CN109980072A - Led器件及封装方法、背光模组、液晶显示模组和终端 - Google Patents
Led器件及封装方法、背光模组、液晶显示模组和终端 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109980072A CN109980072A CN201711450877.0A CN201711450877A CN109980072A CN 109980072 A CN109980072 A CN 109980072A CN 201711450877 A CN201711450877 A CN 201711450877A CN 109980072 A CN109980072 A CN 109980072A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- glue
- fluorescent
- led component
- line
- adhesive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 96
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 82
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims abstract description 82
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 63
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 46
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 32
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims description 30
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 20
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 claims description 18
- 238000010792 warming Methods 0.000 claims description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 16
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 6
- 239000004568 cement Substances 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 5
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims description 3
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical class O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 16
- 239000000047 product Substances 0.000 description 9
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 9
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 229910002114 biscuit porcelain Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 5
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 5
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical group [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- -1 rare-earth ions Chemical class 0.000 description 4
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000012742 biochemical analysis Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- IBIRZFNPWYRWOG-UHFFFAOYSA-N phosphane;phosphoric acid Chemical compound P.OP(O)(O)=O IBIRZFNPWYRWOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000004753 textile Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133602—Direct backlight
- G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明公开了一种LED器件及封装方法、背光模组、液晶显示模组和终端，该LED器件的封装方法采用物理气相沉积法沉积预先制备得到的混合荧光粉，然后在混合荧光粉表面填充封装胶水并烘烤得到荧光胶层，基于荧光胶层得到透光胶层，将得到的透光胶层倒置于基板上，在混合荧光粉表面粘结发光芯片，烘烤固化发光芯片后进行切割即得到单颗的发光组件，在PCB板上粘结至少两颗发光组件后进行切割，得到封装后单面发光的LED器件；通过该方法制得的LED器件体积小，厚度低，适用于手机等对轻薄度要求较高的背光源，解决了传统的支架型LED器件难于缩小尺寸、生产得到的小尺寸LED器件的生产良率低的问题。
Description
技术领域
本发明涉及LED封装技术领域，更具体的说，涉及一种LED器件及其封装方法以及背光模组、液晶显示模组和终端。
背景技术
发光二极管(LED)是一种固态半导体器件，利用固体半导体芯片作为发光材料，当两端加上正向电压，半导体中的载流子发生复合，放出过剩的能量而引起光子发射产生可见光。在制作上，除了要对LED芯片的两个电极进行焊接，从而引出正、负极之外，还需要对LED芯片和两个电极进行保护，即进行LED封装。
目前，市面上主流的LED封装形式为带支架的LED光源，这种封装形式封装光源的尺寸比芯片本身尺寸要大很多，荧光粉工艺沿用传统的点胶、喷涂等，但是这种传统的封装形式已逐渐无法满足用户对LED产品小型化、集成化、高亮度的需求，尤其是随着手机等电子产品越来越追求窄边框和轻薄化，作为背光源的LED灯珠也要做到更小和更薄，按照传统支架式背光产品的结构设计，将支架结构缩小则会减小LED芯片的尺寸，从而降低灯珠的亮度，但是对于背光产品，灯珠亮度是在持续增加的，降低亮度的产品势必无法被消费者接受，同时，支架式结构的LED由于受到封装工艺的限制，尺寸越小加工难度越高，当LED灯珠厚度小于或等于0.3mm时，支架结构很难实现。
因此，传统支架式LED封装结构中芯片安放时受到固晶机台高度的限制而导致无法在支架结构缩小的前提下安放大尺寸芯片，进一步无法满足用户对高亮度需求的问题是亟待解决的。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于：现有传统支架型LED器件尺寸太大而不适用于轻薄型产品，且其无法满足用户对高亮度需求的问题，本发明提供一种LED器件及其封装方法以及由该LED器件的封装方法制得的LED器件构成的背光模组、液晶显示模组和终端。
为解决上述技术问题，本发明提供一种单面发光的LED器件，该器件包括PCB板和远离PCB板依次设置的发光芯片、透光胶层；发光芯片、透光胶层形成发光组件，发光组件侧面设置有侧面密封胶层；透光胶层至少由荧光胶层组成；荧光胶层由混合荧光粉沉积后，填充封装胶水制成
可选的，荧光胶层贴于发光芯片上，荧光胶层至少包含第一荧光粉、第二荧光粉，第一荧光粉、第二荧光粉中分布在靠近发光芯片的荧光胶层内；第一荧光粉的发射光波长范围为500-680nm，第二荧光粉的发射光波长范围为500-680nm。
进一步的，本发明还提供一种的单面发光的LED器件的封装方法，其包括如下步骤：
S1、混合至少两种不同的荧光粉制得混合荧光粉；
S2、在基板表面贴覆第一胶膜层，在第一胶膜层表面采用物理气相沉积法沉积混合荧光粉；
S3、在混合荧光粉表面填充封装胶水，使封装胶水填充于混合荧光粉形成液态荧光胶，混合荧光粉集中分布在靠近第一胶膜层的液态荧光胶内；
S4、烘烤液态荧光胶形成荧光胶层，基于荧光胶层制得透光胶层，透光胶层中的荧光胶层位于第一胶膜层上方并与之接触；
S5、去除第一胶膜层，将透光胶层与基板分离；
S6、在基板表面贴覆第二胶膜层，将透光胶层倒置于第二胶膜层上；
S7、在透光胶层的荧光胶层表面粘结至少一颗发光芯片，并进行烘烤，使发光芯片的发光面粘结固定在荧光胶层上；
S8、沿发光芯片的间隙切割步骤S7所得半成品，得到单颗发光组件；
S9、在PCB板上粘附至少两颗发光组件，并进行固化处理，使发光组件的发光芯片固定在PCB板上；
S10、在发光组件周围填充密封胶水，烘烤固化密封胶水在发光组件周围形成侧面封装胶层；
S11、去除发光组件顶面的密封胶水，沿PCB板上相邻两颗发光组件的间隙进行切割，得到单面发光的LED器件。
可选的，步骤S4中基于荧光胶层制得透光胶层的步骤包括：
直接将荧光胶层作为透光胶层制得透光胶层；
或，
S41、在荧光胶层表面涂覆顶面封装胶水，在涂覆后进行烘烤，使顶面封装胶水固化制得透光胶层。
可选的，步骤S41中的烘烤固化顶面封装胶水得到顶面封装胶层的过程为：首先以1-10℃/min的升温速率将涂覆有顶面封装胶水的荧光胶层由常温升至50-80℃，保温1-3h，然后以1-10℃/min的升温速率升温至100-200℃，保温1-9h。
可选的，步骤S4中烘烤液态荧光胶层的过程为：首先以1-10℃/min的升温速率将液态荧光胶层由室温升至40-60℃，保温0.5-2h，然后以1-
10℃/min的升温速率升温至65-90℃，保温0.5-4h，最后以1-10℃/min的升温速率升温至120-200℃，保温1-12h。
可选的，荧光粉为硅酸盐、铝酸盐、氟化物、磷酸盐、氮化物或硫化物荧光粉，发光芯片的发射光波长为230-480nm；步骤S6中烘烤固定发光芯片的温度为120-180℃。
进一步的，本发明还提供一种背光模组，该背光模组包括如上所述LED器件封装方法制备得到的LED器件。
进一步的，本发明还提供一种液晶显示模组，该液晶显示模组包括如上所述的背光模组。
进一步的，本发明还提供一种终端，其特征在于，该终端包括如上所述的液晶显示模组。
有益效果：
本发明提供的单面发光的LED器件，包括PCB板和远离PCB板依次设置的发光芯片、透光胶层组成，发光芯片、透光胶层形成的发光组件侧面设置有侧面密封胶层，其中，透光胶层至少包括荧光胶层，荧光胶层由至少两种不同的荧光粉混合后一次沉积工艺制成，由于该器件具有较小的尺寸，因此适用与轻薄型电子产品的背光，同时又由于该器件的尺寸较小，所以可通过在轻薄型电子产品上增加LED器件数量的方法来提高手机背光的整体亮度。
本发明还提供了一种如上的单面发光的LED器件的封装方法，该方法采用物理气相沉积法沉积预先制备得到的混合荧光粉，然后在混合荧光粉层表面填充封装胶水并烘烤得到荧光胶层，基于荧光胶层得到透光胶层，将得到的透光胶层倒置于基板上，在位于透光胶层顶面的混合荧光粉表面粘结发光芯片，烘烤固化发光芯片后进行切割即得到单颗的发光组件，在PCB板上粘结至少两颗发光组件后进行切割，得到封装后单面发光的LED器件，通过该方法制得的LED器件体积小，厚度低，适用于手机等对轻薄度要求较高的背光源，解决了传统的支架型LED器件难于缩小尺寸，并且生产小尺寸LED器件的生产良率比较低的问题，同时，通过预先制得的混合荧光粉的方式能够使提高由荧光粉与封装胶水组成的荧光胶的利用率，进一步保证LED器件的亮度和色区集中度。
进一步的，本发明还提供了背光模组、液晶显示模组、终端，该背光模组、液晶显示模组以及终端都包括如上所述LED器件的封装方法制备得到的LED器件；由于如该封装方法制备得到的LED器件尺寸较小，所以可以通过增加LED器件的方式满足用户对背光模组、液晶显示模组、终端高亮度的需求，同时，由于该LED器件尺寸小，由该LED器件制成的背光模组、液晶显示模组在通过增加LED器件进行提高亮度的过程中，不会存在受到已有固件影响而导致的无法在安放大尺寸LED器件的问题。
附图说明
为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中：
图1是本发明实施例的单面发光的LED器件的结构示意图；
图2是本发明实施例的第一种单面发光的LED器件的剖面结构示意图。
图3是本发明实施例的第二种单面发光的LED器件的剖面结构示意图。
图4是本发明实施例的单面发光的LED器件中单个发光组件的结构示意图；
图5是用于说明本发明实施例的单面发光的LED器件制造方法的概略平面图。
图中附图标记表示为：1-PCB板；2-发光芯片；3-透光胶层；31-第一荧光粉；32-第二荧光粉；33-封装胶层；4-侧面封装胶层；5-顶面封装胶层；沿图1结构示意图中的A—A’线剖视线得到图2、图3的剖面结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例对本发明作进一步详细的说明。
实施例1
本实施例提供一种单面发光的LED器件，如图1-2所示，器件包括PCB板1和沿远离PCB板1方向顺次设置的发光芯片2、透光胶层3，透光胶层包括第一荧光粉31、第二荧光粉32、封装胶层33，发光芯片2、透光胶层3形成一个发光组件，发光组件侧面设置有侧面密封胶层4。
在实际应用中，透光胶层3还包括顶面封装胶层5，如图3所示。
具体地，荧光胶层贴于发光芯片上；荧光胶层至少包含第一荧光粉、第二荧光粉，第一荧光粉、第二荧光粉中分布在靠近发光芯片的荧光胶层内；第一荧光粉的发射光波长范围为500-680nm，第二荧光粉的发射光波长范围为500-680nm。
本实施例还提供一种单面发光的LED器件封装方法，其包括如下步骤：
S1、混合至少两种不同的荧光粉制得混合荧光粉。
S2、在基板表面贴覆第一胶膜层，在第一胶膜层表面采用物理气相沉积法沉积混合荧光粉。
在实际应用中，步骤S2中，物理气相沉积法的工艺参数为：腔室压力100-1000Pa，功率100-500瓦。
S3、在混合荧光粉表面填充封装胶水，使封装胶水填充于混合荧光粉形成液态荧光胶，混合荧光粉集中分布在靠近第一胶膜层的液态荧光胶内。
S4、烘烤液态荧光胶形成荧光胶层，基于荧光胶层制得透光胶层，透光胶层中的荧光胶层位于第一胶膜层上方并与之接触。
在本实施例的一些示例中，基于荧光胶层制得透光胶层的步骤包括：
直接将荧光胶层作为透光胶层制得透光胶层；
或，
S41、在荧光胶层表面涂覆顶面封装胶水，在涂覆后进行烘烤，使顶面封装胶水固化制得透光胶层。
在本实施例的一些示例中，烘烤固化顶面封装胶水的过程为：首先以1-10℃/min的升温速率将涂覆有顶面封装胶水的荧光胶层由常温升至50-80℃，保温1-3h，然后以1-10℃/min的升温速率升温至100-200℃，保温1-9h。
在本实施例的一些示例中，制得的透光胶层的厚度为100-400μm。
在本实施例中，步骤S4中烘烤液态荧光胶形成荧光胶层的过程为：首先以1-10℃/min的升温速率将液态荧光胶由室温升至40-60℃，保温0.5-2h，然后以1-10℃/min的升温速率升温至65-90℃，保温0.5-4h，最后以1-10℃/min的升温速率升温至120-200℃，保温1-12h。
S5、去除第一胶膜层，将透光胶层与基板分离。
S6、在基板表面贴覆第二胶膜层，将透光胶层倒置于第二胶膜层上。
S7、在透光胶层的荧光胶层表面粘结至少一颗发光芯片，并进行烘烤，使发光芯片的发光面粘结固定在荧光胶层上。
在本实施例的一些示例中，荧光粉包括硅酸盐、铝酸盐、氟化物、磷酸盐、氮化物或硫化物荧光粉，发光芯片的发射光波长为230-480nm；步骤S7中烘烤固定发光芯片的温度为120-180℃。
S8、沿发光芯片的间隙切割步骤S7所得半成品，得到单颗发光组件。
S9、在PCB板上粘附至少两颗发光组件，并进行固化处理，使发光组件的发光芯片固定在PCB板上。
在本实施例的一些示例中，步骤S9中的固化处理包括：烘烤固化、回流固化。
S10、在发光组件周围填充密封胶水，烘烤固化密封胶水在发光组件周围形成侧面封装胶层。
S11、去除发光组件顶面的密封胶水，沿PCB板上相邻两颗发光组件的间隙进行切割，得到单面发光的LED器件。
实施例2
本实施例提供一种单面发光的LED器件封装方法，其包括如下步骤：
S1、提供一基板，基板为玻璃基板，在基板表面贴覆热解胶膜层，采用物理气相沉积法在热解胶膜层表面依次沉积混合第一荧光粉层和第二荧光粉层的混合荧光粉层，第一荧光粉层原料为市售的掺杂稀土离子的硅酸盐荧光粉，其发射光波长为580nm，第二荧光粉层的原料为塞隆荧光粉，其发射光波长为500nm，物理气相沉积过程中，腔室压力为100Pa,功率为100瓦。
S2、在第二荧光粉表面填充封装胶水，将封装胶水添加到第二荧光粉层表面，使其自然流动沉积，填充于荧光粉的空隙中，封装胶水为折射率不小于1.5的硅树脂，其沉积时间为1h，然后去除荧光粉层表面未深入荧光粉的第一封装胶水，使其表面平整。
S3、将步骤S2得到的半成品置于烘箱中，先以1℃/min的升温速率将半成品由室温升至40℃，保温0.5h，然后以1℃/min的升温速率升温至65℃，保温0.5h，最后以1℃/min的升温速率升温至120℃，保温1h，得到固化的荧光胶层。
在步骤S3后，存在步骤S31、在荧光胶层表面涂覆顶面封装胶水，顶面封装胶水为折射率不小于1.4的聚氨酯封装胶，将涂覆有聚氨酯封装胶的半成品置于烘箱，先以1℃/min的升温速率将涂覆有顶面封装胶水的半成品由常温升至50℃，保温1h，然后以1℃/min的升温速率升温至100℃，保温1h，得到透光胶层，透光胶层的厚度为100mm，透光胶层并非为透明胶层，而为一个可以透光的胶层组件。
S4、加热去除热解胶膜层，将透光胶层与基板分离。
S5、在基板表面再次贴覆热解胶膜层，将透光胶层倒置贴覆于胶膜层，使第一荧光粉层位于顶层(透光胶层的上表面)。
S6、在第一荧光粉层表面涂覆粘结剂，并在预设的位置上粘结若干发光芯片，得到整片的发光组件，粘结的发光芯片为LED倒装芯片，其发射光波长为480nm，将得到的半成品置于烘箱在120℃下烘烤使粘结剂固化，发光芯片发射的蓝光将与第一荧光粉层的红光、第二荧光粉层的绿光复合，从而形成白光发射。
S7、沿LED芯片的间隙切割整片发光组件，将其分割为单颗的发光组件，切割的刀片厚度为0.05mm。
S8、将单颗LED用银胶导电粘合剂粘附于PCB板，然后将粘结剂烘烤固化，然后在LED周围填充密封胶水，密封胶水可以为高粘度硅树脂，其反射率大于或等于75％，将密封胶水烘烤固化。
S9、去除LED芯片顶部的密封胶水，保留侧面的密封胶水，得到侧面密封胶层，然后沿PCB板上两颗相邻的LED间隙进行切割，即得到单独的单面发光的LED器件。
实施例3
本实施例提供一种单面发光的LED器件封装方法，其包括如下步骤：
S1、提供一基板，基板为陶瓷基板，在基板表面贴覆UV胶膜层，采用物理气相沉积法在UV胶膜层表面一次沉积按照第一荧光粉、第二荧光粉顺序混合的混合荧光粉得到第一荧光粉层、第二荧光粉层，第一荧光粉层原料为市售的掺杂稀土离子的磷酸盐荧光粉，其发射光波长为680nm，第二荧光粉层的原料为掺杂有稀土离子的硫化物荧光粉，其发射光波长为580nm，物理气相沉积过程中，腔室压力为1000Pa,功率为500瓦。
S2、在第二荧光粉层表面填充封装胶水，将封装胶水添加到第二荧光粉层表面，使其自然流动沉积，填充于荧光粉的空隙中，封装胶水为折射率不小于1.5的环氧树脂，其沉积时间为24h，然后去除荧光粉层表面未深入荧光粉的封装胶水，使其表面平整。
S3、将步骤S3得到的半成品置于烘箱中，先以10℃/min的升温速率将半成品由室温升至60℃，保温2h，然后以10℃/min的升温速率升温至90℃，保温4h，最后以10℃/min的升温速率升温至200℃，保温12h，得到固化的荧光胶层。
在步骤S3后，存在步骤S31、在荧光胶层表面涂覆顶面封装胶水，顶面封装胶水水为硅树脂封装胶，将涂覆有硅树脂封装胶的半成品置于烘箱，先以10℃/min的升温速率将涂覆有顶面封装胶水的半成品由常温升至80℃，保温3h，然后以10℃/min的升温速率升温至200℃，保温9h，得到透光胶层，透光胶层的厚度为400μm。
S4、去除UV胶膜层，将透光胶层与基板分离。
S5、在基板表面再次贴覆热解胶膜层，将透光胶层倒置贴覆于胶膜层，使第一荧光粉层位于顶层(透光胶层的上表面)。
S6、在第一荧光粉层表面涂覆粘结剂，并在预设的位置上粘结若干发光芯片，得到整片的发光组件，粘结的发光芯片为LED倒装芯片LED倒装芯片的发射光波长为230nm，将得到的半成品置于烘箱在180℃下烘烤使粘结剂固化，发光芯片发射的紫外光与第一荧光粉层的红光、第二荧光粉层的绿光复合，从而形成白光发射。
S7、沿LED芯片的间隙切割整片发光组件，将其分割为单颗的发光组件，切割的刀片厚度为0.05mm。
S8、将单颗LED用锡膏粘附于PCB板，将锡膏在回流焊炉中固化，然后在LED周围填充密封胶水，密封胶水可以为高粘度硅树脂其反射率大于或等于75％，将密封胶水烘烤固化。
S9、去除LED芯片顶部的密封胶水，保留侧面的密封胶水，得到侧面密封胶层，然后沿PCB板上两颗相邻的LED间隙进行切割，即得到单独的单面发光的LED器件。
实施例4
本实施例提供一种单面发光的LED器件封装方法，其包括如下步骤：
S1、提供一基板，基板为铝板，在基板表面贴覆热解胶膜层，采用物理气相沉积法在热解胶膜层表面依次沉积混合的第一荧光粉和第二荧光粉，得到第一荧光粉层、第二荧光粉层，第一荧光粉层原料为市售的掺杂稀土离子的硅酸盐荧光粉，其发射光波长为615nm，第二荧光粉层的原料为塞隆荧光粉，其发射光波长为525nm,在物理气相沉积过程中，腔室压力为600Pa,功率为300瓦。
S2、在第二荧光粉表面填充封装胶水，将封装胶水添加到第二荧光粉层表面，使其自然流动沉积，填充于荧光粉的空隙中，封装胶水为折射率不小于1.45的聚氨酯，其沉积时间为10h，然后去除荧光粉层表面未深入荧光粉的封装胶水，使其表面平整。
S3、将步骤S3得到的半成品置于烘箱中，先以5℃/min的升温速率将半成品由室温升至50℃，保温1h，然后以6℃/min的升温速率升温至85℃，保温3h，最后以4℃/min的升温速率升温至160℃，保温6h，得到固化的荧光胶层。
在步骤S3后，存在步骤S31、在荧光胶层表面涂覆顶面封装胶水，顶面封装胶水水为聚氨酯封装胶，将涂覆有聚氨酯封装胶的半成品置于烘箱，先以6℃/min的升温速率将涂覆有第二封装胶水的半成品由常温升至65℃，保温1.5h，然后以7℃/min的升温速率升温至175℃，保温5h，得到顶面封装胶层，顶面封装胶层与荧光胶层组成透光胶层，透光胶层的厚度为270mm。
S4、加热去除热解胶膜层，将透光胶层与基板分离。
S5、在基板表面再次贴覆热解胶膜层，将透光胶层倒置贴覆于胶膜层，使第一荧光粉层位于顶层(透光胶层的上表面)。
S6、在第一荧光粉层表面涂覆粘结剂，并在预设的位置上粘结若干发光芯片，得到整片的发光组件，粘结的发光芯片为LED倒装芯片，LED倒装芯片的发射光波长为370nm，将得到的半成品置于烘箱在160℃下烘烤使粘结剂固化，发光芯片发射的紫外光与第一荧光粉层的红光、第二荧光粉层的绿光复合，从而形成白光发射。
S7、沿LED芯片的间隙切割整片发光组件，将其分割为单颗LED，切割的刀片厚度为1mm。
S8、将单颗LED用银胶或其它导电粘合剂粘附于PCB板，然后将粘结剂烘烤固化，然后在LED周围填充密封胶水，密封胶水可以为高粘度硅树脂其反射率大于或等于75％，将密封胶水烘烤固化。
S9、去除LED芯片顶部的密封胶水，保留侧面的密封胶水，得到侧面密封胶层，然后沿PCB板上两颗相邻的LED间隙进行切割，即得到单独的单面发光的LED器件。
实施例5
本实施例提供一种背光模组、液晶显示模组以及终端，该背光模组、液晶显示模组中包括如上所述LED器件封装方法制备得到的LED器件；该终端包括如上所述的液晶显示模组。
在本实施例中，背光模组由LED器件构成，该LED器件由如上所述LED器件封装方法制得。该背光模组可以应用于显示背光领域，可以是电视、显示器、手机等终端的背光模组，在应用于按键背光领域时，该背光模组可以作为手机、计算器、键盘等具有按键设备的按键背光光源。
在本实施例中，液晶显示模组由背光模组构成，该背光模组又包括由如上所述LED器件封装方法制得的LED器件。该液晶显示模组可以应用于:电力测控终端、注塑机电脑、数控***、人机界面、医疗仪器、生化分析、纺织机械控制、税控机、彩票机、食品检测、色谱分析、电子测量、环境实验设备、消防安全、汽车电子和数据采集等领域。
在本实施例中，终端由上述液晶显示模组构成，而液晶显示模组包括显示模组，该显示模组由如上所述LED器件封装方法制得的LED器件构成；该终端可以包括诸如手机、平板电脑、笔记本电脑、掌上电脑、个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)、便捷式媒体播放器(Portable Media Player，PMP)、导航装置、可穿戴设备、智能手环、计步器等具有液晶显示屏的移动终端，以及诸如数字TV、台式计算机等具有液晶显示屏的固定终端。
需要理解的是，由如上所述LED器件的封装方法制备得到的LED器件，可以应用于各种发光领域，不仅限于背光模组、液晶显示模组以及终端，还可应用于拍摄领域、家用照明领域、医用照明领域、装饰领域、汽车领域、交通领域等：
应用于拍摄领域时，可以制作成摄像头的闪光灯；
应用于家用照明领域时，可以制作成落地灯、台灯、照明灯、吸顶灯、筒灯、投射灯等；
应用于医用照明领域时，可以制作成手术灯、低电磁照明灯等；
应用于装饰领域时可以制作成各种装饰灯，例如各种彩灯、景观照明灯、广告灯；
应用于汽车领域时，可以制作成汽车车灯、汽车指示灯等；
应用于交通领域时，可以制成各种交通灯，也可以制成各种路灯。
上述应用仅仅是本实施例所示例的几种应用，应当理解的是本实施例中的LED的应用并不限于上述示例的几种领域。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定，对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举，而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。
Claims (10)
1.一种LED器件，其特征在于，所述器件包括PCB板和远离所述PCB板依次设置的发光芯片、透光胶层；所述发光芯片、透光胶层形成发光组件，所述发光组件侧面设置有侧面密封胶层；所述透光胶层至少由荧光胶层组成；所述荧光胶层由混合荧光粉沉积后，填充封装胶水制成。
2.如权利要求1所述的LED器件，其特征在于，所述荧光胶层贴于所述发光芯片上；所述荧光胶层至少包含第一荧光粉、第二荧光粉，所述第一荧光粉、第二荧光粉相对集中分布在靠近所述发光芯片的荧光胶层内；所述第一荧光粉的发射光波长范围为500-680nm，所述第二荧光粉的发射光波长范围为500-680nm。
3.一种如权利要求1所述LED器件的LED器件封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、混合至少两种不同的荧光粉制得混合荧光粉；
S2、在基板表面贴覆第一胶膜层，在第一胶膜层表面采用物理气相沉积法沉积所述混合荧光粉；
S3、在所述混合荧光粉表面填充封装胶水，使封装胶水填充于混合荧光粉形成液态荧光胶，所述混合荧光粉相对集中分布在靠近第一胶膜层的液态荧光胶内；
S4、烘烤所述液态荧光胶形成荧光胶层，基于所述荧光胶层制得透光胶层，所述透光胶层中的荧光胶层位于所述第一胶膜层上方并与之接触；
S5、去除所述第一胶膜层，将所述透光胶层与基板分离；
S6、在基板表面贴覆第二胶膜层，将所述透光胶层倒置于第二胶膜层上；
S7、在所述透光胶层的荧光胶层表面粘结至少一颗发光芯片，并进行烘烤，使所述发光芯片的发光面粘结固定在所述荧光胶层上；
S8、沿发光芯片的间隙切割步骤S7所得半成品，得到单颗发光组件；
S9、在PCB板上粘附至少两颗发光组件，并进行固化处理，使所述发光组件的发光芯片固定在PCB板上；
S10、在所述发光组件周围填充密封胶水，烘烤固化所述密封胶水在所述发光组件周围形成侧面封装胶层；
S11、去除所述发光组件顶面的密封胶水，沿PCB板上相邻两颗发光组件的间隙进行切割，得到单面发光的LED器件。
4.如权利要求3所述的LED器件封装方法，其特征在于，所述步骤S4中基于所述荧光胶层制得透光胶层的步骤包括：
将所述荧光胶层直接作为所述透光胶层；
或，
S41、在所述荧光胶层表面涂覆顶面封装胶水，并进行烘烤，使所述顶面封装胶水固化，制得所述透光胶层。
5.如权利要求4所述的LED器件封装方法，其特征在于，所述步骤S41中的烘烤固化顶面封装胶水的过程为：首先以1-10℃/min的升温速率将涂覆有顶面封装胶水的荧光胶层由常温升至50-80℃，保温1-3h，然后以1-10℃/min的升温速率升温至100-200℃，保温1-9h。
6.如权利要求3-5任一项所述的LED器件封装方法，其特征在于，所述步骤S4中烘烤所述液态荧光胶形成荧光胶层的过程为：首先以1-10℃/min的升温速率将所述液态荧光胶由室温升至40-60℃，保温0.5-2h，然后以1-10℃/min的升温速率升温至65-90℃，保温0.5-4h，最后以1-10℃/min的升温速率升温至120-200℃，保温1-12h。
7.如权利要求3-5任一项所述的LED器件封装方法，其特征在于，所述荧光粉包括硅酸盐、铝酸盐、氟化物、磷酸盐、氮化物或硫化物荧光粉，所述发光芯片的发射光波长为230-480nm；所述步骤S7中烘烤的温度为120-180℃。
8.一种背光模组，其特征在于，所述背光模组包括如权利要求3所述的LED器件封装方法制得的LED器件。
9.一种液晶显示模组，其特征在于，所述液晶显示模组包括如权利要求8所述的背光模组。
10.一种终端，其特征在于，所述终端包括如权利要求9所述的液晶显示模组。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711450877.0A CN109980072A (zh) | 2017-12-27 | 2017-12-27 | Led器件及封装方法、背光模组、液晶显示模组和终端 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711450877.0A CN109980072A (zh) | 2017-12-27 | 2017-12-27 | Led器件及封装方法、背光模组、液晶显示模组和终端 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109980072A true CN109980072A (zh) | 2019-07-05 |
Family
ID=67072649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711450877.0A Pending CN109980072A (zh) | 2017-12-27 | 2017-12-27 | Led器件及封装方法、背光模组、液晶显示模组和终端 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109980072A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117790669A (zh) * | 2023-12-27 | 2024-03-29 | 深圳市欣信盈科技有限公司 | 一种用于手机屏幕的小体积led器件及其封装方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104916763A (zh) * | 2015-05-29 | 2015-09-16 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 一种芯片级封装led的封装方法 |
| US20150311405A1 (en) * | 2012-12-10 | 2015-10-29 | Citizen Holding Co., Ltd. | Led device and manufacturing method thereof |
| CN105720166A (zh) * | 2014-12-05 | 2016-06-29 | 晶能光电（江西）有限公司 | 一种白光led芯片的制备方法 |
| CN105938869A (zh) * | 2016-06-21 | 2016-09-14 | 深圳市兆驰节能照明股份有限公司 | 双层结构芯片级封装光源及其制造方法 |
| CN107275460A (zh) * | 2017-07-12 | 2017-10-20 | 惠州市聚飞光电有限公司 | 一种单面发光的led器件及封装方法 |
-
2017
- 2017-12-27 CN CN201711450877.0A patent/CN109980072A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150311405A1 (en) * | 2012-12-10 | 2015-10-29 | Citizen Holding Co., Ltd. | Led device and manufacturing method thereof |
| CN105720166A (zh) * | 2014-12-05 | 2016-06-29 | 晶能光电（江西）有限公司 | 一种白光led芯片的制备方法 |
| CN104916763A (zh) * | 2015-05-29 | 2015-09-16 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 一种芯片级封装led的封装方法 |
| CN105938869A (zh) * | 2016-06-21 | 2016-09-14 | 深圳市兆驰节能照明股份有限公司 | 双层结构芯片级封装光源及其制造方法 |
| CN107275460A (zh) * | 2017-07-12 | 2017-10-20 | 惠州市聚飞光电有限公司 | 一种单面发光的led器件及封装方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 中国照明电极协会: "《荧光灯设计与制造》", 30 June 2012 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117790669A (zh) * | 2023-12-27 | 2024-03-29 | 深圳市欣信盈科技有限公司 | 一种用于手机屏幕的小体积led器件及其封装方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101702421B (zh) | 一种白光led的制作方法 | |
| CN103367611B (zh) | 波长变换用无机成型体及其制造方法以及发光装置 | |
| CN107275460A (zh) | 一种单面发光的led器件及封装方法 | |
| CN103534822A (zh) | 发光装置及其制造方法 | |
| CN103872227B (zh) | 一种360度发光的led灯丝光源的制造方法 | |
| CN101123286A (zh) | 发光二极管封装结构和方法 | |
| CN202094175U (zh) | 一种远荧光粉的led封装结构 | |
| CN107086263B (zh) | 显示装置及其四面发光led | |
| CN103199183A (zh) | 一种提高垂直发光二极管芯片亮度的封装结构 | |
| CN103872224A (zh) | 新型led发光元件 | |
| CN102683555A (zh) | 发光二极管封装结构及封装方法 | |
| CN102130282A (zh) | 白光led封装结构及封装方法 | |
| CN201708188U (zh) | 陶瓷大功率发光二极管 | |
| CN102620167B (zh) | 一种透明陶瓷白光led及其制备方法 | |
| CN109713112A (zh) | 白光led芯片、灯珠及白光led芯片、灯珠制备方法 | |
| CN109950379A (zh) | 多面发光的芯片级封装led及其制作方法、背光模组 | |
| CN203784667U (zh) | Led灯具 | |
| CN103258936B (zh) | 一种led封装基板及用于保形涂覆的方法 | |
| CN203859114U (zh) | 一种使用荧光粉模块激发的led光源结构 | |
| CN104253199A (zh) | 一种led封装结构及其制作方法 | |
| CN109980072A (zh) | Led器件及封装方法、背光模组、液晶显示模组和终端 | |
| CN101140967B (zh) | 高效率荧光体转换发光装置及其制造方法 | |
| CN101980385A (zh) | 一种led封装方法、led及led照明装置 | |
| CN102376848A (zh) | 发光装置的制造方法 | |
| CN203205458U (zh) | 一种led封装基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20190823 Address after: 516000 No. 6 Lujiao Road, Huinan High-tech Industrial Park, Huizhou City, Guangdong Province Applicant after: Huizhou flying photoelectric Co., Ltd. Address before: 518111, Shenzhen, Guangdong province Longgang District, Pinghu Street goose community Ling goose Industrial Zone No. 4 Applicant before: Shenzhen City Jufei Optoelectronic Co., Ltd. |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20190705 |