CN110164920A - 显示装置和制造所述显示装置的方法 - Google Patents

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Abstract

提供了能够改善具有通孔的显示面板的可靠性(例如，抗冲击性)的显示装置以及制造显示装置的方法。显示装置包括：照相机模块，包括透镜；显示面板，包括在平面上与照相机模块叠置的通孔；窗玻璃，位于显示面板上；以及填充构件，位于通孔中并与照相机模块和窗玻璃中的每个相对。填充构件的端部与透镜之间的折射率差为约0.7或更小，填充构件的另一端部与窗玻璃之间的折射率差为约0.5或更小。

Description

显示装置和制造所述显示装置的方法
本申请要求于2018年2月12日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2018-0016676号韩国专利申请以及于2019年1月28日在美国专利商标局提交的第16/259,809号美国专利申请的优先权和权益，所述专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。
技术领域
本发明的实施例的方面涉及一种显示装置以及制造所述显示装置的方法。
背景技术
平板显示(“FPD”)装置的优势在于平板显示装置可以减小重量和体积，这是阴极射线管(“CRT”)的劣势。FPD装置的示例可以包括液晶显示(“LCD”)装置、场发射显示(“FED”)装置、等离子体显示面板(“PDP”)装置、有机发光二极管(“OLED”)显示装置等。
在FPD装置之间，OLED显示装置利用OLED显示图像，OLED可以通过电子和空穴的复合而产生光。
将理解的是，此背景技术部分意图提供对理解技术有用的背景，并且如在这里如此公开的，背景技术部分可以包括这样的想法、构思或认知：其在这里公开的主题的对应的有效提交日期之前不构成相关领域的技术人员知晓或理解的一部分。
发明内容
根据本发明的实施例的方面，提供了一种显示装置以及制造这样的显示装置的方法，所述显示装置具有包含通孔的显示面板的改善的可靠性(例如，抗冲击性)。
根据本发明的一个或更多个实施例，显示装置包括：显示面板，包括通孔；窗玻璃，位于显示面板上；以及填充构件，位于通孔中并与窗玻璃相对。通孔与包括至少一个透镜的照相机模块叠置，填充构件与照相机模块相对，填充构件的端部与透镜之间的折射率差为约0.7或更小，填充构件的另一端部与窗玻璃之间的折射率差为约0.5或更小。
根据本发明的一个或更多个实施例，显示装置包括：显示面板，包括通孔；窗玻璃，位于显示面板上；以及填充构件，位于通孔中并与窗玻璃相对。通孔与包括至少一个透镜的照相机模块叠置，填充构件与透镜接触。
根据本发明的一个或更多个实施例，制造显示装置的方法包括：形成显示面板；限定通孔，所述通孔贯穿显示面板并在平面上与照相机模块叠置；在限定有通孔的显示面板上布置窗玻璃；以及利用填充构件填充通孔。填充在通孔中的填充构件与照相机模块和窗玻璃中的每个相对，填充构件的端部与照相机模块的透镜之间的折射率差为约0.7或更小，填充构件的另一端部与窗玻璃之间的折射率差为约0.5或更小。
根据本发明的一个或更多个实施例，制造显示装置的方法包括：形成显示面板；限定通孔，所述通孔贯穿显示面板并在平面上与照相机模块叠置；在限定有通孔的显示面板上布置窗玻璃；利用填充构件填充通孔；以及使照相机模块的透镜与填充在通孔中的填充构件接触。填充在通孔中的填充构件与照相机模块和窗玻璃中的每个相对。
根据本发明的一个或更多个实施例，显示装置包括：显示面板，包括通孔以及定位在所述通孔周围的第一凹陷；窗玻璃，位于显示面板上；以及填充构件，位于通孔与第一凹陷中，并与窗玻璃相对，其中，设置在第一凹陷处的填充构件设置在与设置在通孔处的填充构件的竖直位置相同的竖直位置处。
前述内容仅是说明性的，并且不意图以任何方式加以限制。除了上述说明性的方面、实施例和特征之外，其它方面、实施例和特征通过参照附图和下面的详细描述将变得清楚。
附图说明
通过参照附图对本发明的一些实施例的进一步详细描述，本发明的更完整的理解将变得更加清楚，在附图中：
图1A是示出根据本发明的实施例的显示装置的示意图；
图1B是示出根据本发明的实施例的显示装置和照相机模块的示意图；
图2是示出根据本发明的实施例的显示模块的平面图；
图3是图2中示出的像素中的一个像素的等效电路图；
图4是示出包括图2中示出的像素中的一个像素与连接至其的线的显示装置的平面图；
图5A至图5G是分别示出图4中示出的组件中的一些组件的图；
图6是沿图4的线I-I'截取的剖视图；
图7是图2的区域“A”的放大图；
图8是沿图7的线II-II'截取的剖视图；
图9A至图9D是用于解释根据本发明的实施例的制造显示装置的方法的剖视图；
图10是示出当根据本发明的实施例的显示装置中的填充构件与透镜之间存在空气间隙时入射到照相机模块的透镜的光的透射率的曲线图；以及
图11是示出当根据本发明的实施例的显示装置中的填充构件与透镜之间不存在空气间隙时入射到照相机模块的透镜的光的透射率的曲线图。
具体实施方式
现在在这里将参照附图更充分地描述一些实施例。尽管发明可以以各种方式修改并且具有若干实施例，但是在附图中示出一些实施例，并在说明书中将主要描述所述一些实施例。然而，发明的范围不限于这些实施例，而应该被理解为包括包含在发明的精神和范围中的全部改变、等同物和替换物。
在附图中，为了清楚并易于对其进行描述，可以以放大的方式示出层和区域的厚度。当层、区域或板被称为“在”另一层、区域或板“上”时，其可以直接位于所述另一层、区域或板上，或者在其间可以存在一个或更多个中间层、中间区域或中间板。相反，当层、区域或板被称为“直接在”另一层、区域或板“上”时，在其间不存在中间层、中间区域或中间板。另外，当层、区域或板被称为在另一层、区域或板“下方”时，其可以直接位于所述另一层、区域或板下方，或者在其间可以存在一个或更多个中间层、中间区域或中间板。相反，当层、区域或板被称为“直接位于”另一层、区域或板“下方”时，在其间不存在中间层、中间区域或中间板。
为了便于描述，这里可以使用空间相对术语“在……下方”、“在……之下”、“下面的”、“在……上方”和“上面的”等来描述如附图中示出的一个元件或组件与另一元件或组件的关系。将理解的是，除了在附图中描绘的方位之外，空间相对术语意图包含装置在使用或操作中的不同方位。例如，在附图中示出的装置被翻转的情况下，设置“在”另一装置“下方”或“之下”的装置可以“在”另一装置“上方”。因此，说明性术语“在……下方”可以包括下面的位置和上面的位置两者。装置也可以以其它方向定位，并且如此，可以根据定位不同地解释空间相对描述语。
在整个说明书中，当元件被称为“连接”至另一元件时，所述元件可以“直接连接”至所述另一元件，或者在两者之间设置有一个或更多个中间元件的情况下“电连接”至所述另一元件。还将理解的是，当术语“包括”、“包含”和/或它们的变型用在此说明书中时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
将理解的是，尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一个元件区分开。因此，在不脱离这里的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”可以被命名为“第二元件”或“第三元件”，“第二元件”和“第三元件”可以被同样地命名。
如这里使用的“约”或“近似”包括所陈述的值并意为：考虑到所讨论的测量和与具体量的测量相关联的误差(例如，测量***的限制)，在如本领域普通技术人员确定的具体值的可接受偏差范围内。例如，“约”可以意为在一个或更多个标准偏差内，或在所陈述的值的±30％、±20％、±10％或±5％内。
除非另外定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非在本说明书中清楚地定义，否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应当被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于形式化的含义来解释。
为了更清楚地描述本发明的实施例，可以不提供与描述不相关的一些部分的描述。在整个说明书中，同样的附图标记表示同样的元件。
在这里，将参照图1至图11进一步详细描述根据本发明的一个或更多个实施例的显示装置以及制造显示装置的方法。
图1A是示出根据本发明的实施例的显示装置的示意图，图1B是示出根据本发明的实施例的显示装置和照相机模块的示意图。
如图1A中所示，根据本发明的实施例的显示装置包括显示模块1000、窗玻璃1010和填充构件1003。
显示模块1000包括具有通孔1001的显示面板。下面将给出对显示模块1000的构造的进一步详细描述。
窗玻璃1010设置在显示模块1000上，并且包括透明玻璃材料以传输从显示模块1000产生的图像。
填充构件1003包括透明材料，并且填充在通孔1001中，通孔1001贯穿与窗玻璃1010相对的显示模块1000。
如图1B中所示，通孔1001在平面上与照相机模块1020叠置，照相机模块1020包括至少一个透镜，填充构件1003与照相机模块1020相对。
照相机模块1020包括至少一个透镜，并通过接收通过透镜输入的光来接收图像。照相机模块1020通过通孔1001接收光。
