CN107179639B - 阵列基板及其制作方法和显示面板 - Google Patents

阵列基板及其制作方法和显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN107179639B
CN107179639B CN201710381254.6A CN201710381254A CN107179639B CN 107179639 B CN107179639 B CN 107179639B CN 201710381254 A CN201710381254 A CN 201710381254A CN 107179639 B CN107179639 B CN 107179639B
Authority
CN
China
Prior art keywords
line
metal layer
touch
data
array substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710381254.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107179639A (zh
Inventor
夏志强
秦锋
刘金娥
姜炜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai AVIC Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
Shanghai AVIC Optoelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai AVIC Optoelectronics Co Ltd filed Critical Shanghai AVIC Optoelectronics Co Ltd
Priority to CN201710381254.6A priority Critical patent/CN107179639B/zh
Publication of CN107179639A publication Critical patent/CN107179639A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107179639B publication Critical patent/CN107179639B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/13629—Multilayer wirings

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Position Input By Displaying (AREA)

Abstract

本发明公开了一种阵列基板及其制作方法和显示面板。该阵列基板包括：基板；第一金属层，其中，第一金属层用于设置栅极线和数据线，栅极线沿基板板面的第一方向走线，数据线沿基板板面的第二方向走线，数据线在与栅极线交叉的位置断开形成多个数据线段，第一方向与第二方向垂直；设置有多个第一过孔的第一绝缘层；用于设置触控线和数据跨桥线的第二金属层，数据跨桥线通过第一过孔连接数据线相邻的两个数据线段，形成第二金属层的金属的电阻小于形成第一金属层的金属的电阻。通过本发明，显示面板从触控感应阶段切换到显示阶段时，数据线上不会有瞬间的大电流，保证了显示面板的显示性能可靠性。

Description

阵列基板及其制作方法和显示面板
技术领域
本发明涉及显示面板技术领域，更具体地，涉及一种阵列基板及其制作方法和显示面板。
背景技术
随着科技的发展，具有触控功能的手机、平板电脑、数码相机、智能穿戴产品等智能设备简化了人机互动，给用户带来了优质的用户体验。
现有的比较常见的显示面板的触控技术有“In cell”技术和“On cell”技术,“Oncell”技术是将触摸面板功能嵌入到彩膜基板和偏光板之间，而“In cell”技术是将触摸面板功能嵌入到阵列基板和彩膜基板之间。在“In cell”技术中，阵列基板集成的工艺路线与非触控功能集成的工艺路线相同，通常设置两层金属层，一层金属走栅极线，另外一层金属走触控线和数据线。
由于触控线和数据线在同一金属层设置，触控线和数据线采用相同的金属，并且在同一个工艺制程中完成布线，因而，触控线和数据线的电阻相同。其中，为了保证显示面板灵敏和准确的触控特性，要求触控线具有较低的电阻，基于此，导致使用同种金属布线的数据线的电阻也很低，此时，在120Hz下的画面中***触控信号，再重新输入显示信号的时候，数据线会有瞬间的大电流导致H-line(显示面板出现水平横线)，影响显示面板的显示性能可靠性。
因此，提供一种阵列基板及其制作方法和显示面板，提高显示面板显示性能可靠性是本领域亟待解决的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种阵列基板及其制作方法和显示面板，解决了提高显示面板显示性能可靠性的技术问题。
本法明提供一种阵列基板，包括：
基板；
设置于所述基板一侧的第一金属层，其中，所述第一金属层用于设置栅极线和数据线，所述栅极线沿所述基板板面的第一方向走线，所述数据线沿所述基板板面的第二方向走线，所述数据线在与所述栅极线交叉的位置断开形成多个数据线段，所述第一方向与所述第二方向垂直；
设置于所述第一金属层远离所述基板一侧的第一绝缘层，其中，所述第一绝缘层设置有多个第一过孔；
