CN110491326A - 像素电路、显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本揭示提供一种像素电路、显示面板及显示装置。所述像素电路，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一电容、第二电容和发光元件；所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接第一节点，源极接入工作电压，漏极电性连接第二节点；所述第二薄膜晶体管的栅极接入第一控制信号，源极接入数据信号，漏极电性连接所述第一节点；所述第一电容的第一端电性连接所述第一节点，第二端电性连接所述第二节点；所述第二电容的第一端电性接入馈通补偿信号，第二端电性连接所述第一节点；其中，所述馈通补偿信号与所述第一控制信号的相位相同，方向相反，从而实现显示面板不同位置像素电路的馈通自调节补偿，解决现有显示面板及显示装置显示不均匀的问题。

Description

像素电路、显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素电路、显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的不断发展，面板显示的要求也越来越高，而面板的均一性是面板优劣的重要指标，高质量的面板需要有很好的面板显示均一性。传统的显示面板的像素驱动电路通常为2T1C的结构，即两个薄膜晶体管(Thin Film Transistor)加上一个电容的结构，将电压转变为电流。但由于像素电路中的TFT存在寄生电容，当栅极关断时，寄生电容会对驱动TFT的栅极有下拉作用，驱动TFT的栅极端电荷会流向寄生电容，使得驱动TFT的电压与写入时有差异，栅极线自身在横向存在电容和电阻，会产生信号颜值，不同的信号延迟会使得时钟馈通(Feedthrough)的效果不一致，导致面板在横向会有显示差异，从而造成显示面板及显示装置显示不均匀的现象。
如图1所示，图1为现有显示面板不同位置的驱动TFT栅极的电压变化图，曲线L1反映了如图2所示的面板100左下角A部分的像素电路110栅极电压变化，曲线L2反映了面板100右下角B部分的像素电路110栅极电压变化，在面板右下角A部分和右下角B部分的像素电路驱动TFT栅极电压信号由于Feedthrough效应影响均有如图中虚线圆圈内所示不同程度的电压下降的过程。
综上所述，现有像素电路存在馈通效应导致显示面板及显示装置显示不均匀的问题。故，有必要提供一种像素电路、显示面板及显示装置来改善这一缺陷。
发明内容
本揭示实施例提供一种像素电路、显示面板及显示装置，用于解决现有显示面板及显示装置显示不均匀的问题。
本揭示实施例提供一种像素电路，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一电容、第二电容和发光元件；
所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接第一节点，所述第一薄膜晶体管的源极接入工作电压，所述第一薄膜晶体管的漏极电性连接第二节点；
所述第二薄膜晶体管的栅极接入第一控制信号，所述第二薄膜晶体管的源极接入数据信号，所述第二薄膜晶体管的漏极电性连接所述第一节点；
所述第一电容的第一端电性连接所述第一节点，所述第一电容的第二端电性连接所述第二节点；
所述第二电容的第一端电性接入馈通补偿信号，所述第二电容的第二端电性连接所述第一节点；
其中，所述馈通补偿信号与所述第一控制信号的相位相同，方向相反。
根据本揭示一实施例，所述像素电路包括数据写入阶段和发光阶段，在所述数据写入阶段，所述第一控制信号为高电位，所述馈通补偿信号为低电位；在所述发光阶段，所述第一控制信号为低电位，所述馈通补偿信号为高电位。
根据本揭示一实施例，根据所述第二薄膜晶体管的寄生电容的电容值Cgs以及所述第一控制信号的电压值V1确定所述馈通补偿信号的电压值V2和所述第二电容的电容值C2，其中
Cgs*V1＝V2*C2。
根据本揭示一实施例，所述第一控制信号的电压值V1范围为-6V至24V。
根据本揭示一实施例，所述发光元件为有机发光二极管，所述发光元件的阳极电性连接所述第二节点，所述发光元件的阴极连接公共接地电压。
根据本揭示一实施例，所述像素电路还包括第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的栅极接入第二控制信号，所述第三薄膜晶体管的源极接入检测补偿信号，所述第三薄膜晶体管的漏极电性连接所述第二节点。
本揭示实施例还提供一种显示面板，包括至少一个像素电路，每个所述像素电路均包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一电容、第二电容和发光元件；
