KR102457583B1 - 표시 장치 및 그것의 제조 방법 - Google Patents

표시 장치 및 그것의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102457583B1
KR102457583B1 KR1020170177457A KR20170177457A KR102457583B1 KR 102457583 B1 KR102457583 B1 KR 102457583B1 KR 1020170177457 A KR1020170177457 A KR 1020170177457A KR 20170177457 A KR20170177457 A KR 20170177457A KR 102457583 B1 KR102457583 B1 KR 102457583B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
encapsulation layer
display area
dam
disposed
dam member
Prior art date
Application number
KR1020170177457A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190076093A (ko
Inventor
박명진
김영지
최영서
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020170177457A priority Critical patent/KR102457583B1/ko
Priority to US16/139,366 priority patent/US10916603B2/en
Priority to CN201811552220.XA priority patent/CN110034239B/zh
Publication of KR20190076093A publication Critical patent/KR20190076093A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102457583B1 publication Critical patent/KR102457583B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H01L51/5237—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3266—Details of drivers for scan electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3275—Details of drivers for data electrodes
    • G09G3/3291—Details of drivers for data electrodes in which the data driver supplies a variable data voltage for setting the current through, or the voltage across, the light-emitting elements
    • H01L27/3211—
    • H01L51/56—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/08—Details of timing specific for flat panels, other than clock recovery
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

표시 장치는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 표시 영역의 상기 기판 상에 배치된 복수 개의 화소들, 상기 비표시 영역의 상기 기판 상에 배치되어 상기 표시 영역을 둘러싸는 복수 개의 댐 부재들, 상기 화소들 및 상기 댐 부재들을 덮도록 상기 기판 상에 배치된 제1 봉지층, 상기 댐 부재들 중 상기 표시 영역에 인접한 댐 부재에 의해 정의된 영역에서 상기 제1 봉지층 상에 배치된 제2 봉지층, 및 상기 제2 봉지층 상에 배치된 제3 봉지층을 포함하고, 상기 제2 봉지층의 상면의 표면 거칠기는 상기 제1 봉지층의 상면의 표면 거칠기보다 크다.

Description

표시 장치 및 그것의 제조 방법{DISPLAY APPARATUS AND FABRICATION METHOD THEREOF}
본 발명은 표시 장치 및 그것의 제조 방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는 박막 봉지층을 포함하는 표시 장치 및 그것의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치들 중 유기 발광 표시장치는 전자와 정공의 재결합에 의해 광을 발생하는 유기 발광 소자를 이용하여 영상을 표시한다. 유기 발광 표시장치는 액정표시장치와 달리 별도의 광원부를 요구하지 않고 우수한 휘도 특성 및 시야각 특성을 갖는다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 응답 속도가 빠르고 소비 전력이 낮은 장점을 갖는다.
유기 발광 표시 장치의 제조시, 기판 상에 발광 소자들을 각각 포함하는 복수 개의 화소들이 형성된 후, 화소들을 덮도록 기판 상에 박막 봉지층이 제공된다. 박막 봉지층은 무기 절연층 및 유기 절연층을 포함할 수 있다. 유기 절연층을 형성하기 위해 기판 상에 유동성을 갖는 유기 물질이 제공되고, 유기 물질이 경화되어 유기 절연층이 형성된다. 기판 상에 유기 물질이 제공될 때 유동성을 갖는 유기 물질이 원하지 않는 영역으로 흐르거나, 기판을 넘칠 수 있다.
본 발명의 목적은 박막 봉지층을 형성하기 위한 유기 물질을 원하는 영역에 배치하여 유기 물질이 기판을 넘치지 않도록 제어할 수 있는 표시 장치 및 그것의 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 표시 영역의 상기 기판 상에 배치된 복수 개의 화소들, 상기 비표시 영역의 상기 기판 상에 배치되어 상기 표시 영역을 둘러싸는 복수 개의 댐 부재들, 상기 화소들 및 상기 댐 부재들을 덮도록 상기 기판 상에 배치된 제1 봉지층, 상기 댐 부재들 중 상기 표시 영역에 인접한 댐 부재에 의해 정의된 영역에서 상기 제1 봉지층 상에 배치된 제2 봉지층, 및 상기 제2 봉지층 상에 배치된 제3 봉지층을 포함하고, 상기 제2 봉지층의 상면의 표면 거칠기는 상기 제1 봉지층의 상면의 표면 거칠기보다 크다.
상기 제2 봉지층의 두께는 상기 제1 봉지층의 두께보다 작다.
상기 제2 봉지층의 두께는 200 내지 500 옹스트롱이다.
상기 제2 봉지층의 상기 표면 거칠기는 8.4 nm 내지 35 nm 이고, 상기 제1 봉지층의 상기 표면 거칠기 0.9nm 내지 2nm 이다.
본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 기판을 준비하는 단계, 상기 표시 영역의 상기 기판 상에 복수 개의 화소들을 제공하는 단계, 상기 표시 영역을 둘러싸도록 상기 비표시 영역의 상기 기판 상에 복수 개의 댐 부재들을 제공하는 단계, 상기 화소들 및 상기 댐 부재들을 덮도록 상기 기판 상에 제1 봉지층을 제공하는 단계, 상기 댐 부재들 중 상기 표시 영역에 인접한 댐 부재에 의해 정의된 영역에서 상기 제1 봉지층 상에 제2 봉지층을 제공하는 단계, 및 상기 제2 봉지층 상에 제3 봉지층을 제공하는 단계를 포함하고, 상기 제2 봉지층의 상면의 표면 거칠기는 상기 제1 봉지층의 상면의 표면 거칠기보다 크다.
본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치 및 그것의 제조 방법은 제1 봉지층 상에 유기 물질과 친화도가 높은 제2 봉지층을 배치하고, 제3 봉지층을 형성하기 위한 유기 물질을 제2 봉지층 상에 배치함으로서, 제3 봉지층을 형성하기 위한 유기 물질을 원하는 영역에 배치하여 유기 물질이 기판을 넘치지 않도록 제어할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 화소의 등가 회로도이다.
도 3은 도 2에 도시된 화소의 단면 구성을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4는 도 1에 도시된 I-I'선의 단면도이다.
도 5는 도 4에 도시된 제2 봉지층의 끝단의 소정의 부분의 확대도이다.
도 6 내지 도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 12 및 도 13은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 보다 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치(100)는 표시 패널(110), 주사 구동부(120)(scan driver), 데이터 구동부(130)(data driver), 발광 구동부(140)(emission driver), 및 복수 개의 댐 부재들(DM1,DM2)을 포함한다. 표시 패널(110)은 유기 발광 표시 패널일 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 액정 표시 패널, 전기 습윤 표시 패널, 및 전기 영동 표시 패널 등 영상을 표시할 수 있는 다양한 표시 패널들이 표시 패널(110)로서 사용될 수 있다.
표시 패널(110)은 가요성을 갖는 플렉서블 표시 패널일 수 있다. 표시 패널(110)은 제1 방향(DR1)으로 단변들을 갖고, 제1 방향(DR1)과 교차하는 제2 방향(DR2)으로 장변들을 갖는 직사각형의 형상을 가질 수 있다. 표시 패널(110)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 평행한 평면을 갖고, 표시 패널(110)의 평면 영역은 표시 영역(DA) 및 표시 영역(DA)을 둘러싸는 비표시 영역(NDA)을 포함한다. 표시 영역(DA)은 영상을 표시하는 영역으로 정의되고, 비표시 영역(NDA)은 영상을 표시하지 않는 영역으로 정의될 수 있다.