设置于所述第一绝缘层远离所述第一金属层一侧的第二金属层，其中，所述第二金属层用于设置触控线和数据跨桥线，所述数据跨桥线通过所述第一过孔连接所述数据线相邻的两个数据线段，形成所述第二金属层的金属的电阻小于形成所述第一金属层的金属的电阻。
可选的，所述阵列基板包括显示区和边框区，所述阵列基板还包括：
设置于所述边框区的栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括多条信号线，所述信号线包括设置于所述第一金属层的第一信号线段和设置于所述第二金属层的第二信号线段，所述第一信号线段与所述第二信号线段通过所述第一过孔连接。
可选的，所述阵列基板包括多个呈矩阵分布的子像素，所述栅极线位于沿所述第一方向排布的两行子像素之间，所述数据线位于沿所述第二方向排布的两行子像素之间；
所述触控线与所述数据线的延伸方向相同，位于相同的两行子像素之间的所述触控线和所述数据线在所述第一方向上间隔预定距离。
可选的，所述阵列基板上设置有薄膜晶体管，所述第一金属层还用于设置所述薄膜晶体管的栅极，所述第二金属层还用于设置所述薄膜晶体管的源极和漏极；
所述阵列基板还包括：
与所述第二金属层同层设置的第一电极层，其中，所述第一电极层用于设置像素电极，所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极相连接；
设置于所述第二金属层远离所述第一绝缘层一侧的第二绝缘层，其中，所述第二绝缘层设置有多个第二过孔；
设置于所述第二绝缘层远离所述第二金属层一侧的第二电极层，其中，所述第二电极层用于设置呈阵列分布的多个触控电极，所述触控电极经由所述第二过孔连接所述触控线。
可选的，所述触控电极在显示阶段复用为公共电极，所述公共电极与所述像素电极构成像素电容。
可选的，所述触控电极覆盖多个所述子像素；
沿所述第二方向排布的每两行子像素之间均设置有一条所述数据线，每间隔三条所述数据线之后设置有一条所述触控线。
可选的，所述数据跨桥线与所述触控线的延伸方向相同，且所述数据跨桥线位于所述第二方向上相邻的两个子像素之间，以使所述数据跨桥线与所述触控线绝缘。
可选的，所述预定距离为1um至2um。
本发明还一种阵列基板的制作方法，包括：
设置一基板；
在所述基板一侧设置第一金属层；
对所述第一金属层进行刻蚀，形成栅极线和数据线，其中，所述栅极线沿所述基板板面的第一方向走线，所述数据线沿所述基板板面的第二方向走线，所述数据线在与所述栅极线交叉的位置断开形成多个数据线段，所述第一方向与所述第二方向垂直；
在所述第一金属层上设置第一绝缘层；
对所述第一绝缘层打孔形成多个第一过孔；
在所述第一绝缘层上设置第二金属层；
对所述第二金属层进行刻蚀，形成触控线和数据跨桥线，其中，所述数据跨桥线通过所述第一过孔连接所述数据线相邻的两个数据线段，形成所述第二金属层的金属的电阻小于形成所述第一金属层的金属的电阻。
可选的，所述阵列基板包括显示区和边框区，所述阵列基板还包括设置于所述边框区的栅极驱动电路，所述栅极驱动电路与所述栅极线相连接，所述栅极驱动电路所述栅极驱动电路包括多条信号线，所述信号线包括第一信号线段和第二信号线段；
在对所述第一金属层进行刻蚀，形成栅极线和数据线的步骤中，对所述第一金属层进行刻蚀，形成栅极线和数据线的同时，还形成所述第一信号线段；
在对所述第二金属层进行刻蚀，形成触控线和数据跨桥线的步骤中，对所述第二金属层进行刻蚀，形成触控线和数据跨桥线的同时，还形成所述第二信号线段，其中，所述第一信号线段与所述第二信号线段通过所述第一过孔连接。
可选的，所述阵列基板包括多个呈矩阵分布的子像素，所述栅极线位于沿所述第一方向排布的两行子像素之间，所述数据线位于沿所述第二方向排布的两行子像素之间；
所述触控线与所述数据线的延伸方向相同，位于相同的两行子像素之间的所述触控线和所述数据线间隔预定距离。
可选的，所述阵列基板上设置有薄膜晶体管；
在对所述第一金属层进行刻蚀，形成栅极线和数据线的步骤中，对所述第一金属层进行刻蚀，形成栅极线和数据线的同时，还形成所述薄膜晶体管的栅极；
在对所述第二金属层进行刻蚀，形成触控线和数据跨桥线的步骤中，对所述第二金属层进行刻蚀，形成触控线和数据跨桥线的同时，还形成所述薄膜晶体管的源极和漏极；
所述阵列基板的制造方法还包括：
在对所述第二金属层进行刻蚀，形成触控线、数据跨桥线、所述薄膜晶体管的源极和漏极之后，在与所述第二金属层同层的位置设置第一电极层；
对所述第一电极层进行刻蚀形成像素电极，其中，所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极相连接；
在所述第二金属层和所述第一电极层上设置第二绝缘层；
对所述第二绝缘层进行打孔形成多个第二过孔；
在所述第二绝缘层上设置第二电极层；
对所述第二电极层进行刻蚀形成呈阵列分布的多个触控电极，其中，所述触控电极经由所述第二过孔连接所述触控线。
可选的，所述触控电极在显示阶段复用为公共电极，所述公共电极与所述像素电极构成像素电容。
可选的，所述触控电极覆盖多个所述子像素；
沿所述第二方向排布的每两行子像素之间均设置有一条所述数据线，每间隔三条所述数据线之后设置有一条所述触控线。
可选的，所述数据跨桥线与所述触控线的延伸方向相同，且所述数据跨桥线位于所述第一方向上相邻的两个子像素之间，以使所述数据跨桥线与所述触控线绝缘。
可选的，所述预定距离为1um至2um。
本发明还提供一种显示面板，包括上述的阵列基板。
与现有技术相比，本发明的阵列基板及其制作方法和显示面板，实现了如下的有益效果：
本发明提供的阵列基板，设置栅极线和数据线在第一金属层布线，设置触控线和数据跨桥线在第二金属层布线，在栅极线与数据线的交叉位置，数据线在第一金属层断开，通过第二金属层的数据跨桥线连接，通过跨桥连接的方式保证了数据线信号的传输，并且，由于大部分数据线与触控线不在同一金属层，可设置触控线所在的第二金属层的金属电阻较小来满足触控功能要求，提升触控感应的性能，对于数据线而言，大部分走线设置在第一金属层，只有少部分数据跨桥线设置在第二金属层，设置第一金属层的金属的电阻可与常规设计中数据线的电阻相同，或者也可以适当的增大第一金属层的金属的电阻来弥补设置在第二金属层的数据跨桥线的小电阻，保证数据线上整体的电阻足够大，显示面板从触控感应阶段切换到显示阶段时，数据线上不会有瞬间的大电流，保证了显示面板的显示性能可靠性。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1为本发明实施例提供的阵列基板的膜层结构示意图；
图2为本发明实施例提供的阵列基板的第一金属层内布线示意图；
图3为本发明实施例提供的阵列基板的数据线跨桥走线截面示意图；
图4为本发明实施例提供的阵列基板边框区信号线过孔连接示意图；
图5为本发明实施例提供的阵列基板的触控线排布示意图；
图6为本发明实施例提供的阵列基板的一种实施方式的膜层示意图；
图7为本发明实施例提供的阵列基板的俯视示意图；
图8为剖线A位置处阵列基板的剖视示意图；
图9为剖线B位置处阵列基板的剖视示意图；
图10为本发明实施例提供的阵列基板的触控电极排布示意图；
图11为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法流程图；
图12为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法一种可选实施方式的流程图；
图13为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法另一种可选实施方式的流程图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
本发明实施例提供一种阵列基板，阵列基板的膜层结构示意图如图1所示，包括：基板101，设置于基板101一侧的第一金属层102，设置于第一金属层102远离基板101一侧的第一绝缘层103，设置于第一绝缘层103远离第一金属层102一侧的第二金属层104。
第一金属层102用于设置栅极线105和数据线106，第一金属层内布线示意图参考图2，栅极线105沿基板板面的第一方向a走线，数据线106沿基板板面的第二方向b走线，数据线106在与栅极线105交叉的位置断开形成多个数据线段，第一方向a与第二方向b垂直。
栅极线用于传输栅极扫描信号，数据线用于传输数据信号，栅极线和数据线在第一金属层布线，并且栅极线与数据线的走线方向垂直，为了保证栅极线和数据线不短路，设置数据线在于栅极线交叉的位置断开，数据线在第二方向上形成多个数据线段。
数据线跨桥走线截面示意图如图3所示，在第一绝缘层103设置有多个第一过孔K1。第二金属层104用于设置触控线(图中未示出)和数据跨桥线108，数据跨桥线108通过第一过孔K1连接数据线106相邻的两个数据线段，形成第二金属层104的金属的电阻小于形成第一金属层102的金属的电阻。
如图3所示，设置于第一金属层102的数据线106在与栅极线105交叉的位置断开形成多个数据线段，设置于第二金属层104的数据跨桥线108通过第一过孔K1连接设置于第一金属层102的数据线106相邻的两个数据线段。
在第二金属层设置触控线和数据跨桥线，数据跨桥线通过第一过孔连接位于第一金属层的数据线相邻的两个数据线段，数据线通过跨桥的方式导通。形成第二金属层的金属的电阻小于形成第一金属层的金属的电阻，形成第一金属层的金属的电阻可以与常规设计中采用的第一金属层的金属的电阻相同，或者也可以适当的增大第一金属层的金属的电阻。
本发明提供的阵列基板，设置栅极线和数据线在第一金属层布线，设置触控线和数据跨桥线在第二金属层布线，在栅极线与数据线的交叉位置，数据线在第一金属层断开，通过第二金属层的数据跨桥线连接，通过跨桥连接的方式保证了数据线信号的传输，并且，由于大部分数据线与触控线不在同一金属层，可设置触控线所在的第二金属层的金属电阻较小来满足触控功能要求，提升触控感应的性能，对于数据线而言，大部分走线设置在第一金属层，只有少部分数据跨桥线设置在第二金属层，设置第一金属层的金属的电阻可与常规设计中数据线的电阻相同，或者也可以适当的增大第一金属层的金属的电阻来弥补设置在第二金属层的数据跨桥线的小电阻，保证数据线上整体的电阻足够大，显示面板从触控感应阶段切换到显示阶段时，数据线上不会有瞬间的大电流，保证了显示面板的显示性能可靠性。
进一步的，在一些可选的实施方式中，本发明实施例提供的阵列基板包括显示区和边框区，阵列基板还包括：设置于边框区的栅极驱动电路，栅极驱动电路包括多条信号线，信号线包括设置于第一金属层的第一信号线段和设置于第二金属层的第二信号线段，第一信号线段与第二信号线段通过第一过孔连接。
具体的，栅极驱动电路信号线过孔连接示意图如图4所示，设置于第一金属层的第一信号线段X1和设置于第二金属层的第二信号线段X2通过设置在第一绝缘层103的第一过孔K1连接。
设计边框区域栅极驱动电路的信号线在第一金属层和第二金属层之间直接通过第一过孔连接，与常规设计相比换线时不通过铟锡氧化物薄膜层，避免了8585测试(温度为85摄氏度，相对湿度为85％)和使用过程中，水汽进入框胶导致换线孔的电化学腐蚀，影响阵列基板使用性能。
进一步的，在一些可选的实施方式中，如图5所示，阵列基板包括多个呈矩阵分布的子像素sp，栅极线105位于沿第一方向a排布的两行子像素sp之间，数据线106位于沿第二方向b排布的两行子像素sp之间；触控线107与数据线106的延伸方向相同，位于相同的两行子像素之间的触控线107和数据线106在第一方向a上间隔预定距离d，优选的，预定距离d为1um至2um。