所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接第一节点，所述第一薄膜晶体管的源极接入工作电压，所述第一薄膜晶体管的漏极电性连接第二节点；
所述第二薄膜晶体管的栅极接入第一控制信号，所述第二薄膜晶体管的源极接入数据信号，所述第二薄膜晶体管的漏极电性连接所述第一节点；
所述第一电容的第一端电性连接所述第一节点，所述第一电容的第二端电性连接所述第二节点；
所述第二电容的第一端电性接入馈通补偿信号，所述第二电容的第二端电性连接所述第一节点；
其中，所述馈通补偿信号与所述第一控制信号的相位相同，方向相反。
根据本揭示一实施例，所述像素电路包括数据写入阶段和发光阶段，在所述数据写入阶段，所述第一控制信号为高电平，所述馈通补偿信号为低电平；在所述发光阶段，所述第一控制信号为低电平，所述馈通补偿信号为高电平。
根据本揭示一实施例，根据所述第二薄膜晶体管的寄生电容的电容值Cgs以及所述第一控制信号的电压值V1确定所述馈通补偿信号的电压值V2和所述第二电容的电容值C2，其中
Cgs*V1＝V2*C2。
本揭示实施例还提供一种显示装置，包括如上述的显示面板。
本揭示实施例的有益效果：本揭示实施例通过在第一薄膜晶体管的栅极连接第二电容，并在第二电容的第二端接入一个与第一控制信号相位相同、方向相反的馈通补偿信号，通过所述第二电容对第二薄膜晶体管的寄生电容造成的压降进行补偿，防止第一薄膜晶体管栅极电压点位变化，因为馈通补偿信号的电压点位也会由于馈通补偿信号横向走线的差别产生阻容延迟，从而补偿到对应位置第一控制信号的阻容延迟，以此实现显示面板不同位置像素电路的馈通自调节补偿，解决现有显示面板及显示装置显示不均匀的问题。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是揭示的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有显示面板不同位置的驱动TFT栅极的电压变化图；
图2为显示面板像素电路示意图；
图3为本揭示实施例提供的像素电路的电路图；
图4为本揭示实施例提供的像素电路的时序图；
图5为本揭示实施例提供的显示面板不同位置的驱动TFT栅极的电压变化图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本揭示可用以实施的特定实施例。本揭示所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本揭示，而非用以限制本揭示。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
下面结合附图和具体实施例对本揭示做进一步的说明：
实施例一：
本揭示实施例提供一种像素电路，下面结合图2至图4进行详细说明。
如图3所示，图3为本揭示实施例提供的像素电路的电路图，所述像素电路包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第一电容C、第二电容Cf和发光元件110。
其中，所述第一薄膜晶体管T1的栅极电性连接第一节点A，所述第一薄膜晶体管T1的源极接入工作电压VDD，所述第一薄膜晶体管T1的漏极电性连接第二节点B；所述第二薄膜晶体管T2的栅极接入第一控制信号WR，所述第二薄膜晶体管T2的源极接入数据电压VData，所述第二薄膜晶体管T2的漏极电性连接所述第一节点A；所述第一电容C的第一端电性连接所述第一节点A，所述第一电容C的第二端电性连接所述第二节点B；所述第二电容Cf的第一端电性接入馈通补偿信号Vf，所述第二电容CF的第二端电性连接所述第一节点A。
在本实施例中，所述馈通补偿信号Vf与所述第一控制信号WR的相位相同，方向相反。如图4所示，图4为本揭示实施例提供的像素电路的时序图。所述像素电路包括数据写入阶段S1和发光阶段S2，数据写入阶段S1和发光阶段S2共同构成一个帧。
在所述数据写入阶段S1，所述第一控制信号WR为高电平，所述馈通补偿信号VF为低电平，第二薄膜晶体管T2导通，数据信号VData为高电平，所述数据信号VData经过导通的第二薄膜晶体管T2进入第一薄膜晶体管T1的栅极，此时第一薄膜晶体管T1栅极的电压与所述数据信号VData的电压相等，此时所述馈通补偿信号Vf为低电平。
在发光阶段S2，所述第一控制信号WR和所述数据信号VData均切换至低电平，第二薄膜晶体管T2截止，第一薄膜晶体管T1导通，此时所述馈通补偿信号切换至为高电平，所述馈通补偿信号的电压大于所述第一控制信号的电压，即所述馈通补偿信号的电压同样大于第一薄膜晶体管T1栅极的电压，从而对寄生电容在第一薄膜晶体管T1的栅极产生的压降进行补偿，使得第一薄膜晶体管T1栅极的电压的点位保持不变。
在本实施例中，根据所述第二薄膜晶体管T2的寄生电容的电容值Cgs以及所述第一控制信号WR的电压值V1确定所述馈通补偿信号的电压值V2和所述第二电容的电容值C2：
