KR20210107216A - 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법 - Google Patents
표시 장치 및 표시 장치의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20210107216A KR20210107216A KR1020200021763A KR20200021763A KR20210107216A KR 20210107216 A KR20210107216 A KR 20210107216A KR 1020200021763 A KR1020200021763 A KR 1020200021763A KR 20200021763 A KR20200021763 A KR 20200021763A KR 20210107216 A KR20210107216 A KR 20210107216A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- hole
- layer
- substrate
- disposed
- area
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 143
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 63
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 250
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 50
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 25
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 24
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 18
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 18
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 18
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 15
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 8
- -1 region Substances 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 3
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000001055 blue pigment Substances 0.000 description 1
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001056 green pigment Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021382 natural graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000001054 red pigment Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H01L27/3225—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H01L27/3244—
-
- H01L51/5253—
-
- H01L51/5284—
-
- H01L51/56—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
- H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Geometry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
본 발명의 일 실시예는, 제1관통홀, 상기 제1관통홀을 둘러싸는 표시영역, 및 상기 표시영역을 적어도 일부 둘러싸는 비표시영역을 포함하는 제1기판; 상기 표시영역 상에 배치된 무기절연층; 표시요소를 포함하며 상기 무기절연층 상에 배치된 표시요소층; 상기 제1관통홀에 연결된 제2관통홀을 포함하며, 상기 표시요소층 상에 배치된 제2기판; 및 상기 제1관통홀의 내측면을 따라 배치되며, 상기 제1기판으로부터 상기 제2기판으로 연장된 차단부재;를 포함하고, 상기 무기절연층은 상기 표시영역으로부터 상기 제1관통홀의 내측면으로 연장된, 표시 장치를 개시한다.
Description
본 발명은 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 표시영역 내부에 투과영역을 구비한 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법에 관한 것이다.
근래에 표시 장치는 그 용도가 다양해지고 있다. 또한, 표시 장치의 두께가 얇아지고 무게가 가벼워 그 사용의 범위가 광범위해지고 있는 추세이다.
표시 장치 중 표시영역이 차지하는 면적을 확대하면서, 표시 장치에 접목 또는 연계하는 다양한 기능들이 추가되고 있다. 면적을 확대하면서 다양한 기능을 추가하기 위한 방안으로 표시영역 내측에 이미지 디스플레이뿐만 아니라, 다양한 기능을 부가하기 위한 영역을 포함할 수 있다.
특히, 표시영역 내부에 빛 등이 투과할 수 있는 투과영역을 구비하고, 그 하부에 컴포넌트를 배치할 수 있는데, 상기 컴포넌트에 입사하는 빛 등의 왜곡을 방지하기 위한 연구가 진행되고 있다.
본 발명의 실시예들은 상기 투과영역의 투과도를 높이고, 컴포넌트에 입사하는 빛 등의 왜곡을 방지하는 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예는, 제1관통홀, 상기 제1관통홀을 둘러싸는 표시영역, 및 상기 표시영역을 적어도 일부 둘러싸는 비표시영역을 포함하는 제1기판; 상기 표시영역 상에 배치된 무기절연층; 표시요소를 포함하며 상기 무기절연층 상에 배치된 표시요소층; 상기 제1관통홀에 연결된 제2관통홀을 포함하며, 상기 표시요소층 상에 배치된 제2기판; 및 상기 제1관통홀의 내측면을 따라 배치되며, 상기 제1기판으로부터 상기 제2기판으로 연장된 차단부재;를 포함하고, 상기 무기절연층은 상기 표시영역으로부터 상기 제1관통홀의 내측면으로 연장된, 표시 장치를 개시한다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시요소는 화소전극 및 대향전극을 포함하고, 상기 대향전극은 상기 표시영역으로부터 상기 제1관통홀의 내측면으로 연장될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시요소층은 상기 무기절연층 및 상기 대향전극 사이에 배치된 유기절연층을 더 포함하고, 상기 무기절연층 및 상기 대향전극은 상기 제1관통홀의 내측면 상에서 컨택될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시요소층은 상기 표시요소를 덮는 무기봉지층을 더 포함하고, 상기 무기봉지층은 상기 표시영역으로부터 상기 제1관통홀의 내측면으로 연장될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2기판 상에 상기 제2관통홀에 연결된 제3관통홀을 포함하는 광학기능층;을 더 포함하고, 상기 차단부재는 상기 제2기판으로부터 상기 광학기능층으로 연장될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 광학기능층 상에 상기 표시영역 및 상기 제3관통홀을 덮는 커버 윈도우; 및 상기 광학기능층 및 상기 커버 윈도우 사이에 배치되며, 상기 제3관통홀에 연결된 제4관통홀을 포함하는 접착층;를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제4관통홀의 크기는 상기 제3관통홀의 크기 보다 크고, 상기 차단부재는 상기 광학기능층의 상부면으로 연장되어 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 차단부재는 흑색 안료를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 차단부재는 방습절연물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 차단부재는 상기 제1관통홀의 내측면으로 연장된 상기 무기절연층을 덮을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1기판 및 상기 제2기판 중 적어도 하나는 글라스를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1관통홀 및 제2관통홀을 통과하도록 배치된 컴포넌트;를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2기판 상에 상기 제2관통홀에 연결된 제3관통홀을 포함하는 광학기능층; 및 상기 광학기능층 상에 상기 표시영역 및 상기 제3관통홀을 덮는 커버 윈도우;를 더 포함하고, 상기 컴포넌트는 상기 제3관통홀을 통과하도록 배치될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는, 제1관통홀이 형성된 제1기판을 준비하는 단계; 상기 제1관통홀을 둘러싸는 표시영역 상에 무기절연층을 형성하는 단계; 상기 표시영역 상에 표시요소를 포함하는 표시요소층을 형성하는 단계; 제2관통홀이 형성된 제2기판을 준비하는 단계; 상기 제2관통홀이 상기 제1관통홀과 대응되도록 상기 제1기판 및 상기 제2기판을 배치하는 단계; 및 상기 제1관통홀의 내측면 및 상기 제2관통홀의 내측면을 따라 차단부재를 형성하는 단계;를 포함하는, 표시 장치의 제조방법을 개시한다.
일 실시예에 있어서, 상기 무기절연층은 상기 표시영역으로부터 상기 제1관통홀의 내측면으로 연장되도록 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 차단부재는 상기 제1관통홀의 내측면으로 연장된 상기 무기절연층을 덮도록 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시요소층을 형성하는 단계는, 상기 표시요소 상에 무기봉지층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 무기봉지층은 상기 표시영역으로부터 상기 제1관통홀의 내측면으로 연장되도록 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2기판 상에, 상기 제2관통홀과 연결되는 제3관통홀을 포함하는 광학기능층을 형성하는 단계; 상기 광학기능층 상에, 상기 제3관통홀과 연결되는 제4관통홀을 포함하는 접착층을 형성하는 단계; 및 상기 접착층 상에, 상기 표시영역 및 상기 제4관통홀을 덮는 커버 윈도우;를 배치하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제4관통홀의 크기는 상기 제3관통홀의 크기 보다 크고, 상기 차단부재는 상기 제2관통홀의 내측면으로부터 상기 광학기능층의 상부면으로 연장되도록 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1관통홀 및 상기 제2관통홀을 통과하도록 컴포넌트를 배치하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 실시예들은, 제1관통홀을 포함하는 제1기판 및 상기 제1관통홀에 연결된 제2관통홀을 포함하는 제2기판을 구비하여 투과영역의 투과도를 높이고, 컴포넌트에 입사하는 정보 등의 왜곡을 방지할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예들은, 상기 제1관통홀의 내측면을 따라 배치된 차단부재를 포함하고 있어, 상기 제1관통홀 주위에 배치된 표시요소 또는 배선으로 인한 난반사를 방지할 수 있으며, 제1관통홀로부터 표시요소로의 투습을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 간략하게 나타낸 단면도로, 도 1의 A-A'선에 대응할 수 있다.
도 2b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 간략하게 나타낸 단면도이다.
도 2c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 간략하게 나타낸 단면도이다.
도 2d는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 간략하게 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1기판을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4는 제1기판에 적용될 수 있는 화소를 개략적으로 나타낸 등가회로도이다.
도 5는 도 3의 B-B'선, C-C'선, 및 D-D'선에 따른 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 간략하게 나타낸 단면도이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 9a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 9b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 도시한 단면도로, 도 9a의 D 부분을 확대한 확대도이다.
도 10, 도 11, 및 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 13a 및 도 13b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 간략하게 나타낸 단면도로, 도 1의 A-A'선에 대응할 수 있다.
도 2b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 간략하게 나타낸 단면도이다.
도 2c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 간략하게 나타낸 단면도이다.
도 2d는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 간략하게 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1기판을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4는 제1기판에 적용될 수 있는 화소를 개략적으로 나타낸 등가회로도이다.
도 5는 도 3의 B-B'선, C-C'선, 및 D-D'선에 따른 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 간략하게 나타낸 단면도이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 9a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 9b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 도시한 단면도로, 도 9a의 D 부분을 확대한 확대도이다.
