CN110233129B - 器件的移设方法 - Google Patents

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Abstract

提供器件的移设方法，能够高效地将器件从晶片移设至安装基板。一种器件的移设方法，将多个器件移设至具有多个电极的安装基板，其中，该器件的移设方法包含如下的步骤：向在基板的正面侧隔着缓冲层形成的多个器件粘贴具有扩展性的带的步骤；从基板的背面侧向缓冲层照射对于基板具有透过性且对于缓冲层具有吸收性的波长的激光束，从而破坏缓冲层的步骤；通过使带向远离基板的方向移动而使基板与多个器件分离，从而将形成于基板的多个器件转印至带的步骤；对带进行扩展以使粘贴于带的多个器件的配置与多个电极的配置对应的步骤；以及将粘贴在扩展后的带上的多个器件一并键合到多个电极的步骤。

Description

器件的移设方法
技术领域
本发明涉及将多个器件从晶片移设至安装基板的器件的移设方法。
背景技术
通过沿着分割预定线(间隔道)对形成有多个器件的晶片进行分割，得到分别包含该器件的多个器件芯片。例如使用切削装置或激光加工装置等实施该晶片的分割。
在使用激光加工装置的方法中，通过沿着分割预定线照射对于晶片具有吸收性的波长的激光束而使晶片蒸发，从而对晶片进行分割。在专利文献1中，公开了如下方法：沿着分割预定线照射脉冲振荡的激光束而在晶片上形成槽，沿着该槽对晶片进行分割。然后，通过将分割晶片而得到的器件芯片安装在安装基板上，从而制作出期望的封装基板。
作为形成在晶片上的器件的例子，可以举出LED(Light Emitting Diode：发光二极管)等光器件。例如，通过在由蓝宝石或SiC构成的基板上使构成pn结的n型半导体层和p型半导体层外延生长，能够形成光器件。
另外，为了将光器件从晶片移设至安装基板，公知有不分割晶片便将光器件从晶片分离的方法。在专利文献2中，公开了如下方法：当在晶片的正面形成了构成光器件的半导体膜之后，从晶片的背面侧照射激光束而在晶片与半导体膜的界面附近形成变质层，利用该变质层使晶片与半导体膜分离。
专利文献1：日本特开平10-305420号公报
专利文献2：日本特开2004-72052号公报
如上所述，在将器件安装在安装基板上时，需要将形成在晶片上的器件移设至安装基板。该器件的移设例如是通过重复如下的作业而进行的：从晶片一个一个地拾取器件而移设至安装基板，并将器件贴片(die bonding)在安装基板的规定位置。在该情况下，为了将所有器件安装于安装基板，需要长时间的移设作业，从而使生产性降低。
发明内容
本发明是鉴于该问题点而完成的，其目的在于，提供能够高效地将器件从晶片移设至安装基板的器件移设方法。
根据本发明，提供器件的移设方法，将多个器件移设至具有多个电极的安装基板，其中，该器件的移设方法包含如下的步骤：带粘贴步骤，向在基板的正面侧隔着缓冲层形成的多个该器件粘贴具有扩展性的带；缓冲层破坏步骤，在实施了该带粘贴步骤之后，从该基板的背面侧向该缓冲层照射对于该基板具有透过性且对于该缓冲层具有吸收性的波长的激光束，从而破坏该缓冲层；转印步骤，在实施了该缓冲层破坏步骤之后，通过使该带向远离该基板的方向移动而使该基板与多个该器件分离，从而将形成于该基板的多个该器件转印至该带；带扩展步骤，在实施了该转印步骤之后，对该带进行扩展以使粘贴于该带的多个该器件的配置与多个该电极的配置对应；以及贴片步骤，在实施了该带扩展步骤之后，将粘贴在扩展后的该带上的多个该器件一并键合到多个该电极。