根据本发明的实施例，填充构件1003可以与照相机模块1020的透镜接触。在这里，将基于填充构件1003与照相机模块1020的透镜接触的情况来描述本发明。
在实施例中，填充构件1003可以具有在从约1.2至约2.0的范围中的折射率。在实施例中，例如，照相机模块1020的透镜的折射率为约1.7，窗玻璃1010的折射率为约1.5。在实施例中，填充构件1003可以具有位于窗玻璃1010的折射率与照相机模块1020的透镜的折射率之间的折射率。因此，填充构件1003的一个端部与照相机模块1020的透镜之间的折射率差以及填充构件1003的另一端部与窗玻璃1010之间的折射率差减小了，并且可以改善入射到照相机模块1020的透镜的光的失真。
在实施例中，填充构件1003可以包括有机材料。例如，有机材料可以为丙烯酸硅基有机材料。
在实施例中，填充构件1003的一个端部与照相机模块1020的透镜之间的折射率差可以为约0.7或更小，填充构件1003的另一端部与窗玻璃1010之间的折射率差可以为约0.5或更小。
在实施例中，填充构件1003可以包括顺序堆叠的第一无机材料、有机材料和第二无机材料。在这样的实施例中，第一无机材料与照相机模块1020相对，第二无机材料与窗玻璃1010相对。例如，第一无机材料和第二无机材料可以为氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种。在实施例中，有机材料可以是丙烯酸硅基有机材料。
在实施例中，第一无机材料与照相机模块1020的透镜之间的折射率差可以为约0.7或更小，第二无机材料与窗玻璃1010之间的折射率差可以为约0.5或更小。
如上所述，当填充构件1003与照相机模块1020的透镜接触时，填充构件1003与照相机模块1020的透镜之间不存在空气间隙，不需要针对存在空气间隙的额外的折射率匹配。换言之，不需要为了减小填充构件1003的一个端部与空气之间的折射率差以及空气与照相机模块1020的透镜之间的折射率差的折射率调整。
在另一实施例中，填充构件1003可以不与照相机模块1020的透镜接触。在这样的实施例中，由于存在空气间隙因而可能需要额外的折射率匹配。换言之，可能需要折射率调整以减少填充构件1003的一个端部与空气之间的折射率差以及空气与照相机模块1020的透镜之间的折射率差。
根据本发明的实施例的显示装置还可以包括设置在显示模块1000与窗玻璃1010之间的透明的粘附单元1030。在这样的实施例中，通孔1001贯穿显示模块1000与粘附单元1030两者。
粘附单元1030使显示模块1000与窗玻璃1010彼此附着，并且可以通过例如光学透明粘合剂(“OCA”)或光学透明树脂(“OCR”)实现。
图2是示出根据本发明的实施例的显示模块的平面图。
根据本发明的实施例的显示模块1000包括显示面板1002、扫描驱动器102、发射控制驱动器103(也可以被称为发光控制驱动器103)、数据驱动器104和电源105。
显示面板1002包括：基底；设置在基底上的“i+2”条扫描线SL0至SLi+1、“k”条发射控制线EL1至ELk、“j”条数据线DL1至DLj以及“i*j”个像素PX，其中，i、j和k中的每个为大于1的自然数。扫描驱动器102、发射控制驱动器103和数据驱动器104设置在显示面板1002上。
显示面板1002包括显示区域1002a和非显示区域1002b。显示区域1002a指包括显示实质图像的像素的区域，非显示区域1002b指除了显示区域1002a之外的区域。
显示面板1002具有位于非显示区域1002b中并贯穿显示面板1002的通孔1001。通孔1001在平面上与照相机模块1020叠置，通孔1001的内部填充有填充构件1003。下面将描述贯穿显示面板1002的通孔1001的进一步详细描述。
多个像素PX设置在显示面板1002的显示区域1002a中。
“i+2”条扫描线SL0至SLi+1、“k”条发射控制线EL1至ELk、“j”条数据线DL1至DLj设置在显示面板1002的显示区域1002a中。在这样的实施例中，“i+2”条扫描线SL0至SLi+1延伸至非显示区域1002b并连接至扫描驱动器102，“k”条发射控制线EL1至ELk延伸至非显示区域1002b并连接至发射控制驱动器103，“j”条数据线DL1至DLj延伸至非显示区域1002b并连接至数据驱动器104。
扫描驱动器102和发射控制驱动器103可以以与形成像素PX的工艺基本相同的工艺形成在显示面板1002的基底上。例如，扫描驱动器102的开关元件、发射控制驱动器103的开关元件和像素PX的开关元件可以通过光刻工艺形成在基底上。
在实施例中，发射控制驱动器103可以内嵌在扫描驱动器102中。例如，扫描驱动器102还可以执行发射控制驱动器103的功能。在这样的实施例中，扫描线SL0至SLi+1以及发射控制线EL1至ELk通过扫描驱动器102一同被驱动。
在实施例中，数据驱动器104可以以芯片的形式制造。数据驱动器104可以以芯片键合的方式附着在显示面板1002的基底上。在实施例中，数据驱动器104可以设置在单独的印刷电路板(未示出)上，而不是设置在显示面板1002的基底上。在这样的实施例中，数据线DL1至DLj可以通过印刷电路板连接至数据驱动器104。
在实施例中，扫描驱动器102和发射控制驱动器103中的每个可以以芯片的形式制造。芯片型扫描驱动器102可以设置在显示面板1002的非显示区域1002b处或者可以设置在单独的印刷电路板(未示出)上。芯片型发射控制驱动器103可以设置在显示面板1002的非显示区域1002b处或者单独的印刷电路板(未示出)上。
如图2中所示，扫描线SL0至SLi+1沿Y轴方向排列，扫描线SL0至SLi+1中的每条沿X轴方向延伸。发射控制线EL1至ELk沿Y轴方向排列，发射控制线EL1至ELk中的每条沿X轴方向延伸。数据线DL1至DLj沿X轴方向排列，数据线DL1至DLj中的每条沿Y轴方向延伸。
在实施例中，扫描线SL0至SLi+1中的最靠近数据驱动器104的扫描线SL0被定义为第一虚设扫描线SL0，扫描线SL0至SLi+1中的最远离数据驱动器104的扫描线SLi+1被定义为第二虚设扫描线SLi+1。此外，第一虚设扫描线SL0与第二虚设扫描线SLi+1之间的扫描线SL1至SLi从靠近数据驱动器104的扫描线开始分别被顺序地定义为第一扫描线SL1至第i扫描线SLi。
扫描驱动器102根据从时序控制器(未示出)提供的扫描控制信号产生扫描信号，并将扫描信号顺序地施加至多条扫描线SL0至SLi+1。扫描驱动器102输出第一扫描信号至第i扫描信号、第一虚设扫描信号和第二虚设扫描信号。从扫描驱动器102输出的第一扫描信号至第i扫描信号分别被施加至第一扫描线SL1至第i扫描线SLi。例如，第n扫描信号被施加到第n扫描线SLn，其中，n为大于或等于1且小于或等于i的自然数。此外，从扫描驱动器102输出的第一虚设扫描信号被施加到第一虚设扫描线SL0，从扫描驱动器102输出的第二虚设扫描信号被施加到第二虚设扫描线SLi+1。
在一个帧时段期间，扫描驱动器102从第一扫描信号顺序地输出第一扫描信号至第i扫描信号。在这样的实施例中，扫描驱动器102在第一扫描信号之前输出第一虚设扫描信号，并在第i扫描信号之后输出第二虚设扫描信号。换言之，扫描驱动器102在一个帧时段期间首先输出第一虚设扫描信号，并且在一个帧时段期间最后输出第二虚设扫描信号。因此，在一个帧时段期间，包括虚设扫描线SL0和SLi+1的全部扫描线SL0至SLi+1从第一虚设扫描线SL0开始顺序地被驱动。
发射控制驱动器103根据从时序控制器(未示出)提供的控制信号产生发射控制信号，并将发射控制信号顺序地施加至多条发射控制线EL1至ELk。发射控制驱动器103输出第一发射控制信号至第k发射控制信号。从发射控制驱动器103输出的第一发射控制信号至第k发射控制信号被分别施加至第一发射控制线至第k发射控制线。例如，第m发射控制信号被施加至第m发射控制线ELm，其中，m为大于或等于1且小于或等于k的自然数。在一个帧时段期间，发射控制驱动器103从第一发射控制信号开始顺序地输出第一发射控制信号至第k发射控制信号。因此，在一个帧时段期间，全部发射控制线EL1至ELk从第一发射控制线EL1开始顺序地被驱动。
数据驱动器104将第一数据电压至第j数据电压分别施加至第一数据线DL1至第j数据线DLj。例如，数据驱动器104从时序控制器(未示出)接收图像数据信号和数据控制信号。此外，数据驱动器104根据数据控制信号对图像数据信号进行采样，在每个水平时段中与一个水平行对应地锁存采样的图像数据信号，并将锁存的图像数据信号基本同时施加至数据线DL1至DLj。
像素PX可以以矩阵的形式设置在显示模块1000的显示面板1002上。像素PX发射具有不同颜色的光。例如，在图2中示出的像素PX中，由标号“R”表示的像素为发射红色光的红色像素，由标号“G”表示的像素为发射绿色光的绿色像素，由标号“B”表示的像素为发射蓝色光的蓝色像素。
在实施例中，尽管未示出，但是显示模块1000可以包括至少一个发射白色光的白色像素。白色像素可以设置在显示面板1002的显示区域1002a中。
一个像素连接至至少一条扫描线。作为示例，如图2中所示，在连接至第一数据线DL1的多个像素PX中，设置为最靠近数据驱动器104的蓝色像素连接至在不同的输出时刻接收扫描信号的三条扫描线，例如，第一虚设扫描线SL0、第一扫描线SL1和第二扫描线SL2。作为另一示例，在连接至第二数据线DL2的多个像素PX中，设置为第三靠近数据驱动器104的绿色像素连接至在不同的输出时刻接收扫描信号的三条扫描线，例如，第四扫描线SL4、第五扫描线SL5和第六扫描线SL6。