Cgs*V1＝V2*C2，在一些实施例中，也可以根据馈通补偿信号Vf和第二电容Cf的实际情况通过其他算法计算。
具体地，所述第一控制信号的电压值V1范围为-6V至24V，所述寄生电容的大小一般为15Ff，所述第二电容Cf在实际使用中通常选用30Ff,则所述馈通补偿信号电压可以为+2V至-8V。
在本实施例中，所述发光元件110为有机发光二极管，所述发光元件111的阳极电性连接所述第二节点B，所述发光元件111的阴极连接公共接地电压VSS。在一些实施例中，所述发光元件111也可以是无机发光二极管。
在本实施例中，所述像素电路还包括第三薄膜晶体管T3，所述第三薄膜晶体管T3的栅极接入第二控制信号RD，所述第三薄膜晶体管T3的源极接入检测补偿信号112，所述第三薄膜晶体管T3的漏极电性连接所述第二节点B。所述检测补偿信号112通过检测第一薄膜晶体管T1的阈值电压，以对第一薄膜晶体管T1的阈值电压进行补偿，从而保证发光元件111亮度的均匀性。
实施例二：
本揭示提供一种显示面板，下面结合图2至图5进行详细说明。图2为本揭示实施例提供的显示面板100的像素电路示意图，图3为本揭示实施例提供的像素电路的电路图。所述显示面板100包括至少一个像素电路110，每个所述像素电路110均包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第一电容C、第二电容Cf和发光元件110。
其中，所述第一薄膜晶体管T1的栅极电性连接第一节点A，第一薄膜晶体管T1的源极接入工作电压VDD，第一薄膜晶体管T1的漏极电性连接第二节点B；所述第二薄膜晶体管T2的栅极接入第一控制信号WR，所述第二薄膜晶体管T2的源极接入数据电压VData，所述第二薄膜晶体管T2的漏极电性连接所述第一节点A；所述第一电容C的第一端电性连接所述第一节点A，所述第一电容C的第二端电性连接所述第二节点B；所述第二电容Cf的第一端电性接入馈通补偿信号Vf，所述第二电容Cf的第二端电性连接所述第一节点A。
在本实施例中，所述馈通补偿信号Vf与所述第一控制信号WR的相位相同，方向相反。如图4所示，图4为本揭示实施例提供的像素电路的时序图。所述像素电路包括数据写入阶段S1和发光阶段S2，数据写入阶段S1和发光阶段S2共同构成一个帧。
在所述数据写入阶段S1，所述第一控制信号WR为高电平，所述馈通补偿信号VF为低电平，第二薄膜晶体管T2导通，数据信号VData为高电平，所述数据信号VData经过导通的第二薄膜晶体管T2进入第一薄膜晶体管T1的栅极，此时第一薄膜晶体管T1栅极的电压与所述数据信号VData的电压相等，此时所述馈通补偿信号Vf为低电平。
在发光阶段S2，所述第一控制信号WR和所述数据信号VData均切换至低电平，第二薄膜晶体管T2截止，第一薄膜晶体管T1导通，此时所述馈通补偿信号Vf切换至为高电平，所述馈通补偿信号Vf的电压大于所述第一控制信号WR的电压，即所述馈通补偿信号Vf的电压同样大于第一薄膜晶体管T1栅极的电压，从而对寄生电容在第一薄膜晶体管T1的栅极产生的压降进行补偿，使得第一薄膜晶体管T1栅极的电压的点位保持不变。
在本实施例中，根据所述第二薄膜晶体管T2的寄生电容的电容值Cgs以及所述第一控制信号WR的电压值V1确定所述馈通补偿信号的电压值V2和所述第二电容的电容值C2：
Cgs*V1＝V2*C2，在一些实施例中，也可以根据馈通补偿信号Vf和第二电容Cf的实际情况通过其他算法计算。
具体地，所述第一控制信号的电压值V1范围为-6V至24V，所述寄生电容的大小一般为15Ff，所述第二电容Cf在实际使用中通常选用30Ff,则所述馈通补偿信号电压可以为+2V至-8V。
在本实施例中，所述发光元件110为有机发光二极管，所述发光元件111的阳极电性连接所述第二节点B，所述发光元件111的阴极连接公共接地电压VSS。在一些实施例中，所述发光元件111也可以是无机发光二极管。
在本实施例中，所述像素电路还包括第三薄膜晶体管T3，所述第三薄膜晶体管T3的栅极接入第二控制信号RD，所述第三薄膜晶体管T3的源极接入检测补偿信号112，所述第三薄膜晶体管T3的漏极电性连接所述第二节点B。所述检测补偿信号112通过检测第一薄膜晶体管T1的阈值电压，以对第一薄膜晶体管T1的阈值电压进行补偿，从而保证发光元件111亮度的均匀性。
如图5所示，图5为本揭示实施例提供的显示面板不同位置的驱动TFT栅极的电压变化图。其中，曲线L3反映了如图2所示的面板100左下角A部分的像素电路110栅极电压变化，曲线L4反映了面板100右下角B部分的像素电路110栅极电压变化。由图可知，当采用如上述实施例所述像素电路以及显示面板后，在数据写入阶段S1切换至发光阶段S2时，第一薄膜晶体管T1栅极的电压点位保持稳定上升，并没有出现电压下降。