优选为，该器件是LED。另外，优选为，该器件的移设方法还包含如下的步骤：在实施该带扩展步骤之前或之后，使该器件的与该带接触的面露出。另外，优选为该带包含由紫外线硬化型树脂构成的粘合剂，该器件的移设方法还包含如下的步骤：在实施了该带扩展步骤之后，向该带照射紫外线而使该粘合剂硬化。
在本发明的一个方式的器件的移设方法中，首先，将形成于晶片的多个器件转印至具有扩展性的带上。然后，通过对具有扩展性的带进行扩展而使多个器件的配置与安装基板上的器件的安装位置的配置对应，之后，将多个器件一并移设至安装基板。由此，能够高效地将器件从晶片移设至安装基板。
附图说明
图1是示出晶片的结构例的立体图。
图2是示出光器件晶片的结构例的剖视图。
图3是示出器件的移设方法的例子的流程图。
图4是示出光器件晶片向带粘贴的情形的立体图。
图5是示意性地示出光器件晶片被激光加工装置支承的状态的立体图。
图6是示出向缓冲层照射激光束的情形的剖视图。
图7的(A)是示出使带扩展的情形的俯视图，图7的(B)是示出扩展后的带的俯视图。
图8是示出通过移设单元来保持多个光器件的情形的立体图。
图9是示出通过移设单元在安装基板上配置多个光器件的情形的立体图。
图10是示出键合有多个光器件的安装基板的立体图。
图11是示出使用辊将多个光器件安装于安装基板的情形的立体图。
标号说明
11：晶片；13：基板；13a：正面；13b：背面；15：分割预定线；17：器件；19：光器件晶片；21：基板；21a：正面；21b：背面；23：缓冲层；25：光器件；27：p型半导体层；29：n型半导体层；31：带；31a：正面；31b：背面；33：框架；35：安装基板；37R：电极；37G：电极；37B：电极；2：激光加工装置；4：卡盘工作台；6：激光加工单元；8：壳体；10：聚光器；12：拍摄构件；14：夹具；20：移设单元；22：基台；24：吸附垫；26：辊。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的一个方式的实施方式进行说明。图1是示出本实施方式的晶片11的结构例的立体图。
晶片11具有圆盘状的基板13，该基板13具有正面13a和背面13b。基板13被排列成格子状的多条分割预定线(间隔道)15划分为多个区域，在该多个区域的正面13a侧分别形成有由IC(Integrated Circuit：集成电路)、LED等构成的器件17。
基板13的材质、形状、构造、大小等没有限定。例如，作为基板13，可以使用半导体基板(硅基板、SiC基板、GaAs基板、InP基板、GaN基板等)、蓝宝石基板、陶瓷基板、树脂基板和金属基板等。另外，对器件17的种类、数量、形状、构造、大小、配置等也没有限定。
图2示出晶片11的更具体的结构的一例。图2是示出在基板21上隔着缓冲层23形成有光器件25的光器件晶片19的结构例的剖视图。
在基板21上隔着多个缓冲层23形成有多个光器件25。光器件25分别具有：p型半导体层27，其由空穴为多数载流子的p型半导体构成；以及n型半导体层29，其由电子为多数载流子的n型半导体构成。由p型半导体层27和n型半导体层29来构成pn结，从而得到能够通过空穴与电子的再结合而发光的光器件25。
缓冲层23例如由具有抑制基板21与p型半导体层27之间的晶格失配所导致的缺陷的发生的功能的层构成，该缓冲层23的材料根据基板21的晶格常数和p型半导体层27的晶格常数而适当选择。另外，缓冲层23是在后述缓冲层破坏步骤中通过激光束的照射而被破坏的层，作为用于使基板21与光器件25分离的分离层而发挥功能。
