CN109273510B - 有机自发光二极管显示面板及其制作方法 - Google Patents
有机自发光二极管显示面板及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109273510B CN109273510B CN201811206456.8A CN201811206456A CN109273510B CN 109273510 B CN109273510 B CN 109273510B CN 201811206456 A CN201811206456 A CN 201811206456A CN 109273510 B CN109273510 B CN 109273510B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- barrier layer
- buffer
- display area
- barrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 111
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 11
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 9
- 239000004753 textile Substances 0.000 claims description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 172
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000009510 drug design Methods 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 2
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供一种有机自发光二极管显示面板及其制作方法。所述显示面板包括显示结构和封装结构；所述显示结构包括显示区域和围绕所述显示区域的边缘非显示区域，所述显示区域包括有机自发光二极管层；所述封装结构设置在所述边缘非显示区域上；其中，所述封装结构包括与所述显示区域相连的缓冲带以及覆盖所述显示区域和缓冲带的密封层；所述缓冲带表面具有凹凸不平的立体结构，所述立体结构具有突起部和凹陷部，所述突起部和凹陷部规则排列，且彼此间隔设置。本发明在封装结构上设置缓冲带，所述缓冲带表面具有凹凸不平的立体结构，配合设置在有机缓冲层和无机缓冲层之间的多孔疏水性膜层，防止有机缓冲层溢出阻挡墙，极大地改善封装结构。
Description
技术领域
本发明涉及电子显示领域，尤其涉及一种有机自发光二极管显示面板及其制作方法。
背景技术
目前广泛应用到显示领域的有机自发光二极管显示器OLED屏幕通常采用顶发射(top-emitting)的器件结构，OLED器件由阳极、有机层和阴极组成。其中，有机物层包含空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层。
由于有机发光层和阴极对水和氧气非常敏感，因此防止水氧入侵腐蚀OLED中的有机发光层非常重要。目前通常采用薄膜封装(Thin film encapsulation,TFE)对OLED器件进行保护。对于TFE技术来说，最为重要的是其阻水氧的性能，并在此基础上兼顾TFE膜层的光学穿透以及柔性弯曲等性能。对于OLED器件来说，外界水氧的入侵途径可分为两类：途径一是水氧从上向下直接穿透TFT膜层进入OLED器件内部；途径二是水氧从TFE薄膜的侧面进入侵蚀OLED器件。对于常见的TFE结构，通常是从途径一阻止水氧侵蚀OLED器件，从而导致水氧能够通过途径二进入OLED显示面板侵蚀OLED器件。现有的一种阻隔途径二水氧入侵的方法是通过在OLED器件的***设置无机阻挡层/有机缓冲层/无机阻挡层的三明治结构来阻止水和氧气的入侵。这三层膜层中有机缓冲层在阻水氧性能方面最为薄弱，水氧可以从其中较为容易的通过，因此，在封装结构设计时，需要将有机缓冲层完全包裹在第一无机阻挡层与第二无机阻挡层之间。然而目前对控制有机缓冲层的边界控制还不够完善，很难使其被完全包裹在第一无机阻挡层与第二无机阻挡层之间而不溢出。
发明内容
本发明提供一种有机自发光二极管显示面板及其制作方法，以解决现有技术中的有机自发光二极管显示面中的封装层中的有机层溢出的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供了一种有机自发光二极管显示面板，所述显示面板包括显示结构和封装结构；所述显示结构包括显示区域和围绕所述显示区域的边缘非显示区域，所述显示区域包括有机自发光二极管层；所述封装结构设置在所述边缘非显示区域上；其中，
所述封装结构包括与所述显示区域相连的缓冲带以及覆盖所述显示区域和缓冲带的密封层；
所述缓冲带表面具有凹凸不平的立体结构，所述立体结构具有突起部和凹陷部，所述突起部和凹陷部规则排列，且彼此间隔设置。
根据本发明的其中一个方面，所述封装结构还包括围绕所述缓冲带的至少一圈阻挡墙，所述阻挡墙位于所述密封层下方。
根据本发明的其中一个方面，所述密封层包括直接覆盖所述显示区域和缓冲带的第一阻挡层和位于所述第一阻挡层上方的第二阻挡层。
根据本发明的其中一个方面，所述第一阻挡层为无机薄膜，其材料为氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、氧化硅、氧化铝中的任意一种；所述第二阻挡层为有机薄膜，其材料为聚酯纺织物或氟碳聚合物。
根据本发明的其中一个方面，所述密封层还包括位于所述第二阻挡层上方的第三阻挡层，所述第三阻挡层为无机薄膜，其材料为氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、氧化硅、氧化铝中的任意一种。
根据本发明的其中一个方面，所述密封层还包括位于第一阻挡层和和第二阻挡层之间的第一缓冲层，所述第一缓冲层为具有多孔结构的疏水材料层。
根据本发明的其中一个方面，所述密封层还包括位于第二阻挡层和和第三阻挡层之间的第二缓冲层，所述第二缓冲层为具有多孔结构的疏水材料层。
根据本发明的其中一个方面，所述第一缓冲层和第二缓冲层的材料的水接触角大于140°。
根据本发明的其中一个方面，所述第一缓冲层和第二缓冲层的材料为聚酯纺织物或氟碳聚合物。
相应的，本发明还提供了一种有机自发光二极管显示面板的制作方法，该方法包括以下步骤：
提供基板；
在所述基板上形成显示结构，所述显示结构包括显示区域和围绕所述显示区域的边缘非显示区域，所述显示区域包括有机自发光二极管层；
在所述封装结构包括与所述显示区域相连的区域上设置的缓冲带，所述缓冲带表面具有凹凸不平的立体结构，所述立体结构具有突起部和凹陷部，所述突起部和凹陷部规则排列，且彼此间隔设置；
形成围绕所述缓冲带的阻挡墙；
形成覆盖所述显示区域、缓冲带和阻挡墙的密封层，所述密封层包括直接覆盖所述显示区域、缓冲带和阻挡墙的第一阻挡层、位于所述第一阻挡层上方的第二阻挡层、位于所述第二阻挡层上方的第三阻挡层。
本发明在所述封装结构包括与所述显示区域相连的区域上设置的缓冲带，所述缓冲带表面具有凹凸不平的立体结构，配合设置在有机缓冲层和无机缓冲层之间的多孔疏水性膜层，可以极好地限制有机缓冲层在该区域的流平性能，防止有机缓冲层溢出阻挡墙。通过合理设计下层缓冲带表面的凹槽开口大小和深度，结合改善有机疏水层材料，甚至可以将有机缓冲层完全限制在下层缓冲带的范围内，取消阻挡墙的使用，极大地改善封装结构。
附图说明
图1为现有技术的OLED显示器的俯视图；
图2为现有技术的OLED显示器的AA区到OLED边缘之间的区域的结构示意图；
图3、图4(a)和图4(b)、以及图6(a)和图6(b)至图10(a)和图10(b)为本发明的一个实施例中的有机自发光二极管显示面板的制作方法各个步骤中的OLED显示器的AA区到OLED边缘之间的区域的结构示意图；
图5(a)至图5(f)为本发明的不同实施例中的缓冲带表面的凹凸不平的立体结构的结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
首先对现有技术进行简要说明。参见图1，图1为现有技术的OLED显示器的俯视图，其中，所述OLED器件包括位于中央的可操作区(AA区)、围绕所述AA区的封装阻挡墙(Dam)、以及围绕所述阻挡墙的外层封装区，图1示出了上述三个区域的结构及其边界。
图2为现有技术的OLED显示器的AA区到OLED边缘之间的区域的结构示意图，其中包括玻璃基板100、柔性基底200、薄膜晶体管层301、栅极介质层302、裂纹阻挡层303、第一阻挡墙304a、第二阻挡墙304b、像素定义层305、发光层400、以及封装层500。为了防止TFE工艺中有机缓冲层(ink)溢出限定区域，目前行业内流行的做法是在OLED器件四周做上多圈阻挡墙，对OLED器件而言，未来的发展趋势是边框越做越窄，因此阻挡墙的圈数会越做越少(做到一圈，甚至取消阻挡墙)。由于阻挡墙的主要作用是将密封层中的有机缓冲层限定在AA区到阻挡墙之间，因此，有必要提出一种方法，能够有效的将有机缓冲层限定在指定区域内，从而减小阻挡墙的数目。
为解决上述问题，本发明提供了一种有机自发光二极管显示面板，所述显示面板包括显示结构和封装结构；所述显示结构包括显示区域和围绕所述显示区域的边缘非显示区域，所述显示区域包括有机自发光二极管层；所述封装结构设置在所述边缘非显示区域上；其中，所述封装结构包括与所述显示区域相连的缓冲带以及覆盖所述显示区域和缓冲带的密封层；所述缓冲带表面具有凹凸不平的立体结构，所述立体结构具有突起部和凹陷部，所述突起部和凹陷部规则排列，且彼此间隔设置。
具体的，参见图10(a)和图10(b)，其中，所述显示面板包括玻璃基板100、柔性基底200、薄膜晶体管层301、栅极介质层302、裂纹阻挡层303、像素定义层305、发光层400、以及封装结构。其中，像素定义层305和发光层400定义了显示区域；与像素定义层305相连的缓冲带以及覆盖所述像素定义层305和缓冲带的密封层构成封装结构；优选的，本实施例中，所述封装结构还包括围绕所述缓冲带的至少一圈阻挡墙304，所述阻挡墙304位于所述密封层下方。
所述缓冲带表面具有凹凸不平的立体结构，所述立体结构具有突起部和凹陷部，所述突起部和凹陷部规则排列，且彼此间隔设置。所述凹凸不平的立体结构可以呈柱形凸起，如图10(a)所示，也可以呈三角形凸起，如图10(b)所示。优选的，如图5(a)至图5(f)所示，在不同的实施例中，所述缓冲带表面可以具有不同形状和排列方式的立体结构。
具体的，所述凸起结构和凹陷结构可以为交叉排列的矩形结构，如图5(a)所示，相邻的两个矩形结构分别为突起部和凹陷部，其中，构成突起部的相邻的矩形结构的顶角相连，构成凹陷部的相邻的矩形结构的顶角相连，从而形成凹凸不平的立体结构。
图5(b)中的凸起结构和凹陷结构则是呈条状平行设置，具体的，每一行的凸起结构由相邻的弯月型结构顶角相连构成，多行凸起结构间隔设置，突起部之间的区域则构成凹陷部。
图5(c)中的凸起结构和凹陷结构则是呈条状平行设置，具体的，每一行的凸起结构由相邻的三角形折线结构构成，多行凸起结构间隔设置，突起部之间的区域则构成凹陷部。
图5(d)中的凸起结构和凹陷结构则是呈条状平行设置，具体的，每一行的凸起结构由直线型凸起结构构成，多行凸起结构间隔设置，突起部之间的区域则构成凹陷部。直线型的凸起结构制造工艺简单，但相应的阻挡效果不如上述结构，在实际中可以根据需要选择合适的形状。
图5(e)中的凸起结构为彼此独立的十字型结构，所述十字型结构重复排列构成规律的行列部，突起部之间的区域则构成凹陷部。
图5(f)中的凸起结构和凹陷结构则是呈条状平行设置，具体的，每一行的凸起结构由相邻的矩形折线结构构成，多行凸起结构间隔设置，突起部之间的区域则构成凹陷部。
以上只是示例性的示出了所述凹凸不平的立体结构的几个可能的实现方式，在实际中，所述凹凸不平的立体结构还可以有其他的实现方式，可以根据密封的需要和工艺复杂度以及实施成本选择合适的立体结构。
具体的，参见图10(a)，所述密封层包括直接覆盖所述显示区域和缓冲带的第一阻挡层501和位于所述第一阻挡层上方的第二阻挡层503。所述第一阻挡层501为无机薄膜，其材料为氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、氧化硅、氧化铝中的任意一种；所述第二阻挡层503为有机薄膜，其材料为聚酯纺织物或氟碳聚合物。具体的，所述密封层还包括位于所述第二阻挡层上方的第三阻挡层504，所述第三阻挡层504为无机薄膜，其材料为氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、氧化硅、氧化铝中的任意一种。
优选的，所述密封层还包括位于第一阻挡层501和和第二阻挡层503之间的第一缓冲层502，所述第一缓冲层502为具有多孔结构的疏水材料层。
优选的，在其他实施例中，所述密封层还包括位于第二阻挡层503和和第三阻挡层504之间的第二缓冲层(图中未示出)，所述第二缓冲层为具有多孔结构的疏水材料层。
其中，所述第一缓冲层502和第二缓冲层的材料的水接触角大于140°，优选的，所述第一缓冲层502和第二缓冲层的材料为聚酯纺织物或氟碳聚合物。
本发明在所述封装结构包括与所述显示区域相连的区域上设置的缓冲带，所述缓冲带表面具有凹凸不平的立体结构，配合设置在有机缓冲层和无机缓冲层之间的多孔疏水性膜层，可以极好地限制有机缓冲层在该区域的流平性能，防止有机缓冲层溢出阻挡墙。通过合理设计下层缓冲带表面的凹槽开口大小和深度，结合改善有机疏水层材料，甚至可以将有机缓冲层完全限制在下层缓冲带的范围内，取消阻挡墙的使用，极大地改善封装结构。
相应的，本发明还提供了一种有机自发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
提供基板；
在所述基板上形成显示结构，所述显示结构包括显示区域和围绕所述显示区域的边缘非显示区域，所述显示区域包括有机自发光二极管层；
在所述封装结构包括与所述显示区域相连的区域上设置的缓冲带，所述缓冲带表面具有凹凸不平的立体结构，所述立体结构具有突起部和凹陷部，所述突起部和凹陷部规则排列，且彼此间隔设置；
形成围绕所述缓冲带的阻挡墙；
形成覆盖所述显示区域、缓冲带和阻挡墙的密封层，所述密封层包括直接覆盖所述显示区域、缓冲带和阻挡墙的第一阻挡层、位于所述第一阻挡层上方的第二阻挡层、位于所述第二阻挡层上方的第三阻挡层。
下面将结合附图对上述方法进行详细说明。
参见图3，首先，在干净的玻璃基板100上涂覆柔性材料，经过高温固化等工艺处理得到柔性衬底200，继续完整的薄膜晶体管工艺制程，得到如图3所示的OLED结构示意图。其中，所述显示面板包括玻璃基板100、柔性基底200、薄膜晶体管层301、栅极介质层302、裂纹阻挡层303、阻挡墙304以及像素定义层305。
之后，对阻挡墙304和像素定义层305之间的缓冲带进行光刻，在其表面形成凹凸不平的立体结构，所述立体结构具有突起部和凹陷部，所述突起部和凹陷部规则排列，且彼此间隔设置。所述凹凸不平的立体结构可以呈柱形凸起，如图4(a)所示，也可以呈三角形凸起，如图4(b)所示。优选的，如图5(a)至图5(f)所示，在不同的实施例中，所述缓冲带表面可以具有不同形状和排列方式的立体结构。
