CN109622003A - 一种g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂及其制备方法和应用 - Google Patents

一种g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂及其制备方法和应用 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种g‑C3N4@g‑C4N3复合光催化剂,通过共价键偶联构成,具有二维平面结构,其中,g‑C4N3的含量为3‑25wt%;该材料由三氰基甲烷化咪唑离子液体以及g‑C3N4的前驱体作为原料分散在水中,超声处理0.5~1h,蒸除水相,得到均匀混合体;并在管式炉中以一定的升温速率加热至400~420℃,维持1~2h,再升至500~550℃,加热2~5h,自然冷却至室温,去离子水洗涤,真空干燥,得到g‑C3N4@g‑C4N3复合光催化剂。

Description

一种g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂及其制备方法和应用
技术领域
本发明属于高分子半导体材料技术领域,具体涉及一种g-C3N4@g-C4N3(类石墨氮化合物g-C3N4和g-C4N3)碳复合光催化剂及其制备方法。
背景技术
近年来,随着对有机半导体材料研究的不断深入,一种高分子聚合物半导体材料—类石墨氮化碳(g-C3N4)引起了人们的广泛关注。与经典的无机氧化物半导体光催化剂TiO2、ZnO相比,g-C3N4具有较好的可见光响应(带隙较窄Eg=2.70eV)、化学性质稳定、廉价易制等优点,更重要的是其合适的能带结构,尤其是较高的导带位置以及其独特的二维片层结构,使其理论上同时具有较高的光催化降解污染物、光催化水分解及光催化CO2还原活性。此外,g-C3N4还具备聚合物半导体的化学组成和能带结构易调控等特点,因此成为了最具研究潜力的新型半导体光催化剂之一。然而,g-C3N4与常规高分子聚合物一样,结晶度相对较差,而且具有较高的激子结合能,不利于光生载流子快速向催化剂表面迁移,因而其光生载流子的分离效率较低,严重抑制了g-C3N4的光催化活性,影响了其大规模推广和应用。为了进一步改善g-C3N4的物理及化学性质,通过形貌调控、元素掺杂以及与不同半导体材料的复合,成为近几年g-C3N4材料的研究热点。专利CN103170358A公开了一种多孔g-C3N4光催化剂及其制备方法,该方法将双氰胺和硫脲进行研磨混合,在空气气氛下煅烧混合物得到多孔g-C3N4。但单相材料无法实现光生电子-空穴对的有效分离,光催化活性受到限制。专利CN 105858730A公开了一种氮化碳/氧化钨复合空心微球材料及其制备方法,通过葡萄糖水热形成碳球并同步负载氧化钨和氮化碳,再经过高温煅烧去除模板同步形成氮化碳,制得壳层由氧化钨、氮化碳共同构筑而成的空心微球。但组成该异质结的两种材料为物理结合,光生载流子传输、分离能力有限。
最近,g-C4N3作为一种新型半金属材料备受关注,已有报道将其应用于光催化分解水制氢。g-C4N3具有与g-C3N4相似的结构,而且两者的前驱体具有能够发生共聚反应的官能团氰基。将g-C4N3与g-C3N4通过共价键结合,优异的界面性能将有助于快速输导电子,使得光生电子和空穴能够有效的分离和转移,进而能够显著提高材料的光电性能,使该复合材料在光催化污染物降解、分解水产氢产氧、CO2还原转换等领域具有较大应用潜力。
发明内容
本发明的目的是,提供一种g-C3N4@g-C4N3(类石墨氮化合物g-C3N4和g-C4N3)复合光催化剂及其制备方法和应用,该材料制备工艺简单、可控,具有较高的比表面积和良好的可见光响应性,特别是其优异的光生电子-空穴分离能力,使得材料在光催化降解污染物、水分解、CO2应用领域极具潜力。
实现本发明目的的技术解决方案是:一种g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂,g-C3N4和g-C4N3通过共价键偶联构成,具有二维平面结构,其中,g-C4N3的含量为3-25wt%。该材料由三氰基甲烷化咪唑离子液体与g-C3N4的前驱体通过高温共聚反应制备而成。本发明将高分子半金属g-C4N3与高分子半导体g-C3N4通过共价键偶联,半金属性质、g-C4N3与g-C3N4相似的结构和紧密连续的相界面为光生载流子迁移、有效分离及其高效利用提供了条件。
上述g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂的制备方法,其具体步骤为:
步骤a),将三氰基甲烷化咪唑离子液体以及g-C3N4的前驱体作为原料分散在水中,超声处理0.5~1h,蒸除水相,得到均匀混合体;
步骤b)将步骤a)中所得均匀混合体在管式炉中以一定的升温速率加热至400~420℃,维持1~2h,再升至500~550℃,加热2~5h,自然冷却至室温,去离子水洗涤,真空干燥,得到g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂。
步骤a)中所述的三氰基甲烷化咪唑离子液体为三氰基甲烷化1-乙基-3-甲基咪唑、三氰基甲烷化1-丁基-3-甲基咪唑、三氰基甲烷化1-己基-3-甲基咪唑中的一种。
步骤a)中所述的g-C3N4氮化碳的前驱体为二氰二胺、单氰胺中的一种。
步骤a)中三氰基甲烷化咪唑离子液体与g-C3N4前驱体的摩尔比为1:10~1:30。
所述的g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂在光催化污染物降解、水分解和CO2还原反应中的应用。
光催化污染物降解、水分解和CO2还原反应中的应用。
本发明的有益效果,该复合光催化剂为二维纳米片结构,具有较高的比表面积,半金属g-C4N3通过共价键与g-C3N4偶联,界面紧密,具备高效的载流子传输和光生电子-空穴分离效率,可应用于光催化污染物降解、水分解和CO2还原领域。
(1)与常见的以物理方式结合的异质结不同,本发明通过高温共聚反应制备了g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂,该材料具有2D平面结构,通过前驱体比例的改变可以调节复合光催化剂中g-C3N4与g-C4N3的含量,制备过程简单。
(2)g-C3N4与g-C4N3结构相似,相容性、结合力优异,界面性能突出,能够有效减少电荷在两种材料之间的传输阻力,提升光生电子-空穴的分离能力。二维材料的内部电子也能够更快到达材料表面参与反应,光子利用率高。
(3)半金属材料g-C4N3电导率较高,电子密度大,有利于材料吸附能力的提高,提供更多的催化反应活性位点。
附图说明
图1为g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂的制备流程图。
图2为实施例2所得g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂的SEM照片。
图3为实施例2所得g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂的TEM照片。
图4为实施例2所得g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂的AFM照片。
图5为实施例2所得g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂及其组分的UV-vis谱图。
图6为实施例2所得g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂及其组分的TG曲线。
图7为实施例2所得g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂的光催化CO2还原应用效率。
图8为实施例3所得g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂的13C固体核磁共振谱图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明作进一步详细描述。通过下面的实施例可以使本专业技术人员更全面地理解本发明。
实施例1
将0.402g(2.0mmol)三氰基甲烷化1-乙基-3-甲基咪唑和3.363g(40mmol)二氰二胺加入50ml去离子水中,超声,搅拌30min均匀混合。将混合溶液蒸除水相,混合物在管式炉中以2℃/min加热升温至400℃,煅烧1个小时,然后升温至550℃,保温4个小时,自然冷却,水洗,真空干燥得到g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂。
实施例2
将0.458g(2.0mmol)三氰基甲烷化1-丁基-3-甲基咪唑和3.363g(40mmol)二氰二胺加入50ml去离子水中,超声,搅拌30min均匀混合。将混合溶液蒸除水相,混合物在管式炉中以2℃/min加热升温至400℃,煅烧1个小时,然后升温至550℃,保温4个小时,自然冷却,水洗,真空干燥得到g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂。
图2为g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂的SEM照片,可看出g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂为2D平面结构,表面平整、光滑。
图3为g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂的TEM照片,可看出复合光催化剂为超薄纳米片,结构完整均匀。
图4a为g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂的AFM照片,图4b为图4a中选定区域g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂纳米片的厚度分布图,纳米片厚度在4nm左右,尺寸均匀。
图5为g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂及其组分的紫外-可见吸收漫反射光谱图,光催化剂具有良好的可见光吸收能力,相对于单纯g-C3N4,吸收带发生明显红移,与g-C3N4@g-C4N3的棕色外观相一致。
图6为g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂及其组分的热重曲线,可计算得到复合材料中g-C4N3的质量百分含量为13%。
图7为g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂的光催化CO2还原性能表征,实验采用300W氙灯作为光源。从图中可以看到,g-C3N4@g-C4N3具有优异的催化活性,经6个小时光照,CO产量达到99.03μmol g-1,平均产率为16.5μmol g-1h-1
测试得知,所述的g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂在光催化污染物降解、水分解和CO2还原反应应用效果良好,尤其是还原反应应用。
实施例3
将0.458g(2.0mmol)三氰基甲烷化1-丁基-3-甲基咪唑和0.841g(10mmol)二氰二胺加入50ml去离子水中,超声,搅拌30min均匀混合。将混合溶液蒸除水相,混合物在管式炉中以2℃/min加热升温至400℃,煅烧1个小时,然后升温至550℃,保温4个小时,自然冷却,水洗,真空干燥得到g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂。
图8为g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂的固体核磁碳谱,g-C3N4七嗪环上碳原子信号与g-C4N3三嗪环上碳原子信号形成化学位移156ppm的吸收峰,化学位移86ppm处的吸收峰对应于g-C4N3中连接三嗪环的碳原子。
实施例4
将0.514g(2.0mmol)三氰基甲烷化1-己基-3-甲基咪唑和3.363g(40mmol)二氰二胺加入50ml去离子水中,超声,搅拌30min均匀混合。将混合溶液蒸除水相,混合物在管式炉中以2℃/min加热升温至420℃,煅烧1个小时,然后升温至550℃,保温3个小时,自然冷却,水洗,真空干燥得到g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂。
实施例5
将0.458g(2.0mmol)三氰基甲烷化1-丁基-3-甲基咪唑和2.522g(60mmol)单氰胺加入50ml去离子水中,超声,搅拌30min均匀混合。将混合溶液蒸除水相,混合物在管式炉中以2℃/min加热升温至420℃,煅烧2个小时,然后升温至550℃,保温5个小时,自然冷却,水洗,真空干燥得到g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂。

Claims (7)

1.一种g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂,其特征在于,g-C3N4和g-C4N3通过共价键偶联构成,具有二维平面结构,其中,g-C4N3的含量为3-25wt%;该材料由三氰基甲烷化咪唑离子液体与g-C3N4的前驱体通过高温共聚反应制备而成。
2.如权利要求1所述的g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂的制备方法,其特征在于,具体步骤为:
步骤a),将三氰基甲烷化咪唑离子液体以及g-C3N4的前驱体作为原料分散在水中,超声处理0.5~1h,蒸除水相,得到均匀混合体;
步骤b)将步骤a)中所得均匀混合体在管式炉中以一定的升温速率加热至400~420℃,维持1~2h,再升至500~550℃,加热2~5h,自然冷却至室温,去离子水洗涤,真空干燥,得到g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂。
3.根据权利要求2所述的一种g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂的制备方法,其特征在于该制备方法步骤a)中所述的三氰基甲烷化咪唑离子液体为三氰基甲烷化1-乙基-3-甲基咪唑、三氰基甲烷化1-丁基-3-甲基咪唑、三氰基甲烷化1-己基-3-甲基咪唑中的一种。
4.根据权利要求2所述的一种g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂的制备方法,其特征在于该制备方法步骤a)中所述的氮化碳的前驱体为二氰二胺、单氰胺中的一种。
5.根据权利要求2所述的一种g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂的制备方法,其特征在于该制备方法步骤a)中三氰基甲烷化咪唑离子液体与g-C3N4前驱体的摩尔比为1:10~1:30。
6.如权利要求1所述的g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂在光催化污染物降解、水分解和CO2还原反应中的应用。
7.如权利要求2~5任一所述的方法制备的g-C3N4@g-C4N3复合光催化剂在光催化污染物降解、水分解和CO2还原反应中的应用。
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