CN110853497B - 一种显示面板及其终端装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种显示面板及其所在终端装置；其中所述显示面板定义有显示区域和摄像头区域；其包括衬底层和设置在所述衬底层上的器件功能层；其特征在于，其中所述衬底层包括叠置的第一衬底层、第一缓冲层、第二衬底层和第二缓冲层，其中所述器件功能层设置在所述第二缓冲层上；其中所述第一缓冲层在所述摄像头区域设置有直至所述第一衬底层表面的第一贯穿通孔，所述第二衬底层向下填充所述第一贯穿通孔进而与所述第一衬底层相接。本发明提供了一种显示面板，其采用新型的摄像头区域结构设计，能够有效提高其摄像头区域的屏下入射光线穿透率，进而为其所在的终端装置提供了一种新型的屏下摄像解决方案。

Description

一种显示面板及其终端装置
技术领域
本发明涉及平面显示技术领域，尤其是，其中的一种显示面板及其应用的终端装置。
背景技术
已知，全面屏技术是近两年来显示行业着重推进的重要显示技术之一。其中全面屏的好处是：一方面是可以实现更高的屏占比，另一方面，则是随着可显示面积的增大可以满足更多APP软件的安装需求。
为提高屏占比，先后推出了Notch孔、美人尖、水滴屏等，以便放置摄像头、传感器、红外镜头等功能模块。近期显示屏内挖圆孔技术也发展起来，挖出的圆孔可以放置屏内摄像头，屏占比可达到96％。但就目前而言，市场上推广的“全面屏”还处于一个伪全面屏的阶段，也就是说，其只是具有较高的屏占比，但仍然无法实现摄像头上方的屏幕显示，虽然屏占比可以进一步的增大，但是还是存有区域显示缺陷，并不是真正的全屏显示，因此，还不是真正意义上的“全面屏”。
然而，以上提及的这三种全面屏技术依然是需要将显示屏的部分区域进行挖孔或异形化处理，以将摄像头的位置区域露出，以便使外界光线进入供拍照使用，进而减少摄像头上方膜层对于光线的穿透率影响，但目前来讲还是困难重重。
对此，业界也提出了一些提高穿透率的方案，例如，对偏光片进行开孔，对PI基板进行局部减薄或局部使用透明材料替代，对摄像头上方的像素(pixel)排布或者密度进行特别设计等等，但是这些设计在实际应用时，都遇到了一些困难，从而使得最终效果并不理想。
因此，确有必要来开发一种新型的显示面板，来克服现有技术中的缺陷。
发明内容
本发明的一个方面是提供一种显示面板，其采用新型的摄像头区域功能层结构设计，能够提高其摄像头区域的屏下入射光线穿透率。
本发明采用的技术方案如下：
一种阵列基板，其定义有显示区域(AA区)和摄像头区域(Camera)；其包括衬底层和设置在所述衬底层上的器件功能层，其中所述衬底层包括叠置的第一衬底层、第一缓冲层(Buffer1)、第二衬底层和第二缓冲层(Buffer2)，其中所述器件功能层设置在所述第二缓冲层上。其中所述第一缓冲层在所述摄像头区域设置有直至所述第一衬底层表面的第一贯穿通孔，所述第二衬底层向下填充所述第一贯穿通孔进而与所述第一衬底层相接。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述衬底层优选为PI层。具体的，所述第一衬底层为第一PI层(PI1)，所述第二衬底层为第二PI层(PI2)，但不限于。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述第二衬底层在所述摄像头区域设置有向下的第一开孔，所述第一开孔内设置有第一填充层(ODH)。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述第一填充层在所述第二衬底层内的深度在1～10um范围内。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述第一填充层采用的有机光阻材料的穿透率＞80％。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述器件功能层包括绝缘层和在所述绝缘层中间隔设置的导电层，其中所述绝缘层包括第一栅极绝缘层(GI1)、第二栅极绝缘层(GI2)和介电层(ILD)，所述导电层包括有源层(Active)、第一栅极层(GE1)、第二栅极层(GE2)和第一金属层(SD1)。其中所述第一金属层位于所述介电层上，所述介电层上设置有用于平坦化的第一平坦层。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述绝缘层在所述摄像头区域设置有直至所述第二PI层表面的第二贯穿通孔，所述第一平坦层还向下填充所述第二贯穿开孔进而与所述第一填充层相接。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述第二贯穿开孔在所述绝缘层内形成有端部台阶，进而使得填充其的所述第一平坦层形成相应的台阶端部。其中由于所述绝缘层为多层叠层结构，因此，所述填充层形成的端部台阶可以是针对不同叠层的多级台阶，但也可以是一级台阶，具体可随需要而定，并无限制。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述第一平坦层上设置有第二金属层，所述第二金属层上设置有第二平坦层，所述第二平坦层上设置有阳极，所述阳极上设置有像素定义层。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述阳极在所述摄像头区域通过过孔与所述摄像头区域的第二金属层电性连接相接，所述第二金属层从所述摄像头区域延伸到所述显示区域并通过过孔与所述显示区域的第一金属层电性连接。