本揭示实施例通过在第一薄膜晶体管T1的栅极连接第二电容Cf，并在第二电容Cf的第二端接入一个与第一控制信号WR相位相同、方向相反的馈通补偿信号Vf，通过所述第二电容Cf对第二薄膜晶体管T2的寄生电容造成的压降进行补偿，防止第一薄膜晶体管T1栅极电压点位变化，因为馈通补偿信号Vf的电压点位也会由于馈通补偿信号Vf横向走线的差别产生阻容延迟，从而补偿到对应位置第一控制信号WR的阻容延迟，以此实现显示面板100不同位置像素电路110的馈通自调节补偿，解决现有显示面板及显示装置显示不均匀的问题。
本揭示实施例提供一种显示装置，包括如上述实施例提供的显示面板，且所述显示装置能够实现如上述显示面板相同的技术效果，此处不再赘述。
综上所述，虽然本揭示以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本揭示，本领域的普通技术人员，在不脱离本揭示的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本揭示的保护范围以权利要求界定的范围为基准。

Claims (10)

1.一种像素电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一电容、第二电容和发光元件；
所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接第一节点，所述第一薄膜晶体管的源极接入工作电压，所述第一薄膜晶体管的漏极电性连接第二节点；
所述第二薄膜晶体管的栅极接入第一控制信号，所述第二薄膜晶体管的源极接入数据信号，所述第二薄膜晶体管的漏极电性连接所述第一节点；
所述第一电容的第一端电性连接所述第一节点，所述第一电容的第二端电性连接所述第二节点；
所述第二电容的第一端电性接入馈通补偿信号，所述第二电容的第二端电性连接所述第一节点；
其中，所述馈通补偿信号与所述第一控制信号的相位相同，方向相反。
2.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述像素电路包括数据写入阶段和发光阶段，在所述数据写入阶段，所述第一控制信号为高电位，所述馈通补偿信号为低电位；在所述发光阶段，所述第一控制信号为低电位，所述馈通补偿信号为高电位。
3.如权利要求2所述的像素电路，其特征在于，根据所述第二薄膜晶体管的寄生电容的电容值Cgs以及所述第一控制信号的电压值V1确定所述馈通补偿信号的电压值V2和所述第二电容的电容值C2，其中
Cgs*V1＝V2*C2。
4.如权利要求3所述的像素电路，其特征在于，所述第一控制信号的电压值V1范围为-6V至24V。
5.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述发光元件为有机发光二极管，所述发光元件的阳极电性连接所述第二节点，所述发光元件的阴极连接公共接地电压。
6.如权利要求5所述的像素电路，其特征在于，所述像素电路还包括第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的栅极接入第二控制信号，所述第三薄膜晶体管的源极接入检测补偿信号，所述第三薄膜晶体管的漏极电性连接所述第二节点。
7.一种显示面板，其特征在于，包括至少一个像素电路，每个所述像素电路均包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一电容和第二电容；
所述第一薄膜晶体管的栅极电性连接第一节点，所述第一薄膜晶体管的源极接入工作电压，所述第一薄膜晶体管的漏极电性连接第二节点；
所述第二薄膜晶体管的栅极接入第一控制信号，所述第二薄膜晶体管的源极接入数据信号，所述第二薄膜晶体管的漏极电性连接所述第一节点；
所述第一电容的第一端电性连接所述第一节点，所述第一电容的第二端电性连接所述第二节点；
所述第二电容的第一端电性接入馈通补偿信号，所述第二电容的第二端电性连接所述第一节点。
其中，所述馈通补偿信号与所述第一控制信号的相位相同，方向相反。
8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路包括数据写入阶段和发光阶段，在所述数据写入阶段，所述第一控制信号为高电平，所述馈通补偿信号为低电平；在所述发光阶段，所述第一控制信号为低电平，所述馈通补偿信号为高电平。
9.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，根据所述第二薄膜晶体管的寄生电容的电容值Cgs以及所述第一控制信号的电压值V1确定所述馈通补偿信号的电压值V2和所述第二电容的电容值C2，其中
Cgs*V1＝V2*C2。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求7至9中任一项所述的显示面板。
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