표시 패널(110)은 복수 개의 화소들(PX), 복수 개의 주사 라인들(SL1~SLm), 복수 개의 데이터 라인들(DL1~DLn), 및 복수 개의 발광 라인들(EL1~ELm)을 포함한다. m 및 n은 자연수이다. 설명의 편의를 위해, 도 1에는 하나의 화소(PX)가 도시되었으나, 실질적으로, 복수 개의 화소들(PX)이 표시 패널(110)에 배치된다. 화소들(PX)은 매트릭스 형태로 배열되어, 표시 영역(DA)에 배치되고, 주사 라인들(SL1~SLm), 데이터 라인들(DL1~DLn), 및 발광 라인들(EL1~ELm)에 연결된다.
주사 구동부(120), 데이터 구동부(130), 및 발광 구동부(140)는 비표시 영역(NDA)에 배치된다. 주사 구동부(120)는 표시 패널(110)의 장변들 중 어느 한 장변으로 정의되는 표시 패널(110)의 일측에 인접한 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 발광 구동부(140)는 표시 패널(110)의 일측의 반대측으로 정의되는 표시 패널(110)의 타측에 인접한 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 데이터 구동부(130)는 집적 회로 칩 형태로 제작되어 표시 패널(110)의 단변들 중 어느 한 단변에 인접한 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다.
주사 라인들(SL1~SLm)은 제1 방향(DR1)으로 연장되어 주사 구동부(120)에 연결되고, 주사 구동부(120)로부터 주사 신호들을 수신한다. 데이터 라인들(DL1~DLn)은 제2 방향(DR2)으로 연장되어 데이터 구동부(130)에 연결되고, 데이터 구동부(130)로부터 데이터 전압들을 수신한다. 발광 라인들(EL1~ELm)은 제1 방향(DR1)으로 연장되어 발광 구동부(140)에 연결되고, 발광 구동부(140)로부터 발광 신호들을 수신한다.
주사 구동부(120)는 복수 개의 주사 신호들을 생성하고, 주사 신호들은 주사 라인들(SL1~SLm)을 통해 화소들(PX)에 인가된다. 주사 신호들은 순차적으로 화소들(PX)에 인가될 수 있다. 데이터 구동부(130)는 복수 개의 데이터 전압들을 생성하고, 데이터 전압들은 데이터 라인들(DL1~DLn)을 통해 화소들(PX)에 인가된다. 발광 구동부(140)는 복수 개의 발광 신호들을 생성하고, 발광 신호들은 발광 라인들(EL1~ELm)을 통해 화소들(PX)에 인가된다.
도시하지 않았으나, 표시 장치(100)는 주사 구동부(120), 데이터 구동부(130), 및 발광 구동부(140)의 동작을 제어하기 위한 타이밍 컨트롤러(미 도시됨)를 포함할 수 있다. 타이밍 컨트롤러는 외부로부터 수신된 제어 신호들에 응답하여 주사 제어 신호, 데이터 제어 신호, 및 발광 제어 신호를 생성한다. 또한, 타이밍 컨트롤러는 외부로부터 영상 신호들을 수신하고, 데이터 구동부(130)와의 인터페이스 사양에 맞도록 영상 신호들의 데이터 포맷을 변환하여 데이터 구동부(130)에 제공한다.
주사 구동부(120)는 주사 제어 신호에 응답하여 주사 신호들을 생성하고, 발광 구동부(140)는 발광 제어 신호에 응답하여 발광 신호들을 생성한다. 데이터 구동부(130)는 데이터 포맷이 변환된 영상 신호들을 제공받고, 데이터 제어 신호에 응답하여 영상 신호들에 대응하는 데이터 전압들을 생성한다.
화소들(PX)은 주사 신호들에 응답하여 데이터 전압들을 제공받는다. 화소들(PX)은 발광 신호들에 응답하여 데이터 전압들에 대응하는 휘도의 광을 발광함으로써 영상을 표시할 수 있다. 화소들(PX)의 발광 시간은 발광 신호들에 의해 제어될 수 있다.
댐 부재들(DM1,DM2)은 표시 영역(DA)을 둘러싸고, 비표시 영역(NDA)에 배치된다. 댐 부재들(DM1,DM2)은 주사 구동부(120), 데이터 구동부(130), 및 발광 구동부(140)를 둘러싸도록 표시 패널(110)의 테두리를 따라 연장할 수 있다. 예시적으로 2개의 댐 부재들(DM1,DM2)이 설명되었으나, 댐 부재들(DM1,DM2)의 개수는 이에 한정되지 않는다.
댐 부재들(DM1,DM2)은 표시 영역(DA)을 둘러싸는 제1 댐 부재(DM1) 및 제1 댐 부재(DM1)를 둘러싸는 제2 댐 부재(DM2)를 포함한다. 제1 및 제2 댐 부재들(DM1,DM2)의 구체적인 구성은 이하 상세히 설명될 것이다.
도 2는 도 1에 도시된 화소의 등가 회로도이다.
도 2에는 하나의 화소(PX)의 구성만 도시되었으나, 표시 패널(110)에 배치되는 화소들(PX)은 도 2에 도시된 화소(PX)와 동일한 구성을 갖는다.
도 2를 참조하면, 화소(PX)는 주사 라인들(SL1~SLm) 중 대응하는 주사 라인(SLi), 데이터 라인들(DL1~DLn) 중 대응하는 데이터 라인(DLj), 및 발광 라인들(EL1~ELm) 중 대응하는 발광 라인(ELi)에 연결된다. i는 m보다 작거나 같은 자연수이고, j는 n보다 작거나 같은 자연수이다. 화소(PX)는 발광 소자(OLED), 구동 트랜지스터(T1), 용량 소자(Cst), 스위칭 트랜지스터(T2), 및 발광 제어 트랜지스터(T3)를 포함한다. 발광 소자(OLED)는 유기 발광 다이오드로 정의될 수 있다.
구동 트랜지스터(T1)의 소스 단자는 제1 전압(ELVDD)을 제공받고, 구동 트랜지스터(T1)의 드레인 단자는 발광 제어 트랜지스터(T3)의 소스 단자에 연결된다. 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 단자는 스위칭 트랜지스터(T2)의 드레인 단자에 연결된다.
스위칭 트랜지스터(T2)의 게이트 단자는 주사 라인(SLi)에 연결되고, 스위칭 트랜지스터(T2)의 소스 단자는 데이터 라인(DLj)에 연결된다. 용량 소자(Cst)의 제1 전극은 구동 트랜지스터(T1)의 소스 단자에 연결되고, 용량 소자(Cst)의 제2 전극은 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 단자에 연결된다.
발광 제어 트랜지스터(T3)의 게이트 단자는 발광 라인(ELi)에 연결되고, 발광 제어 트랜지스터(T3)의 드레인 단자는 발광 소자(OLED)의 애노드 전극에 연결된다. 발광 소자(OLED)의 캐소드 전극은 제2 전압(ELVSS)를 인가받는다. 제2 전압(ELVSS)은 제1 전압(ELVDD)보다 낮은 레벨을 가질 수 있다.
스위칭 트랜지스터(T2)는 주사 라인(SLi)을 통해 제공받은 주사 신호(SCAN)에 응답하여 턴 온된다. 턴 온된 스위칭 트랜지스터(T2)는 데이터 라인(DLj)을 통해 제공받은 데이터 전압(DATA)을 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 단자에 제공한다. 용량 소자(Cst)는 구동 트랜지스터(T1)의 게이트 단자에 인가되는 데이터 전압(DATA)을 충전하고, 스위칭 트랜지스터(T2)가 턴 오프된 뒤에도 이를 유지한다.