进一步的，在不同实施方式中，其中本发明涉及的所述显示面板还定义有衬垫区域(Pad)，其中所述绝缘层在所述衬垫区域设置有直到所述第二衬底层表面的第三贯穿通孔，其中所述第三贯穿通孔内填充有第二填充层(ODH)，其上下分别与所述第一平坦层和所述第二衬底层相接。
进一步的，在不同实施方式中，其中所述第三贯穿开孔在所述绝缘层内形成有端部台阶，进而使得其内设置的第二填充层形成相应的台阶端部。其中由于所述绝缘层为多层叠层结构，所述第二填充层的台阶端部也可以是针对不同叠层的多级台阶，但也可以是一级台阶，具体可随需要而定，并无限制。
进一步的，本发明的又一方面是提供一种终端装置，其包括本发明涉及的所述显示面板。
相对于现有技术，本发明的有益效果是：本发明涉及的一种显示面板，其摄像头区域的功能层采用新型的结构设置，使得其能有效的提高其摄像头区域的入射光穿透率。
具体为，先在所述摄像头区域的双衬底层(例如，PI，但不限于)之间的第一缓冲层(buffer1)通过蚀刻进行开孔，并使用第二衬底层(PI2)进行填充；然后在进行所述衬垫区域(Pad)的绝缘层开孔时，对所述摄像头区域(camara)的绝缘层也是同步开孔，并通过工艺调整在该区域刻蚀穿过所述第二缓冲层直到所述第二衬底层(PI2)，从而对所述摄像头区域的所述第二衬底层的厚度进行减薄。
进一步的，在所述衬垫区域(Pad)填充有机光阻形成所述第二填充层(ODH)的同时，也对上述刻蚀到所述摄像头区域的第二衬底层表面的开孔进行填充并形成所述第一填充层，进而也起到用透过率高的有机光阻材料填充衬底层的作用；最后，在所述第一平坦层(PLN1)制程时对所述摄像头区域的绝缘层的所述第一贯穿通孔进行填充，所述显示区域(AA区)的TFT通过所述第二金属层(SD2)连接到所述摄像头区域的所述阳极上进而对像素进行控制，其中所述第二金属层可采用透明走线。
如上，完成后的所述摄像头区域的各功能层的结构设置，可以在多个方面提高所述摄像头区域的穿透率，具体为：
1.该区域内的多层无机膜层(即所述绝缘层)全部被刻蚀并由第一平坦层所填充，从而减小了无机膜层对光的折射作用；
2.第二PI层部分被穿透率高的有机光阻材料所替代，从而减小了PI材料对穿透率的影响；
3.该区域内仅有第二金属层和阳极2层金属，其他金属走线均在显示区，从而减少了金属走线对入射光的反光和衍射作用。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的一个实施方式中提供的一种显示面板的结构示意图；以及
图2为本发明涉及的又一实施方式提供的一种终端装置的结构示意图。
具体实施方式
以下将结合附图和实施例，对本发明涉及的一种显示面板及其终端装置的技术方案作进一步的详细描述。
请参阅图1所示，本发明的一个实施方式提供了一种显示面板，其定义有摄像头区域(Camera)100、显示区域(AA区)200和衬垫区域(Pad)300；其包括衬底层和设置在所述衬底层上的器件功能层。
其中所述衬底层包括叠置的第一PI层101、第一缓冲层(Buffer1)102、第二PI层103和第二缓冲层(Buffer2)104。所述器件功能层包括绝缘层和在所述绝缘层中间隔设置的导电层。
其中在本实施方式中，所述器件功能层为TFT器件层，其中所述绝缘层包括第一栅极绝缘层(GI1)111、第二栅极绝缘层(GI2)113和介电层(ILD)115。而所述导电层包括间隔设置在这些绝缘层中的有源层(Act)112、第一栅极层(GE1)114、第二栅极层(GE2)116和作为源漏电极的第一金属层(SD1)118。
进一步的，所述器件功能层中的所述介电层(ILD)115上还设置有用于平坦化所述第一金属层118的第一平坦层(PLN1)121、第二金属层(SD2)122、第二平坦层(PLN2)123、阳极(ANO)124、像素定义层(PDL)125和支撑柱(Photo Spacer，PS)127。
进一步的，其中在所述摄像头区域的第一缓冲层102设置有直至所述第一PI层101表面的第一贯穿通孔，而所述第二PI层103会向下填充所述第一贯穿通孔进而与所述第一PI层101相接。其中在所述在所述摄像头区域的双PI层之间的第一缓冲层(buffer1)102通过蚀刻进行开孔，然后使用第二PI层(PI2)103进行填充；然后在对所述摄像头区域(camara)的绝缘层再次开孔时，通过工艺调整在该区域刻蚀穿过所述第二缓冲层104直到所述第二PI层(PI2)103中，从而对所述摄像头区域的所述第二PI层103的整体层厚进行减薄。
具体来讲，在所述摄像头区域的所述第二PI层103表面向下设有第一开孔，所述第一开孔内填充有第一填充层(ODH)105，其中所述第一填充层105在所述第二PI层103内的深度在1～10um，其并不会贯穿所述第二PI层103。进一步的，其中所述第一填充层105采用的是有机光阻材料，其穿透率＞80％。其中通过使用透过率高的有机光阻材料来替代相应区域的PI材料，从而能进一步的提高该区域的透过率。
进一步的，所述摄像头区域的绝缘层设置有第二贯穿通孔，其会贯穿所述绝缘层包括的介电层115、第二栅极绝缘层113和第一栅极绝缘层111，并进一步的穿过所述第二缓冲层104直至所述第二PI层103表面，而所述第一平坦层121会向下填充所述第二贯穿孔进而与所述第二PI层相接。其中所述第二贯穿开孔正对所述第一开孔，进而使得所述向下填充所述第二贯穿开孔的第一平坦层121与所述第一填充层105相接。其中通过将所述摄像头区域100内的多层无机膜层(即所述绝缘层)全部被刻蚀并由所述第一平坦层121所填充，从而减小了原有的无机膜层对入射光的折射作用。
进一步的，由于所述第二贯穿通孔贯穿多个叠层结构，因此，其可以在其贯穿的不同层级的端部形成台阶部，进而使得填充其的所述第一平坦层形成相应的端部台阶，其中所述端部台阶具体的台阶级数可以是对应所述叠层的数量，也可以只是单级台阶，具体可随需要而定，并无限制。
其中在所述摄像头区域100的所述阳极124通过过孔与所述摄像头区域的第二金属层122电性连接相接，而所述第二金属层122从所述摄像头区域100延伸到所述显示区域200并通过过孔与所述显示区域的第一金属层118电性连接，即所述显示区域(AA区)200的TFT通过所述第二金属层(SD2)122连接到所述摄像头区域100的所述阳极124上进而对像素进行控制，其中所述第二金属层可采用透明走线。如此设置，使得所述摄像头区域100内仅有所述第二金属层122和阳极124这2层金属，其他金属走线均设置在所述显示区域200，从而减少了金属走线对入射光的反光和衍射作用。
进一步的，其中所述绝缘层在所述衬垫区域300设置有直到所述第二PI层103表面的第三贯穿通孔，其中所述第三贯穿通孔内填充有第二填充层(ODH)127，其上下分别与所述第一平坦层121的底面和所述第二PI层103的表面相接。
本发明涉及的一种显示面板，其摄像头区的功能层采用新型的结构设置，使得其能有效的提高其摄像头区域的穿透率。具体为：
1.该区域内的多层无机膜层(即所述绝缘层)全部被刻蚀并由所述第一平坦层所填充，从而减小了该区域内原无机膜层对光的折射作用；
2.第二PI层部分被穿透率高的有机光阻材料所替代，从而减小了该区域内PI材料对光的穿透率的影响；
3.该区域内仅留有第二金属层和阳极这2层金属，其他金属走线均设置在显示区，从而减少了金属走线对入射光的反光和衍射作用。
进一步的，本发明的又一实施方式提供了一种终端装置，请参阅图2所示，其包括本发明涉及的所述显示面板10和摄像头20，其中所述摄像头20对应所述显示面板10的摄像头区域100设置，其中由于本发明涉及的所述显示面板10其摄像头区域100的功能层采用新型的结构设置，使得其能有效的提高其摄像头区域的入射光穿透率，进而为其所在的终端装置提供了一种新型的并且效果良好的屏下摄像解决方案。
进一步的，其中所述终端装置可以是任意具有摄像功能的装置，包括但不限于，手机、智能平板、电脑等等。
本发明的技术范围不仅仅局限于上述说明中的内容，本领域技术人员可以在不脱离本发明技术思想的前提下，对上述实施例进行多种变形和修改，而这些变形和修改均应当属于本发明的范围内。

Claims (6)

1.一种显示面板，其定义有显示区域和摄像头区域；其包括衬底层和设置在所述衬底层上的器件功能层；其特征在于，其中所述衬底层包括叠置的第一衬底层、第一缓冲层、第二衬底层和第二缓冲层，其中所述器件功能层设置在所述第二缓冲层上；
其中所述第一缓冲层在所述摄像头区域设置有直至所述第一衬底层表面的第一贯穿通孔，所述第二衬底层向下填充所述第一贯穿通孔进而与所述第一衬底层相接；
在所述摄像头区域，其中所述第二衬底层设置有向下的第一开孔，所述第一开孔内设置有第一填充层；
其中所述第一填充层采用的有机光阻材料的穿透率＞80％；
其中所述器件功能层包括绝缘层和在所述绝缘层中间隔设置的导电层，其中所述绝缘层包括层叠设置的第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和介电层，所述导电层包括有源层、第一栅极层、第二栅极层和第一金属层；其中所述第一金属层位于所述介电层上，而所述介电层上设置有用于平坦化的第一平坦层；
其中在所述摄像头区域，所述绝缘层设置有直至所述第二衬底层的第二贯穿通孔，其中所述第一平坦层还向下填充所述第二贯穿通孔进而与所述第二衬底层中设置的所述第一填充层表面相接。
