CN110265459B - 一种显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种显示装置，包括有机封装层，该有机封装层的边界围成的区域为第一区域；第一堤坝，围绕所述显示区域设置，所述第一区域和第一堤坝之间，设置有第二区域；在所述第二区域，设置有第一触控引线；该第一触控引线与基板之间，设置有第一凸起。本发明实施例提供的显示装置，第一触控引线的实际宽度大于在基板上的投影宽度，在占用相同底面积的情况下，本实施例的第一触控引线的电阻大大降低，可以大大提升IC的驱动能力；第一触控引线占用的面积相比现有技术降低，可以将触控引线区域设置得更窄，有利于窄边框化的设计。

Description

一种显示装置
技术领域
本发明涉及显示领域，特别是涉及一种显示装置。
背景技术
显示技术自出现至今，技术发展非常迅速，先后出现了阴极射线管技术(CRT)、等离子体显示技术(PDP)、液晶显示技术(LCD)、以及最新的有机发光显示技术(OLED)、微型二极管显示技术(micro LED)。
随着社会的发展和人类对物质生活需求的不断提高，当今显示技术正在朝着窄边框化、高对比度、高分辨力、全彩色显示、低功耗、可靠性高、高集成度、长寿命以及薄而轻的方向快速迈进，而柔性显示屏(软屏)技术的研究也在不断的进步和深入。与传统的平板显示器不同，显示面板若采用柔性材料作为基板可现实柔性显示，从而能够打造梦幻般的视觉效果。柔性显示面板凭借其可弯曲性能可实现多领域应用，例如可卷曲显示装置、柔性可穿戴设备、可折叠显示器等。
现有技术提供的一种柔性显示屏中，在薄膜封装层上集成触控功能，然而由于触控功能的集成，驱动走线相比单纯显示的显示面板，数量大幅度提升，走线的增多，对于可折叠屏幕越来越薄的要求，对于驱动芯片(IC，Integrated Circuit)的要求越来越高，因此，降低各类金属阻抗的需求越来越高。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种显示装置，包括显示区域和非显示区域，所述显示装置包括：基板；驱动电路层，设置在所述基板上；发光器件层，设置在所述驱动电路层上，所述发光器件层包括：有机发光二极管，包括设置在所述驱动电路层上的第一电极、发光层和第二电极；像素定义层，包括暴露所述第一电极的开口；薄膜封装层，设置在所述发光器件层上，所述薄膜封装层包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，其中所述有机封装层的边界围成的区域为第一区域；触摸感测单元，设置在所述薄膜封装层上，所述触摸感测单元包括、触摸绝缘层和第二触控金属层；第一堤坝，围绕所述显示区域设置，所述第一区域和第一堤坝之间，设置有第二区域；在所述第二区域，设置有第一触控引线；所述第一触控引线与所述基板之间，设置有第一凸起。
本发明实施例提供的显示装置，第一触控引线的实际宽度大于在基板上的投影宽度，在占用相同底面积的情况下，本实施例的第一触控引线的电阻大大降低，可以大大提升IC的驱动能力；第一触控引线占用的面积相比现有技术降低，可以将触控引线区域设置得更窄，有利于窄边框化的设计。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种显示装置的俯视结构示意图；
图2为图1中显示装置的显示区域的剖视结构示意图；
图3为图1中的触控电极结构放大示意图；
图4为图1中沿AA’截面的一种剖视结构示意图；
图5为图1中沿AA’截面的另一种剖视结构示意图；
图6为图1中沿AA’截面的又一种剖视结构示意图；
图7为图6中部分第一触控引线的俯视结构示意图；
图8为图6中部分第一触控引线的另一种俯视结构示意图；
图9为图1中沿AA’截面的又一种剖视结构示意图；
图10为图1中沿AA’截面的又一种剖视结构示意图；
图11为图1中沿BB’截面的一种剖视结构示意图；
图12为图1中沿CC’截面的一种剖视结构示意图；
图13是图1中沿DD’截面的一种剖视结构示意图；
图14是图1中沿DD’截面的另一种剖视结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。
需要说明的是，在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施方式的限制。
图1为本发明实施例提供的一种显示装置的俯视结构示意图，图2为图1中显示装置的显示区域的剖视结构示意图。参照图1和图2，显示装置包括显示区域和非显示区域，其中显示区域包括呈矩阵排列的像素单元阵列，在驱动芯片的控制下，能够实现发光显示。显示区域位于整个显示装置的中心，非显示区域围绕显示区域。显示装置10包括基板100，驱动电路层200，发光器件层300，薄膜封装层400，触摸感测单元500。驱动电路层200设置在基板100上。发光器件层300可以设置在驱动电路层200上，该发光器件层包括多个有机发光二极管，进一步地，有机发光二极管包括第一电极302、发光层306和第二电极308，以及还包括像素定义层304，像素定义层304包括暴露第一电极302的开口。薄膜封装层400设置在发光器件层300上，包括层叠设置的第一无机封装层402、有机封装层404和第二无机封装层406。触摸感测单元500设置在薄膜封装层400上，包括第一触摸金属层502、触摸绝缘层504和第二触摸金属层506。在本发明的其他一些实施例中，在触摸感测单元500上，还可以设置有保护层。
基板100可以是柔性基板，可以包括塑料。例如，基板100可包括聚醚砜(PES)，聚丙烯酸酯(PAR)，聚醚酰亚胺(PEI)，聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)，聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)，聚苯硫醚(PPS)，聚烯丙基酯，聚酰亚胺(PI)，聚碳酸酯(PC)，三乙酸纤维素(TAC)或乙酸丙酸纤维素(CAP)，然而，本发明的示例性实施例不限于此。
显示装置10可以是底部发射型显示器。或者，显示装置10可以是顶部发射型显示器。当显示装置10是向基板100远离薄膜封装层400的一侧表面发光并进行图像显示的底部发射型显示器时，基板100可以包括透明材料。然而，当显示装置10是朝向薄膜封装层400显示图像的顶部发射型显示器时，基板100可以包括不透明材料。基板100可包括柔性不透明金属。当基板100包括金属时，基板100可包括选自铁，铬，锰，镍，钛，钼，不锈钢(SUS)，铬镍铁合金等金属材料的至少一种。然而，本发明的示例性实施例不限于此。基板100可包括金属箔。
驱动电路层200形成在基板100上，驱动电路层包括多个驱动发光二极管进行发光的像素电路，每个像素电路包括至少两个薄膜晶体管和一个电容，例如包括两个薄膜晶体管一个电容(2T1C)，包括五个薄膜晶体管一个电容(5T1C)，或者包括七个薄膜晶体管一个电容(7T1C)。并且该至少两个薄膜晶体管和一个电容中包括一个驱动晶体管，该驱动晶体管的漏极与有机发光二极管的阳极电连接，控制有机发光二极管的显示。图2中为了更清楚地示意本发明的膜层结构，示出了两个像素，每个像素中仅示意出一个与有机发光二极管连接的薄膜晶体管。
