CN109980068A - Led器件及封装方法、背光模组、液晶显示模组和终端 - Google Patents

Led器件及封装方法、背光模组、液晶显示模组和终端 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种LED器件及封装方法、背光模组、液晶显示模组和终端，该LED器件的封装方法采用物理气相沉积法依次沉积包括第一荧光粉层、第二荧光粉在内的荧光粉制备若干荧光粉层，之后在其表面填充封装胶水并烘烤得到荧光胶层，在荧光胶层表面粘结发光芯片后进行切割得到单颗的发光组件，在PCB板上粘结发光组件并切割得到LED器件；该方法制得的LED器件体积小，厚度低，适用于手机等对轻薄度要求高的背光源，解决了传统支架型LED器件难于缩小尺寸、生产良率低的问题，同时，通过将荧光粉层与封装胶水干湿分离分别制备，解决了现有点胶工艺和喷涂工艺对封装胶水利用率低的问题，保证了LED器件的亮度和色区集中度。

Description

LED器件及封装方法、背光模组、液晶显示模组和终端
技术领域
本发明涉及LED封装技术领域，更具体的说，涉及一种LED器件及其封装方法以及背光模组、液晶显示模组和终端。
背景技术
发光二极管(LED)是一种固态半导体器件，利用固体半导体芯片作为发光材料，当两端加上正向电压，半导体中的载流子发生复合，放出过剩的能量而引起光子发射产生可见光。在制作上，除了要对LED芯片的两个电极进行焊接，从而引出正、负极之外，还需要对LED芯片和两个电极进行保护，即进行LED封装。
目前，市面上主流的LED封装形式为带支架的LED光源，这种封装形式封装光源的尺寸比芯片本身尺寸要大很多，荧光粉工艺沿用传统的点胶、喷涂等，但是这种传统的封装形式已逐渐无法满足用户对LED产品小型化、集成化、高亮度的需求，尤其是随着手机等电子产品越来越追求窄边框和轻薄化，作为背光源的LED灯珠也要做到更小和更薄，按照传统支架式背光产品的结构设计，将支架结构缩小则会减小LED芯片的尺寸，从而降低灯珠的亮度，但是对于背光产品，灯珠亮度是在持续增加的，降低亮度的产品势必无法被消费者接受，同时，支架式结构的LED由于受到封装工艺的限制，尺寸越小加工难度越高，当LED灯珠厚度小于或等于0.3mm时，支架结构很难实现。
为了解决传统支架式LED封装结构中芯片安放时受到固晶机台高度的限制、无法在支架结构缩小的前提下安放大尺寸芯片来满足用户对高亮度的需求这一问题，中国专利文献CN104716247A公开了一种侧发光的发光装置，该发光装置体积小且轻薄，但是其荧光胶是以喷涂的工艺制备的，这种工艺对荧光胶利用率低、成品灯珠的色区集中度也较低。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于现有传统支架型LED器件尺寸大，不适于轻薄型产品，而改进的产品又存在荧光胶利用率低、色区集中度低的问题，本发明提供一种LED器件及其封装方法以及由该LED器件的封装方法制得的LED器件构成的背光模组、液晶显示模组和终端。。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种单面发光的LED器件，该器件由PCB板、发光芯片、荧光胶层和侧面密封胶层组成；发光芯片贴于荧光胶层下方并与之形成发光组件；发光组件侧面设置有侧面密封胶层；发光组件和侧面密封胶层设置在PCB板上，荧光胶层至少两种不同的光粉沉积后，填充封装胶水制成。
可选的，荧光胶层包括第一荧光粉、第二荧光粉，第一荧光粉、第二荧光粉集中分布在靠近发光芯片的一侧，第一荧光粉的发射光波长范围为500-680nm，第二荧光粉的发射光波长范围为500-680nm。
可选的，第一荧光粉、第二荧光粉包括硅酸盐荧光粉、塞隆荧光粉、磷酸盐荧光粉、硫化物荧光粉中种类不同的荧光粉。
进一步的，本发明还提供了一种单面发光的LED器件的封装方法，该方法包括如下步骤：
S1、在基板表面贴覆第一胶膜层，在第一胶膜层表面采用物理气相沉积法沉积第一荧光粉；
S2、在第一荧光粉的表面分别沉积至少一层荧光粉；
S3、在包括第一荧光粉在内的荧光粉表面填充封装胶水，使封装胶水填充于荧光粉制得液态荧光胶；
S4、烘烤所述液态荧光胶形成荧光胶层，所述封装胶水相对集中分布在所述荧光胶层内的上侧并形成顶面封装胶层；
S5、去除第一胶膜层，将荧光胶层与基板分离；
S6、在基板表面贴覆第二胶膜层，将荧光胶层倒置于第二胶膜层；
S7、在荧光胶层表面粘结至少一颗发光芯片，并进行烘烤，使发光芯片的发光面粘结固定于荧光胶层上；
S8、沿发光芯片的间隙切割步骤S7所得半成品，得到单颗发光组件；
S9、在PCB板上粘附至少两颗发光组件，并进行固化处理，使发光组件的发光芯片固定在PCB板上；
S10、在发光组件周围填充密封胶水，烘烤固化密封胶水，在发光组件周围形成侧面封装胶层；
S11、去除发光组件顶面的密封胶水，沿PCB板上相邻两颗发光组件的间隙进行切割，得到单面发光的LED器件，所述LED器件中顶面封装胶层的表面为LED器件的发光面。
可选的，沉积第一荧光粉、第二荧光粉时，所采用物理气相沉积法的工艺参数为：腔室压力100-1000Pa，功率100-500瓦；第一荧光粉的沉积时间为0.5-20min，第二荧光粉的沉积时间为0.5-35min。
可选的，沉积第一荧光粉得到第一荧光粉层、沉积第二荧光粉得到第二荧光粉层时，沉积光粉所采用的物理气相沉积法的工艺参数为：腔室压力100-1000Pa，功率100-500瓦；第一荧光粉层的沉积时间为0.5-20min，第二荧光粉层的沉积时间为0.5-35min。
可选的，步骤S4中的烘烤过程为：首先以1-10℃/min的升温速率将液态荧光胶由室温升至40-60℃，保温0.5-2h，然后以1-10℃/min的升温速率升温至65-90℃，保温0.5-4h，最后以1-10℃/min的升温速率升温至120-200℃，保温1-12h。
可选的，封装胶水的折射率不小于1.45，封装胶水包括硅树脂、环氧树脂或聚氨酯；
可选的，密封胶水的反射率不低于75％。
可选的，步骤S9中的固化处理包括：烘烤固化、回流固化。
可选的，荧光粉包括硅酸盐、铝酸盐、氟化物、磷酸盐、氮化物或硫化物荧光粉；发光芯片的发射光波长为230-480nm；步骤S7中烘烤的温度为120-180℃。
进一步的，本发明还提供一种背光模组，该背光模组包括如上所述LED器件封装方法制备得到的LED器件。
进一步的，本发明还提供一种液晶显示模组，该液晶显示模组包括如上所述的背光模组。
进一步的，本发明还提供一种终端，其特征在于，该终端包括如上所述的液晶显示模组。
有益效果：
本发明提供的单面发光的LED器件，包括PCB板和远离PCB板依次设置的发光芯片、荧光胶层组成，发光芯片、荧光胶层形成的发光组件侧面设置有侧面密封胶层，其中，荧光胶层至少包括混合荧光粉，混合荧光粉由包括第一荧光粉、第二荧光粉在内的荧光粉组成，由于该器件具有较小的尺寸，且在较小尺寸的同时又具有较高的发光亮度和色区集中度，因此适用与轻薄型电子产品的背光，同时又由于该器件的尺寸较小，所以可通过在轻薄型电子产品上增加LED器件数量的方法来提高手机背光的整体亮度。
本发明还提供了上述单面发光的LED器件的封装方法，该方法通过采用物理气相沉积法沉积包括第一荧光粉层、第二荧光粉在内的荧光粉制备若干荧光粉层，然后在荧光粉层表面填充封装胶水并烘烤得到荧光胶层，在位于荧光胶层荧光粉集中分布侧的表面粘结发光芯片，烘烤固化发光芯片后进行切割即得到单颗的发光组件，在PCB板上粘结至少两颗发光组件后进行切割，得到封装后单面发光的LED器件，通过该方法制得的LED器件体积小，厚度低，适用于手机等对轻薄度要求较高的背光源，解决了传统的支架型LED器件难于缩小尺寸、生产得到的小尺寸LED器件的生产良率低的问题，同时，将荧光粉层与封装胶水层进行干湿分离分别制备的方法还解决了现有点胶工艺和喷涂工艺对封装胶水利用率低的问题，提高了荧光胶的利用率、保证了LED器件的亮度和色区集中度。
进一步的，本发明还提供了背光模组、液晶显示模组、终端，该背光模组、液晶显示模组以及终端都包括如上所述LED器件的封装方法制备得到的LED器件；由于如该封装方法制备得到的LED器件尺寸较小，所以可以通过增加LED器件的方式满足用户对背光模组、液晶显示模组、终端高亮度的需求，同时，由于该LED器件尺寸小，由该LED器件制成的背光模组、液晶显示模组在通过增加LED器件进行提高亮度的过程中，不会存在受到已有固件影响而导致的无法在安放大尺寸LED器件的问题。
附图说明
为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中
图1是本发明实施例提供的单面发光的LED器件的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的单面发光的LED器件的剖面结构示意图。
图3是本发明实施例提供的单面发光的LED器件中单个发光组件的结构示意图；
图4是用于说明本发明实施例的单面发光的LED器件制造方法的概略平面图。
图中附图标记表示为：1-PCB板；2-发光芯片；3-荧光胶层；31-第一荧光粉；32-第二荧光粉；33-封装胶层；4-侧面封装胶层；沿图1结构示意图中的A—A’线剖视线得到图2的剖面结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施
例对本发明作进一步详细的说明。
实施例1
本实施例提供一种单面发光的LED器件，如图1-3所示，器件包括PCB板1和沿远离PCB板1方向顺次设置的发光芯片2、荧光胶层3组成，荧光胶层包括第一荧光粉31、第二荧光粉32以及封装胶层33组成，发光芯片2、荧光胶层3形成一个发光组件，发光组件侧面设置有侧面密封胶层4。
其中，第一荧光粉、第二荧光粉集中分布在靠近发光芯片的荧光胶层内，第一荧光粉层的发射光波长为500-680nm，第二荧光粉层的发射光波长为500-680nm；优选地，第一荧光粉层的发射光波长为580-680nm，第二荧光粉层的发射光波长为500-580nm。
在实际应用中，第一荧光粉、第二荧光粉包括硅酸盐荧光粉、塞隆荧光粉、磷酸盐荧光粉、硫化物荧光粉中种类不同的荧光粉。
本实施例还提供了一种单面发光的LED器件封装方法，其包括如下步骤：
S1、在基板表面贴覆第一胶膜层，在第一胶膜层表面采用物理气相沉积法沉积第一荧光粉。
在实际应用中，荧光粉包括硅酸盐、铝酸盐、氟化物、磷酸盐、氮化物或硫化物荧光粉。
S2、在所述第一荧光粉的表面分别沉积至少一层荧光粉。
在实际应用中，沉积第一荧光粉得到第一荧光粉层、沉积第二荧光粉得到第二荧光粉层时，所采用的物理气相沉积法的工艺参数为：腔室压力100-1000Pa，功率100-500瓦；第一荧光粉层的沉积时间为0.5-20min，第二荧光粉层的沉积时间为0.5-35min。
S3、在包括第一荧光粉在内的荧光粉表面填充封装胶水，使封装胶水填充于荧光粉制得液态荧光胶。
在实际应用中，封装胶水的折射率不小于1.45，封装胶水包括硅树脂、环氧树脂或聚氨酯；
S4、烘烤所述液态荧光胶形成荧光胶层，所述封装胶水相对集中分布在所述荧光胶层内的上侧并形成顶面封装胶层。
在实际应用中，烘烤液态荧光胶层的过程为：首先以1-10℃/min的升温速率将液态荧光胶层由室温升至40-60℃，保温0.5-2h，然后以1-10℃/min的升温速率升温至65-90℃，保温0.5-4h，最后以1-10℃/min的升温速率升温至120-200℃，保温1-12h。
S5、去除第一胶膜层，将荧光胶层与基板分离。
S6、在基板表面贴覆第二胶膜层，将荧光胶层倒置于第二胶膜层。
S7、在荧光胶层表面粘结至少一颗发光芯片，并进行烘烤，使发光芯片的发光面粘结固定于荧光胶层上。
在实际应用中，发光芯片的发射光波长为230-480nm，烘烤固定发光芯片的温度为120-180℃。
S8、沿发光芯片的间隙切割步骤S7所得半成品，得到单颗发光组件；
S9、在PCB板上粘附至少两颗发光组件，并进行固化处理，使发光组件的发光芯片固定在PCB板上。
在本实施例中，固化处理包括：烘烤固化、回流固化。
S10、在发光组件周围填充密封胶水，烘烤固化密封胶水，在发光组件周围形成侧面封装胶层。
在实际应用中，密封胶水的反射率不低于75％
S11、去除发光组件顶面的密封胶水，沿PCB板上相邻两颗发光组件的间隙进行切割，得到单面发光的LED器件，LED器件中顶面封装胶层的表面为LED器件的发光面。
实施例2
本实施例提供一种单面发光的LED器件封装方法，其包括如下步骤：
S1、提供一基板，基板为玻璃基板，在基板表面贴覆热解胶膜层，采用物理气相沉积法在热解胶膜层表面沉积第一荧光粉层，第一荧光粉层原料为市售的掺杂稀土离子的硅酸盐荧光粉，其发射光波长为580nm,沉积时间为0.5min。
S2、采用物理气相沉积法在第一荧光粉层表面沉积第二荧光粉层，第二荧光粉层的原料为塞隆荧光粉，其发射光波长为500nm,沉积时间为35min，物理气相沉积过程中，腔室压力为100Pa,功率为100瓦。
S3、在第二荧光粉表面填充封装胶水，将封装胶水添加到第二荧光粉层表面，使其自然流动沉积，填充于荧光粉的空隙中，封装胶水为折射率不小于1.5的硅树脂，其沉积时间为1h，然后去除荧光粉层表面未深入荧光粉的封装胶水，使其表面平整得到液态荧光胶层。
S4、将得到的液态荧光胶层置于烘箱中，先以1℃/min的升温速率将液态荧光胶层由室温升至40℃，保温0.5h，然后以1℃/min的升温速率升温至65℃，保温0.5h，最后以1℃/min的升温速率升温至120℃，保温1h，烘烤过程使液态荧光胶层中的封装胶水固化，得到固化的荧光胶层。
S5、加热去除热解胶膜层，将荧光胶层与基板分离。
S6、在基板表面再次贴覆热解胶膜层，将荧光胶层倒置贴覆于胶膜层，使第一荧光粉层位于顶层(荧光胶层的上表面)。
S7、在荧光胶层表面涂覆粘结剂，并在预设的位置上粘结若干发光芯片，该发光芯片即为LED倒装芯片，该LED倒装芯片的发射光波长为480nm，将得到的半成品置于烘箱在120℃下烘烤使粘结剂固化，发光芯片发射的蓝光与第一荧光粉层的红光、第二荧光粉层的绿光复合，形成白光发射，得到整片的白光LED器件半成品。
S8、沿LED芯片的间隙切割整片白光LED器件半成品，将其分割为单颗LED，切割的刀片厚度为0.05mm。
S9、将单颗LED用银胶导电粘合剂粘附于PCB板，然后将粘结剂烘烤固化，然后在LED周围填充密封胶水，密封胶水可以为高粘度硅树脂，其反射率大于或等于75％，将密封胶水烘烤固化。
S10、去除LED芯片顶部的密封胶水，保留侧面的密封胶水，得到侧面密封胶层，然后沿PCB板上两颗相邻的LED间隙进行切割，即得到单独的单面发光的LED器件。
实施例3
本实施例提供一种单面发光的LED器件封装方法，其包括如下步骤：
S1、提供一基板，基板为陶瓷基板，在基板表面贴覆UV胶膜层，采用物理气相沉积法在UV胶膜层表面沉积第一荧光粉层，第一荧光粉层原料为市售的掺杂稀土离子的磷酸盐荧光粉，其发射光波长为680nm,沉积时间为20min。
S2、采用物理气相沉积法在第一荧光粉层表面沉积第二荧光粉层，第二荧光粉层的原料为掺杂有稀土离子的硫化物荧光粉，其发射光波长为580nm,沉积时间为0.5min，物理气相沉积过程中，腔室压力为1000Pa,功率为500瓦。
S3、在第二荧光粉表面填充封装胶水，将封装胶水添加到第二荧光粉层表面，使其自然流动沉积，填充于荧光粉的空隙中，封装胶水为折射率不小于1.5的环氧树脂，其沉积时间为24h，然后去除荧光粉层表面未深入荧光粉的封装胶水，使其表面平整得到液态荧光胶层。
S4、将得到的液态荧光胶层置于烘箱中，先以10℃/min的升温速率将将液态荧光胶层由室温升至60℃，保温2h，然后以10℃/min的升温速率升温至90℃，保温4h，最后以10℃/min的升温速率升温至200℃，保温12h，烘烤过程使液态荧光胶层中的封装胶水固化，得到固化的荧光胶层。
S5、去除UV胶膜层，将荧光胶层与基板分离。
S6、在基板表面再次贴覆热解胶膜层，将荧光胶层倒置贴覆于胶膜层，使第一荧光粉层位于顶层(荧光胶层的上表面)。
S7、在荧光胶层表面涂覆粘结剂，并在预设的位置上粘结若干发光芯片，该发光芯片即为LED倒装芯片，该LED倒装芯片的发射光波长为230nm，将得到的半成品置于烘箱在180℃下烘烤使粘结剂固化，发光芯片发射的紫外光与第一荧光粉层的红光、第二荧光粉层的绿光复合，形成白光发射，得到整片的白光LED器件半成品。
S8、沿LED芯片的间隙切割整片白光LED器件半成品，将其分割为单颗LED，切割的刀片厚度为2mm。
S9、将单颗LED用锡膏粘附于PCB板1，将锡膏在回流焊炉中固化，然后在LED周围填充密封胶水，密封胶水可以为高粘度硅树脂其反射率大于或等于75％，将密封胶水烘烤固化。
S10、去除LED芯片顶部的密封胶水，保留侧面的密封胶水，得到侧面密封胶层，然后沿PCB板上两颗相邻的LED间隙进行切割，即得到单独的单面发光的LED器件。
实施例4
本实施例提供一种单面发光的LED器件封装方法，其包括如下步骤：
S1、提供一基板，基板为铝板，在基板表面贴覆热解胶膜层，采用物理气相沉积法在热解胶膜层表面沉积第一荧光粉层，第一荧光粉层原料为市售的掺杂稀土离子的硅酸盐荧光粉，其发射光波长为615nm,沉积时间为10min。
S2、采用物理气相沉积法在第一荧光粉层表面沉积第二荧光粉层，第二荧光粉层的原料为塞隆荧光粉，其发射光波长为525nm,沉积时间为5min，物理气相沉积过程中，腔室压力为600Pa,功率为300瓦。
S3、在第二荧光粉表面填充封装胶水，将封装胶水添加到第二荧光粉层表面，使其自然流动沉积，填充于荧光粉的空隙中，封装胶水为折射率不小于1.45的聚氨酯，其沉积时间为10h，然后去除荧光粉层表面未深入荧光粉的封装胶水，使其表面平整得到液态荧光胶层。
S4、将得到的液态荧光胶层置于烘箱中，先以5℃/min的升温速率将将液态荧光胶层由室温升至50℃，保温1h，然后以6℃/min的升温速率升温至85℃，保温3h，最后以4℃/min的升温速率升温至160℃，保温6h，烘烤过程使液态荧光胶层中的封装胶水固化，得到固化的荧光胶层。
S5、加热去除热解胶膜层，将荧光胶层与基板分离；
S6、在基板表面再次贴覆热解胶膜层，将荧光胶层倒置贴覆于胶膜层，使第一荧光粉层位于顶层(荧光胶层的上表面)。
S7、在荧光胶层表面涂覆粘结剂，并在预设的位置上粘结若干发光芯片，该发光芯片即为LED倒装芯片，该LED倒装芯片的发射光波长为370nm，将得到的半成品置于烘箱在160℃下烘烤使粘结剂固化，发光芯片发射的紫外光与第一荧光粉层的红光、第二荧光粉层的绿光复合，形成白光发射，得到整片的白光LED器件半成品。
S8、沿LED芯片的间隙切割整片白光LED器件半成品，将其分割为单颗LED，切割的刀片厚度为1mm。
S9、将单颗LED用银胶或其它导电粘合剂粘附于PCB板，然后将粘结剂烘烤固化，然后在LED周围填充密封胶水，密封胶水可以为高粘度硅树脂其反射率大于或等于75％，将密封胶水烘烤固化。
S10、去除LED芯片顶部的密封胶水，保留侧面的密封胶水，得到侧面密封胶层，然后沿PCB板上两颗相邻的LED间隙进行切割，即得到单独的单面发光的LED器件。
实施例5
本实施例提供一种背光模组、液晶显示模组以及终端，该背光模组、液晶显示模组中包括如上所述LED器件封装方法制备得到的LED器件；该终端包括如上所述的液晶显示模组。
在本实施例中，背光模组由LED器件构成，该LED器件由如上所述LED器件封装方法制得。该背光模组可以应用于显示背光领域，可以是电视、显示器、手机等终端的背光模组，在应用于按键背光领域时，该背光模组可以作为手机、计算器、键盘等具有按键设备的按键背光光源。
在本实施例中，液晶显示模组由背光模组构成，该背光模组又包括由如上所述LED器件封装方法制得的LED器件。该液晶显示模组可以应用于:电力测控终端、注塑机电脑、数控***、人机界面、医疗仪器、生化分析、纺织机械控制、税控机、彩票机、食品检测、色谱分析、电子测量、环境实验设备、消防安全、汽车电子和数据采集等领域。
在本实施例中，终端由上述液晶显示模组构成，而液晶显示模组包括显示模组，该显示模组由如上所述LED器件封装方法制得的LED器件构成；该终端可以包括诸如手机、平板电脑、笔记本电脑、掌上电脑、个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)、便捷式媒体播放器(Portable MediaPlayer，PMP)、导航装置、可穿戴设备、智能手环、计步器等具有液晶显示屏的移动终端，以及诸如数字TV、台式计算机等具有液晶显示屏的固定终端。
需要理解的是，由如上所述LED器件的封装方法制备得到的LED器件，可以应用于各种发光领域，不仅限于背光模组、液晶显示模组以及终端，还可应用于拍摄领域、家用照明领域、医用照明领域、装饰领域、汽车领域、交通领域等：
应用于拍摄领域时，可以制作成摄像头的闪光灯；
应用于家用照明领域时，可以制作成落地灯、台灯、照明灯、吸顶灯、筒灯、投射灯等；
应用于医用照明领域时，可以制作成手术灯、低电磁照明灯等；
应用于装饰领域时可以制作成各种装饰灯，例如各种彩灯、景观照明灯、广告灯；
应用于汽车领域时，可以制作成汽车车灯、汽车指示灯等；
应用于交通领域时，可以制成各种交通灯，也可以制成各种路灯。
上述应用仅仅是本实施例所示例的几种应用，应当理解的是本实施例中的LED的应用并不限于上述示例的几种领域。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定，对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举，而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (10)

1.一种LED器件，其特征在于，所述器件由PCB板、发光芯片、荧光胶层和侧面密封胶层组成；所述发光芯片贴于荧光胶层下方并与之形成发光组件；所述发光组件侧面设置有侧面密封胶层；所述发光组件和侧面密封胶层设置在所述PCB板上；所述荧光胶层至少由两种不同的荧光粉分别沉积后，填充封装胶水制成。
2.如权利要求1所述的LED器件，其特征在于，所述荧光胶层包括第一荧光粉、第二荧光粉；所述第一荧光粉、第二荧光粉相对集中分布在靠近所述发光芯片的荧光胶层内，所述第一荧光粉的发射光波长范围为500-680nm，所述第二荧光粉的发射光波长范围为500-680nm。
3.一种如权利要求1所述LED器件的LED器件封装方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
S1、在基板表面贴覆第一胶膜层，在所述第一胶膜层表面采用物理气相沉积法沉积第一荧光粉；
S2、在所述第一荧光粉的表面分别沉积至少一层荧光粉；
S3、在包括第一荧光粉在内的荧光粉表面填充封装胶水，使封装胶水填充于荧光粉制得液态荧光胶；
S4、烘烤所述液态荧光胶形成荧光胶层，所述封装胶水相对集中分布在所述荧光胶层内的上侧并形成顶面封装胶层；
S5、去除所述第一胶膜层，将所述荧光胶层与基板分离；
S6、在基板表面贴覆第二胶膜层，将所述荧光胶层倒置于所述第二胶膜层；
S7、在所述荧光胶层表面粘结至少一颗发光芯片，并进行烘烤，使所述发光芯片的发光面粘结固定于所述荧光胶层上；
S8、沿发光芯片的间隙切割步骤S7所得半成品，得到单颗发光组件；
S9、在PCB板上粘附至少两颗发光组件，并进行固化处理，使所述发光组件的发光芯片固定在PCB板上；
S10、在所述发光组件周围填充密封胶水，烘烤固化所述密封胶水，在所述发光组件周围形成侧面封装胶层；
S11、去除所述发光组件顶面的密封胶水，沿PCB板上相邻两颗发光组件的间隙进行切割，得到LED器件，所述LED器件中顶面封装胶层的表面为LED器件的发光面。
4.如权利要求3所述的LED器件封装方法，其特征在于，沉积光粉所采用的物理气相沉积法的工艺参数为：腔室压力100-1000Pa，功率100-500瓦；所述第一荧光粉的沉积时间为0.5-20min。
5.如权利要求3所述的LED器件封装方法，其特征在于，所述步骤S4中的烘烤过程为：首先以1-10℃/min的升温速率将所述液态荧光胶由室温升至40-60℃，保温0.5-2h，然后以1-10℃/min的升温速率升温至65-90℃，保温0.5-4h，最后以1-10℃/min的升温速率升温至120-200℃，保温1-12h。
6.如权利要求3-5任一项所述的LED器件封装方法，其特征在于，所述封装胶水的折射率不小于1.45，所述封装胶水包括硅树脂、环氧树脂或聚氨酯。
7.如权利要求3-5任一项所述的LED器件封装方法，其特征在于，所述荧光粉包括硅酸盐、铝酸盐、氟化物、磷酸盐、氮化物或硫化物荧光粉；所述发光芯片的发射光波长为230-480nm；所述步骤S7中烘烤的温度为120-180℃。
8.一种背光模组，其特征在于，所述背光模组包括如权利要求3所述的LED器件封装方法制得的LED器件。
9.一种液晶显示模组，其特征在于，所述液晶显示模组包括如权利要求8所述的背光模组。
10.一种终端，其特征在于，所述终端包括如权利要求9所述的液晶显示模组。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104916763A (zh) * 2015-05-29 2015-09-16 广州市鸿利光电股份有限公司 一种芯片级封装led的封装方法
US20150311405A1 (en) * 2012-12-10 2015-10-29 Citizen Holding Co., Ltd. Led device and manufacturing method thereof
CN105720166A (zh) * 2014-12-05 2016-06-29 晶能光电（江西）有限公司 一种白光led芯片的制备方法
CN105938869A (zh) * 2016-06-21 2016-09-14 深圳市兆驰节能照明股份有限公司 双层结构芯片级封装光源及其制造方法
CN107275460A (zh) * 2017-07-12 2017-10-20 惠州市聚飞光电有限公司 一种单面发光的led器件及封装方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150311405A1 (en) * 2012-12-10 2015-10-29 Citizen Holding Co., Ltd. Led device and manufacturing method thereof
CN105720166A (zh) * 2014-12-05 2016-06-29 晶能光电（江西）有限公司 一种白光led芯片的制备方法
CN104916763A (zh) * 2015-05-29 2015-09-16 广州市鸿利光电股份有限公司 一种芯片级封装led的封装方法
CN105938869A (zh) * 2016-06-21 2016-09-14 深圳市兆驰节能照明股份有限公司 双层结构芯片级封装光源及其制造方法
CN107275460A (zh) * 2017-07-12 2017-10-20 惠州市聚飞光电有限公司 一种单面发光的led器件及封装方法

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