共同连接至同一数据线并彼此相邻设置的像素共同连接至至少一条扫描线。换言之，连接至同一数据线并在Y轴方向上彼此相邻的两个像素共用至少一条扫描线。例如，连接至第二数据线DL2并设置为最靠近数据驱动器104的绿色像素(在这里，“第一绿色像素”)与连接至第二数据线DL2并设置为第二靠近数据驱动器104的绿色像素(这里，“第二绿色像素”)彼此相邻设置，并且第一绿色像素和第二绿色像素共同连接至第二扫描线SL2。作为另一示例，当将连接至第二数据线DL2并设置为第三靠近数据驱动器104的绿色像素定义为第三绿色像素时，第三绿色像素和第二绿色像素共同连接至第四扫描线SL4。
共同连接至同一数据线的像素独立地连接至至少一条不同的扫描线。例如，上面描述的第一绿色像素独立地连接至第一扫描线SL1，上面描述的第二绿色像素独立地连接至第三扫描线SL3，上面描述的第三绿色像素独立地连接至第五扫描线SL5。
如此，连接至同一数据线的像素中的每个独立地连接至至少一条扫描线。这里，分别连接至不同的扫描线的至少两个像素(例如，第一像素PX1和第二像素PX2)的含义是连接至第一像素PX1的至少一条扫描线与连接至第二像素PX2的至少一条扫描线不同。因此，连接至同一数据线的像素分别连接至不同的扫描线。
另一方面，这里，连接至同一扫描线的至少两个像素(例如，第一像素PX1和第二像素PX2)的含义是连接至第一像素PX1的扫描线与连接至第二像素PX2的扫描线完全相同。因此，连接至同一发射控制线的像素中的每个连接至同一扫描线。例如，共同连接至第二发射控制线EL2的像素共同连接至第二扫描线SL2、第三扫描线SL3和第四扫描线SL4。
红色像素和蓝色像素连接至第(2p-1)数据线，绿色像素连接至第2p数据线，其中，p为自然数。例如，红色像素和蓝色像素连接至第一数据线DL1，绿色像素连接至第二数据线DL2。
连接至第(2p-1)数据线(例如，第一数据线DL1)的一个像素(这里，“第一预定像素”)和连接至另一第(2p-1)数据线(例如，第三数据线DL3)的另一像素(这里，“第二预定像素”)可以连接至同一扫描线，在这样的实施例中，第一预定像素发射具有与从第二预定像素发射的光的颜色不同的颜色的光。例如，第一预定像素是连接至第一虚设扫描线SL0、第一扫描线SL1、第二扫描线SL2和第一数据线DL1的蓝色像素，第二预定像素可以是连接至第一虚设扫描线SL0、第一扫描线SL1、第二扫描线SL2和第三数据线DL3的红色像素。
连接至同一数据线(例如，第(2p-1)数据线)的两个相邻的像素发射具有彼此不同颜色的光，与所述两个像素中的一个像素相邻的至少一个绿色像素包括在用于显示单元图像的单元像素中。例如，连接至第三数据线DL3和第一扫描线SL1的红色像素、连接至第三数据线DL3和第三扫描线SL3的蓝色像素、连接至第二数据线DL2和第一扫描线SL1的绿色像素以及连接至第四数据线DL4和第一扫描线SL1的绿色像素可以形成一个单元像素。
每个像素PX通常从电源105接收高电位驱动电压ELVDD、低电位驱动电压ELVSS以及初始化电压Vinit。换言之，一个像素PX接收高电位驱动电压ELVDD、低电位驱动电压ELVSS以及初始化电压Vinit的全部。
在实施例中，显示模块1000相对于弯曲部77弯曲。在实施例中，例如，显示模块1000的设置有数据驱动器104的部分相对于弯曲部77弯曲同时朝向显示模块1000的后表面旋转。
图3是示出图2中示出的像素中的一个像素的等效电路图。
在实施例中，像素PX可以包括第一开关元件T1、第二开关元件T2、第三开关元件T3、第四开关元件T4、第五开关元件T5、第六开关元件T6、第七开关元件T7、存储电容器Cst和发光元件(这里，表示为发光二极管(“LED”))。
在实施例中，如图3中所示，第一开关元件T1、第二开关元件T2、第三开关元件T3、第四开关元件T4、第五开关元件T5、第六开关元件T6和第七开关元件T7中的每个可以是P型晶体管。然而，实施例不限于此，在实施例中，第一开关元件T1、第二开关元件T2、第三开关元件T3、第四开关元件T4、第五开关元件T5、第六开关元件T6和第七开关元件T7中的每个可以是N型晶体管。
第一开关元件T1包括连接至第一节点n1的栅电极，并且连接在第二节点n2与第三节点n3之间。第一开关元件T1的源电极和漏电极中的一个连接至第二节点n2，第一开关元件T1的源电极和漏电极中的另一个连接至第三节点n3。
第二开关元件T2包括连接至第n扫描线SLn的栅电极，并且连接在数据线DL与第二节点n2之间。第二开关元件T2的源电极和漏电极中的一个连接至数据线DL，第二开关元件T2的源电极和漏电极中的另一个连接至第二节点n2。第n扫描信号SSn被施加至第n扫描线SLn。
第三开关元件T3包括连接至第n扫描线SLn的栅电极，并且连接在第一节点n1与第三节点n3之间。第三开关元件T3的源电极和漏电极中的一个连接至第一节点n1，第三开关元件T3的源电极和漏电极中的另一个连接至第三节点n3。
第四开关元件T4包括连接至第(n-1)扫描线SLn-1的栅电极，并且连接在第一节点n1与初始化线IL之间。第四开关元件T4的源电极和漏电极中的一个连接至第一节点n1，第四开关元件T4的源电极和漏电极中的另一个连接至初始化线IL。前述初始化电压Vinit被施加到初始化线IL，第(n-1)扫描信号SSn-1被施加到第(n-1)扫描线SLn-1。
第五开关元件T5包括连接至发射控制线EL的栅电极，并且连接在第二节点n2与作为电源线中的一条的高电位线VDL之间。第五开关元件T5的源电极和漏电极中的一个连接至高电位线VDL，第五开关元件T5的源电极和漏电极中的另一个连接至第二节点n2。上述高电位驱动电压ELVDD被施加至高电位线VDL。
第六开关元件T6包括连接至发射控制线EL的栅电极，并且连接在第三节点n3与第四节点n4之间。第六开关元件T6的源电极和漏电极中的一个连接至第三节点n3，第六开关元件T6的源电极和漏电极中的另一个连接至第四节点n4。发射控制信号ES被施加至发射控制线EL。
第七开关元件T7包括连接至第(n+1)扫描线SLn+1的栅电极，并且连接在初始化线IL与第四节点n4之间。第七开关元件T7的源电极和漏电极中的一个连接至初始化线IL，第七开关元件T7的源电极和漏电极中的另一个连接至第四节点n4。第(n+1)扫描信号SSn+1被施加至第(n+1)扫描线SLn+1。
存储电容器Cst连接在高电位线VDL与第一节点n1之间。存储电容器Cst针对一个帧时段存储施加到第一开关元件T1的栅电极的信号。
LED根据通过第一开关元件T1施加的驱动电流而发射光。LED根据驱动电流的幅值发射具有不同亮度的光。LED的阳电极连接至第四节点n4，LED的阴电极连接至作为另一条电源线的低电位线VSL。前述的低电位驱动电压ELVSS被施加至此低电位线VSL。LED可以是有机发光二极管(“OLED”)。LED的阳电极对应于下面将描述的像素电极，LED的阴电极对应于下面将描述的共电极。
第四开关元件T4在第(n-1)扫描信号SSn-1被施加至第(n-1)扫描线SLn-1时导通。初始化电压Vinit通过导通的第四开关元件T4施加到第一节点n1(即，第一开关元件T1的栅电极)。因此，第一开关元件T1的栅电极的电压被初始化。
第二开关元件T2和第三开关元件T3在第n扫描信号SSn被施加至第n扫描线SLn时导通。数据电压DA通过导通的第二开关元件T2施加到第二节点n2(即，第一开关元件T1的源电极和漏电极中的一个)，第三开关元件T3导通使得第一开关元件T1的栅电极与源电极和漏电极中的另一个彼此连接，因此，第一开关元件T1导通。因此，检测到第一开关元件T1的阈值电压，并且阈值电压被存储在存储电容器Cst中。
第五开关元件T5和第六开关元件T6在发射控制信号ES被施加至发射控制线EL时导通。驱动电流通过导通的第五开关元件T5、导通的第一开关元件T1和导通的第六开关元件T6施加到LED，使得LED发射光。
第七开关元件T7在第(n+1)扫描信号SSn+1被施加至第(n+1)扫描线SLn+1时导通。初始化电压Vinit通过导通的第七开关元件T7被施加到第四节点n4(即，LED的阳电极)。因此，LED反向偏置，使得LED截止。
图4是示出包括图2中示出的像素中的一个像素以及连接至其的线的显示装置的平面图；图5A至图5G是分别示出图4中示出的组件中的一些组件的图；图6是沿图4的线I-I'截取的剖视图。
例如，图5A是示出图4的半导体层321(见图6)的图；图5B是示出图4的第(n-1)扫描线SLn-1、第n扫描线SLn、第(n+1)扫描线SLn+1和发射控制线EL的图；图5C是示出图4的初始化线IL和电容器电极201的图；图5D示出了图4的数据线DL和高电位线VDL；图5E是示出图4的像素电极PE的图；图5F是示出图4的半导体层321、第(n-1)扫描线SLn-1、第n扫描线SLn、第(n+1)扫描线SLn+1和发射控制线EL的图；图5G是示出图4的第一连接电极701、第二连接电极702、第三连接电极703、数据线DL、高电位线VDL和阻光层190的图。
如图4和图6中所示，根据本发明的实施例的显示面板1002包括基底100、像素电路单元200、阻光层190、间隔件422、LED、密封单元750和偏振板800。
如图4和图5F中所示，像素电路单元200的第一开关元件T1包括第一栅电极GE1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1。