参考图2所示，薄膜晶体管250形成在基板100上。薄膜晶体管250可以包括有源层2021，栅电极2061，源电极2101和漏电极2102。
有源层2021可以包括诸如硅的无机半导体。或者，有源层202可以包括有机半导体。有源层2021可以包括源区，漏区和沟道区。沟道区可以设置在源区和漏区之间。作为示例，当有源层2021包括多晶硅时，可以首先在基板100的基本整个表面上形成非晶硅层，得到的结构可以被结晶形成多晶硅层。多晶硅层可以被图案化。源区和漏区可以掺杂有杂质，源区和漏区可以在多晶硅层的边缘掺杂杂质。由此形成包括源区，漏区和设置在源区和漏区之间的沟道区的有源层2021。
栅极绝缘层204形成在有源层2021上。栅极绝缘层204被配置为使栅电极2061与有源层2021绝缘。栅极绝缘层204可以包括诸如SiNx或SiO2的无机材料，需要说明的是，本发明的示例性实施例不限于此。
栅电极2061形成在栅极绝缘层204的预定区域上。栅电极2061可以连接到栅极线。栅极线可以将栅极驱动信号传输到薄膜晶体管250。栅电极2061可以包括Au，Ag，Cu，Ni，Pt，Pd，Al或Mo或诸如Al：Nd或Mo：W合金的合金。然而，本发明的示例性实施例不限于此，根据需要，栅电极2061可包括其他各种材料。并且，在本发明的实施例中，与栅电极同层的金属，还可以包括位于非显示区域的信号驱动线、位于显示驱动的发光信号线等其他元件。本发明的实施例中，栅电极位于第一金属层。
层间绝缘层208形成在栅电极206上。层间绝缘层208可以使栅电极2061与源电极2101和漏电极2102绝缘。层间绝缘层208可以包括诸如SiNx或SiO2的无机材料，同样地，本发明的示例性实施例不限于此。
源电极2101和漏电极2102可以形成在层间绝缘层208上。层间绝缘层208和栅极绝缘层204包括暴露有源层2021的源区和漏区的过孔。源电极2101和漏电极2102通过过孔分别与有源层2021的暴露的源区和漏区直接接触。
源电极2101和漏电极2102可以包括选自Al，Pt，Pd，Ag，Mg，Au，Ni，Nd，Ir，Cr，Li，Ca，Mo，Ti，W和Cu中的至少一种或者几种。源电极2101和漏电极2102可以具有单层结构或者多层结构。并且，在本发明的实施例中，源电极和漏电极位于第二金属层，与源电极和漏电极同层的金属，还可以包括位于非显示区域的引脚、位于显示驱动的数据线和电源信号线等其他元件。引脚可以与数据线或者其他信号线电连接，将来自于外部驱动电路的信号传递至数据线，数据线与漏电极电连接，因此将来自外部的驱动信号传递至薄膜晶体管250。本实施例中。
图2示出了顶栅型薄膜晶体管，其依次包括有源层2021，栅电极2061，源电极2101和漏电极2102。然而，本发明的示例性实施例不限于此。例如，栅电极可以设置在有源层下方。
薄膜晶体管250可以电连接到有机发光二极管350。薄膜晶体管250将信号传输到有机发光装置有机发光二极管350，该信号可以用于驱动有机发光装置进行显示。薄膜晶体管250上可以覆盖有平坦化层216，可以保护薄膜晶体管250免受外部影响，并且可以保证驱动电路层具有一个较为平坦的表面，有利于后续器件的制备。
平坦化层216可以包括无机绝缘层和/或有机绝缘层。无机绝缘层可包括SiO2，SiNx，SiON，Al2O3，TiO2，Ta2O5，HfO2，ZrO2或BST(钛酸锶钡，Barium Strontium Titanate)，然而，本发明的示例性实施例不限于此。当平坦化层包括有机绝缘时，有机绝缘层可包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，聚苯乙烯(PS)，酚基聚合衍生物，丙烯醛基聚合物，酰亚胺基聚合物，芳醚基聚合物，酰氨基聚合物，氟基聚合物，对二甲苯基聚合物，乙烯醇基聚合物，或其任何组合，然而，本发明的示例性实施例不限于此。平坦化层216可以具有复合堆叠结构，复合堆叠结构可以包括无机绝缘层和/或有机绝缘层。本实施例中以平坦化层216为有机材料进行示意。
在本发明的其他一些实施例中，在基板100和驱动电路层200之间，还可以设置第一缓冲层。第一缓冲层可以减少杂质穿过基板100而渗透进入驱动电路层200。并且第一缓冲层可以整体覆盖基板100，从而形成平坦的表面。因此，第一缓冲层可以包括能够形成平坦表面的材料。例如，第一缓冲层可以包括无机材料，例如氧化硅，氮化硅，氮氧化硅，氧化铝，氮化铝，氧化钛或氮化钛。当然第一缓冲层还可以包括有机材料，例如聚酰亚胺，聚酯或丙烯酸等。第一缓冲层可以为单层结构也可以为多层结构，当第一缓冲层为多层结构时，其包括的多层结构可以选自任意上述无机材料或者有机材料的组合。
发光器件层300可以形成在平坦化层216上，即驱动电路层200上，发光器件层包括多个有机发光二极管350和像素定义层304，其中有机发光二极管350包括第一电极302、发光层306和第二电极308。
第一电极302形成在平坦化层216上，并且通过平坦化层216上暴露出部分漏电极2102的过孔电连接到漏电极2102。第一电极302可以是反射电极，透射电极或半透射电极。当第一电极302是反射电极时，第一电极302可以包括反射层，该反射层包括Ag，Mg，Al，Pt，Pd，Au，Ni，Nd，Ir，Cr或它们的任意组合，然而，本发明的示例性实施例不限于此。当第一电极302是透射电极或半透射电极时，第一电极302可以分别包括透射电极层或半透射电极层。透射电极层或半透射电极层可以形成在反射层上。透射电极层或半透射电极层可包括氧化铟锡(ITO)，氧化铟锌(IZO)，氧化锌(ZnO)，氧化铟(In2O3)，氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)，然而，本发明的示例性实施例不限于此。
发光层306包括低分子量有机材料或者高分子量有机材料。并且发光层306可以至少包括空穴传输层(HTL)，空穴注入层(HIL)，电子传输层(ETL)或电子注入层(EIL)的至少一层。在显示装置10中，在显示区域包含呈阵列排布的多个第一电极302，每个第一电极302对应一个发光像素，像素定义层304覆盖相邻的第一电极302之间的缝隙，并且部分覆盖第一电极302的边缘，且形成有多个暴露出多个第一电极302的开口，发光层306对应每个像素定义层304的开口形成。
第二电极308可以是透射电极或半透射电极，第二电极308覆盖多个发光层306和像素定义层304。第二电极308可以包括金属薄膜，金属薄膜可以包括Li，Ca，LiF/Ca，LiF/Al，Al，Ag，Mg或其化合物，其可以具有相对低的功函数。在金属薄膜上还可以形成辅助电极层或汇流电极，辅助电极层或汇流电极可包括用于形成透射电极的材料，例如ITO，IZO，ZnO或In2O3，然而，本发明的示例性实施例不限于此。
第二电极308可以透射从发光层306发射的光，此时，显示装置10为顶部发射型显示器，当然显示装置10也可以是底部发射型显示器，从发光层发射的光可以朝向基板100发射。在这种情况下，第一电极302可以包括透射电极或半透射电极，并且第二电极308包括反射电极。