발광 제어 트랜지스터(T3)의 게이트 단자는 발광 라인(ELi)을 통해 제공받은 발광 신호(EM)에 응답하여 턴 온된다. 턴 온된 발광 제어 트랜지스터(T3)는 구동 트랜지스터(T1)에 흐르는 전류(Ioled)를 발광 소자(OLED)에 제공하는 역할을 한다. 화소(PX)는 발광 신호(EM)의 인가시간 동안 발광할 수 있다. 발광 소자(OLED)는 제공받은 전류(Ioled) 량에 따라 세기를 달리하여 발광한다.
예시적으로 화소(PX)의 트랜지스터들(T1~T3)은 PMOS 트랜지스터들이나 이에 한정되지 않고, 화소(PX)의 트랜지스터들(T1~T3)은 NMOS 트랜지스터들일 수 있다.
도 3은 도 2에 도시된 화소의 단면 구성을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3을 참조하면, 화소(PX)는 발광 소자(OLED) 및 발광 소자(OLED)에 연결된 트랜지스터(TR)를 포함한다. 트랜지스터(TR)는 발광 제어 트랜지스터(T3)일 수 있다. 트랜지스터(TR) 및 발광 소자(OLED)는 기판(SUB) 상에 배치되며, 기판(SUB)은 가요성을 갖는 플라스틱 등으로 만들어진 투명한 플렉서블 기판일 수 있다. 예를 들어, 기판(SUB)은 폴리 이미드(PI:Polyimide)로 형성될 수 있다.
기판(SUB) 상에 버퍼층(BFL)이 배치되며, 버퍼층(BFL)은 무기 물질을 포함할 수 있다. 버퍼층(BFL) 상에 트랜지스터(TR)의 반도체 층이 배치된다. 반도체 층(SM)은 아모포스 실리콘 또는 폴리 실리콘과 같은 무기 재료의 반도체나 유기 반도체를 포함할 수 있다. 또한, 반도체 층(SM)은 산화물 반도체(oxide semiconductor)를 포함할 수 있다. 도 3에 도시되지 않았으나, 반도체 층(SM)은 소스 영역, 드레인 영역, 및 소스 영역과 드레인 영역 사이의 채널 영역을 포함할 수 있다.
반도체 층(SM)을 덮도록 버퍼층(BFL) 상에 제1 절연층(INS1)이 배치된다. 제1 절연층(INS1)은 무기 물질을 포함할 수 있다. 제1 절연층(INS1) 상에 반도체층(SM)과 오버랩하는 트랜지스터(TR)의 게이트 전극(GE)이 배치된다. 게이트 전극(GE)은 반도체 층(SM)의 채널 영역과 오버랩되도록 배치될 수 있다.
게이트 전극(GE)을 덮도록 제1 절연층(INS1) 상에 제2 절연층(INS2)이 배치된다. 제2 절연층(INS2)은 층간 절연층으로 정의될 수 있다. 제2 절연층(INS2)은 유기 물질 및/또는 무기 물질을 포함할 수 있다.
제2 절연층(INS2) 상에 트랜지스터(TR)의 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 서로 이격되어 배치된다. 소스 전극(SE)은 제1 절연층(INS1) 및 제2 절연층(INS2)을 관통하여 정의된 제1 컨택 홀(CH1)을 통해 반도체층(SM)의 소스 영역에 연결될 수 있다. 드레인 전극(DE)은 제1 절연층(INS1) 및 제2 절연층(INS2)을 관통하여 정의된 제2 컨택 홀(CH2)을 통해 반도체층(SM)의 드레인 영역에 연결될 수 있다.
트랜지스터(TR)의 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 덮도록 제2 절연층(INS2) 상에 제3 절연층(INS3)이 배치된다. 제3 절연층(INS3)은 평평한 상면을 제공하는 평탄화막으로 정의될 수 있으며, 유기 물질을 포함할 수 있다.
제3 절연층(INS3) 상에 발광 소자(OLED)의 제1 전극(E1)이 배치된다. 제1 전극(E1)은 제3 절연층(INS3)을 관통하여 정의된 제3 컨택홀(CH3)을 통해 트랜지스터(TR)의 드레인 전극(DE)에 연결될 수 있다. 제1 전극(E1)은 화소 전극 또는 애노드 전극으로 정의될 수 있다. 제1 전극(E1)은 투명 전극 또는 반사형 전극을 포함할 수 있다.
제1 전극(E1) 및 제3 절연층(INS3) 상에 제1 전극(E1)의 소정의 부분을 노출시키는 화소 정의막(PDL)이 배치된다. 화소 정의막(PDL)에는 제1 전극(E1)의 소정의 부분을 노출시키기 위한 화소 오픈부(PX_OP)가 정의되며, 화소 오픈부(PX_OP)가 배치된 영역은 화소 영역(PA)으로 정의될 수 있다. 화소 영역(PA) 주변은 비화소 영역(NPA)으로 정의될 수 있다.
화소 오픈부(PX_OP) 내에서 제1 전극(E1) 상에 유기 발광층(OEL)이 배치된다. 유기 발광층(OEL)은 적색, 녹색, 및 청색 중 어느 하나의 광을 생성할 수 있는 유기 물질을 포함할 수 있다. 유기 발광층(OEL)은 적색, 녹색, 및 청색 중 어느 하나의 광을 생성할 수다. 그러나 이에 한정되지 않고, 유기 발광층(OEL)은 적색, 녹색, 및 청색을 생성하는 유기 물질들의 조합에 의해 백색광을 생성할 수도 있다.
유기 발광층(OEL)은 각각 저분자 유기물 또는 고분자 유기물을 포함할 수 있다. 도시하지 않았으나, 유기 발광층(OEL)은 정공 주입층(Hole Injection Layer, HIL), 정공 수송층(Hole Transpoting Layer, HTL), 발광층(Emission Layer:EML), 전자 수송층(Electron Transporting Layer, ETL) 및 전자 주입층(Electron Injection Layer, EIL)을 포함하는 다중막으로 형성될 수 있다. 정공 주입층이 제1 전극(E1) 상에 배치되고, 정공 주입층 상에 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 및 전자 주입층이 차례로 적층될 수 있다.
화소 정의막(PDL) 및 유기 발광층(OEL) 상에 제2 전극(E2)이 배치된다. 제2 전극(E2)은 공통 전극 또는 캐소드 전극으로 정의될 수 있다. 제2 전극(E2)은 투명 전극 또는 반사형 전극을 포함할 수 있다.
표시 패널(110)이 전면 발광형 유기 발광 표시 패널일 경우, 제1 전극(E1)은 반사형 전극으로 형성되고, 제2 전극(E2)은 투명 전극으로 형성될 수 있다. 표시 패널(110)이 후면 발광형 유기 발광 표시 패널일 경우 제1 전극(E1)은 투명 전극으로 형성되고, 제2 전극(E2)은 반사형 전극으로 형성될 수 있다.
발광 소자(OLED)는 화소 영역(PA)에 형성되고, 화소 영역(PA)에서 제1 전극(E1), 유기 발광층(OEL), 및 제2 전극(E2)을 포함한다. 제1 전극(E1)은 정공 주입 전극인 양극이며, 제2 전극(E2)은 전자 주입 전극인 음극일 수 있다.