缓冲层23、p型半导体层27、n型半导体层29的材料没有限定，只要能够在基板21上形成光器件25，就可以自由选择。例如，使用蓝宝石基板和SiC基板等来作为基板21，能够通过外延生长而在基板21上依次形成由GaN构成的缓冲层23、由p型GaN构成的p型半导体层27以及由n型GaN构成的n型半导体层29。在各层的成膜中，例如存在MOCVD(Metal OrganicChemical Vapor Deposition：金属有机薄膜沉积)法或MBE(Molecular Beam Epitaxy：分子束外延)法等。
另外，在图2中示出了由p型半导体层27和n型半导体层29构成的光器件25，但光器件25的结构不限定于此。例如，也可以使用如下的光器件25：在p型半导体层27与n型半导体层29之间具有发光层，从该发光层放出光。
在使用以上述光器件25为代表的器件17(参照图1)来制作封装基板的情况下，需要将器件17从晶片11移设至安装基板。该移设例如能够通过逐个拾取形成在基板13上的器件17并贴片至安装基板的规定位置来实施，但在该方法中，在器件17的移设上花费了大量的作业时间。
在本实施方式的器件的移设方法中，首先，将形成在基板13上的多个器件17转印至带(具有扩展性的带)，该带能够通过外力使其形状扩展。然后，在通过使具有扩展性的带扩展而使多个器件17的配置与安装基板上的器件的安装位置的配置对应之后，将多个器件17一并移设至安装基板上。由此，能够高效地将器件17从晶片11移设至安装基板。
图3是示出本实施方式的器件的移设方法的例子的流程图。以下，参照图3对本实施方式的器件的移设方法进行说明。另外，以下，作为一例，特别对从光器件晶片19(参照图2)分离光器件25并移设至安装基板的情况进行说明。
首先，实施带粘贴步骤S1，向形成于基板21的多个光器件25粘贴具有扩展性的带。图4是示出光器件晶片19向带31粘贴的情形的立体图。在圆盘状的基板21的正面21a侧形成有多个光器件25(参照图2)。另外，带31是能够通过外力而扩展(拉伸)的带(具有扩展性的带)。
在带31的外周部粘贴环状的框架33，并且将形成于基板21的正面21a侧的多个光器件25粘贴于带31。由此，光器件晶片19在基板21的背面21b侧向上方露出的状态下被支承于框架33。
带31的材料只要具有扩展性并且能够粘接于多个光器件25即可，没有限定。但是，为了能够在后续的工序中容易地从带31分离多个光器件25，带31的粘合剂优选由具有粘合力通过光或热等外部刺激而降低的性质的材料构成。例如，可以使用紫外线硬化型树脂作为带31的粘合剂。
接着，实施缓冲层破坏步骤S2，从基板21的背面21b侧向缓冲层23照射激光束而破坏缓冲层23。在缓冲层破坏步骤S2中，首先，利用激光加工装置对光器件晶片19进行支承。
图5是示意性地示出光器件晶片19被激光加工装置2支承的状态的立体图。激光加工装置2具有：卡盘工作台4，其对光器件晶片19进行保持；以及激光加工单元6，其能够照射对于光器件晶片19的基板21具有透过性并且对于缓冲层23具有吸收性的波长的激光束。
卡盘工作台4隔着带31对光器件晶片19进行吸引保持。具体而言，卡盘工作台4的上表面是对光器件晶片19进行保持的保持面，该保持面通过形成在卡盘工作台4的内部的吸引路(未图示)而与吸引源(未图示)连接。
在利用激光加工装置2所具有的夹具14(参照图6)对框架33进行固定并且利用卡盘工作台4的保持面对光器件晶片19进行支承的状态下使吸引源的负压作用于保持面，从而利用卡盘工作台4对光器件晶片19进行吸引保持。另外，卡盘工作台4通过移动机构(未图示)沿加工进给方向(X轴方向)和分度进给方向(Y轴方向)进行移动。
光器件晶片19以基板21的背面21b向上方露出的方式被卡盘工作台4吸引保持。在该状态下，从激光加工单元6朝向光器件晶片19照射激光束。
激光加工单元6具有圆柱形壳体8。在壳体8的前端部安装有聚光器10，该聚光器10用于对从激光加工装置2所具有的YAG激光振荡器或YVO4激光振荡器等脉冲激光束振荡器(未图示)振荡出的脉冲激光束进行聚光。
此外，在壳体8上安装有对激光束的照射区域进行拍摄的拍摄构件12。拍摄构件12所取得的图像被使用在用于进行聚光器10与光器件晶片19的对位的图案匹配等图像处理。由此，能够调整激光束的照射位置。
在向形成于基板21的正面21a侧的缓冲层23(参照图2)照射激光束时，使卡盘工作台4移动至聚光器10的下方，利用聚光器10使对于基板21具有透过性并且对于缓冲层23具有吸收性的波长的激光束聚光，从而向缓冲层23进行照射。另外，激光束的强度被设定为能够破坏缓冲层23。
图6是示出向缓冲层23照射激光束的情形的剖视图。形成于基板21的正面21a侧的多个光器件25粘贴在带31上。另外，利用夹具14对框架33进行固定，光器件晶片19以基板21的背面21b侧向上方露出的方式被卡盘工作台4吸引保持。
当向光器件晶片19照射激光束时，激光束透过基板21而被缓冲层23吸收，从而使缓冲层23被破坏。另外，不需要通过激光束的照射使基板21与缓冲层23完全分离，只要将缓冲层23破坏成在后续的工序中在将带31从光器件晶片19剥离时能够使基板21与缓冲层23分离的程度即可。
接着，实施转印步骤S3，使基板21与光器件25分离而将形成于基板21的正面21a侧的多个光器件25转印至带31。
在转印步骤S3中，将粘贴于光器件晶片19的带31剥离。具体而言，使带31向远离基板21的方向移动。此时，设置于基板21与光器件25之间的缓冲层23已经在缓冲层破坏步骤S2中被破坏，基板21与光器件25的结合被削弱。因此，当使带31移动时，光器件25追随着带31而与基板21分离。
另外，在将带31从光器件晶片19剥离时，也可以向基板21与光器件25之间***刀具等剥离部件，从而有助于基板21与光器件25的分离。由此，即使缓冲层破坏步骤S2中的缓冲层23的破坏不充分，也能够使光器件25从基板21分离。
接着，实施带扩展步骤S4，对转印有多个光器件25的带31进行扩展而变更光器件25的间隔。图7的(A)是示出粘贴有多个光器件25的带31被扩展的情形的俯视图。
由于带31具有扩展性，因此可以通过施加外力而进行扩展。而且，当对带31进行扩展时，相邻的光器件25之间的距离扩大，多个光器件25的配置被变更。图7的(B)是示出扩展后的带31的俯视图。如图7的(B)所示，当对带31进行扩展时，光器件25的间隔根据带31的扩展量而扩大。
粘贴于带31的多个光器件25在后续的工序中以规定的配置安装在安装基板上。因此，在带扩展步骤S4中，对带31进行扩展以使粘贴于带31的光器件25的配置与安装基板上的光器件25的配置对应。例如，在使粘贴于带31的多个光器件25与按照规定的配置设置于安装基板的多个电极连接的情况下，对带31进行扩展以使粘贴于带31的光器件25的配置与该多个电极的配置对应。
另外，多个光器件25的配置与多个电极的配置对应是指多个光器件25分别以能够与所期望的电极连接的间隔进行配置的状态。例如，只要以粘贴于带31的多个光器件25的间隔与形成于安装基板的多个电极的间隔大致相同的方式对带31进行扩展即可。
对带31进行扩展的方法没有限定，能够使用专用的扩展装置等来进行。例如能够使用如下的扩展装置，其具有：支承单元，其对带31的外周部进行支承；以及抵接部，其与带31的背面(未形成光器件25的面)侧抵接。在该情况下，在利用支承单元对带31的外周部进行支承的状态下使带31的背面侧中央部与抵接部抵接，通过使抵接部从带31的背面侧向正面侧相对地移动，能够对带31进行扩展。
另外，在图7的(A)和图7的(B)中，示出了在从带31拆下了框架33(参照图4等)的状态下使带31扩展的情形，但带31的扩展也可以在粘贴有框架33的状态下进行。例如，能够在利用上述扩展装置的支承单元对粘贴于带31的框架33进行支承的状态下实施带31的扩展。
优选为在带扩展步骤S4之后，进行降低带31的粘合力的处理，从而在后续的工序中容易将光器件25从带31剥离。例如，在带31的粘合剂为紫外线硬化型树脂的情况下，通过实施向带31照射紫外线的步骤，能够使带31硬化而使带31的粘合力降低。
接着，实施贴片步骤S5，将粘贴在扩展后的带31上的多个光器件25一并移设至安装基板并进行键合。在贴片步骤S5中，维持粘贴于带31的多个光器件25的配置不变并移送至安装基板而进行安装。因此，不需要对每个光器件25进行多个光器件25与安装基板的对位，能够高效地将器件从带31移设至安装基板。
将多个光器件25移设至安装基板的方法没有特别限定。例如，可以使用从带31一并拾取多个光器件25并移设至安装基板的移设单元，也可以通过将带31直接粘贴在安装基板上而使多个光器件25转印至安装基板。
参照图8和图9对利用移设单元将多个光器件25移设至安装基板的方法进行说明。图8是示出通过移设单元20来保持多个光器件25的情形的立体图。移设单元20具有：板状的基台22；以及多个吸附垫24，它们设置在基台22的下表面侧，对光器件25进行吸引保持。
首先，以多个光器件25向上侧露出的方式将带31保持水平，并将移设单元20配置在带31的上方。然后，使移设单元20向铅直方向下方移动，从而使多个吸附垫24分别与光器件25接触。在该状态下，利用多个吸附垫24对多个光器件25进行吸引，从而使多个光器件25被移设单元20保持。然后，在将带31保持在原位置的状态下使移设单元20向铅直方向上侧移动，从而使多个光器件25从带31剥离，并被移设单元20拾取。由此，光器件25的与带31接触的面露出。
多个吸附垫24被配置为与粘贴于带31的多个光器件25的配置对应。具体而言，多个吸附垫24的间隔与粘贴于带31的多个光器件25的间隔大致一致。因此，通过使用移设单元20，能够一并拾取多个光器件25。
然后，使移设单元20移动至作为多个光器件25的移设目的地的安装基板上。图9是示出通过移设单元20在安装基板35上配置多个光器件25的情形的立体图。在安装基板35上形成有分别与光器件25连接的多个电极。这里，作为一例，示出了如下例子：光器件25是红色LED，在安装基板35上形成有与红色LED连接的多个电极37R、与绿色LED连接的多个电极37G以及与蓝色LED连接的多个电极37B。
首先，将安装基板35配置在规定的位置，在多个电极37R上涂敷银膏等粘接剂。然后，将移设单元20定位成在多个电极37R的上方分别配置有吸附垫24。然后，使移设单元20向铅直方向下方移动，从而使多个光器件25的与带31接触的面分别经由粘接剂与电极37R连接。这样，多个光器件25被键合到安装基板35。
另外，多个吸附垫24被设置为其配置与多个电极37R的配置相对应。因此，通过使用移设单元20，能够将多个光器件25一并键合到安装基板35。
图10是示出键合有多个光器件25的安装基板35的立体图。在设置于安装基板35的多个电极37R(参照图9)上分别键合有由红色LED构成的光器件25。然后，利用同样的方法，通过实施在多个电极37G上分别一并键合绿色LED的步骤和在多个电极37B上分别一并键合蓝色LED的步骤，能够制作安装有3色LED的LED封装。
另外，在使用移设单元20来移设光器件25的情况下，光器件25的与带31接触的面侧(背面侧)与形成于安装基板的电极连接，但也可以使光器件25的不与带31接触的面侧(正面侧)与电极连接。图11示出使光器件25的正面侧与形成于安装基板35的电极连接的方法的例子。
图11是示出使用辊26将多个光器件25安装于安装基板35的情形的立体图。在使用辊26将多个光器件25安装于安装基板35时，首先，将安装基板35配置在规定的位置，在形成于安装基板35的电极上涂敷银膏等粘接剂，并且使扩展后的带31的正面31a(形成有多个光器件25的面)与安装基板35的形成有电极的面对置。此时，将带31和安装基板35定位成多个光器件25分别配置在多个电极(在图11中为电极37R)上。
然后，使辊26向箭头A所示的方向旋转，利用辊26向安装基板35侧按压带31的背面31b(未形成光器件25的面)。由此，使多个光器件25分别经由粘接剂与电极37R连接，从而键合到安装基板上。
另外，将电极37R与光器件25粘接起来的粘接材料使用其粘接力比带31的粘接力高的材料。通过进行使所述带31的粘接力降低的处理(紫外线的照射等)而使涂敷在电极37R上的粘接剂所要求的粘接力降低，从而能够提高粘接剂的材料选择的自由度。
然后，通过将带31从安装基板35剥离而使多个光器件25与带31分离，从而得到键合有多个光器件25的安装基板35(参照图10)。
如上所述，在本实施方式的器件的移设方法中，在具有扩展性的带31上粘贴多个光器件25之后，通过使带31扩展来调节多个光器件25的配置，从而能够使粘贴于带31的多个光器件25的配置与安装基板35上的光器件25的安装位置的配置相对应。由此，能够将多个光器件25一并移设至移设基板，从而能够高效地进行器件的移设。
特别是在制作将多个LED按照规定的周期配置在安装基板上的LED封装等时，如果能够将形成在同一晶片上的多个器件以规定的间隔一并配置在安装基板上，则会大幅提高器件的移设作业的效率。因此，本实施方式的器件的移设方法在将多个LED移设至移设基板而制作LED封装的情况下等是特别有益的。
另外，在本实施方式的器件的移设方法中，在对具有扩展性的带31进行扩展而使多个光器件25的间隔扩大之后，对器件进行拾取。因此，能够防止在拾取时由于光器件25彼此接触所导致的光器件25的破损，从而能够实现成品率的提高。
另外，在上述实施方式中，示出了将粘贴于带31的所有光器件25一并移设至安装基板35的例子，但也可以通过多次实施贴片步骤S5来移设所有光器件25。即，也可以通过多次重复将粘贴于带31的多个光器件25的一部分移设至安装基板35的作业来移设所有光器件25。
另外，在多次实施贴片步骤S5的情况下，也可以在实施了贴片步骤S5后再次实施带扩展步骤S4。即，也可以在将粘贴于带31的多个光器件25的一部分一并移设至安装基板35之后，使带31扩展而重新调整剩余的光器件25的配置，然后进行接下来的移设作业。
特别是，在受到带31的扩展量的偏差等影响而难以通过一次带31的扩展使所有光器件25配置在期望的位置的情况下，优选如上所述那样分多次进行光器件25的移设，并且每次都实施带扩展步骤S4来调整光器件25的配置。由此，能够高精度地控制光器件25的间隔，从而容易将光器件25配置在安装基板35的期望的位置。
另外，在将光器件25粘接在安装基板35上时，能够适当变更光器件25的粘接面。具体而言，也可以将图7的(B)所示的光器件25的与带31接触的面侧(背面侧)和不与带31接触的面侧(正面侧)中的任意一侧粘接于安装基板35。在变更光器件25的粘接面的情况下，在贴片步骤S5之前执行替换光器件25的露出面的步骤。
例如，在带扩展步骤S4之后，通过使用图8、图9所示的方法，能够使光器件25的背面侧露出而将光器件25的背面侧粘接在安装基板上。在图9中，光器件25的正面侧被吸附垫24吸附而成为背面侧露出的状态。
另外，也可以通过在带扩展步骤S4之前进行带的重新粘贴而使光器件25的背面侧露出。具体而言，在使粘贴有多个光器件25的带31扩展之前(参照图7的(A))，在多个光器件25的正面侧粘贴更换粘贴用的带。然后，将带31剥离而使多个光器件25与带31分离，从而使多个光器件25在其背面侧露出的状态下被转印至更换粘贴用带。
在该情况下，由于在后续的带扩展步骤S4中对更换粘贴用带进行扩展而变更光器件25的配置，所以更换粘贴用带使用具有扩展性的带。另外，在使用更换粘贴用带的情况下，带31也可以不是必须具有扩展性。
另外，在上述中，主要说明了对在基板21上隔着缓冲层23形成的光器件25进行移设的情况，但通过本实施方式的器件的移设方法进行移设的器件的种类没有限定。另外，缓冲层23的材料也可以适当选择，只要在缓冲层破坏步骤S2中能够通过激光束的照射而被破坏即可。
另外，上述实施方式的构造、方法等只要不脱离本发明的目的的范围，就可以适当变更来实施。

Claims (5)

1.一种器件的移设方法，将多个器件移设至具有多个电极的安装基板，其中，
该器件的移设方法包含如下的步骤：
带粘贴步骤，向在基板的正面侧隔着缓冲层而形成的多个该器件粘贴具有扩展性的带；
缓冲层破坏步骤，在实施了该带粘贴步骤之后，从该基板的背面侧向该缓冲层照射对于该基板具有透过性并且对于该缓冲层具有吸收性的波长的激光束，从而破坏该缓冲层；
转印步骤，在实施了该缓冲层破坏步骤之后，通过使该带向远离该基板的方向移动而使该基板与多个该器件分离，从而将形成于该基板的多个该器件转印至该带；
带扩展步骤，在实施了该转印步骤之后，对该带进行扩展以使粘贴于该带的多个该器件的配置与多个该电极的配置对应；以及
贴片步骤，在实施了该带扩展步骤之后，将粘贴在扩展后的该带上的多个该器件一并键合到多个该电极，
在该贴片步骤中，使用移设单元将多个该器件从该带剥离并与多个该电极连接，其中，该移设单元具有以与粘贴于该带的多个该器件的配置对应的方式配置的多个吸附垫。
2.一种器件的移设方法，将多个器件移设至具有多个电极的安装基板，其中，
该器件的移设方法包含如下的步骤：
带粘贴步骤，向在基板的正面侧隔着缓冲层而形成的多个该器件粘贴具有扩展性的带；
缓冲层破坏步骤，在实施了该带粘贴步骤之后，从该基板的背面侧向该缓冲层照射对于该基板具有透过性并且对于该缓冲层具有吸收性的波长的激光束，从而破坏该缓冲层；
转印步骤，在实施了该缓冲层破坏步骤之后，通过使该带向远离该基板的方向移动而使该基板与多个该器件分离，从而将形成于该基板的多个该器件转印至该带；
带扩展步骤，在实施了该转印步骤之后，对该带进行扩展以使粘贴于该带的多个该器件的配置与多个该电极的配置对应；以及
贴片步骤，在实施了该带扩展步骤之后，将粘贴在扩展后的该带上的多个该器件一并键合到多个该电极，
在该贴片步骤中，使该带的设置有该器件的面与该安装基板的设置有该电极的面对置，利用辊将该带向该安装基板侧按压，由此将多个该器件与多个该电极连接。
3.根据权利要求1或2所述的器件的移设方法，其中，
该器件是LED。
4.根据权利要求1或2所述的器件的移设方法，其中，
该器件的移设方法还包含如下的步骤：在实施该带扩展步骤之前或之后，使该器件的与该带接触的面露出。
5.根据权利要求1或2所述的器件的移设方法，其中，
该带包含由紫外线硬化型树脂构成的粘合剂，
该器件的移设方法还包含如下的步骤：在实施了该带扩展步骤之后，向该带照射紫外线而使该粘合剂硬化。
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