像素定义层304包括绝缘材料，像素定义层304设置在第一电极302上。像素定义层304可以包括至少一种有机绝缘材料，包括聚酰亚胺，聚酰胺，丙烯酸树脂，苯并环丁烯或酚醛树脂，然而，本发明的示例性实施例不限于此。像素定义层304可以通过旋涂形成，像素定义层304可以暴露第一电极302的预定区域。
薄膜封装层400形成在第二电极308上，薄膜封装层400可以包括层叠设置的第一无机封装层402、有机封装层404和第二无机封装层406。薄膜封装层400可以基本上覆盖整个发光器件层200和驱动电路层100，并暴露出部分必要的连接引脚，例如数据线引脚、驱动信号引脚等。薄膜封装层400可以减少或消除水和氧从外部渗透到发光器件层300中。薄膜封装层400的面积可以大于发光器件层300的面积。因此，薄膜封装层400的边缘部分可以与基板100直接接触，覆盖发光器件层300的边缘，可以减少或消除来自外部的空气中水和氧的渗透。
本实施例中，薄膜封装层可以包括3个封装层，即第一无机封装层402、有机封装层404和第二无机封装层406。在本发明的其他实施例中，薄膜封装层可以包括n个封装层，其中n是1或更大的整数。n个封装层可以各自包括有机层和无机层。有机层和无机层可以顺序堆叠在发光器件层300上。
第一无机封装层402和第二无机封装层406可以包括氮化物，氧化物，氮氧化物、硝酸盐，碳化物或其任何组合。例如，第一无机封装层402和第二无机封装层406可以包括氮化硅，氮化铝，氮化锆，氮化钛，氮化铪，氮化钽，氧化硅，氧化铝，氧化钛，氧化锡，氧化铈，硝酸硅、氮氧化硅或其任何组合。
有机封装层404包括但不限于腈纶、六甲基二硅氧烷、聚丙烯酸酯类、聚碳酸脂类、聚苯乙烯等用于缓冲器件在弯曲、折叠时的应力以及颗粒污染物的覆盖。有机封装层404可以通过打印方式或者，为了控制有机封装层打印时避免流动造成面积无法控制，可以使得打印面积稍小于第一无机封装层和第二无机封装层的面积。第一无机封装层402和第二无机封装层406可以大于有机封装层404因此，第一无机封装层402和第二无机封装层406可以在外边缘处彼此直接接触。由于无机封装层的主要作用为水和氧的阻隔，而有机封装层的主要作用为应力的吸收和污染颗粒的覆盖，因此，采用无机封装层将有机封装层全面包封的结构，可以进一步从显示装置10的侧边进一步提升封装效果，可以减少或消除来自外部的氧气或水的渗透。
进一步得，由于有机封装层404通过喷墨打印得到，因此，可以在显示区域外形成堤坝结构，来限定有机封装层404的外部边缘，堤坝结构可以是由平坦缓冲216、像素定义层304和隔垫物同层的至少一层材料形成。当然，在本发明的其他实施例中，堤坝结构并不一定是必要结构，还可以控制有机封装层在喷墨打印过程中打印材料的浓度、喷嘴的位置等条件来控制其边缘范围。本实施例中，以有机封装层404的边界围成的区域定义为第一区域A1，第一区域A1的位置与显示区域正对，并且第一区域A1的面积等于显示区域的面积，或者第一区域A1的面积稍大于显示区域的面积，即，在本实施例中，第一区域A1和显示区域在基板100上的投影，显示区域的投影会落在第一区域A1的投影中。围绕显示区域，设置有第一堤坝B1和第二堤坝B2，其中，定义靠近显示区域的堤坝为第一堤坝B1，远离显示区域的堤坝为第二堤坝B2，第一区域A1和第一堤坝B1之间，还存在第二区域A2，在第二区域A2中，至少设置有第一触控引线5064。
第一无机封装层402和第二无机封装层406的厚度可以在大约30纳米至大约500纳米的范围内，本实施例中，第一无机封装层402和第二无机封装层406可以通过先形成材料层再进行薄化的过程制得，在保证封装性能的同时，进一步对显示装置10的薄型化做出了贡献。然而，本发明的示例性实施例不限于此。第一无机封装层402和第二无机封装层406还可以是如同现有技术中直接形成无机层而不进行薄化的过程制备的，第一无机封装层402和第二无机封装层406的厚度可以为50纳米至300纳米的范围内，在此范围内，可以提供较好的封装性能和水氧阻隔性能。并且减薄后的无机封装层，可以更有利于提高弯折性能。
有机封装层404可以平坦化高度差。在薄膜封装层400之下的膜层中，像素限定层304在形成不同像素开口的同时，也产生不同的高度段差，有机封装层404可以对此高度段差起到平坦化的作用。有机封装层404还可以减小由第一无机封装层402和第二无机封装层406产生的应力。在制备显示装置的过程中，在第一无机封装层之后，可能有杂质颗粒残留，此时有机封装层404可以将这些残留杂质进行覆盖，起到平坦化，避免残留杂质影响封装性能。
有机封装层404的厚度可以在约1微米至约8微米的范围内，当有机封装层404的厚度在该范围内时，有机封装层404下部膜层可以被充分平坦化。
在本发明的其他实施例中，当有机封装层的数量为两个或更多时，该至少两个有机层的厚度可以彼此基本相同或不同。
根据本发明的示例性实施例，有机封装层404可以分别比第一无机封装层402和第二无机封装层406更厚。
在本发明的其他一些实施例中，在发光器件层300和薄膜封装层400之间，还可以设置有第二缓冲层。第二缓冲层可以减少杂质穿过薄膜封装层400而渗透进入发光器件层300。第二缓冲层可以包括能够形成平坦表面的材料。例如，第二缓冲层可以包括无机材料，例如氧化硅，氮化硅，氮氧化硅，氧化铝，氮化铝，氧化钛或氮化钛。当然第二缓冲层还可以包括有机材料，例如聚酰亚胺，聚酯或丙烯酸等。第二缓冲层可以为单层结构也可以为多层结构，当第二缓冲层为多层结构时，其包括的多层结构可以选自任意上述无机材料或者有机材料的组合。第二缓冲层可以和第一无机封装层402和第二无机封装层406采用相同的材料和工艺制备形成，即整面形成并薄化，在此不再赘述，薄化后的第二缓冲预备层可以为30纳米至300纳米。
在本发明的其他一些实施例中，在第二缓冲层和第一无机封装层之间，还可以设置有原子层沉积层。采用原子层沉积技术，将物质以单原子膜形式一层一层地镀在基底表面，即第二缓冲层上。在形成原子沉积层时，可以采用氧化物介电层，例如Al2O3，TiO2，ZrO2，HfO2，Ta2O5，Nb2O5，Y2O3，MgO，CeO2，SiO2，La2O3，SrTiO3，BaTiO3。由于在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，因此当最终形成的显示装置包括原子层沉积层时，第二缓冲层优选LiF，以和原子层沉积层的晶格相匹配。
在本发明的其他一些实施例中，薄膜封装层可以仅包括第二缓冲层，原子层沉积层，第一无机薄膜封装层，而不包括有机封装层和第二无机薄膜封装层。
触摸感测单元500形成在薄膜封装层400上。触摸感测单元500可以是静电电容型触摸屏。结合参考图1和图2，触摸感测单元500包括第一触控电极550和第二触控电极560，第一触控电极550和第二触控电极560绝缘交叉排列，当手指触碰到触摸感测单元时，触摸位置处的第一触控电极550和第二触控电极560之间的静电电容可以改变。当检测到静电容量的变化时，可以计算出触摸的位置。下面将参考图1、2和图3更详细地描述根据本发明示例性实施例的触摸感测单元。图3为图1中的触控电极结构放大示意图。