2.根据权利要求1所述的显示面板；其特征在于，其中所述第一填充层在所述第二衬底层内的深度在1～10um范围内。
3.根据权利要求1所述的显示面板；其特征在于，其中所述第一平坦层上设置有第二金属层，所述第二金属层上设置有第二平坦层，所述第二平坦层上设置有阳极，所述阳极上设置有像素定义层。
4.根据权利要求3所述的显示面板；其特征在于，其中在所述摄像头区域的所述阳极通过过孔与所述摄像头区域的第二金属层电性连接，所述第二金属层从所述摄像头区域延伸到所述显示区域并通过过孔与所述显示区域的第一金属层电性连接。
5.根据权利要求1所述的显示面板；其特征在于，其还定义有衬垫区域，其中所述绝缘层在所述衬垫区域设置有直到所述第二衬底层表面的第三贯穿通孔，其中所述第三贯穿通孔内填充有第二填充层，其上下分别与所述第一平坦层和所述第二衬底层相接。
6.一种终端装置，其包括显示面板和设置在所述显示面板下的摄像头；其特征在于，其中所述显示面板为根据权利要求1所述的显示面板，所述摄像头对应设置在其摄像头区域下。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111312796B (zh) * 2020-04-02 2023-03-24 昆山国显光电有限公司 显示面板和显示装置
CN111584569B (zh) * 2020-05-13 2024-02-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6717181B2 (en) * 2001-02-22 2004-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent device having thin film transistor
JP2014103458A (ja) * 2012-11-16 2014-06-05 Sharp Corp カメラモジュールおよび表示装置
KR102239840B1 (ko) * 2014-04-28 2021-04-14 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
KR102261212B1 (ko) * 2017-06-09 2021-06-03 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
CN110021640A (zh) * 2018-01-08 2019-07-16 三星显示有限公司 电致发光装置
US10991774B2 (en) * 2018-02-12 2021-04-27 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method for fabricating the same
CN108428729B (zh) * 2018-05-14 2019-12-24 云谷（固安）科技有限公司 显示面板及其制备方法
CN110596928B (zh) * 2018-06-13 2022-03-22 夏普株式会社 显示装置
KR20200039866A (ko) * 2018-10-05 2020-04-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200065185A (ko) * 2018-11-29 2020-06-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN109671858B (zh) * 2018-12-06 2021-03-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示屏的制作方法
CN110047846B (zh) * 2019-03-28 2021-06-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板、显示面板的制作方法和智能设备
KR20200118266A (ko) * 2019-04-03 2020-10-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN109994536A (zh) * 2019-04-28 2019-07-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Tft阵列基板及oled显示面板
CN110289301B (zh) * 2019-07-09 2021-11-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置

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