CN109557735A - 一种显示面板、制造方法和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板、制造方法和显示装置。所述显示面板包括:第一衬底;形成于第一衬底上的第一金属层;第二金属层;以及形成于所述第一金属层和第二金属层之间的黑色色阻层。本方案在第一金属层和第二金属层之间增加了一层黑色色阻层,由于黑色色阻层是具有一定厚度的,这样使得了第一金属和第二金属层之间的相距距离增大,可以使得第一金属层和第二金属层之间的耦合电容减小,进而减小第一金属层和第二金属层电路负载,这样保证了显示面板的品质。

Description

一种显示面板、制造方法和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板、制造方法和显示装置。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用,如:液晶电视、移动电话、个人数字助理、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等,在平板显示领域中占主导地位。随着显示技术的不断发展,高品质显示面板的解析度和分辨率越来越高,但存在诸如交叉串扰(Crosstalk),影像残留(ImageSticking)等缺陷。
以显示面板的开关结构薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)为例,如何减小薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)第一金属层和第二金属层之间寄生电容,进而减小第一金属层和第二金属层的负载成为了亟待解决的问题。
发明内容
为实现上述目的,本发明提供了一种可以减少电路负载的显示面板、制造方法和显示装置。
一种显示面板,所述显示面板包括:
第一衬底;
第一金属层,形成于所述第一衬底上;
第二金属层;
绝缘层,形成于所述第一金属层和第二金属层之间;以及
黑色色阻层,形成于所述第一金属层和第二金属层之间。
可选的,所述第一金属层为扫描线,所述第二金属层为数据线,所述扫描线和所述数据线交叉的位置处,设置有所述绝缘层和黑色色阻层。
可选的,所述显示面板包括半导体层,所述半导体层设置在第一金属层和第二金属层之间;
所述第一金属层形成栅极,所述第二金属层形成源极和漏极,所述源极和漏极相互独立;所述源极通过所述半导体层与所述漏极连接;
所述绝缘层为栅极绝缘层,所述栅极绝缘层形成于栅极和半导体层之间;
所述黑色色阻层设置在栅极上,所述黑色色阻层一部分覆盖所述栅极,另一部分不覆盖所述栅极;所述源极一部分设置在所述的黑色色阻层上,另一部分设置在半导体层;所述漏极至少一部分设置在半导体层上。
可选的,所述栅极绝缘层形成于所述黑色色阻层上,所述半导体层形成于所述栅极绝缘层上。
可选的,所述半导体层的面积小于所述的栅极的面积,所述半导体层设置位置对应所述栅极的非边缘区域。
可选的,所所述黑色色阻层上设置有开口,所述开口四周距离黑色色阻层的外缘的距离大于0;所述半导体层设置在所述开口的区域中。
本申请还公开了一种显示面板的制作方法,包括步骤:
提供第一衬底,形成第一金属层;
形成黑色色阻层和绝缘层;
形成第二金属层;
其中,所述绝缘层和黑色色阻层设置在第一金属层和第二金属层之间。
可选的,形成黑色色阻层和绝缘层的步骤后,还包括步骤:
形成半导体层;
形成第二金属层步骤后,还包括步骤:
在所述第二金属层上形成钝化层,并在所述钝化层上形成过孔;
形成透明导电层,所述透明导电层通过所述过孔连接第二金属层。
可选的,所述形成黑色色阻层步骤中,所述形成黑色色阻层步骤中,所述黑色色阻层形成有开口供所述栅极绝缘层形成;所述开口四周距离黑色色阻层的外缘的距离大于0;所述半导体层设置在所述开口的区域中。
本申请还公开了一种显示装置,所述显示装置包括如上述显示面板。
本方案相对于第一金属层和第二金属层没有设置黑色色阻层的方案,第一金属层和第二金属层距离在较近时,这样第一金属层和第二金属层会产生一个比较大的耦合电容,由于耦合电容的存在,造成第一金属层和第二金属的电路负载增加,进而造成显示面板品质不良。本方案在第一金属层和第二金属层之间增加了一层黑色色阻层,由于黑色色阻层是具有一定厚度的,这样使得了第一金属和第二金属层之间的相距距离增大,可以使得第一金属层和第二金属层之间的耦合电容减小,进而减小第一金属层和第二金属层电路负载;另外,黑色色阻层的介电性能与普通的绝缘层不同,黑色色阻层的膜厚的调节空间更大;同时,由于第一金属层和第二金属层距离增大,对于侧向射向第一金属层和第二金属层之间的光线来说,第一金属层和第二金属层之间漏光的可能就增大了,黑色色阻层可以阻挡侧向的光线,减少了漏光,显示效果更好,保证了显示面板的品质。
附图说明
所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解,其构成了说明书的一部分,用于例示本申请的实施方式,并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中:
图1是本发明的一实施例的一种显示面板的结构示意图;
图2是本发明的一实施例的另一种显示面板结构示意图;
图3是本发明的一实施例的另一种显示面板结构示意图;
图4是本发明的一实施例的一种显示面板制程示意图;
图5是本发明的一实施例的一张显示面板制程的示意图;
图6是本发明的一实施例的一种显示面板制程的示意图;
图7是本发明的一实施例的一种显示面板制程的示意图;
图8本发明的一实施例的一种显示面板结构示意图;
图9本发明的一实施例的一种显示面板的示意图;
图10是本发明的另一实施例的一种显示面板制程的示意图;
图11是本发明的另一实施例的一种显示装置的示意图。
其中,10、显示装置;100、显示面板;110、第一衬底;120、黑色色阻层;121、开口;130、第一金属层;131、栅极;132、扫描线;140、第二金属层;141、源极;1411、第一部;1412、第二部;142、漏极;1421、第三部;1422、第四部;143、数据线;150、半导体层;160、绝缘层/栅极绝缘层;170、钝化层;180、过孔;190、透明导电层;200、光刻胶。
具体实施方式
需要理解的是,这里所使用的术语、公开的具体结构和功能细节,仅仅是为了描述具体实施例,是代表性的,但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现,不应被解释成仅受限于这里所阐述的实施例。
在本申请的描述中,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示相对重要性,或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,除非另有说明,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征;“多个”的含义是两个或两个以上。术语“包括”及其任何变形,意为不排他的包含,可能存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
另外,“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系的术语,是基于附图所示的方位或相对位置关系描述的,仅是为了便于描述本申请的简化描述,而不是指示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
此外,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
下面参考附图和可选的实施例对本发明作进一步说明。
如图1至图11所示,本发明实施例公布一种显示面板100,显示面板100包括:
第一衬底110;,形成于所述第一衬底上的第一金属层130;第二金属层140;,形成于所述第一金属层和第二金属层之间的绝缘层160;以及,形成于所述第一金属层130和第二金属层140之间的黑色色阻层120。
本方案相对于第一金属层130和第二金属层140没有设置黑色色阻层120的方案,第一金属层130和第二金属层140距离在较近时,这样第一金属层130和第二金属层140会产生一个比较大的耦合电容,由于耦合电容的存在,造成第一金属层130和第二金属的电路负载增加,进而造成显示面板100品质不良。本方案在第一金属层130和第二金属层140之间增加了一层黑色色阻层120,由于黑色色阻层120是具有一定厚度的,这样使得了第一金属和第二金属层140之间的相距距离增大,可以使得第一金属层130和第二金属层140之间的耦合电容减小,进而减小第一金属层130和第二金属层140电路负载;另外,黑色色阻的介电性能与普通的绝缘层不同,黑色色阻的膜厚的调节空间更大;同时,由于第一金属层130和第二金属层140距离增大,对于侧向射向第一金属层130和第二金属层140之间的光线来说,第一金属层130和第二金属层140之间漏光的可能就增大了,黑色色阻可以阻挡侧向的光线,减少了漏光,显示效果更好,保证了显示面板100的品质。
在一实施例中,如图2所示,所述第一金属层130为扫描线132,第二金属层140为数据线143,扫描线132和所述数据线143交叉的位置处,设置有所述绝缘层160和黑色色阻层120。
本方案中,显示面板100中扫描线130和数据线140有存在交错互叠的区域,在交错重叠的区域,扫描线130和数据线140之间会产生一个寄生电容,进而增加了数据线140和扫描线130的线路负载,数据线140和扫描线130之间的信号会产生串扰进而导致显示面板100可能出现显示不良,在数据线140和扫描线130之间增加黑色色阻层120和绝缘层160后,可以增加数据线140和扫描线130之间的相距距离,进而减小两者之间的寄生电容,进而避免两者产生信号的干扰,保障了显示面板100的性能。
在一实施例中,如图4、图5、图6、图7所示,显示面板100包括半导体层150,半导体层150设置在第一金属层130和第二金属层140之间;第一金属层130形成栅极131,第二金属层140形成源极141和漏极142,源极141和漏极142相互独立;源极141通过所述半导体层150与所述漏极142与连接;绝缘层为栅极绝缘层160,栅极绝缘层160形成于栅极131和半导体层150之间;黑色色阻层120设置在栅极131上,黑色色阻层120一部分覆盖栅极131,另一部分不覆盖栅极131;源极141有一部分设置在的黑色色阻层120上,另一部分设置在半导体层150;漏极142至少有一部分设置在半导体层150上。
所述源极有一部分设置在所述的黑色色阻层上,另一部分设置在半导体层;所述漏极至少有一部分设置在半导体层上;具体来说,源极141包括第一部1411和第二部1412,第一部1411和第二部1412为一体结构,第一部1411设置在黑色色阻层120覆盖栅极131的部分上;第二部1412设置在黑色色阻层120未覆盖栅极131的部分;漏极142包括第三部1421和第四部1422,第一部1411和第二部1412为一体结构,第三部1421设置在黑色色阻层120覆盖栅极131的部分;第四部1422设置在黑色色阻层120未覆盖栅极131的部分。
本方案中,黑色色阻层120设置在栅极131上,黑色色阻层120一部分覆盖栅极131,一部分不覆盖栅极131;源极分为第一部1411和第二部1412,第一部1411设置在黑色色阻层120覆盖栅极131的部分;第二部1412设置在黑色色阻层120未覆盖栅极131的部分,由于黑色色阻层120的存在第一部1411与半导体层150并不直接接触,但第一部1411距离栅极131的距离较第二部1412距离栅极131的距离大,第一部1411的与栅极131耦合电容小,由于第一部1411和第二部1412为一体结构,源极141的总体的电容减小,对应的源极141负载也相应减小,第二部1412与半导体层150接触,同理,漏极142的第三部1421和第四部1422也能起到相同的作用,漏极142负载也相应减小。第二和第四部1422由于设置在黑色色阻未覆盖部分上,这样第二部1412和第四部1422与半导体层150接触,这样完成显示面板100制程后形成成的开关结构,如薄膜晶体管(Thin-Film Transistor,TFT)后,这样的开关结构可以在减少栅极131和源极141、漏极142的负载,减小了栅极和源极、以及栅极和漏极之间的寄生电容,提高了TFT的性能,且在对像素电极进行充电时,减少了寄生电容对像素电极充电的影响,减少了像素电极的反向电压情况(Kick Back),保证了显示面板100的性能。
在一实施例中,如图6和图7所示,栅极绝缘层160形成于黑色色阻层120上,半导体层150层形成于栅极绝缘层160上。
本方案相对于在栅极131上设置栅极绝缘层160的显示面板100来说,栅极131靠近背光源,示例的为了保障显示面板100的开口121率,栅极131绝缘会采用透明绝缘材料制成,另外由于显示面板100制程存在误差,半导体层150设置在栅极131边缘处时,则容易被背光照射进而导致半导体层150产生电流,进而影响显示面板100的显示;本方案中,在栅极131上设置黑色色阻层120,则可以对背光进行遮挡,防止背光源入射到半导体层150,保证了本方案形成的开关结构正常工作,同时也保证了显示面板100的性能。
在一实施例中,半导体层150的面积小于的栅极131的面积,半导体层150与栅极131的非边缘区域对应设置。
本方案中相比半导体层150是设置在栅极131边缘区域的上的设置方式由于显示面板100制程精度的原因,半导体与栅极131坑出现错位的情况,这样背光源的会有光线入射到半导体中,进而使得半导体层150产生电流,这样会影响显示面板100的正常显示。将半导体层150设置在对应栅极131的非边缘区域,这样可以避免背光入射到半导体层150,消除半导体层150因为光照产生电流,可以使显示面板100的正常显示。
在一实施例中,参考图8、9,所黑色色阻层120上设置有开口121,开口121四周距离黑色色阻层120的外缘的距离大于0;半导体层150设置在开口121的区域中。
本方案中,黑色色阻层120上设置有开口121,开口121四周距离黑色色阻层120的边缘的距离大于0,则说明开口121不设置在黑色色阻层120的边缘区域,若开口121设置在黑色色阻层120的边缘区域,则可能导致背光源出现漏光的相像,进而影响显示面板100的品质。
如图4、图5、图6、图7和图10所示,作为本发明的另一实施例,公开了一种显示面板100的制作方法,包括步骤:
S10:提供第一衬底110,形成第一金属层130;
S11:形成黑色色阻层120和绝缘层;
S13:形成第二金属层140;
其中,绝缘层和黑色色阻层120设置在第一金属层130和第二金属层140之间。
本方案中,在第一金属层130和第二金属层140之间设置黑色色阻层120,由于黑色色阻层120是具有一定厚度的,这样通过设置黑色色阻层120增加第一金属层130和第二金属层140的相距的距离,这样可以减小第一金属层130和第二金属层140之间产生的耦合电容,由于第一金属层130和第二金属层140之间的耦合电容的减小,第一金属层130和第二金属层140的电路负载减小。
在一实施例中,参考图10、形成黑色色阻层120和绝缘层160的步骤后,还包括步骤:
S12:形成半导体层150;
形成第二金属层140步骤S13后,还包括步骤:
S14:在第二金属层140上形成钝化层170,并在钝化层170上形成过孔180;
S15:形成透明导电层190,透明导电层190通过过孔180连接第二金属层140。
这种方案形成开关结构如薄膜晶体管(TFT)。在第一衬底110上形成栅极131,栅极131上形成黑色色阻层120,黑色色阻层120上设置有一开口121,后形成栅极绝缘层160,在对应开口121的位置设置半导体层150,在半导体层150上形成相互独立的源极141和漏极142,后形成钝化层170和过孔180,最后形成透明导电层190,这样就形成一个完整的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)结构。由于栅极131与源极141、漏极142存在一个黑色色阻层120,增大栅极131与源极141、漏极142之间的相距距离,减小了之间耦合电容,避免了显示面板100出现显示的异常。
当然这种方案也可以形成数据线和扫描线,同样由于数据线和扫描线之间存在黑色色阻层120,增大了两者的相距距离,避免在信号传输时,数据线和扫描线互不影响,减少显示面板100出现显示异常。
在一实施例中,参考图10,形成黑色色阻层120步骤中,形成黑色色阻层120步骤中,黑色色阻层120形成有开口121供栅极绝缘层160形成;开口121四周距离黑色色阻层120的外缘的距离大于0;半导体层150设置在开口121的区域中。
本方案中,黑色色阻层120的开口121,只需要在在曝光过程中所使用的光掩模上设置与开口121相关的遮光图案,后便可以想成开口121,在制作黑色色阻层120的制程中不增加制程步骤,制程简单易行。另外开口121四周距离黑色色阻层120的外缘的距离大于0,可以避免光线照射到半导体层中,避免半导体层产生电流,保证了显示面板100的性能。
如图3、图7、图10、图11所示,作为本发明的另一实施例,公开了一种显示装置10,显示装置10包括上述显示面板100。
需要说明的是,本方案中涉及到的各步骤的限定,在不影响具体方案实施的前提下,并不认定为对步骤先后顺序做出限定,写在前面的步骤可以是在先执行的,也可以是在后执行的,甚至也可以是同时执行的,只要能实施本方案,都应当视为属于本发明的保护范围。
本发明的技术方案可以广泛用于各种显示面板,如扭曲向列型(TwistedNematic,TN)显示面板、平面转换型(In-Plane Switching,IPS)显示面板、垂直配向型(Vertical Alignment,VA)显示面板、多象限垂直配向型(Multi-Domain VerticalAlignment,MVA)显示面板,当然,也可以是其他类型的显示面板,如有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示面板,均可适用上述方案。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明,不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:
第一衬底;
第一金属层,形成于所述第一衬底上;
第二金属层;
绝缘层,形成于所述第一金属层和第二金属层之间;以及
黑色色阻层,形成于所述第一金属层和第二金属层之间。
2.如权利要求1所述一种显示面板,其特征在于,所述第一金属层为扫描线,所述第二金属层为数据线,所述扫描线和所述数据线交叉的位置处,设置有所述绝缘层和黑色色阻层。
3.如权利要求1所述一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括半导体层,所述半导体层设置在第一金属层和第二金属层之间;
所述第一金属层形成栅极,所述第二金属层形成源极和漏极,所述源极和漏极相互独立;所述源极通过所述半导体层与所述漏极连接;
所述绝缘层为栅极绝缘层,所述栅极绝缘层形成于栅极和半导体层之间;
所述黑色色阻层设置在栅极上,所述黑色色阻层一部分覆盖所述栅极,另一部分不覆盖所述栅极;所述源极一部分设置在所述的黑色色阻层上,另一部分设置在半导体层;所述漏极至少一部分设置在半导体层上。
4.如权利要求3所述一种显示面板,其特征在于,所述栅极绝缘层形成于所述黑色色阻层上,所述半导体层形成于所述栅极绝缘层上。
5.如权利要求2所述一种显示面板,其特征在于,所述半导体层的面积小于所述的栅极的面积,所述半导体层与所述栅极的非边缘区域对应设置。
6.如权利要求2所述一种显示面板,其特征在于,所述黑色色阻层上设置有开口,所述开口距离黑色色阻层的外缘的距离大于0;所述半导体层设置在所述开口的区域中。
7.一种显示面板的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括步骤:
提供第一衬底,形成第一金属层;
形成黑色色阻层和绝缘层;
形成第二金属层;
其中,所述绝缘层和黑色色阻层设置在第一金属层和第二金属层之间。
8.如权利要求7所述一种显示面板的制作方法,其特征在于,
所述形成黑色色阻层和绝缘层的步骤后,还包括步骤:
形成半导体层;
所述形成第二金属层步骤后,还包括步骤:
在所述第二金属层上形成钝化层,并在所述钝化层上形成过孔;
形成透明导电层,所述透明导电层通过所述过孔连接第二金属层。
9.如权利要求7所述一种显示面板的制作方法,其特征在于,所述形成黑色色阻层步骤中,所述黑色色阻层形成有开口供所述栅极绝缘层形成;所述开口四周距离黑色色阻层的外缘的距离大于0;所述半导体层设置在所述开口的区域中。
10.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求1至6任意一项所述的显示面板。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110161765A (zh) * 2019-06-12 2019-08-23 惠科股份有限公司 阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板
CN110262145A (zh) * 2019-06-11 2019-09-20 惠科股份有限公司 阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板
CN110297369A (zh) * 2019-06-11 2019-10-01 惠科股份有限公司 阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板
CN114779543A (zh) * 2022-04-02 2022-07-22 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及其制作方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120322182A1 (en) * 2008-12-04 2012-12-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Light blocking member having variable transmittance, display panel including the same, and manufacturing method thereof
CN105093639A (zh) * 2015-07-13 2015-11-25 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及液晶显示面板
US20160041441A1 (en) * 2014-08-08 2016-02-11 Samsung Display Co., Ltd. Display panel and method for manufacturing the same
CN207742427U (zh) * 2017-12-21 2018-08-17 惠科股份有限公司 阵列基板和液晶显示面板

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5741832B2 (ja) * 2011-04-27 2015-07-01 大日本印刷株式会社 アクティブマトリックス基板及びアクティブマトリックス基板の製造方法、液晶表示装置
KR102030227B1 (ko) * 2015-05-08 2019-10-08 주식회사 엘지화학 박막트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
CN105137645B (zh) * 2015-09-25 2019-08-30 深圳市华星光电技术有限公司 一种彩膜阵列基板及其制造方法、显示装置
JP6816417B2 (ja) * 2016-09-08 2021-01-20 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120322182A1 (en) * 2008-12-04 2012-12-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Light blocking member having variable transmittance, display panel including the same, and manufacturing method thereof
US20160041441A1 (en) * 2014-08-08 2016-02-11 Samsung Display Co., Ltd. Display panel and method for manufacturing the same
CN105093639A (zh) * 2015-07-13 2015-11-25 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及液晶显示面板
CN207742427U (zh) * 2017-12-21 2018-08-17 惠科股份有限公司 阵列基板和液晶显示面板

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110262145A (zh) * 2019-06-11 2019-09-20 惠科股份有限公司 阵列基板、阵列基板的制作方法及显示面板
CN110297369A (zh) * 2019-06-11 2019-10-01 惠科股份有限公司 阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板
CN110161765A (zh) * 2019-06-12 2019-08-23 惠科股份有限公司 阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板
CN110161765B (zh) * 2019-06-12 2022-01-07 惠科股份有限公司 阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板
CN114779543A (zh) * 2022-04-02 2022-07-22 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN114779543B (zh) * 2022-04-02 2023-09-26 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及其制作方法

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