参见图1、图2和图3，触摸感测单元包括第一触摸金属层502，第一触摸金属层502包括多个第一连接部5021。触摸感测单元500还包括第二触摸金属层506，第二触摸金属层506包括多个第一触摸电极块5061、多个第二触摸电极块5062、多个第二连接部5063、多条第一触控引线5064，多条第二触控引线5065，多个触控引脚，以及多个冗余电极5067。在第一触摸金属层502和第二触摸金属层506之间，还设置有触摸绝缘层504。触摸绝缘层504上设置有多个暴露出部分第一连接部5021的第一过孔。
多个沿第一方向排列第一触摸电极块5061通过第一过孔，与第一连接部5021电连接，形成第一触控电极550，多个第一触控电极沿第一方向延伸，沿第二方向排列。多个沿第二方向排列的第二触摸电极块5062通过与第二触摸电极块同层的第二连接部5063电连接，形成第二触控电极560，多个第二触控电极沿第二方向延伸，沿第一方向排列。第一触控电极550通过第一触控引线5064连接到触控引脚，第二触控电极560通过第二触控引线5065连接到触控引脚2105。触控引脚2105位于第二触控金属层。在本发明的其他一些实施例中，触控引脚还可以位于第一金属层，或者第三金属层或者第一触摸金属层、第二触摸金属层。
第一触摸电极块5061和第二触摸电极块5062呈网格结构，且该网格结构和像素定义层304相对应。即在垂直于基板100的方向上，第一触摸电极块5061和第二触控电极块5062的网格金属线位于像素定义层的投影范围内。金属网格的镂空区域可以暴露出有机发光层，从而金属网格不遮挡显示。
第一触控电极550和第二触控电极560彼此电绝缘。根据本发明的示例性实施例，第一触控电极550和第二触控电极560的延伸方向大致垂直。
在相邻的第一触控电极550和第二触控电极560之间，还可以设置有冗余电极5067，冗余电极也为金属线结构或者网格结构，冗余电极5067的位置与像素定义层304相对应，即在垂直于基板100的方向上，冗余电极5067的网格金属线位于像素定义层的投影范围内。
第一触摸电极块5061、第二触控电极块5062和冗余电极均包括多条金属线，金属线可包括选自铜，铝，钼和银中的至少一种，其可具有相对高的导电性。当第一触摸电极块5061、第二触控电极块5062以网格图案形成时，可以提高第一触控电极550和第二触控电极560的柔性。因此，当触摸感测单元500弯曲以具有相对小的曲率时，可以减少或消除多个第一触控电极550和第二触控电极560中的裂缝的发生。
由于网格图案，多个第一触控电极550和第二触控电极560可以具有相对高的透光率。因此，多个第一触控电极550和第二触控电极560诸如ITO的透射电极相比，金属可以具有相对高的导电率。因此，静电电容的变化可以相对快速地传递到驱动电路，这可以增加触摸感测单元500的响应速率。
在第一触摸金属层502和第二触摸金属层506之间设置有触摸绝缘层504，触摸绝缘层具有暴露出部分第一连接部5021的第一过孔。第一连接部5021和第一触摸电极块5061通过第一过孔实现电连接。触摸绝缘层可以为无机材料，可包括选自氮化硅，氮化铝，氮化锆，氮化钛，氮化铪，氮化钽，氧化硅，氧化铝，氧化钛，氧化锡，氧化铈和氮氧化硅中的至少一种，然而，本发明实施例并不以此为限。
在本发明的一些实施例中，第一触摸金属层可以位于触摸绝缘层的靠近基板100的一侧，在本发明的其他一些实施例中，第一触摸金属层还可以位于触摸绝缘层的远离基板100的一侧表面上。即在本发明的其他一些实施例中，第一触摸电极块5061、多个第二触摸电极块5062、多个第二连接部5063、多条第一触控引线5064，多条第二触控引线5065，多个触控引脚5066，以及多个冗余电极5067位于触摸绝缘层的靠近基板100的一侧，仅第一连接部5021位于触摸绝缘层504的远离基板100的一侧。在本发明的其他一些实施例中，也可以是第一触摸电极块和第一连接部位于触摸绝缘层的一侧，第二触摸电极块和第二连接部位于触摸绝缘层的另一侧，此时第一触摸电极块可以直接与第一连接部连接，第二触摸电极块和第二连接部直接连接，此时可以省略触摸绝缘层的过孔。
在本发明的其他一些实施例中，在薄膜封装层400触摸感测单元500之间，还可以设置有第三缓冲层。第三缓冲层可以直接形成在薄膜封装层400的第二无机封装层406上，可以替代现有技术中触控基板和显示基板之间的粘附层，减小显示装置10的厚度。第三缓冲层可以包括能够形成平坦表面的材料。例如，第三缓冲层可以包括无机材料，例如氧化硅，氮化硅，氮氧化硅，氧化铝，氮化铝，氧化钛或氮化钛。当然第三缓冲层还可以包括有机材料，例如聚酰亚胺，聚酯或丙烯酸等。第三缓冲层可以为单层结构也可以为多层结构，当第三缓冲层为多层结构时，其包括的多层结构可以选自任意上述无机材料或者有机材料的组合。第三缓冲层可以通过气相趁机直接形成在薄膜封装层上。
在触摸感测单元上，还可以设置有保护层，保护层覆盖触摸感测单元500，可以防止将多个第一触控电极550和第二触控电极560以及第一触控引线和第二触控引线暴露到外部。保护层可以包括有机材料或无机材料。当保护层为无机材料时，无机材料可包括选自氮化硅，氮化铝，氮化锆，氮化钛，氮化铪，氮化钽，氧化硅，氧化铝，氧化钛，氧化锡、氧化铈和氮氧化硅中的至少一种，然而，本发明的示例性实施例不限于此。当保护层为有机材料时，可包括选自丙烯酸基树脂，甲基丙烯酸基树脂，聚异戊二烯，乙烯基树脂，环氧类树脂，氨基甲酸酯类树脂，聚二甲基硅氧烷，聚酰亚胺，丙烯酸酯，聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯和纤维素类树脂中的至少一种。然而，本发明的示例性实施例不限于此。
在本发明的一些实施例中，在像素定义层216上，还可以设置有隔垫物层，隔垫物层在显示区的各个发光像素之间形成有隔垫柱，隔垫柱用于在蒸镀阶段对掩膜版进行支撑，隔垫物层可以由有机材料形成。
请继续参考图4，图4为图1中沿AA’截面的一种剖视结构示意图。结合参考图1和图4，在本发明的一个实施例中，在第一区域A1和第一堤坝B1之间，形成有第二区域A2，在第二区域A2至少设置有第一触控引线5064。第一触控引线5064与基板100之间，设置有第一凸起2165。第一触控引线5064在基板100上的投影覆盖第一凸起2165在基板100上的投影。本实施例中，第一凸起2165在垂直于第一触控引线延伸方向的平面上的剖视结构为梯形，其剖视结构靠近基板100的一边的宽度大于远离基板100的一边的宽度。第一触控引线5064对应第一凸起2165的结构，包括覆盖顶边的第一部分和覆盖斜边的第二部分。由于第一触控引线除了平行于基板100的第一部分，还包括对应第一凸起的斜边的第二部分，因此，第一触控引线的实际宽度为第一部分的宽度与第二部分的宽度之和，其实际宽度大于在基板100上的投影宽度。因此，相比现有技术中，仅设置在一个平面上的第一触控引线的技术方案，在占用相同底面积的情况下，本实施例的第一触控引线的电阻大大降低。具体地，本实施例中，第一凸起可以由平坦化层216同层的材料制成，平坦化层216的厚度约为1um，当设置第一突起斜边的倾斜角为45°时，当第一引线对应在基板100上的投影的宽度为7um时，其实际有效宽度(第一部分和第二部分的宽度和)可以达到约7.8um，宽度提升11.4％，阻抗降低约11％，可以大大提升IC的驱动能力。当第一引线对应在基板100上的投影的宽度为5um时，其实际有效宽度可以达到约5.8um，宽度提升16％，阻抗降低约15％。从另一个方面来说，当采用本实施例的设计，使得第一触控引线5064的阻抗和现有设计的阻抗相当的时候，第一触控引线占用的面积可以大大降低，可以将触控引线区域设置得更窄，有利于窄边框化的设计。
需要说明的是，本实施例中，在第一触控引线5064和第一凸起2165之间，还设置有第一无机封装层402和第二无机封装层406。由于第一无机封装层和第二无机封装层对整个显示面板进行封装，以阻隔水氧，因此在整个显示面板除引脚区域，都需设置无机封装层。由于第一无机封装层402和第二无机封装层406为无机材料，其厚度较薄，因此，在第一凸起2165上，虽覆盖有无机封装层，但是仍旧可以保持第一凸起2165的凸起形状。第一无机封装层402和第二无机封装层406同时覆盖第一堤坝B1和第二堤坝B2。本实施例中，第一堤坝B1和第二堤坝B2可以由和平坦化层216、像素定义层304和隔垫物层305同层的材料形成。具体的，第一堤坝包括第一子层2161、第二子层3041和第三子层3051，第二堤坝B2包括第四子层2162、第五子层3042和第六子层3052。
在本实施例中，是以第一凸起2165和平坦化层216同层为例进行说明的，在本发明的其他实施例中，第一凸起2165可以是和像素定义层304同层设置，或者和隔垫物层305同层设置的，或者，还可以是利用平坦化层216、像素定义层304和隔垫物层305中的至少两层或者三层形成的。
在本实施例中，在第一区域A1中，还设置有位于第一金属层的第一信号引线2062和位于第二金属层210的第二信号引线2103。第一信号引线和第二信号引线可以为栅极驱动信号线、时钟信号线、驱动信号线、高电平信号线、低电平信号线等各种信号线。第二信号引线2103还可以是阴极信号总线，第二电极308通过孔连接到阴极信号总线。
请继续参考图5，图5为图1中沿AA’截面的另一种剖视结构示意图。结合参考图1和图5，在本发明的一个实施例中，在第一区域A1和第一堤坝B1之间，形成有第二区域A2，在第二区域A2至少设置有第一触控引线5064。第一触控引线5064与基板100之间，设置有第一凸起2165。本实施例中，第一凸起2165在垂直于第一触控引线延伸方向的平面上的剖视结构为梯形，其剖视结构靠近基板100的一边的宽度大于远离基板100的一边的宽度。第一触控引线5064对应第一凸起的顶面以及相邻的第一凸起之间设置。利用第一凸起2165的斜面段差，可以增大相邻的设置在第一凸起2165顶面和第一凸起2165之间的两条第一触控引线5064之间的距离，保证相邻的两条第一触控引线5064之间的绝缘。因此，相比现有技术中，仅设置在一个平面上的第一触控引线的技术方案，在保证第一触控引线的有效宽度相等的情况下，本实施例的相邻的两条第一触控引线之间的水平距离(平行于基板100的平面上的距离)可以大大缩短，可以将触控引线区域设置得更窄。
具体地，本实施例中，第一凸起可以由平坦化层216同层的材料制成，平坦化层216的厚度约为1um，当设置第一突起斜边的倾斜角为45°时，当第一引线有效宽度为7um时，相邻的两条第一触控引线5064的平均节距(在平行于基板平面内的借据)为8.5um，相比现有技术中将触控引线设置在一个平面内，两条相邻的触控引线之间需要设置6um的间距，其节距为13um，触控引线区域可以节省面积40％。从另一个方面来说，当本实施例中相邻的两条触控引线之间的节距和现有的触控引线的节距保持相同水平的时候，可以将第一触控引线5064设置得尽量宽，从而大大降低阻抗。
需要说明的是，本实施例中，在第一触控引线5064和第一凸起2165之间，还设置有第一无机封装层402和第二无机封装层406。第一堤坝B1包括第一子层2161、第二子层3041和第三子层3051，第二堤坝B2包括第四子层2162、第五子层3042和第六子层3052。在第一区域A1中，还设置有位于第一金属层的第一信号引线2062和位于第二金属层210的第二信号引线2103。本实施例与图4所示实施例相同的结构部分不再详细赘述。
同样的，在本发明的其他实施例中，第一凸起2165可以是和像素定义层304同层设置，或者和隔垫物层305同层设置的，或者，还可以是利用平坦化层216、像素定义层304和隔垫物层305中的至少两层或者三层形成的。
请继续参考图6，图6为图1中沿AA’截面的又一种剖视结构示意图。结合参考图1和图4，在本发明的一个实施例中，在第一区域A1和第一堤坝B1之间，形成有第二区域A2，在第二区域A2至少设置有第一触控引线5064。第一触控引线5064与基板100之间，设置有第一凸起2165。第一触控引线5064在基板100上的投影覆盖第一凸起2165在基板100上的投影。本实施例中，第一凸起2165在垂直于第一触控引线延伸方向的平面上的剖视结构为梯形，其剖视结构靠近基板100的一边的宽度大于远离基板100的一边的宽度。第一触控引线5064对应第一凸起2165的结构，包括覆盖顶面的第一部分和覆盖斜边的第二部分。由于第一触控引线除了平行于基板100的第一部分，还包括对应第一凸起的斜边的第二部分，因此，第一触控引线的实际宽度为第一部分的宽度与第二部分的宽度之和，其实际宽度大于在基板100上的投影宽度。因此，相比现有技术中，仅设置在一个平面上的第一触控引线的技术方案，在占用相同底面积的情况下，本实施例的第一触控引线的电阻大大降低。
进一步地，在本实施例中，靠近第一堤坝的第一凸起5064，在基板100上的投影的宽度，大于远离第一堤坝的第一凸起5064在基板100上的投影的宽度。结合参考图1和图6，可知为了避免各第一触控引线5064纵横交错，一般最靠近第一区域A1，也即最靠近显示区域的第一触控引线5064，相比远离显示区域，也即靠近第一堤坝B1的第一触控引线5064更短，当第一触控引线5064的宽度、厚度、材料相等的时候，引线越短，阻抗越小。因此，为了平衡不同长度的第一触控引线5064的阻抗，可以设置靠近第一堤坝的第一凸起2165在基板100上的投影宽度，大于远离第一堤坝的第一凸起2165在基板100上的投影的宽度。也即，设置靠近第一区域的第一凸起在基板100上的投影宽度，小于远离第一区域的第一凸起2165在基板100上的投影的宽度。同时，靠近第一区域的第一触控引线5064在基板100上的投影宽度，小于远离第一区域的第一触控引线5064在基板100上的投影的宽度。
具体地，请参考图7，图7为图6中部分第一触控引线的俯视结构示意图。第一触控引线包括与第一凸起的上底面对应的第一部分5064a和与第一凸起的斜面对应的第二部分5064b。在相邻的两条第一触控引线中，靠近第一区域的一条第一触控引线，在基板100上的投影的宽度为W1，远离第一区域的一条触控引线，在基板100上的投影的宽度为W2，其中W1小于W2。通过设置不同的宽度的第一凸起，也即第一触控引线在垂直于延伸方向上的宽度，可以平衡不同长度的第一触控引线之间的阻抗不平衡。
需要说明的是，本实施例中，在第一触控引线5064和第一凸起2165之间，还设置有第一无机封装层402和第二无机封装层406。第一堤坝B1包括第一子层2161、第二子层3041和第三子层3051，第二堤坝B2包括第四子层2162、第五子层3042和第六子层3052。在第一区域A1中，还设置有位于第一金属层的第一信号引线2062和位于第二金属层210的第二信号引线2103。本实施例与图4所示实施例相同的结构部分不再详细赘述。
同样的，在本发明的其他实施例中，第一凸起2165可以是和像素定义层304同层设置，或者和隔垫物层305同层设置的，或者，还可以是利用平坦化层216、像素定义层304和隔垫物层305中的至少两层或者三层形成的。
在本发明的其他一些实施例中，还可以通过设置不同的第一触控引线包括不同长度的第二部分来平衡不同的第一触控引线之间的阻抗。请参考图8，图8为图6中部分第一触控引线的另一种俯视结构示意图。图8中，图示左边的一条第一触控引线为靠近第一区域的一条第一触控引线，图示右边的一条第一触控引线为远离第一区域的一条第一触控引线。图示两条第一触控引线均包括对应第一凸起的上底面设置的第一部分5064a。靠近第一区域的第一触控引线，包括对应第一凸起的斜面设施的第二部分，且其第二部分在其延伸方向上的长度为L1；远离第一区域的第一触控引线，包括对应第一凸起的斜面设置的第二部分5064b，且其第二部分在其延伸方向上的长度为L2，其中L1小于L2。当这两条第一触控的第一部分和第二部分在基板上的投影宽度相同的时候，由于L1小于L2，因此，靠近第一区域的第一触控引线的单位长度的阻抗，小于远离第一区域的第一触控引线的单位长度的阻抗。由于靠近第一区域的第一触控引线的长度小于远离第一区域的第一触控引线的长度，因此，通过设置不同长度的第二部分，可以平衡不同长度的第一触控引线之间的阻抗。进一步的，相邻的第一触控引线的第二部分，可以错开设置。如图8所示，左侧第一触控引线的第二部分和右侧第一触控引线的第二部分错开设置，通过错开设置的第二部分，相邻两条第一触控引线之间的距离可以进一步缩短，以利于窄边框化设计。
请继续参考图9，图9为图1中沿AA’截面的又一种剖视结构示意图。结合参考图1和图9，在本发明的一个实施例中，在第一区域A1和第一堤坝B1之间，形成有第二区域A2，在第二区域A2至少设置有第一触控引线5064。第一触控引线5064与基板100之间，设置有第一凸起2165。第一触控引线5064在基板100上的投影覆盖第一凸起2165在基板100上的投影。
本实施例中，在第一凸起2165上，还设置有第二凸起3042，第一凸起2165和第二凸起3042层叠设置，并且第二凸起3042在基板100上的投影，落在第一凸起2165在基板100上的投影范围内，第一凸起和第二凸起的边缘形成一台阶。第一凸起2165和第二凸起3042在垂直于第一触控引线延伸方向的平面上的剖视结构为梯形，其剖视结构靠近基板100的一边的宽度大于远离基板100的一边的宽度。
第一触控引线5064包括对应第一凸起2165的斜面、对应第一凸起的至少部分顶面、对应第二凸起3042的斜面、对应第二凸起3042的顶面的多个部分，因此，第一触控引线的实际宽度为各部分的宽度之和，其实际宽度大于在基板100上的投影宽度。因此，相比现有技术中，仅设置在一个平面上的第一触控引线的技术方案，在占用相同底面积的情况下，本实施例的第一触控引线的电阻大大降低。具体地，本实施例中，第一凸起可以由平坦化层216同层的材料制成，平坦化层216的厚度约为1um，第二凸起可以由像素定义层304同层的材料制成，像素定义层304的厚度为1um，当设置第一突起斜边和第二凸起的斜边的倾斜角为45°时，当第一引线对应在基板100上的投影的宽度为7um时，其实际有效宽度(第一部分和第二部分的宽度和)可以达到约10.6um，宽度提升51.4％，阻抗降低约50％，可以大大提升IC的驱动能力。当第一引线对应在基板100上的投影的宽度为5um时，其实际有效宽度可以达到约8.6um，宽度提升72％，阻抗降低约70％。从另一个方面来说，当采用本实施例的设计，使得第一触控引线5064的阻抗和现有设计的阻抗相当的时候，第一触控引线占用的面积可以大大降低，可以将触控引线区域设置得更窄，有利于窄边框化的设计。
在本实施例中，是以第一凸起2165和平坦化层216同层、第二凸起3042和像素定义层304同层为例进行说明的，在本发明的其他实施例中，第一凸起2165和第二凸起3041还可以是利用平坦化层216、像素定义层304和隔垫物层305中的任意两层制成的。在本发明的其他一些实施例中，在第二凸起上，还可以进一步包括第三凸起，当包括第三凸起时，第一凸起、第二凸起和第三凸起可以分别为利用平坦化层216、像素定义层304和隔垫物层305制成的。
需要说明的是，本实施例中，在第一触控引线5064和第一凸起2165之间，还设置有第一无机封装层402和第二无机封装层406。第一堤坝B1包括第一子层2161、第二子层3041和第三子层3051，第二堤坝B2包括第四子层2162、第五子层3042和第六子层3052。在第一区域A1中，还设置有位于第一金属层的第一信号引线2062和位于第二金属层210的第二信号引线2103。本实施例与图4所示实施例相同的结构部分不再详细赘述。
请继续参考图10，图10为图1中沿AA’截面的又一种剖视结构示意图。结合参考图1和图10，在本发明的一个实施例中，在第一区域A1和第一堤坝B1之间，形成有第二区域A2，在第二区域A2至少设置有第一触控引线5064。第一触控引线5064与基板100之间，设置有第一凸起2165。第一触控引线5064在基板100上的投影覆盖第一凸起2165在基板100上的投影。
本实施例中，在第一凸起2165上，还设置有第二凸起3042，第一凸起2165和第二凸起3042层叠设置，并且第二凸起3042在基板100上的投影，落在第一凸起2165在基板100上的投影范围内，第一凸起和第二凸起的边缘形成一台阶。第一凸起2165和第二凸起3042在垂直于第一触控引线延伸方向的平面上的剖视结构为梯形，其剖视结构靠近基板100的一边的宽度大于远离基板100的一边的宽度。
第一触控引线5064对应第二凸起的顶面和斜面设置，以及相邻的第一凸起之间和相邻的第一凸起的斜面设置。利用第一凸起2165和第二凸起3042的台阶差，可以保证相邻的两条第一触控引线5064之间的绝缘。因此，相比现有技术中，仅设置在一个平面上的第一触控引线的技术方案，在保证第一触控引线的有效宽度相等的情况下，本实施例的相邻的两条第一触控引线之间的水平距离(平行于基板100的平面上的距离)可以大大缩短，可以将触控引线区域设置得更窄。
并且部分第一触控引线5064包括对应第一凸起2165的斜面、及相邻的第一凸起之间的位置的部分，其实际有效宽度大于这部分第一触控引线5064在基板100上的投影宽度。部分第一触控引线5064包括对应第二凸起3042的顶面和斜面设置的部分，其实际有效宽度大于这部分第一触控引线5064在基板100上的投影宽度。因此，相比现有技术中，仅设置在一个平面上的第一触控引线的技术方案，在占用相同底面积的情况下，本实施例的第一触控引线的电阻大大降低。从另一个方面来说，当采用本实施例的设计，使得第一触控引线5064的阻抗和现有设计的阻抗相当的时候，第一触控引线占用的面积可以大大降低，可以将触控引线区域设置得更窄，有利于窄边框化的设计。