像素电路单元200的第二开关元件T2包括第二栅电极GE2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2。
像素电路单元200的第三开关元件T3包括第三栅电极GE3、第三源电极SE3和第三漏电极DE3。
像素电路单元200的第四开关元件T4包括第四栅电极GE4、第四源电极SE4和第四漏电极DE4。
像素电路单元200的第五开关元件T5包括第五栅电极GE5、第五源电极SE5和第五漏电极DE5。
像素电路单元200的第六开关元件T6包括第六栅电极GE6、第六源电极SE6和第六漏电极DE6。
像素电路单元200的第七开关元件T7包括第七栅电极GE7、第七源电极SE7和第七漏电极DE7。
在实施例中，图6中示出的基底100可以包括至少两层。在实施例中，例如，基底100可以包括沿Z轴方向布置的基体层110、第一层111、第二层112、第三层113和第四层114。第一层111设置在基体层110与第二层112之间，第二层112设置在第一层111与第三层113之间，第三层113设置在第二层112与第四层114之间，第四层114设置在第三层113与像素电路单元200的缓冲层120之间。
在实施例中，第一层111可以具有比第二层112的厚度大的厚度。厚度指在Z轴方向上测量的尺寸。
第三层113可以具有比第四层114的厚度大的厚度。
第一层111和第三层113可以具有基本相等的厚度。
第二层112和第四层114可以具有基本相等的厚度。
在实施例中，基体层110可以是玻璃基底或膜。
在实施例中，第一层111可以包括玻璃、透明塑料等。在实施例中，第一层111可以包括有机材料。例如，第一层111可以包括从由Kapton、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚丙烯酸酯(PAR)、纤维增强塑料(FRP)等组成的组中选择的一种。
在实施例中，第二层112可以包括无机材料。例如，第二层112可以包括氮化硅(SiNx)层、氧化硅(SiO2)层和氮氧化硅(SiOxNy)层中的一种。
第三层113可以包括与上述第一层111中包括的材料基本相同的材料。
第四层114可以包括与上述第二层112中包括的材料基本相同的材料。
如图6中所示，像素电路单元200设置在基底100上。例如，像素电路单元200设置在基底100的第四层114上。
像素电路单元200可以包括缓冲层120、半导体层321、第一栅极绝缘层140、第一栅电极GE1、第二栅电极GE2、第三栅电极GE3、第四栅电极GE4、第五栅电极GE5、第六栅电极GE6、第七栅电极GE7、第(n-1)扫描线SLn-1、第n扫描线SLn、第(n+1)扫描线SLn+1、发射控制线EL、第二栅极绝缘层150、初始化线IL、电容器电极201、绝缘中间层160、第一连接电极701、第二连接电极702、第三连接电极703、数据线DL、高电位线VDL和平坦化层180。
缓冲层120设置在基底100的第四层114上。在实施例中，缓冲层120可以设置在第四层114的整个表面上方。例如，缓冲层120可以与第四层114的整个表面叠置。
缓冲层120用于基本防止不期望的元素的渗透并使其下方的表面平坦化，并且可以包括用于平坦化和/或基本防止渗透的任意适当的材料。在实施例中，例如，缓冲层120可以包括下面的一种：氮化硅(SiNx)层、氧化硅(SiO2)层和氮氧化硅(SiOxNy)层。然而，缓冲层120并非总是必要的，并且基于基底100的种类以及基底100的工艺条件而可以省略。
如图6中所示，半导体层321设置在缓冲层120上。
如图5A中所示，半导体层321提供第一开关元件T1、第二开关元件T2、第三开关元件T3、第四开关元件T4、第五开关元件T5、第六开关元件T6和第七开关元件T7的对应的沟道区域CH1、CH2、CH3、CH4、CH5、CH6和CH7。此外，半导体层321提供第一开关元件T1、第二开关元件T2、第三开关元件T3、第四开关元件T4、第五开关元件T5、第六开关元件T6和第七开关元件T7的对应的源电极SE1、SE2、SE3、SE4、SE5、SE6和SE7以及对应的漏电极DE1、DE2、DE3、DE4、DE5、DE6和DE7。
为此，半导体层321可以包括第一沟道区域CH1、第二沟道区域CH2、第三沟道区域CH3、第四沟道区域CH4、第五沟道区域CH5、第六沟道区域CH6、第七沟道区域CH7、第一源电极SE1、第二源电极SE2、第三源电极SE3、第四源电极SE4、第五源电极SE5、第六源电极SE6、第七源电极SE7、第一漏电极DE1、第二漏电极DE2、第三漏电极DE3、第四漏电极DE4、第五漏电极DE5、第六漏电极DE6和第七漏电极DE7。
第一源电极SE1、第二漏电极DE2和第五漏电极DE5彼此连接。在实施例中，例如，第一源电极SE1、第二漏电极DE2和第五漏电极DE5可以形成为一体。
第一漏电极DE1、第三源电极SE3和第六源电极SE6彼此连接。例如，第一漏电极DE1、第三源电极SE3和第六源电极SE6可以形成为一体。
第三漏电极DE3和第四漏电极DE4彼此连接。例如，第三漏电极DE3和第四漏电极DE4可以形成为一体。
第六漏电极DE6和第七源电极SE7彼此连接。例如，第六漏电极DE6和第七源电极SE7可以形成为一体。
在实施例中，半导体层321可以包括多晶硅层、非晶硅层以及诸如铟镓锌氧化物(IGZO)或铟锌锡氧化物(IZTO)的氧化物半导体中的任意一种。例如，在半导体层321包括多晶硅层的情况下，半导体层321可以包括未掺杂有杂质的沟道区域，以及位于沟道区域的相对侧上并掺杂有杂质的源电极和漏电极。
如图6中所示，第一栅极绝缘层140设置在半导体层321和缓冲层120上。在实施例中，第一栅极绝缘层140可以包括原硅酸四乙酯(TEOS)、氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)中的至少一种。在实施例中，例如，第一栅极绝缘层140可以具有双层结构，在所述双层结构中顺序地堆叠有具有约40nm的厚度的SiNx层以及具有约80nm的厚度的TEOS层。
如图6中所示，第一栅电极GE1和第六栅电极GE6设置在第一栅极绝缘层140上。例如，第一栅电极GE1和第六栅电极GE6设置在第一栅极绝缘层140与第二栅极绝缘层150之间。
尽管图6中未示出，但是第二栅电极GE2、第三栅电极GE3、第四栅电极GE4、第五栅电极GE5和第七栅电极GE7也设置在第一栅极绝缘层140上。例如，第二栅电极GE2、第三栅电极GE3、第四栅电极GE4、第五栅电极GE5和第七栅电极GE7设置在第一栅极绝缘层140与第二栅极绝缘层150之间。
尽管图6中未示出，但是扫描线和发射控制线也设置在第一栅极绝缘层140上。例如，第(n-1)扫描线SLn-1、第n扫描线SLn、第(n+1)扫描线SLn+1以及发射控制线EL设置在第一栅极绝缘层140与第二栅极绝缘层150之间。
如图4与图5F中所示，第一栅电极GE1与半导体层321的第一沟道区域CH1叠置，第二栅电极GE2与半导体层321的第二沟道区域CH2叠置，第三栅电极GE3与半导体层321的第三沟道区域CH3叠置，第四栅电极GE4与半导体层321的第四沟道区域CH4叠置，第五栅电极GE5与半导体层321的第五沟道区域CH5叠置，第六栅电极GE6与半导体层321的第六沟道区域CH6叠置，第七栅电极GE7与半导体层321的第七沟道区域CH7叠置。
如图5B和图5F中所示，第四栅电极GE4连接至第(n-1)扫描线SLn-1，在这样的实施例中，第四栅电极GE4可以是第(n-1)扫描线SLn-1的一部分。例如，第(n-1)扫描线SLn-1的与半导体层321叠置的部分可以与第四栅电极GE4对应。
如图5B和图5F中所示，第三栅电极GE3连接至第n扫描线SLn，在这样的实施例中，第三栅电极GE3可以是第n扫描线SLn的一部分。例如，第n扫描线SLn的与半导体层321叠置的部分可以与第三栅电极GE3对应。
如图5B和图5F中所示，第七栅电极GE7连接至第(n+1)扫描线SLn+1，在这样的实施例中，第七栅电极GE7可以是第(n+1)扫描线SLn+1的一部分。例如，第(n+1)扫描线SLn+1的与半导体层321叠置的部分可以与第七栅电极GE7对应。
如图5B和图5F中所示，第五栅电极GE5和第六栅电极GE6共同连接至一条发射控制线EL，在这样的实施例中，第五栅电极GE5和第六栅电极GE6可以是发射控制线EL的一部分。例如，发射控制线EL的与半导体层321叠置的两部分可以分别与第五栅电极GE5和第六栅电极GE6对应。
扫描线(例如，第(n-1)扫描线SLn-1、第n扫描线SLn和第(n+1)扫描线SLn+1中的至少一条)可以包括铝(Al)或其合金、银(Ag)或其合金、铜(Cu)或其合金以及钼(Mo)或其合金中的任意一种。可选择地，扫描线可以包括铬(Cr)、钽(Ta)和钛(Ti)中的任意一种。在实施例中，扫描线可以具有多层结构，所述多层结构包括具有不同物理性质的至少两层导电层。
在实施例中，第一栅电极GE1、第二栅电极GE2、第三栅电极GE3、第四栅电极GE4、第五栅电极GE5、第六栅电极GE6和第七栅电极GE7可以包括与上述扫描线的材料基本相同的材料，并且具有与上述扫描线的结构基本相同的结构(例如，多层结构)。在实施例中，第一栅电极GE1、第二栅电极GE2、第三栅电极GE3、第四栅电极GE4、第五栅电极GE5、第六栅电极GE6和第七栅电极GE7中的每个和扫描线可以在基本相同的工艺中基本同时形成。
在实施例中，发射控制线EL可以包括与上述扫描线的材料基本相同的材料，并且具有与上述扫描线的结构基本相同的结构(例如，多层结构)。在实施例中，发射控制线EL和扫描线可以在基本相同的工艺中基本同时形成。