图5中C位置为数据跨桥线连接位置，数据跨桥线108与触控线107的延伸方向相同，且数据跨桥线108位于第二方向b上相邻的两个子像sp素之间，以使数据跨桥线108与触控线107绝缘。
数据线设置在第一金属层走线，触控线设置在第二金属层走线，设置位于相同的两行子像素之间的触控线和数据线在第一方向上间隔预定距离，避免了触控线和数据线之间信号相互干扰，同时与触控线和数据线设置于同一金属层时相比，能够把触控线和数据线在第一方向上的间隔距离缩短至1um至2um，明显缩短了触控线和数据线之间的距离，像素区透射面积增大，有效增加了开口率。
进一步的，在一些可选的实施方式中，本发明实施例提供的阵列基板膜层示意图如图6所示，包括：基板101，设置于基板101一侧的第一金属层102，设置于第一金属层102远离基板101一侧的第一绝缘层103，设置于第一绝缘层103远离第一金属层102一侧的第二金属层104，与第二金属层同层设置的第一电极层(未示出)，设置于第二金属层104远离第一绝缘层103一侧的第二绝缘层109，设置于第二绝缘层109远离第二金属层104一侧的第二电极层110。
具体的，参考图7至图9，图7为本发明实施例提供的阵列基板的俯视示意图，图8为剖线A位置处阵列基板的剖视示意图，图9为剖线B位置处阵列基板的剖视示意图。
阵列基板的俯视示意图如图7所示，阵列基板上设置有薄膜晶体管，第一金属层102设置有栅极线105和数据线106，还设置有薄膜晶体管的栅极111，第二金属层104设置有触控线107和数据跨桥线108，还设置薄膜晶体管的源极112和漏极113，其中数据跨桥线108通过第一过孔K1连接数据线106相邻的两个数据线段；与第二金属层同层设置的第一电极层用于设置像素电极114，像素电极114与薄膜晶体管的漏极113相连接；设置于第二金属层104远离第一绝缘层103一侧的第二绝缘层109有多个第二过孔K2；设置于第二绝缘层109远离第二金属层104一侧的第二电极层用于设置呈阵列分布的多个触控电极(未示出)，触控电极经由第二过孔K2连接触控线107。
剖线A位置处阵列基板的剖视示意图如图8，图中示出了设置于第一金属层的薄膜晶体管的栅极111，设置于第二金属层的源极112和漏极113，与漏极113相连的像素电极114，设置于第二金属层的触控线107，设置于第二绝缘层109远离第二金属层一侧的触控电极115。
剖线B位置处阵列基板的剖视示意图如图9，图中示出了设置于第一金属层的数据线106，设置于第二金属层的触控线107，与第二金属层同层设置的像素电极114，设置于第二绝缘层109远离第二金属层一侧的触控电极115。
本实施例提供的阵列基板膜层结构少，有利于制作薄型化的阵列基板，同时仅在第一绝缘层和第二绝缘层设置过孔连接，过孔少工艺制程简单。
进一步的，在一些可选的实施方式中，触控电极在显示阶段复用为公共电极，公共电极与像素电极构成像素电容。触控电极在显示阶段复用为公共电极，实现内嵌式触控功能的同时，能够减薄阵列基板的厚度。
在一些可选的实施方式中，本发明实施例提供的阵列基板的触控电极排布，如图10所示，阵列基板包括呈m×n阵列排布的多个触控电极115，其中m和n均为大于1的整数(图中以m＝4，n＝3为例)。每个触控电极115连接至少一条触控线107(图中示例性地示出一条)，触控电极115和触控线107可通过过孔K2实现电连接。触控线107引出至非显示区与触控驱动芯片(图中未示出)电连接，触控驱动芯片用于为触控电极115提供触控扫描信号，并根据触控电极115输出的触控检测信号进行触控检测。该触控驱动芯片可以与显示驱动芯片分开设置，也可以集成为同一个芯片。
触控电极115在显示阶段复用为公共电极，在显示阶段，向各个公共电极施加公共电压，公共电极和设置于子像素内的像素电极之间形成驱动液晶层中的液晶分子旋转的电场；在触控阶段，向各个触控电极分别施加触控信号，通过自电容方式检测传输到触控驱动电路中的各个触控电极上的电容变化，以实现触控检测。需要说明的是，本发明实施例对触控电极115的具体形状不做限定，可以是矩形、风车形或者任意不规则图形。
进一步的，在一些可选的实施方式中，触控电极覆盖多个子像素；沿第二方向排布的每两行子像素之间均设置有一条数据线，每间隔三条数据线之后设置有一条触控线。触控电极覆盖多个子像素，呈阵列分布，每间隔三条数据线之后设置有一条触控线，满足触控检测精度的同时保证了开口率。
本发明实还提供一种阵列基板的制作方法的实施例说明，以下就上述阵列基板的制作方法进行介绍，本领域技术人员在理解本发明技术方案时，关于阵列基板的实施例和关于阵列基板的制作方法的实施例，可相互参考。
本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，流程图参考图11，包括：
步骤S101：设置一基板。
步骤S102：在基板一侧设置第一金属层。
步骤S103：对第一金属层进行刻蚀，形成栅极线和数据线，其中，栅极线沿基板板面的第一方向走线，数据线沿基板板面的第二方向走线，数据线在与栅极线交叉的位置断开形成多个数据线段，第一方向与第二方向垂直。
步骤S104：在第一金属层上设置第一绝缘层。
步骤S105：对第一绝缘层打孔形成多个第一过孔。
步骤S106：在第一绝缘层上设置第二金属层，形成第二金属层的金属的电阻小于形成第一金属层的金属的电阻。
步骤S107：对第二金属层进行刻蚀，形成触控线和数据跨桥线，其中，数据跨桥线通过第一过孔连接数据线相邻的两个数据线段。
