CN110034162B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置。该显示装置包括：显示区域，包括上侧边、下侧边、左侧边、右侧边以及上侧边、下侧边、左侧边和右侧边所交汇的倾斜的角部；解复用电路单元，与显示区域的下侧边和连接到下侧边的角部相邻；以及扫描传输线，从左侧边的外侧朝向显示区域延伸并且与位于角部外侧的解复用电路单元叠置，其中，解复用电路单元包括解复用器晶体管，扫描传输线由与解复用器晶体管的电极不同的导电层形成。

Description

显示装置
本申请要求于2017年12月13日提交的第10-2017-0171373号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本发明的一些示例实施例的方面涉及一种显示装置。
背景技术
随着多媒体的发展，显示装置的重要性已经增加。因此，已经使用了诸如液晶显示器(LCD)和有机发光显示器(OLED)的各种类型的显示装置。它们之中，因为作为自发光装置的有机发光显示器具有相对优异的视角，所以有机发光显示器作为下一代显示装置引起了相当大的关注。
有机发光显示器包括像素电路和驱动像素电路的驱动器。驱动器可以包括向像素电路提供扫描信号的扫描驱动器、向像素电路提供数据信号的数据驱动器、解复用器等。扫描驱动器和解复用器可以包括驱动电路。这些驱动电路可以陈列在与显示区域相邻的非显示区域中。
由于显示装置的功能，非显示区域成为一种无效空间。当显示区域不具有正常的矩形形状而具有诸如角被倒圆的形状等的不规则形状时，由于驱动电路的布局，无效空间会增大。
在该背景技术部分中公开的以上信息仅为了增强对背景技术的理解，因此，它可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
本发明的一些示例实施例的方面包括可以通过在具有不规则形状的面板中对驱动电路的有效布局来减小无效空间的显示装置。
根据本发明的一些示例实施例，显示装置可以包括显示区域和非显示区域，显示区域包括多个像素，非显示区域与显示区域相邻并包括解复用电路单元和与解复用电路单元叠置的扫描传输线，其中，显示区域包括：像素晶体管栅电极和扫描线，像素晶体管栅电极由第一导电层形成，扫描线连接到像素晶体管栅电极；存储电容器的第一电极，由第二导电层形成；像素晶体管的第一电极和像素晶体管的第二电极，由第三导电层形成；数据线和连接电极，由第四导电层形成，数据线连接到像素晶体管的第一电极，连接电极连接到像素晶体管的第二电极；以及阳极电极，由第五导电层形成并且连接到连接电极，其中，解复用电路单元包括解复用器晶体管，解复用器晶体管包括解复用器栅电极以及彼此相对的数据输入电极和数据输出电极，并且解复用器栅电极置于数据输入电极与数据输出电极之间，其中，扫描传输线由与解复用器栅电极、数据输入电极和数据输出电极不同的导电层形成。
在实施例中，扫描传输线可以与扫描线电连接，数据输出电极可以与数据线电连接。
在实施例中，扫描传输线可以由第四导电层形成。
在实施例中，解复用器栅电极可以由第一导电层形成，数据输入电极和数据输出电极可以由第三导电层形成。
在实施例中，其中，非显示区域还可以包括：解复用器选择线，连接到解复用器栅电极并且由第二导电层形成；以及数据传输线，连接到数据输入电极并且由第一导电层形成。
在实施例中，扫描传输线可以由第五导电层形成。
在实施例中，显示区域可以包括第一侧边；第二侧边，与第一侧边交叉；以及角部，第一侧边和第二侧边在角部处交汇并且具有大于90°的内角。
在实施例中，显示区域的角部可以具有被倒圆的弯曲形状，解复用电路单元包括与角部对应的被倒圆的弯曲形状。
在实施例中，显示装置还可以包括与第一侧边相邻并且连接到扫描传输线的扫描驱动器。
在实施例中，解复用电路单元可以设置为与第二侧边和角部相邻。
根据发明的另一实施例，显示装置可以包括：显示区域，包括上侧边、下侧边、左侧边、右侧边以及各侧边所交汇的倾斜的角部；解复用电路单元，设置为与显示区域的下侧边和连接到下侧边的角部相邻；以及扫描传输线，从左侧边的外侧朝向显示区域延伸并且与位于角部外侧的解复用电路单元叠置，其中，解复用电路单元包括解复用器晶体管，扫描传输线由与解复用器晶体管的电极不同的导电层形成。
在实施例中，解复用器晶体管可以包括：解复用器栅电极；以及数据输入电极和数据输出电极，彼此相对并且解复用器栅电极置于数据输入电极与数据输出电极之间。
在实施例中，显示装置还可以包括：解复用器选择线，连接到解复用器栅电极；数据传输线，连接到数据输入电极；以及数据线，连接到数据输出电极并且设置在显示区域中。
在实施例中，显示装置还可以包括连接到扫描传输线并且设置在显示区域中的扫描线。
在实施例中，解复用器栅电极、扫描线和数据传输线可以由第一导电层形成，解复用器选择线可以由第二导电层形成，数据输入电极和数据输出电极可以由第三导电层形成，扫描传输线和数据线可以由第四导电层形成，第一导电层、第二导电层、第三导电层和第四导电层可以分别是由绝缘层划分的不同的层。
在实施例中，解复用器栅电极、扫描线和数据传输线可以由第一导电层形成，解复用器选择线可以由第二导电层形成，数据输入电极和数据输出电极可以由第三导电层形成，数据线可以由第四导电层形成，扫描传输线可以由第五导电层形成，第一导电层、第二导电层、第三导电层、第四导电层和第五导电层可以分别是由绝缘层划分的不同的层。
在实施例中，数据传输线可以在与显示区域的角部的倾斜方向相同的方向上延伸。
在实施例中，显示区域的角部可以具有台阶形状，解复用器选择线可以以与角部的台阶形状对应的形状延伸。
在实施例中，显示装置还可以包括：扫描驱动器，设置为与显示区域的左侧边相邻并且连接到扫描传输线，其中，扫描驱动器与角部分开预定间隔，解复用电路单元设置在扫描驱动器与角部之间的分离空间内。
在实施例中，显示区域的角部可以具有被倒圆的弯曲形状，解复用电路单元可以包括与角部对应的被倒圆的弯曲形状。
然而，本发明的方面不限于这里阐述的方面。通过参照下面给出的本发明的详细描述，本发明的以上和其他方面对于本发明所属领域的普通技术人员将变得更明显。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明的实施例的方面，本发明的一些示例实施例的以上和其他方面和特征将变得更明显，在附图中：
图1是根据一些示例实施例的有机发光显示器的示意性框图；
图2是根据一些示例实施例的包括在有机发光显示器的解复用电路单元中的解复用器的电路图；
图3是根据一些示例实施例的有机发光显示器的一个像素的等效电路图；
图4是根据一些示例实施例的有机发光显示器的平面布局图；
图5是图4的显示区域的角部的放大图；
图6是图4的有机发光显示器的弯曲之后的剖视图；
图7是根据一些示例实施例的解复用电路单元的布局图；
图8是图7的单元解复用器的布局图；
图9是根据一些示例实施例的有机发光显示器的像素和弯曲部分的剖视图；
图10是根据一些示例实施例的有机发光显示器的弯曲部分的布局图；
图11是沿图10的线XI-XI'截取的剖视图；
图12是根据一些示例实施例的有机发光显示器的解复用器晶体管区域和接触孔区域的剖视图；
图13是根据一些示例实施例的有机发光显示器的解复用器晶体管区域和接触孔区域的剖视图；以及
图14是根据一些示例实施例的有机发光显示器的解复用器晶体管区域和接触孔区域的剖视图。
具体实施方式
本发明的一些示例实施例的方面涉及一种显示装置。例如，一些示例实施例包括包含解复用器的有机发光显示器。
这里使用的术语仅是为了描述具体实施例的目的而不意图是限制性的。如这里使用的，除非上下文另外明确地指出，否则单数形式“一个”、“一种”和“该(所述)”也意图包括复数形式。“或”意为“和/或”。如这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。此外，术语“包括”、“包含”和/或其变型在本说明书中使用时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但是并不排除存在或附加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
如这里使用的“大约”或“近似”包括陈述的值，并且意味着考虑到正在被谈及的测量以及与具体量的测量有关的误差(即，测量***的局限性)，而在由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受偏差范围之内。例如，“大约”可以意味着在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％之内。
这里参照作为理想示例实施例和/或中间结构的示意图的剖视图来描述各种示例实施例的方面。如此，将预期出现例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，这里所公开的示例实施例不应该被解释为局限于区域的具体示出的形状，而将包括例如由制造引起的形状的偏差。例如，示出为矩形的注入区将通常具有圆形的或弯曲的特征和/或位于其边缘处的注入浓度的梯度，而非从注入区到非注入区的二元变化。同样地，通过注入形成的掩埋区可以在掩埋区与发生注入所经由的表面之间的区域中导致某些注入。因此，在附图中示出的区域实际上是示意性的，它们的形状并不意图示出装置的区域的实际形状，并且不意图是限制性的。
除非另外定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其一部分的领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。术语(诸如在通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的意思一致的意思，而将不以理想的或过于形式化的含义来进行解释，除非在这里清楚地这样定义。
在下文中，将参照附图描述本发明的一些示例实施例的方面。
图1是根据一些示例实施例的有机发光显示器的示意性框图。
参照图1，有机发光显示器70包括多个像素1、扫描驱动器20、数据驱动器30、解复用电路单元60、发射控制驱动器40和控制器50。
多个像素1位于多条扫描线SL11至SL1n、SL21至SL2n和SL31至SL3n、多条数据线DL1至DL2m以及多条发射控制线EL1至ELn的交叉处，并且以矩阵形式布置。
多条扫描线SL11至SL1n、SL21至SL2n和SL31至SL3n以及多条发射控制线EL1至ELn可以在行方向上延伸，多条数据线DL1至DL2m可以在列方向上延伸。行方向和列方向可以彼此转换。初始化电压VINT的供应线可以针对每行分支并且在行方向上延伸，第一电源电压ELVDD的供应线可以针对每列分支并且在列方向上延伸。然而，本发明的实施例不限于此，可以对初始化电压VINT和第一电源电压ELVDD的供应线的延伸方向进行各种改变。
三条扫描线SL11、SL21和SL31、一条数据线DL1、一条发射控制线EL1、一条初始化电压(VINT)供应线和一条电源电压(ELVDD)供应线可以穿过第一行和第一列中的作为示例像素的像素1。布线可以相似地穿过其他像素1。
扫描驱动器20产生三个扫描信号并且通过多条扫描线SL11至SL1n、SL21至SL2n和SL31至SL3n将三个扫描信号传输到每个像素1。也就是说，扫描驱动器20将扫描信号顺序地供应到第一扫描线SL11至SL1n、第二扫描线SL21至SL2n和第三扫描线SL31至SL3n。
数据驱动器30输出数据信号。输出的数据信号通过数据传输线(DTL)TL1至TLm被传输到解复用电路单元60。解复用电路单元60包括多个解复用器DEMUX(参见图2)。每个解复用器DEMUX划分接收的数据信号并且将划分的数据信号提供给多条数据线DL1至DL2m。例如，当数据驱动器30的数据信号包括第一数据信号和第二数据信号时，解复用器DEMUX可以分别顺序地将第一数据信号提供给第一数据线DL1并且将第二数据信号提供给第二数据线DL2。将参照图2详细地描述解复用器DEMUX。
图2是根据实施例的包括在有机发光显示器的解复用电路单元中的解复用器的电路图。
参照图2，解复用器DEMUX包括第一解复用器晶体管TDM1和第二解复用器晶体管TDM2。在附图中，示出了第一解复用器晶体管TDM1和第二解复用器晶体管TDM2都是PMOS晶体管，但是本发明不限于此。
第一解复用器晶体管TDM1连接在数据传输线(DTL)TL(i)与第一数据线DL(2i-1)之间并且包括连接到第一解复用器选择信号CL1的栅电极。当将低电平的第一解复用器选择信号CL1施加到栅电极时，第一解复用器晶体管TDM1导通，因此施加到数据传输线(DTL)TL(i)的数据信号可以输出到第一数据线DL(2i-1)。
第二解复用器晶体管TDM2连接在数据传输线(DTL)TL(i)与第二数据线DL(2i)之间并且包括连接到第二解复用器选择信号CL2的栅电极。当将低电平的第二解复用器选择信号CL2施加到栅电极时，第二解复用器晶体管TDM2导通，因此施加到数据传输线(DTL)TL(i)的数据信号可以输出到第二数据线DL(2i)。
当第一解复用器晶体管TDM1和第二解复用器晶体管TDM2通过第一解复用器选择信号CL1和第二解复用器选择信号CL2选择性地导通时，数据传输线(DTL)TL(i)的数据信号可以在时间上被划分并被提供给第一数据线DL(2i-1)和第二数据线DL(2i)。
同时，在一些示例实施例中，解复用器DEMUX将从数据驱动器30接收的一个数据信号分布到两条数据线，但是对本领域技术人员明显的是，解复用器DEMUX可以将一个数据信号分布到三条或四条或者更多条数据线。
返回参照图1，通过解复用电路单元60输出的数据信号通过多条数据线DL1至DL2m传输到各个像素1。每当第一扫描信号被供应到第一扫描线SL11至SL1n时，数据信号供应到由第一扫描信号选择的像素1。
发射控制驱动器40产生发射控制信号并且通过多条发射控制线EL1至ELn将发射控制信号传输到各个像素1。发射控制信号控制像素1的发射时间。当扫描驱动器20产生扫描信号和发射控制信号时，发射控制驱动器40可以集成到扫描驱动器20中。可以根据像素1的内部结构省略发射控制驱动器40。
控制器50将从外部传输的多个视频信号R、G和B转换成多个视频数据信号DR、DG和DB并且将多个视频数据信号DR、DG和DB传输到数据驱动器30。此外，控制器50接收垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync和时钟信号MCLK，产生用于控制扫描驱动器20、数据驱动器30和发射控制驱动器40的驱动的控制信号并将产生的控制信号分别传输到扫描驱动器20、数据驱动器30和发射控制驱动器40。也就是说，控制器50分别产生并传输用于控制扫描驱动器20的扫描驱动控制信号SCS、用于控制数据驱动器30的数据驱动控制信号DCS以及用于控制发射控制驱动器40的发射驱动控制信号ECS。此外，控制器50产生用于控制解复用器DEMUX的解复用器选择信号CL1和CL2并且将产生的解复用器选择信号CL1和CL2传输到解复用电路单元60。
多个像素1中的每个接收第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS。第一电源电压ELVDD可以是预定高电平电压，第二电源电压ELVSS可以是比第一电源电压ELVDD低的电压。
多个像素1中的每个通过根据通过多条数据线DL1至DL2m传输的数据信号而供应到发光元件的驱动电流Ioled(参见图3)发射预定亮度的光。
第一电源电压ELVDD、第二电源电压ELVSS和初始化电压VINT等可以从外部电压源供应。
图3是根据实施例的有机发光显示器的一个像素的等效电路图。
参照图3，有机发光显示器70的一个像素1的电路可以包括有机发光二极管OLED、多个晶体管T1至T7和存储电容器Cst。数据信号DATA、第一扫描信号SL1j、第二扫描信号SL2j、第三扫描信号SL3j、发射控制信号EM、第一电源电压ELVDD、第二电源电压ELVSS和初始化电压VINT被施加。
有机发光二极管OLED包括阳极电极和阴极电极。存储电容器Cst包括第一电极和第二电极。
多个晶体管T1至T7可以包括第一晶体管T1至第七晶体管T7。晶体管T1至T7中的每个包括第一电极和第二电极。晶体管T1至T7中的每个的第一电极和第二电极中的任何一个是源电极，而另一个是漏电极。
晶体管T1至T7中的每个可以是薄膜晶体管。晶体管T1至T7中的每个可以是PMOS晶体管或NMOS晶体管。虽然像素1的所有晶体管T1至T7在图中被示出为PMOS晶体管，但是晶体管T1至T7可以由NMOS晶体管构造或者可以混合。例如，作为驱动晶体管的第一晶体管T1、作为数据传输晶体管的第二晶体管T2、作为第一发射控制晶体管的第五晶体管T5和作为第二发射控制晶体管的第六晶体管T6是PMOS晶体管，而作为补偿晶体管的第三晶体管T3、作为第一初始化晶体管的第四晶体管T4和作为第二初始化晶体管的第七晶体管T7可以是NMOS晶体管。
第一晶体管T1的栅电极连接到存储电容器Cst的第一电极。第一晶体管T1的第一电极经由第五晶体管T5连接到第一电源电压ELVDD的端子。第一晶体管T1的第二电极经由第六晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的阳极电极。第一晶体管T1根据第二晶体管T2的开关操作接收数据信号DATA并且将驱动电流Ioled供应到有机发光二极管OLED。
第二晶体管T2的栅电极连接到第一扫描信号SL1j的端子。第二晶体管T2的第一电极连接到数据信号DATA的端子。第二晶体管T2的第二电极连接到第一晶体管T1的第一电极并且经由第五晶体管T5连接到第一电源电压EVLDD的端子。第二晶体管T2响应于第一扫描信号SL1j而导通并且执行将数据信号DATA传输到第一晶体管T1的第一电极的开关操作。
第三晶体管T3的栅电极连接到第一扫描信号SL1j的端子。第三晶体管T3的第一电极连接到第一晶体管T1的第二电极并且经由第六晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的阳极电极。第三晶体管T3的第二电极连接到存储电容器Cst的第一电极、第四晶体管T4的第一电极和第一晶体管T1的栅电极。第三晶体管T3根据第一扫描信号SL1j而导通并且将第一晶体管T1的栅电极和第二电极彼此连接以使第一晶体管T1二极管连接。通过第一晶体管T1的阈值电压而在第一晶体管T1的第一电极和栅电极之间产生电压差，并且具有补偿的阈值电压的数据信号被供应到第一晶体管T1的栅电极以对第一晶体管T1的阈值电压偏差补偿。
第四晶体管T4的栅电极连接到第二扫描信号SL2j的端子。第四晶体管T4的第二电极连接到初始化电压VINT的端子。第四晶体管T4的第一电极连接到存储电容器Cst的第一电极、第三晶体管T3的第二电极和第一晶体管T1的栅电极。第四晶体管T4响应于第二扫描信号SL2j而导通并且通过将初始化电压VINT传输到第一晶体管T1的栅电极来执行使第一晶体管T1的栅电极的电压初始化的操作。
第五晶体管T5的栅电极连接到发射控制信号EM的端子。第五晶体管T5的第一电极连接到第一电源电压ELVDD的端子。第五晶体管T5的第二电极连接到第一晶体管T1的第一电极和第二晶体管T2的第二电极。
第六晶体管T6的栅电极连接到发射控制信号EM的端子。第六晶体管T6的第一电极连接到第一晶体管T1的第二电极和第三晶体管T3的第一电极。第六晶体管T6的第二电极连接到有机发光二极管OLED的阳极电极。
第五晶体管T5和第六晶体管T6响应于发射控制信号EM同时(例如，同步)导通，使得驱动电流Ioled流向有机发光二极管OLED。
第七晶体管T7的栅电极连接到第三扫描信号SL3j的端子。第七晶体管T7的第一电极连接到有机发光二极管OLED的阳极电极。第七晶体管T7的第二电极连接到初始化电压VINT的端子。第七晶体管T7响应于第三扫描信号SL3j而导通以使有机发光二极管OLED的阳极电极初始化。
存储电容器Cst的第二电极连接到第一电源电压ELVDD的端子。存储电容器Cst的第一电极与第一晶体管T1的栅电极、第三晶体管T3的第二电极和第四晶体管T4的第一电极共同连接。有机发光二极管OLED的阴极电极连接到第二电源电压ELVSS的端子。有机发光二极管OLED通过从第一晶体管T1接收驱动电流Ioled而发光以显示图像。
在下文中，将更详细地描述有机发光显示器70的结构。
图4是根据实施例的有机发光显示器的平面布局图。图5是图4的显示区域的角部的放大图。图6是图4的有机发光显示器的弯曲之后的剖视图。在图4中，为了易于描述，限定了上方向、下方向、左方向和右方向。上方向和下方向是竖直方向或列方向，左方向和右方向是水平方向或行方向。应理解的是，实施例中提到的方向被称为相对方向，实施例不限于提及的方向。
参照图4至图6，有机发光显示器70包括显示区域DA和位于显示区域DA周围(例如，在平面图中位于显示区域DA的占用空间的外部)的非显示区域NDA。
显示区域DA是用于显示图像的区域。显示区域DA包括多个像素1。显示区域DA具有类似于矩形的大体平面形状，但是角的形状可以是与典型的矩形不同的不规则结构。
具体地，显示区域DA可以具有上侧边DA_US、下侧边DA_DS、左侧边DA_LS和右侧边DA_RS的四条侧边之间的四个角部DA_CA。上侧边DA_US和下侧边DA_DS可以平行，左侧边DA_LS和右侧边DA_RS可以平行。上侧边DA_US和下侧边DA_DS可以在水平方向上延伸，并且左侧边DA_LS和右侧边DA_RS可以在竖直方向上延伸，但是位于上侧边DA_US和下侧边DA_DS与左侧边DA_LS和右侧边DA_RS交汇的部分处的角部DA_CA可以彼此不垂直，而是可以倾斜。也就是说，角部DA_CA的内角可以大于90°。角部DA_CA可以是倾斜的直线形状或被倒圆的弯曲形状。上面提及的倾斜的直线形状或被倒圆的弯曲形状表示视觉上被识别的形状，实际角部的详细形状可以是如图7中所示的台阶形状，并且各种其他详细形状是可能的。
驱动器可以布置在位于显示区域DA周围的非显示区域NDA中。例如，扫描驱动器20可以布置在显示区域DA的左侧边DA_LS和/或右侧边DA_RS上，解复用电路单元60和数据驱动器30可以布置在显示区域DA的下侧边DA_DS上。在实施例中，数据驱动器30可以以IC形式安装，而扫描驱动器20和解复用电路单元60可以直接形成在基底上。扫描驱动器20和解复用电路单元60可以包括多个晶体管和布线，当形成像素1的晶体管、布线和电极时，可以同时(例如，同步)形成晶体管和布线。
当扫描驱动器20布置在显示区域DA的左侧边DA_LS和右侧边DA_RS上时，扫描驱动器20的形状可以基本相同。在下文中，将描述位于显示区域DA的左侧边DA_LS处的扫描驱动器20，但是相同的内容也可以应用于位于右侧边DA_RS处的扫描驱动器20。
扫描驱动器20沿显示区域DA的左侧边DA_LS布置。扫描驱动器20的输出信号通过扫描传输线STL施加到显示区域DA的在水平方向上的像素1。扫描传输线STL将扫描驱动器20的输出端子和显示区域DA的扫描线SL连接。扫描传输线STL和扫描线SL可以形成在同一层上，但是可以形成在另一层上并可以在显示区域DA与非显示区域NDA之间的边界部分(例如，与显示区域DA和非显示区域NDA相邻的部分)中通过接触孔电连接。下面将描述其详细描述。
扫描驱动器20的下端部和上端部可以延伸到连接到显示区域DA的左侧边DA_LS的下角部DA_CA和上角部DA_CA。扫描驱动器20的下端部和上端部可以延伸到显示区域DA的上侧边DA_US和下侧边DA_DS的延伸线并且从其突出到外部。从显示区域DA的角部DA_CA到扫描驱动器20的水平分离距离可以大于从显示区域DA的左侧边DA_LS到扫描驱动器20的水平分离距离。
基于显示区域DA，解复用电路单元60比数据驱动器30更靠近布置。解复用电路单元60布置为不仅与显示区域DA的下侧边DA_DS相邻而且与连接到显示区域DA的下侧边DA_DS的角部DA_CA相邻。解复用电路单元60沿显示区域DA的下侧边DA_DS平行地延伸并且到达倾斜的角部DA_CA以沿倾斜的角部DA_CA在倾斜方向上布置。也就是说，解复用电路单元60的平面形状可以包括与角部DA_CA的平面形状对应的倾斜形状。解复用电路单元60的倾斜形状包括被倒圆的形状、台阶形状、多边形形状等。
解复用电路单元60可以与显示区域DA间隔开一定距离(例如，预定距离)或者可以布置为与显示区域DA接触。当解复用电路单元60与显示区域DA接触时，解复用电路单元60与显示区域DA之间的距离被解释为0。从显示区域DA的角部DA_CA到解复用电路单元60的距离可以与从显示区域DA的下侧边DA_DS到解复用电路单元60的距离基本相同。
解复用电路单元60的与显示区域DA的角部DA_CA相邻的至少一部分可以布置在扫描驱动器20与位于相应部分处的显示区域DA之间的分离空间中。构成解复用电路单元60的晶体管和扫描驱动器20本身在平面中彼此不叠置，但是解复用电路单元60的与显示区域DA的角部DA_CA相邻的部分会与扫描驱动器20的扫描传输线STL叠置。
如此，当解复用电路单元60布置为与显示区域DA的倾斜的角部DA_CA相邻时，空间利用率增加以减小无效空间。通过与构成像素电路的各个导电层一起形成布线，可以解决当解复用电路单元60和扫描传输线STL叠置时会发生的短路问题。下面将描述其进一步的详细描述。
在实施例中，有机发光显示器70可以包括平坦部分和弯曲部分。弯曲部分可以布置在平坦部分的至少一侧上。弯曲部分可以基于平坦部分在与显示方向相反的方向上(在顶发射型的情况下的底方向上)弯曲。弯曲参考平面可以与平坦部分平行。弯曲部分可以包括弯曲的表面。显示区域DA、扫描驱动器20、解复用电路单元60和数据驱动器30可以布置在平坦部分中，但是本发明不限于此。布线垫(pad，或称为焊盘或焊垫)PAD可以设置在弯曲部分中，印刷电路板可以附着到弯曲部分。
有机发光显示器70还可以包括从弯曲部分延伸的弯曲延伸部分。弯曲延伸部分与平坦部分叠置。弯曲延伸部分可以延伸以与显示区域DA的一部分叠置，但是不限于此。布线垫PAD可以设置在弯曲延伸部分中，印刷电路板可以附着到弯曲延伸部分。
图7是根据实施例的解复用电路单元的布局图。图7是与显示区域的角部相邻的解复用电路单元的局部布局图。图8是图7的单元解复用器的布局图。
参照图7和图8，在角部中，显示区域DA可以具有台阶状边界。第一解复用器选择线CLDM1、第二解复用器选择线CLDM2和数据传输线DTL顺序地布置在显示区域DA下方。解复用器晶体管区域布置在第一解复用器选择线CLDM1和第二解复用器选择线CLDM2与显示区域DA之间。
第一解复用器选择线CLDM1和第二解复用器选择线CLDM2布置为彼此相邻并且以与显示区域DA的角部的台阶形状对应的形状延伸。
多条数据传输线DTL在与显示区域DA的角部的倾斜方向基本相同的方向(例如，左上方向)上倾斜地延伸并且均向上弯曲以进入解复用器晶体管区域。多条数据传输线DTL可以与第一解复用器选择线CLDM1和第二解复用器选择线CLDM2交叉。
均在竖直方向上延伸的数据输入电极IDE、第一解复用器栅电极CLG1和第二解复用器栅电极CLG2以及第一数据输出电极EDE1和第二数据输出电极EDE2布置在解复用器晶体管区域中。第一解复用器栅电极CLG1和第一数据输出电极EDE1顺序地布置在数据输入电极IDE的左方向上，第二解复用器栅电极CLG2和第二数据输出电极EDE2顺序地布置在数据输入电极IDE的右方向上。数据输入电极IDE和第一数据输出电极EDE1彼此相对并且第一解复用器栅电极CLG1置于数据输入电极IDE和第一数据输出电极EDE1之间，数据输入电极IDE和第二数据输出电极EDE2彼此相对并且第二解复用器栅电极CLG2置于数据输入电极IDE与第二数据输出电极EDE2之间。
半导体层280布置为与数据输入电极IDE、第一解复用器栅电极CLG1和第二解复用器栅电极CLG2以及第一数据输出电极EDE1和第二数据输出电极EDE2叠置。
数据输入电极IDE的下端部通过接触孔CNT1连接到数据传输线DTL。第一解复用器栅电极CLG1的下端部通过接触孔CNT2连接到第一解复用器选择线CLDM1。第一数据输出电极EDE1的上端部通过接触孔CNT3连接到第一数据线DL1。此外，第二解复用器栅电极CLG2的下端部通过接触孔CNT4连接到第二解复用器选择线CLDM2。第二数据输出电极EDE2的上端部通过接触孔CNT5连接到第二数据线DL2。
数据输入电极IDE、第一数据输出电极EDE1和第一解复用器栅电极CLG1构成具有半导体层280作为沟道的第一解复用器晶体管(图2中的TDM1)。此外，数据输入电极IDE、第二数据输出电极EDE2和第二解复用器栅电极CLG2构成具有半导体层280作为沟道的第二解复用器晶体管(图2中的TDM2)。第一解复用器晶体管TDM1和第二解复用器晶体管TDM2可以共用作为第一电极的数据输入电极IDE，并且每个沟道可以设置为一个集成的半导体层280。
同时，用于传输扫描驱动器20的输出信号的扫描传输线STL可以穿过解复用器晶体管区域。扫描传输线STL沿解复用器晶体管区域倾斜地延伸并且到达充电的像素行以连接到扫描线SL等。扫描传输线STL可以通过接触孔CNT6连接到扫描线SL等。在附图中，示出了两条扫描传输线STL平行于解复用器晶体管区域延伸并且在显示区域DA的一个台阶中分别连接到扫描线SL。然而，针对显示区域DA的每个台阶，可以横跨一条扫描传输线STL，或者可以横跨三条或更多条扫描传输线STL。
扫描传输线STL可能与解复用器晶体管TDM1和TDM2的至少一个电极叠置或交叉。此外，扫描传输线STL可能与第一解复用器选择线CLDM1、第二解复用器选择线CLDM2和数据传输线DTL中的至少一条叠置或交叉。尽管叠置或交叉仍防止或减少布线短路的情况的方法之一是通过利用形成在不同层中并且绝缘膜置于其间的导电层来形成叠置或交叉的布线。因此，扫描传输线STL可以由与作为构成解复用器晶体管TDM1和TDM2的导电层的数据输入电极IDE、第一数据输出电极EDE1和第二数据输出电极EDE2以及第一解复用器栅电极CLG1和第二解复用器栅电极CLG2不同的层的导电层形成。此外，扫描传输线STL可以由与第一解复用器选择线CLDM1、第二解复用器选择线CLDM2和数据传输线DTL不同的层的导电层形成。为了构成像素电路，有机发光显示器70包括多个导电层。通过将导电层应用于扫描传输线STL和解复用电路单元60的电极并且将导电层与扫描传输线STL和解复用电路单元60的电极组合，可能够防止或减少叠置或交叉的布线短路的发生率。将参照图9和图10来更详细地描述有机发光显示器。
图9是根据实施例的有机发光显示器的像素和弯曲部分的剖视图。图10是根据一些示例实施例的有机发光显示器的弯曲部分的布局图。图11是沿图10的线XI-XI'截取的剖视图。图12是根据一些示例实施例的有机发光显示器的解复用器晶体管区域和接触孔区域的剖视图并且是沿图8的线I-I'、线II-II'、线III-III'、线IV-IV'和线V-V'截取的剖视图。
在图9至图12中，为了使层间结构相对于与图1至图8中提及的关于一些构成元件的构成元件相同的构成元件清楚，已经额外地给出并偶尔写出新的附图标记。在图9至图12的实施例中，描述了从像素的栅电极到阴极电极形成六个导电层。
当参照图7至图12描述有机发光显示器的横截面结构时，有机发光显示器的层结构可以包括基底200、缓冲层205、半导体层280、第一绝缘层210、第一导电层110、第二绝缘层220、第二导电层120、第三绝缘层230、弯曲绝缘层235、第三导电层130、第四绝缘层240、第四导电层140、第五绝缘层250、第五导电层150、包括使第五导电层150暴露的开口的像素限定层260、布置在像素限定层260的开口中的有机层270以及布置在有机层270和像素限定层260上的第六导电层160。上述的每个层可以由单层膜形成，但是也可以由包括多个膜的层叠膜形成。可以进一步在各个层之中布置其他层。
基底200支撑布置在其上的各个层。基底200可以由诸如聚合物树脂等的绝缘材料形成。聚合物树脂的示例可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基化物、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(CAT)、乙酸丙酸纤维素(CAP)或它们的组合。基底200可以是可以弯曲、折叠、卷曲等的柔性基底。构成柔性基底的材料的示例是聚酰亚胺(PI)，但是不限于此。基底200可以是由玻璃、石英等制成的刚性基底。
缓冲层205布置在基底200上。缓冲层205可以防止或减少杂质离子的扩散，防止或减少湿气或外部空气的渗透，并且执行表面平坦化功能。缓冲层205可以包含氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。缓冲层205覆盖基底200的显示区域DA和非显示区域NDA的大部分，但是从弯曲部分的一部分(弯曲开口部(BOP))去除以使基底200的表面暴露。可以根据基底200的类型或工艺条件省略缓冲层205。
半导体层280布置在缓冲层205上。半导体层280形成像素1的第一晶体管T1至第七晶体管T7的沟道以及解复用器DEMUX的第一解复用器晶体管TDM1和第二解复用器晶体管TDM2。半导体层280可以包括多晶硅。多晶硅可以由使非晶硅结晶形成。结晶方法的示例可以包括快速热退火(RTA)法、固相结晶(SPC)法、准分子激光退火(ELA)法、金属诱导结晶(MIC)法、金属诱导横向结晶(MILC)法、顺序横向凝固(SLS)法等，但是本发明不限于此。半导体层280中的连接到每个晶体管的源/漏电极的部分(源/漏区)可以掺杂有杂质离子(在PMOS晶体管的情况下掺杂有p型杂质离子)。诸如硼(B)的三价掺杂剂可以用作p型杂质离子。
在另一实施例中，半导体层280可以包括单晶硅、低温多晶硅、非晶硅或氧化物半导体。氧化物半导体可以包括例如包含铟、锌、镓、锡、钛、铝、铪(Hf)、锆(Zr)、镁(Mg)等的二元化合物(ABx)、三元化合物(ABxCy)、石英基化合物(ABxCyDz)。在实施例中，半导体层280可以包括ITZO(包括铟、锡和锌的氧化物)或IGZO(包括铟、镓和锡的氧化物)。
第一绝缘层210可以是具有栅极绝缘功能的栅极绝缘膜。第一绝缘层210可以包括硅化合物、金属氧化物等。例如，第一绝缘层210可以包括氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等。可以单独使用或彼此组合使用氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等。第一绝缘层210可以是单膜或由不同材料的层叠膜组成的多层膜。
第一绝缘层210可以布置在半导体层280上并且可以布置在基底200的整个表面之上。然而，第一绝缘层210在弯曲部分的一部分(弯曲开口部BOP)中与缓冲层205一起被去除以使基底200的表面暴露。
第一导电层110布置在第一绝缘层210上。第一导电层110可以包括选自钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种金属。第一导电层110可以是单膜或多层膜。
像素1的第一晶体管T1至第七晶体管T7的栅电极和连接到其的扫描线SL可以由第一导电层110形成。解复用器DEMUX的第一解复用器栅电极CLG1和第二解复用器栅电极CLG2也可以由第一导电层110形成。此外，第一解复用器选择线CLDM1和第二解复用器选择线CLDM2以及数据传输线DTL也可以由第一导电层110形成。此外，第一导电层110可以用作弯曲信号布线BSW并且通过从弯曲部分去除缓冲层205和第一绝缘层210获得的部分置于第一导电层110与弯曲信号布线BSW之间。在弯曲部分中用作弯曲信号布线BSW的第一导电层110可以通过由第三导电层130形成的接触布线CTW电连接到由第四导电层140形成的跨过弯曲开口部BOP的弯曲连接布线BCW。
第二绝缘层220用于使第一导电层110和第二导电层120彼此绝缘。第二绝缘层220可以布置在第一导电层110上并且大体布置在基底200的整个表面之上。然而，第二绝缘层220从弯曲部分的一部分(弯曲开口部BOP)去除以使缓冲层205和第一绝缘层210暴露。
第二绝缘层220可以是层间绝缘层。第二绝缘层220可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铪、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化锌等的无机绝缘材料或者诸如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚亚苯基树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB)的有机绝缘材料。第二绝缘层220可以是单膜或包括不同材料的层叠膜的多层膜。
第二导电层120布置在第二绝缘层220上。像素1的存储电容器Cst的第二电极、第一解复用器选择线CLDM1和第二解复用器选择线CLDM2可以由第二导电层120形成。第一解复用器选择线CLDM1和第二解复用器选择线CLDM2可以通过穿透第二绝缘层220的接触孔CNT2和CNT4电连接到由第一导电层110形成的第一解复用器栅电极CLG1和第二解复用器栅电极CLG2。
第二导电层120可以包括选自钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种金属。第二导电层120可以由与第一导电层110的材料相同的材料制成，但是不限于此。第二导电层120可以是单膜或多层膜。
第三绝缘层230覆盖第二导电层120。第三绝缘层230使第二导电层120与第三导电层130绝缘。第三绝缘层230大体布置在基底200的整个表面之上，但是可以从弯曲部分的一部分(弯曲开口部BOP)去除。从弯曲部分部分地去除的缓冲层205、第一绝缘层210、第二绝缘层220和第三绝缘层230一起使基底200暴露并且限定弯曲开口部BOP。弯曲开口部BOP可以用于减小弯曲应力。
弯曲开口部BOP可以使缓冲层205和第一绝缘层210与第二绝缘层220一起暴露。
第三绝缘层230可以是层间绝缘层。第三绝缘层230可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铪、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化锌等的无机绝缘材料或者诸如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚亚苯基树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB)的有机绝缘材料。第三绝缘层230可以是单膜或由不同材料的层叠膜组成的多层膜。
弯曲绝缘层235布置在弯曲开口部BOP中。弯曲绝缘层235可以不布置在显示区域中，而是可以仅布置在弯曲部分中。弯曲绝缘层235的表面高度可以比第三绝缘层230的表面高度低。弯曲绝缘层235可以是过孔层。弯曲绝缘层235可以包括诸如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚亚苯基树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB)的有机绝缘材料。
第三导电层130布置在第三绝缘层230上。像素1的薄膜晶体管的第一电极SE和第二电极DE可以由第三导电层130形成。薄膜晶体管的第一电极SE和第二电极DE可以通过穿透第三绝缘层230、第二绝缘层220和第一绝缘层210的接触孔电连接到半导体层280的源区和漏区。像素1的第一电源电压电极ELVDDE也可以由第三导电层130形成。
此外，解复用器DEMUX的数据输入电极IDE、第一数据输出电极EDE1和第二数据输出电极EDE2可以由第三导电层130形成。数据输入电极IDE可以通过穿透第三绝缘层230、第二绝缘层220和第一绝缘层210的接触孔CNT7电连接到半导体层280的源区，第一数据输出电极EDE1和第二数据输出电极EDE2可以分别通过穿透第三绝缘层230、第二绝缘层220和第一绝缘层210的接触孔CNT8和CNT9电连接到半导体层280的漏区。数据输入电极IDE可以通过穿透第三绝缘层230和第二绝缘层220的接触孔CNT1连接到由第一导电层110形成的数据传输线DTL。此外，在弯曲部分中，接触布线CTW由第三导电层130形成并且电连接到弯曲信号布线BSW。
第三导电层130可以包括选自铝(Al)、钼(Mo)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种金属。第三导电层130可以是单膜或多层膜。例如，第三导电层130可以具有诸如Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo、Mo/AlGe/Mo、Ti/Cu等的层叠结构。
第四绝缘层240覆盖第三导电层130。在弯曲部分中，第四绝缘层240布置在弯曲绝缘层235上。
第四绝缘层240可以是过孔层。第四绝缘层240可以包括与弯曲绝缘层235的材料相同的材料或者包括从弯曲绝缘层235的示例构成材料选择的至少一种材料。
第四导电层140布置在第四绝缘层240上。像素1的数据线DL、连接电极CE和第一电源电压线ELVDDL可以由第四导电层140形成。
数据线DL可以在像素1中通过穿过第四绝缘层240的接触孔电连接到像素1的薄膜晶体管的第一电极SE。数据线DL也可以在解复用器晶体管区域中通过穿透第四绝缘层240的接触孔CNT3和CNT5连接到第一数据输出电极EDE1和第二数据输出电极EDE2。
连接电极CE可以通过穿透第四绝缘层240的接触孔电连接到像素1的薄膜晶体管的第二电极DE。第一电源电压线ELVDDL可以通过穿透第四绝缘层240的接触孔电连接到第一电源电压电极ELVDDE。
扫描传输线STL也可以由第四导电层140形成。扫描传输线STL可以通过穿透第四绝缘层240、第三绝缘层230和第二绝缘层220的接触孔CNT6电连接到由第一导电层110形成的扫描线SL。此外，在弯曲部分中，跨过弯曲开口部BOP的弯曲连接布线BCW也可以由第四导电层140形成。弯曲连接布线BCW可以通过穿透第四绝缘层240的接触孔与接触布线CTW接触来连接到与弯曲开口部BOP的中心分离的弯曲信号布线BSW。
虽然图9中示出了弯曲连接布线BCW由第四导电层140形成，但是弯曲连接布线BCW可以由第三导电层130形成或者可以以第三导电层130和第四导电层140的组合应用。例如，如图10和图11中所示，由第四导电层140形成的弯曲连接布线和由第三导电层130形成的弯曲连接布线可以交替地布置在弯曲部分中。当弯曲连接布线由第三导电层130形成时，第四导电层140可以不在弯曲连接布线上叠置。
第四导电层140可以包括选自铝(Al)、钼(Mo)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种金属。第四导电层140可以是单膜或多层膜。第四导电层140可以由与第三导电层130的材料相同的材料制成，但是不限于此。
第五绝缘层250布置在第四导电层140上。第五绝缘层250覆盖第四导电层140。第五绝缘层250可以是过孔层。第五绝缘层250可以包括与弯曲绝缘层235的材料相同的材料或者包括从弯曲绝缘层235的示例构成材料选择的至少一种材料。
第五导电层150布置在第五绝缘层250上。像素1的阳极电极ANO可以由第五导电层150形成。阳极电极ANO可以通过穿透第五绝缘层250的接触孔电连接到由第四导电层140形成的连接电极CE并且经由通过穿透第四绝缘层240的接触孔形成的连接电极CE连接到薄膜晶体管的第二电极DE。
第五导电层150不限于此，而是可以具有其中层叠有氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟(In2O3)的具有高功函数的材料层以及诸如银(Ag)、镁(Mg)、MgF、铝(Al)、铂(Pt)、铅(Pb)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或它们的混合物的反射材料层的层叠层结构。具有高功函数的材料层可以布置在反射材料层上方并且布置为靠近有机层270。第五导电层150可以具有ITO/Mg、ITO/MgF、ITO/Ag和ITO/Ag/ITO的多层结构，但是本发明不限于此。
像素限定层260可以布置在第五导电层150上。像素限定层260可以包括使第五导电层150暴露的开口。像素限定层260可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铪、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化锌等的无机绝缘材料或者诸如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚亚苯基树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB)的有机绝缘材料。像素限定层260可以是单膜或由不同材料的层叠膜组成的多层膜。
有机层270布置在像素限定层260的开口中。有机层270可以包括有机发光层271、空穴注入/传输层272和电子注入/传输层273。虽然附图中示出空穴注入/传输层272和电子注入/传输层273由一层形成，但是可以层叠注入层和传输层的多个层。
第六导电层160布置在有机层270和像素限定层260上。阴极电极(CAT)可以由第六导电层160形成。阴极电极CAT可以遍布整个显示区域布置。第六导电层160可以包括诸如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg、Ag、Pt、Pd、Ni、Au、Nd、Ir、Cr、BaF、Ba或它们的复合物或者混合物(例如，Ag和Mg的混合物)的具有小的功函数的材料层。第六导电层160还可以包括布置在具有小的功函数的材料层上的透明金属氧化物层。
在上述的实施例中，解复用电路单元60布置为与显示区域DA的倾斜的角部DA_CA相邻以增加空间利用率，解复用器DEMUX的第一解复用器栅电极CLG1和第二解复用器栅电极CLG2由第一导电层110形成，并且数据输入电极IDE以及第一数据输出电极EDE1和第二数据输出电极EDE2由第三导电层130形成，而扫描传输线STL由第四导电层140形成，以有效解决当解复用电路单元60和扫描传输线STL彼此叠置时会发生的短路问题。
根据实施例的有机发光显示器70不限于此，而是可以通过11个掩模工艺制造。因为具体的掩模工艺可以通过制造的结构充分推断，所以将省略对具体的掩模工艺的描述。
在下文中，将描述其他实施例。
图13是根据另一实施例的有机发光显示器的解复用器晶体管区域和接触孔区域的剖视图。参照图13，在一些示例实施例中，根据实施例的有机发光显示器可以将第五导电层150用作扫描传输线STL。图13的实施例与图12的实施例的不同之处在于连接扫描传输线STL和扫描线SL的接触孔CNT6还穿透第五绝缘层250。
即使当扫描传输线STL如在实施例中所述地由第五导电层150形成时，因为扫描传输线STL与由第三导电层130形成的解复用器DEMUX的数据输入电极IDE以及第一数据输出电极EDE1和第二数据输出电极EDE2绝缘，所以也能够解决叠置区域中的短路问题。虽然附图中未示出，但是只要扫描传输线STL由第五导电层150形成，即使解复用器DEMUX的数据输入电极IDE以及第一数据输出电极EDE1和第二数据输出电极EDE2中的至少一个由第四导电层140形成，也可以在叠置区域中保持与扫描传输线STL的绝缘。
图14是根据又一实施例的有机发光显示器的解复用器晶体管区域和接触孔区域的剖视图。
图14示出了穿透各种层的接触件可以穿过其他中间连接电极。参照图14，在实施例中，图14的实施例与图13的实施例的相同之处在于扫描传输线STL由第五导电层150形成，但是图14的实施例与图13的实施例的不同之处在于扫描传输线STL还包括由第四导电层140形成的扫描连接电极SCE。扫描传输线STL通过穿透第五绝缘层250的接触孔CNT62电连接到由第四导电层140形成的扫描连接电极SCE。扫描连接电极SCE通过穿透第四绝缘层240、第三绝缘层230和第二绝缘层220的接触孔CNT61电连接到由第一导电层110形成的扫描线SL。因此，扫描传输线STL可以通过扫描连接电极SCE电连接到扫描线SL。
根据实施例的显示装置，解复用器在其角被倒圆的面板中沿被倒圆的角布置以使无用的区域最小化或减小无用的区域。
此外，即使驱动电路在被倒圆的角处叠置，布线也利用另一金属层形成，从而防止或减少驱动电路之间的短路的情况。
本发明的效果不受前述的内容限制，并且在此预测其他各种效果。
虽然为了说明的目的已经公开了本发明的一些示例实施例的方面，但是本领域技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求和它们的等同物中公开的发明的范围和精神的情况下，各种修改、添加和替换是可行的。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示区域，包括多个像素；以及
非显示区域，与所述显示区域相邻，所述非显示区域包括解复用电路单元和与所述解复用电路单元叠置的扫描传输线，
其中，所述显示区域包括：像素晶体管栅电极和扫描线，所述像素晶体管栅电极由第一导电层形成，所述扫描线连接到所述像素晶体管栅电极；存储电容器的第一电极，由第二导电层形成；像素晶体管的第一电极和所述像素晶体管的第二电极，由第三导电层形成；数据线和连接电极，由第四导电层形成，所述数据线连接到所述像素晶体管的所述第一电极，所述连接电极连接到所述像素晶体管的所述第二电极；以及阳极电极，由第五导电层形成并且连接到所述连接电极，
其中，所述解复用电路单元包括解复用器晶体管，所述解复用器晶体管包括解复用器栅电极以及彼此相对的数据输入电极和数据输出电极，并且所述解复用器栅电极置于所述数据输入电极与所述数据输出电极之间，并且
其中，所述扫描传输线由与所述解复用器栅电极、所述数据输入电极和所述数据输出电极不同的导电层形成。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述扫描传输线与所述扫描线电连接，并且
所述数据输出电极与所述数据线电连接。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述扫描传输线由所述第四导电层形成。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述解复用器栅电极由所述第一导电层形成，并且
所述数据输入电极和所述数据输出电极由所述第三导电层形成。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述非显示区域还包括：
解复用器选择线，连接到所述解复用器栅电极并且由所述第二导电层形成；以及
数据传输线，连接到所述数据输入电极并且由所述第一导电层形成。
6.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述扫描传输线由所述第五导电层形成。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示区域包括：
第一侧边；
第二侧边，与所述第一侧边交叉；以及
角部，所述第一侧边和所述第二侧边在所述角部处交汇并且所述角部具有大于90°的内角。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述显示区域的所述角部具有被倒圆的弯曲形状，并且
所述解复用电路单元包括与所述角部对应的所述被倒圆的弯曲形状。
9.根据权利要求7所述的显示装置，所述显示装置还包括：
扫描驱动器，与所述第一侧边相邻并且连接到所述扫描传输线。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述解复用电路单元与所述第二侧边和所述角部相邻。
11.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示区域，包括上侧边、下侧边、左侧边、右侧边以及所述上侧边、所述下侧边、所述左侧边和所述右侧边所交汇的倾斜的角部；
解复用电路单元，与所述显示区域的所述下侧边和连接到所述下侧边的所述角部相邻；以及
扫描传输线，从所述左侧边的外侧朝向所述显示区域延伸并且与位于所述角部外侧的所述解复用电路单元叠置，
其中，所述解复用电路单元包括解复用器晶体管，并且所述扫描传输线由与所述解复用器晶体管的电极不同的导电层形成。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述解复用器晶体管包括：
解复用器栅电极，以及
数据输入电极和数据输出电极，彼此相对并且所述解复用器栅电极置于所述数据输入电极与所述数据输出电极之间。
13.根据权利要求12所述的显示装置，所述显示装置还包括：
解复用器选择线，连接到所述解复用器栅电极；
数据传输线，连接到所述数据输入电极；以及
数据线，连接到所述数据输出电极并且设置在所述显示区域中。
14.根据权利要求13所述的显示装置，所述显示装置还包括：
扫描线，连接到所述扫描传输线并且布置在所述显示区域中。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述解复用器栅电极、所述扫描线和所述数据传输线由第一导电层形成，并且所述解复用器选择线由第二导电层形成，
所述数据输入电极和所述数据输出电极由第三导电层形成，
所述扫描传输线和所述数据线由第四导电层形成，并且
所述第一导电层、所述第二导电层、所述第三导电层和所述第四导电层分别是由绝缘层划分的不同的层。
16.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述解复用器栅电极、所述扫描线和所述数据传输线由第一导电层形成，并且所述解复用器选择线由第二导电层形成，
所述数据输入电极和所述数据输出电极由第三导电层形成，
所述数据线由第四导电层形成，
所述扫描传输线由第五导电层形成，并且
所述第一导电层、所述第二导电层、所述第三导电层、所述第四导电层和所述第五导电层分别是由绝缘层划分的不同的层。
17.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述数据传输线在与所述显示区域的所述角部的倾斜方向相同的方向上延伸。
18.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述显示区域的所述角部具有台阶形状，并且
所述解复用器选择线以与所述角部的所述台阶形状对应的形状延伸。
19.根据权利要求11所述的显示装置，所述显示装置还包括：
扫描驱动器，与所述显示区域的所述左侧边相邻并且连接到所述扫描传输线，
其中，所述扫描驱动器与所述角部分开预定间隔，并且
所述解复用电路单元位于所述扫描驱动器与所述角部之间的分离空间内。
20.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述显示区域的所述角部具有被倒圆的弯曲形状，并且
所述解复用电路单元包括与所述角部对应的所述被倒圆的弯曲形状。
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