低的紫外光吸收的导电氧化物电极。例如，导电氧化物电极可以是氧化铟锡(ITO)，但是本发明不一定局限于此。
第二导电层450可以将电流注入第二导电类型半导体层427。此外，第二导电层450可以反射从有源层426发射的光。
第二导电层450可以覆盖第二接触电极446。因此，第二电极焊盘466、第二导电层450以及第二接触电极446可以形成单个电气通道。
第二导电层450可以包围第二接触电极446，并可以与第一绝缘层431的侧表面和下表面接触。第二导电层450可以由与第一绝缘层131具有较高粘结强度的材料形成，也可以由从下列各项构成的组中选择的至少一种材料形成：Cr、Al、Ti、Ni、Au、及其合金，还可以形成为单个层或多个层。
在第二导电层450与第一绝缘层431的侧表面和下表面接触时，可以提高第二接触电极446的热可靠性和电可靠性。此外，第二导电层450可以具有反射功能，用以沿向上方向反射第一绝缘层431与第二接触电极446之间发射的光。
第二绝缘层432可以将第二导电层450与第一导电层465电绝缘。第一导电层465可以通过穿过第二绝缘层432而电连接到第一接触电极442。
第一导电层465和接合层460可以沿着发光结构420的下表面和凹槽428的形貌(topography)设置。第一导电层465可以由反射率高的材料形成。例如，第一导电层465可以包含铝。在第一导电层465包含Al时，第一导电层465用于沿向上方向反射从有源层426发射的光，从而可以提高光提取效率。
接合层460可以包含导电材料。例如，接合层460可以包含一种材料，其选自由下列各项构成的组：金、锡、铟、铝、硅、银、镍和铜Cu、或其合金。
导电衬底470可以由导电材料制成，从而将电流注入第一导电类型半导体层424。例如，导电衬底470可以包含金属或半导体材料。导电衬底470可以是高导电性和/或高热传导性的金属。在这种情况下，在半导体器件的工作期间产生的热量可以快速传递到外部。
导电衬底470可以包含一种材料，其选自由下列各项构成的组：硅、钼、钨、铜和铝、或其合金。
不规则部可以形成于发光结构420的上表面。不规则部可以提高从发光结构420发射的光的提取效率。不规则部可以根据UV波长而具有不同的平均高度，在UV-C的情况下，在每个不规则部的高度处于300nm至800nm的范围内，且每个的平均高度处于500nm至600nm的范围内时，可以提高光提取效率。
尽管已将第一发光器件20描述为具有垂直结构，但是本发明不一定局限于此，第一发光器件20可以具有倒装芯片结构或水平结构。类似地，第二发光器件30和保护元件40每一个可以具有倒装芯片结构、垂直结构或水平结构。
图9是图3的变型实施例。
参见图9，第二发光器件30可以通过第一导线W1电连接到第一发光器件20。也就是说，第一发光器件20和第二发光器件30可以通过芯片到芯片的方式连接。或者，第二发光器件30可以经由第三导线W3电连接到保护元件40。
图10和图11是图2的变型示例。
参见图10，主体10可以包括多个子层110、120、130a、140和150。
多个子层110、120、130a、140和150可以包括第一子层110、设置于第一子层110上的第二子层120、设置于第二子层120上的第三-第一子层130a、设置于第三-第一子层130a上的第四子层140、以及设置于第四子层140上的第五子层150。
第二子层120和第三-第一子层130a可以包括腔体11的底面。
多个子层110、120、130a、140和150可以通过粘合剂(未示出)固定。多个子层110、120、130a、140和150可以由相同材料或不同材料制成。例如，多个子层110、120、130a、140和150可以包括诸如AlN之类的陶瓷材料，但是本发明不一定局限于此。
第一发光器件20可以设置于第二子层120上，第二发光器件30可以设置于第三-第一子层130a上。结果是，防止从第一发光器件20发射的光由第二发光器件30吸收，从而可以提高光提取效率。例如，参见图2和图10，第一电极210和第二-第一电极221可以设置于第二子层120上，第二-第二电极222、第二-第三电极223和第二-第四电极224可以设置于第三-第一子层130a上。
参见图11，主体10可以包括多个子层110、120、130b、140和150。
多个子层110、120、130b、140和150可以包括第一子层110、设置于第一子层110上的第二子层120、设置于第二子层120上的第三-第二子层130b、设置于第三-第二子层130b上的第四子层140、以及设置于第四子层140上的第五子层150。
第二子层120和第三-第二子层130b可以包括腔体11的底面。
多个子层110、120、130b、140和150可以通过粘合剂(未示出)固定。多个子层110、130b、120、140、150可以是相同的材料，或者可以是不同的材料。例如，多个子层110、120、130b、140和150可以包含诸如AIN之类的陶瓷材料，但是本发明不一定局限于此。
第一发光器件20可以设置在第三-第二子层130b上，第二发光器件30可以设置在第二子层120上。结果是，防止从第一发光器件20发射的光被第二发光器件30吸收，从而可以提高光提取效率。例如，参见图2和图11，第一电极210和第二-第一电极221可以设置在第三-第二子层130b上，第二-第二电极222、第二-第三电极223和第二-第四电极224可以设置在第二子层120上。
参见图10和图11，从第一子层110的下表面到第二子层120的上表面的高度可以在0.22mm至0.38mm的范围内。第一子层110的厚度可以与第二子层120的厚度相等，但是本发明不一定局限于此。第三-第一子层130a或第三-第二子层130b的厚度可以在0.15mm至0.25mm的范围内。第四子层140的厚度可以在0.35mm至0.45mm的范围内。第五子层150的厚度可以在0.15mm至0.25mm的范围内。从第一子层110的下表面到第五子层150的上表面的高度可以在0.99mm至1.21mm的范围内。
根据本发明的示例性实施例，通过目视检查根据是否从第二发光器件发射可见光，能够确定是否从第一发光器件发射紫外光。
此外，第一发光器件可以设置为相对于腔体的底面的边而倾斜，从而制造的芯片尺寸在单尺寸封装中能够增加。
本发明的各种有益优点和效果不限于以上描述，通过描述本发明的详细实施例容易理解这些优点和效果。
虽然已经参考示例性实施例主要描述了本发明，但是应该理解，本发明不限于公开的示例性实施例，而是在不脱离本发明的主旨的情况下，本发明所属技术领域的技术人员可以设计出各种修改和应用。例如，可以修改和实现示例性实施例中具体示出的每个组件。应该理解，与这些修改和应用相关的差异将落入由所附权利要求限定的本发明的范围内。

Claims (10)

1.一种发光器件封装，包括：
包括腔体的主体；
设置在所述腔体的底面上的第一电极；
多个第二电极，设置在所述腔体的底面上，并配置为包围所述第一电极；
设置在所述第一电极上的第一发光器件；
第二发光器件，设置在所述多个第二电极中的一个上；以及
设置在所述主体上的透光构件，
其中，所述腔体的底面包括第一边、第二边、第三边和第四边，所述第一边沿第一方向延伸，所述第二边配置为面向所述第一边并沿所述第一方向延伸，所述第三边配置为沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸并与所述第一边和第二边相连，所述第四边配置为面向所述第三边、沿所述第二方向延伸并与所述第一边和第二边相连，
所述第一电极包括布置部和延伸部，所述布置部上设置有所述第一发光器件，所述延伸部配置为从所述布置部延伸到所述第三边，
所述布置部包括第一倾斜表面、第二倾斜表面、第三倾斜表面、第四倾斜表面、第一拐角、第二拐角以及第三拐角，所述第二倾斜表面配置为面向所述第一倾斜表面，所述第三倾斜表面与所述第一倾斜表面和第二倾斜表面垂直，所述第四倾斜表面配置为面向所述第三倾斜表面，所述第一倾斜表面和所述第四倾斜表面在所述第一拐角相接，所述第二倾斜表面和所述第四倾斜表面在所述第二拐角相接，所述第二倾斜表面和所述第三倾斜表面在所述第三拐角相接，
所述第一倾斜表面至第四倾斜表面中的每一个相对于所述第一边至第四边具有大于0度或小于90度的角度，以及
所述多个第二电极通过所述第一拐角至第三拐角而分支。
2.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述第一发光器件发射的光具有处于紫外光波长范围内的峰值波长。
3.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述第二发光器件发射的光具有处于可见光波长范围内的峰值波长。
4.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述多个第二电极包括：
第二-第一电极，配置为面向所述第一倾斜表面和所述延伸部，并延伸到所述第一边；
第二-第二电极，配置为面向所述第四倾斜表面，并延伸到所述第一边和第四边；
第二-第三电极，配置为面向所述第二倾斜表面，并延伸到所述第二边和第四边；以及
第二-第四电极，配置为面向所述第三倾斜表面，并延伸到所述第二边和第三边。
5.根据权利要求4所述的发光器件封装，其中：
所述第一拐角设置在所述第二-第一电极和所述第二-第二电极之间，与所述第一边间隔开；
所述第二拐角设置在所述第二-第二电极和所述第二-第三电极之间，与所述第四边间隔开；以及
所述第三拐角设置在所述第二-第三电极和所述第二-第四电极之间，与所述第二边间隔开。
6.根据权利要求1所述的发光器件封装，还包括：
设置在所述延伸部上的保护元件。
7.根据权利要求4所述的发光器件封装，其中所述主体包括：
第一子层；
第二子层，设置在所述第一子层上，并包括所述腔体的底面；以及
第四子层，设置在所述第二子层上，并包括所述腔体的侧表面。
8.根据权利要求7所述的发光器件封装，其中所述第一发光器件和第二发光器件设置在所述第二子层上。
9.根据权利要求7所述的发光器件封装，其中：
所述主体包括设置在所述第二子层上的第三-第一子层；
所述第一发光器件设置在所述第二子层上；以及
所述第二发光器件设置在所述第三-第一子层上。
10.根据权利要求7所述的发光器件封装，其中：
所述主体包括设置在所述第二子层上的第三-第二子层；
所述第一发光器件设置在所述第三-第二子层上；以及
所述第二发光器件设置在所述第二子层上。
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