CN109526193B - 电磁波屏蔽膜及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明属于电子技术领域，尤其涉及一种电磁波屏蔽膜的制备方法，包括：获取载体层，在所述载体层的一表面制备保护层；在所述载体层远离所述保护层的表面真空溅射形成金属叠层，其中，所述金属叠层包括依次层叠设置在所述载体层远离所述保护层的表面的第一金属保护层、金属功能层和第二金属保护层。本发明实施例提供的电磁波屏蔽膜的制备方法，采用涂覆方法在载体层一侧形成保护层，再采用真空溅射方法在载体层的另一侧形成金属叠层，真空溅射可以通过控制溅射时间、速度控制膜层厚度，实现形成金属叠层薄膜，减少生产原料的使用。且真空溅射形成的金属叠层，成膜速度快，膜层均匀，稳定性好，膜层不易脱落，制备工艺简单。

Description

电磁波屏蔽膜及其制备方法

技术领域

本发明属于电子技术领域，尤其涉及一种电磁波屏蔽膜及其制备方法。

背景技术

随着电子工业的迅速发展，电子产品逐渐向小型化、轻量化、便携化发展、组装高密度化发展，极大地推动了电子元器件的发展，半导体芯片的集成度越来越高，电子元器件单位面积上输入输出端口(I/O)数量越来越多。集成度的提高对电子封装技术提出了更高的要求，要求电子元器件更薄，导通性更好。另外，为了避免电磁辐射导致的信号干扰以及对人体健康的威胁，要求电子产品有更好的电磁屏蔽效能。因此，在电子元件的线路上会大量使用电磁屏蔽材料。目前，电磁屏蔽材料主要有导电型、填充型、本征型以及吸波型，制备方法主要有贴金属箔、溅射镀、电镀、化学镀和涂布电导材料等方法。电磁屏蔽膜是主要形式，随着柔性线路板布线线路越来越密集，对电磁屏蔽膜的要求越来越高。

传统地，电磁屏蔽膜主要包括绝缘层、金属层、导电胶层等，结构主要有：绝缘层表面形成全方位的导电胶层；绝缘层表面形成金属层，再在金属层表面形成导电胶层；载体层表面形成绝缘层表面，再在绝缘层表面形成金属层，再在金属层表面形成导电胶层等结构。为达到屏蔽效果往往会使用大量的贵金属，导致屏蔽膜厚度较大，透光性降低，增加了制造成本，同时也影响了屏蔽膜在电子元件的线路中的应用。另外，制造工艺复杂，膜层的均匀度和表面平整度难把控，影响了电磁屏蔽膜的导通性能和电磁屏蔽性能。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种电磁波屏蔽膜的制备方法，旨在解决现有难制备电磁屏蔽膜薄膜，而膜层过厚影响屏蔽膜的透过率和导通性能的技术问题。

本发明实施例的另一目的在于提供一种电磁波屏蔽膜。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

一种电磁波屏蔽膜的制备方法，包括以下步骤：

获取载体层，在所述载体层的一表面制备保护层；

在所述载体层远离所述保护层的表面真空溅射形成金属叠层，

其中，所述金属叠层包括依次层叠设置在所述载体层远离所述保护层的表面的第一金属保护层、金属功能层和第二金属保护层。

优选地，所述在所述载体层远离所述保护层的表面真空溅射形成金属叠层的方法为：

在所述载体层远离所述保护层的表面真空溅射第一金属靶材，形成第一金属保护层，所述第一金属靶材选自钛靶、钴靶、镍靶、钯靶、铑靶、铟靶、锘靶或锡靶中的至少一种；

在所述第一金属保护层远离所述载体层的表面真空溅射金属靶材，形成金属功能层，所述金属靶材选自银靶、铜靶、金靶、铝靶或镍靶中的至少一种；

在所述金属功能层远离所述第一金属保护层表面真空溅射第二金属靶材，形成第二金属保护层，所述第二金属靶材选自钛靶、钴靶、镍靶、钯靶、铑靶、铟靶、锘靶或锡靶中的至少一种。

优选地，所述真空溅射的真空度为1*10^-3Pa以下。

优选地，所述银靶、铜靶、金靶、铝靶或镍靶的纯度为3N、4N、或者5N，所述银靶、铜靶、金靶、铝靶或镍靶的真空溅射的速度为3～7m/min；和/或，

所述钛靶、钴靶、镍靶、钯靶、铑靶、铟靶、锘靶或锡靶的纯度为3N、4N、或者5N，所述钛靶、钴靶、镍靶、钯靶、铑靶、铟靶、锘靶或锡靶的真空溅射的速度为0.5～2m/min。

优选地，所述载体层的材料选自聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚苯硫醚或者聚酰亚胺；和/或，

所述保护层的材料选自聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚苯硫醚、环氧树脂油墨、聚氨酯油墨或者改性丙烯酸树脂。

相应地，一种电磁波屏蔽膜，包括：载体层和形成在所述载体层上的金属叠层，所述金属叠层包括在所述载体层的一表面依次层叠设置的第一金属保护层、金属功能层和第二金属保护层，其中，所述第一金属保护层选自钛层、钴层、镍层、钯层、铑层、铟层、锘层或锡层中的一种，或所述第一金属保护层为钛、钴、镍、钯、铑、铟、锘、锡中的至少两种金属制成的合金层，所述第一金属保护层的厚度为1～5纳米；

所述金属功能层选自银层、铜层、金层、铝层或镍层中的一种，或所述金属功能层为银、铜、金、铝、镍中的至少两种金属制成的合金层，所述金属功能层的厚度为3～10纳米；

所述第二金属保护层选自钛层、钴层、镍层、钯层、铑层、铟层、锘层或锡层中的一种，或所述第一金属保护层为钛、钴、镍、钯、铑、铟、锘、锡中的至少两种金属制成的合金层，所述第二金属保护层的厚度为1～5纳米；

所述载体层的厚度为3～15微米。

优选地，所述载体层的材料选自聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚苯硫醚或者聚酰亚胺，所述载体层的厚度为5～10微米。

优选地，所述第一金属保护层和所述第二金属保护层同时选自钛层，所述金属功能层选自银层，所述载体层的材料选自聚萘二甲酸乙二醇酯。

优选地，所述电磁波屏蔽膜还包括保护层，所述保护层形成在所述载体层远离所述金属叠层的表面，所述保护层的厚度为25～50微米。

优选地，所述保护层的材料选自聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚苯硫醚、环氧树脂油墨、聚氨酯油墨或者改性丙烯酸树脂。

本发明实施例提供的电磁波屏蔽膜的制备方法，采用涂覆方法在载体层一侧形成保护层，再采用真空溅射方法在载体层的另一侧形成金属叠层，真空溅射可以通过控制溅射时间、速度控制膜层厚度，实现形成金属叠层薄膜，减少生产原料的使用。且真空溅射形成的金属叠层，成膜速度快，膜层均匀，稳定性好，膜层不易脱落，制备工艺简单。

本发明实施例提供的电磁波屏蔽膜，以第一金属保护层-金属功能层-第二金属保护层作为金属叠层，其中，金属功能层具有优异的导电性和稳定性，可有效吸收和导通电磁波，从而防止电子元件被电磁波干扰，同时也能防止电荷保留在电磁屏蔽膜上，抑制异常放电。因此，屏蔽膜导通性能好，电磁屏蔽性能好。金属功能层两侧的金属保护层层，能较好的保护金属功能层不被氧化，使屏蔽膜有更好的稳定性和更长的使用寿命。另外，本发明实施例提供的电磁波屏蔽膜，金属叠层和载体层都很薄，因而膜层整体较薄，确保了屏蔽膜的透光性，使屏蔽膜有更广泛的应用领域，同时也降低了生产成本，节约了资源，更加环保。

附图说明

图1是本发明实施例提供的电磁波屏蔽膜的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和技术效果更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。结合本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

如图1所示，本发明实施例提供了一种电磁波屏蔽膜的制备方法，包括以下步骤：

S10.获取载体层20，在所述载体层20的一表面制备保护层10；

S20.在所述载体层20远离所述保护层10的表面真空溅射形成金属叠层30，

其中，所述金属叠层30包括依次层叠设置在所述载体层远离所述保护层的表面的第一金属保护层31、金属功能层32和第二金属保护层33。

本发明实施例提供的电磁波屏蔽膜的制备方法，通过在载体层20一侧制备保护层10，再通过真空溅射在载体层20的另一侧形成金属叠层30，真空溅射可以通过控制溅射时间控制膜层厚度，实现形成金属叠层30薄膜，减少生产原料的使用。且真空溅射形成的金属叠层30，成膜速度快，膜层均匀，稳定性好，膜层不易脱落，制备工艺简单。

具体地，上述步骤S10中，获取载体层20，在所述载体层20的一表面制备保护层10。制备方法可以采用涂布等方式，优选高精密覆膜机进行涂覆，。在载体层20的一侧涂覆一层保护层10，覆膜期间，保持载体层20薄膜和保护膜表面平整，避免引入杂质、气泡等。因载体膜层较薄，覆膜张力应该控制在5N以下，覆膜完成后对膜层进行等离子风除静电。

本发明实施例对制备方法不做具体限定，只要能达到上述效果即可。

作为优选实施例，载体层20的材料选自聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚苯硫醚或者聚酰亚胺。进一步优选地，载体层20的材料选自聚萘二甲酸乙二醇酯。萘环结构使其聚萘二甲酸乙二醇酯膜具有更高的物理机械性能、气体阻隔性能、化学稳定性及耐热、耐紫外线、耐辐射等性能。此外，聚萘二甲酸乙二醇酯膜还具有优良的力学性能，即使在高温高压情况下，其弹性模量、强度、蠕变和寿命仍能保持相当的稳定性。

作为优选实施例，保护层10的材料选自聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚苯硫醚、环氧树脂油墨、聚氨酯油墨或者改性丙烯酸树脂。由于载体层20为薄膜，仅为3～15微米，基材膜太薄不利于后续形成金属叠层30等操作，因此，引入保护层10形成在载体层20远离金属叠层30的表面，主要起到支撑载体薄膜层的作用，方便后续工艺的进行。优选地，保护层10的材料选自聚对苯二甲酸乙二醇酯。聚对苯二甲酸乙二醇酯成本低，以获取，使用方便。

在一些优选实施例中，载体层20的材料选自聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚苯硫醚或者聚酰亚胺。保护层10的材料选自聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚苯硫醚、环氧树脂油墨、聚氨酯油墨或者改性丙烯酸树脂。进一步优选地，保护层10的材料选自聚对苯二甲酸乙二醇酯，载体层20的材料选自聚萘二甲酸乙二醇酯。

具体地，上述步骤S20中，在所述载体层20远离所述保护层10的一侧表面真空溅射形成金属叠层30，其中，所述金属叠层30包括依次层叠设置在所述载体层远离所述保护层的表面的第一金属保护层31、金属功能层32和第二金属保护层33。

本发明实施例采用真空溅射的方式在载体层20表面形成金属叠层30。具体地，真空溅射方法包括：安装靶材，加载载体层20，真空脱气，注入惰性气体，溅射，卸载，检查，包装等步骤。

其中，安装靶材的步骤具体为：将待溅射的金属靶材安装到对应的位置。

真空脱气的步骤具体为：关闭舱室后，打开机器预热60～100分钟后，打开粗轴泵进行抽真空，使真空度达到1*10³～1*10²Pa，然后打开罗茨泵继续抽真空，是真空度达到1*10～8*10Pa，最后打开分子泵使真空度达到1*10^-2～1*10^-3Pa。在抽真空的同时实现对保护层10和载体层20的排气。

优选地，真空脱气的步骤具体为：关闭舱室后，打开机器预热60分钟后，打开粗轴泵进行抽真空，使真空度达到6*102Pa，然后打开罗茨泵继续抽真空，是真空度达到5*10Pa，最后打开分子泵使真空度达到1*10^-3Pa。在抽真空的同时实现对保护层10和载体层20的排气。

注入的惰性气体可为氮气、氩气或者氦气等，压力为1～6Pa，供应量为30～60ppm。具体地压力可为2Pa、4Pa、5Pa，供应量为30ppm、40ppm、50ppm。

溅射的步骤具体为：展开载体层20，使载体层20远离保护层10的一侧接受靶材的溅射，清洗离子源后进行金属靶材的溅射，溅射完成后收卷载体层20，得到溅射有金属叠层30的屏蔽膜。

在后续使用过程中可进一步放卷屏蔽膜，根据实际使用情况进行分切，拨去保护膜，使用屏蔽膜或收卷屏蔽膜以待备用。

作为优选实施例，在所述载体层20远离所述保护层10的表面真空溅射第一金属靶材，形成第一金属保护层31，所述第一金属靶31材选自钛靶、钴靶、镍靶、钯靶、铑靶、铟靶、锘靶或锡靶中的至少一种；在所述第一金属保护层31远离所述载体层20的表面真空溅射金属靶材，形成金属功能层32，所述金属靶材选自银靶、铜靶、金靶、铝靶或镍靶中的至少一种；在所述金属功能层32远离所述第一金属保护层31表面真空溅射第二金属靶材，形成第二金属保护层33，所述第二金属靶材选自钛靶、钴靶、镍靶、钯靶、铑靶、铟靶、锘靶或锡靶中的至少一种。形成第一金属保护层31-金属功能层32-第二金属保护层33的金属叠层30结构，同时形成保护层10-载体层20-第一金属保护层31-金属功能层32-第二金属保护层33的电磁波屏蔽膜的层结构。

作为优选实施例，真空溅射的真空度为1*10^-3Pa以下。溅射机腔体抽真空等级达到1*10^-3Pa以下，开始成膜。

作为优选实施例，银靶、铜靶、金靶、铝靶或镍靶纯度为3N、4N、或者5N，所述银靶、铜靶、金靶、铝靶或镍靶的真空溅射速度为3～7m/min。薄膜纯度与靶材的纯度关系极大，靶材纯度越高溅射形成的薄膜纯属越高性能越好。优选地，银靶、铜靶、金靶、铝靶或镍靶的纯度为4N。真空溅射的快慢会影响成膜的均匀性和薄膜性能。溅射速度过快易导致成膜不均匀，溅射速度过慢会影响薄膜内的致密性，易导致膜层不够密实连续性不好。银靶、铜靶、金靶、铝靶或镍靶的真空溅射速度为3～7m/min时，银靶、铜靶、金靶、铝靶或镍靶溅射有最好的成膜性，形成的金属功能层32薄膜性能最佳。

作为优选实施例，钛靶、钴靶、镍靶、钯靶、铑靶、铟靶、锘靶或锡靶的纯度为3N、4N、或者5N，所述钛靶、钴靶、镍靶、钯靶、铑靶、铟靶、锘靶或锡靶的真空溅射速度为0.5～2m/min。优选地，钛靶、钴靶、镍靶、钯靶、铑靶、铟靶、锘靶或锡靶的纯度为3N。钛靶、钴靶、镍靶、钯靶、铑靶、铟靶、锘靶或锡靶的真空溅射速度为0.5～2m/min时，钛靶、钴靶、镍靶、钯靶、铑靶、铟靶、锘靶或锡靶溅射有最佳的成膜性，形成的第一金属保护层31和第二金属保护层33薄膜性能最佳。

如附图1所示，本发明实施例还提供了一种电磁波屏蔽膜，包括：载体层20和形成在所述载体层上的金属叠层30，所述金属叠层30包括在所述载体层的一表面依次层叠设置的第一金属保护层31、金属功能层32和第二金属保护层33，其中，所述第一金属保护层31选自钛层、钴层、镍层、钯层、铑层、铟层、锘层或锡层中的一种，或所述第一金属保护层31为钛、钴、镍、钯、铑、铟、锘、锡中的至少两种金属制成的合金层，所述第一金属保护层31的厚度为1～5纳米；所述金属功能层32选自银层、铜层、金层、铝层或镍层中的一种，或所述金属功能层为银、铜、金、铝、镍中的至少两种金属制成的合金层，所述金属功能层32的厚度为3～10纳米；所述第二金属保护层33选自钛层、钴层、镍层、钯层、铑层、铟层、锘层或锡层中的一种，或所述第二金属保护层33为钛、钴、镍、钯、铑、铟、锘、锡中的至少两种金属制成的合金层，所述第二金属保护层33的厚度为1～5纳米；所述载体层的厚度为3～15微米。

本发明实施例提供的电磁波屏蔽膜，以第一金属保护层31、金属功能层32和第二金属保护层33作为金属叠层30，其中，金属功能层32具有优异的导电性和稳定性，可有效吸收和导通电磁波，从而防止电子元件被电磁波干扰，同时也能防止电荷保留在电磁屏蔽膜上，抑制异常放电。因此，屏蔽膜导通性能好，电磁屏蔽性能好。金属功能层32两侧的金属保护层，能较好的保护金属功能层32不被氧化，使屏蔽膜有更好的稳定性和更长的使用寿命。另外，本发明实施例提供的电磁波屏蔽膜，金属叠层30和载体层20都很薄，因而膜层整体较薄，确保了屏蔽膜的透光性，使屏蔽膜有更广泛的应用领域，同时也降低了生产成本，节约了资源，更加环保。

具体地，上述载体层20厚度为3～15微米，主要作为屏蔽膜的载体。载体层20厚度具体可为5微米、8微米、10微米、12微米、13微米等。上述金属叠层30包括在所述载体层的一表面依次层叠形成的第一金属保护层31、金属功能层32和第二金属保护层33。

其中，金属功能层32选自银层、铜层、金层、铝层或镍层中的一种，或所述金属功能层32为银、铜、金、铝、镍中的至少两种金属制成的合金层。银、铜、金、铝或镍等元素具有优异的导电性和稳定性，可有效的吸收和导通电磁波，是金属叠层30的主体，也是屏蔽膜的对电磁波的屏蔽主体。所述金属功能层的厚度为3～10纳米在一些实施例中，金属功能层32为由银、铜、金、铝或镍元素构成的金属层。在另一些实施例中，金属功能层32为由银、铜、金、铝、镍元素中的两种或两种以上构成的合金层。优选地，金属功能层32由银元素构成的银层。

第一金属保护层31和第二金属保护层33分别在金属功能层32的两侧形成，金属保护层由钛、钴、镍、钯、铑、铟、锘或锡中的一种或几种元素构成，钛、钴、镍、钯、铑、铟、锘或锡等金属元素具有优良的耐腐蚀性能、耐热性能等，能较好的保护金属功能层32不被氧化，使屏蔽膜有更好的稳定性和更长的使用寿命。第一金属保护层31和第二金属保护层33中的金属材料可以相同，也可以不同。优选地，第一金属保护层31采用钛元素构成。优选地，第二金属保护层33采用钛元素构成。进一步优选的，第一金属保护层31和第二金属保护层33的材料均为钛。钛作为金属保护层设置在金属功能层32的两侧，能更好的保护金属功能层32不被氧化。

作为最优选实施例，第一金属保护层31和第二金属保护层33均为钛层，金属功能层32为银层，即金属叠层30为钛层-银层-钛层的叠层结构。金属银层具有更优异的导电性和稳定性，可有效吸收和导通电磁波，且原料来源广，成本低。金属钛层，能更好的保护银层不被氧化，使屏蔽膜有更好的稳定性和更长的使用寿命。金属功能层32的厚度具体可为3纳米、5纳米、6纳米、8纳米、9纳米等。

第一金属保护层31的厚度具体可为1纳米、2纳米、3纳米、4纳米、5纳米等。

第二金属保护层33的厚度具体可为1纳米、2纳米、3纳米、4纳米、5纳米、6纳米等。

作为优选实施例，载体层20的材料选自聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚苯硫醚或者聚酰亚胺中，所述载体层20的厚度为5～10微米。优选地，载体层20采用聚萘二甲酸乙二醇酯制成，萘环结构使其聚萘二甲酸乙二醇酯膜具有更高的物理机械性能、气体阻隔性能、化学稳定性及耐热、耐紫外线、耐辐射等性能。此外，聚萘二甲酸乙二醇酯膜还具有优良的力学性能，即使在高温高压情况下，其弹性模量、强度、蠕变和寿命仍能保持相当的稳定性。

作为优选实施例，电磁波屏蔽膜还包括保护层10，所述保护层10形成在所述载体层20远离所述金属叠层30的表面，所述保护层10厚度为25～50微米。由于载体层20为薄膜，仅为3～15微米，基材膜太薄不利于后续形成金属叠层30等操作，因此，引入保护层10形成在载体层20远离金属叠层30的表面，主要起到支撑载体薄膜层的作用，方便后续工艺的进行。保护层10的厚度具体可为25微米、30微米、35微米、40微米、45微米、48微米、50微米等。

作为优选实施例，保护层10的材料选自聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚苯硫醚、环氧树脂油墨、聚氨酯油墨或者改性丙烯酸树脂。优选地，保护层10与载体层20不同时选自同一种聚合物膜。更有选地，保护层10的材料选自聚对苯二甲酸乙二醇酯，该聚对苯二甲酸乙二醇酯成本低，容易获取，使用方便。

以下通过多个实施例来举例说明上述发明的技术方案。

实施例1

一种电磁波屏蔽膜。

使用5微米的聚萘二甲酸乙二醇酯膜作为载体层20；

采用高精密覆膜机在载体层20上涂覆一层厚度为28微米的聚对苯二甲酸乙二醇酯保护层10；

然后通过高精溅射机，在真空等级为1*10^-3Pa，50ppm氩气的条件下，在载体层20远离保护层10的表面依次溅射钛靶、银靶和钛靶，依次形成第一金属保护层31、金属功能层32和第二金属保护层33。第一金属保护层31的厚度为2纳米，金属功能层32的厚度为5纳米，第二金属保护层33的厚度为2纳米。

获得电磁波屏蔽膜。

对上述电磁波屏蔽膜进行厚度、表面电阻、高温高湿(温度85℃，湿度85％)120h、透过率等性能测试，结果如下表1所述：

表1

由上述分析可知，本发明实施例制备的电磁波屏蔽膜厚度较小，膜表面电阻小，导通性好，能及时吸收、疏导电子元件多余的电磁波。且该电磁波屏蔽膜性能稳定，透过光性好。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种电磁波屏蔽膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

获取载体层，在所述载体层的一表面制备保护层；

在所述载体层远离所述保护层的表面真空溅射形成金属叠层，

其中，所述金属叠层包括依次层叠设置在所述载体层远离所述保护层的表面的第一金属保护层、金属功能层和第二金属保护层；

所述载体层的厚度为3～15微米，所述金属功能层的厚度为3～10纳米，所述第一金属保护层的厚度为1～5纳米，所述第二金属保护层的厚度为1～5纳米；

所述在所述载体层远离所述保护层的表面真空溅射形成金属叠层的方法为：

在所述载体层远离所述保护层的表面真空溅射第一金属靶材，形成第一金属保护层，所述第一金属靶材选自钛靶、钴靶、镍靶、钯靶、铑靶、铟靶、锘靶或锡靶中的至少一种；

在所述第一金属保护层远离所述载体层的表面真空溅射金属靶材，形成金属功能层，所述金属靶材选自银靶、铜靶、金靶、铝靶或镍靶中的至少一种；

在所述金属功能层远离所述第一金属保护层表面真空溅射第二金属靶材，形成第二金属保护层，所述第二金属靶材选自钛靶、钴靶、镍靶、钯靶、铑靶、铟靶、锘靶或锡靶中的至少一种。

2.如权利要求1所述的电磁波屏蔽膜的制备方法，其特征在于，所述真空溅射的真空度为1*10^-3Pa以下。

3.如权利要求2所述的电磁波屏蔽膜的制备方法，其特征在于，所述银靶、铜靶、金靶、铝靶或镍靶的纯度为3N、4N、或者5N，所述银靶、铜靶、金靶、铝靶或镍靶的真空溅射的速度为3～7m/min；和/或，

所述钛靶、钴靶、镍靶、钯靶、铑靶、铟靶、锘靶或锡靶的纯度为3N、4N、或者5N，所述钛靶、钴靶、镍靶、钯靶、铑靶、铟靶、锘靶或锡靶的真空溅射的速度为0.5～2m/min。

4.如权利要求3所述的电磁波屏蔽膜的制备方法，其特征在于，所述载体层的材料选自聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚苯硫醚或者聚酰亚胺中的一种；和/或，

所述保护层的材料选自聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚苯硫醚、环氧树脂油墨、聚氨酯油墨或者改性丙烯酸树脂中的一种。

5.一种如权利要求1～4任一项所述方法制备的电磁波屏蔽膜，其特征在于，包括：载体层和形成在所述载体层上的金属叠层，所述金属叠层包括在所述载体层的一表面依次层叠设置的第一金属保护层、金属功能层和第二金属保护层，

其中，所述第一金属保护层选自钛层、钴层、镍层、钯层、铑层、铟层、锘层或锡层中的一种，或所述第一金属保护层为钛、钴、镍、钯、铑、铟、锘、锡中的至少两种金属制成的合金层，所述第一金属保护层的厚度为1～5纳米；

所述金属功能层选自银层、铜层、金层、铝层或镍层中的一种，或所述金属功能层为银、铜、金、铝、镍中的至少两种金属制成的合金层，所述金属功能层的厚度为3～10纳米；

所述第二金属保护层选自钛层、钴层、镍层、钯层、铑层、铟层、锘层或锡层中的一种，或所述第二金属保护层为钛、钴、镍、钯、铑、铟、锘、锡中的至少两种金属制成的合金层，所述第二金属保护层的厚度为1～5纳米；

所述载体层的厚度为3～15微米。

6.如权利要求5所述的电磁波屏蔽膜，其特征在于，所述第一金属保护层和所述第二金属保护层同时选自钛层，所述金属功能层选自银层。

7.如权利要求6所述的电磁波屏蔽膜，其特征在于，所述载体层的材料选自聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚苯硫醚或者聚酰亚胺，所述载体层的厚度为5～10微米。

8.如权利要求5～7任意一项所述的电磁波屏蔽膜，其特征在于，所述电磁波屏蔽膜还包括保护层，所述保护层形成在所述载体层远离所述金属叠层的表面，所述保护层的厚度为25～50微米。

9.如权利要求8所述的电磁波屏蔽膜，其特征在于，所述保护层的材料选自聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚苯硫醚、环氧树脂油墨、聚氨酯油墨或者改性丙烯酸树脂。

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