CN110176481A - 显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，显示基板，包括异层设置的第一导电图形和第二导电图形，所述第一导电图形和所述第二导电图形通过至少两个导电连接结构分别电连接。本发明的技术方案能够改善显示装置的显示效果。

Description

显示基板及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是指一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
近年来，AMOLED(Active-matrix organic light-emitting diode，有源矩阵有机发光二极体)显示器发展迅速，对于显示效果的要求也越来越高，AMOLED的主要显示不良在于Discolor(显示不均一)、LRU(long range uniformity,长程均一性)等问题。
目前AMOLED的TFT(薄膜晶体管)电路中采用Ti/Al/Ti的叠层结构来制作源漏金属层图形，其中Al为活泼性高的金属，很容易在水氧环境下发生氧化，为了提高显示产品的信赖性，现有AMOLED显示基板的制作工艺中，在制作源漏金属层图形后，制作钝化层覆盖源漏金属层图形的侧面对源漏金属层图形进行保护，提高显示产品的信赖性。但是钝化层的引入会造成漏极与阳极之间转接电阻增加，造成Discolor、LRU长程均一性等问题较严重，影响显示装置的显示效果。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，能够改善显示装置的显示效果。
为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：
本发明的实施例提供一种显示基板，包括异层设置的第一导电图形和第二导电图形，所述第一导电图形和所述第二导电图形通过至少两个导电连接结构分别电连接。
可选地，所述第一导电图形和所述第二导电图形之间间隔有钝化层，所述至少两个导电连接结构包括贯穿所述钝化层的第一连接线，所述第一连接线分别与所述第一导电图形和所述第二导电图形直接接触连接。
可选地，所述至少两个导电连接结构包括至少两个所述第一连接线。
可选地，所述显示基板还包括位于所述第一导电图形远离所述第二导电图形一侧的绝缘层，位于所述绝缘层远离所述第一导电图形一侧的辅助导电图形，所述至少两个导电连接结构还包括第二连接线，所述第二连接线包括贯穿所述钝化层和所述绝缘层的第一部分和贯穿所述绝缘层的第二部分，所述第一部分分别与所述第二导电图形和所述辅助导电图形直接接触连接，所述第二部分分别与所述第一导电图形和所述辅助导电图形直接接触连接。
可选地，所述辅助导电图形与所述显示基板的栅金属层图形同层同材料设置；和/或
所述辅助导电图形与所述显示基板的有源层的源极接触区同层同材料设置。
可选地，所述显示基板为OLED显示基板，所述第一导电图形为所述显示基板的漏极，所述第二导电图形为所述显示基板的阳极。
本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法，包括形成异层设置的第一导电图形和第二导电图形，还包括：
形成电连接所述第一导电图形和所述第二导电图形的至少两个导电连接结构。
可选地，所述第一导电图形和所述第二导电图形之间间隔有钝化层，形成所述至少两个导电连接结构包括：
形成贯穿所述钝化层的第一连接线，所述第一连接线分别与所述第一导电图形和所述第二导电图形直接接触连接。
可选地，所述显示基板还包括位于所述第一导电图形远离所述第二导电图形一侧的绝缘层，形成所述至少两个导电连接结构包括：
形成位于所述绝缘层远离所述第一导电图形一侧的辅助导电图形，形成第二连接线，所述第二连接线包括贯穿所述钝化层和所述绝缘层的第一部分和贯穿所述绝缘层的第二部分，所述第一部分分别与所述第二导电图形和所述辅助导电图形直接接触连接，所述第二部分分别与所述第一导电图形和所述辅助导电图形直接接触连接。
可选地，形成所述辅助导电图形包括：
通过同一次构图工艺形成所述辅助导电图形与所述显示基板的栅金属层图形；和/或
通过同一次构图工艺形成所述辅助导电图形与所述显示基板的有源层的源极接触区。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。
本发明的实施例具有以下有益效果：
上述方案中，显示基板异层设置的第一导电图形和第二导电图形之间通过至少两个导电连接结构分别电连接，这样能够降低第一导电图形和第二导电图形之间的转接电阻，解决显示基板的Discolor、LRU长程均一性等问题，改善显示装置的显示效果。
附图说明
图1为现有显示基板的结构示意图；
图2为现有显示基板的等效电阻示意图；
图3为本发明实施例形成栅金属层图形后的示意图；
图4为本发明实施例形成源漏金属层图形后的示意图；
图5为本发明一具体实施例显示基板的结构示意图；
图6为图5所示显示基板的等效电阻示意图；
图7为本发明另一具体实施例显示基板的结构示意图；
图8为图7所示显示基板的等效电阻示意图。
附图标记
1 衬底基板
2 第一栅绝缘层
3 第二栅绝缘层
4 漏极
5 钝化层
6 平坦层
7 阳极
8 有源层
9 栅金属层图形
10 辅助导电图形
具体实施方式
为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
目前AMOLED的TFT电路中采用Ti/Al/Ti的叠层结构来制作源漏金属层图形，其中Al为活泼性高的金属，很容易在水氧环境下发生氧化，为了提高显示产品的信赖性，现有AMOLED显示基板的制作工艺中，在制作源漏金属层图形后，如图1所示，制作钝化层5覆盖漏极4的侧面对漏极4进行保护，提高显示产品的信赖性。但是钝化层5的引入会造成漏极4与阳极7之间连接电阻的增加，如图2所示，R1为有源层8与漏极4之间的电阻，R2为漏极4与阳极7之间的电阻，在引入钝化层5后，R2将从现有的300～400Ω提高到了500～600Ω，造成Discolor、LRU长程均一性等问题较严重，影响显示装置的显示效果。
本发明的实施例针对上述问题，提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，能够降低漏极与阳极之间的连接电阻，改善显示装置的显示效果
本发明的实施例提供一种显示基板，包括异层设置的第一导电图形和第二导电图形，所述第一导电图形和所述第二导电图形通过至少两个导电连接结构分别电连接。
本实施例中，显示基板异层设置的第一导电图形和第二导电图形之间通过至少两个导电连接结构分别电连接，这样能够降低第一导电图形和第二导电图形之间的转接电阻，解决显示基板的Discolor、LRU长程均一性等问题，改善显示装置的显示效果。
其中，第一导电图形和第二导电图形可以为显示基板上任两个异层设置、需要电连接的导电图形，比如第一导电图形可以为漏极、第二导电图形可以为像素电极。
一具体示例中，在显示基板为OLED显示基板时，所述第一导电图形可以为所述显示基板的漏极，所述第二导电图形可以为所述显示基板的阳极。
一具体实施例中，所述第一导电图形和所述第二导电图形之间间隔有钝化层，所述至少两个导电连接结构包括贯穿所述钝化层的第一连接线，所述第一连接线分别与所述第一导电图形和所述第二导电图形直接接触连接。
可选地，所述至少两个导电连接结构包括至少两个所述第一连接线，这样第一导电图形和第二导电图形之间分别通过至少两个第一连接线电连接，至少两个第一连接线并联能够降低第一导电图形和第二导电图形之间的转接电阻。
另一具体实施例中，所述显示基板还包括位于所述第一导电图形远离所述第二导电图形一侧的绝缘层，位于所述绝缘层远离所述第一导电图形一侧的辅助导电图形，所述至少两个导电连接结构还包括第二连接线，所述第二连接线包括贯穿所述钝化层和所述绝缘层的第一部分和贯穿所述绝缘层的第二部分，所述第一部分分别与所述第二导电图形和所述辅助导电图形直接接触连接，所述第二部分分别与所述第一导电图形和所述辅助导电图形直接接触连接，这样第一导电图形和第二导电图形之间可以通过第一连接线电连接，还可以通过第二连接线电连接，第一连接线和第二连接线并联可以降低第一导电图形和第二导电图形之间的转接电阻。
优选地，所述辅助导电图形与所述显示基板的栅金属层图形同层同材料设置，这样可以通过一次构图工艺同时形成所述辅助导电图形与所述显示基板的栅金属层图形，不用通过额外的构图工艺来专门制作辅助导电图形，能够减少显示基板的构图工艺的次数，降低显示基板的成本；
或者，所述辅助导电图形还可以与所述显示基板的有源层的源极接触区同层同材料设置，这样可以通过一次构图工艺同时形成所述辅助导电图形与所述显示基板的源极接触区，不用通过额外的构图工艺来专门制作辅助导电图形，能够减少显示基板的构图工艺的次数，降低显示基板的成本。
本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法，包括形成异层设置的第一导电图形和第二导电图形，还包括：
形成电连接所述第一导电图形和所述第二导电图形的至少两个导电连接结构。
本实施例中，显示基板异层设置的第一导电图形和第二导电图形之间通过至少两个导电连接结构分别电连接，这样能够降低第一导电图形和第二导电图形之间的转接电阻，解决显示基板的Discolor、LRU长程均一性等问题，改善显示装置的显示效果。
其中，第一导电图形和第二导电图形可以为显示基板上任两个异层设置、需要电连接的导电图形，比如第一导电图形可以为漏极、第二导电图形可以为像素电极。
一具体示例中，在显示基板为OLED显示基板时，所述第一导电图形可以为所述显示基板的漏极，所述第二导电图形可以为所述显示基板的阳极。
一具体实施例中，所述第一导电图形和所述第二导电图形之间间隔有钝化层，形成所述至少两个导电连接结构包括：
形成贯穿所述钝化层的第一连接线，所述第一连接线分别与所述第一导电图形和所述第二导电图形直接接触连接。这样第一导电图形和第二导电图形之间分别通过至少两个第一连接线电连接，至少两个第一连接线并联能够降低第一导电图形和第二导电图形之间的转接电阻。
可选地，所述显示基板还包括位于所述第一导电图形远离所述第二导电图形一侧的绝缘层，形成所述至少两个导电连接结构包括：
形成位于所述绝缘层远离所述第一导电图形一侧的辅助导电图形，形成第二连接线，所述第二连接线包括贯穿所述钝化层和所述绝缘层的第一部分和贯穿所述绝缘层的第二部分，所述第一部分分别与所述第二导电图形和所述辅助导电图形直接接触连接，所述第二部分分别与所述第一导电图形和所述辅助导电图形直接接触连接，这样第一导电图形和第二导电图形之间可以通过第一连接线电连接，还可以通过第二连接线电连接，第一连接线和第二连接线并联可以降低第一导电图形和第二导电图形之间的转接电阻。
可选地，形成所述辅助导电图形包括：
通过同一次构图工艺形成所述辅助导电图形与所述显示基板的栅金属层图形，这样不用通过额外的构图工艺来专门制作辅助导电图形，能够减少显示基板的构图工艺的次数，降低显示基板的成本；和/或
通过同一次构图工艺形成所述辅助导电图形与所述显示基板的有源层的源极接触区，这样不用通过额外的构图工艺来专门制作辅助导电图形，能够减少显示基板的构图工艺的次数，降低显示基板的成本。
下面以第一导电图形为显示基板的漏极、第二导电图形为显示基板的阳极为例，结合附图以及具体的实施例对本发明的技术方案进行进一步介绍：
实施例一
本实施例中，利用栅金属层制作辅助导电图形，阳极通过贯穿钝化层的第一连接线与漏极连接，还通过第二连接线与漏极连接，第二连接线包括连接辅助导电图形与阳极的第一部分，还包括连接辅助导电图形与漏极的第二部分。
如图3所示，提供一衬底基板1，在衬底基板1上形成有源层8、第一栅绝缘层2，并在第一栅绝缘层2上形成辅助导电图形10和栅金属层图形9，辅助导电图形10和栅金属层图形9可以通过一次构图工艺同时形成。其中，衬底基板1可以是刚性基板也可以是柔性基板。
如图4所示，形成第二栅绝缘层3，对第二栅绝缘层3和第一栅绝缘层2进行构图，形成暴露出有源层8的过孔和暴露出辅助导电图形10的过孔；并在第二栅绝缘层3上形成漏极4，漏极4通过贯穿第一栅绝缘层2和第二栅绝缘层3的过孔与有源层8连接，并通过贯穿第二栅绝缘层3的过孔与辅助导电图形10连接，另外，在辅助导电图形10上方还保留有贯穿第二栅绝缘层3的过孔。
如图5所示，形成钝化层5、平坦层6，对钝化层5和平坦层6进行构图，在平坦层6上形成阳极7，阳极7通过贯穿平坦层6和钝化层5的过孔与漏极4连接，还通过贯穿第二栅绝缘层3、平坦层6和钝化层5与辅助导电图形10连接。
本实施例中，阳极7和漏极4一方面可以通过贯穿平坦层6和钝化层5的过孔连接，另一方面还可以通过辅助导电图形10转接。
如图6所示，R1为有源层8与漏极4之间的电阻，R2为漏极4与阳极7之间的电阻，R3为漏极4与辅助导电图形10之间的电阻，R4为阳极7与辅助导电图形10之间的电阻。与图2相比，有源层8与阳极7之间的转接电阻从现有的R1+R2，变化为R1+R2*(R3+R4)/(R2+R3+R4)，R2’＝(R3+R4)/(R2+R3+R4)<1，则R1+R2’<R1+R2，可以看出，本实施例的技术方案能够在现有技术的基础上降低漏极4与阳极7之间的转接电阻，改善显示装置的显示效果。
实施例二
本实施例中，利用掺杂后的有源层比如源极接触区制作辅助导电图形，阳极通过贯穿钝化层的第一连接线与漏极连接，还通过第二连接线与漏极连接，第二连接线包括连接辅助导电图形与阳极的第一部分，还包括连接辅助导电图形与漏极的第二部分。
如图5所示，提供一衬底基板1，在衬底基板1上形成有源层，对有源层的部分区域进行掺杂，形成辅助导电图形10；形成第一栅绝缘层2，并在第一栅绝缘层2上形成栅金属层图形9。其中，衬底基板1可以是刚性基板也可以是柔性基板。
形成第二栅绝缘层3，对第二栅绝缘层3和第一栅绝缘层2进行构图，形成暴露出辅助导电图形10的过孔；并在第二栅绝缘层3上形成漏极4，漏极4通过贯穿第一栅绝缘层2和第二栅绝缘层3的过孔与辅助导电图形10连接，另外，在辅助导电图形10上方还保留有贯穿第一栅绝缘层2和第二栅绝缘层3的过孔。
形成钝化层5、平坦层6，对钝化层5和平坦层6进行构图，在平坦层6上形成阳极7，阳极7通过贯穿平坦层6和钝化层5的过孔与漏极4连接，还通过贯穿第一栅绝缘层2、第二栅绝缘层3、平坦层6和钝化层5与辅助导电图形10连接。
本实施例中，阳极7和漏极4一方面可以通过贯穿平坦层6和钝化层5的过孔连接，另一方面还可以通过辅助导电图形10转接。
如图7所示，R1为有源层与漏极4之间的电阻，R2为漏极4与阳极7之间的电阻，R5为辅助导电图形10与阳极7之间的电阻，与图2相比，有源层与阳极7之间的转接电阻从现有的R1+R2→(R1+R2)*R5/(R1+R2+R5)，可以看出，本实施例的技术方案能够在现有技术的基础上降低漏极4与阳极7之间的转接电阻，改善显示装置的显示效果。
另外，本发明的技术方案并不局限于采用栅金属层和有源层的源极接触区来形成辅助导电图形10，还可以采用源漏金属层来形成辅助导电图形10，比如增加漏极4的面积，在漏极4上方形成多个贯穿钝化层5和平坦层6的过孔，阳极7通过该多个过孔分别与漏极4连接，能够降低阳极7和漏极4之间的转接电阻。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。该显示装置包括但不限于：射频单元、网络模块、音频输出单元、输入单元、传感器、显示单元、用户输入单元、接口单元、存储器、处理器、以及电源等部件。本领域技术人员可以理解，上述显示装置的结构并不构成对显示装置的限定，显示装置可以包括上述更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。在本发明实施例中，显示装置包括但不限于显示器、手机、平板电脑、电视机、可穿戴电子设备、导航显示设备等。
所述显示装置可以为：电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件，其中，所述显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板。
需要说明，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于实施例而言，由于其基本相似于产品实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见产品实施例的部分说明即可。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种显示基板，包括异层设置的第一导电图形和第二导电图形，其特征在于，所述第一导电图形和所述第二导电图形通过至少两个导电连接结构分别电连接。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一导电图形和所述第二导电图形之间间隔有钝化层，所述至少两个导电连接结构包括贯穿所述钝化层的第一连接线，所述第一连接线分别与所述第一导电图形和所述第二导电图形直接接触连接。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述至少两个导电连接结构包括至少两个所述第一连接线。
4.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括位于所述第一导电图形远离所述第二导电图形一侧的绝缘层，位于所述绝缘层远离所述第一导电图形一侧的辅助导电图形，所述至少两个导电连接结构还包括第二连接线，所述第二连接线包括贯穿所述钝化层和所述绝缘层的第一部分和贯穿所述绝缘层的第二部分，所述第一部分分别与所述第二导电图形和所述辅助导电图形直接接触连接，所述第二部分分别与所述第一导电图形和所述辅助导电图形直接接触连接。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述辅助导电图形与所述显示基板的栅金属层图形同层同材料设置；和/或
所述辅助导电图形与所述显示基板的有源层的源极接触区同层同材料设置。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板为OLED显示基板，所述第一导电图形为所述显示基板的漏极，所述第二导电图形为所述显示基板的阳极。
7.一种显示基板的制作方法，包括形成异层设置的第一导电图形和第二导电图形，其特征在于，还包括：
形成电连接所述第一导电图形和所述第二导电图形的至少两个导电连接结构。
8.根据权利要求7所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述第一导电图形和所述第二导电图形之间间隔有钝化层，形成所述至少两个导电连接结构包括：
形成贯穿所述钝化层的第一连接线，所述第一连接线分别与所述第一导电图形和所述第二导电图形直接接触连接。
9.根据权利要求8所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述显示基板还包括位于所述第一导电图形远离所述第二导电图形一侧的绝缘层，形成所述至少两个导电连接结构包括：
形成位于所述绝缘层远离所述第一导电图形一侧的辅助导电图形，形成第二连接线，所述第二连接线包括贯穿所述钝化层和所述绝缘层的第一部分和贯穿所述绝缘层的第二部分，所述第一部分分别与所述第二导电图形和所述辅助导电图形直接接触连接，所述第二部分分别与所述第一导电图形和所述辅助导电图形直接接触连接。
10.根据权利要求9所述的显示基板的制作方法，其特征在于，形成所述辅助导电图形包括：
通过同一次构图工艺形成所述辅助导电图形与所述显示基板的栅金属层图形；和/或
通过同一次构图工艺形成所述辅助导电图形与所述显示基板的有源层的源极接触区。
11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-6中任一项所述的显示基板。
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