CN110104623A - 一种不同形貌的富磷过渡金属磷化物四磷化钴的制备方法 - Google Patents
一种不同形貌的富磷过渡金属磷化物四磷化钴的制备方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种不同形貌的富磷过渡金属磷化物四磷化钴的制备方法。该方法包括将不同形貌的钴基前驱物(四氧化三钴、氢氧化钴、钴基有机无机前驱体等)和磷源按照钴、磷的的原子比1:4.5~1:5.5进行混合,通过高真空封装于石英管中,在温度1100~1200K、真空度为5×10‑5~5×10‑4Pa的条件下高温高压反应6~10h,克服普通条件下四磷化钴合成无法达到的化学势,再用CS2对所得灰黑色样品处理去除多余的磷即可得到高纯和高结晶度的不同形貌四磷化钴,原材料廉价、合成简单、操作方便、形貌可控,适合于大规模的制备及应用。
Description
技术领域
本发明属于无机磷材料领域,具体涉及一种不同形貌的富磷过渡金属磷化物四磷化钴的制备方法。
背景技术
四磷化钴材料属于立方晶系结构,每个钴原子被八个磷原子包围,***的磷原子构成八面体结构。该结构形成的四磷化钴具有非常小的带隙,形成了特殊的电学和热学输运特点,成为有潜力的电催化分解水,电池负极材料和热电材料。在普通的低温低压条件下,只能合成出一磷化钴材料,很难合成出四磷化钴材料,更无法调控其形貌。由于四磷化钴的合成需要克服普通条件下合成无法达到的化学势,因此四磷化钴合成的相关文献非常的少。1967年,Ronald A. Munson等首次采用过渡金属单质钴和红磷烧结办法合成出CoP4(Inorg. Chem., 1968年,第七卷,390-391页 ),之后几乎没有报道。该方法合成出来的四磷化钴,尺寸都在微米级以上,容易伴随低磷化钴的出现并且不利于形貌调控,另外过渡金属单质钴昂贵的价格不利于大规模的制备,因此找到廉价的方法合成出高纯的四磷化钴并调控其形貌具有重要的意义。
发明内容
本发明的目的是提供一种富磷的过渡金属磷化物四磷化钴的制备方法,该方法操作简单、易合成、廉价且形貌可控。
为实现上述目的,本发明所采用的技术方案的步骤是:
一种不同形貌的富磷过渡金属磷化物四磷化钴的制备方法,包括以下步骤:将不同形貌的钴基前驱物和磷源按照钴、磷的的原子比1:4.5~1:5.5进行混合,通过高真空封装于石英管中,在温度1100~1200K、真空度为5×10-5~5×10-4Pa的条件下高温高压反应6~10h,克服普通条件下四磷化钴合成无法达到的化学势,再用CS2对所得样品处理去除多余的磷即可得到。
进一步地,所述钴基前驱物可采用市售的商品,也可通过水热、溶剂热、凝胶溶胶等方法制备得到,具体是指钴基前驱物中空纳米球片、四氧化三钴粉体、钴基前驱物纳米线、钴基前驱物纳米片或钴基前驱物纳米球。
所述的合成温度为1100~1200K,升温速率为2~4K/min。
进一步地,钴基前驱物中空纳米球片的具体制备过程如下:
(1)将25mL异丙醇和7mL丙三醇倒入50mL的烧杯搅拌均匀,然后加入0.582g六水硝酸钴,搅拌溶解;
(2)将步骤(1)的溶液倒入50mL的聚四氟乙烯反应釜内胆中在180℃水热反应6h,自然降至室温,将沉淀物离心、洗涤、干燥;
(3)将步骤(2)获得的粉体分散进入32mL超纯水中,再在180℃水热反应6h,待自然降至室温,将沉淀物离心、水洗、干燥,即得。
进一步地,所述四氧化三钴粉体的具体制备过程如下:
(1)将6mL浓度为0.26mol/L的硝酸钴溶液倒入40mL浓度为1.18mol/L的二甲基咪唑中在常温下搅拌12h,收集沉淀、80℃干燥,得到钴基前驱体;
(2)将钴基前驱体在300℃空气中退火处理5小时,得到黑色的四氧化三钴粉体。
其中,钴基前驱物纳米线的具体制备过程为:
(1)先将碳布在质量分数为20%的稀硝酸中浸泡2小时,取出碳布、洗涤、干燥,备用;
(2)将0.582g六水硝酸钴、0.186g氟化铵和0.6g尿素依次溶解在水中,常温搅拌30分钟,得到溶液;
(3)将溶液转入50mL聚四氟乙烯反应釜内胆中,并将洗好的干燥碳布竖直放入反应釜内胆中,密封反应釜,在120℃水热反应6h,取出碳布,清洗,常温干燥,即得。
其中,钴基前驱物纳米片的具体制备过程如下:
(1)先将碳布在质量分数为20%的稀硝酸中浸泡2小时,取出碳布、洗涤、干燥,备用;
(2)将2.328g六水硝酸钴、0.106g氟化铵和1.2g尿素依次溶解在40mL水中,常温搅拌60分钟,得到均匀溶液;
(3)将均匀溶液转入50mL聚四氟乙烯反应釜内胆中,并将洗好的干燥碳布竖直放入反应釜内胆中,密封反应釜,在120℃水热反应22h,取出碳布,清洗,常温干燥,即得。
其中,钴基前驱物纳米球的具体制备过程如下:
(1)先将碳布在质量分数为20%的稀硝酸中浸泡2小时,取出碳布、洗涤、干燥,备用;
(2)将1.455g六水硝酸钴和0.2g硝酸铵依次溶解在40mL超纯水中,常温搅拌60分钟,得到均匀溶液,再将5mL质量分数为25wt%的氨水加入上述溶液搅拌三十分钟得到均匀溶液;
(3)将均匀溶液转入25mL聚四氟乙烯反应釜内胆中,并将洗好的干燥碳布竖直放入反应釜内胆中,密封反应釜,在90℃水热反应14h,取出碳布,清洗,常温干燥,即得。
进一步地,所述磷源为次磷酸钠、次磷酸钾、次磷酸、白磷和红磷中的一种或两种以上任意比例的混合物。
本发明的优点:
本发明以不同形貌的钴基前驱物(氧化钴、氢氧化钴、钴基有机无机前驱体等)和磷源为原料合成不同形貌的四磷化钴,原材料廉价、合成简单、操作方便、形貌可控,适合于大规模的制备及应用。制备的富磷四磷化钴在石油煤炭的脱硫加氢、电催化分解水,电池负极材料和热电材料等方面都具有很好的应用前景。
附图说明
图1为实施例1中制备的CoP4中空纳米球片的XRD和SEM图;
图2为实施例2中制备的CoP4纳米多面体的XRD和SEM图;
图3为实施例3中在碳布上制备的CoP4纳米线阵列的XRD和SEM图;
图4为实施例4中在碳布上制备的CoP4纳米片阵列的XRD和SEM图;
图5为实施例5中在碳布上制备的CoP4纳米球阵列的XRD和SEM图;
图6为对比例1中制备的CoP4粒子的XRD和SEM图;
图7 为对比例2中制备的CoP的XRD图。
具体实施方式
下面将结合具体示例对本发明的不同形貌四磷化钴的合成作进一步说明,但不构成对本发明的任何限制。
文中所使用柔性碳布全部购买于上海河森电器有限公司,型号为:HCP330N(亲水型)。
实施例1
本实施例中富磷的四磷化钴中空纳米球片的制备方法,包括以下步骤:
第一步:将25mL异丙醇和7mL丙三醇倒入50mL的烧杯搅拌均匀,然后将0.582g六水硝酸钴溶于上述的混合溶液中形成紫色透明溶液。
第二步:将上一步获得的紫色透明溶液倒入50mL的聚四氟乙烯反应釜内胆中在180℃水热反应6h,待自然降至室温,将沉淀物离心,无水乙醇洗涤三次,常温干燥,得到粉体。
第三步:将上一步获得的粉体分散进入32mL超纯水中,再在180℃水热反应6h,待自然降至室温,将沉淀物离心、水洗三次,常温干燥得到钴基前驱物中空纳米球片。
第四步:将上一步得到的100mg钴基前驱物中空纳米球片和200mg红磷混合,在真空压力为5×10-5Pa条件下密封在石英管中,1150K高温保形磷化8小时,取出,浸没于纯CS2中处理30min去除多余的磷表面变成纯黑色即可得到富磷的四磷化钴中空纳米球片,其SEM照片和XRD图见图1,从四磷化钴中空纳米球片的SEM和XRD(图1)可以看出,实施例1已成功合成出高纯和结晶度的四磷化钴中空纳米球片,进一步分析发现,合成的四磷化钴中空纳米球片是由厚度为几个纳米的片状堆积而成800nm球状,其尺寸非常小,其独特的中空纳米结构具有非常大的比表面积,在电催化分解水析氢和石油煤炭脱硫加氢中能够暴露更多的活性位点,具有非常广的应用前景。
实施例2
本实施例中富磷的四磷化钴纳米多面体的制备方法,包括以下步骤
第一步:将6mL浓度为0.26mol/L的硝酸钴溶液倒入40mL浓度为1.18mol/L的二甲基咪唑中在常温下持续搅拌12h,将获得的紫色沉淀物收集,80℃干燥8~10h,得到钴基前驱体。
第二步:将钴基前驱体在300℃空气中退火五小时,得到黑色的四氧化三钴粉体。
第三步:将100mg的黑色四氧化三钴粉体和200mg的红磷混合真空压为5×10-5Pa条件下密封在石英管中,1150K高温保形磷化8小时,取出,浸没于纯CS2中处理30min去除多余的磷,表面变成纯黑色即可得到富磷的四磷化钴纳米多面体,其SEM和XRD图详见图2,从四磷化钴纳米多面体的SEM和XRD图可以看出,实施例2已成功合成出高纯和结晶度的四磷化钴纳米多面体,进一步分析发现,合成的四磷化钴纳米多面体的尺寸在300-600纳米左右,另外该前驱体为有机物在退火磷化过程中会自然形成碳负载,可以进一步提高导电性,在锂、钠离子电池中具有重要的应用。
实施例3
本实施例中在碳布上自支撑生长四磷化钴纳米线的制备方法,包括以下步骤
第一步:先将柔性碳布在质量分数为20%的稀硝酸中浸泡两个小时,对其进行质子化,然后取出柔性碳布用水、无水乙醇依次洗涤三次干燥备用。
第二步:将0.582g六水硝酸钴、0.186g氟化铵和0.6g尿素依次溶解在40mL超纯水中,常温搅拌30分钟,得到均匀溶液。
第三步:将均匀溶液转入50mL聚四氟乙烯反应釜内胆中,并将洗好的干燥备用柔性碳布竖直放入反应釜内胆中,密封好反应釜,在120℃水热反应6h,取出碳布,用水、无水乙醇清洗表面,常温干燥得到在碳布上生长的钴基前驱物纳米线,备用。
第四步:将上一步干燥好的碳布和70mg红磷混合,在真空压为5×10-5Pa条件下密封在石英管中,然后1100K高温保形磷化6小时,取出,浸没于纯CS2中处理30min去除多余的磷,表面变成纯黑色即可得到在碳布上自支撑生长的四磷化钴纳米线阵列,其SEM和XRD图详见图3。从四磷化钴纳米线阵列的SEM和XRD(图3)可以看出,本实施例已成功合成出高纯和结晶度的四磷化钴纳米线阵列,进一步分析发现,合成的四磷化钴纳米线均匀地生长在碳布上,每一根纳米线约20nm粗,1μm长,这种自支撑的柔性电极可以直接做电池的负极材料和电催化材料,避免了粉体材料做电极的繁琐。
实施例4:
本实施例中在碳布上自支撑生长四磷化钴纳米片的制备方法,包括以下步骤
第一步:先将柔性碳布在质量分数为20%的稀硝酸中浸泡两个小时,对其进行质子化,然后取出柔性碳布用水、无水乙醇依次洗涤三次干燥备用。
第二步:将2.328g六水硝酸钴、0.106g氟化铵和1.2g尿素依次溶解在40mL水中,常温搅拌60分钟,得到均匀溶液。
第三步:将均匀溶液转入50mL聚四氟乙烯反应釜内胆中,并将洗好的干燥备用柔性碳布竖直放入反应釜内胆中,密封好反应釜,在120℃水热反应22h,取出碳布,用水、乙醇清洗表面,常温干燥得到在碳布上生长的钴基前驱物纳米片,备用。
第四步:将上一步干燥好的碳布和70mg红磷混合真空压为5×10-5Pa条件下密封在石英管中,然后1100K高温保形磷化7小时,取出,浸没于纯CS2中处理30min去除多余的磷,表面变成纯黑色即可得到在碳布上自支撑生长的四磷化钴纳米片阵列,其SEM和XRD图详见图4。从四磷化钴纳米片阵列的SEM和XRD(图4)可以看出,本实施例已成功合成出高纯和结晶度的四磷化钴纳米片阵列,进一步分析发现,合成的四磷化钴纳米片均匀地生长在碳布上,每一根纳米片厚约10nm,这种自支撑的柔性电极可以直接做电池的负极材料和电催化材料,避免了粉体材料做电极的繁琐。
实施例5:
本实施例中在碳布上自支撑生长四磷化钴纳米球的制备方法,包括以下步骤:
第一步:先将柔性碳布在质量分数为20%的稀硝酸中浸泡两个小时,对其进行质子化,然后取出柔性碳布用水、乙醇依次洗涤三次干燥备用。
第二步:将1.455g六水硝酸钴和0.2g硝酸铵依次溶解在15mL超纯水中,常温搅拌60分钟,得到均匀溶液,再将5ml质量分数为25wt%的氨水加入上述溶液搅拌三十分钟得到均匀溶液。
第三步:将上一步的均匀溶液转入25mL聚四氟乙烯反应釜内胆中,并将洗好的干燥备用柔性碳布竖直放入反应釜内胆中,密封好反应釜,在90℃水热反应14h,取出碳布,用水、无水乙醇清洗表面,常温干燥得到在碳布上生长的钴基前驱物纳米球常温干燥备用。
第四步:将上一步干燥好的碳布和70mg红磷混合真空压为5×10-5Pa条件下密封在石英管中,然后1200K高温保形磷化10小时,取出,浸没于纯CS2中处理30min去除多余的磷,表面变成纯黑色即可得到在碳布上自支撑生长的四磷化钴纳米球阵列,其SEM和XRD图详见图5。从四磷化钴纳米球阵列的SEM和XRD(图5)可以看出,本实施例已成功合成出高纯和结晶度的四磷化钴纳米球阵列,进一步分析发现,合成的四磷化钴纳米球均匀地生长在碳布上,每一个纳米球直径约400nm,这种自支撑的柔性电极可以直接做电池的负极材料和电催化材料,避免了粉体材料做电极的繁琐。
对比例1
本对比例中四磷化钴的制备方法为:
按照1967年Ronald A. Munson等合成方法将购买的金属钴粉和红磷750℃高温烧结10小时得到四磷化钴,其SEM和XRD图详见图6,由图6可知,该方法合成出来的四磷化钴形貌不规则,尺寸在微米级,比表面积小,而且钴粉价格昂贵不利于工业化制备和应用。
对比例2
将实施例3中合成的钴基前驱物和70mg红磷常压下直接密封在石英管中,直接在管式炉中350℃高温磷化,即使将温度升至950℃磷化20小时,发现合成出来的材料为一磷化钴,XRD如图7所示,由此可以看出,四磷化钴的合成需要克服普通条件下合成无法达到的化学势才能合成出来,普通条件下合成不出来。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种不同形貌的富磷过渡金属磷化物四磷化钴的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:将不同形貌钴基前驱物和磷源按照钴、磷的的原子比1:4.5~1:5.5进行混合,在温度1100~1200K、真空度为5×10-5~5×10-4Pa的密闭条件下反应6~10h,取出再用CS2对所得样品处理去除多余的磷即得。
2.根据权利要求1所述不同形貌的富磷过渡金属磷化物四磷化钴的制备方法,其特征在于,不同形貌钴基前驱物具体是指钴基前驱物中空纳米球片、四氧化三钴粉体、钴基前驱物纳米线、钴基前驱物纳米片或钴基前驱物纳米球。
3.根据权利要求2所述不同形貌的富磷过渡金属磷化物四磷化钴的制备方法,其特征在于,钴基前驱物中空纳米球片的具体制备过程如下:
(1)将25mL异丙醇和7mL丙三醇倒入50mL的烧杯搅拌均匀,然后加入0.582g六水硝酸钴,搅拌溶解;
(2)将步骤(1)的溶液倒入50mL的聚四氟乙烯反应釜内胆中在180℃水热反应6h,自然降至室温,将沉淀物离心、洗涤、干燥;
(3)将步骤(2)获得的粉体分散进入32mL超纯水中,再在180℃水热反应6h,待自然降至室温,将沉淀物离心、水洗、干燥,即得。
4.根据权利要求2所述不同形貌的富磷过渡金属磷化物四磷化钴的制备方法,其特征在于,所述四氧化三钴粉体的具体制备过程如下:
(1)将6mL浓度为0.26mol/L的硝酸钴溶液倒入40mL浓度为1.18mol/L的二甲基咪唑中在常温下搅拌12h,收集沉淀、80℃干燥,得到钴基前驱体;
(2)将钴基前驱体在300℃空气中退火处理5小时,得到黑色的四氧化三钴粉体。
5.根据权利要求2所述不同形貌的富磷过渡金属磷化物四磷化钴的制备方法,其特征在于,钴基前驱物纳米线的具体制备过程为:
(1)先将碳布在质量分数为20%的稀硝酸中浸泡2小时,取出碳布、洗涤、干燥,备用;
(2)将0.582g六水硝酸钴、0.186g氟化铵和0.6g尿素依次溶解在40mL超纯水中,常温搅拌30分钟,得到溶液;
(3)将溶液转入50mL聚四氟乙烯反应釜内胆中,并将洗好的干燥碳布竖直放入反应釜内胆中,密封反应釜,在120℃水热反应6h,取出碳布,清洗,常温干燥,即得。
6.根据权利要求2所述不同形貌的富磷过渡金属磷化物四磷化钴的制备方法,其特征在于,钴基前驱物纳米片的具体制备过程如下:
(1)先将碳布在质量分数为20%的稀硝酸中浸泡2小时,取出碳布、洗涤、干燥,备用;
(2)将2.328g六水硝酸钴、0.106g氟化铵和1.2g尿素依次溶解在40mL水中,常温搅拌60分钟,得到均匀溶液;
(3)将均匀溶液转入50mL聚四氟乙烯反应釜内胆中,并将洗好的干燥碳布竖直放入反应釜内胆中,密封反应釜,在120℃水热反应22h,取出碳布,清洗,常温干燥,即得。
7.根据权利要求2所述不同形貌的富磷过渡金属磷化物四磷化钴的制备方法,其特征在于,钴基前驱物纳米球的具体制备过程如下:
(1)先将碳布在质量分数为20%的稀硝酸中浸泡2小时,取出碳布、洗涤、干燥,备用;
(2)将1.455g六水硝酸钴和0.2g硝酸铵依次溶解在水中,常温搅拌60分钟,得到均匀溶液,再将5mL质量分数为25wt%的氨水加入上述溶液搅拌三十分钟得到均匀溶液;
(3)将均匀溶液转入25mL聚四氟乙烯反应釜内胆中,并将洗好的干燥碳布竖直放入反应釜内胆中,密封反应釜,在90℃水热反应14h,取出碳布,清洗,常温干燥,即得。
8.根据权利要求1所述不同形貌的富磷过渡金属磷化物四磷化钴的制备方法,其特征在于,所述磷源为次磷酸钠、次磷酸钾、次磷酸、白磷和红磷中的一种或两种以上任意比例的混合物。
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