需要说明的是，本实施例中，在第一触控引线5064和第一凸起2165之间，还设置有第一无机封装层402和第二无机封装层406。第一堤坝B1包括第一子层2161、第二子层3041和第三子层3051，第二堤坝B2包括第四子层2162、第五子层3042和第六子层3052。在第一区域A1中，还设置有位于第一金属层的第一信号引线2062和位于第二金属层210的第二信号引线2103。本实施例与图4所示实施例相同的结构部分不再详细赘述。
请参考图11和图12，图11为图1中沿BB’截面的一种剖视结构示意图，图12为图1中沿CC’截面的一种剖视结构示意图。本实施例中，还包括有第四凸起2166，第四凸起对应第一触摸电极块5061和第一触控引线之间的连接线5068设置。因第一触控引线5064和连接线5068连接设置，因此在图11中，为了清楚地示意两者之间的关系，在两者之间用虚线做了区分。因第一触摸电极块5061位于第一区域A1，因此，在第一触摸电极块5061与基板100之间，至少设置有栅极绝缘层204、第一金属层206、层间绝缘层208、第二金属层210、平坦化层216、第二电极308、第一无机封装层402、有机封装层404、第二无机封装层406、第一触摸金属层502、触摸绝缘层。而第一触控引线5064与基板之间，一般设置有栅极绝缘层204、层间绝缘层208、第一凸起2165、第一无机封装层402、和第二无机封装层406。在第一触控引线5064和第一区域A1之间，参考图12，在基板100上，设置有栅极绝缘层204、层间绝缘层208、第一无机封装层402、和第二无机封装层406。当需要连接第一触摸电极块5061和第一触控引线时，连接线从第一区域A1，第一触控引线和第一区域A1之间的区域，再到第一触控引线所在的区域，需要经过多个台阶区域，经过多次爬坡，容易产生断线。因此，在本实施例中，在第一连接线5066对应的位置，还设置有第四凸起2166。第四凸起2166靠近第一区域A1的一侧与第一区域A1重合，并且第四凸起2166和第一凸起2165连接。通过第四凸起2166的设置，连接引线从第一区域A1，第一触控引线和第一区域A1之间的区域，再到第一触控引线所在的区域，仅经过一次台阶区域，台阶数量、以及段差大小大大降低，可以大大降低断线以及短路的可能性。
本实施例中，第四凸起2166和第一凸起2165同层设置，且本实施例中，第四凸起2166是利用平坦化层216制成的。在本发明的其他实施例中，第四凸起可以采用利用平坦化层216、像素定义层304和隔垫物层305中的至少一层形成的。同样地，和其他实施例中，在第一凸起上设置第二凸起相类似的，在第四凸起上，还可以继续设置第五凸起。
请参考图13，图13是图1中沿DD’截面的一种剖视结构示意图，本实施例中，第二触控引线与触控引脚2105电连接。用于第二触控引线连接位于第一区域的触控电极与位于显示面板台阶区域的触控引脚2105，因此，第二触控引线5065需要经过第一堤坝B1和第二堤坝B2。在现有技术中，第一堤坝和第二堤坝独立形成，第一堤坝包括第一子层、第二子层和第三子层，第二堤坝包括第四子层、第五子层和第六子层。因此，在现有技术中，在第二触控引线的引出区域，需要经过多个段差很大的台阶区域，容易在台阶段差处形成短路或者断路等不良。在本实施例中，对应第二触控引线与第一堤坝和第二堤坝的交叠区域，第一堤坝包括第七子层2163、第八子层3043和第九子层3053，第二堤坝B2包括第十子层2164和第十一子层3044。其中第一堤坝B1的第七子层2163和第二堤坝B2的第十子层2164连接。进一步地在本实施例中，对应第二触控引线与第一堤坝和第二堤坝的交叠区域，第一堤坝的第七子层2163靠近第一区域A1的一侧与第一区域A1重叠。以此，可以减小第二触控引线5065在引出过程中的段差。进一步地，第一堤坝B1的第八子层3043、第九子层3053的靠近第一区域的一侧与第一区域重合。因此可以进一步减小第二触控引线与第一堤坝的交叠区域，第一堤坝B1与第一区域之间的段差。更进一步地，在本实施例中，对应第二触控引线与第一堤坝和第二堤坝的交叠区域，第二堤坝B2的高度小于第一堤坝B1的高度，本实施例中，在第二触控引线与第一堤坝和第二堤坝的交叠区域，第一堤坝包括三个子层，第二堤坝包括两个子层，由于第二堤坝B2相比第一堤坝B1更靠近触控引脚2105。在触控引脚2105与基板100之间，一般设置有栅极绝缘层204、层间绝缘层208，触控引脚2105的高度小于第一堤坝B1，通过设置对应第二触控引线与第一堤坝和第二堤坝的交叠区域，第二堤坝B2的高度介于第一堤坝B1和触控引脚2105之间，使得原有的台阶变为多个小台阶，每个台阶之间的段差小于2um，因此可以减缓第二触控引线在走线过程中的大段差，进一步保证第二触控引线走线的可靠近。
更进一步地，相比其他区域的第一堤坝，在第二触控引线与第一堤坝的交叠区域，第七子层2163在基板100上的投影覆盖第八子层3043在基板100上的投影，也即，在第二触控引线与第一堤坝的交叠区域，第七子层2163比第八子层3043更宽。由此，第八子层和位于第七子层之下的膜层之间的段差，由现有技术中的一个大段差，变更为两个小段差，降低了第二触控引线在该区域的短路和断路风险。更进一步的，第八子层3043在基板100上的投影覆盖第九子层3053在基板100上的投影，也即，在第二触控引线与第一堤坝的交叠区域，第八子层3043比第九子层3053更宽。第十子层2164在基板100上的投影覆盖第十一子层3044在基板100上的投影，也即，在第二触控引线与第二堤坝的交叠区域，第十子层2164比第十一子层3044更宽。
请参考图14，图14是图1中沿DD’截面的另一种剖视结构示意图，本实施例中，第二触控引线与触控引脚2105电连接。用于第二触控引线连接位于第一区域的触控电极与位于显示面板台阶区域的触控引脚2105，因此，第二触控引线5065需要经过第一堤坝B1和第二堤坝B2。在现有技术中，第一堤坝和第二堤坝独立形成，第一堤坝包括第一子层、第二子层和第三子层，第二堤坝包括第四子层、第五子层和第六子层。因此，在现有技术中，在第二触控引线的引出区域，需要经过多个段差很大的台阶区域，容易在台阶段差处形成短路或者断路等不良。在本实施例中，对应第二触控引线与第一堤坝和第二堤坝的交叠区域，第一堤坝包括第七子层2163、第八子层3043和第九子层3053，第二堤坝B2包括第十子层2164、第十一子层3044和第十二子层3054。其中第一堤坝B1的第七子层2163和第二堤坝B2的第十子层2164连接，第一堤坝B1的第八子层3043和第二堤坝B2的第十一子层3044连接，第一堤坝B1的第九子层3053和第二堤坝B2的第十二子层3054连接。相当于在对应第二触控引线与第一堤坝和第二堤坝的交叠区域，第一堤坝B1和第二堤坝B2连为一体，由此，消除了在对应第二触控引线与第一堤坝和第二堤坝的交叠区域，第一堤坝和第二堤坝B2之间的段差，因此，在此区域，第二触控引线可以在平面内布线，无需经过台阶，由此，大大提高了第二触控引线5064在与第一堤坝和第二堤坝的交叠区域的可靠性。
进一步地在本实施例中，对应第二触控引线与第一堤坝和第二堤坝的交叠区域，第一堤坝的第七子层2163靠近第一区域A1的一层与第一区域A1重叠。以此，可以减小第二触控引线5065在引出过程中的段差。进一步地，第一堤坝B1的第八子层3043、第九子层3053的靠近第一区域的一侧与第一区域重合。因此可以进一步减小第二触控引线与第一堤坝的交叠区域，第一堤坝B1与第一区域之间的段差。
更进一步地，相比其他区域的第一堤坝，在第二触控引线与第一堤坝的交叠区域，第七子层2163在基板100上的投影覆盖第八子层3043在基板100上的投影，也即，在第二触控引线与第一堤坝的交叠区域，第七子层2163比第八子层3043更宽。由此，第八子层和位于第七子层之下的膜层之间的段差，由现有技术中的一个大段差，变更为两个小段差，降低了第二触控引线在该区域的短路和断路风险。更进一步的，第八子层3043在基板100上的投影覆盖第九子层3053在基板100上的投影，也即，在第二触控引线与第一堤坝的交叠区域，第八子层3043比第九子层3053更宽。第十子层2164在基板100上的投影覆盖第十一子层3044在基板100上的投影，也即，在第二触控引线与第二堤坝的交叠区域，第十子层2164比第十一子层3044更宽。第十一子层3044在基板100上的投影覆盖第十二子层3054在基板100上的投影，也即，在第二触控引线与第二堤坝的交叠区域，第十一子层3044比第十二子层3054更宽。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (14)

1.一种显示装置，包括显示区域和非显示区域，所述显示装置包括：
基板；
驱动电路层，设置在所述基板上；
发光器件层，设置在所述驱动电路层上，所述发光器件层包括：有机发光二极管，包括设置在所述驱动电路层上的第一电极、发光层和第二电极；像素定义层，包括暴露所述第一电极的开口；
薄膜封装层，设置在所述发光器件层上，所述薄膜封装层包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，其中所述有机封装层的边界围成的区域为第一区域；
触摸感测单元，设置在所述薄膜封装层上，所述触摸感测单元包括第一触摸金属层、触摸绝缘层和第二触摸金属层；
第一堤坝，围绕所述显示区域设置，所述第一区域和第一堤坝之间，设置有第二区域；在所述第二区域，设置有第一触控引线；
所述第一触控引线与所述基板之间，设置有第一凸起；
所述显示装置还包括第二堤坝，所述第二堤坝比所述第一堤坝远离所述第一区域；
所述显示装置还包括第二触控引线和触控引脚，所述第二触控引线与所述触控引脚电连接；对应所述第二触控引线与所述第一堤坝和所述第二堤坝的交叠区域，所述第一堤坝包括第七子层、第八子层和第九子层，所述第二堤坝包括第十子层和第十一子层；所述第一堤坝的所述第七子层和所述第二堤坝的所述第十子层连接。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，包括平坦化层、像素定义层和隔垫物层，所述第一凸起与所述平坦化层、所述像素定义层和所述隔垫物层至少一者同层设置。
3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一触控引线在所述基板上的投影覆盖所述第一凸起在所述基板上的投影。
4.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述第一凸起在垂直于所述第一触控引线延伸方向的平面上的剖视结构为梯形，所述剖视结构靠近所述基板的一边的宽度大于远离所述基板的一边的宽度，所述第一触控引线包括对应所述第一凸起的所述剖视顶边的第一部分和对应所述第一凸起的所述剖视结构的斜边的第二部分。
5.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，相邻的两条所述第一触控引线中，靠近所述第一区域的所述第一触控引线，其第二部分在其延伸方向上的长度为L1，远离所述第一区域的所述第一触控引线，其第二部分在其延伸方向上的长度为L2，其中L1小于L2。
6.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，相邻的两条所述第一触控引线中，靠近所述第一区域的所述第一触控引线，在所述基板上的投影的宽度为W1，远离所述第一区域的所述触控引线，在所述基板上的投影的宽度为W2，其中W1小于W2。
7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一凸起在垂直于所述第一触控引线延伸方向的平面上的剖视结构为梯形，所述剖视结构靠近所述基板一边的宽度大于远离所述基板的一边的宽度，所述第一触控引线对应所述第一凸起的顶边以及相邻的第一凸起之间设置。
8.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在所述第一凸起上，还设置有第二凸起，所述第一凸起和所述第二凸起层叠设置，并且所述第二凸起在所述基板上的投影，落在所述第一凸起在所述基板的投影范围内。
9.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第二触摸金属层包括第一触摸电极块，所述第一触控引线与所述第一触摸电极块电连接；第四凸起，所述第四凸起对应所述第一触摸电极块和所述第一触控引线之间的连接线设置。
10.如权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述第四凸起靠近所述第一区域的一侧与所述第一区域重合，所述第四凸起和所述第一凸起连接。
11.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一堤坝的所述第七子层靠近所述第一区域的一侧与所述第一区域重叠。
12.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，对应所述第二触控引线与所述第一堤坝和所述第二堤坝的交叠区域，所述第二堤坝的高度小于所述第一堤坝的高度。
13.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在所述第二触控引线与所述第一堤坝的交叠区域，所述第七子层在所述基板上的投影覆盖所述第八子层在所述基板上的投影。
14.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，对应所述第二触控引线与所述第一堤坝和所述第二堤坝的交叠区域，所述第二堤坝还包括第十二子层；所述第一堤坝的所述第八子层和所述第二堤坝的所述第十一子层连接；所述第一堤坝的所述第九子层和所述第二堤坝的所述第十二子层连接。
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