도 10, 도 11, 및 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 13a 및 도 13b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 도시한 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우도 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(1)는 휴대폰(mobile phone), 태블릿 PC, 노트북, 스마트 워치와 같은 다양한 전자 기기에 구비될 수 있다. 표시 장치(1)는 제1영역(A1) 및 제1영역(A1)을 둘러싸는 제2영역(A2)을 포함할 수 있다. 제2영역(A2)은 복수의 화소들, 예를 들어, 화소들의 어레이가 배치될 수 있으며, 제2영역(A2)은 화소들의 어레이를 통해 이미지를 표시할 수 있다. 따라서, 제2영역(A2)은 이미지를 표시할 수 있는 표시영역에 해당한다. 제1영역(A1)은 제2영역(A2)에 의해 전체적으로 둘러싸일 수 있다. 제1영역(A1)은 표시 장치(1)에 다양한 기능을 부여할 수 있는 컴포넌트가 배치되는 영역일 수 있다. 예를 들어, 컴포넌트가 빛을 이용하는 센서, 카메라 등을 포함하는 경우, 제1영역(A1)은 센서의 빛 또는 카메라로 진행하는 빛이 투과할 수 있는 투과영역에 해당한다. 이 때, 표시 장치(1)에 포함된 기판은 제1영역(A1)에 대응해서 관통홀을 포함하여 컴포넌트로 진행하는 빛의 투과율을 높일 수 있다.
일 실시예에서, 제1영역(A1)은 원형 형상일 수 있다. 다른 실시예에서, 제1영역(A1)은 다각형 형상일 수 있다. 또 다른 실시예에서, 제1영역(A1)은 타원 형상일 수 있다. 이하에서는 제1영역(A1)이 원형 형상인 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
제1영역(A1) 및 제2영역(A2) 사이에는 제3영역(A3)이 구비될 수 있다. 제3영역(A3)은 화소들이 배치되지 않는 비표시영역으로 제1영역(A1)을 우회하는 배선들이 배치될 수 있다. 제2영역(A2)을 둘러싸는 제4영역(A4)도 제3영역(A3)과 마찬가지로 화소들이 배치되지 않는 비표시영역일 수 있으며, 제4영역(A4)에는 다양한 종류의 배선들 및 내장 회로 등이 배치될 수 있다.
표시 장치(1)에 구비된 각 화소는 소정의 색상의 빛을 방출할 수 있는 표시 요소로서 발광 다이오드를 포함할 수 있다. 발광 다이오드는 발광층으로 유기물을 포함하는 유기발광 다이오드를 포함할 수 있다. 또는, 발광 다이오드는 무기발광 다이오드를 포함할 수 있다. 또는, 발광 다이오드는 발광층으로 양자점을 포함할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의상, 발광 다이오드가 유기발광다이오드를 포함하는 경우로 설명한다.
도 1에서는 제1영역(A1)이 표시 장치(1)의 폭 방향(예를 들어, ±x방향)을 따라 제2영역(A2)의 중심 부분에 배치된 것을 도시하고 있으나, 다른 실시예에서, 제1영역(A1)은 표시 장치(1)의 폭 방향을 따라 좌측 또는 우측에 오프셋되어 배치될 수 있다. 또한, 제1영역(A1)은 표시 장치(1)의 길이 방향(예를 들어, ±y 방향)을 따라 상측에 배치되거나, 가운데 배치되거나, 하측에 배치되는 것과 같이 다양한 위치에 배치될 수 있다.
도 1에서는 표시 장치(1)가 하나의 제1영역(A1)을 포함하는 것을 도시하고 있으나, 다른 실시예에서 표시 장치(1)는 복수의 제1영역(A1)들을 포함할 수 있다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)를 간략하게 나타낸 단면도로, 도 1의 A-A'선에 대응할 수 있다.
도 2a를 참조하면, 표시 장치(1)는 제1기판(10), 무기절연층(IL), 표시요소층(DEL), 씰링부재(SP), 제2기판(20), 광학기능층(30), 접착층(40), 커버 윈도우(50), 차단부재(LS), 및 컴포넌트(COMP)를 포함할 수 있다.
제1기판(10)은 제1관통홀(10H)을 둘러싸는 제2영역(A2)과 제2영역(A2)을 적어도 일부 둘러싸는 제4영역(A4)을 포함할 수 있다. 이 때, 제1관통홀(10H)은 제1영역(A1)에 대응하여 배치될 수 있다. 또한, 제1기판(10)은 제2영역(A2) 상에 표시요소로서 복수의 유기발광다이오드들이 배치될 수 있다.
무기절연층(IL)은 제1기판(10) 상에 배치될 수 있다. 구체적으로, 무기절연층(IL)은 제2영역(A2)으로부터 제1관통홀(10H)의 내측면(10S)으로 연장되어 배치될 수 있다. 여기서, 제1관통홀(10H)의 내측면(10S)이란, 제1관통홀(10H)을 정의하는 제1기판(10)의 면일 수 있다. 무기절연층(IL)은 무기절연물을 포함할 수 있다.
표시요소층(DEL)은 표시요소를 포함하며 무기절연층(IL) 상에 배치될 수 있다. 표시요소층(DEL)은 복수의 표시요소를 포함할 수 있으며, 이미지를 표시할 수 있다. 표시요소층(DEL)은 또한, 유기절연층을 포함할 수 있다.
제2기판(20)은 제1기판(10) 상에 배치될 수 있으며, 제1관통홀(10H)과 연결된 제2관통홀(20H)을 포함할 수 있다. 이 때, 제2관통홀(20H)은 제1관통홀(10H)과 대응하게 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제2관통홀(20H)의 크기는 제1관통홀(10H)의 크기와 동일할 수 있다. 이 때, 제1관통홀(10H)의 크기는 z 방향과 수직인 제1관통홀(10H)의 단면의 면적으로 정의할 수 있다. 제2관통홀(20H)의 크기는 z 방향과 수직인 제2관통홀(20H)의 단면의 면적으로 정의할 수 있다. 도 2a에서는 설명의 편의를 위하여 제1관통홀(10H)의 크기 및 제2관통홀(20H)의 크기를 각각 제1관통홀(10H)의 직경(10D) 및 제2관통홀(20H)의 직경(20D)으로 도시하였다. 이 때, 제1관통홀(10H)의 직경(10D)은 제2관통홀(20H)의 직경(20D)과 동일할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1관통홀(10H)의 직경(10D)은 제2관통홀(20H)의 직경(20D) 보다 작을 수 있다.
제2기판(20)은 투명한 부재로 마련되어 제2영역(A2)으로부터의 화상이 구현될 수 있도록 하고, 제2영역(A2)으로 산소 및 수분이 침투하는 것을 막는 역할을 할 수 있다. 일부 실시예에서, 제2기판(20)은 터치패널의 역할을 할 수 있도록 입력 감지부가 구비된 터치 스크린 패널(touch screen panel)일 수 있다.
제2기판(20)은 제1기판(10)의 가장자리에 배치된 씰링부재(SP)에 의해 결합될 수 있다.
씰링부재(SP)는 제2영역(A2)을 둘러싸며, 제4영역(A4)에 배치될 수 있다. 씰링부재(SP)는 제1기판(10)과 제2기판(20)을 서로 합착시킬 수 있으며, 제2영역(A2)으로 산소, 수분 등이 유입되지 않도록 할 수 있다. 또한, 제1기판(10)과 제2기판(20)을 합착하여 기구 강도를 향상시키는 역할을 할 수 있다.
일 실시예에서, 씰링부재(SP)는 실런트 일 수 있다. 다른 실시예에서, 씰링부재(SP)는 레이저에 의해서 경화되는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 씰링부재(SP)는 프릿(frit)일 수 있다. 구체적으로 씰링부재(SP)는 유기 실런트인 우레탄계 수지, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 또는 무기 실런트인 실리콘 등을 포함할 수 있다. 우레탄계 수지로서는, 예를 들어, 우레탄 아크릴레이트 등을 사용할 수 있다. 아크릴계 수지로는, 예를 들어, 부틸아크릴레이트, 에틸헬실아크레이트 등을 사용할 수 있다. 한편, 씰링부재(SP)는 열에 의해서 경화되는 물질을 포함할 수 있다.
광학기능층(30)은 제2기판(20) 상에 배치될 수 있으며, 제2관통홀(20H)과 연결된 제3관통홀(30H)을 포함할 수 있다. 이 때, 제3관통홀(30H)은 제2관통홀(20H)과 대응하게 배치될 수 있다.
광학기능층(30)은 반사 방지층을 포함할 수 있다. 반사 방지층은 커버 윈도우(50)를 통해 외부에서 제1기판(10)을 향해 입사하는 빛(외부광)의 반사율을 감소시킬 수 있다. 반사 방지층은 위상지연자(retarder) 및/또는 편광자(polarizer)를 포함할 수 있다. 위상지연자는 필름타입 또는 액정 코팅타입일 수 있고, λ/2 위상지연자 및/또는 λ/4 위상지연자를 포함할 수 있다. 편광자 역시 필름타입 또는 액정 코팅타입일 수 있다. 필름타입은 연신형 합성수지 필름을 포함하고, 액정 코팅타입은 소정의 배열로 배열된 액정들을 포함할 수 있다. 위상지연자 및 편광자는 보호필름을 더 포함할 수 있다.
다른 실시예로, 광학기능층(30)은 블랙매트릭스와 컬러필터들을 포함할 수 있다. 컬러필터들은 표시 장치(1)의 화소들 각각에서 방출되는 빛의 색상을 고려하여 배열될 수 있다. 컬러필터들 각각은 적색, 녹색, 또는 청색의 안료나 염료를 포함할 수 있다. 또는, 컬러필터들 각각은 전술한 안료나 염료를 포함하지 않을 수 있으며, 산화티타늄과 같은 산란입자들을 포함할 수 있다.
다른 실시예로, 광학기능층(30)은 상쇄간섭 구조물을 포함할 수 있다. 상쇄간섭 구조물은 서로 다른 층 상에 배치된 제1반사층 및 제2반사층을 포함할 수 있다. 제1반사층 및 제2반사층에서 각각 반사된 제1반사광과 제2반사광은 상쇄간섭될 수 있고, 그에 따라 외부광 반사율이 감소될 수 있다.
접착층(40)은 광학기능층(30) 상에 배치될 수 있으며, 제3관통홀(30H)과 연결되는 제4관통홀(40H)을 포함할 수 있다. 이 때, 제4관통홀(40H)은 제3관통홀(30H)과 대응하여 배치될 수 있다. 접착층(40)은 광학 투명 접착제(OCA, optical clear adhesive)를 포함할 수 있다. 또는, 당 기술분야에 알려진 일반적인 것을 제한 없이 채용할 수 있다.
커버 윈도우(50)는 광학기능층(30) 상에 배치될 수 있다. 커버 윈도우(50)는 제2영역(A2) 및 제3관통홀(30H)을 덮을 수 있다. 특히, 커버 윈도우(50)는 접착층(40) 상에 배치될 수 있으며, 제4관통홀(40H)을 덮을 수 있다. 커버 윈도우(50)는 유리, 사파이어, 또는 플라스틱을 포함할 수 있다. 예를 들어, 강화유리(Ultra Thin Glass, UTG) 또는 투명폴리이미드(Colorless Polyimide, CPI)일 수 있다.
차단부재(SHP)는 제1관통홀(10H)의 내측면(10S)을 따라 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1관통홀(10H)이 원형 형상이라면, 차단부재(SHP)는 환형으로 배치될 수 있다.
차단부재(SHP)는 제1기판(10)으로부터 제2기판(20)으로 연장될 수 있다. 구체적으로, 차단부재(SHP)는 제1관통홀(10H)의 내측면(10S) 및 제2관통홀(20H)의 내측면(20S)을 따라 배치될 수 있다. 여기서, 제2관통홀(20H)의 내측면(20S)이란, 제2관통홀(20H)을 정의하는 제2기판(20)의 면일 수 있다. 또한, 차단부재(SHP)는 제1기판(10)으로부터 커버 윈도우(50)까지 연장될 수 있다. 일 실시예에서, 차단부재(SHP)는 접착층(40)과 컨택될 수 있다.
차단부재(SHP)는 흑색 안료를 포함할 수 있다. 이 때, 흑색 안료는 가시 광선을 흡수할 수 있다. 따라서, 제2영역(A2)에서 발생하는 빛이 컴포넌트(COMP)로 입사됨을 방지할 수 있다. 차단부재(SHP)는 예를 들어, 메탄, 아세틸렌 등의 탄화수소를 불완전 연소시킨 카본 블랙을 포함할 수 있다. 다른 예로, 차단부재(SHP)는 천연 흑연을 포함할 수 있다.
차단부재(SHP)는 방습절연물질을 포함할 수 있다. 따라서, 차단부재(SHP)는 제1영역(A1)에서 제2영역(A2)으로 이물 또는 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있다. 방습절연물질은 예를 들어, 자외선 경화수지(UV resin) 또는 터피(Tuffy)일 수 있다. 이 때, 제1기판(10) 및 제2기판(20) 중 적어도 하나가 글라스를 포함하는 경우, 차단부재(SHP)는 제1기판(10) 및 제2기판(20) 중 적어도 하나와의 밀착력이 증진될 수 있다.
컴포넌트(COMP)는 제1영역(A1)에 배치될 수 있다. 특히, 컴포넌트(COMP)는 제1관통홀(10H)에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 컴포넌트(COMP)는 제1관통홀(10H) 및 제2관통홀(20H)을 통과하도록 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 컴포넌트(COMP)는 제3관통홀(30H)을 통과하도록 배치되어 커버 윈도우(50)와 인접하도록 배치될 수 있다. 일부 실시예에서, 컴포넌트(COMP)는 커버 윈도우(50)와 컨택될 수 있다.
컴포넌트(COMP)는 전자요소를 포함할 수 있다. 예를 들어, 컴포넌트(COMP)는 빛이나 음향을 이용하는 전자요소일 수 있다. 전자요소는 적외선 센서와 같이 빛을 수광하여 이용하는 센서, 빛을 수광하여 이미지를 촬상하는 카메라, 빛이나 음향을 출력하고 감지하여 거리를 측정하거나 지문 등을 인식하는 센서, 빛을 출력하는 소형 램프이거나, 소리를 출력하는 스피커 등을 포함할 수 있다. 빛을 이용하는 전자요소의 경우, 가시광, 적외선광, 자외선광 등과 같이 다양한 파장 대역의 빛을 이용할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1영역(A1)은 컴포넌트(COMP)로부터 외부로 출력되거나 외부로부터 전자요소를 향해 진행하는 빛이 투과할 수 있는 투과영역(transmission area)일 수 있다.
다른 실시예에서, 표시 장치(1)가 스마트 워치나 차량용 계기판으로 이용되는 경우, 컴포넌트(COMP)는 시계 바늘이나 소정의 정보(예를 들어, 차량 속도 등)를 지시하는 바늘과 같은 부재일 수 있다. 표시 장치(1)가 시계 바늘이나 차량용 계기판을 포함하는 경우, 컴포넌트(COMP)는 커버 윈도우(50)를 관통하여 외부로 노출될 수 있으며, 커버 윈도우(50)는 제4관통홀(40H)과 연결되는 제5관통홀을 포함할 수 있다.
컴포넌트(COMP)는 전술한 바와 같이 표시 장치(1)에 소정의 기능을 부가할 수 있는 구성요소(들)를 포함하거나, 표시 장치(1)의 심미감을 증가시키는 액세서리와 같은 구성요소 등을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예는, 제1관통홀(10H)을 구비하는 제1기판(10), 제2관통홀(20H)을 구비하는 제2기판(20)을 포함할 수 있다. 또한, 컴포넌트(COMP)는 제1관통홀(10H) 및 제2관통홀(20H)을 통과하면서 배치될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예는 컴포넌트(COMP)에 입사하는 빛 등의 왜곡을 방지하거나 최소화할 수 있다. 본 발명의 실시예와 다르게, 제1기판(10) 및 제2기판(20)이 관통홀을 포함하지 않는 경우, 컴포넌트(COMP)는 제1영역(A1)에 대응하여 제1기판(10) 하부에 배치될 수 있다. 이 때, 외부로부터 입사된 빛은 제1기판(10) 및 제2기판(20)을 통과하면서 굴절이 될 수 있다. 따라서, 컴포넌트(COMP)에서 수광하는 빛의 왜곡이 발생할 수 있다. 본 발명의 실시예는, 컴포넌트(COMP)가 커버 윈도우(50)와 인접하게 배치되어 컴포넌트(COMP)에 입사하는 빛 등의 왜곡을 방지 또는 최소화할 수 있다.
또한, 제1기판(10) 및 제2기판(20)이 관통홀을 포함하지 않는 경우, 표시 장치(1)를 제조 중에 제1기판(10) 및 제2기판(20) 사이에 이물질이 배치되거나 스크래치가 형성될 수 있으며, 이러한 이물질 또는 스크래치는 컴포넌트(COMP)에서 수광하는 빛의 왜곡을 발생시킬 수 있다. 따라서, 표시 장치(1)를 제조하는 과정 중에 이물질 또는 스크래치를 제거하기 위한 연마(Polishing) 공정이 추가될 수 있다. 본 발명의 실시예는, 제1기판(10)이 제1관통홀(10H)을 포함하고, 제2기판(20)이 제2관통홀(20H)을 포함하고 있어, 제1영역(A1)에 이물질이 배치되거나 스크래치가 형성되는 것을 방지할 수 있으며, 이물질 또는 스크래치로부터 컴포넌트(COMP)에서 수광하는 빛의 왜곡을 방지할 수 있다.
도 2b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(1)를 간략하게 나타낸 단면도이다. 도 2b에 있어서, 도 2a와 동일한 참조부호는 동일부재를 의미하는 바 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 2b를 참조하면, 표시 장치(1)는 제1기판(10), 무기절연층(IL), 표시요소층(DEL), 씰링부재(SP), 제2기판(20), 광학기능층(30), 접착층(40), 커버 윈도우(50), 차단부재(SHP), 및 컴포넌트(COMP)를 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 제2관통홀(20H)의 크기는 제1관통홀(10H)의 크기보다 작을 수 있다. 이 때, 제2관통홀(20H)의 직경(20D)은 제1관통홀(10H)에서 서로 마주보는 무기절연층(IL)의 상면 사이의 거리(ILD)와 동일할 수 있다. 이러한 경우, 차단부재(SHP)는 제1기판(10)로부터 z 방향으로 연장되어 배치될 수 있다.
도 2c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(1)를 간략하게 나타낸 단면도이다. 도 2c에 있어서, 도 2b와 동일한 참조부호는 동일부재를 의미하는 바 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 2c를 참조하면, 표시 장치(1)는 제1기판(10), 무기절연층(IL), 표시요소층(DEL), 씰링부재(SP), 제2기판(20), 광학기능층(30), 접착층(40), 커버 윈도우(50), 차단부재(SHP), 및 컴포넌트(COMP)를 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 제2관통홀(20H)의 크기는 제1관통홀(10H)의 크기보다 작을 수 있다. 이 때, 제2관통홀(20H)의 직경(20D)은 제1관통홀(10H)에서 서로 마주보는 무기절연층(IL)의 상면 사이의 거리(ILD) 보다 작을 수 있다.
도 2d는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치(1)를 간략하게 나타낸 단면도이다. 도 2d에 있어서, 도 2c와 동일한 참조부호는 동일부재를 의미하는 바, 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 2d를 참조하면, 표시 장치(1)는 제1기판(10), 무기절연층(IL), 표시요소층(DEL), 씰링부재(SP), 제2기판(20), 광학기능층(30), 접착층(40), 커버 윈도우(50), 차단부재(SHP), 및 컴포넌트(COMP)를 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 제3관통홀(30H)의 크기는 제2관통홀(20H)의 크기 보다 클 수 있다. 이 때, 제3관통홀(30H)의 크기는 z 방향과 수직인 제3관통홀(30H)의 단면의 면적으로 정의할 수 있다. 도 2d에서는 제3관통홀(30H)의 크기를 제3관통홀(30H)의 직경(30D)으로 도시하였다. 이 때, 제3관통홀(30H)의 직경(30D)은 제2관통홀(20H)의 직경(20D) 보다 클 수 있다.
본 실시예에서, 컴포넌트(COMP)는 제1관통홀(10H) 및 제2관통홀(20H)을 통과하도록 배치될 수 있다. 이 때, 컴포넌트(COMP)는 커버 윈도우(50)와 이격되게 배치될 수 있다. 컴포넌트(COMP)가 예를 들어 카메라인 경우, 제3관통홀(30H)의 직경(30D)을 제2관통홀(20H)의 직경(20D) 보다 크게 구비함으로써, 광학기능층(30)은 카메라의 화각을 제한하지 않을 수 있다. 따라서, 광학기능층(30)은 카메라의 촬상 이미지를 훼손하지 않을 수 있다.
이하에서는, 설명의 편의를 위하여 제1관통홀(10H)의 직경(10D) 및 제2관통홀(20H)의 직경(20D)이 동일한 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1기판(10)을 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 4는 제1기판(10)에 적용될 수 있는 화소(P)를 개략적으로 나타낸 등가회로도이다.
도 3을 참조하면, 제1기판(10)은 제1영역(A1), 제1영역(A1)을 둘러싸는 제2영역(A2), 제1영역(A1)과 제2영역(A2) 사이의 제3영역(A3), 및 제2영역(A2)을 적어도 일부 둘러싸는 제4영역(A4)을 포함할 수 있다. 또한, 제1기판(10)은 제1영역(A1)에 대응하여 제1관통홀(10H)을 포함할 수 있으며, 제1관통홀(10H)의 내측면을 따라 배치된 차단부재(SHP)를 포함할 수 있다. 제2영역(A2)에는 복수의 화소(P)들이 배치될 수 있다.
도 4를 참조하면, 각 화소(P)는 화소회로(PC), 및 화소회로(PC)에 연결된 표시요소, 예를 들어, 유기발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다. 화소회로(PC)는 제1박막트랜지스터(T1), 제2박막트랜지스터(T2), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 각 화소(P)는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다.
제2박막트랜지스터(T2)는 스위칭 박막트랜지스터로서, 스캔라인(SL) 및 데이터라인(DL)에 연결되며, 스캔라인(SL)으로부터 입력되는 스위칭 전압에 따라 데이터라인(DL)으로부터 입력된 데이터 전압을 제1박막트랜지스터(T1)로 전달할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제2박막트랜지스터(T2)와 구동전압선(PL)에 연결되며, 제2박막트랜지스터(T2)로부터 전달받은 전압과 구동전압선(PL)에 공급되는 제1전원전압(ELVDD)의 차이에 해당하는 전압을 저장할 수 있다.
제1박막트랜지스터(T1)는 구동 박막트랜지스터로서, 구동전압선(PL)과 스토리지 커패시터(Cst)에 연결되며, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 값에 대응하여 구동전압선(PL)으로부터 유기발광다이오드(OLED)를 흐르는 구동 전류를 제어할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 전류에 의해 소정의 휘도를 갖는 빛을 방출할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)의 대향전극(예를 들어, 캐소드)는 제2전원전압(ELVSS)을 공급받을 수 있다.
도 4는 화소회로(PC)가 2개의 박막트랜지스터와 1개의 스토리지 커패시터를 포함하는 것을 설명하고 있으나, 다른 실시예에서 박막트랜지스터의 개수 및 스토리지 커패시터의 개수는 화소회로(PC)의 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
다시 도 3을 참조하면, 제3영역(A3)은 제1영역(A1)을 둘러쌀 수 있다. 제3영역(A3)은 빛을 방출하는 유기발광다이오드와 같은 표시요소가 배치되지 않는 영역으로, 제3영역(A3)에는 제1영역(A1) 주변에 구비된 화소(P)들에 신호를 제공하는 배선들이 지나갈 수 있다.
본 실시예는, 제1관통홀(10H)의 내측면을 따라 배치된 차단부재(SHP)를 포함할 수 있다. 차단부재(SHP)는 흑색 안료를 포함하고 있으므로, 제1관통홀(10H) 주위에 배치된 표시요소 또는 배선에 의한 난반사를 방지할 수 있다. 또한, 차단부재(SHP)는 방습절연물질을 포함하고 있으므로, 제1영역(A1)에서 제2영역(A2)으로 공기 또는 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있다.
제4영역(A4)에는 각 화소(P)에 스캔신호를 제공하는 제1스캔 드라이버(1100), 제2스캔 드라이버(1200), 각 화소(P)에 데이터신호를 제공하는 데이터 드라이버(1300), 및 제1 및 제2전원전압을 제공하기 위한 메인 전원배선(미도시) 등이 배치될 수 있다. 제1스캔 드라이버(1100) 및 제2스캔 드라이버(1200)는 각각 제4영역(A4)에 배치되되, 제2영역(A2)을 사이에 두고 제2영역(A2)의 양측에 각각 배치될 수 있다.
도 3은 데이터 드라이버(1300)가 제1기판(10)의 일 측변에 인접하게 배치된 것을 도시하나, 다른 실시예에서, 데이터 드라이버(1300)는 제1기판(10)의 일 측에 배치된 패드와 전기적으로 접속된 FPCB(flexible Printed circuit board) 상에 배치될 수 있다.
도 5는 도 3의 B-B'선, C-C'선, 및 D-D'선에 따른 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다. 도 5에 있어서, 도 3와 동일한 참조부호는 동일부재를 의미하는 바, 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 5를 참조하면, 제1기판(10)은 제1관통홀(10H)을 둘러싸는 제2영역(A2)과 제2영역(A2)을 적어도 일부 둘러싸는 제4영역(A4)을 포함할 수 있다. 제2영역(A2) 상에는 무기절연층(IL)이 배치될 수 있으며, 무기절연층(IL) 상의 표시요소층(DEL)은 제2영역(A2) 상에 표시요소로서 배치된 유기발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다. 컴포넌트(COMP)는 제1영역(A1)에 대응하여 배치되며, 제1관통홀(10H) 및 제2관통홀(20H)을 통과하면서 배치될 수 있다. 또한, 차단부재(SHP)는 제1관통홀(10H)의 내측면(10S)을 따라 배치되며, 제1기판(10)으로부터 제2기판(20)으로 연장될 수 있다.
제1기판(10)은 글라스를 포함하거나, 플라스틱재 및 금속재 등으로 형성될 수 있다.
버퍼층(101)은 제1기판(10) 상에 위치하여, 제1기판(10)의 하부로부터 이물, 습기 또는 외기의 침투를 감소 또는 차단할 수 있고, 제1기판(10) 상에 평탄면을 제공할 수 있다. 버퍼층(101)은 산화물 또는 질화물과 같은 무기물, 또는 유기물, 또는 유무기복합물을 포함할 수 있으며, 무기물과 유기물의 단층 또는 다층 구조로 이루어질 수 있다. 제1기판(10)과 버퍼층(101) 사이에는 외기의 침투를 차단하는 배리어층(미도시)이 더 포함될 수 있다. 일부 실시예에서, 버퍼층(101)은 실리콘옥사이드 또는 실리콘나이트라이드로 구비될 수 있다.
상기 버퍼층(101) 상부에는 무기절연층(IL) 및 박막트랜지스터(TFT)가 배치될 수 있다. 무기절연층(IL)은 제1게이트절연층(103), 제2게이트절연층(105), 및 층간절연층(107)을 포함할 수 있다. 박막트랜지스터(TFT)는 구동 박막트랜지스터일 수 있다. 박막트랜지스터(TFT)는 반도체층(Act), 게이트전극(G), 소스전극(SE), 드레인전극(DE)을 포함할 수 있다.
반도체층(Act)은 상기 버퍼층(101) 상에 배치되며, 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 반도체층(Act)은 비정질 실리콘(amorphous silicon)을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 반도체층(Act)은 인듐(In), 갈륨(Ga), 스태늄(Sn), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 및 아연(Zn)을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질의 산화물을 포함할 수 있다. 반도체층(Act)은 채널영역과 불순물이 도핑된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다.
반도체층(Act)을 덮도록 제1게이트절연층(103)이 구비될 수 있다. 제1게이트절연층(103)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈옥사이드, 하프늄옥사이드, 또는 징크옥사이드 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제1게이트절연층(103)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단일층 또는 다층일 수 있다.
제1게이트절연층(103) 상부에는 반도체층(Act)과 중첩되도록 게이트전극(G)이 배치될 수 있다. 게이트전극(G)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하며 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다. 일 예로, 게이트전극(G)은 Mo의 단층일 수 있다.
제2게이트절연층(105)은 게이트전극(G)을 덮도록 구비될 수 있다. 제2게이트절연층(105)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈옥사이드, 하프늄옥사이드, 또는 징크옥사이드 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제2게이트절연층(105)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단일층 또는 다층일 수 있다.
제2게이트절연층(105) 상부에는 스토리지 커패시터(Cst)의 상부 전극(CE2)이 배치될 수 있다.
상부 전극(CE2)은 그 아래의 게이트전극(G)과 중첩할 수 있다. 제2게이트절연층(105)을 사이에 두고 중첩하는 게이트전극(G) 및 상부 전극(CE2)은 스토리지 커패시터(Cst)를 이룰 수 있다. 게이트전극(G)은 스토리지 커패시터(Cst)의 하부 전극(CE1)일 수 있다.
상부 전극(CE2)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 및/또는 구리(Cu)를 포함할 수 있으며, 전술한 물질의 단일층 또는 다층일 수 있다.
층간절연층(107)은 상부 전극(CE2)을 덮도록 형성될 수 있다. 층간절연층(107)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈옥사이드, 하프늄옥사이드 또는 징크옥사이드 등을 포함할 수 있다.
소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 층간절연층(107) 상에 배치될 수 있다. 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 예로, 소스전극(SE)과 드레인전극(DE)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조로 이루어질 수 있다.
표시요소층(DEL)은 무기절연층(IL) 상에 배치될 수 있다. 표시요소층(DEL)은 표시요소로서 유기발광다이오드(OLED), 유기절연층(OL), 및 무기봉지층(300)을 포함할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 화소전극(210), 중간층(220), 및 대향전극(230)을 포함할 수 있다.
유기절연층(OL)은 무기절연층(IL) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 유기절연층(OL)은 제1평탄화층(109), 제2평탄화층(111), 및 화소정의막(113)을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 제2평탄화층(111)은 생략될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 유기절연층(OL)은 제2평탄화층(111) 및 화소정의막(113) 사이에 제3평탄화층을 더 포함할 수 있다.
제1평탄화층(109)은 소스전극(SE)과 드레인전극(DE)을 덮도록 배치될 수 있다. 제1평탄화층(109)은 평탄한 상면을 가질 수 있다.
제1평탄화층(109)은 유기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 이러한 제1평탄화층(109)은 BCB(Benzocyclobutene), 폴리이미드(polyimide), HMDSO(Hexamethyldisiloxane), Polymethylmethacrylate나, Polystyrene과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1평탄화층(109)은 무기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 이러한 경우, 제1평탄화층(109)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈옥사이드, 하프늄옥사이드 또는 징크옥사이드 등을 포함할 수 있다. 제1평탄화층(109)을 형성한 후, 평탄한 상면을 제공하기 위해서 화학적 기계적 폴리싱이 수행될 수 있다.
연결금속(CM)은 제1평탄화층(109) 상에 배치될 수 있다. 연결금속(CM)은 제1평탄화층(109)에 형성된 개구부를 통해 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극(SE) 또는 드레인전극(DE)과 컨택하여 박막트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다.
제1평탄화층(109) 상에는 연결금속(CM)과 이격되며, 동일한 물질로 구비된 배선(미도시)이 더 배치될 수 있다.
연결금속(CM) 상에는 제2평탄화층(111)이 배치될 수 있다. 제2평탄화층(111)은 그 상부에 배치되는 화소전극(210)이 평탄하게 형성될 수 있도록 평탄한 상면을 가질 수 있다.
제2평탄화층(111)은 유기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 이러한 경우, 제2평탄화층(111)은 BCB(Benzocyclobutene), 폴리이미드(polyimide), HMDSO(Hexamethyldisiloxane), Polymethylmethacrylate나, Polystyrene과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 제2평탄화층(111)은 무기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 이러한 경우, 제2평탄화층(111)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈옥사이드, 하프늄옥사이드 또는 징크옥사이드 등을 포함할 수 있다. 제2평탄화층(111)을 형성한 후, 평탄한 상면을 제공하기 위해서 화학적 기계적 폴리싱이 수행될 수 있다.
제2평탄화층(111)에는 연결금속(CM)을 노출시키는 개구부가 존재하며, 화소전극(210)은 상기 개구부를 통해 연결금속(CM)과 컨택하여 박막트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다.
화소전극(210)은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 화소전극(210)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예로, 화소전극(210)은 전술한 반사막의 위/아래에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 막을 더 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 화소전극(210)은 ITO/Ag/ITO로 적층된 구조로 구비될 수 있다.
화소전극(210) 상에는 화소정의막(113)이 형성될 수 있다. 화소정의막(113)은 화소전극(210)의 상면을 노출하는 개구를 포함하되, 화소전극(210)의 가장자리를 커버할 수 있다. 일 실시예에서, 화소정의막(113)은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 화소정의막(113)은 실리콘나이트라이드나 실리콘옥시나이트라이드, 또는 실리콘옥사이드와 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 또는, 화소정의막(113)은 유기절연물 및 무기절연물을 포함할 수 있다.
이하에서는 설명의 편의를 위하여 제1평탄화층(109), 제2평탄화층(111), 및 화소정의막(113)이 유기절연물을 포함하는 경우를 중심으로 상세하게 설명하기로 한다.
중간층(220)은 발광층(220b)을 포함할 수 있다. 발광층(220b)은 예를 들어, 유기물을 포함할 수 있다. 발광층(220b)은 소정의 색상의 빛을 방출하는 고분자 또는 저분자 유기물을 포함할 수 있다. 중간층(220)은 발광층(220b)의 아래에 배치된 제1기능층(220a) 및/또는 발광층(220b)의 위에 배치된 제2기능층(220c)을 포함할 수 있다.
제1기능층(220a)은 단층 또는 다층일 수 있다. 예를 들어 제1기능층(220a)이 고분자 물질로 형성되는 경우, 제1기능층(220a)은 단층구조인 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer)으로서, 폴리에틸렌 디히드록시티오펜(PEDOT: poly-(3,4)-ethylene-dihydroxy thiophene)이나 폴리아닐린(PANI: polyaniline)으로 형성할 수 있다. 제1기능층(220a)이 저분자 물질로 형성되는 경우, 제1기능층(220a)은 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer)과 홀 수송층(HTL)을 포함할 수 있다.
제2기능층(220c)은 선택적일 수 있다. 예를 들어, 제1기능층(220a)과 발광층(220b)을 고분자 물질로 형성하는 경우, 제2기능층(220c)을 형성할 수 있다. 제2기능층(220c)은 단층 또는 다층일 수 있다. 제2기능층(220c)은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다.
중간층(220) 중 발광층(220b)은 제2영역(A2)에서 각 화소마다 배치될 수 있다. 발광층(220b)은 화소정의막(113)의 개구, 또는/및 화소전극(210)과 중첩하도록 배치될 수 있다.
대향전극(230)은 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 대향전극(230)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 대향전극(230)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다. 대향전극(230)은 일체(single body)로서, 제2영역(A2)에서 복수의 화소전극(210)들을 커버하도록 형성될 수 있다. 중간층(220) 및 대향전극(230)은 열 증착법에 의해 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 유기발광다이오드(OLED)를 덮는 무기봉지층(300)이 대향전극(230)의 상부에 배치될 수 있다. 무기봉지층(300)은 대향전극(230)의 상면의 형상에 따라 배치될 수 있다. 따라서, 유기발광다이오드(OLED)에 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있다. 무기봉지층(300)은 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있다. 무기 절연물은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드, 징크옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 또는/및 실리콘옥시나이트라이드를 포함할 수 있다. 무기봉지층(300)은 화학기상증착법을 통해 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 무기봉지층(300)은 생략될 수 있다.