该实施例提供的阵列基板，设置栅极线和数据线在第一金属层布线，设置触控线和数据跨桥线在第二金属层布线，数据跨桥线通过第一过孔连接位于第一金属层的数据线相邻的两个数据线段，通过跨桥连接的方式保证了数据线信号的传输，并且形成第二金属层的金属的电阻小于形成第一金属层的金属的电阻，设置触控线的金属的电阻小，能够提升触控感应的性能，数据线的大部分走线设置在第一金属层，只有少部分数据跨桥线设置在第二金属层，设置第一金属层的金属的电阻与常规设计中电阻相同，或者也可以适当的增大第一金属层的金属的电阻来弥补设置在第二金属层的数据跨桥线的小电阻，保证数据线上整体的电阻足够大，显示面板从触控感应阶段切换到显示阶段时，数据线上不会有瞬间的大电流，保证了显示面板的显示性能可靠性。
进一步的，在一些可选的实施方式中，阵列基板包括显示区和边框区，阵列基板还包括设置于边框区的栅极驱动电路，栅极驱动电路与栅极线相连接，栅极驱动电路栅极驱动电路包括多条信号线，信号线包括第一信号线段和第二信号线段；本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，流程图如图12所示，包括：
步骤S201：设置一基板。
步骤S202：在基板一侧设置第一金属层。
步骤S203：对第一金属层进行刻蚀，形成栅极线和数据线，同时，还形成第一信号线段，其中，栅极线沿基板板面的第一方向走线，数据线沿基板板面的第二方向走线，数据线在与栅极线交叉的位置断开形成多个数据线段，第一方向与第二方向垂直。
步骤S204：在第一金属层上设置第一绝缘层。
步骤S205：对第一绝缘层打孔形成多个第一过孔。
步骤S206：在第一绝缘层上设置第二金属层，形成第二金属层的金属的电阻小于形成第一金属层的金属的电阻。
步骤S207：对第二金属层进行刻蚀，形成触控线和数据跨桥线，同时，还形成第二信号线段，其中，第一信号线段与第二信号线段通过第一过孔连接，数据跨桥线通过第一过孔连接数据线相邻的两个数据线段。
设计边框区栅极驱动电路的信号线在第一金属层和第二金属层之间直接通过第一过孔连接，与常规设计相比换线时不通过铟锡氧化物薄膜层，避免了8585(温度为85摄氏度，相对湿度为85％)测试和使用过程中，水汽进入框胶导致换线孔的电化学腐蚀，影响阵列基板使用性能。
进一步的，在一些可选的实施方式中，阵列基板包括多个呈矩阵分布的子像素，栅极线位于沿第一方向排布的两行子像素之间，数据线位于沿第二方向排布的两行子像素之间；触控线与数据线的延伸方向相同，位于相同的两行子像素之间的触控线和数据线间隔预定距离，优选的，预定距离为1um至2um。
进一步的，在一些可选的实施方式中，数据跨桥线与触控线的延伸方向相同，且数据跨桥线位于第一方向上相邻的两个子像素之间，以使数据跨桥线与触控线绝缘。
数据线设置在第一金属层走线，触控线设置在第二金属层走线，设置位于相同的两行子像素之间的触控线和数据线在第一方向上间隔预定距离，避免了触控线和数据线之间信号相互干扰，同时与触控线和数据线设置于同一金属层时相比，能够把触控线和数据线在第一方向上的间隔距离缩短至1um至2um，明显缩短了触控线和数据线之间的距离，像素区透射面积增大，有效增加了开口率。
进一步的，在一些可选的实施方式中，阵列基板上设置有薄膜晶体管；本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，流程图如图13所示，包括：
步骤S301：设置一基板。
步骤S302：在基板一侧设置第一金属层。
步骤S303：对第一金属层进行刻蚀，形成栅极线和数据线，同时，还形成薄膜晶体管的栅极，其中，栅极线沿基板板面的第一方向走线，数据线沿基板板面的第二方向走线，数据线在与栅极线交叉的位置断开形成多个数据线段，第一方向与第二方向垂直。
步骤S304：在第一金属层上设置第一绝缘层。
步骤S305：对第一绝缘层打孔形成多个第一过孔。
步骤S306：在第一绝缘层上设置第二金属层，形成第二金属层的金属的电阻小于形成第一金属层的金属的电阻。
步骤S307：对第二金属层进行刻蚀，形成触控线和数据跨桥线的同时，还形成薄膜晶体管的源极和漏极，其中，数据跨桥线通过第一过孔连接数据线相邻的两个数据线段。
步骤S308：在与第二金属层同层的位置设置第一电极层；
步骤S309：对第一电极层进行刻蚀形成像素电极，其中，像素电极与薄膜晶体管的漏极相连接；
步骤S310：在第二金属层和第一电极层上设置第二绝缘层；
步骤S311：对第二绝缘层进行打孔形成多个第二过孔；
步骤S312：在第二绝缘层上设置第二电极层；
步骤S313：对第二电极层进行刻蚀形成呈阵列分布的多个触控电极，其中，触控电极经由第二过孔连接触控线。
本实施例提供的阵列基板膜层结构少，有利于制作薄型化的阵列基板，同时仅在第一绝缘层和第二绝缘层设置过孔连接，过孔少工艺制程简单。
进一步的，在一些可选的实施方式中，触控电极在显示阶段复用为公共电极，公共电极与像素电极构成像素电容。触控电极在显示阶段复用为公共电极，实现内嵌式触控功能的同时，能够减薄阵列基板的厚度。
进一步的，在一些可选的实施方式中，触控电极覆盖多个子像素；沿第二方向排布的每两行子像素之间均设置有一条数据线，每间隔三条数据线之后设置有一条触控线。触控电极覆盖多个子像素，呈阵列分布，每间隔三条数据线之后设置有一条触控线，满足触控检测精度的同时保证了开口率。
本发明实施例还提供一种显示面板，包括上述实施例所述的阵列基板。该显示面板显示性能可靠性好，像素区透射面积大，开口率高。
通过上述实施例可知，本发明的显示面板及显示面板检测方法，达到了如下的有益效果：
(1)本发明提供的阵列基板，设置栅极线和数据线在第一金属层布线，设置触控线和数据跨桥线在第二金属层布线，在栅极线与数据线的交叉位置，数据线在第一金属层断开，通过第二金属层的数据跨桥线连接，通过跨桥连接的方式保证了数据线信号的传输，并且，由于大部分数据线与触控线不在同一金属层，可设置触控线所在的第二金属层的金属电阻较小来满足触控功能要求，提升触控感应的性能，对于数据线而言，大部分走线设置在第一金属层，只有少部分数据跨桥线设置在第二金属层，设置第一金属层的金属的电阻可与常规设计中数据线的电阻相同，或者也可以适当的增大第一金属层的金属的电阻来弥补设置在第二金属层的数据跨桥线的小电阻，保证数据线上整体的电阻足够大，显示面板从触控感应阶段切换到显示阶段时，数据线上不会有瞬间的大电流，保证了显示面板的显示性能可靠性。
(2)设计栅极驱动电路的信号线在第一金属层和第二金属层之间直接通过第一过孔连接，与常规设计相比换线时不通过铟锡氧化物薄膜层，避免了8585(温度为85摄氏度，相对湿度为85％)测试和使用过程中，水汽进入框胶导致换线孔的电化学腐蚀影响阵列基板使用性能。
(3)数据线设置在第一金属层走线，触控线设置在第二金属层走线，设置位于相同的两行子像素之间的触控线和数据线在第一方向上间隔预定距离，避免了触控线和数据线之间信号相互干扰，同时与触控线和数据线设置于同一金属层时相比，明显缩短了触控线和数据线之间的距离，像素区透射面积增大，有效增加了开口率。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。

Claims (13)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
设置于所述基板一侧的第一金属层，其中，所述第一金属层用于设置栅极线和数据线，所述栅极线沿所述基板板面的第一方向走线，所述数据线沿所述基板板面的第二方向走线，所述数据线在与所述栅极线交叉的位置断开形成多个数据线段，所述第一方向与所述第二方向垂直；
设置于所述第一金属层远离所述基板一侧的第一绝缘层，其中，所述第一绝缘层设置有多个第一过孔；
设置于所述第一绝缘层远离所述第一金属层一侧的第二金属层，其中，所述第二金属层用于设置触控线和数据跨桥线，所述数据跨桥线通过所述第一过孔连接所述数据线相邻的两个数据线段，形成所述第二金属层的金属的电阻小于形成所述第一金属层的金属的电阻；
显示区和边框区，设置于所述边框区的栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括多条信号线，所述信号线包括设置于所述第一金属层的第一信号线段和设置于所述第二金属层的第二信号线段，所述第一信号线段与所述第二信号线段通过所述第一过孔连接；
多个呈矩阵分布的子像素，所述栅极线位于沿所述第一方向排布的两行子像素之间，所述数据线位于沿所述第二方向排布的两行子像素之间；所述触控线与所述数据线的延伸方向相同，位于相同的两行子像素之间的所述触控线和所述数据线在所述第一方向上间隔预定距离。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述阵列基板上设置有薄膜晶体管，所述第一金属层还用于设置所述薄膜晶体管的栅极，所述第二金属层还用于设置所述薄膜晶体管的源极和漏极；
所述阵列基板还包括：
与所述第二金属层同层设置的第一电极层，其中，所述第一电极层用于设置像素电极，所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极相连接；
设置于所述第二金属层远离所述第一绝缘层一侧的第二绝缘层，其中，所述第二绝缘层设置有多个第二过孔；
设置于所述第二绝缘层远离所述第二金属层一侧的第二电极层，其中，所述第二电极层用于设置呈阵列分布的多个触控电极，所述触控电极经由所述第二过孔连接所述触控线。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述触控电极在显示阶段复用为公共电极，所述公共电极与所述像素电极构成像素电容。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，
所述触控电极覆盖多个所述子像素；
沿所述第二方向排布的每两行子像素之间均设置有一条所述数据线，每间隔三条所述数据线之后设置有一条所述触控线。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述数据跨桥线与所述触控线的延伸方向相同，且所述数据跨桥线位于所述第二方向上相邻的两个子像素之间，以使所述数据跨桥线与所述触控线绝缘。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述预定距离为1um至2um。
7.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板包括显示区和边框区，所述阵列基板还包括设置于所述边框区的栅极驱动电路，所述栅极驱动电路与栅极线相连接，所述栅极驱动电路包括多条信号线，所述信号线包括第一信号线段和第二信号线段；所述阵列基板还包括多个呈矩阵分布的子像素；所述阵列基板的制作方法包括：
设置一基板；
在所述基板一侧设置第一金属层；
对所述第一金属层进行刻蚀，形成栅极线、数据线和所述第一信号线段，其中，所述栅极线沿所述基板板面的第一方向走线，所述数据线沿所述基板板面的第二方向走线，所述数据线在与所述栅极线交叉的位置断开形成多个数据线段，所述栅极线位于沿所述第一方向排布的两行子像素之间，所述数据线位于沿所述第二方向排布的两行子像素之间，所述第一方向与所述第二方向垂直；
在所述第一金属层上设置第一绝缘层；
对所述第一绝缘层打孔形成多个第一过孔；
在所述第一绝缘层上设置第二金属层；
对所述第二金属层进行刻蚀，形成触控线、数据跨桥线和第二信号线段，其中，所述数据跨桥线通过所述第一过孔连接所述数据线相邻的两个数据线段，所述第一信号线段与所述第二信号线段通过所述第一过孔连接，形成所述第二金属层的金属的电阻小于形成所述第一金属层的金属的电阻；所述触控线与所述数据线的延伸方向相同，位于相同的两行子像素之间的所述触控线和所述数据线间隔预定距离。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，
所述阵列基板上设置有薄膜晶体管；
在对所述第一金属层进行刻蚀，形成栅极线和数据线的步骤中，对所述第一金属层进行刻蚀，形成栅极线和数据线的同时，还形成所述薄膜晶体管的栅极；
在对所述第二金属层进行刻蚀，形成触控线和数据跨桥线的步骤中，对所述第二金属层进行刻蚀，形成触控线和数据跨桥线的同时，还形成所述薄膜晶体管的源极和漏极；
所述阵列基板的制造方法还包括：
在对所述第二金属层进行刻蚀，形成触控线、数据跨桥线、所述薄膜晶体管的源极和漏极之后，在与所述第二金属层同层的位置设置第一电极层；
对所述第一电极层进行刻蚀形成像素电极，其中，所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极相连接；
在所述第二金属层和所述第一电极层上设置第二绝缘层；
对所述第二绝缘层进行打孔形成多个第二过孔；
在所述第二绝缘层上设置第二电极层；
对所述第二电极层进行刻蚀形成呈阵列分布的多个触控电极，其中，所述触控电极经由所述第二过孔连接所述触控线。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述触控电极在显示阶段复用为公共电极，所述公共电极与所述像素电极构成像素电容。
10.根据权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，
所述触控电极覆盖多个所述子像素；
沿所述第二方向排布的每两行子像素之间均设置有一条所述数据线，每间隔三条所述数据线之后设置有一条所述触控线。
11.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述数据跨桥线与所述触控线的延伸方向相同，且所述数据跨桥线位于所述第一方向上相邻的两个子像素之间，以使所述数据跨桥线与所述触控线绝缘。
12.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述预定距离为1um至2um。
13.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至6任一项所述的阵列基板。
CN201710381254.6A 2017-05-25 2017-05-25 阵列基板及其制作方法和显示面板 Active CN107179639B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710381254.6A CN107179639B (zh) 2017-05-25 2017-05-25 阵列基板及其制作方法和显示面板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710381254.6A CN107179639B (zh) 2017-05-25 2017-05-25 阵列基板及其制作方法和显示面板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107179639A CN107179639A (zh) 2017-09-19
CN107179639B true CN107179639B (zh) 2020-01-21

Family

ID=59835000

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710381254.6A Active CN107179639B (zh) 2017-05-25 2017-05-25 阵列基板及其制作方法和显示面板

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107179639B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107085332B (zh) * 2017-06-27 2020-05-22 上海天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN107908304B (zh) * 2017-09-29 2021-06-01 信利（惠州）智能显示有限公司 一种触控线的走线方法
CN108732832B (zh) * 2018-05-18 2020-04-28 京东方科技集团股份有限公司 触控显示面板及电子装置
CN111627938B (zh) * 2020-06-29 2022-02-22 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板与显示面板
US11403991B2 (en) 2020-09-03 2022-08-02 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and spliced display panel
CN112071192B (zh) * 2020-09-03 2022-01-25 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及拼接显示面板
CN118076917A (zh) * 2022-08-19 2024-05-24 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、其维修方法及显示装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6999152B2 (en) * 2000-02-21 2006-02-14 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Method of fabricating liquid crystal display
CN102034750A (zh) * 2009-09-25 2011-04-27 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制造方法
CN104698707A (zh) * 2015-04-01 2015-06-10 上海天马微电子有限公司 阵列基板及其形成方法、显示装置
CN105224140A (zh) * 2015-11-09 2016-01-06 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、触摸显示装置
CN206178759U (zh) * 2016-11-09 2017-05-17 上海天马微电子有限公司 显示面板
CN106707646A (zh) * 2017-02-07 2017-05-24 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板和显示面板

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6999152B2 (en) * 2000-02-21 2006-02-14 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Method of fabricating liquid crystal display
CN102034750A (zh) * 2009-09-25 2011-04-27 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制造方法
CN104698707A (zh) * 2015-04-01 2015-06-10 上海天马微电子有限公司 阵列基板及其形成方法、显示装置
CN105224140A (zh) * 2015-11-09 2016-01-06 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、触摸显示装置
CN206178759U (zh) * 2016-11-09 2017-05-17 上海天马微电子有限公司 显示面板
CN106707646A (zh) * 2017-02-07 2017-05-24 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板和显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
CN107179639A (zh) 2017-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107179639B (zh) 阵列基板及其制作方法和显示面板
CN106325608B (zh) 触控显示面板及触控显示装置
JP6702890B2 (ja) アレイ基板及びその作成方法と駆動方法、表示装置
CN106201114B (zh) 触控结构、阵列基板和显示装置
US9372360B2 (en) Touch liquid crystal display device
US9665222B2 (en) In-cell touch panel and display device with self-capacitance electrodes
US9811227B2 (en) Array substrate and display panel
CN108196725B (zh) 触控显示基板和触控显示装置
CN107340623B (zh) 阵列基板、显示面板及显示装置
CN107589576B (zh) 阵列基板及其制作方法、触控显示面板
CN106933416B (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN104699357B (zh) 一种电子设备、触摸显示面板以及触控显示基板
CN106908980B (zh) 阵列基板、触控显示面板及显示装置
CN107479757B (zh) 显示面板和显示装置
US9996183B2 (en) Touch-sensitive device and method for driving the same
CN104699356B (zh) 阵列基板、触控显示面板和触控显示装置
CN105159513B (zh) 阵列基板、自容式触控显示面板及电子装置
CN107193144A (zh) Ltps阵列基板及其制作方法
CN105094422A (zh) 一种触控显示面板、其制备方法、驱动方法及显示装置
WO2016206245A1 (zh) 内嵌式触摸屏及显示装置
CN105630247A (zh) 一种阵列基板
CN103454819A (zh) 用于液晶显示器的阵列基板及其制造方法
WO2016106849A1 (zh) 一种触控式液晶面板及其制作方法
CN103995616A (zh) 内嵌式触控面板及显示装置
CN106019679A (zh) 阵列基板及制作方法、显示面板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant