CN102620167B - 一种透明陶瓷白光led及其制备方法 - Google Patents

Abstract

一种透明陶瓷白光LED，包括支架、蓝光LED芯片和铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片，所述铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片材料的化学式为：(Y_1-xCe_x)₃Al₅O₁₂，式中0.0005≤x≤0.005。其封装方法如下：(1)将蓝光LED芯片放在支架所设置的凹槽内；(2)将蓝光LED芯片的金线与安装在支架底部的电极焊接；(3)向支架的凹槽内填充硅胶，将铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片覆盖在硅胶上完成各构件的组合；(4)将步骤(3)形成的组合体在100℃～120℃烘烤至硅胶固化，当硅胶固化后，所述铈掺杂钇铝石榴石陶瓷片与蓝光LED芯片被固定在支架上，即形成透明陶瓷白光LED。

Description

一种透明陶瓷白光LED及其制备方法

技术领域

本发明涉及白光LED领域，特别涉及一种透明陶瓷白光LED及其制备方法。

背景技术

以发光二极管(LED)为主的半导体照明是21世纪最具有发展前景的高新技术领域。作为一种新颖的半导体光源，白光LED以其效率高、功耗小、寿命长、固态节能以及绿色环保等显著优点，真正点燃了“绿色照明的光辉”，这是许多传统的光源无法比拟的，因而具有广泛的应用前景。其应用领域包括液晶显示器(LCD)背光源(汽车、音响仪表板、手机背光板)、交通信号灯、室内照明、广场照明等。受手机、汽车产业等领域高速发展和普通照明市场的需求，人们对白光LED的需求量急剧增加。因此，白光LED的市场潜力可以说是相当巨大的。

目前白光LED的主流技术仍是荧光粉转换，即将荧光粉Y₃Al₅O₁₂:Ce(YAG:Ce)与灌封胶混合，然后点涂在蓝光LED芯片上，通过波长转换形成白光，荧光粉涂层厚度约2mm，外面的保护透镜常用聚碳酸酯(PC)或有机玻璃。由于现有白光LED的结构和荧光粉的性能，使得现有白光LED主要存以下问题：

1、光提取率不高。常用荧光粉粒径在1um以上，折射率大于或等于1.85，而灌封硅胶折射率一般在1.5左右，由于两者间折射率不匹配，以及荧光粉粒径远大于光散射极限，因而在荧光粉颗粒表面存在光散射，降低了出光效率。

2、耐热性差。随着温度上升，荧光粉量子效率降低，出光减少，辐射波长也会发生变化，从而引起白光LED色温、色度的变化，较高的温度还会加速荧光粉的老化。原因在于荧光粉涂层是由环氧或硅胶与荧光粉调配而成，散热性能较差，当受到紫光或紫外光的辐射时，易发生温度猝灭和老化，使发光效率降低。

3、散热性能不佳。常用白光LED的透镜外壳多用PC，其温度不能超过110℃，且热导率不高，为0.1975W/mK，因此散热性能不佳。这些问题的解决是LED快速发展的关键。

为了解决上述问题，有不少专利或专利申请问世：

CN1815765A公开了一种YAG晶片式白光发光二极管及其封装方法，将稀土掺杂的YAG晶片用作荧光材料以替代荧光粉。但是由于晶体生长方面的限制，大尺寸的YAG单晶材料需要特殊的设备和复杂的工艺，与陶瓷相比，其制备周期长、成本较高、易于开裂，因此使该方法的应用受到限制。

CN101697367A公开了一种利用透明陶瓷制备LED的方法，该方法将定量的荧光粉加入到透明陶瓷粉体中，充分混合后按陶瓷制备工艺制备出荧光透明陶瓷。所述荧光粉包括黄色、红色、绿色、橙色、蓝色、紫色荧光粉中的一种或多种按比例混合而成，所述透明陶瓷粉体的材料为镁铝尖晶石、钇铝石榴石、氧化钇、氮氧化铝等中的一种。此种方法存在的问题是：荧光粉与陶瓷粉体晶格常数、折射率等不匹配，因而在烧结过程中不能完全互溶，所制备的透明陶瓷均匀性、透光率不高，导致封装的白光LED灯的出射光在空间分布不均匀，光提取率不高。

CN201576698U公开了一种透明陶瓷白光LED器件，包括作为发光材料的块体透明陶瓷发光体，LED芯片以及承载LED芯片和透明陶瓷发光体的载体，LED芯片位于载体开设的凹槽底部，透明陶瓷发光体直接叠放在LED芯片上或镶嵌在载体中。该专利用块体透明陶瓷发光体取代荧光粉虽然有效减少了光的散射，有利于提高发光效率，相对于单晶材料的制备，工艺更为简化，但该专利并未公开所述块体透明陶瓷发光体的成分，也未公开其透明陶瓷白光LED器件的发光效率，而透明陶瓷发光体的成分对发光效率的提高是重要因素之一。此外，其LED芯片位于载体开设的凹槽底部，透明陶瓷发光体直接叠放在LED芯片上并不能实现它们在载体上的固定，对透明陶瓷白光LED器件的正常工作与使用寿命也会造成影响，LED芯片在载体上的镶嵌会使载体的制备工序增加。

发明内容

本发明的目的是提供一种透明陶瓷白光LED及其制备方法，以进一步提高白光LED的发光效率，改善散热条件、使其工作稳定、使用寿命长，封装更简单。

本发明所述透明陶瓷白光LED，包括支架、蓝光LED芯片和透明陶瓷荧光体，所述透明陶瓷荧光体为铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片，蓝光LED芯片位于支架所设置的凹槽内且与支架底部安装的电极连接，铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片覆盖蓝光LED芯片，通过填充在铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片与蓝光LED芯片之间的硅胶将所述透明陶瓷片与所述LED芯片固定在支架上。

本发明所述透明陶瓷白光LED，其铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片用化学式为(Y_1-xCe_x)₃Al₅O₁₂的材料制作，式中0.0005≤x≤0.005。

本发明所述透明陶瓷白光LED，其铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片的厚度为0.1mm～1.0mm。

上述铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片的制备方法为：根据化学式(Y_1-xCe_x)₃Al₅O₁₂(0.0005≤x≤0.005)计量钇盐、铝盐和铈盐，将钇盐、铝盐和铈盐用去离子水溶解并混合均匀，配制成Al³⁺浓度为0.1mol/L～0.2mol/L的混合盐溶液；将NH₄HCO₃溶于乙醇-水复合溶剂中，配制NH₄HCO₃浓度为0.5mol/L～2mol/L的沉淀剂溶液，所述乙醇与水的体积比为0.5∶1～1.2∶1；将所述混合盐溶液在常压、10℃～20℃下滴定到所述沉淀剂溶液中，滴定结束后陈化至少10小时，然后经真空抽滤、洗涤、烘干，得到前驱体；将所述前驱体在1100～1250℃焙烧2～3小时，得到铈掺杂钇铝石榴石粉体；将所述铈掺杂钇铝石榴石粉体经过干压成型和冷等静压形成素坯，再将素坯放到真空烧结炉中在1700～1780℃烧结至少10小时，得到铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片。

上述铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片的制备方法中，所述钇盐为Y(NO₃)₃或YCl₃，所述铝盐为NH₄Al(SO₄)₂或Al(NO₃)₃，所述铈盐为Ce(NO₃)₃。

本发明具有以下有益效果：

(1)由于本发明所述透明陶瓷白光LED的发光体是用化学式为(Y_1-xCe_x)₃Al₅O₁₂(0.0005≤x≤0.005)的材料制作的透明陶瓷片，所述透明陶瓷片的折射率为1.85(400nm处)，因而可以提高白光LED器件的发光性能，使其光提取效率高(光效可达99.48lm/W，见实施例2)。

(2)本发明所述透明陶瓷白光LED的发光体中，其铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片的热导率为12.9W/mK，是硅胶热导率的5～40倍，是环氧树脂和聚碳酸酯(PC)热导率的的65倍(环氧树脂的热导率为0.19W/mK，硅胶的热导率为0.3～2.5W/mK，聚碳酸酯(PC)透镜外壳的热导率为0.1975W/mK)，因而可以有效改善蓝光LED芯片的散热效果，提高白光LED的稳定性。

(3)本发明所述透明陶瓷白光LED，其发光体铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片耐高温、热稳定性高、力学性能好、透明度高，因而无需再加透镜外壳，使器件更耐磨损、抗冲击，能在高温环境应用。

(4)由于铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片在大小和形状上可以精确控制，因而可简化集成封装工艺，提高制作功效。

附图说明

图1是本发明所述透明陶瓷白光LED的结构示意图；

图2是图1的俯视图，图中为去除铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片和硅胶的状态；

图3是实施例1所述透明陶瓷白光LED的光谱能量分布图；

图4是实施例2所述透明陶瓷白光LED的光谱能量分布图；

图5是实施例3所述透明陶瓷白光LED的光谱能量分布图。

图中，1-支架、2-蓝光LED芯片、3-铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片、4-硅胶，5-金线，6-电极。

具体实施方式

下面通过实施例对本发明所述透明陶瓷白光LED及其制备方法作进一步说明。下述实施例中，蓝光LED芯片的型号为晶元芯片ES-CADBV45H，购自深圳市顺百科技有限公司；支架用聚酰胺(PPA)和铜材料制备，硅胶为透明硅胶。

实施例1

本实施例中，透明陶瓷白光LED的结构如图1、图2所示，包括支架1、蓝光LED芯片2和铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片3，支架为设置有凹槽的圆台体，铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片3为厚度1mm的圆片，用化学式为(Y_0.995Ce_0.005)₃Al₅O₁₂的材料制作，制备方法如下：按照上述化学式中的组成计量Y(NO₃)₃、NH₄Al(SO₄)₂、Ce(NO₃)₃，将Y(NO₃)₃、NH₄Al(SO₄)₂、Ce(NO₃)₃用去离子水溶解并混合均匀，配制成Al³⁺浓度为0.1mol/L的混合盐溶液。将NH₄HCO₃溶于乙醇-水复合溶剂中，配制NH₄HCO₃浓度为1mol/L的沉淀剂溶液，所述乙醇与水的体积比为0.5∶1；将所述混合盐溶液在常压、15℃下滴定到所述沉淀剂溶液中，滴定结束后陈化10小时；对陈化好的沉淀溶液进行真空抽滤，得到乳白色沉淀物，然后用去离子水将沉淀物清洗3次，除去杂质离子，再用无水乙醇清洗2次，除去水分；将洗涤后的白色沉淀物放入干燥箱中，在常压、90℃干燥24小时得到前驱体；将前驱体在1100℃焙烧3小时，得到铈掺杂钇铝石榴石粉体。将所述铈掺杂钇铝石榴石粉体经过干压成型和冷等静压形成厚度为1mm的圆形素坯，再将所述素坯放到真空烧结炉中在1730℃烧结10小时，得到铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片。

将蓝光LED芯片2放在支架1所设置的凹槽内，将蓝光LED芯片2的金线5与安装在支架底部的电极6焊接，然后将硅胶4填充到支架的凹槽内，填充厚度约0.6mm，再将铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片3覆盖在硅胶4上完成各构件的组合，继后将形成的的组合体放入烘箱，在120℃烘烤至硅胶固化(约4小时)，当硅胶固化后，所述铈掺杂钇铝石榴石陶瓷片与蓝光LED芯片被固定在支架上，即形成图1、图2所示的透明陶瓷白光LED。

本实施例所制备的透明陶瓷白光LED在350mA恒流驱动下，其光谱能量分布图如图3所示。其性能指标如下：

光效：96.86lm/W

显色指数：56.8

色温：4252K。

实施例2

本实施例中，透明陶瓷白光LED的结构如图1、图2所示，包括支架1、蓝光LED芯片2和铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片3，支架为设置有凹槽的圆台体，铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片3为厚度1mm的圆片，用化学式为(Y_0.999Ce_0.001)₃Al₅O₁₂的材料制作，制备方法如下：按照上述化学式中的组成计量Y(NO₃)₃、NH₄Al(SO₄)₂、Ce(NO₃)₃，将Y(NO₃)₃、NH₄Al(SO₄)₂、Ce(NO₃)₃用去离子水溶解并混合均匀，配制成Al³⁺浓度为0.15mol/L的混合盐溶液。将NH₄HCO₃溶于乙醇-水复合溶剂中，配制NH₄HCO₃浓度为0.5mol/L的沉淀剂溶液，所述乙醇与水的体积比为1∶1；将所述混合盐溶液在常压、20℃下滴定到所述沉淀剂溶液中，滴定结束后陈化12小时；对陈化好的沉淀溶液进行真空抽滤，得到乳白色沉淀物，然后用去离子水将沉淀物清洗3次，除去杂质离子，再用无水乙醇清洗2次，除去水分；将洗涤后的白色沉淀物放入干燥箱中，在常压、90℃干燥24小时得到前驱体；将前驱体在1250℃焙烧2小时，得到铈掺杂钇铝石榴石粉体。将所述铈掺杂钇铝石榴石粉体经过干压成型和冷等静压形成厚度为1mm的圆形素坯，再将所述素坯放到真空烧结炉中在1750℃烧结12小时，得到铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片。

本实施例中，透明陶瓷白光LED各构件或器件的组合方式及封装方法与实施例1相同。

本实施例所制备的透明陶瓷白光LED在350mA恒流驱动下，其光谱能量分布图如图4所示。其性能指标如下：

光效：99.48lm/W

显色指数：60.3

色温：4804K。

实施例3

本实施例中，透明陶瓷白光LED的结构如图1、图2所示，包括支架1、蓝光LED芯片2和铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片3，支架为设置有凹槽的圆台体，铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片3为厚度1mm的圆片，用化学式为(Y_0.9995Ce_0.0005)₃Al₅O₁₂的材料制作，制备方法如下：按照上述化学式中的组成计量Y(NO₃)₃、Al(NO₃)₃、Ce(NO₃)₃，将Y(NO₃)₃、Al(NO₃)₃、Ce(NO₃)₃用去离子水溶解并混合均匀，配制成Al³⁺浓度为0.2mol/L的混合盐溶液。将NH₄HCO₃溶于乙醇-水复合溶剂中，配制NH₄HCO₃浓度为2mol/L的沉淀剂溶液，所述乙醇与水的体积比为1.2∶1；将所述混合盐溶液在常压、10℃下滴定到所述沉淀剂溶液中，滴定结束后陈化10小时；对陈化好的沉淀溶液进行真空抽滤，得到乳白色沉淀物，然后用去离子水将沉淀物清洗3次，除去杂质离子，再用无水乙醇清洗2次，除去水分；将洗涤后的白色沉淀物放入干燥箱中，在常压、90℃干燥24小时得到前驱体；将前驱体在1200℃焙烧2.5小时，得到铈掺杂钇铝石榴石粉体。将所述铈掺杂钇铝石榴石粉体经过干压成型和冷等静压形成厚度为1mm的圆形素坯，再将所述素坯放到真空烧结炉中在1780℃烧结10小时，得到铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片。

本实施例中，透明陶瓷白光LED各构件或器件的组合方式及封装方法与实施例1相同。

本实施例所制备的透明陶瓷白光LED在350mA恒流驱动下，其光谱能量分布图如图5所示。其性能指标如下：

光效：85.11lm/W

显色指数：67.4

色温：6560K。

实施例4

本实施例中，透明陶瓷白光LED的结构如图1、图2所示，包括支架1、蓝光LED芯片2和铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片3，支架为设置有凹槽的圆台体，铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片3为厚度0.1mm的圆片，用化学式为(Y_0.995Ce_0.005)₃Al₅O₁₂的材料制作，制备方法如下：按照上述化学式中的组成计量YCl₃、Al(NO₃)₃、Ce(NO₃)₃，将YCl₃、Al(NO₃)₃、Ce(NO₃)₃用去离子水溶解并混合均匀，配制成Al³⁺浓度为0.15mol/L的混合盐溶液。将NH₄HCO₃溶于乙醇-水复合溶剂中，配制NH₄HCO₃浓度为1mol/L的沉淀剂溶液，所述乙醇与水的体积比为0.5∶1；将所述混合盐溶液在常压、15℃下滴定到所述沉淀剂溶液中，滴定结束后陈化10小时；对陈化好的沉淀溶液进行真空抽滤，得到乳白色沉淀物，然后用去离子水将沉淀物清洗3次，除去杂质离子，再用无水乙醇清洗2次，除去水分；将洗涤后的白色沉淀物放入干燥箱中，在常压、90℃干燥24小时得到前驱体；将前驱体在1100℃焙烧3小时，得到铈掺杂钇铝石榴石粉体。将所述铈掺杂钇铝石榴石粉体经过干压成型和冷等静压形成厚度为0.1mm的圆形素坯，再将所述素坯放到真空烧结炉中在1750℃烧结10小时，得到铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片。

将蓝光LED芯片2放在支架1所设置的凹槽内，将蓝光LED芯片2的金线5与安装在支架底部的电极6焊接，然后将硅胶4填充到支架的凹槽内，填充厚度约0.3mm，再将铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片3覆盖在硅胶4上完成各构件的组合，继后将形成的的组合体放入烘箱，在100℃烘烤至硅胶固化(约3.5小时)，当硅胶固化后，所述铈掺杂钇铝石榴石陶瓷片与蓝光LED芯片被固定在支架上，即形成图1、图2所示的透明陶瓷白光LED。

本实施例所制备的透明陶瓷白光LED在350mA恒流驱动下，其光谱能量分布图如图3所示。其性能指标如下：

光效：55.92lm/W

显色指数：73.4

色温：8640K。

实施例5

本实施例中，透明陶瓷白光LED的结构如图1、图2所示，包括支架1、蓝光LED芯片2和铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片3，支架为设置有凹槽的圆台体，铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片3为厚度0.4mm的圆片，用化学式为(Y_0.999Ce_0.001)₃Al₅O₁₂的材料制作，制备方法如下：按照上述化学式中的组成计量YCl₃、Al(NO₃)₃、Ce(NO₃)₃，将YCl₃、Al(NO₃)₃、Ce(NO₃)₃用去离子水溶解并混合均匀，配制成Al³⁺浓度为0.1mol/L的混合盐溶液。将NH₄HCO₃溶于乙醇-水复合溶剂中，配制NH₄HCO₃浓度为0.5mol/L的沉淀剂溶液，所述乙醇与水的体积比为1∶1；将所述混合盐溶液在常压、20℃下滴定到所述沉淀剂溶液中，滴定结束后陈化11小时；对陈化好的沉淀溶液进行真空抽滤，得到乳白色沉淀物，然后用去离子水将沉淀物清洗3次，除去杂质离子，再用无水乙醇清洗2次，除去水分；将洗涤后的白色沉淀物放入干燥箱中，在常压、90℃干燥24小时得到前驱体；将前驱体在1250℃焙烧2小时，得到铈掺杂钇铝石榴石粉体。将所述铈掺杂钇铝石榴石粉体经过干压成型和冷等静压形成厚度为0.4mm的圆形素坯，再将所述素坯放到真空烧结炉中在1700℃烧结12小时，得到铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片。

将蓝光LED芯片2放在支架1所设置的凹槽内，将蓝光LED芯片2的金线5与安装在支架底部的电极6焊接，然后将硅胶4填充到支架的凹槽内，填充厚度约0.4mm，再将铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片3覆盖在硅胶4上完成各构件的组合，继后将形成的的组合体放入烘箱，在110℃烘烤至硅胶固化(约3.5小时)，当硅胶固化后，所述铈掺杂钇铝石榴石陶瓷片与蓝光LED芯片被固定在支架上，即形成图1、图2所示的透明陶瓷白光LED。

本实施例所制备的透明陶瓷白光LED在350mA恒流驱动下，其光谱能量分布图如图4所示。其性能指标如下：

光效：47.1lm/W

显色指数：73.8

色温：8316K。

实施例6

本实施例中，透明陶瓷白光LED的结构如图1、图2所示，包括支架1、蓝光LED芯片2和铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片3，支架为设置有凹槽的圆台体，铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片3为厚度0.7mm的圆片，用化学式为(Y_0.9995Ce_0.0005)₃Al₅O₁₂的材料制作，制备方法如下：按照上述化学式中的组成计量YCl₃、Al(NO₃)₃、Ce(NO₃)₃，将YCl₃、Al(NO₃)₃、Ce(NO₃)₃用去离子水溶解并混合均匀，配制成Al³⁺浓度为0.2mol/L的混合盐溶液。将NH₄HCO₃溶于乙醇-水复合溶剂中，配制NH₄HCO₃浓度为2mol/L的沉淀剂溶液，所述乙醇与水的体积比为1.2∶1；将所述混合盐溶液在常压、10℃下滴定到所述沉淀剂溶液中，滴定结束后陈化10小时；对陈化好的沉淀溶液进行真空抽滤，得到乳白色沉淀物，然后用去离子水将沉淀物清洗3次，除去杂质离子，再用无水乙醇清洗2次，除去水分；将洗涤后的白色沉淀物放入干燥箱中，在常压、90℃干燥24小时得到前驱体；将前驱体在1200℃焙烧2.5小时，得到铈掺杂钇铝石榴石粉体。将所述铈掺杂钇铝石榴石粉体经过干压成型和冷等静压形成厚度为0.7mm的圆形素坯，再将所述素坯放到真空烧结炉中在1780℃烧结10小时，得到铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片。

将蓝光LED芯片2放在支架1所设置的凹槽内，将蓝光LED芯片2的金线5与安装在支架底部的电极6焊接，然后将硅胶4填充到支架的凹槽内，填充厚度约0.5mm，再将铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片3覆盖在硅胶4上完成各构件的组合，继后将形成的的组合体放入烘箱，在120℃烘烤至硅胶固化(约4小时)，当硅胶固化后，所述铈掺杂钇铝石榴石陶瓷片与蓝光LED芯片被固定在支架上，即形成图1、图2所示的透明陶瓷白光LED。

本实施例所制备的透明陶瓷白光LED在350mA恒流驱动下，其光谱能量分布图如图5所示。其性能指标如下：

光效：59.85lm/W

显色指数：76.4

色温：10084K。

Claims (4)

1.一种透明陶瓷白光LED，包括支架（1）、蓝光LED芯片（2）和透明陶瓷荧光体，其特征在于所述透明陶瓷荧光体为铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片（3），蓝光LED芯片（2）位于支架（1）所设置的凹槽内且与支架底部安装的电极（6）连接，铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片（3）覆盖蓝光LED芯片（2），通过填充在铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片（3）与蓝光LED芯片（2）之间的硅胶（4）将所述透明陶瓷片（3）与所述LED芯片（2）固定在支架上；所述铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片（3）材料的化学式为：(Y_1-xCe_x)₃Al₅O₁₂，式中0.0005≤x≤0.005。

2.根据权利要求1所述的透明陶瓷白光LED，其特征在于所述铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片（3）的制备方法如下：

根据化学式(Y_1-xCe_x)₃Al₅O₁₂计量钇盐、铝盐和铈盐，将钇盐、铝盐和铈盐用去离子水溶解并混合均匀，配制成Al³⁺浓度为0.1mol/L～0.2mol/L的混合盐溶液；将NH₄HCO₃溶于乙醇－水复合溶剂中，配制NH₄HCO₃浓度为0.5mol/L～2mol/L的沉淀剂溶液，所述乙醇与水的体积比为0.5:1～1.2:1；将所述混合盐溶液在常压、10℃～20℃下滴定到所述沉淀剂溶液中，滴定结束后陈化至少10小时，然后经真空抽滤、洗涤、烘干，得到前驱体；将所述前驱体在1100～1250℃焙烧2～3小时，得到铈掺杂钇铝石榴石粉体；将所述铈掺杂钇铝石榴石粉体经过干压成型和冷等静压形成素坯，再将素坯放到真空烧结炉中在1700～1780℃烧结至少10小时，得到铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片。

3.根据权利要求2所述的透明陶瓷白光LED，其特征在于所述钇盐为Y(NO₃)₃或YCl₃，所述铝盐为NH₄Al(SO₄)₂或Al(NO₃)₃，所述铈盐为Ce(NO₃)₃。

4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的透明陶瓷白光LED，其特征在于所述铈掺杂钇铝石榴石透明陶瓷片（3）的厚度为0.1mm～1.0mm。

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