제2기판(20)은 대향전극(230) 상부에 배치될 수 있는데, 투명한 재질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2기판(20)은 글래스 또는 플라스틱재 등으로 형성될 수 있다.
제4영역(A4) 상에 배치된 씰링부재(SP)는 제1기판(10)과 제2기판(20)을 합착할 수 있다. 이 때, 씰링부재(SP)는 제4영역(A4)의 무기절연층(IL) 상에 배치될 수 있다.
본 실시예에서, 버퍼층(101) 및 무기절연층(IL)은 제2영역(A2)으로부터 제1영역(A1)으로 연장될 수 있다. 또한, 버퍼층(101) 및 무기절연층(IL)은 제1관통홀(10H)의 내측면(10S)으로 연장될 수 있다. 버퍼층(101) 및 무기절연층(IL)은 제1관통홀(10H)과 인접한 제1기판(10)의 상면(US) 및 제1관통홀(10H)의 내측면(10S)을 둘러싸며 배치될 수 있다. 따라서, 박막트랜지스터(TFT)로 이물질 또는 수분이 침투되는 것을 방지할 수 있다. 버퍼층(101) 및 무기절연층(IL)은 제1관통홀(10H)을 포함하는 제1기판(10) 상에 형성되어 제1관통홀(10H)의 내측면(10S)에 배치될 수 있다.
본 실시예에서, 유기절연층(OL)은 제3영역(A3)으로 연장될 수 있으며, 제1기능층(220a) 및 제2기능층(220c)을 포함하는 기능층(220-1) 또한, 제3영역(A3)으로 연장될 수 있다.
본 실시예에서, 대향전극(230) 및 무기봉지층(300)은 제2영역(A2)으로부터 제1영역(A1)으로 연장될 수 있다. 또한 대향전극(230) 및 무기봉지층(300)은 제1관통홀(10H)의 내측면(10S)으로 연장될 수 있다. 대향전극(230) 및 무기봉지층(300)은 제1관통홀(10H)과 인접한 제1기판(10)의 상면(US) 및 제1관통홀(10H)의 내측면(10S)을 둘러싸며 배치될 수 있다. 이러한 경우, 대향전극(230)은 무기절연층(IL)과 제1관통홀(10H)의 내측면(10S) 상에서 컨택될 수 있다. 따라서, 무기절연층(IL) 및 대향전극(230)은 제1영역(A1)으로부터 제2영역(A2)으로 이물질 또는 수분이 침투되는 것을 방지할 수 있다.
본 실시예에서, 방습절연물질을 포함하고 있는 차단부재(SHP)는 제1관통홀(10H)의 내측면(10S)을 따라 배치될 수 있으며, 무기봉지층(300) 또는 무기절연층(IL)을 덮도록 배치될 수 있다. 차단부재(SHP)는 이물 또는 수분이 제1영역(A1)으로부터 제2영역(A2)으로 침투되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 씰링부재(SP)는 제3영역(A3)에 배치되지 않을 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(1)를 간략하게 나타낸 단면도이다. 도 6에 있어서, 도 2a와 동일한 참조부호는 동일부재를 의미하는 바 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 6을 참조하면, 표시 장치(1)는 제1기판(10), 무기절연층(IL), 표시요소층(DEL), 씰링부재(SP), 제2기판(20), 광학기능층(30), 접착층(40), 커버 윈도우(50), 차단부재(SHP), 및 컴포넌트(COMP)를 포함할 수 있다.
제1기판(10)은 제1관통홀(10H)을 둘러싸는 제2영역(A2)과 제2영역(A2)의 적어도 일부를 둘러싸는 제4영역(A4)을 포함할 수 있다. 이 때, 제1관통홀(10H)은 제1영역(A1)에 대응하여 배치될 수 있다. 또한, 제1기판(10)의 제2영역(A2) 상에 표시요소층(DEL)은 표시요소로서 복수의 유기발광다이오드가 배치될 수 있다. 이 때, 제1기판(10) 및 표시요소층(DEL) 사이에 배치된 무기절연층(IL)은 제2영역(A2)으로부터 제1관통홀(10H)의 내측면(10S)으로 연장될 수 있다.
제2기판(20)은 제1관통홀(10H)과 연결된 제2관통홀(20H)을 포함하면서 제1기판(10) 상에 배치될 수 있다. 이 때, 제2관통홀(20H)은 제1관통홀(10H)과 대응하게 배치될 수 있다.
광학기능층(30)은 제2기판(20) 상에 배치될 수 있으며, 제2관통홀(20H)과 연결된 제3관통홀(30H)을 포함할 수 있다. 이 때, 제3관통홀(30H)은 제2관통홀(20H)과 대응하게 배치될 수 있다.
접착층(40)은 광학기능층(30) 상에 배치될 수 있으며, 제3관통홀(30H)과 연결되는 제4관통홀(40H)을 포함할 수 있다. 이 때, 제4관통홀(40H)은 제3관통홀(30H)과 대응하여 배치될 수 있다.
본 실시예에서, 제4관통홀(40H)의 크기는 제3관통홀(30H)의 크기보다 클 수 있다. 이 때, 제3관통홀(30H)의 크기는 z 방향과 수직한 제3관통홀(30H)의 단면의 면적으로 정의할 수 있다. 제4관통홀(40H)의 크기는 z 방향과 수직한 제4관통홀(40H)의 단면의 면적으로 정의할 수 있다. 도 6에서는 설명의 편의를 위하여 제4관통홀(40H)의 크기 및 제3관통홀(30H)의 크기를 각각 제4관통홀(40H)의 직경(40D) 및 제3관통홀(30H)의 직경(30D)으로 도시하였다. 이 때, 제4관통홀(40H)의 직경(40D)은 제3관통홀(30H)의 직경(30D) 보다 클 수 있다.
본 실시예에서, 차단부재(SHP)는 광학기능층(30)의 제3관통홀(30H)로부터 광학기능층(30)의 상부면(30US)으로 연장되어 배치될 수 있다. 따라서, 차단부재(SHP) 중 적어도 일부는 광학기능층(30)의 상부면(30US)에 배치될 수 있다. 이 때, 차단부재(SHP)는 광학기능층(30)의 상부면(30US), 광학기능층(30)의 상부면(30US)과 대향하는 커버 윈도우(50)의 하부면(50US), 및 접착층(40)의 제4관통홀(40H)로 정의되는 영역을 채울 수 있다. 따라서, 차단부재(SHP)로 인한 차단 효과가 증가할 수 있다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 도시한 단면도이다. 도 9a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 도시한 단면도이다. 도 9b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 도시한 단면도로, 도 9a의 D 부분을 확대한 확대도이다. 도 10, 도 11, 및 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 7을 참조하면, 제1관통홀(10H)이 형성된 제1기판(10)을 준비할 수 있다. 일 실시예에서, 제1관통홀(10H)은 레이저를 이용하여 형성할 수 있다. 다른 실시예에서, 제1관통홀(10H)은 기계적 연마(Mechanical Polishing) 방법으로 형성할 수 있다. 이 때, 제1관통홀(10H)은 제1영역(A1)에 대응하도록 형성될 수 있다. 도 7은 하나의 제1관통홀(10H)을 형성한 것을 도시하고 있지만, 다른 실시예에서, 제1기판(10)에는 복수의 제1관통홀(10H)들을 형성할 수 있다.
도 8를 참조하면, 무기절연층(IL)은 제1관통홀(10H)을 둘러싸는 제2영역(A2) 상에 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 무기절연층(IL)은 화학기상증착법으로 형성될 수 있는데, 무기절연층(IL)은 무기절연층(IL)이 배치되는 하부면의 형상에 따라 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1관통홀(10H)을 포함하는 제1기판(10)의 상면(US)에 무기절연층(IL)을 형성하는 경우, 제1기판(10)의 상면(US)뿐만 아니라, 제1관통홀(10H)의 내측면(10S)에도 무기절연층(IL)이 형성될 수 있다. 따라서, 무기절연층(IL)은 제2영역(A2)으로부터 제1관통홀(10H)의 내측면(10S)으로 연장되도록 형성될 수 있다. 즉, 무기절연층(IL)은 제1관통홀(10H)과 인접한 제1기판(10)의 상면(US) 및 제1관통홀(10H)의 내측면(10S)을 둘러싸며 형성될 수 있다. 이에 따라, 무기절연층(IL)은 제1영역(A1)으로부터 제2영역(A2)으로 이물질 또는 수분이 침투되는 것을 방지할 수 있다.
그 다음, 도 9a 및 도 9b를 참조하면, 제2영역(A2) 상에 표시요소를 포함하는 표시요소층(DEL)을 형성할 수 있다. 구체적으로, 표시요소층(DEL)의 유기절연층(OL) 및 유기발광다이오드를 형성할 수 있다. 또한, 씰링부재(SP)는 제4영역(A4)에 형성될 수 있다.
본 실시예에서, 유기발광다이오드 상에 무기봉지층(300)을 더 형성할 수 있다. 무기봉지층(300)은 화학기상증착법으로 형성될 수 있다. 따라서, 무기봉지층(300)은 무기절연층(IL)과 유사하게 제2영역(A2)으로부터 제1관통홀(10H)의 내측면(10S)으로 연장되도록 형성될 수 있다. 즉, 무기봉지층(300)은 제1관통홀(10H)과 인접한 제1기판(10)의 상면(US) 및 제1관통홀(10H)의 내측면(10S)을 둘러싸며 형성될 수 있다. 이에 따라, 무기봉지층(300)은 제1영역(A1)으로부터 제2영역(A2)으로 이물질 또는 수분이 침투되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 제2관통홀(20H)이 형성된 제2기판(20)을 준비할 수 있다. 일 실시예에서, 제2관통홀(20H)은 제1관통홀(10H)과 유사하게 레이저를 이용하여 형성할 수 있다. 다른 실시예에서, 제2관통홀(20H)은 기계적 연마(Mechanical Polishing) 방법으로 형성할 수 있다.
그 다음, 제2관통홀(20H)이 제1관통홀(10H)과 대응되도록 제1기판(10) 상에 제2기판(20)을 배치할 수 있다. 따라서, 제2관통홀(20H)은 제1관통홀(10H)과 연결될 수 있다. 이러한 경우, 제1관통홀(10H) 및 제2관통홀(20H)은 제1기판(10) 및 제2기판(20)을 정렬하는 얼라인 마크로 기능할 수 있다.
제1기판(10) 및 제2기판(20)은 씰링부재(SP)에 의해 결합될 수 있다. 따라서, 제1기판(10) 및 제2기판(20) 사이의 내부공간이 밀봉될 수 있다.
그 다음, 도 10을 참조하면, 제2기판(20) 상에, 제2관통홀(20H)과 연결되는 제3관통홀(30H)을 포함하는 광학기능층(30)을 형성할 수 있다. 제3관통홀(30H)은 제2관통홀(20H)에 대응하여 형성될 수 있다.
그 다음, 광학기능층(30) 상에, 제3관통홀(30H)과 연결되는 제4관통홀(40H)을 포함하는 접착층(40)을 형성할 수 있다. 제4관통홀(40H)은 제3관통홀(30H)에 대응하여 형성될 수 있다.
그 다음, 접착층(40) 상에, 제2영역(A2) 및 제4관통홀(40H)을 덮는 커버 윈도우(50)를 배치할 수 있다. 구체적으로, 커버 윈도우(50)는 접착층(40) 및 제4관통홀(40H)을 전체적으로 덮으며 배치될 수 있다. 이 때, 광학기능층(30) 및 커버 윈도우(50)는 접착층(40)에 의해 접착될 수 있다.
그 다음, 도 11을 참조하면, 제1관통홀(10H)의 내측면(10S) 및 제2관통홀(20H)의 내측면(20S)을 따라 차단부재(SHP)가 형성될 수 있다. 차단부재(SHP)는 제1기판(10)으로부터 제2기판(20)으로 연장되도록 형성될 수 있다. 또한, 차단부재(SHP)는 제1기판(10)으로부터 커버 윈도우(50)까지 연장되도록 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 차단부재(SHP)는 접착층(40)과 컨택되도록 형성될 수 있다.
본 실시예에서, 차단부재(SHP)는 제1관통홀(10H)의 내측면(10S)으로 연장된 무기절연층(IL)을 덮도록 형성될 수 있다. 따라서, 차단부재(SHP)는 이물 또는 수분이 제1영역(A1)으로부터 제2영역(A2)으로 침투되는 것을 방지할 수 있다.
일 실시예에서, 차단부재(SHP)는 다음과 같은 방법에 의해 형성될 수 있다. 먼저, 회전 가능한 회전부의 외주면에 흑색 안료 및 방습절연물질을 도포한다. 이 때, 회전부는 롤러일 수 있다. 그리고 상기 회전부를 제1영역(A1) 내부로 삽입하고 회전시키면, 차단부재(SHP)가 제1관통홀(10H)의 내측면(10S) 및 제2관통홀(20H)의 내측면(20S)을 따라 형성될 수 있다.
그 다음, 도 12를 참조하면, 제1관통홀(10H) 및 제2관통홀(20H)을 통과하도록 컴포넌트(COMP)를 배치할 수 있다. 컴포넌트(COMP)는 구체적으로, 제1영역(A1)에 배치될 수 있다. 또한, 일 실시예에서, 컴포넌트(COMP)는 제3관통홀(30H)을 통과하도록 배치되어 커버 윈도우(50)와 인접하도록 배치될 수 있다. 일부 실시예에서, 컴포넌트(COMP)는 커버 윈도우(50)와 컨택될 수 있다.
본 발명의 실시예는, 제1관통홀(10H)이 형성된 제1기판(10)에 무기절연층(IL) 및 표시요소층(DEL)을 형성하고, 제2관통홀(20H)이 형성된 제2기판(20)을 제1기판(10)에 합착시킬 수 있다. 본 발명의 실시예와 다르게 제1기판(10)에 무기절연층(IL) 및 표시요소층(DEL)을 형성하고, 제2기판(20)을 제1기판(10)에 합착시킨 후, 제1관통홀(10H) 및 제2관통홀(20H)을 형성하는 경우, 표시요소층(DEL)의 표시요소에 이물질 또는 수분이 투습될 가능성이 있다. 또한, 제1관통홀(10H) 및 제2관통홀(20H)을 형성한 후, 제1기판(10)의 하면 및 제2기판(20)의 상면을 연마하는 추가 후속 공정이 필요할 수 있다. 본 발명의 실시예는, 제1관통홀(10H)이 형성된 제1기판(10) 및 제2관통홀(20H)이 형성된 제2기판(20)을 이용하여 표시 장치를 제조하므로 표시 장치의 신뢰성이 증가할 수 있다. 또한, 표시 장치의 제조방법에 있어서 추가 후속 공정이 불필요해지므로, 표시 장치의 제조방법의 효율이 증가할 수 있다.
도 13a 및 도 13b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 도시한 단면도이다. 도 13a 및 도 13b에 있어서, 도 10 및 도 11과 동일한 참조부호는 동일부재를 의미하는 바 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 13a를 참조하면, 제4관통홀(40H)의 크기는 제3관통홀(30H)의 크기보다 크게 형성될 수 있다. 도 13a에서는 설명의 편의를 위하여 제4관통홀(40H)의 크기 및 제3관통홀(30H)의 크기를 각각 제4관통홀(40H)의 직경(40D) 및 제3관통홀(30H)의 직경(30D)으로 도시하였다. 이 때, 제4관통홀(40H)의 직경(40D)은 제3관통홀(30H)의 직경(30D) 보다 클 수 있다. 따라서, 광학기능층(30)의 상부면(30US)은 접착층(40)에 의해 노출될 수 있다.
도 13b를 참조하면, 차단부재(SHP)는 제2관통홀(20H)의 내측면(20S)으로부터 광학기능층(30)의 상부면(40US)으로 연장되도록 형성될 수 있다. 따라서, 차단부재(SHP) 중 적어도 일부는 광학기능층(30)의 상부면(30US)에 형성될 수 있다. 이 때, 차단부재(SHP)는 광학기능층(30)의 상부면(30US), 광학기능층(30)의 상부면(30US)과 대향하는 커버 윈도우(50)의 하부면(50US), 및 접착층(40)의 제4관통홀(40H)로 정의되는 영역을 채울 수 있다. 따라서, 차단부재(SHP)로 인한 차단 효과가 증가할 수 있다.
이와 같은 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
A1, A2, A3, A4: 제1영역, 제2영역, 제3영역, 제4영역
1: 표시 장치
10, 20: 제1기판, 제2기판
30: 광학기능층
40: 접착층
50: 커버 윈도우
10H, 20H, 30H, 40H: 제1관통홀, 제2관통홀, 제3관통홀, 제4관통홀
210: 화소전극
230: 대향전극
300: 무기봉지층
1: 표시 장치
10, 20: 제1기판, 제2기판
30: 광학기능층
40: 접착층
50: 커버 윈도우
10H, 20H, 30H, 40H: 제1관통홀, 제2관통홀, 제3관통홀, 제4관통홀
210: 화소전극
230: 대향전극
300: 무기봉지층
Claims (20)
- 제1관통홀, 상기 제1관통홀을 둘러싸는 표시영역, 및 상기 표시영역을 적어도 일부 둘러싸는 비표시영역을 포함하는 제1기판;
상기 표시영역 상에 배치된 무기절연층;
표시요소를 포함하며 상기 무기절연층 상에 배치된 표시요소층;
상기 제1관통홀에 연결된 제2관통홀을 포함하며, 상기 표시요소층 상에 배치된 제2기판; 및
상기 제1관통홀의 내측면을 따라 배치되며, 상기 제1기판으로부터 상기 제2기판으로 연장된 차단부재;를 포함하고,
상기 무기절연층은 상기 표시영역으로부터 상기 제1관통홀의 내측면으로 연장된, 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 표시요소는 화소전극 및 대향전극을 포함하고,
상기 대향전극은 상기 표시영역으로부터 상기 제1관통홀의 내측면으로 연장된, 표시 장치. - 제2항에 있어서,
상기 표시요소층은 상기 무기절연층 및 상기 대향전극 사이에 배치된 유기절연층을 더 포함하고,
상기 무기절연층 및 상기 대향전극은 상기 제1관통홀의 내측면 상에서 컨택된, 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 표시요소층은 상기 표시요소를 덮는 무기봉지층을 더 포함하고,
상기 무기봉지층은 상기 표시영역으로부터 상기 제1관통홀의 내측면으로 연장된, 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제2기판 상에 상기 제2관통홀에 연결된 제3관통홀을 포함하는 광학기능층;을 더 포함하고,
상기 차단부재는 상기 제2기판으로부터 상기 광학기능층으로 연장된, 표시 장치. - 제5항에 있어서,
상기 광학기능층 상에 상기 표시영역 및 상기 제3관통홀을 덮는 커버 윈도우; 및
상기 광학기능층 및 상기 커버 윈도우 사이에 배치되며, 상기 제3관통홀에 연결된 제4관통홀을 포함하는 접착층;를 더 포함하는, 표시 장치. - 제6항에 있어서,
상기 제4관통홀의 크기는 상기 제3관통홀의 크기 보다 크고,
상기 차단부재는 상기 광학기능층의 상부면으로 연장되어 배치된, 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 차단부재는 흑색 안료를 포함하는, 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 차단부재는 방습절연물질을 포함하는, 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 차단부재는 상기 제1관통홀의 내측면으로 연장된 상기 무기절연층을 덮는, 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1기판 및 상기 제2기판 중 적어도 하나는 글라스를 포함하는, 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1관통홀 및 제2관통홀을 통과하도록 배치된 컴포넌트;를 더 포함하는, 표시 장치. - 제12항에 있어서,
상기 제2기판 상에 상기 제2관통홀에 연결된 제3관통홀을 포함하는 광학기능층; 및
상기 광학기능층 상에 상기 표시영역 및 상기 제3관통홀을 덮는 커버 윈도우;를 더 포함하고,
상기 컴포넌트는 상기 제3관통홀을 통과하도록 배치된, 표시 장치. - 제1관통홀이 형성된 제1기판을 준비하는 단계;
상기 제1관통홀을 둘러싸는 표시영역 상에 무기절연층을 형성하는 단계;
상기 표시영역 상에 표시요소를 포함하는 표시요소층을 형성하는 단계;
제2관통홀이 형성된 제2기판을 준비하는 단계;
상기 제2관통홀이 상기 제1관통홀과 대응되도록 상기 제1기판 및 상기 제2기판을 배치하는 단계; 및
상기 제1관통홀의 내측면 및 상기 제2관통홀의 내측면을 따라 차단부재를 형성하는 단계;를 포함하는, 표시 장치의 제조방법. - 제14항에 있어서,
상기 무기절연층은 상기 표시영역으로부터 상기 제1관통홀의 내측면으로 연장되도록 형성되는, 표시 장치의 제조방법. - 제15항에 있어서,
상기 차단부재는 상기 제1관통홀의 내측면으로 연장된 상기 무기절연층을 덮도록 형성되는, 표시 장치의 제조방법. - 제14항에 있어서,
상기 표시요소층을 형성하는 단계는,
상기 표시요소 상에 무기봉지층을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 무기봉지층은 상기 표시영역으로부터 상기 제1관통홀의 내측면으로 연장되도록 형성되는, 표시 장치의 제조방법. - 제14항에 있어서,
상기 제2기판 상에, 상기 제2관통홀과 연결되는 제3관통홀을 포함하는 광학기능층을 형성하는 단계;
상기 광학기능층 상에, 상기 제3관통홀과 연결되는 제4관통홀을 포함하는 접착층을 형성하는 단계; 및
상기 접착층 상에, 상기 표시영역 및 상기 제4관통홀을 덮는 커버 윈도우;를 배치하는 단계;를 더 포함하는, 표시 장치의 제조방법. - 제18항에 있어서,
상기 제4관통홀의 크기는 상기 제3관통홀의 크기 보다 크고,
상기 차단부재는 상기 제2관통홀의 내측면으로부터 상기 광학기능층의 상부면으로 연장되도록 형성되는, 표시 장치의 제조방법. - 제14항에 있어서,
상기 제1관통홀 및 상기 제2관통홀을 통과하도록 컴포넌트를 배치하는 단계;를 더 포함하는, 표시 장치의 제조방법.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200021763A KR20210107216A (ko) | 2020-02-21 | 2020-02-21 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법 |
US16/988,807 US11469400B2 (en) | 2020-02-21 | 2020-08-10 | Display device and method of manufacturing display device |
CN202011134344.3A CN113299689A (zh) | 2020-02-21 | 2020-10-21 | 显示装置和制造显示装置的方法 |
US17/944,361 US20230006180A1 (en) | 2020-02-21 | 2022-09-14 | Display device and method of manufacturing display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200021763A KR20210107216A (ko) | 2020-02-21 | 2020-02-21 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210107216A true KR20210107216A (ko) | 2021-09-01 |
Family
ID=77318397
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020200021763A KR20210107216A (ko) | 2020-02-21 | 2020-02-21 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11469400B2 (ko) |
KR (1) | KR20210107216A (ko) |
CN (1) | CN113299689A (ko) |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4367480B2 (ja) | 2006-11-28 | 2009-11-18 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 |
JP2012048097A (ja) | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Bridgestone Corp | 電子ペーパー装置 |
KR102586849B1 (ko) | 2016-05-30 | 2023-10-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102476900B1 (ko) | 2016-06-02 | 2022-12-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 관통부를 구비하는 디스플레이 장치 |
KR20180046960A (ko) * | 2016-10-28 | 2018-05-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102671369B1 (ko) | 2016-12-02 | 2024-06-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉시블 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
CN106646972B (zh) | 2016-12-28 | 2020-03-31 | 惠科股份有限公司 | 一种显示面板及其制程 |
KR102395107B1 (ko) | 2017-08-25 | 2022-05-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 광학 모듈을 포함하는 신축성 표시 장치 및 이의 사용 방법 |
KR102527993B1 (ko) * | 2018-01-05 | 2023-05-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그의 제조방법 |
KR102522591B1 (ko) * | 2018-02-05 | 2023-04-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
US10991774B2 (en) | 2018-02-12 | 2021-04-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method for fabricating the same |
KR102631254B1 (ko) * | 2018-09-21 | 2024-01-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 |
US11258041B2 (en) * | 2019-01-04 | 2022-02-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus, method of manufacturing the same, and electronic device |
KR20200102036A (ko) * | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 터치센서 |
US11374193B2 (en) * | 2019-05-08 | 2022-06-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device having second electrode including a first portion that is not overlapped with the module hole and a second portion between the module hole and the first portion |
-
2020
- 2020-02-21 KR KR1020200021763A patent/KR20210107216A/ko active Search and Examination
- 2020-08-10 US US16/988,807 patent/US11469400B2/en active Active
- 2020-10-21 CN CN202011134344.3A patent/CN113299689A/zh active Pending
-
2022
- 2022-09-14 US US17/944,361 patent/US20230006180A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230006180A1 (en) | 2023-01-05 |
US11469400B2 (en) | 2022-10-11 |
US20210265593A1 (en) | 2021-08-26 |
CN113299689A (zh) | 2021-08-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11723230B2 (en) | Display panel | |
KR20200039903A (ko) | 표시 장치 | |
EP3706176A1 (en) | Display panel | |
KR20200115834A (ko) | 표시 패널 | |
US20230128710A1 (en) | Display device and electronic apparatus | |
KR20210103037A (ko) | 표시 장치 및 전자 기기 | |
KR20210032599A (ko) | 표시 장치 | |
KR20200107026A (ko) | 표시 패널 | |
US11974481B2 (en) | Display panel and display apparatus including the same | |
KR20210087609A (ko) | 표시 장치 | |
US11837177B2 (en) | Display apparatus and electronic device including the same | |
US20230397466A1 (en) | Display apparatus | |
KR20210020203A (ko) | 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
US20240008303A1 (en) | Display device | |
CN113889501A (zh) | 显示面板及该显示面板的制造方法 | |
KR20210093419A (ko) | 표시 장치 및 전자 기기 | |
KR20200124371A (ko) | 표시장치 | |
US11450831B2 (en) | Display device with input sensing member and resin layer therein | |
KR20210140837A (ko) | 표시 장치 및 이를 구비한 전자 기기 | |
KR20210036456A (ko) | 디스플레이 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 | |
EP3905359A1 (en) | Display panel and display apparatus including the same | |
US11263975B2 (en) | Display apparatus | |
KR20210107216A (ko) | 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법 | |
KR20210113489A (ko) | 표시 장치 및 전자 기기 | |
US11889744B2 (en) | Display panel and method of manufacturing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination |