CN110098301A - 发光装置及其制造方法 - Google Patents

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佐藤雅信
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Nichia Chemical Industries Ltd
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Abstract

本发明提供一种减少荧光体的色相的发光装置以及发光装置的制造方法。发光装置(100)具备发光元件(1)、具有凹部(2a)的基体(2)、覆盖所述发光元件(1)的透光性部件(3)、在所述透光性部件(3)中含有的光扩散材料(4)和荧光体(5)。所述光扩散材料(4)包含中空粒子，所述透光性部件(3)的表面具有由所述光扩散材料(4)造成的凹凸。所述透光性部件(3)为从周缘部到中央部鼓起的凸形，所述凸形的外周是平滑的。

Description

发光装置及其制造方法
技术领域
本公开涉及发光装置及其制造方法。
背景技术
近年来，使用黄色荧光体、红色荧光体、其他荧光体的白色发光装置被广泛应用，进行了提高光取出效率、改善颜色不均等各种各样的研究。
作为其中之一，在专利文献1中，在密封树脂的表面形成凸状的突起来使光取出效率以及亮度提高。
专利文献1：日本特许第4167717号公报
但是，专利文献1的发光装置能够从发光面观察到荧光体的颜色，因此发光色与物体色不同，在搭载于灯具时，非点亮时的物体色明显，有损设计性。
发明内容
于是，本公开的目的在于使发光面上的物体色均一。
本实施方式的发光装置具备：发光元件；覆盖所述发光元件的透光性部件；所述透光性部件所含有的光扩散材料；所述光扩散材料包含中空粒子，所述透光性部件的表面具有由所述光扩散材料造成的凹凸，并且是从周缘部到中央部鼓起的凸形。
并且，本实施方式的发光装置的制造方法包含以下工序：准备在具备凹部的基体的内底面载置有发光元件的第一前驱体的工序；在所述凹部注入含有光扩散材料的透光性部件的工序，该光扩散材料至少具备中空粒子；使所述中控粒子上浮到所注入的所述透光性部件的表面，使所述透光性部件形成为凸形的工序；使所述透光性部件固化的工序。
另外，本实施方式的发光装置的制造方法包含以下工序：准备在平板状的基体载置有发光元件、并且以包围所述发光元件的方式形成有环状的凸部的、第二前驱体的工序；在所述凸部的内侧注入含有光扩散材料的透光性部件，该光扩散材料具备至少中空粒子，并且形成从周缘部到中央部鼓起的凸形的工序；使所述中空粒子上浮到所述透光性部件的表面的工序；使所述透光性部件固化的工序。
根据本实施方式，能够使发光面上的物体色均一。
附图说明
图1A是示意性表示第一实施方式的发光装置的平面图。
图1B是第一实施方式的发光装置的图1A中的IB－IB线处的剖面图。
图1C是表示第一实施方式的发光装置的图1B中的透光性部件的表面处的放大剖面图。
图2是表示第一实施方式的发光装置的制造方法的顺序的流程图。
图3A是表示第一实施方式的发光装置的制造方法中的第一前驱体准备工序的剖面图。
图3B是表示第一实施方式的发光装置的制造方法中的树脂填充工序的剖面图。
图3C是表示第一实施方式的发光装置的制造方法中的光扩散材料上浮工序的剖面图。
图3D是表示第一实施方式的发光装置的制造方法中的树脂固化工序的剖面图。
图4A是示意性表示第二实施方式的发光装置的平面图。
图4B是表示第二实施方式的发光装置的图4A中的IVB－IVB线处的剖面图。
图4C是表示第二实施方式的发光装置的图4B的透光性部件的表面处的放大剖面图。
图5是表示第二实施方式的发光装置的制造方法的顺序的流程图。
图6A是表示第二实施方式的发光装置的制造方法中的第二前驱体准备工序的剖面图。
图6B是表示第二实施方式的发光装置的制造方法中的树脂填充工序的剖面图。
图6C是表示第二实施方式的发光装置的制造方法中的树脂填充工序的剖面图。
图6D是表示第二实施方式的发光装置的制造方法中的光扩散材料上浮工序的剖面图。
图6E是表示第二实施方式的发光装置的制造方法中的树脂固化工序的剖面图。
附图标记说明
1、21 发光元件；
2、22 基体；
2a、22a 凹部；
2b、22b 内底面；
2c 侧壁；
3、23 透光性部件；
4、24 光扩散材料；
5、25 荧光体；
6、6a、6b、26 配线；
10 第一前驱体；
20 第二前驱体；
27 凸部；
100、200 发光装置；
A 露出部分；
B 覆盖部分。
具体实施方式
以下，适当地参照附图对发明的实施方式进行说明。需要说明的是，以下所说明的发光装置是用于将本发明的技术构思具体化的发光装置，并非用于对本发明进行限定。特别是以下所记载的构成要件的尺寸、材质、形状、其相对的配置等除非有特定的记载，并非用于将本发明的范围限定于此，只不过是单纯的说明例。需要说明的是，各附图所示的部件的大小或位置关系等存在为了使说明清楚而夸大表示的情况。并且，在以下说明中，相同的名称和附图标记原则上表示相同或等同的部件，适当省略详细的说明。
(第一实施方式)
图1A是示意性表示第一实施方式的发光装置100的平面图，图1B是图1A中的IB－IB线处的剖面图，图1C是表示图1B中的透光性部件的表面的放大剖面图。
发光装置100具备：发光元件1、覆盖发光元件1的透光性部件3、透光性部件3所含有的光扩散材料4。光扩散材料4包含中空粒子，透光性部件3的表面具有由光扩散材料4造成的凹凸，是从周缘部到中央部鼓起的凸形。详细地说，发光装置100具备：第一前驱体10，其具备基体2和发光元件1，基体2具备凹部2a，该凹部2a具有内底面2b和侧壁2c，发光元件1载置在凹部2a的内底面2b；透光性部件3，其覆盖发光元件1，并且形成为从周缘部到中央部鼓起的凸形；透光性部件3所含有的光扩散材料4和荧光体5。在平面图中，光扩散材料4配置在上述凸形的中央附近，在剖面图中，上述凸形的外周是平滑的。对于荧光体5来说，透光性部件3中的发光元件1侧的荧光体5的密度比透光性部件3中的透光性部件3的表面侧的荧光体5的密度高。
在剖面图中，使透光性部件3成为从周缘部到中央部鼓起的凸形。由此，能够使光扩散材料4在凸形中央附近密集，在凸形的外周附近形成不存在光扩散材料4的区域、平坦的区域。由此，在凸形的外周附近不配置中空粒子，能够提高与凹部2a的内侧面的密接性。以下，对各结构进行说明。
(第一前驱体)
第一前驱体10具有：基体2，其具备凹部2a，该凹部2a具有内底面2b和侧壁2c；配线6，其配置在凹部2a的内底面2b；发光元件1，其载置于凹部2a的内底面2b，并且与配线6电连接。
优选凹部2a以侧壁2c在开口方向上成为宽口的方式倾斜。优选倾斜的角度相对于内底面2b在90度以上150度以下，进一步优选为100度以上130度以下。这是由于，通过设置倾斜能够使透光性部件3中含有的荧光体5在平面图中难以被看到。
(发光元件)
发光元件1通过使用了金线、银线、铝线等的引线接合法面朝上安装、或通过利用了焊料或银膏的倒装芯片接合阀等安装于基体2。安装于基体2的发光元件1的个数可以是一个也可以是多个。发光元件1可以使用公知的发光元件，例如，优选使用发光二极管或激光二极管。另外，发光元件1与在基体2的凹部2a的内底面2b露出的配线6电连接，发出从紫外来光到红色光的波长范围的光。例如，作为蓝色、绿色的发光元件1，能够使用氮化物类半导体InXAlYGa1－X－YN、0≤X、0≤Y、X+Y≤1、GaP等。并且，例如，作为红色的发光元件1，除了氮化物类半导体元件之外，能够使用GaAlAs、AlInGaP等。需要说明的是，在平面图中，发光元件1可以是正方形、长方形、三角形、六角形等多边形，也可以是圆形、椭圆形等。
(基体)
基体2安装至少一个以上发光元件1，将发光装置100与外部电连接。基体2构成为具备：凹部2a，其具有内底面2b和侧壁2c；配线6，其配置在凹部2a的内底面2b和/或内部。在平面图中，基体2的外部形状为大致正方形。基体2具有凹部2a，在平面图中，凹部2a的形状为大致正方形。作为基体2的材料，优选机械强度高且来自发光元件1的光和外来光难以透过的材料。具体地说，可以通过聚邻苯二甲酰胺树脂(PPA)、苯酚树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂(BT树脂)、环氧树脂、硅酮树脂这样的树脂，Al2O3、AlN等陶瓷，铜或银、金、铝等金属等形成。在为金属的情况下可以适当地通过绝缘物覆盖。
基体2可以成为在下表面具备与发光元件1电独立的散热用端子的结构。优选散热用端子以面积比发光装置100所具备的所有发光元件1的上表面面积之和大的方式形成，并且以与发光元件1的正下方的区域重叠的方式配置。通过这样的散热用端子的结构，能够成为散热性更为优异的发光装置100。并且，虽然基体2可以是光取出效率优异的白色基体，但由于封装体的上表面的至少一部分使相对于外来光的反射率降低，因此优选为黑色等暗色，也可以形成使外来光散射的凹凸。并且，可以使凹部2a的内壁为暗色而提高显示对比度，也可以使凹部2a的内壁为白色而提高光取出效率。
(配线)
配线6是与正负极性对应的一对配线6a、6b。在配线6中，配线6a的上表面与配线6b的上表面彼此分离，以从树脂露出的方式配置在凹部2a的内底面2b。配线6例如使用电解电镀形成，其厚度可以是均一的，也可以部分变厚或变薄。优选配线6通过导热率大的材料、机械强度高的材料、容易进行冲压加工或蚀刻加工等的材料形成。作为配线6的材料，例如能够举出铜、铝、金、银、钨、铁、镍等金属，或者铁－镍合金、磷青铜等合金等。并且，配线6可以通过无电电镀、蒸镀、溅射等形成。
(透光性部件)
透光性部件3设置在凹部2a内而覆盖发光元件1。透光性部件3含有光扩散材料4，透光性部件3的表面具有由于光扩散材料4而形成的凹凸。并且，透光性部件3含有荧光体5，光扩散材料4比荧光体5位于透光性部件3的表面。因此，存在于透光性部件3的表面的光扩散材料4使基于太阳光、照明光的外来光反射、扩散，外来光难以到达存在于透光性部件3的发光元件1侧的荧光体5，因此难以看到荧光体5的物体色或反射物体色。也就是说，发光面的物体色白色化。需要说明的是，透光性部件3的表面是与凹部2a的内底面2b对置的面，基本上是指透光性部件3的上表面，但也可以包含与上表面连续的透光性部件3的侧面的一部分。
如图1C所示，透光性部件3的表面具有光扩散材料4从透光性部件3露出的露出部分A和透光性部件3覆盖光扩散材料4的覆盖部分B。透光性部件3不需要一定覆盖整个光扩散材料4，光扩散材料4以透光性部件3的表面具有凹凸的方式配置在透光性部件3的表面附近即可。透光性部材3光扩散材料4比柔软且耐冲击性强，因此光扩散材料4在露出部分A难以破损。并且，不管是在露出部分A还是在被覆部分B，至少光扩散材料4的一部分埋入透光性部件3。因此，与之后在固化的硅树脂的表面附着微粒的现有的发光装置相比，实施方式的发光装置100难以产生由冲击等造成的微粒的脱落、破损。
优选透光性部件3通过具有良好透光性的材料，例如热固性树脂、热塑性树脂等形成。作为热固性树脂，例如能够举出硅树脂、硅改性树脂、硅混合树脂、环氧树脂、环氧改性树脂、尿素甲醛树脂、邻苯二甲酸二烯丙酯树脂、苯酚树脂、不饱和聚酯树脂或者包含这些树脂中的一种以上的混合树脂等。特别是硅树脂或其改性树脂或混合树脂在耐热性和耐光性上优异因而优选。透光性部件3只要透光率在50％以上即可，优选为70％以上，更优选的是85％以上。
(光扩散材料)
光扩散材料4包含中空粒子。在图1A中，优选地表示为光扩散材料4在透光性部件3的表面均等地配置。但是，由于中空粒子的大小或形状等，可以在透光性部件3的表面使相互之间的距离或露出状态随机地配置。而且，光扩散材料4以光扩散材料4的至少一部分从透光性部件3露出或光扩散材料4被透光性部件3覆盖的状态设置。中空粒子的粒径大小没有特别的限制，但优选为5μm以上100μm以下，更优选的是粒径为20μm以上70μm以下，尤其优选粒径为45μm以上65μm以下。需要说明的是，粒径为中位粒径。由于中空粒子的粒径越小且粒子的体积越小、浮力越小，因此难以在透光性部件3中浮起。并且，中空粒子的壳厚优选为1μm以上30μm以下，更优选的是5μm以上20μm以下。在中空粒子中，中空的空孔率越大越容易浮起，但由于壳厚变薄，容易产生微粒的破损。因此，通过使粒径和壳厚处于该范围内，能够使中空粒子容易上浮到透光性部件3的表面，并且难以产生微粒的破损。因此，由于能够在透光性部件3的表面形成适当的凹凸，能够容易地在透光性部件3的表面引发光的散射，能够防止眩光。
优选光扩散材料4相对于透光性部件3的体积密度或比重为0.1g/cm3以上0.7g/cm3以下，更优选的是相对于透光性部件3的体积密度为0.1g/cm3以上0.2g/cm3以下。光扩散材料4相对于透光性部件3的体积密度越小越容易浮起。并且，对于光扩散材料4来说，如果体积密度过小，则会产生在向透光性部材3的分散中浮起或者在配料机内不均匀地存在等不良情况，作业性变差。通过使体积密度处于该范围内，在将光扩散材料4分散于透光性部件3中之后，能够使光扩散材料4浮出到透光性部件3的表面，因此容易在透光性部材3的表面形成凹凸。
由光扩散材料4构成的、粒子的层叠数优选为1层以上7层以下，更优选的是2层以上3层以下。由于每当层数增加时会引发光的反射，因此变得难以看到荧光体5，并且虽然通过光扩散而使颜色分散变好，但由于每当界面增加时由菲涅尔反射造成损失，因而光束减少。因此，通过使光扩散材料4的层叠数在该范围内，能够使荧光体5难以被看到，并且能够发挥光扩散作用，不使光束减少。
优选光扩散材料4的形状为球状。通过使光扩散材料4为球状，容易在透光性部件3的表面形成均匀的多个凹凸。光扩散材料4可以是白色且中空的微粒，也可以是通过与周围材料之间的折射率差而发生散射、看起来为白色的透明且中空的微粒。光扩散材料4使发光元件1发出的光散射而能够提高发光装置100的光取出效率。因此，优选光扩散材料4通过与透光性部件3之间的折射率差大的材料形成。并且，作为光扩散材料4的材料，例如，能够举出包含中空二氧化硅、中空玻璃、中空陶瓷、粉煤灰、白砂微球、中空聚合物、多孔质二氧化硅、多孔质聚合物等的微粉末。需要说明的是，光扩散材料4也可以是将上述多种材料混合的微粉末。例如，通过使透光性部件3使用折射率为1.50～1.55的硅树脂、光扩散材料4使用折射率为1.35～1.45的中空二氧化硅，能够提高从发光元件1向外部取出光的效率。
优选光扩散材料4相对于透光性部件3的添加量为1.56vol％以上19.3vol％以下，更优选的是相对于透光性部件3的添加量为7.3vol％以上10.6vol％以下。光扩散材料4的添加量越多，能够使从发光面看到的外观变得更白。并且，如果光扩散材料4的添加量过多，则由透光率降低引起发光装置的光度降低，如果添加量过少，则从透光性部件3的表面看到的物体色为荧光体5的物体色。通过使光扩散材料4相对于透光性部件3的添加量处于该范围内，不会引发发光装置的光度降低，能够使从发光面看到的外观白色化。需要说明的是，光扩散材料4的添加量的单位即“vol％”相当于含有光扩散材料4、荧光体5、其他添加材料的、透光性部件3的体积。例如，光扩散材料4的添加量为10vol％是指，相对于含有透光性部件3、光扩散材料4、荧光体5、其他添加材料的体积即共计100cm3，光扩散材料4的体积为10cm3。
另外，除了光扩散材料4和荧光体5以外，透光性部件3还可以包含0.01vol％以上0.20vol％以下或0.02vol％以上0.15vol％以下的氧化钛。通过添加氧化钛，虽然能够使含有光扩散材料4的透光性部件3的外观为白色，但发光装置的光束大幅减少。在这里，通过添加少量氧化钛且添加光扩散材料4，能够不使光束减少且使外观白色化。
(荧光体)
荧光体5只要能够吸收来自发光元件1的光并将其转换为不同波长的光即可。例如，能够举出被铈活化的钇铝石榴石(YAG)类荧光体、被铈活化的镥铝石榴石(LAG)、被铕和/或铬活化的含有氮素的铝硅酸碳酸钙(CaO－Al2O3－SiO2)类荧光体、被铕活化的硅酸盐((Sr，Ba)2SiO4)类荧光体、β塞隆荧光体、CaAlSiN3：Eu(CASN)类或(Sr，Ca)AlSiN3：Eu(SCASN)类荧光体等氮化物类荧光体、K2SiF6：Mn(KSF)类荧光体、硫化物类荧光体等。由此，能够成为射出可见波长的一次光以及二次光的混色光(例如，白色系)的发光装置、激发为紫外来光的一次光而射出可见波长的二次光的发光装置。荧光体5可以将多种荧光体组合使用。通过使用与期望的色调相应的组合或配合比，也能够对色泽性或颜色再现性进行调整。并且优选透光性部件3中的发光元件1侧的荧光体5的密度比透光性部件3中的透光性部件3的表面侧的荧光体5的密度高。通过提高发光元件1侧的荧光体5的密度，能够提高波长转换率、减少为了实现所期望的色度所需的荧光体5的添加量。
根据本实施方式的发光装置100，通过利用原本为了控制配光而在透光性部件3中添加的光扩散材料4且适当调整该光扩散材料4的粒径、体积密度、添加量等而在透光性部件3的表面形成凹凸。由此，通过在透光性部件3的表面形成的凹凸，能够有效地使外来光散射而使荧光体5的颜色变得不明显。并且，能够实现从发光面看到的外观为白色的发光装置100。并且，在发光元件1为多个的情况下，在发光元件之间空出恒定的间隔，在被安装的发光装置100中，整个发光元件1在平面图中被光扩散材料4覆盖。而且，如果基体2为白色，则能够使其与透光性部件3的表面的白色为相同的色相。由此，通过光扩散材料4将从发光元件1发出的光散射，能够减小点亮时发光元件1所在的发光部与不存在的非发光部之间的明暗差，能够实现减少了搭载于灯具时的辉度不均的发光装置100。
(第一实施方式的制造方法)
接着，参照图2、图3A～图3D对第一实施方式的发光装置的制造方法进行说明。需要说明的是，对一部分的工序的顺序不作限定，可以前后调整。
图2是表示第一实施方式的发光装置的制造方法的顺序的流程图。第一实施方式的发光装置的制造方法包含第一前驱体准备工序S11、树脂注入工序S12、光扩散材料上浮工序S13、树脂固化工序S14。
图3A是表示第一实施方式的发光装置的制造方法中的第一前驱体准备工序的剖面图，图3B是表示第一实施方式的发光装置的制造方法中的树脂注入工序的剖面图，图3C是表示第一实施方式的发光装置的制造方法中的光扩散材料上浮工序的剖面图，图3D是第一实施方式的发光装置的制造方法中的树脂固化工序的剖面图。
(第一前驱体准备工序)
准备在具备凹部2a的基体2的内底面2b载置有发光元件1的第一前驱体10。
如图3A所示，第一前驱体准备工序S11是准备第一前驱体10的工序，基体2具备具有内底面2b和侧壁2c的凹部2a，该第一前驱体10在基体2的凹部2a的内底面2b载置有发光元件1。在第一前驱体准备工序S11中，发光元件1在基体2通过引线或块形接头与配线6电连接。
(树脂注入工序)
在凹部2a注入透光性部件3，该透光性部件3含有至少具备中空粒子的光扩散材料4。如图3B所示，树脂注入工序S12是在基体2的凹部2a注入成为透光性部件3的硅树脂而进行填充的工序。在树脂注入工序S12中，预先在硅树脂中添加光扩散材料4，光扩散材料4均匀分散在硅树脂中。例如，通过使用了配料机的灌封法等在基体2的凹部2a内滴下该硅树脂。
如图3B所示，在树脂注入工序S12中，对添加了光扩散材料4的硅树脂进行填充，直至形成以凹部2a中央附近为最上面并且从周缘部到中央部鼓起的凸形。通过使用具有规定的粒径、体积密度、添加量的光扩散材料4，能够在下一工序S13中，使光扩散材料4上浮到硅树脂的表面附近。
(光扩散材料上浮工序)
使中空粒子上浮到注入的透光性部件3的表面，使透光性部件3形成为凸形。如图3C所示，光扩散材料上浮工序S13是使光扩散材料4上浮到硅树脂的表面的工序。在光扩散材料上浮工序S13中，光扩散材料4均匀分散的硅树脂在40℃下静置12小时。由于光扩散材料4比硅树脂轻，而且进行了上述粒径等调整，因此随着时间的流逝，在未固化的硅树脂中慢慢上浮(参照图3C的箭头)，最终上浮到硅树脂的表面附近。由此，在硅树脂的表面形成由光扩散材料4的形状造成的凹凸。
中空粒子的上浮可以在透光性部件3中静置一定时间，也可以施加超音波等振动。通过在透光性部件3中施加超音波振动，能够使中空粒子的上浮快速且均匀。另外，透光性部件3的凸形也会稍微变得平坦。
(树脂固化工序)
使透光性部件3固化。
如图3D所示，树脂固化工序S14为使硅树脂固化的工序。在树脂固化工序S14中，硅树脂以150℃被加热4小时。通过加热硅树脂使其固化，上浮到硅树脂的表面附近的光扩散材料4在硅树脂的表面附近被固定，在硅树脂表面形成凹凸。需要说明的是，由于在硅树脂的表面形成用于使外来光散射的凹凸，因此优选加热温度在150℃附近调整。
以上，通过如所说明的那样进行上述各工序来制造发光装置100。需要说明的是，在上述各工序中，虽然对一个发光装置100进行说明，但也可以在基体2连续的状态下一次性形成多个发光装置100后，使其单片化而形成各个发光装置100。
根据第一实施方式的发光装置的制造方法，通过适当调整粒径、体积密度、添加量等，使光扩散材料4上浮到硅树脂的表面附近，在硅树脂的表面形成由光扩散材料4造成的凹凸。由此，能够成为从发光面看到的外观为白色的发光装置的制造方法。另外，由于光扩散材料4的至少一部分埋入硅树脂中，能够成为光扩散材料4不会由于冲击等而破损的发光装置的制造方法。
(第二实施方式)
图4A是示意性表示本实施方式的发光装置200的平面图，图4B是图4A中的IVB－IVB线处的剖面图，图4C是表示图4B中的透光性部件的表面的放大剖面图。
发光装置200具备：第二前驱体20，其具备平板状的基体22、在基体22上载置的发光元件21、呈环状包围发光元件21而形成的凸部27；透光性部件23，其覆盖发光元件21并且形成为从周缘部到中央部鼓起的凸形；在透光性部件23中含有的光扩散材料24和荧光体25。光扩散材料24包含中空粒子，透光性部件23的表面形成由光扩散材料24造成的凹凸。在平面图中，光扩散材料24配置在上述凸形的中央附近，在剖面图中，上述凸形的外周是平滑的。对于荧光体25来说，透光性部件23中的发光元件21侧的荧光体25的密度比透光性部件23中的透光性部件23的表面侧的荧光体25的密度高。
通过使透光性部件23成为从周缘部到中央部鼓起的凸形，能够使光扩散材料24在凸形中央附近密集，并且在凸形的外周附近形成不存在光扩散材料24的区域、平坦的区域。由此，在凸形的外周附近不配置中空粒子，能够提高与凸部27的密接性。以下，对各结构进行说明。在这里，发光元件21、光扩散材料24、荧光体25、配线26与第一实施方式相同，因此省略说明。
(第二前驱体)
第二前驱体20具有平板状的基体22、在基体22上放置的发光元件21、以包围发光元件21的方式形成为环状的凸部27、由基体22和凸部27形成的凹部22a。发光元件21可以是多个，可以以包围多个发光元件21的方式设置凸部27。
(基体)
基体22安装至少一个以上的发光元件21，将发光装置200与外部电连接。基体22为平板状，构成为具备在表面和/或内部配置的配线6。在平面图中，基体22的外部形状为大致正方形。基体2具有凹部2a，在平面图中、凹部2a的形状为大致正方形。作为基体22的材料可以使用与基体2相同的材料。另外，基体与基体2一样，可以是在下表面具备与发光元件21电独立的散热用端子的结构。
(凸部)
优选凸部27使用绝缘性材料，并且使用从发光元件21射出的光或外来光等难以透过的材料。另外，优选凸部27是具有规定的强度的材料。具体地说，能够举出氧化铝、氮化铝、莫来石等陶瓷、苯酚树脂、环氧树脂、硅树脂、聚酰亚胺树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂(BT树脂)、聚邻苯二甲酰胺树脂(PPA)、聚酰胺(PA)、不饱和聚酯等树脂。对凸部的高度不作特别限定，只要在0.1mm以上5mm以下即可，优选的是0.3mm以上2mm以下。
(透光性部件)
透光性部件23设置在凹部22a内并覆盖发光元件21。透光性部件23含有光扩散材料24，透光性部件23的表面具有由光扩散材料24而形成的凹凸。并且，透光性部件23含有荧光体25，光扩散材料24比荧光体25位于透光性部件23的表面。因此，由于通过存在于透光性部件3的表面的光扩散材料24将基于太阳光、照明光的外来光反射、扩散，外来光难以到达在透光性部件23的发光元件1侧存在的荧光体25，因此难以看到荧光体25的物体色或者反射物体色。也就是说，发光面的物体色被白色化。需要说明的是，透光性部件23的表面是与基体22的表面对置的面，基本上是指透光性部件23的上表面，但也可以包含与上表面连续的透光性部件3的侧面的一部分。
(第二实施方式的制造方法)
接着，参照图5以及图6A～图6E对第二实施方式的发光装置的制造方法进行说明。需要说明的是，对一部分的工序的顺序不作限定，可以前后调整。
图5是表示第二实施方式的发光装置的制造方法的顺序的流程图。第二实施方式的发光装置的制造方法包含第二前驱体准备工序S21、树脂注入工序S22、光扩散材料上浮工序S23、树脂固化工序S24。
图6A是表示第二实施方式的发光装置的制造方法中的第二前驱体准备工序的剖面图，图6B以及图6C是表示第二实施方式的发光装置的制造方法中的树脂注入工序的剖面图，图6D是表示第二实施方式的发光装置的制造方法中的光扩散材料上浮工序的剖面图，图6E是第二实施方式的发光装置的制造方法中的树脂固化工序的剖面图。
(第二前驱体准备工序)
准备在平板状的基体22载置有发光元件21并且以包围发光元件21的方式形成有环状的凸部27的第二前驱体20。
如图6A所示，第二前驱体准备工序S21是准备在平板状的基体22载置有发光元件21并且以包围发光元件21的方式形成有环状的凸部27的、第二前驱体20的工序。在第一前驱体准备工序S21中，发光元件21在基体22通过接线或块形接头与配线26电连接。
(树脂注入工序)
在凸部27的内侧注入含有至少具备中空粒子的光扩散材料24的透光性部件23，从周缘部到中央部形成鼓起的凸形。
如图6B所示，树脂注入工序S22是在凹部22a注入成为透光性部件23的硅树脂而进行填充的工序。在树脂注入工序S22中，预先在硅树脂中添加光扩散材料24，光扩散材料24均匀地分散在硅树脂中。例如，通过使用了配料机的灌封法等在凹部22a内滴下该硅树脂。
如图6C所示，在树脂注入工序S22中，对添加了光扩散材料24的硅树脂进行填充，直至形成以凹部22a中央附近作为最上面并且从周缘部到中央部鼓起的凸形。通过使用具有规定的粒径、体积密度、添加量的光扩散材料24，能够在下一工序S23中，使光扩散材料24上浮到硅树脂的表面附近。
(光扩散材料上浮工序)
使中空粒子上浮到透光性部件23的表面。如图6D所示，光扩散材料上浮工序S23是使光扩散材料24上浮到硅树脂的表面的工序。在光扩散材料上浮工序S23中，光扩散材料24均匀分散的硅树脂在40℃下被静置12小时。由于光扩散材料24比硅树脂轻，并且，进行了上述粒径等调整，因此随着时间流逝，在未固化的硅树脂中逐渐上浮(参照图6D的箭头)，最终，上浮到硅树脂的表面附近。由此，在硅树脂的表面形成由光扩散材料4的形状造成的凹凸。
(树脂固化工序)
使透光性部件23固化。
如图6E所示，树脂固化工序S24是使硅树脂固化的工序。在树脂固化工序S24中，硅树脂在150℃被加热4小时。通过加热硅树脂而使其固化，上浮到硅树脂的表面附近的光扩散材料24在硅树脂的表面附近被固定，在硅树脂表面形成有凹凸。需要说明的是，由于在硅树脂的表面形成用于使外来光散射的凹凸，因此优选加热温度在150℃附近进行调整。
以上，通过进行如上所述的各工序来制造发光装置200。需要说明的是，在上述各工序中，虽然对一个发光装置200进行了说明，但也可以在基体22连续的状态下一次性形成多个发光装置200之后，使其单片化而分离成各个发光装置200。
根据第二实施方式的发光装置的制造方法，通过适当调整粒径、体积密度、添加量等，使光扩散材料24上浮到硅树脂的表面附近，在硅树脂的表面形成由光扩散材料24造成的凹凸。由此，能够成为从发光面看到的外观为白色的发光装置的制造方法。并且，由于光扩散材料24的至少一部分埋入硅树脂中，能够成为光扩散材料24不会由于冲击等而破损的发光装置200的制造方法。
以下对本公开的发光装置的实施例进行说明。需要说明的是，本公开的发光装置不限于以下实施例。
(实施例一至实施例五)
通过上述第二实施方式的发光装置的制造方法制作发光装置。
实施例一的发光装置的光扩散材料的粒径为65μm。实施例二的发光装置的光扩散材料的粒径为55μm。实施例三的发光装置的光扩散材料的粒径为45μm。实施例四的发光装置的光扩散材料的粒径为35μm。实施例五的发光装置的光扩散材料的粒径为20μm。在实施例一至实施例五的发光装置中，为了成为相同的发光色，进一步添加荧光体，从而能够得到发光色5000K、色度坐标：(0.328，0.342)。
实施例一至实施例五的各构成要件的细节如下所示。
发光元件
个数：安装24个
种类：发出发光峰值波长为455nm的蓝色光
平面图中的外形尺寸：1边(纵×横)为0.65mm的正方形
高度：150μm
基体
材料：陶瓷
平面图中的外形尺寸：1边(纵×横)为15mm的正方形
平面图中的内形尺寸：1边(纵×横)为12mm的正方形
高度：2.0mm
形状：大致长方体
透光性部件
材料：甲基硅酮树脂(商品名称OE－6351：“日本东丽道康宁株式会社”)
平面图中的外形尺寸：φ7mm的圆形
厚度：中心部850μm
固化条件：40℃×12hr.+150℃×4hr.
光扩散材料
种类：中空填料
添加量：相对于包含透光部件以及荧光体、光扩散材料的全部体积为10.6vol％
形状：球状
凸部
材料：含有白色颜料甲基硅酮树脂
平面图中的外形尺寸：φ7mm的圆形
厚度：500μm
固化条件：150℃×15min.
(对比例一)
为了与实施例的发光装置对比，制作对比例的发光装置。对比例一的发光装置不在透光性部件中添加光扩散材料。除了光扩散材料相对于透光性部件的添加量以外，与实施例一相同。对比例一的各构成要件的细节如上所述。需要说明的是，由于以不在透光性部件中不添加光扩散材料的发光装置作为对比例一，在后述表1中，与对比例一对应的粒径(μm)、比重(g/cm3)的一栏为空白。
对实施例一至实施例五以及对比例一进行以下实验。
使用高速测色分光光度计(商品名“CMS-35PS”、(株式会社)村上色彩技术研究所制造)对实施例一至实施例五以及对比例一进行物体色的测定。
使用触针式膜厚计测器(商品名“Alpha Step IQ”、大和科学株式会社)测定实施例一至实施例五的发光装置的发光面的凹凸的高低差。
评价结果如表1所示。
表1是将实施例一至实施例五以及对比例一的添加量(vol％)、粒径(μm)、比重(g/cm3)、物体色(x，y)、光束(％)、高低差(μm)、粒子的层叠数(个)汇总的表。高低差是指透光性部件的发光面的表面粗糙度。
[表1]
添加量(vol％) 粒径(μm) 比重(g/cm3) 物体色(x，y) 光束(％) 高低差(μm) 粒子的层叠数(个)
实施例一 10.6 65 0.13 (0.377，0.432) 95.2 1.0 3
实施例二 10.6 55 0.25 (0.365，0.416) 84.3 1.2 4
实施例三 10.6 45 0.37 (0.362，0.410) 89.8 1.2 4
实施例四 10.6 35 0.22 (0.366，0.416) 77.6 1.2 6
实施例五 10.6 20 0.48 (0.352，0.392) 79.2 0.8 7
比较例一 0 (0.430，0.511) 100 0 0
物体色的色度坐标在实施例一中为(0.377，0.432)，在对比例一中为(0.430，0.511)。即，在对比例一中发光色为白色，而物体色为黄色。这是由于看到的是荧光体的颜色。与此相对，在实施例一中，发光色和物体色都为白色。
并且，在光扩散材料的粒径不同的实施例二至实施例五中，发光色和物体色均为白色。也就是说，通过添加具有粒径20μm以上且与透光性部件之间的比重差在0.65以上的中空结构的光扩散材料，能够使发光装置的物体色为白色。
因此，对于在透光性部件中添加了光扩散材料的发光装置和不在透光性部件中添加光扩散材料的发光装置来说，发光色相同但外观的色相不同。也就是说，与在透光性部件的底面存在的荧光体相比，在上层配置的光扩散材料的中空结构能够使外来光散射。
对于发光装置的表面的高低差，在对比例一中为0μm，而在实施例一至实施例五中确认了凹凸。也就是说，通过添加粒径为20μm以上70μm的光扩散材料，能够在透光性部件的表面形成由上述光扩散材料造成的凹凸。通过上述凹凸能够使照射到发光装置的表面的外来光/以及来自发光装置的出射光有效地散射，从而抑制眩光。
对于不在透光性部件中添加光扩散材料的发光装置来说，在点亮时发光元件所在的发光部与不存在的非发光部之间的明暗差明显，对于在透光性部件中添加了光扩散材料的发光装置来说，由于光扩散材料所造成的光的散射，发光部与非发光部之间的明暗差不明显。即，通过在透光性部件的表面形成的光扩散材料的层能够降低发光装置点亮时的亮度不均。
(实施例六至实施例八)
通过上述第二实施方式的发光装置的制造方法制作发光装置。
实施例六的发光装置的氧化钛的添加量为0.02vol％。实施例七的发光装置的氧化钛的添加量为0.05vol％。实施例八的发光装置的氧化钛的添加量为0.11vol％。
实施例六至实施例八除了氧化钛的添加量之外，与实施例一相同。
(对比例二)
为了与实施例六的发光装置进行对比，制作对比例二的发光装置。以氧化钛的添加量为0.38vol％的发光装置作为对比例二。除了相对于封装部件的光扩散材料的添加量以外，与实施例一相同。对比例二各构成要件的细节如上所述。
评价结果如表2所示。
表2是将实施例一、实施例六至实施例八、以及对比例一、对比例二的中空填料添加量(vol％)、中空填料粒径(μm)、中空填料比重(g/cm3)、氧化钛添加量(vol％)、物体色(x，y)、光束(％)汇总的表。
[表2]
物体色的色度坐标在实施例六中为(0.362，0.410)、在实施例一中为(0.377，0.432)。即，实施例六的物体色比实施例一更白。
并且，光束在实施例六中为90.1％，在对比例二中为45.0％。即，实施例六的物体色为白色并且能够大致地维持光束。
以上，通过实施方式对发明具体地进行了说明，但本发明的主旨不限定于上述记载，而是由专利权利要求记载的范围广泛解释。并且，基于上述记载进行的各种变更、改变等内容显然也包含于本发明的主旨之中。
工业实用性
本公开实施方式的发光装置能够在照明或液晶面板的背光等中使用。

Claims (13)

1.一种发光装置，具备：
发光元件；
覆盖所述发光元件的透光性部件；
在所述透光性部件中含有的光扩散材料；
所述光扩散材料包含中空粒子，
所述透光性部件的表面具有由所述光扩散材料造成的凹凸，是从周缘部到中央部鼓起的凸形。
2.如权利要求1所述的发光装置，
所述透光性部件进一步含有荧光体，
所述透光性部件中的所述发光元件侧的所述荧光体的密度比所述透光性部件中的所述透光性部件的表面侧的所述荧光体的密度高。
3.如权利要求1或2所述的发光装置，
对于所述透光性部件的表面的凹凸来说，所述光扩散材料的至少一部分从所述透光性部件露出或者所述光扩散材料被所述透光性部件覆盖。
4.如权利要求1至3中任一项所述的发光装置，
所述光扩散材料的粒径为20μm以上70μm以下。
5.如权利要求1至4中任一项所述的发光装置，
所述光扩散材料相对于所述透光性部件的体积密度为0.1g/cm3以上0.7g/cm3以下。
6.如权利要求1至5中任一项所述的发光装置，
在平面图中，所述光扩散材料配置在所述凸形的中央附近，
在剖面图中，所述凸形的外周是平坦的。
7.如权利要求1至6中任一项所述的发光装置，
所述发光装置具有基体，该基体具备具有内底面和侧壁的凹部，
所述发光元件载置于所述凹部的内底面。
8.如权利要求1至7中任一项所述的发光装置，
所述中空粒子为球状。
9.如权利要求7所述的发光装置，
所述凹部通过平板状的基体和在所述基体上形成的环状的凸部形成。
10.如权利要求1至9中任一项所述的发光装置，
所述发光元件为多个。
11.如权利要求1至10中任一项所述的发光装置，
所述透光性部件的母材为硅树脂。
12.一种发光装置的制造方法，包含以下工序：
准备在具备凹部的基体的内底面载置有发光元件的第一前驱体的工序；
在所述凹部注入含有光扩散材料的透光性部件的工序，该光扩散材料至少具备中空粒子；
使所述中控粒子上浮到所注入的所述透光性部件的表面，使所述透光性部件形成为凸形的工序；
使所述透光性部件固化的工序。
13.一种发光装置的制造方法，包含以下工序：
准备在平板状的基体载置有发光元件、并且以包围所述发光元件的方式形成有环状的凸部的、第二前驱体的工序；
在所述凸部的内侧注入含有光扩散材料的透光性部件，该光扩散材料具备至少中空粒子，并且形成从周缘部到中央部鼓起的凸形的工序；
使所述中空粒子上浮到所述透光性部件的表面的工序；
使所述透光性部件固化的工序。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024094198A1 (zh) * 2022-11-04 2024-05-10 惠州市聚飞光电有限公司 一种led发光装置及其制造方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102019125411A1 (de) * 2019-09-20 2021-03-25 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE102021118451A1 (de) 2021-07-16 2023-01-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001077433A (ja) * 1999-06-30 2001-03-23 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその形成方法
CN1674314A (zh) * 2004-03-22 2005-09-28 斯坦雷电气株式会社 半导体发光装置及制造方法
JP2009016779A (ja) * 2007-06-05 2009-01-22 Sharp Corp 発光装置、発光装置の製造方法、電子機器および携帯電話機
US20100289048A1 (en) * 2007-11-21 2010-11-18 E & E Japan Co., Ltd. Light emitter
CN102544331A (zh) * 2010-12-28 2012-07-04 日亚化学工业株式会社 发光装置
JP2015026698A (ja) * 2013-07-25 2015-02-05 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US20160104827A1 (en) * 2014-10-10 2016-04-14 Lg Electronics Inc. Light emitting device package and method of fabricating the same
JP2016212269A (ja) * 2015-05-08 2016-12-15 株式会社ダイセル 反射防止材

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3349111B2 (ja) 1999-03-15 2002-11-20 株式会社シチズン電子 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP2002141557A (ja) * 2000-10-30 2002-05-17 Kojima Press Co Ltd 封止樹脂に光拡散素子を混入したｌｅｄ
JP2009141051A (ja) * 2007-12-05 2009-06-25 Stanley Electric Co Ltd シリコーン樹脂を用いた発光ダイオード装置
US8547009B2 (en) * 2009-07-10 2013-10-01 Cree, Inc. Lighting structures including diffuser particles comprising phosphor host materials
US9012938B2 (en) * 2010-04-09 2015-04-21 Cree, Inc. High reflective substrate of light emitting devices with improved light output
KR101756658B1 (ko) * 2010-12-07 2017-07-12 엘지디스플레이 주식회사 광원 모듈 및 그 제조 방법
CN103299123B (zh) * 2012-01-05 2018-02-09 惠州科锐半导体照明有限公司 具有减少反射的led器件及包括该led器件的led显示器
JP2014135427A (ja) 2013-01-11 2014-07-24 Koa Corp チップ抵抗器
JP2014138081A (ja) 2013-01-17 2014-07-28 Konica Minolta Inc 発光装置、波長変換・光拡散素子及びそれらの製造方法、光拡散セラミック層形成用組成物
JP6253949B2 (ja) 2013-10-25 2017-12-27 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置
JPWO2015093379A1 (ja) 2013-12-19 2017-03-16 旭硝子株式会社 紫外線発光装置
DE102014106074A1 (de) 2014-04-30 2015-11-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Leuchtvorrichtung
JP6292033B2 (ja) 2014-05-29 2018-03-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6492492B2 (ja) 2014-09-29 2019-04-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6428106B2 (ja) 2014-09-29 2018-11-28 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2017126045A (ja) 2016-01-15 2017-07-20 株式会社ダイセル 反射防止材
JP6790416B2 (ja) 2016-03-31 2020-11-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6418200B2 (ja) 2016-05-31 2018-11-07 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001077433A (ja) * 1999-06-30 2001-03-23 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその形成方法
CN1674314A (zh) * 2004-03-22 2005-09-28 斯坦雷电气株式会社 半导体发光装置及制造方法
JP2009016779A (ja) * 2007-06-05 2009-01-22 Sharp Corp 発光装置、発光装置の製造方法、電子機器および携帯電話機
US20100289048A1 (en) * 2007-11-21 2010-11-18 E & E Japan Co., Ltd. Light emitter
CN102544331A (zh) * 2010-12-28 2012-07-04 日亚化学工业株式会社 发光装置
JP2015026698A (ja) * 2013-07-25 2015-02-05 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US20160104827A1 (en) * 2014-10-10 2016-04-14 Lg Electronics Inc. Light emitting device package and method of fabricating the same
JP2016212269A (ja) * 2015-05-08 2016-12-15 株式会社ダイセル 反射防止材

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024094198A1 (zh) * 2022-11-04 2024-05-10 惠州市聚飞光电有限公司 一种led发光装置及其制造方法

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Publication number Publication date
JP6777104B2 (ja) 2020-10-28
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