如图6中所示，第二栅极绝缘层150设置在第一栅电极GE1和第六栅电极GE6以及第一栅极绝缘层140上。在实施例中，第二栅极绝缘层150可以具有比第一栅极绝缘层140的厚度大的厚度。在实施例中，第二栅极绝缘层150可以包括与上述第一栅极绝缘层140中包括的材料基本相同的材料。
尽管图6中未示出，但是第二栅极绝缘层150也设置在第二栅电极GE2、第三栅电极GE3、第四栅电极GE4、第五栅电极GE5、第七栅电极GE7、每条扫描线(例如，扫描线SLn-1、SLn、SLn+1)以及发射控制线EL上。
如图6中所示，电容器电极201设置在第二栅极绝缘层150上。例如，电容器电极201设置在第二栅极绝缘层150与绝缘中间层160之间。电容器电极201与上述第一栅电极GE1共同形成存储电容器Cst。例如，第一栅电极GE1对应于存储电容器Cst的第一电极，电容器电极201对应于存储电容器Cst的第二电极。例如，第一栅电极GE1的与电容器电极201叠置的部分对应于存储电容器Cst的第一电极，电容器电极201的与第一栅电极GE1叠置的部分对应于存储电容器Cst的第二电极。
尽管图6中未示出，但是初始化线IL(见图4和图5C)也设置在第二栅极绝缘层150上。例如，初始化线IL设置在第二栅极绝缘层150与绝缘中间层160之间。
如图4和图5C中所示，电容器电极201具有孔30。在实施例中，孔30可以具有四边形形状。然而，孔的形状不限于四边形。例如，孔30可以具有各种形状中的任意一种，诸如，圆形形状和三角形形状。
如图4和图5C中所示，彼此相邻的像素的电容器电极201可以彼此连接。换言之，在X轴方向上彼此相邻的像素的电容器电极201可以形成为一体。
如图6中所示，绝缘中间层160设置在电容器电极201、初始化线IL和第二栅极绝缘层150上。在实施例中，绝缘中间层160可以具有比第一栅极绝缘层140的厚度大的厚度。在实施例中，绝缘中间层160可以包括与上述第一栅极绝缘层140中包括的材料基本相同的材料。
如图6中所示，第一连接电极701、第二连接电极702、高电位线VDL和数据线DL设置在绝缘中间层160上。例如，第一连接电极701、第二连接电极702、高电位线VDL和数据线DL设置在绝缘中间层160与平坦化层180之间。
尽管图6中未示出，但是第三连接电极703(见图4和图5D)也设置在绝缘中间层160上。例如，第三连接电极703设置在绝缘中间层160与平坦化层180之间。
如图6中所示，第一连接电极701通过贯穿绝缘中间层160、第二栅极绝缘层150和第一栅极绝缘层140的第一接触孔11而连接至第六漏电极DE6。
如图6中所示，第二连接电极702通过贯穿绝缘中间层160和第二栅极绝缘层150的第二接触孔12连接至第一栅电极GE1。此外，如图4、图5A和图5D中所示，第二连接电极702通过第三接触孔13连接至第三漏电极DE3。第三接触孔13贯穿绝缘中间层160、第二栅极绝缘层150和第一栅极绝缘层140以暴露第三漏电极DE3。
如图4、图5A和图5D中所示，第三连接电极703通过第四接触孔14连接到第四源电极SE4。第四接触孔14贯穿绝缘中间层160、第二栅极绝缘层150和第一栅极绝缘层140以暴露第四源电极SE4。此外，如图4、图5C和图5D中所示，第三连接电极703通过第五接触孔15连接至初始化线IL。第五接触孔15贯穿绝缘中间层160以暴露初始化线IL。
如图6中所示，高电位线VDL通过贯穿绝缘中间层160的第六接触孔16连接至电容器电极201。此外，如图4、图5A和图5D中所示，高电位线VDL通过第七接触孔17连接至第五源电极SE5。第七接触孔17贯穿绝缘中间层160、第二栅极绝缘层150和第一栅极绝缘层140以暴露第五源电极SE5。
如图4、图5A和图5D中所示，数据线DL通过第八接触孔18来连接至第二源电极SE2。第八接触孔18贯穿绝缘中间层160、第二栅极绝缘层150和第一栅极绝缘层140以暴露第二源电极SE2。
在实施例中，数据线DL可以包括耐熔金属，诸如钼、铬、钽和钛中的任意一种或其合金。在实施例中，数据线DL可以具有包括耐熔金属层和低电阻导电层的多层结构。多层结构的示例可以包括：包含铬或钼(或合金)下层和铝(或合金)上层的双层结构；或者包含钼(或合金)下层、铝(或合金)中间层和钼(或合金)上层的三层结构。然而，数据线DL可以包括除了前述材料之外的任意适当的金属或导体。
在实施例中，第一连接电极701、第二连接电极702、第三连接电极703和高电位线VDL可以包括与数据线DL的材料基本相同的材料，并且具有与数据线DL的结构基本相同的结构(例如，多层结构)。在实施例中，第一连接电极701、第二连接电极702、第三连接电极703、高电位线VDL和数据线DL中的每个可以在基本相同的工艺中基本同时形成。
如图6中所示，平坦化层180设置在第一连接电极701、第二连接电极702、第三连接电极703、高电位线VDL和数据线DL上。
平坦化层180用于基本消除平坦化层180之下的表面的台阶差以提高将形成于其上的LED的发光效率。平坦化层180可以包括以下材料中的至少一种：聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯(BCB)。
LED可以是有机发光二极管(“OLED”)。如图6中所示，LED包括发光层512、阳电极(这里，“像素电极PE”)和阴电极613(这里，“共电极”)。
发光层512包括低分子量有机材料或高分子量有机材料。尽管未示出，但是空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)中的至少一种还可以设置在像素电极PE与发光层512之间，电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一种还可以设置在发光层512与共电极613之间。
如图6中所示，像素电极PE设置在平坦化层180上。像素电极PE中的一部分或全部设置在发光区域900中。也就是说，像素电极PE与发光区域900对应设置，发光区域900由将在下面描述的阻光层190中的开口限定。像素电极PE通过贯穿平坦化层180的第九接触孔19连接至第一连接电极701。
在实施例中，如图4和图5E中所示，像素电极PE可以具有菱形形状。然而，像素电极PE可以具有除了菱形形状之外的各种形状中的任意一种，例如，四边形形状。
如图6中所示，阻光层190设置在像素电极PE和平坦化层180上。阻光层190具有贯穿阻光层190的开口，所述开口对应于发光区域900。在实施例中，如图4和图5G中所示，发光区域900可以具有菱形形状。然而，发光区域900可以具有除了菱形形状之外的各种形状中的任意一种，例如，四边形形状。发光区域900的尺寸可以比上述的像素电极PE的尺寸小。像素电极PE的至少一部分设置在发光区域900处。在这样的实施例中，全部发光区域900与像素电极PE叠置。
在实施例中，阻光层190可以包括树脂，诸如，聚丙烯酸酯树脂或聚酰亚胺树脂。
间隔件422设置在阻光层190上。在实施例中，间隔件422可以包括与阻光层190中包括的材料基本相同的材料。间隔件422用于使设置在基底100的显示区域1002a中的层与设置在基底100的非显示区域1002b中的层之间的高度差基本最小化。
发光层512设置在发光区域900中的像素电极PE上，共电极613设置在阻光层190和发光层512上。
像素电极PE和共电极513可以包括透射电极、透反射电极和反射电极中的一种。
透射电极可以包括透明导电氧化物(“TCO”)。这样的TCO可以包括从由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锑锡(ATO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锌(ZnO)及其混合物组成的组中选择的至少一种。
透反射电极和反射电极可以包括金属，例如，镁(Mg)、银(Ag)、金(Au)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、铝(Al)和铜(Cu)或其合金。在这样的实施例中，电极是透反射型还是反射型取决于电极的厚度。在实施例中，透反射电极具有约200nm或更小的厚度，反射电极具有约300nm或更大的厚度。随着透反射电极的厚度减小，光透射率提高，并且电阻增大。相反，随着透反射电极的厚度增大，光透射率降低。
此外，透反射电极和反射电极可以具有多层结构，所述多层结构包括包含金属或金属合金的金属层以及堆叠在金属层上的TCO层。
密封单元750设置在共电极613上。密封单元750可以包括透明绝缘基底，所述透明绝缘基底包括玻璃、透明塑料等。在实施例中，密封单元750可以形成为具有薄膜封装结构，在薄膜封装结构中一个或更多个无机层和一个或更多个有机层沿Z轴方向交替层压。例如，如图6中所示，密封单元750可以包括第一无机层751、有机层755和第二无机层752。有机层755设置在第一无机层751与第二无机层752之间。在第一无机层751、有机层755和第二无机层752之中，有机层755具有最大的厚度。第一无机层751和第二无机层752可以具有基本相等的厚度。
在实施例中，第一无机层751和第二无机层752可以包括与上述包括在第二层112中的材料基本相同的材料。
在实施例中，有机层755可以包括与第一层111中包括的材料基本相同的材料。在实施例中，有机层755可以包括单体。
偏振板800设置在密封单元750上。
图7是图2的区域“A”的放大图；图8是沿图7的线II-II'截取的剖视图。
如图7和图8中所示，显示面板1002具有通孔1001，通孔1001限定在非显示区域1002b中并贯穿显示面板1002。通孔1001在平面上与照相机模块1020叠置，通孔1001的内侧填充有透明的填充构件1003。
填充构件1003可以包括有机材料。在实施例中，例如，有机材料可以是丙烯酸硅类有机材料。
在实施例中，填充构件1003可以包括顺序堆叠的第一无机材料、有机材料和第二无机材料。在实施例中，例如，第一无机材料和第二无机材料可以是氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种。在实施例中，有机材料可以是丙烯酸硅基有机材料。
在围绕位于非显示区域1002b中的通孔1001的尺寸(例如，预定尺寸)的***区域中，显示面板1002包括基底100、像素电路单元200、共电极613、密封单元750的第一无机层751和第二无机层752以及偏振板800。
基底100和像素电路单元200在其对应于非显示区域1002b中的通孔1001的部分处具有孔或凹陷。例如，如图8中所示，基底100具有限定为与通孔1001对应的第二孔21和凹陷20。像素电路单元200具有限定为与通孔1001对应的第一孔22。
例如，基底100的凹陷20可以限定在基底100的第三层113中。凹陷20限定在比像素电路单元200的开关元件(例如，T1至T7中的至少一个)低的层中。例如，凹陷20限定得比开关元件更靠近基体层110。作为更具体的示例，凹陷20与基体层110之间在Z轴方向上测量的距离比开关元件的半导体层321与基体层110在Z轴方向上测量的距离小。
例如，基底100的第二孔21可以限定在基底100的第四层114中。
第一孔22、第二孔21和凹陷20相互对应地定位。此外，第一孔22、第二孔21和凹陷20中的相邻的部分彼此连接。
第二孔21可以限定在凹陷20与第一孔22之间。
在实施例中，凹陷20具有沿从第三层113朝向第四层114的方向(例如，Z轴方向)逐渐变宽的宽度(或直径)。凹陷20的宽度(或直径)是在X轴方向(或Y轴方向)上测量的值。在这样的实施例中，凹陷20的宽度(或直径)表示凹陷20的最大宽度(或最大直径)或平均宽度(或平均直径)。
在实施例中，第二孔21具有沿Z轴方向逐渐变宽的宽度(或直径)。第二孔21的宽度(或直径)是在X轴方向(或Y轴方向)上测量的值。在这样的实施例中，第二孔21的宽度(或直径)表示第二孔21的最大宽度(或最大直径)或平均宽度(或平均直径)。
在实施例中，第一孔22具有沿Z轴方向逐渐变宽的宽度(或直径)。第一孔22的宽度(或直径)是在X轴方向(或Y轴方向)上测量的值。在这样的实施例中，第一孔22的宽度(或直径)表示第一孔22的最大宽度(或最大直径)或平均宽度(或平均直径)。
第一孔22表示连续贯穿像素电路单元200中包括的绝缘层的孔。例如，第一孔22表示连续贯穿缓冲层120、第一栅极绝缘层140、第二栅极绝缘层150和绝缘中间层160的孔。在实施例中，例如，第一孔22具有贯穿缓冲层120的孔(这里，“缓冲孔”)、贯穿第一栅极绝缘层140的孔(这里，“第一栅极孔”)、贯穿第二栅极绝缘层150的孔(这里，“第二栅极孔”)和贯穿绝缘中间层160的孔(这里，“中间层孔”)。
在实施例中，缓冲孔、第一栅极孔、第二栅极孔和中间层孔可以具有彼此不同的宽度(或直径)。例如，在Z轴方向上越远离基底100，第一孔22中包括的孔可以具有越大的宽度(或直径)。作为具体的示例，在缓冲孔、第一栅极孔、第二栅极孔和中间层孔之中，中间层孔可以具有最大的宽度(或直径)。第一孔22中包括的每个孔的宽度(或直径)是在X轴方向(或Y轴方向)上测量的值。在这样的实施例中，第一孔22中包括的每个孔的宽度(或直径)表示对应的孔的最大宽度(或最大直径)或平均宽度(或平均直径)。
在实施例中，第一孔22中包括的每个孔自身(缓冲孔、第一栅极孔、第二栅极孔和中间层孔)可以具有沿Z轴方向逐渐变宽的宽度(或直径)。
凹陷20的宽度(或直径)比第二孔21的宽度(或直径)大。
第一孔22的宽度(或直径)比第二孔21的宽度(或直径)大。
填充构件1003不仅填充在通孔1001中，而且填充在基底100和像素电路单元200的第一孔22、第二孔21和凹陷20中。在实施例中，填充构件1003也可以填充在密封单元750与偏振板800之间的空白空间中。
在这样的实施例中，由于凹陷20的宽度(或直径)比第二孔21的宽度(或直径)大，因此填充在第一孔22、第二孔21和凹陷20中的填充构件1003在Z轴方向上没有过于分离。因此，可以改善围绕通孔1001在基底100与密封单元750之间的结合力。
通孔1001对应于第一孔22、第二孔21和凹陷20定位以贯穿第一孔22、第二孔21和凹陷20的上结构和下结构。例如，通孔1001贯穿基底100、共电极613、密封单元750和偏振板800。
显示面板1002具有位于非显示区域1002b处并与通孔1001相邻的第一凹陷1100。第一凹陷1100的内侧填充有透明的填充构件1003。在竖直位置位于第一凹陷1100中的填充构件1003包括与在竖直位置位于通孔1001中的填充构件1003所包括的材料基本相同的材料。也就是说，位于第一凹陷中的填充构件与位于通孔1001中的填充构件1003在一个竖直位置处相对于每个竖直高度包括基本相同的材料。
如在填充在通孔1001中的填充构件1003中，填充在第一凹陷1100中的填充构件1003可以包括有机材料。在实施例中，例如，有机材料可以是丙烯酸硅类有机材料。
在实施例中，填充在通孔1001中的填充构件1003可以包括顺序堆叠的第一无机材料、有机材料和第二无机材料。在实施例中，例如，填充在第一凹陷1100中的填充构件1003可以包括填充在通孔1001中的填充构件1003的堆叠材料中的一种或更多种。例如，第一无机材料和第二无机材料可以是氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种。在实施例中，有机材料可以是丙烯酸硅类有机材料。
在围绕非显示区域1002b中的第一凹陷1100的预定尺寸的***区域中，显示面板1002包括基底100、像素电路单元200、共电极613、密封单元750的第一无机层751和第二无机层752以及偏振板800。
基底100和像素电路单元200在非显示区域1002b处具有与第一凹陷1100对应的第二凹陷1120、第三孔1122和第四孔1121。第二凹陷1120、第三孔1122和第四孔1121彼此对应地定位。此外，第三孔1122、第四孔1121和第二凹陷1120中的相邻的部分彼此连通。第四孔1121可以位于第二凹陷1120与第三孔1122之间。
在实施例中，例如，如图8中所示，基底100具有与第一凹陷1100对应地定位的第三孔1122和第二凹陷1120，像素电路单元200具有与第一凹陷1100对应定位的第四孔1121。例如，第二凹陷1120可以设置在基底100的第三层113上。第二凹陷1120可以相对于基底100的下表面位于与通孔1001的凹陷20的垂直位置基本相同的垂直位置处。
在实施例中，第二凹陷1120具有沿从第三层113朝向第四层114的方向(例如，Z轴方向)逐渐变宽的宽度(或直径)，其与凹陷20相似。
第四孔1121具有沿Z轴方向逐渐变宽的宽度(或直径)，其与通孔1001的第二孔21相似。
第三孔1122具有沿Z轴方向逐渐变宽的宽度(或直径)，其与通孔1001的第一孔22相似。
第三孔1122表示连续贯穿像素电路单元200中包括的绝缘层的孔。例如，第三孔1122表示连续贯穿缓冲层120、第一栅极绝缘层140、第二栅极绝缘层150和绝缘中间层160的孔。在实施例中，例如，第三孔1122具有贯穿缓冲层120的孔(这里，“缓冲孔”)、贯穿第一栅极绝缘层140的孔(这里，“第一栅极孔”)、贯穿第二栅极绝缘层150的孔(这里，“第二栅极孔”)以及贯穿绝缘中间层160的孔(这里，“中间层孔”)。
在实施例中，缓冲孔、第一栅极孔、第二栅极孔和中间层孔可以具有彼此不同的宽度(或直径)。例如，在Z轴方向上越远离基底100，第三孔1122中包括的孔可以具有越大的宽度(或直径)。作为具体的示例，在缓冲孔、第一栅极孔、第二栅极孔和中间层孔之中，中间层孔可以具有最大的宽度(或直径)。第三孔1122中包括的每个孔的宽度(或直径)是在X轴方向(或Y轴方向)上测量的值。在这样的实施例中，第三孔1122中包括的每个孔的宽度(或直径)表示对应的孔的最大宽度(或最大直径)或平均宽度(或平均直径)。
在实施例中，第三孔1122中包括的每个孔自身(缓冲孔、第一栅极孔、第二栅极孔和中间层孔)可以具有沿Z轴方向逐渐变宽的宽度(或直径)。
第二凹陷1120的宽度(或直径)比第四孔1121的宽度(或直径)大。
第三孔1122的宽度(或直径)比第四孔1121的宽度(或直径)大。
填充构件1003不仅填充在通孔1001中，而且填充在基底100和像素电路单元200的第三孔1122、第四孔1121和第二凹陷1120中。在实施例中，填充构件1003也可以填充在密封单元750与偏振板800之间的空白空间中。
在这样的实施例中，由于第二凹陷1120的宽度(或直径)比第四孔1121的宽度(或直径)大，因此填充在第三孔1122、第四孔1121和第二凹陷1120中的填充构件1003在Z轴方向上没有过于分离。因此，可以改善围绕通孔1001在基底100与密封单元750之间的结合力。
图9A至图9D是用于解释根据本发明的实施例的制造显示装置的方法的剖视图。将相对于形成限定有通孔1001的非显示区域1002b中的结构的方法来描述图9A至图9D。
首先，如图9A中所示，在载体基底(未示出)上顺序地形成第一层111、第二层112、第三层113、第四层114、缓冲层120、第一栅极绝缘层140、第二栅极绝缘层150和绝缘中间层160。
尽管未示出，但是对于显示区域1002a，在缓冲层120与第一栅极绝缘层140之间进一步形成半导体层321，在绝缘中间层160上进一步顺序地形成平坦化层180、像素电极PE以及阻光层190。
此外，尽管未示出，但是对于显示区域1002a，在载体基底(未示出)上进一步形成第一栅电极GE1、第二栅电极GE2、第三栅电极GE3、第四栅电极GE4、第五栅电极GE5、第六栅电极GE6、第七栅电极GE7、第(n-1)扫描线SLn-1、第n扫描线SLn、第(n+1)扫描线SLn+1、发射控制线EL、初始化线IL、电容器电极201、第一连接电极701、第二连接电极702、第三连接电极703、数据线DL和高电位线VDL。
接下来，如图9A中所示，通过蚀刻工艺选择性地去除绝缘中间层160、第二栅极绝缘层150和第一栅极绝缘层140的一部分。因此，限定了暴露缓冲层120的第一孔22。
在实施例中，可以通过利用蚀刻气体的干蚀刻方法去除绝缘中间层160、第二栅极绝缘层150和第一栅极绝缘层140中的每个。
接下来，如图9A中所示，通过蚀刻工艺选择性地去除缓冲层120和第四层114的部分。因此，限定了暴露第三层113的第二孔21。
在实施例中，可以通过利用蚀刻气体的干蚀刻工艺去除上述缓冲层120和第四层114中的每个。
由于缓冲层120和第四层114包括无机材料，因此它们可以通过前述干蚀刻方法去除。然而，第四层114之下的第三层113包括有机材料，因此第三层113可能无法通过典型的干蚀刻方法很好地去除。
在下文中，如图9A中所示，通过蚀刻工艺选择性地去除第三层113的表面的一部分。因此，在第三层113的暴露的表面中限定了凹陷20。
在实施例中，第三层113包括有机材料，可以通过利用氧(O2)气体的蚀刻工艺(例如，氧干蚀刻或氧灰化、或者激光束)来去除第三层113。因此，在氧蚀刻工艺中，没有去除第四层114的侧表面(即，被第二孔21暴露的表面)，仅可以选择性地去除包括有机材料或由有机材料形成的第三层113。
随着氧蚀刻时间增加，第三层113被去除得更多以增大凹陷20的宽度。在实施例中，由于在氧蚀刻工艺期间基本没有去除第四层114，因此第二孔21的宽度基本保持不变。当氧蚀刻时间足够长并且第三层113的凹陷20的宽度变得比第二孔21的宽度大时，出现凹陷20在第四层114下方延伸的底切现象。换言之，如果执行过长时间的氧蚀刻以至在第三层113中出现底切现象，则第三层113的凹陷20可以具有比第二孔21的宽度大的宽度。
接下来，如图9A中所示，形成共电极613。沿第一孔22、第二孔21和凹陷20的内壁形成共电极613。
尽管未示出，但是对于显示区域1002a，在形成共电极613之前，在像素电极PE上形成发光层512。在阻光层190和发光层512上形成共电极613。
接下来，如图9A中所示，在共电极613上形成密封单元750。在非显示区域1002b中，密封单元750包括第一无机层751和第二无机层752。例如，第一无机层751形成在共电极613上，第二无机层752形成在第一无机层751上。
对于显示区域1002a，还在第一无机层751与第二无机层752之间进一步形成有机层755。
然后，如图9A中所示，在密封单元750上形成偏振板800。密封单元750与偏振板800之间可以限定有空白空间。
接下来，如图9A中所示，从第一层111去除载体基底(未示出)，然后将基体层110附着到第一层111。
接下来，如图9B中所示，在如上所述制造的显示面板1002的偏振板800上设置粘附单元1030。
接下来，如图9B中所示，对应于第一孔22、第二孔21和凹陷20限定贯穿第一孔22、第二孔21和凹陷20的上结构和下结构的通孔1001。例如，限定贯穿基底100、共电极613、密封单元750、偏振板800和粘附单元1030的通孔1001。
可以在与根据实施例的限定通孔1001的第一孔22、第二孔21和凹陷20的方法基本相同的方法中限定第一凹陷1100的第三孔1122、第四孔1121和第二凹陷1120。在实施例中，例如，可以在蚀刻通孔1001的第一孔22的同时蚀刻第一凹陷1100的第三孔1122。在实施例中，例如，可以在蚀刻通孔1001的第二孔21的同时蚀刻第一凹陷1100的第四孔1121。在实施例中，例如，可以在蚀刻通孔1001的凹陷20的同时蚀刻第一凹陷1100的第二凹陷1120。
然后，如图9C中所示，将窗玻璃1010和限定有通孔1001的显示面板1002通过粘附单元1030彼此附着。
如图9C中所示，之后将填充构件1003填充在上面限定的通孔1001中。图9C中示出了填充构件1003包括顺序堆叠的第一无机材料1003-1、有机材料1003-2和第二无机材料1003-3。然而，在实施例中，填充构件1003可以仅包括有机材料1003-2。在实施例中，例如，可以通过化学气相沉积(CVD)工艺填充第一无机材料1003-1和第二无机材料1003-3，并且可以在液相工艺中填充有机材料1003-2。
因此，填充构件1003的一个端部与窗玻璃1010相对设置。
填充构件1003不仅可以填充在通孔1001中，还可以填充在基底100和像素电路单元200的第一孔22、第二孔21和凹陷20中。此外，填充构件1003可以填充在第一凹陷1100的第三孔1122、第四孔1121和第二凹陷1120中。此外，填充构件1003也可以填充在密封单元750与偏振板800之间的空白空间中。
接下来，如图9D中所示，在填充构件1003的另一端部处设置照相机模块1020。因此，填充构件1003的另一端部与照相机模块1020相对设置。
填充在通孔1001中的填充构件1003与照相机模块1020的透镜彼此接触使得填充构件1003与透镜之间不存在空气间隙。在实施例中，当填充构件1003包括顺序堆叠的第一无机材料1003-1、有机材料1003-2和第二无机材料1003-3时，填充构件1003可以在第二无机材料1003-3与透镜接触的状态下被紫外线固化以使填充构件1003与透镜彼此接触。在实施例中，当填充构件1003仅包括有机材料1003-2时，由于有机材料具有粘附特性，因此填充构件1003和透镜可以通过使得有机材料1003-2与透镜接触彼此而彼此接触，而不需要单独的紫外线固化工艺。
在实施例中，填充在通孔1001中的填充构件1003与照相机模块1020的透镜可以不彼此接触。
图10是示出当根据本发明的实施例的显示装置中的填充构件1003与透镜之间存在空气间隙时入射到照相机模块1020的透镜的光的透射率的曲线图；图11是示出当根据本发明的实施例的显示装置中的填充构件1003与透镜之间不存在空气间隙时入射到照相机模块1020的透镜的光的透射率的曲线图。在这样的实施例中，填充构件1003的折射率为约1.3。
当通孔1001填充有填充构件1003，而填充构件1003与照相机模块1020的透镜之间存在空气间隙时，入射到透镜的光的透射率根据波长的变化大。因此，可以理解的是，当填充构件1003与照相机模块1020的透镜之间存在空气间隙时，与填充构件1003未填充在通孔1001中(参考)的情况相比，对入射到透镜的光的失真的改善不大。
另一方面，如图11中所示，当填充构件1003填充在通孔1001中并且填充构件1003与照相机模块1020的透镜之间不存在空气间隙时，入射到透镜的光的透射率根据波长的变化相对小。根据波长的透射率为约90％或更多。因此，可以理解的是，当填充构件1003与照相机模块1020的透镜之间不存在空气间隙时，与填充构件1003不填充在通孔1001(参考)的情况相比，入射到透镜的光的失真明显改善。
如在这里阐述的，根据一个或更多个实施例的显示装置和制造显示装置的方法可以提供下面的效果。
对于本发明的显示装置，填充构件填充在限定在显示面板中的通孔中。因此，可以改善具有通孔的显示面板的可靠性(例如，抗冲击性)。
填充构件的一个端部与照相机模块的透镜之间的折射率差以及填充构件的另一端部与窗玻璃的折射率差通过使用填充构件而减小。因此，可以改善入射到照相机模块的透镜的光的失真，并且可以进一步改善透射率和可视性。
在实施例中，填充构件和照相机模块的透镜彼此接触。因此，填充构件与照相机模块的透镜之间不存在空气间隙，并且可以改善入射到照相机模块的透镜的光的失真，而不需要由于空隙间隙的存在而导致的额外的折射率匹配。
填充构件填充在基底的凹陷或孔中(例如，像素电路单元中)。因此，可以改善围绕通孔在密封单元和基底之间的结合力。
虽然已经参照本发明的一些实施例示出并描述了本发明，但是对于本领域普通技术人员而言将清楚的是，在不脱离本发明的精神和范围的情况下可以对其做出形式和细节上的各种改变。

Claims (39)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示面板，包括通孔；
窗玻璃，位于所述显示面板上；以及
填充构件，位于所述通孔中并与所述窗玻璃相对，
其中，所述通孔与包括至少一个透镜的照相机模块叠置，
所述填充构件与所述照相机模块相对，
所述填充构件的端部与所述透镜之间的折射率差为0.7或更小，并且
所述填充构件的另一端部与所述窗玻璃之间的折射率差为0.5或更小。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述填充构件具有在从1.2至2.0范围内的折射率。
3.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述填充构件包括有机材料。
4.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述填充构件包括顺序堆叠的第一无机材料、有机材料和第二无机材料，
所述第一无机材料与所述照相机模块相对，并且
所述第二无机材料与所述窗玻璃相对。
5.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述填充构件与所述照相机模块的所述透镜接触。
6.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示面板包括：
基底；
像素电路单元，位于所述基底上并包括第一孔；
共电极，位于所述像素电路单元上；
密封单元，位于所述共电极上；以及
偏振板，位于所述密封单元上，
所述基底包括：第一层，包括与所述第一孔对应的凹陷；以及第二层，位于所述第一层与所述像素电路单元之间，并包括限定在所述凹陷与所述第一孔之间的第二孔，
所述凹陷具有比所述第二孔的宽度大的宽度，并且
所述通孔与所述第一孔、所述第二孔和所述凹陷对应地定位，并贯穿所述基底、所述共电极、所述密封单元和所述偏振板。
7.如权利要求6所述的显示装置，所述显示装置还包括：粘附单元，位于所述显示面板与所述窗玻璃之间，
其中，所述通孔贯穿所述粘附单元。
8.如权利要求6所述的显示装置，其中，所述凹陷具有沿从所述第一层朝向所述第二层的方向逐渐变宽的宽度。
9.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示面板，包括通孔；
窗玻璃，位于所述显示面板上；以及
填充构件，位于所述通孔中并与所述窗玻璃相对，
其中，所述通孔与包括至少一个透镜的照相机模块叠置，并且
所述填充构件与所述透镜接触。
10.如权利要求9所述的显示装置，其中，所述填充构件具有在从1.2至2.0的范围内的折射率。
11.如权利要求9所述的显示装置，其中，所述填充构件包括有机材料。
12.如权利要求11所述的显示装置，其中，所述填充构件的端部与所述透镜之间的折射率差为0.7或更小，所述填充构件的另一端部与所述窗玻璃之间的折射率差为0.5或更小。
13.如权利要求9所述的显示装置，其中，所述填充构件包括顺序堆叠的第一无机材料、有机材料和第二无机材料，
所述第一无机材料与所述照相机模块相对，并且
所述第二无机材料与所述窗玻璃相对。
14.如权利要求13所述的显示装置，其中，所述第一无机材料与所述透镜之间的折射率差为0.7或更小，所述第二无机材料与所述窗玻璃之间的折射率差为0.5或更小。
15.如权利要求9所述的显示装置，其中，所述显示面板包括：
基底；
像素电路单元，位于所述基底上并包括第一孔；
共电极，位于所述像素电路单元上；
密封单元，位于所述共电极上；以及
偏振板，位于所述密封单元上，
所述基底包括：第一层，包括与所述第一孔对应的凹陷；以及第二层，位于所述第一层与所述像素电路单元之间，并包括限定在所述凹陷与所述第一孔之间的第二孔，
所述凹陷具有比所述第二孔的宽度大的宽度，并且
所述通孔与所述第一孔、所述第二孔和所述凹陷对应地定位，并贯穿所述基底、所述共电极、所述密封单元和所述偏振板。
16.如权利要求15所述的显示装置，所述显示装置还包括：粘附单元，位于所述显示面板与所述窗玻璃之间，
其中，所述通孔贯穿所述粘附单元。
17.如权利要求15所述的显示装置，其中，所述凹陷具有沿从所述第一层朝向所述第二层逐渐变宽的宽度。
18.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
形成显示面板；
限定通孔，所述通孔贯穿所述显示面板并在平面上与照相机模块叠置；
在限定有所述通孔的所述显示面板上布置窗玻璃；以及
利用填充构件填充所述通孔，
其中，填充在所述通孔中的所述填充构件与所述照相机模块和所述窗玻璃中的每个相对，并且
所述填充构件的端部与所述照相机模块的透镜之间的折射率差为0.7或更小，所述填充构件的另一端部与所述窗玻璃之间的折射率差为0.5或更小。
19.如权利要求18所述的方法，其中，所述填充构件具有在从1.2至2.0的范围内的折射率。
20.如权利要求18所述的方法，其中，所述填充构件包括有机材料。
21.如权利要求18所述的方法，其中，所述填充构件包括顺序堆叠的第一无机材料、有机材料和第二无机材料，
所述第一无机材料与所述照相机模块相对，并且
所述第二无机材料与所述窗玻璃相对。
22.如权利要求18所述的方法，所述方法还包括使所述透镜与填充在所述通孔中的所述填充构件接触。
23.如权利要求18所述的方法，其中，形成所述显示面板的步骤包括：
在载体基底上顺序地形成第一层和第二层；
在所述第二层上形成像素电路单元；
限定贯穿所述像素电路单元的绝缘层的第一孔；
限定贯穿所述第二层的第二孔，所述第二孔被限定为与所述第一孔对应；
在所述第一层中限定凹陷，所述凹陷与所述第二孔对应地定位并具有比所述第二孔的宽度大的宽度；
在所述像素电路单元上形成共电极；
在所述共电极上形成密封单元；以及
在所述密封单元上形成偏振板，
其中，所述通孔与所述第一孔、所述第二孔和所述凹陷对应地定位，并贯穿所述基底、所述共电极、所述密封单元和所述偏振板。
24.如权利要求23所述的方法，其中，通过氧干蚀刻或激光束来限定所述凹陷。
25.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
形成显示面板；
限定通孔，所述通孔贯穿所述显示面板并在平面上与照相机模块叠置；
在限定有所述通孔的所述显示面板上布置窗玻璃；
利用填充构件填充所述通孔；以及
使所述照相机模块的透镜与填充在所述通孔中的所述填充构件接触，
其中，填充在所述通孔中的所述填充构件与所述照相机模块和所述窗玻璃中的每个相对。
26.如权利要求25所述的方法，其中，所述填充构件具有从1.2至2.0的范围内的折射率。
27.如权利要求25所述的方法，其中，所述填充构件包括有机材料。
28.如权利要求27所述的方法，其中，所述填充构件的端部与所述透镜之间的折射率差为0.7或更小，所述填充构件的另一端部与所述窗玻璃之间的折射率差为0.5或更小。
29.如权利要求25所述的方法，其中，所述填充构件包括顺序堆叠的第一无机材料、有机材料和第二无机材料，
所述第一无机材料与所述照相机模块相对，并且
所述第二无机材料与所述窗玻璃相对。
30.如权利要求29所述的方法，其中，所述第一无机材料与所述透镜之间的折射率差为0.7或更小，所述第二无机材料与所述窗玻璃之间的折射率差为0.5或更小。
31.如权利要求25所述的方法，其中，形成所述显示面板的步骤包括：
在载体基底上顺序地形成第一层和第二层；
在所述第二层上形成像素电路单元；
限定贯穿所述像素电路单元的绝缘层的第一孔；
限定贯穿所述第二层的第二孔，所述第二孔被限定为与所述第一孔对应；
在所述第一层中限定凹陷，所述凹陷与所述第二孔对应地定位并具有比所述第二孔的宽度大的宽度；
在所述像素电路单元上形成共电极；
在所述共电极上形成密封单元；以及
在所述密封单元上形成偏振板，
其中，所述通孔与所述第一孔、所述第二孔和所述凹陷对应地定位，并贯穿所述基底、所述共电极、所述密封单元和所述偏振板。
32.如权利要求31所述的方法，其中，通过氧干蚀刻或激光束限定所述凹陷。
33.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示面板，包括通孔以及定位在所述通孔周围的第一凹陷；
窗玻璃，位于所述显示面板上；以及
填充构件位于所述通孔与所述第一凹陷中，并与所述窗玻璃相对，
其中，在竖直位置处位于第一凹陷中的填充构件包括与在竖直位置处位于通孔中的填充构件所包括的材料相同的材料。
34.如权利要求33所述的显示装置，其中，所述显示面板包括：
基底；
像素电路单元，位于所述基底上并包括第一孔；
共电极，位于所述像素电路单元上；
密封单元，位于所述共电极上；以及
偏振板，位于所述密封单元上，
所述基底包括：第一层，包括与所述第一孔对应的凹陷；以及第二层，位于所述第一层与所述像素电路单元之间，并包括限定在所述凹陷与所述第一孔之间的第二孔，
所述凹陷具有比所述第二孔的宽度大的宽度，并且
所述通孔与所述第一孔、所述第二孔和所述凹陷对应地定位，并贯穿所述基底、所述共电极、所述密封单元和所述偏振板。
35.如权利要求34所述的显示装置，其中，所述第一凹陷包括第三孔、第四孔和第二凹陷，
所述第三孔定位在所述像素电路单元处，所述第四孔定位在所述第二层处，所述第二凹陷定位在所述第一层处，
所述第三孔、所述第四孔以及所述第二凹陷彼此对应地定位，
所述第二凹陷相对于所述基底的下表面定位在与所述通孔的所述凹陷定位的竖直位置相同的竖直位置处，并且
所述第二凹陷具有比所述第四孔的宽度大的宽度。
36.如权利要求35所述的显示装置，其中，所述第二凹陷具有沿从所述第一层朝向所述第二层的方向逐渐变宽的宽度。
37.如权利要求33所述的显示装置，其中，所述填充构件包括有机材料。
38.如权利要求33所述的显示装置，其中，所述填充构件包括顺序堆叠的第一无机材料、有机材料和第二无机材料。
39.如权利要求34所述的显示装置，其中，所述凹陷具有沿从所述第一层朝向所述第二层的方向逐渐变宽的宽度。
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