박막 봉지층(TFE)은 화소(PX)를 덮도록 기판(SUB) 상에 배치된다. 박막 봉지층(TFE)은 발광 소자(OLED)를 덮도록 기판(SUB) 상에 배치된 제1 봉지층(EN1), 제1 봉지층(EN1) 상에 배치된 제2 봉지층(EN2), 제2 봉지층(EN2) 상에 배치된 제3 봉지층(EN3), 및 제3 봉지층(EN3) 상에 배치된 제4 봉지층(EN4)을 포함한다. 제1, 제2, 및 제4 봉지층들(EN1,EN2,EN4)은 무기 물질을 포함하는 무기 절연층일 수 있고, 제3 봉지층(EN3)은 유기 물질을 포함하는 유기 절연층일 수 있다.
트랜지스터(TR)에 의해 발광 소자(OLED)의 유기 발광층(OEL)을 발광시키기 위한 제1 전압(ELVDD)이 제1 전극(E1)에 인가되고, 제1 전압(ELVDD)과 반대 극성의 제2 전압(ELVSS)이 제2 전극(E2)에 인가될 수 있다. 유기 발광층(OEL)에 주입된 정공과 전자가 결합하여 여기자(exciton)가 형성되고, 여기자가 바닥 상태로 전이하면서 발광 소자(OLED)가 발광 된다. 발광 소자(OLED)는 전류의 흐름에 따라 적색, 녹색, 및 청색의 빛을 발광하여 소정의 화상 정보를 표시할 수 있다.
도 4는 도 1에 도시된 I-I'선의 단면도이다. 도 5는 도 4에 도시된 제2 봉지층의 끝단의 소정의 부분의 확대도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 기판(SUB)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함하고, 기판(SUB)의 표시 영역(DA)은 화소 영역(PA) 및 비화소 영역(NPA)을 포함한다. 표시 영역(DA)의 기판(SUB) 상에 화소(PX)가 배치된다. 제1 및 제2 댐 부재들(DM1,DM2)은 비표시 영역(NDA)의 기판(SUB) 상에 배치되고 표시 영역(DA)을 둘러싼다.
주사 구동부(120)는 복수 개의 트랜지스터들을 포함하고, 주사 구동부(120)의 트랜지스터들은 기판(SUB) 상에 배치된다. 설명의 편의를 위해, 예시적으로, 도 4에는 주사 구동부(120)의 하나의 트랜지스터(TS)만 도시되었다. 또한, 도 4의 단면에서 주사 구동부(120)가 배치된 부분의 크기는 상대적으로 축소하여 도시하였다.
버퍼층(BFL) 및 제1 절연층(INS1)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)의 기판(SUB) 상에 배치될 수 있다. 제2 절연층(INS2)은 표시 영역(DA)에서 기판(SUB) 상에 배치되고 비표시 영역(NDA)으로 연장하여 제1 댐 부재(DM1)에 인접하게 배치되 수 있다.
표시 영역(DA)의 기판(SUB) 상에 배치된 제3 절연층(INS3)은 비표시 영역(NDA)으로 연장하여 제1 댐 부재(DM1)에 인접하고 제2 절연층(INS2) 상에 배치되 수 있다. 표시 영역(DA)에서 제3 절연층(INS3)은 트랜지스터들(TR,TS) 상에 배치되어 트랜지스터들(TR,TS)을 덮는다. 발광 소자(OLED)의 제2 전극(E2)은 비표시 영역(NDA)으로 연장하고, 비표시 영역(NDA)에서 제3 절연층(INS3) 상에 배치될 수 있다.
제2 댐 부재(DM2)의 상면의 높이는 제1 댐 부재(DM1)의 상면보다 높을 수 있다. 제1 및 제2 댐 부재들(DM1,DM2) 각각의 높이는 제1 및 제2 댐 부재들(DM1,DM2) 각각의 하면과 상면 사이의 거리로 정의될 수 있다. 제1 댐 부재(DM1) 및 제2 댐 부재(DM2) 사이의 공간 및 제2 댐 부재(DM2)와 제2 및 제3 절연층들(INS2,INS3) 사이의 공간은 홈들로 정의될 수 있다.
제1 댐 부재(DM1)는 기판(SUB) 상에 배치된 제1 댐 절연층(DM1_1), 제1 댐 절연층(DM1_1) 상에 배치된 제2 댐 절연층(DM1_2), 및 제2 댐 절연층(DM1_2) 상에 배치된 제3 댐 절연층(DM1_3)을 포함한다. 제2 댐 부재(DM2)는 기판(SUB) 상에 배치된 제4 댐 절연층(DM2_1), 제4 댐 절연층(DM2_1) 상에 배치된 제5 댐 절연층(DM2_2), 제5 댐 절연층(DM2_2) 상에 배치된 제6 댐 절연층(DM2_3), 및 제6 댐 절연층(DM2_3) 상에 배치된 제7 댐 절연층(DM2_4)을 포함한다.
제1 내지 제7 댐 절연층들(DM1_1~DM2_4)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 제4 댐 절연층(DM2_1)은 제2 절연층(INS2)과 동일한 물질로 동시에 형성될 수 있다. 제1 및 제5 댐 절연층들(DM1_1,DM2_2)은 제3 절연층(INS3)과 동일한 물질로 동시에 형성될 수 있다. 제2 및 제6 댐 절연층들(DM1_2,DM2_3)은 화소 정의막(PDL)과 동일한 물질로 동시에 형성될 수 있다. 제3 및 제7 댐 절연층들(DM1_3,DM2_4)은 별도의 유기 물질로 동시에 형성될 수 있다.
제1 봉지층(EN1)은 표시 영역(DA)의 화소들(PX) 및 비표시 영역(NDA)의 제2 전극(E2), 및 제1 및 제2 댐 부재들(DM1,DM2)을 덮도록 기판(SUB) 상에 배치된다. 제1 봉지층(EN1)은 기판(SUB)의 끝단과 소정의 간격만큼 이격되어 배치될 수 있다.
제1 봉지층(EN1) 상에 제2 봉지층(EN2)이 배치된다. 제2 봉지층(EN2)은 표시 영역(DA)에 인접한 제1 댐 부재(DM1)에 의해 정의된 영역 내에 배치된다. 구체적으로, 제2 봉지층(EN2)은 표시 영역(DA)부터 표시 영역(DA)을 향하는 제1 댐 부재(DM1)의 일 측면까지 배치된다.
제1 봉지층(EN1) 및 제2 봉지층(EN2)은 서로 다른 무기 물질을 포함한다. 예를 들어, 제1 봉지층(EN1)은 제1 무기 물질을 포함하고, 제2 봉지층(EN2)은 제1 무기 물질과 다른 제2 무기 물질을 포함한다. 제1 및 제2 봉지층들(EN1,EN2)은 외부의 산소 및 습기가 화소들에 투입되는 것을 방지할 수 있다.
제1 무기 물질은 제1 실리콘산질화물(SiON) 일 수 있다. 제2 무기 물질은 제2 실리콘산질화물(SiON) 또는 실리콘 옥사이드(SiOx) 일 수 있다. 제2 실리콘산질화물(SiON)의 실리콘(Si), 산소(O), 및 질소(N)의 조성 비율은 제1 실리콘산질화물(SiON)의 실리콘(Si), 산소(O), 및 질소(N)의 조성 비율과 다르다. 조성 비율이 다를 경우, 굴절률이 달라질 수 있다.
제2 봉지층(EN2)의 상면의 표면 거칠기는 제1 봉지층(EN1)의 상면의 표면 거칠기보다 크다. 이하, 제1 봉지층(EN1)의 상면의 표면 거칠기는 제1 표면 거칠기로 정의되고, 제2 봉지층(EN2)의 상면의 표면 거칠기는 제2 표면 거칠기로 정의된다. 표면 거칠기(RMS(Root Mean Square) roughness)는 표면에 생기는 미세한 요철의 정도, 즉 거칠기의 정도로 정의될 수 있다. 제2 표면 거칠기는 제1 표면 거칠기보다 크며, 예시적으로 제2 표면 거칠기는 8.4nm 내지 35nm로 설정되고, 제1 표면 거칠기는 0.9 nm 내지 2nm로 설정될 수 있다.
제2 표면 거칠기를 8.4nm 내지 35nm로 설정하기 위해 다양한 방법들이 사용될 수 있다. 예를 들어, 무기 절연층을 형성하기 위해 기판(SUB) 상에 무기 물질의 입자들이 랜덤하게 제공될 수 있다. 무기 물질의 제공량이 많을수록 무기 절연층의 상면이 다소 평평해지는 효과가 있으며, 무기 물질의 제공량이 적을 수록 무기 절연층의 상면이 보다 거친 요철 구조를 가질 수 있다. 따라서, 무기 절연층이 형성될 때, 무기 절연층의 두께가 작을수록 무기 절연층의 표면 거칠기가 커질 수 있다.
제2 봉지층(EN2)이 형성될 때, 제1 봉지층(EN1) 상에 제2 봉지층(EN2)을 형성하기 위한 제2 무기 물질의 입자들이 기판(SUB) 상에 제공된다. 기판(SUB) 상에 제공되는 제2 무기 물질의 양이 조절되어, 제2 봉지층(EN2)의 두께가 조절될 수 있다. 제2 봉지층(EN2)의 두께가 조절되어 제2 봉지층(EN2)의 제2 표면 거칠기가 제1 표면 거칠기보다 크도록 설정될 수 있다.
제2 표면 거칠기가 제1 표면 거칠기보다 크도록 하기 위해 제2 봉지층(EN2)의 두께는 제1 봉지층(EN1)의 두께보다 작을 수 있다. 예시적으로 제2 봉지층(EN2)의 두께는 200 옹스트롱(Å) 내지 500 옹스트롱(Å)일 수 있다.
무기 절연층은 화학 기상 증착 방법을 통해 기판 상에 증착될 수 있다. 실리콘산질화물(SiON)과 같은 무기 절연층의 성막 공정에 NH3 가스가 사용될 수 있으며, NH3 가스의 유량이 작을수록 무지 절연층의 표면 거칠기가 커질 수 있다. 즉, SiON에서 N의 비율이 작을수록 표면 거칠기가 커질 수 있다.
따라서, 제2 봉지층(EN2)의 형성시, NH3 가스의 유량을 조절하여 제2 봉지층(EN2)의 제2 표면 거칠기가 결정될 수 있다. 제2 표면 거칠기가 제1 표면 거칠기보다 크도록 하기 위해 제2 봉지층(EN2)의 제조시 NH3 가스의 유량이 보다 적게 조절될 수 있다.
예시적으로 두께 및 가스의 유량이 설명되었으나, 이에 한정되지 않고, 파워 및 가스 공급 시간 등 다양한 방법에 의해 제2 봉지층(EN2)의 제2 표면 거칠기가 조절될 수 있다.
제2 봉지층(EN2) 상에 제3 봉지층(EN3)이 배치된다. 제3 봉지층(EN3)은 유동성을 갖는 유기 물질을 경화시켜 형성될 수 있다. 제3 봉지층(EN3)은 표시 영역(DA)의 상면을 평탄화 시키는 역할을 할 수 있다.
제3 봉지층(EN3)을 덮도록 제1 봉지층(EN1) 상에 제4 봉지층(EN4)이 배치된다. 제4 봉지층(EN4)은 제1 및 제2 봉지층들(EN1,EN2)과 다른 무기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제4 봉지층(EN4)는 실리콘 나이트라이드(SiNx)를 포함할 수 있다. 제4 봉지층(EN4)은 외부의 산소 및 습기가 표시 패널(110)에 투입되는 것을 방지할 수 있다.
박막 봉지층(TFE)의 제조시, 제3 봉지층(EN3)을 형성하기 위해 유동성을 갖는 유기 물질이 잉크 젯 프린팅 방법으로 기판(SUB) 상에 도포된다. 유기 물질이 유동성을 가지므로, 유기 물질이 과도하게 도포될 경우, 유기 물질이 기판(SUB) 밖으로 넘칠 수 있다.
본 발명의 실시 예에서, 유기 물질이 과도하게 도포되더라도, 제1 댐 부재(DM1) 및 제2 댐 부재(DM2) 사이 및 제2 댐 부재(DM2)와 제2 및 제3 절연층들(INS2,INS3) 사이의 홈들에 수용될 수 있다. 따라서 유기 물질이 기판(SUB)을 넘치지 않을 수 있다.
표면 거칠기가 클수록 유체의 퍼짐성이 커지고, 표면 거칠기가 작을수록 유체의 퍼짐성이 작아질 수 있다. 표면 거칠기와 유체의 퍼짐성의 관계는 이하 표시 장치의 제조 방법에서 상세히 설명될 것이다.
제2 봉지층(EN2)은 제1 봉지층(EN1)보다 큰 표면 거칠기를 가지므로, 유동성을 갖는 유기 물질은 제2 봉지층(EN2)에서 보다 잘 퍼질 수 있다. 즉, 유기 물질에 대한 제2 봉지층(EN2)의 친화력이 커질 수 있다. 그러나, 제2 봉지층(EN2)보다 작은 표면 거칠기를 갖는 제1 봉지층(EN1)에서는 유기 물질이 잘 퍼지지 않을 수 있다. 즉, 유기 물질에 대한 제1 봉지층(EN1)의 친화력이 작아질 수 있다.
제3 봉지층(EN3)을 형성하기 위한 유기 물질이 제2 봉지층(EN2) 상에 제공될 경우, 유기 물질은 제2 봉지층(EN2)에서 보다 잘 퍼지는 특성을 가지며, 제1 봉지층(EN1)까지 잘 퍼지지 않을 수 있다. 따라서, 유기 물질이 원하는 영역에만 배치될 수 있어, 유기 물질이 기판(SUB)을 넘치는 현상이 보다 더 방지될 수 있다.
결과적으로, 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치(100)는 제3 봉지층(EN3)을 형성하기 위한 유기 물질을 원하는 영역에 배치하고, 유기 물질이 기판(SUB)을 넘치지 않도록 제어할 수 있다.
도 6 내지 도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
설명의 편의를 위해, 도 6, 도 7, 도 8, 및 도 11에는 도 4에 도시된 단면의 좌측의 소정의 부분이 도시되었다.
도 6을 참조하면, 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함하는 기판(SUB)이 준비된다. 도 6에는 도시하지 않았으나, 표시 영역(DA)에 화소들(PX)이 제공되고, 비표시 영역(NDA)에 제1 및 제2 댐 부재들(DM1,DM2)이 제공된다.
화소들(PX) 및 제1 및 제2 댐 부재들(DM1,DM2)을 덮도록 기판(SUB) 상에 제1 봉지층(EN1)이 제공된다. 구체적으로, 제1 오픈부(OP1)가 정의된 제1 마스크(M1)가 기판(SUB) 상에 배치되며, 제1 마스크(M1)는 기판(SUB)의 테두리에 인접한 기판(SUB)의 소정의 부분에서 제1 절연층(INS1) 상에 배치될 수 있다. 제1 오픈부(OP1)는 표시 영역(DA)부터 제2 댐 부재(DM2)까지 노출시키며, 구체적으로, 기판(SUB)의 끝단과 소정의 간격만큼 이격된 기판(SUB)의 부분까지 노출시킬 수 있다.
제1 오픈부(OP1)를 통해 제1 봉지층(EN1)을 형성하기 위한 제1 무기 물질(IOR1)이 화소들(PX), 제2 전극(E2), 및 제1 및 제2 댐 부재들(DM1,DM2)을 덮도록 기판(SUB) 상에 제공된다. 제1 오픈부(OP1)에 의해 제1 봉지층(EN1)은 기판(SUB)의 끝단과 소정의 간격만큼 이격되어 기판(SUB) 상에 제공될 수 있다.
도 7을 참조하면, 제2 오픈부(OP2)가 정의된 제2 마스크(M2)가 기판(SUB) 상에 배치되고, 제2 오픈부(OP2)는 표시 영역(DA)부터 제1 댐 부재(DM1)의 일측면까지 노출시킨다. 마스크가 증착 물질이 제공되는 기판에 가깝게 배치될수록 증착 물질이 보다 정확히 증착될 영역에 제공될 수 있다. 따라서, 제2 마스크(M2)는 제1 댐 부재(DM1) 상에 인접하게 배치되며, 구체적으로 제1 댐 부재(DM1)와 오버랩하는 제1 봉지층(EN1)의 상면에 접촉할 수 있다.
제2 오픈부(OP2)를 통해 제1 봉지층(EN1) 상에 제2 봉지층(EN2)을 형성하기 위한 제2 무기 물질(IOR2)이 제공된다. 제2 오픈부(OP2)에 의해 제2 무기 물질(IOR2)은 표시 영역(DA)부터 제1 댐 부재(DM1)의 일측면까지 제공될 수 있다. 따라서, 제1 봉지층(EN1) 상에서 제2 봉지층(EN2)은 표시 영역(DA)부터 제1 댐 부재(DM1)의 일측면까지 형성될 수 있다.
전술한 바와 같이 제2 봉지층(EN2)의 제2 표면 거칠기는 제2 봉지층(EN2)의 두께 및 제2 무기 물질의 증착시 사용되는 가스의 유량에 따라서 8.4nm 내지 35nm로 설정될 수 있다. 또한, 제2 봉지층(EN2)은 제1 봉지층(EN1)보다 작은 두께를 가질 수 있다.
도 8을 참조하면, 잉크젯 프린팅 방식에 의해 제3 봉지층(EN3)을 형성하기 위한 유기 물질(OR)이 노즐(NOZ)을 통해 제2 봉지층(EN2) 상에 제공될 수 있다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 도 10에 도시된 제1 층(LAY1_2)의 상면의 표면 거칠기는 도 9에 도시된 제1 층(LAY1_1)의 상면의 표면 거칠기보다 크다. 도 9에 도시된 제1 층(LAY1_1)의 상면에 형성된 제1 돌출부들(P1)보다 도 10에 도시된 제1 층(LAY1_2)의 상면에 형성된 제2 돌출부들(P2)이 더 조밀하게 배치될 수 있다. 따라서, 서로 인접한 2개의 제1 돌출부들(P1) 사이의 제1 간격(D1)은 서로 인접한 2 개의 제2 돌출부들(P2) 사이의 제2 간격(D2) 보다 클 수 있다.
도 9에 도시된 바와 같이 제1 층(LAY1_1) 상에 유동성을 갖는 유체(LQ)가 제공될 때, 제1 돌출부들(P1) 사이의 제1 홈들(G1)에 유체(LQ))를 채우기 위한 시간은 길어질 수 있다. 그러나, 도 10에 도시된 바와 같이, 제1 층(LAY1_2) 상에 유동성을 갖는 유체(LQ)가 제공될 때, 제2 돌출부들(P2) 사이의 제2 홈들(G2)에 유체(LQ)를 채우기 위한 시간은 짧아질 수 있다. 따라서, 도 10과 같이 표면 거칠기가 클수록 유체(LQ)가 보다 용이하게 퍼질 수 있다.
도 9 및 도 10에서 설명된 유체의 퍼짐성과 표면 거칠기의 관계와 도 8을 참조하면, 표면 거칠기가 큰 제2 봉지층(EN2)에서 유기 물질(OR)의 퍼짐성이 커진다. 따라서, 유기 물질(OR)은 제2 봉지층(EN2)에서 보다 잘 퍼지고, 제1 봉지층(EN1)에서는 잘 퍼지지 않을 수 있다.
유기 물질(OR)은 제2 댐 부재(DM2)와 제2 및 제3 절연층들(INS2,INS3) 사이의 홈에 수용되어 제2 봉지층(EN2)의 경계에 인접한 제1 봉지층(EN1)까지 퍼지지 않을 수 있다. 따라서, 유기 물질(OR)이 원하는 영역에만 배치될 수 있어, 유기 물질(OR)이 기판(SUB)을 넘치는 현상이 보다 더 방지될 수 있다.
도 11을 참조하면, 제3 봉지층(EN3)을 덮도록 제1 봉지층(EN1) 상에 제4 봉지층(EN4)이 제공되어, 표시 장치(100)가 제조될 수 있다.
도 12 및 도 13은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
제1 및 제2 봉지층(EN1',EN2)을 형성하기 위해 단일 마스크가 사용되는 부분을 제외하면, 도 12 및 도 13에 도시된 표시 장치의 제조 방법은 도 6 내지 도 11에 도시된 표시 장치의 제조 방법과 동일하다. 따라서, 이하 도 6 내지 도 11에 도시된 표시 장치의 제조 방법과 다른 제조 방법을 위주로 도 12 및 도 13에 도시된 표시 장치의 제조 방법이 설명될 것이며, 동일한 구성은 동일한 부호를 사용하여 도시하였다.
도 12를 참조하면, 마스크(M)가 무기 물질 증착 공정을 위해 진공 챔버(미도시됨)에 배치되되, 기판(SUB)과 이격되어 배치된다. 마스크(M)는 실질적으로 진공 챔버의 상부에 인접하게 배치되어 기판(SUB)과 상부로 크게 이격될 수 있다. 이러한 경우, 실질적으로 마스크(M)를 사용하는 효과가 없을 수 있다.
제1 봉지층(EN1')을 형성하기 위한 제1 무기 물질(IOR1)이 화소들(PX), 제2 전극(E2), 및 제1 및 제2 댐 부재들(DM1,DM2)을 덮도록 기판(SUB) 상에 제공된다. 마스크(M)가 기판(SUB)과 크게 이격되어 있으므로, 마스크(M)에 의한 제1 무기 물질(IOR1)의 차단 효과는 실질적으로 없다고 봐도 무방하다. 따라서, 제1 무기 물질(IOR1)은 기판(SUB)의 끝단까지 제공될 수 있다. 그 결과, 제1 봉지층(EN1')은 기판(SUB)과 전체적을 오버랩하여 기판(SUB)의 끝단까지 형성될 수 있다.
도 13을 참조하면, 마스크(M)에는 오픈부(OP)가 정의되며, 마스크(M)는 실질적으로 제2 마스크(M2)와 동일하다. 따라서, 마스크(M)의 오픈부(OP)는 표시 영역(DA)부터 제1 댐 부재(DM1)의 일측면까지 노출시킨다. 마스크(M)는 제2 마스크(M2)와 같이 제1 댐 부재(DM1) 상에 인접하게 배치된다.
오픈부(OP)를 통해 제1 봉지층(EN1') 상에 제2 봉지층(EN2)을 형성하기 위한 제2 무기 물질(IOR2)이 제공되며, 제2 무기 물질(IOR2)은 표시 영역(DA)부터 제1 댐 부재(DM1)의 일측면까지 제공될 수 있다. 따라서, 제2 봉지층(EN2)은 제1 봉지층(EN1') 상에서 표시 영역(DA)부터 제1 댐 부재(DM1)의 일측면까지 형성될 수 있다. 제3 봉지층(EN3) 및 제4 봉지층(EN4)이 기판(SUB) 상에 제공되는 공정은 도 8 및 도 11과 같으므로 설명을 생략한다.
이상 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 또한 본 발명에 개시된 실시 예는 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니고, 하기의 특허 청구의 범위 및 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 표시 장치 110: 표시 패널
120: 주사 구동부 130: 데이터 구동부
140: 발광 구동부 DM1,DM2: 제1 및 제2 댐 부재
TFE: 박막 봉지층 OLED: 발광 소자
EN1,EN2,EN3,EN4: 제1, 제2, 제3, 및 제4 봉지층

Claims (20)

  1. 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 기판;
    상기 표시 영역의 상기 기판 상에 배치된 복수 개의 화소들;
    상기 표시 영역을 둘러싸고 상기 비표시 영역에 배치되며 상기 표시 영역에 가장 인접한 제1 댐 부재;
    상기 제1 댐 부재와 이격되어 상기 제1 댐 부재를 둘러싸고 상기 비표시 영역에 배치된 제2 댐 부재;
    상기 화소들, 상기 제1 및 제2 댐 부재들을 덮도록 상기 기판 상에 배치된 제1 봉지층;
    상기 제1 댐 부재에 의해 정의된 영역에서 상기 제1 봉지층 상에 배치된 제2 봉지층;
    상기 제1 댐 부재에 의해 정의된 영역에서 상기 제2 봉지층 상에 배치된 제3 봉지층; 및
    상기 제2 및 제3 봉지층들을 덮도록 상기 제1 봉지층 상에 배치된 제4 봉지층을 포함하고,
    상기 제2 봉지층은 상기 표시 영역을 향하는 상기 제1 댐 부재의 일측면까지 배치되고,
    상기 제2 봉지층의 상면의 표면 거칠기는 상기 제1 봉지층의 상면의 표면 거칠기보다 큰 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 봉지층의 두께는 상기 제1 봉지층의 두께보다 작은 표시 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제2 봉지층의 두께는 200 내지 500 옹스트롱인 표시 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 봉지층의 상기 표면 거칠기는 8.4 nm 내지 35 nm 이고, 상기 제1 봉지층의 상기 표면 거칠기 0.9nm 내지 2nm 인 표시 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 봉지층들은 무기 물질을 포함하고, 상기 제3 봉지층은 유기 물질을 포함하는 표시 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제1 봉지층은 제1 무기 물질을 포함하고, 상기 제2 봉지층은 상기 제1 무기 물질과 다른 제2 무기 물질을 포함하는 표시 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제1 무기 물질은 제1 실리콘산질화물이고, 상기 제2 무기 물질은 제2 실리콘산질화물 또는 실리콘 옥사이드이고,
    상기 제2 실리콘산질화물의 실리콘, 산소, 및 질소의 조성 비율은 상기 제1 실리콘산질화물의 실리콘, 산소, 및 질소의 조성 비율과 다른 표시 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 댐 부재의 상면의 높이는 상기 제1 댐 부재의 상면보다 높은 표시 장치.
  9. 삭제
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1 댐 부재는,
    상기 기판 상에 배치된 제1 댐 절연층;
    상기 제1 댐 절연층 상에 배치된 제2 댐 절연층; 및
    상기 제2 댐 절연층 상에 배치된 제3 댐 절연층을 포함하는 표시 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제2 댐 부재는,
    상기 기판 상에 배치된 제4 댐 절연층;
    상기 제4 댐 절연층 상에 배치된 제5 댐 절연층;
    상기 제5 댐 절연층 상에 배치된 제6 댐 절연층; 및
    상기 제6 댐 절연층 상에 배치된 제7 댐 절연층을 포함하는 표시 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제7 댐 절연층들은 유기 물질을 포함하는 표시 장치.
  13. 삭제
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 제4 봉지층은 상기 제1 및 제2 봉지층들과 다른 무기 물질을 포함하는 표시 장치.
  15. 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 비표시 영역을 포함하는 기판을 준비하는 단계;
    상기 표시 영역의 상기 기판 상에 복수 개의 화소들을 제공하는 단계;
    상기 표시 영역을 둘러싸고 상기 비표시 영역에 배치되며 상기 표시 영역에 가장 인접한 제1 댐 부재를 제공하는 단계;
    상기 제1 댐 부재와 이격되어 상기 제1 댐 부재를 둘러싸고 상기 비표시 영역에 배치된 제2 댐 부재를 제공하는 단계;
    상기 화소들, 상기 제1 및 제2 댐 부재들을 덮도록 상기 기판 상에 제1 봉지층을 제공하는 단계;
    상기 제1 댐 부재에 의해 정의된 영역에서 상기 제1 봉지층 상에 배치된 제2 봉지층을 제공하는 단계;
    상기 제1 댐 부재에 의해 정의된 영역에서 상기 제2 봉지층 상에 제3 봉지층을 제공하는 단계; 및
    상기 제2 및 제3 봉지층들을 덮도록 상기 제1 봉지층 상에 배치된 제4 봉지층을 포함하고,
    상기 제2 봉지층은 상기 표시 영역을 향하는 상기 제1 댐 부재의 일측면까지 배치되고,
    상기 제2 봉지층의 상면의 표면 거칠기는 상기 제1 봉지층의 상면의 표면 거칠기보다 큰 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 제2 댐 부재의 상면의 높이는 상기 제1 댐 부재의 상면보다 높으며,
    상기 제2 봉지층은 상기 표시 영역부터 상기 표시 영역을 향하는 상기 제1 댐 부재의 일측면까지 배치되는 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 제1 봉지층을 제공하는 단계는,
    상기 표시 영역부터 상기 제2 댐 부재까지 노출시키는 제1 오픈부를 포함하는 제1 마스크를 상기 기판 상에 배치하는 단계; 및
    상기 제1 오픈부를 통해 상기 화소들 및 상기 제1 및 제2 댐 부재들을 덮도록 상기 기판 상에 상기 제1 봉지층을 형성하기 위한 제1 무기 물질을 제공하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 제2 봉지층을 제공하는 단계는,
    상기 표시 영역부터 상기 표시 영역을 향하는 상기 제1 댐 부재의 일측면까지 노출 시키는 제2 오픈부를 포함하는 제2 마스크를 상기 기판 상에 배치하는 단계; 및
    상기 제2 오픈부를 통해 상기 표시 영역부터 상기 표시 영역을 향하는 상기 제1 댐 부재의 일측면까지, 상기 제1 봉지층 상에 상기 제2 봉지층을 형성하기 위한 제2 무기 물질을 제공하는 단계를 포함하고,
    상기 제2 마스크는 상기 제1 댐 부재 상에 인접하고, 상기 제3 봉지층은 유기 물질을 포함하고, 상기 제2 무기 물질은 상기 제1 무기 물질과 다른 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 제2 봉지층의 상기 표면 거칠기는 상기 제2 봉지층의 두께 및 상기 제2 무기 물질의 증착 시 사용되는 NH3가스의 유량에 따라서 상기 제1 봉지층의 상기 표면 거칠기보다 크게 설정되는 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제 16 항에 있어서,
    상기 제1 봉지층을 제공하는 단계는,
    상기 화소들 및 상기 제1 및 제2 댐 부재들을 덮도록 상기 기판 상에 상기 제1 봉지층을 형성하기 위한 제1 무기 물질을 제공하는 단계를 포함하고,
    상기 제2 봉지층을 제공하는 단계는,
    상기 표시 영역부터 상기 표시 영역을 향하는 상기 제1 댐 부재의 측면까지 노출 시키는 오픈부를 포함하는 마스크를 상기 기판 상에 배치하는 단계; 및
    상기 오픈부를 통해 상기 표시 영역부터 상기 표시 영역을 향하는 상기 제1 댐 부재의 측면까지, 상기 제1 봉지층 상에 상기 제2 봉지층을 형성하기 위한 제2 무기 물질을 제공하는 단계를 포함하고,
    상기 마스크는 상기 제1 댐 부재 상에 인접한 표시 장치의 제조 방법.








KR1020170177457A 2017-12-21 2017-12-21 표시 장치 및 그것의 제조 방법 KR102457583B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170177457A KR102457583B1 (ko) 2017-12-21 2017-12-21 표시 장치 및 그것의 제조 방법
US16/139,366 US10916603B2 (en) 2017-12-21 2018-09-24 Display device and fabrication method thereof
CN201811552220.XA CN110034239B (zh) 2017-12-21 2018-12-19 显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170177457A KR102457583B1 (ko) 2017-12-21 2017-12-21 표시 장치 및 그것의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190076093A KR20190076093A (ko) 2019-07-02
KR102457583B1 true KR102457583B1 (ko) 2022-10-24

Family

ID=66948967

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170177457A KR102457583B1 (ko) 2017-12-21 2017-12-21 표시 장치 및 그것의 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10916603B2 (ko)
KR (1) KR102457583B1 (ko)
CN (1) CN110034239B (ko)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101974086B1 (ko) * 2016-09-30 2019-05-02 삼성디스플레이 주식회사 표시모듈
CN109411417B (zh) * 2017-08-18 2020-09-11 财团法人工业技术研究院 电子组件封装体以及显示面板
CN108364987B (zh) * 2018-02-24 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
US11133483B2 (en) 2018-10-04 2021-09-28 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display panel having base dam covering one side of power electrode
JP2020113437A (ja) * 2019-01-11 2020-07-27 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
WO2020194736A1 (ja) * 2019-03-28 2020-10-01 シャープ株式会社 表示装置、及び表示装置の製造方法
CN110323261B (zh) * 2019-07-04 2022-09-13 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
CN110416434B (zh) * 2019-08-06 2022-01-28 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN110518043A (zh) * 2019-08-29 2019-11-29 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN110785868B (zh) * 2019-09-25 2022-10-28 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置和制造显示基板的方法
KR20210049245A (ko) 2019-10-24 2021-05-06 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20210052636A (ko) * 2019-10-29 2021-05-11 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN111129088B (zh) * 2019-12-17 2022-09-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示装置
CN111244327B (zh) * 2020-01-23 2023-01-24 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
US12010876B2 (en) 2020-03-18 2024-06-11 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate and manufacturing method thereof, and display device
KR20220005675A (ko) 2020-07-06 2022-01-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 제조하기 위한 마스크
KR20220006689A (ko) * 2020-07-08 2022-01-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법
CN112259582B (zh) * 2020-10-15 2023-01-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及电子设备
KR20220067655A (ko) * 2020-11-17 2022-05-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 전자 기기
KR20220097789A (ko) * 2020-12-31 2022-07-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20230106764A (ko) 2022-01-06 2023-07-14 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170365814A1 (en) 2016-06-16 2017-12-21 Samsung Display Co., Ltd. Display device having improved environmental tolerance

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2356372B1 (de) * 2008-12-11 2016-08-10 OSRAM OLED GmbH Organische leuchtdiode und beleuchtungsmittel
KR101255537B1 (ko) 2010-11-26 2013-04-16 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 그 제조방법
KR20150025994A (ko) 2013-08-30 2015-03-11 엘지디스플레이 주식회사 Oled 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR102105608B1 (ko) * 2013-09-27 2020-04-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 장치와 이의 제조 방법
KR102454664B1 (ko) * 2014-06-25 2022-10-14 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101667800B1 (ko) * 2014-08-29 2016-10-20 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR102391361B1 (ko) * 2015-01-14 2022-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102362189B1 (ko) * 2015-04-16 2022-02-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101763616B1 (ko) 2015-07-29 2017-08-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102430819B1 (ko) * 2015-08-19 2022-08-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102390448B1 (ko) * 2015-08-25 2022-04-26 삼성디스플레이 주식회사 커브드 디스플레이 장치
KR102414110B1 (ko) 2015-09-07 2022-06-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102407869B1 (ko) * 2016-02-16 2022-06-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법
KR102615113B1 (ko) * 2016-05-10 2023-12-19 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치
CN106654046B (zh) * 2016-12-20 2018-08-14 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示面板及其制作方法
CN106935633B (zh) * 2017-05-23 2020-04-21 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示面板的制造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170365814A1 (en) 2016-06-16 2017-12-21 Samsung Display Co., Ltd. Display device having improved environmental tolerance

Also Published As

Publication number Publication date
CN110034239B (zh) 2023-09-19
CN110034239A (zh) 2019-07-19
KR20190076093A (ko) 2019-07-02
US10916603B2 (en) 2021-02-09
US20190198587A1 (en) 2019-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102457583B1 (ko) 표시 장치 및 그것의 제조 방법
KR102465435B1 (ko) 표시 장치
KR102494729B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US9536933B2 (en) Display device having a light emitting layer on the auxiliary layer
US9941340B2 (en) Organic light-emitting diode display including a shielding electrode with reduced crosstalk
KR102621662B1 (ko) 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR101990116B1 (ko) 유기발광장치 및 그것의 제조방법
CN108091672B (zh) 具有高孔径比的大面积超高密度平板显示器
KR102478470B1 (ko) 박막 트랜지스터 기판, 및 유기 발광 표시 장치
CN105742317B (zh) 有机发光显示设备及其制造方法
KR102414078B1 (ko) 표시 장치
KR20150054210A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102351507B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20150083691A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20160032749A (ko) 유기발광표시장치, 유기발광표시패널 및 그 제조방법
JP2018018823A (ja) 有機発光ダイオード表示装置
JP2009244370A (ja) 表示装置及び表示装置の製造方法
KR102096887B1 (ko) 유기발광 표시장치 및 그것의 제조 방법
KR20140047332A (ko) 유기 발광 소자 및 유기 발광 표시 장치
CN106935627A (zh) 显示设备及显示设备的制造方法
KR102358542B1 (ko) 유기발광다이오드 패널 및 유기발광다이오드 표시장치와 그 제조방법
US11398508B2 (en) Thin-film device
CN109979968A (zh) 电致发光显示设备及其制造方法
KR102377173B1 (ko) 유기발광다이오드 표시장치
JP2010161084A (ja) 表示装置及び表示装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant