CN109634004A - 一种显示面板、制作方法和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板、制作方法和显示装置。显示面板包括：第一衬底；第一金属层、第一绝缘层和半导体层，分别堆叠设置在所述第一衬底上，所述第一金属层、第一绝缘层以及半导体层的形状一致；第二金属层；以及第二绝缘层，覆盖所述堆叠设置的第一金属层、第一绝缘层以及半导体层、且形成于所述第一金属层和第二金属层之间。本方案通过第二绝缘层对第一金属层和第二金属层进行隔离绝缘，第二绝缘层覆盖堆叠设置的第一金属层、第一绝缘层以及半导体层，这样确保了显示面板的正常显示。

Description

一种显示面板、制作方法和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、制作方法和显示装置。
背景技术
液晶显示器具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶面板及背光模组(BacklightModule)。薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)制程包括阵列工程、彩膜工程及液晶盒制造工程。阵列工程包括洗净技术、CVD成膜技术、sputter成膜技术、光刻胶覆盖、显影与剥离技术、曝光技术、蚀刻技术、干刻技术等。最终在玻璃基板表面形成四至五道薄膜图案。
示例的四道工艺(简称4mask)包括：第一金属层工程(简称G工程)和保护层工程(简称I工程)、第二金属层工程(简称D工程)、钝化层工程(简称C工程)、透明导电薄膜工程(简称PI工程)。经过示例的四道工艺形成的开关结构存在连通短路的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种可以防止显示面板内开关结构短路的显示面板、制作方法和显示装置。
为实现上述目的，本发明提供了一种防止显示面板内开关结构短路的显示面板、制作方法和显示装置。
一种显示面板，所述显示面板包括：
第一衬底；
第一金属层、第一绝缘层和半导体层，分别堆叠设置在所述第一衬底上，所述第一金属层、第一绝缘层以及半导体层的形状一致；
第二金属层；以及
第二绝缘层，覆盖所述堆叠设置的第一金属层、第一绝缘层以及半导体层、且形成于所述第一金属层和第二金属层之间。
可选的，所述第二绝缘层为黑色色阻。
可选的，所述第一金属层为栅极，所述第二金属层包括分离的源极和漏极，所述第一绝缘层为栅极绝缘层；
所述栅极形成于第一衬底上，所述栅极绝缘层形成于栅极上，所述半导体层形成于栅极绝缘层上；所述第二绝缘层形成在半导体层上；
所述第二绝缘层一部分覆盖半导体层，一部分不覆盖半导体层；所述源极和漏极设置在半导体层未被第二绝缘层覆盖的区域。
可选的，所述第二绝缘层形成有开口以暴露所述半导体层，所述开口形成在第二绝缘层非边缘区域，所述源极和漏极通过所述开口与所述半导体层导通。
可选的，所述源极的长度为d5，所述漏极的长度为d6，所述开口的长度为d7，所述源极的长度d5与漏极的长度d6等于所述开口的长度d7。
可选的，所述第一金属层为扫描线，所述第二金属层为数据线；所述扫描线与数据线交错互叠的部分设置有第二绝缘层。
本申请还公开了一种显示面板的制作方法，所述制作方法包括步骤：
提供第一衬底，覆盖第一金属层，第一绝缘层以及半导体层，经过一次曝光、显影以及蚀刻，形成第一金属层、第一绝缘层以及半导体层；所述第一金属层、第一绝缘层以及半导体层的形状一致；
形成第二绝缘层；所述第二绝缘层覆盖所述堆叠设置的第一金属层、第一绝缘层以及半导体层；
在所述第二绝缘层上形成第二金属层；所述第二绝缘层形成于所述第一金属层和第二金属层之间。
可选的，所述沉积第二金属层，经过曝光、显影以及蚀刻，形成第二金属层步骤之后，还包括步骤：
在所述第二金属层上形成钝化层，并在所述钝化层上形成过孔；
形成透明导电层，所述透明导电层通过所述过孔连接第二金属层。
可选的，所述形成第二绝缘层步骤中，所述第二绝缘层形成有开口以暴露所述半导体层，所述开口形成在第二绝缘层非边缘区域，所述源极和漏极通过所述开口与所述半导体层导通。
本申请还公开了一种显示装置，所述显示装置包括上述显示面板。
本申请相对于使用同一道光罩制程形成第一金属层，第一绝缘层以及半导体层的显示面板来说，第一金属层，第一绝缘层以及半导体层通过同一道光罩曝光显影而成，其形状是一致的，样可以减少了对应的制程步骤，节约了制作成本，但第一金属层，第一绝缘层以及半导体层边缘是平齐的，第一金属层的底部部分裸露，就容易在后续制程中与其他导电器件造成短路，甚至会烧毁显示面板；本方案通过第二绝缘层对第一金属层和第二金属层进行隔离绝缘，第二绝缘层覆盖堆叠设置的第一金属层、第一绝缘层以及半导体层，这样确保了显示面板的正常显示。
附图说明
所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
图1是本发明的一实施例的一种显示面板的制程的示意图；
图2是本发明的一实施例的一种显示面板结构的示意图；
图3是本发明的一实施例的第二绝缘层结构的示意图；
图4是本发明的一实施例的栅极与半导体层对比的示意图；
图5是本发明的一实施例的第一金属层、半导体层以及第二绝缘层示意图；
图6是本发明的一实施例的数据线与源极以及漏极结构的示意图；
图7是本发明的一实施例的源极和漏极以及靠口结构的示意图；
图8是本发明的另一实施例的数据线和扫描线结构的示意图；
图9是本发明的另一实施例的数据线与扫描线交错重叠区域的示意图；
图10是本发明的另一实施例的一种显示面板的制作方法流程图；
图11是本发明的另一实施例的一种显示装置的结构示意图。
其中，10、显示装置；100、显示面板；110、第一衬底；120、第一金属层；121、栅极；130、第一绝缘层；140、半导体层；150、第二绝缘层；151、开口；160、第二金属层；161、源极；162、漏极；170、钝化层；180、过孔；190、透明导电层；200、数据线；300、扫描线。
具体实施方式
需要理解的是，这里所使用的术语、公开的具体结构和功能细节，仅仅是为了描述具体实施例，是代表性的，但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现，不应被解释成仅受限于这里所阐述的实施例。
在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示相对重要性，或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，除非另有说明，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征；“多个”的含义是两个或两个以上。术语“包括”及其任何变形，意为不排他的包含，可能存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
另外，“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系的术语，是基于附图所示的方位或相对位置关系描述的，仅是为了便于描述本申请的简化描述，而不是指示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
下面参考附图和可选的实施例对本发明作进一步说明。
如图1至图11所示，本发明实施例公布了一种显示面板100、制作方法和显示装置10。
一种显示面板100，包括：
第一衬底110、第一金属层120、第一绝缘层130和半导体层140，第一金属层120、第一绝缘层130和半导体层140分别堆叠设置在第一衬底110上。第一金属层120、第一绝缘层130以及半导体层140的形状一致；第二金属层160；以及第二绝缘层150，覆盖堆叠设置的第一金属层120、第一绝缘层130以及半导体层140、形成于第一金属层120和第二金属层160之间。
本方案相对于使用同一道光罩制程形成第一金属层120，第一绝缘层130以及半导体层140的显示面板100来说，第一金属层120，第一绝缘层130以及半导体层140通过同一道光罩曝光显影而成，其形状是一致的，样可以减少了对应的制程步骤，节约了制作成本，但第一金属层120，第一绝缘层130以及半导体层140边缘是平齐的，第一金属层120的底部部分裸露，就容易在后续制程中与其他导电器件造成短路，甚至会烧毁显示面板100；本方案通过第二绝缘层150对第一金属层120和第二金属层160进行隔离绝缘，第二绝缘层150覆盖堆叠设置的第一金属层120、第一绝缘层130以及半导体层140，这样确保了显示面板100的正常显示。
另外，第一衬底110壳采用玻璃基板。
本实施例可选的，第二绝缘层150为黑色色阻。
本方案中，由于第一金属层120，第一绝缘层130以及半导体层140的形状是一致的，在第一金属层120的背光源入射时，入射光源可能照射到半导体层140中，导致半导体层140有电流产生，影响显示面板100性能；本方案第二绝缘层150采用黑色色阻制作成，能有效的遮挡背光源入射的光线，防止光线入射到半导体层140，避免半导体层140因为光照影响下产生电流，提升显示面板100性能。当然，的第二绝缘层150也可以采用其他的绝缘层材料，只要能够实现对第一金属层120和第二金属层160之间的绝缘，都是可以的。
本实施例可选的，参考图1、3、4、5，由于第一金属层，半导体层第一绝缘层一道光罩制成，故此为了区别三者，所以三者图示形状表示为不一致，以方便观察和理解。第一金属层120为栅极121，第二金属层160包括分离的源极161和漏极162，第一绝缘层130为栅极121绝缘层；
栅极121形成于第一衬底110上，栅极121绝缘层形成于栅极121上，半导体层140形成于栅极121绝缘层上；第二绝缘层150形成在半导体层140上；
第二绝缘层150一部分覆盖半导体层140，一部分不覆盖半导体层140；源极161和漏极162设置在半导体层140未被第二绝缘层150覆盖的区域。
这种方案形成的是开关结构如薄膜晶体管(Thin Film Tran-
sistor,TFT)，以改进薄膜晶体管的性能。第一金属层120形成薄膜晶体管的栅极121，第二金属层160形成薄膜晶体管的源极161和漏极162，第一绝缘层130为薄膜晶体管的栅极121绝缘层；第二绝缘层150形成在半导体层140上，第二绝缘层150一部分覆盖半导体层140，一部分不覆盖半导体层140，源极161和漏极162设置在半导体层140未被第二绝缘层150覆盖的区域，这样源极161和漏极162可以与半导体层140连接接触连接，这样保证了在完成面板制程后，栅极121，源极161与漏极162三者形成的开关结构可以正常工作。而若第二绝缘层150全部覆盖半导体层140，那么栅极121，源极161和漏极162由于之间存在栅极121绝缘层和第二绝缘层150，两层都具有一定的厚度可能导致了栅极121、源极161和漏极162之间无法正常工作，影响显示面板100的性能。
本实施例可选的，参考图5，第二绝缘层150形成有开口151以暴露半导体层140，开口151形成在第二绝缘层150非边缘区域，源极161和漏极162通过开口151与半导体层140导通。
本方案中，第二绝缘层150设置有开口151，开口151的设置在区域不处于第二绝缘层150的边缘部分，由于半导体层140与栅极121的形状是一致的，那么在栅极121一侧的背光源有可能入射到半导体层140进而使半导体层140产生电流，这样会导致显示面板100出现漏光或者显示不均匀的情况发生。在开口151设置在第二绝缘层150非边缘区域时，开口151四周距离第二绝缘层150的边缘的距离均大于0，开口151距离栅极121边缘的距离大于0；第二绝缘层150非开口151区域可以遮挡背光源入射的光线，进而防止半导体层140产生光电流，避免显示面板100出现漏光或者显示亮度不均匀。
本实施例可选的，参考图7，源极161的长度为d5，漏极162的长度为d6，开口151的长度为d7，源极161的长度d5与漏极162的长度d6等于开口151的长度d7。
本方案中，源极161的长度d5与漏极162的长度d6等于开口151的长度d7，这样源极161和漏极162可以遮蔽半导体层140，防止外部光源照射。
本实施例可选的，参考图8、9，第一金属层120为扫描线300，第二金属层160为数据线200；扫描线300与数据线200交错互叠的部分设置有第二绝缘层150。
本方案主要针对数据线200和扫描线300交错互叠的部分来说，因为显示面板100制程精度的原因，数据线200和扫描线300就可能出现连通的情况，若不在扫描线300和数据线200交错互叠的区域设置第二绝缘层150，，可能造成显示面板100内出现短路的情况进而烧毁显示面板100。在设置第二绝缘层150后，第二绝缘层150对数据线200和扫描线300的交错互叠的区域，可以防止数据线200和扫描线300连通造成短路的情况发生，确保了显示面板100可以正常显示。
如图10所示，作为本发明的另一实施例，公开了一种显示面板100的制作方法，其特征在于，制作方法包括步骤：
S10:提供第一衬底110，覆盖第一金属层120，第一绝缘层130以及半导体层140，经过一次曝光、显影以及蚀刻，形成第一金属层120、第一绝缘层130以及半导体层140；第一金属层120、第一绝缘层130以及半导体层140的形状一致；
S11:形成第二绝缘层150；第二绝缘层150覆盖堆叠设置的第一金属层120、第一绝缘层130以及半导体层140；
S12：在第二绝缘层150上形成第二金属层160；第二绝缘层150形成于第一金属层120和第二金属层160之间。
本方案中，第一金属层120，第一绝缘层130以及半导体层140的形状是一致的，这三层可以通过同一道光罩便可以制作完成，这样可以减少了对应的制程步骤，节约了制作成本，但后续制程需要设置第二金属层160，若不对第一金属层120和第二金属层160进行隔离绝缘，那么在完成所有制程后第一金属层120和第二金属层160有可能连通，进而造成短路的情况，甚至会烧毁显示面板100。在第一金属层120和第二金属层160之间设置第二绝缘层150，这样对第一金属层120和第二金属层160起到隔离绝缘的作用，这样确保了显示面板100的正常显示。
另外，第一衬底110的可以采用玻璃基板，其他适用材料也是可以采用的。
本实施例可选的，沉积第二金属层160，经过曝光、显影以及蚀刻，形成第二金属层160步骤之后，还包括步骤：
S13:在第二金属层160上形成钝化层170，并在钝化层170上形成过孔180；
S14:形成透明导电层190，透明导电层190通过过孔180连接第二金属层160。
这种方案形成开关结构如薄膜晶体管(Thin FilmTransis-
tor,TFT)，第一金属层120形成栅极121，第二绝缘层150形成栅极121绝缘层，第二金属形成相互隔离的源极161和漏极162，在源极161和漏极162形成钝化层170，并在钝化层170上形成过孔180，最后形成透明电极层，这样就形成了完整的开关结构，由于这种开关结构的栅极121、第一绝缘层130与半导体是一次光罩形成的，第一绝缘层130没有完全包裹栅极121，栅极121有部分的是裸露在外的，在后形成源极161与漏极162时，栅极121有可能与源极161和漏极162连通，进而导致短路甚至烧毁面板，所以在栅极121与源极161、漏极162之间设置第二绝缘层150，这样可以对栅极121与源极161、漏极162之间进行隔离绝缘处理，可以使的显示面板100正常工作，保障了显示面不能的性能。
这种方案当然也可以形成数据线200和扫描线300，第一金属层120形成扫描线300，第二金属层160形成数据线200，因为显示面板100制程精度的原因，数据线200和扫描线300就可能出现连通的情况，若不在扫描线300和数据线200交错互叠的区域设置第二绝缘层150，，可能造成显示面板100内出现短路的情况进而烧毁显示面板100。在设置第二绝缘层150后，第二绝缘层150对数据线200和扫描线300的交错互叠的区域，可以防止数据线200和扫描线300连通造成短路的情况发生，确保了显示面板100可以正常显示。
当然，其他开光结构也是可以适用的。
本实施例可选的，形成第二绝缘层150步骤中，第二绝缘层150形成有开口151以暴露半导体层140，开口151形成在第二绝缘层150非边缘区域，源极161和漏极162通过开口151与半导体层140导通。
本方案中，第二绝缘层150的开口151，只需要在在曝光过程中所使用的光掩模上设置与开口151对应的遮光图案，经过相应显影后便可以想成开口151，在制作第二绝缘层150的制程中不增加制程步骤，制程简单易行。
如图11所示，作为本发明的另一实施例，公开了一种显示装置10，其特征在于，显示装置10上述显示面板100。
本方案中，显示面板内的开关结构中，第二绝缘层150对第一金属层120和第二金属层160进行隔离绝缘，第二绝缘层150覆盖堆叠设置的第一金属层120、第一绝缘层130以及半导体层140，这样确保了显示面板100的正常显示。
当然第一金属层120可以是源极121或者扫描线200，第二金属层160是源极161和漏极162，也可以是数据线300.
需要说明的是，本方案中涉及到的各步骤的限定，在不影响具体方案实施的前提下，并不认定为对步骤先后顺序做出限定，写在前面的步骤可以是在先执行的，也可以是在后执行的，甚至也可以是同时执行的，只要能实施本方案，都应当视为属于本发明的保护范围。
本发明的技术方案可以广泛用于各种显示面板，如TN型显示面板(全称为TwistedNematic，即扭曲向列型面板)、IPS型显示面板(In-Plane Switching，平面转换)、VA型显示面板(Vertical Alignment，垂直配向技术)、MVA型显示面板(Multi-domain VerticalAlignment，多象限垂直配向技术)，当然，也可以是其他类型的显示面板，如有机发光显示面板(organic light-emitting diode，简称OLED显示面板)，均可适用上述方案。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
第一衬底；
第一金属层、第一绝缘层和半导体层，分别堆叠设置在所述第一衬底上，所述第一金属层、第一绝缘层以及半导体层的形状一致；
第二金属层；以及
第二绝缘层，覆盖所述堆叠设置的第一金属层、第一绝缘层以及半导体层、且形成于所述第一金属层和所述第二金属层之间。
2.如权利要求1所述一种显示面板，其特征在于，所述第二绝缘层为黑色色阻。
3.如权利要求1所述一种显示面板，其特征在于，所述第一金属层为栅极，所述第二金属层包括分离的源极和漏极，所述第一绝缘层为栅极绝缘层；
所述栅极形成于第一衬底上，所述栅极绝缘层形成于栅极上，所述半导体层形成于栅极绝缘层上；所述第二绝缘层形成在所述半导体层上；
所述第二绝缘层一部分覆盖所述半导体层，一部分不覆盖所述半导体层；所述源极和漏极设置在所述半导体层未被第二绝缘层覆盖的区域。
4.如权利要求3所述一种显示面板，其特征在于，所述第二绝缘层形成有开口以暴露所述半导体层，所述开口形成在所述第二绝缘层非边缘区域，所述源极和所述漏极通过所述开口与所述半导体层导通。
5.如权利要求4所述一种显示面板，其特征在于，所述源极的长度为d5，所述漏极的长度为d6，所述开口的长度为d7，所述源极的长度d5与漏极的长度d6等于所述开口的长度d7。
6.如权利要求1所述一种显示面板，其特征在于，所述第一金属层为扫描线，所述第二金属层为数据线；所述扫描线与数据线交错互叠的部分设置有第二绝缘层。
7.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：
提供第一衬底，覆盖第一金属层，第一绝缘层以及半导体层，经过一次曝光、显影以及蚀刻，形成第一金属层、第一绝缘层以及半导体层；所述第一金属层、第一绝缘层以及半导体层的形状一致；
形成第二绝缘层；所述第二绝缘层覆盖所述堆叠设置的第一金属层、第一绝缘层以及半导体层；
在所述第二绝缘层上形成第二金属层；所述第二绝缘层形成于所述第一金属层和第二金属层之间。
8.如权利要求7所述一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述沉积第二金属层，经过曝光、显影以及蚀刻，形成第二金属层步骤之后，还包括步骤：
在所述第二金属层上形成钝化层，并在所述钝化层上形成过孔；
形成透明导电层，所述透明导电层通过所述过孔连接第二金属层。
9.如权利要求7所述一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述形成第二绝缘层步骤中，所述第二绝缘层形成有开口以暴露所述半导体层，所述开口形成在第二绝缘层非边缘区域，所述源极和漏极通过所述开口与所述半导体层导通。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1至6所述显示面板。
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Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101944535A (zh) * 2009-07-07 2011-01-12 乐金显示有限公司 用于液晶显示装置的阵列基板及其制造方法
CN201867561U (zh) * 2010-11-09 2011-06-15 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板和液晶显示器
CN103199095A (zh) * 2013-04-01 2013-07-10 京东方科技集团股份有限公司 显示器、薄膜晶体管阵列基板及其制造工艺
CN103489918A (zh) * 2012-06-08 2014-01-01 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管和阵列基板及其制造方法
CN104282769A (zh) * 2014-09-16 2015-01-14 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置
CN104851894A (zh) * 2015-06-03 2015-08-19 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN105161519A (zh) * 2015-08-20 2015-12-16 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及制作方法、阵列基板及制作方法和显示装置
CN105870132A (zh) * 2016-04-18 2016-08-17 武汉华星光电技术有限公司 Tft阵列基板及其制作方法
CN106128962A (zh) * 2016-09-08 2016-11-16 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置
CN106298810A (zh) * 2016-09-23 2017-01-04 上海天马微电子有限公司 阵列基板制造方法、阵列基板、显示面板及显示装置
CN106653774A (zh) * 2017-01-04 2017-05-10 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、掩膜版、显示装置

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101944535A (zh) * 2009-07-07 2011-01-12 乐金显示有限公司 用于液晶显示装置的阵列基板及其制造方法
CN201867561U (zh) * 2010-11-09 2011-06-15 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板和液晶显示器
CN103489918A (zh) * 2012-06-08 2014-01-01 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管和阵列基板及其制造方法
CN103199095A (zh) * 2013-04-01 2013-07-10 京东方科技集团股份有限公司 显示器、薄膜晶体管阵列基板及其制造工艺
CN104282769A (zh) * 2014-09-16 2015-01-14 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置
CN104851894A (zh) * 2015-06-03 2015-08-19 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN105161519A (zh) * 2015-08-20 2015-12-16 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及制作方法、阵列基板及制作方法和显示装置
CN105870132A (zh) * 2016-04-18 2016-08-17 武汉华星光电技术有限公司 Tft阵列基板及其制作方法
CN106128962A (zh) * 2016-09-08 2016-11-16 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置
CN106298810A (zh) * 2016-09-23 2017-01-04 上海天马微电子有限公司 阵列基板制造方法、阵列基板、显示面板及显示装置
CN106653774A (zh) * 2017-01-04 2017-05-10 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、掩膜版、显示装置

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