之后，在上述结构表面继续形成发光层400，如图6(a)和图6(b)所示。形成发光层400之后，在上述结构上形成密封层。首先，如图7(a)和图7(b)所示，形成直接覆盖所述发光层和缓冲带的第一阻挡层501，所述第一阻挡层501为无机薄膜，其材料为氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、氧化硅、氧化铝中的任意一种。
之后，如图8(a)和图8(b)所示，在所述第一阻挡层501上方形成第一缓冲层502，所述第一缓冲层502为具有多孔结构的疏水材料层。其中，所述第一缓冲层502的材料的水接触角大于140°，优选的，所述第一缓冲层502和第二缓冲层的材料为聚酯纺织物或氟碳聚合物。
之后，如图9(a)和图9(b)所示，在所述第一缓冲层502上形成第二阻挡层503，所述第二阻挡层503为有机薄膜，其材料为聚酯纺织物或氟碳聚合物。
由于第一缓冲层502的材料为聚酯纺织物或氟碳聚合物，其表面结构多孔，具有极强的疏水性能，而第一缓冲层含有很多强极性官能团，具有极强的亲水性。因此使用多孔疏水材料，结合下层缓冲带上形成的凹槽图案，可以极好地限制有机缓冲层在该区域的流平性能，防止有机缓冲层溢出阻挡墙，通过合理设计下层像素定义层的凹槽开口大小和深度，结合改善有机疏水层材料，甚至可以将有机缓冲层完全限制在像素定义层范围内，取消阻挡墙的使用。
之后，如图10(a)和图10(b)所示，在所述第二阻挡层503上方形成第三阻挡层504，所述第三阻挡层504为无机薄膜，其材料为氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、氧化硅、氧化铝中的任意一种。
本发明在所述封装结构包括与所述显示区域相连的区域上设置的缓冲带，所述缓冲带表面具有凹凸不平的立体结构，配合设置在有机缓冲层和无机缓冲层之间的多孔疏水性膜层，可以极好地限制有机缓冲层在该区域的流平性能，防止有机缓冲层溢出阻挡墙。通过合理设计下层缓冲带表面的凹槽开口大小和深度，结合改善有机疏水层材料，甚至可以将有机缓冲层完全限制在下层缓冲带的范围内，取消阻挡墙的使用，极大地改善封装结构。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (9)
1.一种有机自发光二极管显示面板，其特征在于，所述显示面板包括显示结构和封装结构；所述显示结构包括显示区域和围绕所述显示区域的边缘非显示区域，所述显示区域包括有机自发光二极管层；所述封装结构设置在所述边缘非显示区域上；其中，
所述封装结构包括与所述显示区域相连的缓冲带以及覆盖所述显示区域和缓冲带的密封层；
所述缓冲带表面具有凹凸不平的立体结构，所述立体结构具有突起部和凹陷部，所述突起部和凹陷部规则排列，且彼此间隔设置，
所述密封层包括直接覆盖所述显示区域和缓冲带的第一阻挡层、位于所述第一阻挡层上方的第二阻挡层、以及位于第一阻挡层和第二阻挡层之间的第一缓冲层，
所述第一阻挡层为无机薄膜，所述第二阻挡层为有机薄膜，
所述第一阻挡层朝向所述第二阻挡层的表面具有凹凸不平的立体结构。
2.根据权利要求1所述的有机自发光二极管显示面板，其特征在于，所述封装结构还包括围绕所述缓冲带的至少一圈阻挡墙，所述阻挡墙位于所述密封层下方。
3.根据权利要求1所述的有机自发光二极管显示面板，其特征在于，所述第一阻挡层的材料为氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、氧化硅、氧化铝中的任意一种；所述第二阻挡层的材料为聚酯纺织物或氟碳聚合物。
4.根据权利要求3所述的有机自发光二极管显示面板，其特征在于，所述密封层还包括位于所述第二阻挡层上方的第三阻挡层，所述第三阻挡层为无机薄膜，其材料为氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、氧化硅、氧化铝中的任意一种。
5.根据权利要求4所述的有机自发光二极管显示面板，其特征在于，所述第一缓冲层为具有多孔结构的疏水材料层。
6.根据权利要求5所述的有机自发光二极管显示面板，其特征在于，所述密封层还包括位于第二阻挡层和和第三阻挡层之间的第二缓冲层，所述第二缓冲层为具有多孔结构的疏水材料层。
7.根据权利要求6所述的有机自发光二极管显示面板，其特征在于，所述第一缓冲层和第二缓冲层的材料的水接触角大于140°。
8.根据权利要求7所述的有机自发光二极管显示面板，其特征在于，所述第一缓冲层和第二缓冲层的材料为聚酯纺织物或氟碳聚合物。
9.一种有机自发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
提供基板；
在所述基板上形成显示结构，所述显示结构包括显示区域和围绕所述显示区域的边缘非显示区域，所述显示区域包括有机自发光二极管层；
在与所述显示区域相连的区域上设置缓冲带，所述缓冲带表面具有凹凸不平的立体结构，所述立体结构具有突起部和凹陷部，所述突起部和凹陷部规则排列，且彼此间隔设置；
形成围绕所述缓冲带的阻挡墙；
形成覆盖所述显示区域、缓冲带和阻挡墙的密封层，所述密封层包括直接覆盖所述显示区域、缓冲带和阻挡墙的第一阻挡层、位于所述第一阻挡层上方的第二阻挡层、位于所述第二阻挡层上方的第三阻挡层，所述第一阻挡层为无机薄膜，所述第二阻挡层为有机薄膜，所述第一阻挡层朝向所述第二阻挡层的表面具有凹凸不平的立体结构。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811206456.8A CN109273510B (zh) | 2018-10-17 | 2018-10-17 | 有机自发光二极管显示面板及其制作方法 |
| PCT/CN2018/123525 WO2020077839A1 (zh) | 2018-10-17 | 2018-12-25 | 有机自发光二极管显示面板及其制作方法 |
| US16/487,748 US11404666B2 (en) | 2018-10-17 | 2018-12-25 | Organic light emitting diode display panel and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811206456.8A CN109273510B (zh) | 2018-10-17 | 2018-10-17 | 有机自发光二极管显示面板及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109273510A CN109273510A (zh) | 2019-01-25 |
| CN109273510B true CN109273510B (zh) | 2020-04-28 |
Family
ID=65196887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811206456.8A Active CN109273510B (zh) | 2018-10-17 | 2018-10-17 | 有机自发光二极管显示面板及其制作方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11404666B2 (zh) |
| CN (1) | CN109273510B (zh) |
| WO (1) | WO2020077839A1 (zh) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109546006B (zh) * | 2018-12-17 | 2020-09-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled显示面板及其制作方法 |
| CN109841752B (zh) * | 2019-01-29 | 2021-09-28 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN110416434B (zh) * | 2019-08-06 | 2022-01-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN110444692B (zh) * | 2019-08-30 | 2023-07-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN110690262A (zh) * | 2019-10-16 | 2020-01-14 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示面板及其制造方法 |
| CN110752318B (zh) * | 2019-11-28 | 2022-12-06 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板 |
| CN111146211B (zh) * | 2020-01-02 | 2023-04-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 待切割基板、显示面板及微显示芯片 |
| CN111933820A (zh) * | 2020-08-14 | 2020-11-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104900681B (zh) * | 2015-06-09 | 2019-02-05 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及其形成方法 |
| US9997427B2 (en) * | 2016-08-23 | 2018-06-12 | Yang-Chen Chen | Display panel with dam structure |
| CN108281458B (zh) * | 2017-01-03 | 2020-09-22 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 柔性oled显示装置及其制备方法 |
| US10418583B2 (en) * | 2017-02-27 | 2019-09-17 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting device |
| CN206976349U (zh) * | 2017-06-30 | 2018-02-06 | 昆山国显光电有限公司 | Oled显示面板 |
| CN108110147B (zh) * | 2018-01-08 | 2021-02-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电致发光显示面板、其封装方法及显示装置 |
-
2018
- 2018-10-17 CN CN201811206456.8A patent/CN109273510B/zh active Active
- 2018-12-25 US US16/487,748 patent/US11404666B2/en active Active
- 2018-12-25 WO PCT/CN2018/123525 patent/WO2020077839A1/zh active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109273510A (zh) | 2019-01-25 |
| US20210359258A1 (en) | 2021-11-18 |
| WO2020077839A1 (zh) | 2020-04-23 |
| US11404666B2 (en) | 2022-08-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109273510B (zh) | 有机自发光二极管显示面板及其制作方法 | |
| CN109638054B (zh) | 显示面板及制作方法 | |
| CN110444571B (zh) | 显示面板及其制备方法 | |
| KR102576997B1 (ko) | 디스플레이 장치 및 제조 방법 | |
| US7538488B2 (en) | Flat panel display | |
| KR100647339B1 (ko) | 평판표시장치 | |
| EP2863446B1 (en) | Flexible organic light emitting diode display and manufacturing method thereof | |
| US20210359262A1 (en) | Organic light-emitting diode display panel and manufacturing method thereof | |
| US10198974B2 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
| US9825109B2 (en) | Display device | |
| CN109546002B (zh) | 有机电致发光显示面板及显示装置 | |
| KR20140101605A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| US20180031903A1 (en) | Multiple panel substrate, display device and method of manufacturing display device | |
| KR20160031652A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 | |
| US11563064B2 (en) | Array substrate, display device, and method for fabricating an array substrate | |
| CN109300913B (zh) | 阵列基板和显示面板 | |
| KR20060125303A (ko) | 디스플레이장치 및 그 제조방법 | |
| CN110379935B (zh) | 显示面板和显示面板的制作方法 | |
| CN111446381A (zh) | 显示面板及显示终端 | |
| CN110649069B (zh) | 显示面板及显示面板的制作方法 | |
| KR20150064555A (ko) | 유기 발광 장치 | |
| US9865663B2 (en) | Organic light-emitting device | |
| CN111200082B (zh) | 柔性显示基板及柔性显示装置 | |
| KR20050025259A (ko) | Ｅｌ 장치 | |
| US11145697B2 (en) | Organic light emitting display device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |