CN109427661A - 带对准标记的基板的制造方法 - Google Patents

带对准标记的基板的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109427661A
CN109427661A CN201811015011.1A CN201811015011A CN109427661A CN 109427661 A CN109427661 A CN 109427661A CN 201811015011 A CN201811015011 A CN 201811015011A CN 109427661 A CN109427661 A CN 109427661A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer side
alignment mark
lower layer
metal film
side alignment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811015011.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109427661B (zh
Inventor
前田昌纪
原义仁
大东彻
今井元
北川英树
伊藤俊克
川崎达也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of CN109427661A publication Critical patent/CN109427661A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109427661B publication Critical patent/CN109427661B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32139—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133354—Arrangements for aligning or assembling substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

缩小配置空间并且提高对准精度。阵列基板(10B)的制造方法具备：第1金属膜形成工序，通过形成第1金属膜(23)并对其进行图案化，形成具有包括开口的下层侧对准标记(39)的下层侧对准标记构成部(40)；第2金属膜成膜工序，形成第2金属膜(25)；光致抗蚀剂膜形成工序，通过形成光致抗蚀剂膜(41)并对其进行图案化，形成与下层侧对准标记的至少一部分重叠的下层侧对准标记重叠部(42)；蚀刻工序，通过选择性地蚀刻并除去第1金属膜(23)和第2金属膜中的与光致抗蚀剂膜的下层侧对准标记重叠部不重叠的部分，形成包括第2金属膜的上层侧对准标记(38)；以及光致抗蚀剂膜剥离工序，剥离光致抗蚀剂膜。

Description

带对准标记的基板的制造方法
技术领域
本发明涉及带对准标记的基板的制造方法。
背景技术
以往，作为在液晶显示装置中具备的带对准标记的基板的一例，已知下述专利文献1中记载的基板。该专利文献1中记载的带对准标记的基板具备：多个成膜层，其上分别形成成膜图案；层间膜，其分别形成于上述多个成膜层相互之间；对准标记，其由与各成膜图案相同的材料形成于上述多个成膜层中的至少1个成膜层；以及开孔部，其形成于上述对准标记上的上述层间膜，使上述对准标记露出。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开2004-317728号公报
发明内容
发明要解决的问题
上述专利文献1中记载的带对准标记的基板使对准标记通过形成于层间膜的开孔部露出，从而无论层间膜的膜厚如何均能得到可靠的焦点，能提高对准精度。但是，在需要设置多个对准标记的情况下，必须分别确保用于设置多个对准标记的配置空间，存在配置空间变大的问题。另外，当将多个对准标记配置于不同的位置时，对准精度有可能会降低。
本发明是基于上述这种情况而完成的，其目的在于缩小配置空间并且提高对准精度。
用于解决问题的方案
本发明的第1带对准标记的基板的制造方法具备：下层侧金属膜形成工序，通过在基板的上层侧形成下层侧金属膜并对其进行图案化，形成具有包括开口的下层侧对准标记的下层侧对准标记构成部；上层侧金属膜成膜工序，在上述基板和上述下层侧金属膜的上层侧形成上层侧金属膜；光致抗蚀剂膜形成工序，通过在上述上层侧金属膜的上层侧形成光致抗蚀剂膜并对其进行图案化，形成与上述下层侧对准标记的至少一部分重叠的下层侧对准标记重叠部；蚀刻工序，通过选择性地蚀刻并除去上述下层侧金属膜和上述上层侧金属膜中的与上述光致抗蚀剂膜的上述下层侧对准标记重叠部不重叠的部分，形成包括上述上层侧金属膜的上层侧对准标记；以及光致抗蚀剂膜剥离工序，剥离上述光致抗蚀剂膜。
首先，在下层侧金属膜形成工序中，在基板的上层侧形成下层侧金属膜并对其进行图案化。这样，形成具有包括开口的下层侧对准标记的下层侧对准标记构成部。在通过上层侧金属膜成膜工序在基板和下层侧金属膜的上层侧形成上层侧金属膜后，在光致抗蚀剂膜形成工序中，在上层侧金属膜的上层侧形成光致抗蚀剂膜并对其进行图案化。这样，形成与下层侧对准标记的至少一部分重叠的光致抗蚀剂膜的下层侧对准标记重叠部。在该光致抗蚀剂膜形成工序中，能使用下层侧对准标记构成部的下层侧对准标记进行了基板的对准调整后进行光致抗蚀剂膜的图案化，因此能以高精度形成下层侧对准标记重叠部。
然后，在蚀刻工序中，选择性地蚀刻并除去下层侧金属膜和上层侧金属膜中的与光致抗蚀剂膜的下层侧对准标记重叠部不重叠的部分。此时，下层侧金属膜的下层侧对准标记构成部相对于与下层侧对准标记的至少一部分重叠的光致抗蚀剂膜的下层侧对准标记重叠部为不重叠的配置，所以会随着上述蚀刻而被除去。而上层侧金属膜中的、与光致抗蚀剂膜的下层侧对准标记重叠部重叠的部分不会通过蚀刻被除去而残存，成为上层侧对准标记。该上层侧对准标记由于成为与下层侧对准标记的至少一部分重叠的位置关系，所以可以说其是利用了下层侧对准标记的配置空间而配置的。因而，如果与将下层侧对准标记和上层侧对准标记配置于不同的位置的情况相比，各对准标记的配置空间变小，并且对准精度变高。之后，在光致抗蚀剂膜剥离工序中，光致抗蚀剂膜被剥离。由此，能使用上层侧对准标记进行基板的对准调整。
本发明的第2带对准标记的基板的制造方法具备：下层侧金属膜形成工序，通过在基板的上层侧形成下层侧金属膜并对其进行图案化，形成下层侧对准标记；上层侧金属膜成膜工序，在上述基板和上述下层侧金属膜的上层侧形成上层侧金属膜；光致抗蚀剂膜形成工序，通过在上述上层侧金属膜的上层侧形成光致抗蚀剂膜并对其进行图案化，形成与上述下层侧对准标记不重叠的下层侧对准标记非重叠部，上述下层侧对准标记非重叠部具有与上述下层侧对准标记重叠的下层侧对准标记重叠开口部；蚀刻工序，通过选择性地蚀刻并除去上述下层侧金属膜和上述上层侧金属膜中的与上述光致抗蚀剂膜的上述下层侧对准标记非重叠部不重叠的部分，形成包括上述上层侧金属膜的上层侧对准标记构成部，上述上层侧对准标记构成部具有包括与上述下层侧对准标记重叠开口部重叠的开口的上层侧对准标记；以及光致抗蚀剂膜剥离工序，剥离上述光致抗蚀剂膜。
首先，在下层侧金属膜形成工序中，在基板的上层侧形成下层侧金属膜并对其进行图案化。这样，形成下层侧对准标记。在通过上层侧金属膜成膜工序在基板和下层侧金属膜的上层侧形成上层侧金属膜后，在光致抗蚀剂膜形成工序中，在上层侧金属膜的上层侧形成光致抗蚀剂膜并对其进行图案化。这样，形成具有与下层侧对准标记重叠的下层侧对准标记重叠开口部且与下层侧对准标记不重叠的光致抗蚀剂膜的下层侧对准标记非重叠部。在该光致抗蚀剂膜形成工序中，能使用下层侧对准标记进行了基板的对准调整后进行光致抗蚀剂膜的图案化，因此能以高精度形成下层侧对准标记非重叠部。
然后，在蚀刻工序中，选择性地蚀刻并除去下层侧金属膜和上层侧金属膜中的与光致抗蚀剂膜的下层侧对准标记非重叠部不重叠的部分。此时，下层侧金属膜的下层侧对准标记相对于具有与下层侧对准标记重叠的下层侧对准标记重叠开口部的光致抗蚀剂膜的下层侧对准标记非重叠部为不重叠的配置，所以随着上述蚀刻而被除去。而上层侧金属膜中的、与光致抗蚀剂膜的下层侧对准标记非重叠部重叠的部分不会通过蚀刻被除去而残存，形成具有包括与下层侧对准标记重叠开口部重叠的开口的上层侧对准标记的上层侧对准标记构成部。该上层侧对准标记由于成为与下层侧对准标记重叠的位置关系，所以可以说其是利用了下层侧对准标记的配置空间而配置的。因而，如果与将下层侧对准标记和上层侧对准标记配置于不同的位置的情况相比，各对准标记的配置空间变小，并且对准精度变高。之后，在光致抗蚀剂膜剥离工序中，光致抗蚀剂膜被剥离。由此，能使用上层侧对准标记进行基板的对准调整。
发明效果
根据本发明，能缩小配置空间并且提高对准精度。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式1的液晶面板的触摸电极和触摸配线的平面配置的俯视图。
图2是表示构成液晶面板的阵列基板的像素排列的俯视图。
图3是图2的A-A线截面图。
图4是表示阵列基板的触摸配线与触摸引出配线的连接部位的截面图。
图5是母玻璃基板的俯视图。
图6是将母玻璃基板的上层侧对准标记附近放大的俯视图。
图7是图6的B-B线截面图。
图8是表示通过阵列基板的制造方法中的下层侧金属膜形成工序形成了具有下层侧对准标记的下层侧对准标记构成部的状态的俯视图。
图9是图8的B-B线截面图。
图10是表示通过阵列基板的制造方法中的上层侧金属膜成膜工序形成了第2金属膜的状态的截面图。
图11是表示对通过阵列基板的制造方法中的光致抗蚀剂膜形成工序形成的光致抗蚀剂膜进行了图案化的状态的截面图。
图12是表示通过阵列基板的制造方法中的蚀刻工序进行了蚀刻的状态的截面图。
图13是表示通过本发明的实施方式2的阵列基板的制造方法中的下层侧金属膜形成工序形成了下层侧对准标记的状态的俯视图。
图14是图13的B-B线截面图。
图15是表示通过阵列基板的制造方法中的上层侧金属膜成膜工序形成了第2金属膜的状态的截面图。
图16是表示对通过阵列基板的制造方法中的光致抗蚀剂膜形成工序形成的光致抗蚀剂膜进行了图案化的状态的截面图。
图17是表示通过阵列基板的制造方法中的蚀刻工序进行了蚀刻的状态的截面图。
图18是将阵列基板的制造方法中的光致抗蚀剂膜剥离工序结束后的母玻璃基板的上层侧对准标记附近放大的俯视图。
图19是图18的B-B线截面图。
附图标记说明
10B：阵列基板(带对准标记的基板)；10MGS、110MGS：母玻璃基板(基板)；23、123：第1金属膜(下层侧金属膜)；25、125：第2金属膜(上层侧金属膜)；38、138：上层侧对准标记；39、139：下层侧对准标记；40：下层侧对准标记构成部；41、141：光致抗蚀剂膜；42：下层侧对准标记重叠部；44：下层侧对准标记重叠开口部；45：下层侧对准标记非重叠部；46：上层侧对准标记构成部。
具体实施方式
＜实施方式1＞
通过图1至图12说明本发明的实施方式1。在本实施方式中，例示构成除了具备显示功能以外还具备触摸面板功能(位置输入功能)的液晶面板(显示面板、带位置输入功能的显示面板)10的阵列基板(带对准标记的基板)10B的制造方法。此外，在各附图的一部分示出X轴、Y轴和Z轴，各轴方向被描述为在各附图中所示的方向。另外，关于上下方向，以图3、图7、图9到图12为基准，且以该图上侧为表侧并且以该图下侧为里侧。
液晶面板10利用从未图示的背光源装置(照明装置)照射的照明光来显示图像。如图1所示，在液晶面板10中安装有驱动液晶面板10的驱动器(面板驱动部、驱动电路部)11以及将液晶面板10和未图示的控制电路基板电连接的柔性基板(外部连接部件)12。液晶面板10作为整体呈纵长的方形(矩形)，其板面被划分为：显示区域(有源区域)AA，其能显示图像且配置于中央侧；以及非显示区域(非有源区域)NAA，其以包围显示区域AA的形式配置于外周侧，俯视时呈框状(边框状)。该液晶面板10的短边方向与各附图的X轴方向一致，长边方向与各附图的Y轴方向一致，而且板厚方向与Z轴方向一致。此外，在图1中，单点划线表示显示区域AA的外形，比该单点划线靠外侧的区域为非显示区域NAA。液晶面板10至少具有：一对基板10A、10B；以及液晶层10C，其被夹持在两基板10A、10B之间，包含作为光学特性随着施加电场而变化的物质的液晶分子(参照图3)，液晶层10C被介于两基板10A、10B之间的未图示的密封部包围从而实现了密封。一对基板10A、10B中的表侧(正面侧)设为CF基板(相对基板)10A，里侧(背面侧)设为阵列基板(带对准标记的基板、薄膜晶体管基板)10B。CF基板10A和阵列基板10B均是在玻璃基板10GS的内面侧层叠形成各种膜而成(参照图5)。此外，在两基板10A、10B的外面侧分别贴附有未图示的偏振板。
如图2所示，在阵列基板10B的显示区域AA的内面侧(液晶层10C侧、与CF基板10A的相对面侧)，TFT(薄膜晶体管、开关元件)13和像素电极14各多个地沿着X轴方向和Y轴方向排列而按矩阵状(行列状)设置，并且在这些TFT13和像素电极14的周围，以包围的方式配设有呈大致格子状的栅极配线(扫描配线)15和源极配线(信号配线、数据配线)16。栅极配线15沿着X轴方向大致笔直地延伸，而源极配线16大致沿着Y轴方向延伸。像素电极14的平面形状设为纵长的大致平行四边形，源极配线16介于在像素电极14的短边方向(X轴方向)上相邻的像素电极14之间，栅极配线15介于在像素电极14的长边方向(Y轴方向)上相邻的像素电极14之间。
如图2和图3所示，TFT13具有：栅极电极13A，其是使栅极配线15的一部分向成为连接对象的像素电极14侧突出而成；源极电极13B，其包括源极配线16中的与栅极电极13A重叠的部分；漏极电极13C，其配置于与源极电极13B之间空出间隔的位置；以及沟道部13D，其连接到源极电极13B和漏极电极13C。其中，漏极电极13C通过开口形成于后述的平坦化膜29和第2层间绝缘膜31的像素用接触孔CH连接到像素电极14。并且，TFT13当基于从栅极配线15供应到栅极电极13A的扫描信号被驱动时，将供应到源极配线16的图像信号的电位从源极电极13B经由沟道部13D向漏极电极13C供应，由此，对像素电极14进行充电。
如图2和图3所示，在阵列基板10B的显示区域AA的内面侧，共用电极17以与全部像素电极14重叠的形式形成于比像素电极14靠上层侧(离液晶层10C近的一侧)的位置。共用电极17总是被供应大致固定的基准电位，在显示区域AA的大致整个区域内延伸，在与各像素电极14重叠的部分，各开口形成有多个(在图2中为2个)纵长形状的像素重叠开口部(像素重叠狭缝、取向控制狭缝)17A。当在相互重叠的像素电极14和共用电极17之间随着像素电极14被充电而产生了电位差时，在像素重叠开口部17A的开口缘和像素电极14之间，除了产生沿着阵列基板10B的板面的成分以外，还会产生包括相对于阵列基板10B的板面的法线方向的成分的边缘电场(倾斜电场)，因此能利用该边缘电场来控制液晶层10C中包含的液晶分子的取向状态。即，本实施方式的液晶面板10的动作模式设为FFS(Fringe FieldSwitching：边缘场开关)模式。
如图3所示，在CF基板10A的内面侧的显示区域AA中，设置有呈现红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的3色的彩色滤光片18。呈现相互不同的颜色的彩色滤光片18沿着栅极配线15(X轴方向)反复排列多个并且它们沿着源极配线16(大概Y轴方向)延伸，从而彩色滤光片18作为整体按条纹状排列。这些彩色滤光片18为俯视时与阵列基板10B侧的各像素电极14重叠的配置。在该液晶面板10中，沿着X轴方向排列的R、G、B的彩色滤光片18和与各彩色滤光片18相对的3个像素电极14分别构成3色的像素部PX。并且，在该液晶面板10中，由沿着X轴方向相邻的R、G、B的3色的像素部PX构成了能进行规定的灰度级的彩色显示的显示像素。像素部PX在X轴方向上的排列间距设为例如数十μm程度。在CF基板10A的内面侧的显示区域AA中形成有遮挡光的遮光部(像素间遮光部、黑矩阵)19。为了将相邻的像素部PX(像素电极14)之间分隔开，遮光部19的平面形状呈大致格子状，在俯视时与阵列基板10B侧的像素电极14的大部分重叠的位置具有像素开口部19A。遮光部19发挥防止光在相邻的像素部PX之间往来而保证各像素部PX的灰度级的独立性的功能。遮光部19设为与阵列基板10B侧的栅极配线15和源极配线16俯视时重叠的配置。另外，在两基板10A、10B中的与液晶层10C接触的最内面分别形成有用于使液晶层10C中包含的液晶分子取向的取向膜20。此外，在CF基板10A中，也可以以介于取向膜20和彩色滤光片18之间的形式形成有外涂层膜。
在此，说明层叠形成于阵列基板10B的内面侧的各种膜。如图3所示，在构成阵列基板10B的玻璃基板10GS中，从下层侧(玻璃基板10GS侧)起按顺序层叠形成有第1金属膜(下层侧金属膜)23、第1层间绝缘膜24、第2金属膜(上层侧金属膜、栅极金属膜)25、栅极绝缘膜26、半导体膜27、第3金属膜(源极金属膜)28、平坦化膜(有机绝缘膜)29、第4金属膜30、第2层间绝缘膜31、第1透明电极膜32、第3层间绝缘膜33、第2透明电极膜34以及取向膜20。
第1金属膜23、第2金属膜25、第3金属膜28以及第4金属膜30分别被设为包括从铜、钛、铝等之中选择的1种金属材料的单层膜或包括不同种类的金属材料的层叠膜和合金，从而具有导电性和遮光性。其中，第1金属膜23构成后述的触摸引出配线36等。第2金属膜25构成栅极配线15或TFT13的栅极电极13A等。第3金属膜28构成源极配线16或TFT13的源极电极13B和漏极电极13C或后述的触摸引出配线36等。第4金属膜30构成后述的触摸配线22等。第1层间绝缘膜24、栅极绝缘膜26、第2层间绝缘膜31以及第3层间绝缘膜33分别包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)等无机材料，将上层侧的各金属膜25、28、30或各透明电极膜32、34与下层侧的各金属膜23、25、28、30或第1透明电极膜32保持为绝缘状态。包括无机材料的各绝缘膜24、26、31、33分别以跨于显示区域AA和非显示区域NAA的形式配置。包括无机材料的各绝缘膜24、26、31、33与后述的平坦化膜29相比膜厚较小。平坦化膜29包括丙烯酸树脂(例如PMMA等)等有机材料，发挥将比自身靠下层侧产生的台阶平坦化的功能。平坦化膜29具有比上述的包括无机材料的各绝缘膜24、26、31、33大的膜厚。半导体膜27包括作为材料例如使用了氧化物半导体的薄膜，构成TFT13中连接到源极电极13B和漏极电极13C的沟道部(半导体部)13D等。第1透明电极膜32和第2透明电极膜34包括透明电极材料(例如ITO(IndiumTin Oxide：铟锡氧化物)等)。其中，第1透明电极膜32构成像素电极14等，第2透明电极膜34构成共用电极17(后述的触摸电极21)等。
本实施方式的液晶面板10兼有显示图像的显示功能和检测使用者基于所显示的图像进行输入的位置(输入位置)的触摸面板功能(位置输入功能)，将用于发挥其中的触摸面板功能的触摸面板图案进行了一体化(in-cell化)。该触摸面板图案设为所谓的投影型静电电容方式，其检测方式设为自电容方式。如图1所示，触摸面板图案设置于一对基板10A、10B中的阵列基板10B侧，包括在阵列基板10B的板面内按矩阵状排列配置的多个触摸电极(位置检测电极)21。触摸电极21配置于阵列基板10B的显示区域AA。因而，液晶面板10的显示区域AA与能检测输入位置的触摸区域(位置输入区域)大致一致，非显示区域NAA与不能检测输入位置的非触摸区域(非位置输入区域)大致一致。并且，当使用者基于所看到的液晶面板10的显示区域AA的图像想要进行位置输入而将作为导电体的未图示的手指(位置输入体)靠近液晶面板10的表面(显示面)时，会在该手指和触摸电极21之间形成静电电容。由此，由位于手指的附近的触摸电极21检测出的静电电容随着手指靠近而发生变化，而与由位于离手指远的位置的触摸电极21检测出的静电电容不同，因此能基于此来检测输入位置。
并且，如图1所示，该触摸电极21包括设置于阵列基板10B的共用电极17。共用电极17包括按大致格子状被分隔从而当俯视时分割成棋盘格状且相互电独立的多个触摸电极21。将共用电极17分隔而成的触摸电极21在显示区域AA内沿着X轴方向和Y轴方向各配置有多个而按矩阵状排列。触摸电极21俯视时呈方形，一边的尺寸为数mm(例如约2mm～5mm)程度。因而，触摸电极21俯视时的大小远大于像素部PX(像素电极14)，触摸电极21配置于在X轴方向和Y轴方向上各跨多个(例如数十或数百程度的)像素部PX的范围内。多个触摸电极21选择性地连接有设置于阵列基板10B的多个触摸配线(位置检测配线)22。触摸配线22在阵列基板10B上以与源极配线16并行的形式沿着大概Y轴方向延伸，选择性地连接到沿着Y轴方向排列的多个触摸电极21中的特定的触摸电极21。触摸配线22还与未图示的检测电路连接。检测电路既可以设置于驱动器11，也可以经由柔性基板12而设置于液晶面板10的外部。触摸配线22将显示功能的基准电位信号和触摸功能的触摸信号(位置检测信号)以不同的定时供应到触摸电极21。其中的基准电位信号按照相同的定时被传送到全部触摸配线22，由此，全部触摸电极21成为基准电位而作为共用电极17发挥功能。此外，图1示意性地表示出触摸电极21的排列，除了图示以外，也能适当地变更触摸电极21的具体设置数量或配置。
详细说明触摸配线22。如图2和图3所示，在阵列基板10B的显示区域AA中，包括第4金属膜30的触摸配线22通过开口形成于第2层间绝缘膜31和第3层间绝缘膜33的触摸电极用接触孔35连接到成为连接对象的包括第2透明电极膜34的触摸电极21。触摸配线22的在X轴方向上与TFT13(漏极电极13C)相邻的部位被局部地扩宽，该扩宽部22A可以作为相对于触摸电极21的连接焊盘发挥功能。该扩宽部22A形成于以横穿沿着Y轴方向排列的多个TFT13的形式延伸的触摸配线22中的、与各TFT13相邻的各个部位，但触摸电极用接触孔35仅选择性地与一部分(单个或多个)扩宽部22A重叠配置。通过这样按每一个TFT13(每一个像素电极14)形成有扩宽部22A，从而能将在触摸配线22与各TFT13或各像素电极14之间会产生的寄生电容均等化。触摸配线22虽然以横穿全部触摸电极21的形式沿着大概Y轴方向延伸，但是根据触摸电极用接触孔35的平面配置而仅选择性地连接到特定的触摸电极21(参照图1)。另外，触摸配线22配置于与源极配线16俯视时重叠的位置。
另一方面，如图1所示，触摸配线22在阵列基板10B的非显示区域NAA内按大致扇状被引绕，它们的引出前端部连接到触摸引出配线36。触摸引出配线36以与触摸配线22并行的形式按大致扇状被引绕，其一端侧连接到触摸配线22，另一端侧连接到驱动器11。如图4所示，触摸引出配线36包括第1金属膜23，其一端侧与包括第4金属膜30的触摸配线22的引出前端部相互重叠，它们的重叠部位彼此通过在介于其间的第1层间绝缘膜24、栅极绝缘膜26以及平坦化膜29中开口形成的引出配线用接触孔37相互连接。在触摸引出配线36的另一端侧设置有连接到驱动器11的端子部(未图示)。此外，源极配线16也与触摸配线22同样地经由未图示的源极引出配线连接到驱动器11，该源极引出配线例如包括第2金属膜25(与触摸引出配线36不同的金属膜)。
本实施方式的液晶面板10是以上那样的结构，接下来说明其制造方法。本实施方式的液晶面板10是通过使分别单独制造的CF基板10A和阵列基板10B贴合来制造的。在本实施方式中，在制造CF基板10A和阵列基板10B时，如图5所示，通过未图示的各种制造装置来处理将多个玻璃基板10GS在板面内排列配置而成的母玻璃基板(基板)10MGS。此外，在图5中用实线图示出多个玻璃基板10GS的外形。并且，在制造阵列基板10B时使用的母玻璃基板10MGS中设置有上层侧对准标记38，上层侧对准标记38用于相对于各种制造装置所具备的、用以支撑母玻璃基板10MGS的载台(未图示)进行对准调整(对准)。上层侧对准标记38为与多个玻璃基板10GS(成为多个阵列基板10B的区域)不重叠的配置，分别配置于母玻璃基板10MGS的四角位置附近。如图6所示，上层侧对准标记38具有沿着X轴方向延伸的部分与沿着Y轴方向延伸的部分正交(交叉)的大致十字形的平面形状。如图7所示，上层侧对准标记38包括第2金属膜25，直接层叠于玻璃基板10GS的表面。此外，在图6中，将包括第2金属膜25的上层侧对准标记38的形成范围设为网格状进行图示。以下，详细说明构成液晶面板10的阵列基板10B的制造方法。
阵列基板10B的制造方法至少具备：第1金属膜形成工序(下层侧金属膜形成工序)，在母玻璃基板(基板)10MGS的上层侧形成第1金属膜(下层侧金属膜)23并对其进行图案化；第1层间绝缘膜形成工序(绝缘膜形成工序)，形成第1层间绝缘膜(绝缘膜)24并对其进行图案化；第2金属膜成膜工序(上层侧金属膜成膜工序)，形成第2金属膜(上层侧金属膜)25；光致抗蚀剂膜形成工序，形成光致抗蚀剂膜41并对其进行图案化；蚀刻工序，使用光致抗蚀剂膜41来蚀刻第1金属膜23和第2金属膜25；以及光致抗蚀剂膜剥离工序，除去光致抗蚀剂膜41，以下，详细说明这些各工序。此外，在阵列基板10B的制造方法中至少包含：栅极绝缘膜成膜工序，在上述光致抗蚀剂膜剥离工序后进行，在第2金属膜25等的上层侧形成栅极绝缘膜26；半导体膜形成工序，形成半导体膜27并对其进行图案化；第3金属膜形成工序，形成第3金属膜28并对其进行图案化；平坦化膜形成工序，形成平坦化膜29并对其进行图案化；第4金属膜形成工序，形成第4金属膜30并对其进行图案化；第2层间绝缘膜形成工序，形成第2层间绝缘膜31并对其进行图案化；第1透明电极膜形成工序，形成第1透明电极膜32并对其进行图案化；第3层间绝缘膜形成工序，形成第3层间绝缘膜33并对其进行图案化；第2透明电极膜形成工序，形成第2透明电极膜34并对其进行图案化；以及取向膜形成工序，形成取向膜20并对其进行取向处理。
在第1金属膜形成工序中，在母玻璃基板10MGS的表面形成第1金属膜23，使用具有规定图案的光掩模(未图示)对第1金属膜23进行图案化。这样，如图8和图9所示，形成具有包括开口的下层侧对准标记39的下层侧对准标记构成部40。如图8所示，下层侧对准标记39具有沿着X轴方向延伸的部分与沿着Y轴方向延伸的部分正交(交叉)的大致十字形的平面形状。下层侧对准标记39是通过将第1金属膜23局部地开口而形成，其外形由下层侧对准标记构成部40的开口缘部划定。下层侧对准标记构成部40自身的外形为方形，在其中央位置开口形成有大致十字形的下层侧对准标记39。此外，在图8中，将包括第1金属膜23的下层侧对准标记构成部40的形成范围设为与在图6中示出的上层侧对准标记38的形成范围的网格不同的(点密度相对疏松的)网格状进行图示。
在第1层间绝缘膜形成工序中，在母玻璃基板10MGS和第1金属膜23的上层侧形成第1层间绝缘膜24，使用具有规定图案的光掩模(未图示)对第1层间绝缘膜24进行图案化。这样，如图10所示，形成具有包围下层侧对准标记构成部40的对准标记包围开口部43的第1层间绝缘膜24。对准标记包围开口部43呈比下层侧对准标记构成部40的外形大一圈的方形。第1层间绝缘膜24为与包括第1金属膜23的下层侧对准标记构成部40不重叠的配置。在该第1层间绝缘膜形成工序中，向所使用的制造装置的载台设置母玻璃基板10MGS时，能利用下层侧对准标记39进行母玻璃基板10MGS的对准调整。因而，对第1层间绝缘膜24进行图案化时的位置精度变得良好，能形成高精度的对准标记包围开口部43。
在第2金属膜成膜工序中，在母玻璃基板10MGS、第1金属膜23以及第1层间绝缘膜24的上层侧形成第2金属膜25(参照图11)。在光致抗蚀剂膜形成工序中，在第2金属膜25的上层侧形成光致抗蚀剂膜41，使用具有规定图案的光掩模(未图示)对第1金属膜23进行图案化。这样，如图11所示，形成与下层侧对准标记39的一部分重叠的光致抗蚀剂膜41的下层侧对准标记重叠部42。在该光致抗蚀剂膜形成工序中，向所使用的制造装置的载台设置母玻璃基板10MGS时，能利用下层侧对准标记39来进行母玻璃基板10MGS的对准调整。因而，对光致抗蚀剂膜41进行图案化时的位置精度变得良好，能形成高精度的下层侧对准标记重叠部42。而且，在该光致抗蚀剂膜形成工序中，下层侧对准标记重叠部42形成为比下层侧对准标记39小一圈，其平面形状设为与下层侧对准标记39相似的形状的大致十字形。在下层侧对准标记重叠部42的外周缘部与下层侧对准标记构成部40的开口缘部(下层侧对准标记39的外形)之间，在整周上空有间隔。即，下层侧对准标记重叠部42的整个区域相对于下层侧对准标记39为不重叠的配置。这样，即使在通过光致抗蚀剂膜形成工序而被图案化的下层侧对准标记重叠部42以相对于下层侧对准标记构成部40发生了位置偏移的状态形成的情况下，下层侧对准标记构成部40相对于比下层侧对准标记39小一圈的光致抗蚀剂膜41的下层侧对准标记重叠部42成为不重叠的配置的确定性也会变高。由此，在后述的蚀刻工序中下层侧对准标记构成部40的整个区域被除去的确定性变高。
如图12所示，在蚀刻工序中，选择性地蚀刻并除去第1金属膜23和第2金属膜25中的与光致抗蚀剂膜41的下层侧对准标记重叠部42不重叠的部分。此时，第1金属膜23的下层侧对准标记构成部40由于相对于与下层侧对准标记39的一部分重叠的下层侧对准标记重叠部42为不重叠的配置(参照图11)，所以随着上述蚀刻而与第2金属膜25的一部分(上层侧对准标记38以外的部分)一起被除去。而第2金属膜25中的、与下层侧对准标记重叠部42重叠的部分不会通过蚀刻被除去而残存，成为上层侧对准标记38。该上层侧对准标记38由于成为与下层侧对准标记39的一部分重叠的位置关系，所以可以说其是利用了下层侧对准标记39的配置空间而配置的。具体地，上层侧对准标记38具有比下层侧对准标记39小一圈的外形，并且配置成与下层侧对准标记39为同心状。因而，如果与将下层侧对准标记和上层侧对准标记配置于不同的位置的情况相比，能节省各对准标记38、39的配置空间，并且能提高对准精度。
在光致抗蚀剂膜剥离工序中，光致抗蚀剂膜41被剥离，由此如图6和图7所示，成为包括第2金属膜25的上层侧对准标记38露出的状态。形成后的上层侧对准标记38配置于第1层间绝缘膜24的对准标记包围开口部43内。由此，在阵列基板10B的制造方法中的栅极绝缘膜成膜工序以后的各工序中，通过使用上层侧对准标记38，能以高精度进行母玻璃基板10MGS相对于各种制造装置的载台的对准调整。
如以上说明的，本实施方式的阵列基板(带对准标记的基板)10B的制造方法具备：第1金属膜形成工序(下层侧金属膜形成工序)，通过在母玻璃基板(基板)10MGS的上层侧形成第1金属膜(下层侧金属膜)23并对其进行图案化，形成具有包括开口的下层侧对准标记39的下层侧对准标记构成部40；第2金属膜成膜工序(上层侧金属膜成膜工序)，在母玻璃基板10MGS和第1金属膜23的上层侧形成第2金属膜(上层侧金属膜)25；光致抗蚀剂膜形成工序，通过在第2金属膜25的上层侧形成光致抗蚀剂膜41并对其进行图案化，形成与下层侧对准标记39的至少一部分重叠的下层侧对准标记重叠部42；蚀刻工序，通过选择性地蚀刻并除去第1金属膜23和第2金属膜25中的与光致抗蚀剂膜41的下层侧对准标记重叠部42不重叠的部分，形成包括第2金属膜25的上层侧对准标记38；以及光致抗蚀剂膜剥离工序，剥离光致抗蚀剂膜41。
首先，在第1金属膜形成工序中，在母玻璃基板10MGS的上层侧形成第1金属膜23并对其进行图案化。这样，形成具有包括开口的下层侧对准标记39的下层侧对准标记构成部40。通过第2金属膜成膜工序在母玻璃基板10MGS和第1金属膜23的上层侧形成第2金属膜25后，在光致抗蚀剂膜形成工序中，在第2金属膜25的上层侧形成光致抗蚀剂膜41并对其进行图案化。这样，形成与下层侧对准标记39的至少一部分重叠的光致抗蚀剂膜41的下层侧对准标记重叠部42。在该光致抗蚀剂膜形成工序中，能使用下层侧对准标记构成部40的下层侧对准标记39进行了母玻璃基板10MGS的对准调整后进行光致抗蚀剂膜41的图案化，因此能以高精度形成下层侧对准标记重叠部42。
然后，在蚀刻工序中，选择性地蚀刻并除去第1金属膜23和第2金属膜25中的与光致抗蚀剂膜41的下层侧对准标记重叠部42不重叠的部分。此时，第1金属膜23的下层侧对准标记构成部40相对于与下层侧对准标记39的至少一部分重叠的光致抗蚀剂膜41的下层侧对准标记重叠部42为不重叠的配置，所以随着上述蚀刻而被除去。而第2金属膜25中的、与光致抗蚀剂膜41的下层侧对准标记重叠部42重叠的部分不会通过蚀刻被除去而残存，成为上层侧对准标记38。该上层侧对准标记38由于成为与下层侧对准标记39的至少一部分重叠的位置关系，所以可以说其是利用了下层侧对准标记39的配置空间而配置的。因而，如果与将下层侧对准标记和上层侧对准标记配置于不同的位置的情况相比，各对准标记38、39的配置空间变小，并且对准精度变高。之后，在光致抗蚀剂膜剥离工序中，光致抗蚀剂膜41被剥离。由此，能使用上层侧对准标记38进行母玻璃基板10MGS的对准调整。
另外，在光致抗蚀剂膜形成工序中，下层侧对准标记重叠部42形成为比下层侧对准标记39小一圈。这样，即使在通过光致抗蚀剂膜形成工序而被图案化的光致抗蚀剂膜41的下层侧对准标记重叠部42以相对于第1金属膜23的下层侧对准标记构成部40发生了位置偏移的状态形成的情况下，第1金属膜23的下层侧对准标记构成部40相对于比下层侧对准标记39小一圈的光致抗蚀剂膜41的下层侧对准标记重叠部42成为不重叠的配置的确定性也会变高。由此，在蚀刻工序中下层侧对准标记构成部40的整个区域被除去的确定性变高。
＜实施方式2＞
通过图13至图19说明本发明的实施方式2。在该实施方式2中，示出将阵列基板的制造方法变更后的内容。此外，关于与上述实施方式1同样的结构、作用和效果，省略重复的说明。
本实施方式的阵列基板的制造方法与上述实施方式1相比，变更了第1金属膜形成工序、光致抗蚀剂膜形成工序以及蚀刻工序。以下，主要详细说明第1金属膜形成工序、光致抗蚀剂膜形成工序以及蚀刻工序。
在第1金属膜形成工序中，在母玻璃基板110MGS的上层侧形成第1金属膜123，使用具有规定图案的光掩模(未图示)对第1金属膜123进行图案化。这样，如图13和图14所示，形成包括第1金属膜123且平面形状为大致十字形的下层侧对准标记139。下层侧对准标记139的具体形状等与上述实施方式1中记载的上层侧对准标记38(参照图6)相同。之后，进行第1层间绝缘膜形成工序，如图15所示，形成具有包围下层侧对准标记139的对准标记包围开口部143的第1层间绝缘膜124，然后进行第2金属膜成膜工序，在母玻璃基板110MGS、第1金属膜123以及第1层间绝缘膜124的上层侧形成第2金属膜125(参照图16)。
在光致抗蚀剂膜形成工序中，在第2金属膜125的上层侧形成光致抗蚀剂膜141，使用具有规定图案的光掩模(未图示)对第1层间绝缘膜24进行图案化。这样，如图16所示，形成与下层侧对准标记139不重叠的光致抗蚀剂膜141的下层侧对准标记非重叠部45。下层侧对准标记非重叠部45具有与下层侧对准标记139重叠的下层侧对准标记重叠开口部44。即，下层侧对准标记非重叠部45呈沿着下层侧对准标记139的外形延伸的、平面形状为大致十字形的框状。在该光致抗蚀剂膜形成工序中，向所使用的制造装置的载台设置母玻璃基板110MGS时，能利用下层侧对准标记139进行母玻璃基板110MGS的对准调整。因而，对光致抗蚀剂膜141进行图案化时的位置精度变得良好，能形成高精度的下层侧对准标记非重叠部45。而且，在该光致抗蚀剂膜形成工序中，下层侧对准标记非重叠部45形成为下层侧对准标记重叠开口部44比下层侧对准标记139大一圈，其平面形状为与下层侧对准标记139相似的形状的大致十字形。在下层侧对准标记非重叠部45的开口缘部(下层侧对准标记重叠开口部44的内周缘部)与下层侧对准标记139的外周缘部之间，在整周上空有间隔。即，下层侧对准标记非重叠部45的整个区域相对于下层侧对准标记139成为不重叠的配置。这样，即使在通过光致抗蚀剂膜形成工序而被图案化的下层侧对准标记非重叠部45以相对于下层侧对准标记139发生了位置偏移的状态形成的情况下，下层侧对准标记139相对于比自身大一圈的下层侧对准标记重叠开口部44成为不重叠的配置的确定性也会变高。由此，在蚀刻工序中下层侧对准标记139的整个区域被除去的确定性变高。
在蚀刻工序中，选择性地蚀刻并除去第1金属膜123和第2金属膜125中的与光致抗蚀剂膜141的下层侧对准标记非重叠部45不重叠的部分。此时，第1金属膜123的下层侧对准标记139相对于具有与下层侧对准标记139重叠的下层侧对准标记重叠开口部44的光致抗蚀剂膜141的下层侧对准标记非重叠部45为不重叠的配置(参照图16)，所以随着上述蚀刻而与第2金属膜25的一部分(上层侧对准标记构成部46以外的部分)一起被除去。而第2金属膜125中的、与下层侧对准标记非重叠部45重叠的部分不会通过蚀刻被除去而残存，形成上层侧对准标记构成部46。如图17所示，上层侧对准标记构成部46具有包括与下层侧对准标记重叠开口部44重叠的开口的上层侧对准标记138(也参照图18和图19)。上层侧对准标记138是通过将第2金属膜125局部地开口而形成，其外形由上层侧对准标记构成部46的开口缘部划定。如图18所示，上层侧对准标记构成部46自身的外形为方形，在其中央位置开口形成有大致十字形的上层侧对准标记138。该上层侧对准标记138由于成为与下层侧对准标记139重叠的位置关系，所以可以说其所利用了下层侧对准标记139的配置空间而配置的。具体地，上层侧对准标记138具有比下层侧对准标记139小一圈的外形，并且配置为与下层侧对准标记139为同心状。因而，如果与将下层侧对准标记和上层侧对准标记配置于不同的位置的情况相比，能节省各对准标记138、139的配置空间，并且能提高对准精度。在光致抗蚀剂膜剥离工序中，光致抗蚀剂膜141被剥离，由此如图18和图19所示，成为包括第2金属膜125的上层侧对准标记构成部46露出的状态。
如以上说明的，本实施方式的阵列基板的制造方法具备：第1金属膜形成工序，通过在母玻璃基板110MGS的上层侧形成第1金属膜123并对其进行图案化，形成下层侧对准标记139；第2金属膜成膜工序，在母玻璃基板110MGS和第1金属膜123的上层侧形成第2金属膜125；光致抗蚀剂膜形成工序，通过在第2金属膜125的上层侧形成光致抗蚀剂膜141并对其进行图案化，形成与下层侧对准标记139不重叠的下层侧对准标记非重叠部45，该下层侧对准标记非重叠部45具有与下层侧对准标记139重叠的下层侧对准标记重叠开口部44；蚀刻工序，通过选择性地蚀刻并除去第1金属膜123和第2金属膜125中的与光致抗蚀剂膜141的下层侧对准标记非重叠部45不重叠的部分，形成包括第2金属膜125的上层侧对准标记构成部46，该上层侧对准标记构成部46具有包括与下层侧对准标记重叠开口部44重叠的开口的上层侧对准标记138；以及光致抗蚀剂膜剥离工序，剥离光致抗蚀剂膜141。
首先，在第1金属膜形成工序中，在母玻璃基板110MGS的上层侧形成第1金属膜123并对其进行图案化。这样，形成下层侧对准标记139。在通过第2金属膜成膜工序在母玻璃基板110MGS和第1金属膜123的上层侧形成第2金属膜125后，在光致抗蚀剂膜形成工序中，在第2金属膜125的上层侧形成光致抗蚀剂膜141并对其进行图案化。这样，形成具有与下层侧对准标记139重叠的下层侧对准标记重叠开口部44且与下层侧对准标记139不重叠的光致抗蚀剂膜141的下层侧对准标记非重叠部45。在该光致抗蚀剂膜形成工序中，能使用下层侧对准标记139进行了母玻璃基板110MGS的对准调整后进行光致抗蚀剂膜141的图案化，因此能以高精度形成下层侧对准标记非重叠部45。
然后，在蚀刻工序中，选择性地蚀刻并除去第1金属膜123和第2金属膜125中的与光致抗蚀剂膜141的下层侧对准标记非重叠部45不重叠的部分。此时，第1金属膜123的下层侧对准标记139相对于具有与下层侧对准标记139重叠的下层侧对准标记重叠开口部44的光致抗蚀剂膜141的下层侧对准标记非重叠部45为非重叠的配置，所以随着上述蚀刻而被除去。而第2金属膜125中的、与光致抗蚀剂膜141的下层侧对准标记非重叠部45重叠的部分不会通过蚀刻被除去而残存，形成具有包括与下层侧对准标记重叠开口部44重叠的开口的上层侧对准标记138的上层侧对准标记构成部46。该上层侧对准标记138由于成为与下层侧对准标记139重叠的位置关系，所以可以说其是利用了下层侧对准标记139的配置空间而配置的。因而，如果与将下层侧对准标记和上层侧对准标记配置于不同的位置的情况相比，则各对准标记138、139的配置空间变小，并且对准精度变高。之后，在光致抗蚀剂膜剥离工序中，光致抗蚀剂膜141被剥离。由此，能使用上层侧对准标记138进行母玻璃基板110MGS的对准调整。
另外，在光致抗蚀剂膜形成工序中，下层侧对准标记非重叠部45形成为下层侧对准标记重叠开口部44比下层侧对准标记139大一圈。这样，即使在通过光致抗蚀剂膜形成工序而被图案化的光致抗蚀剂膜141的下层侧对准标记非重叠部45以相对于第1金属膜123的下层侧对准标记139发生了位置偏移的状态形成的情况下，第1金属膜123的下层侧对准标记139相对于比自身大一圈的下层侧对准标记重叠开口部44成为不重叠的配置的确定性也会变高。由此，在蚀刻工序中下层侧对准标记139的整个区域被除去的确定性变高。
＜其它实施方式＞
本发明不限于通过上述记述和附图说明的实施方式，例如如下的实施方式也包含在本发明的技术范围中。
(1)在上述各实施方式中，示出了上层侧对准标记、上层侧对准标记构成部包括第2金属膜的情况，但也可以设为上层侧对准标记、上层侧对准标记构成部包括第3金属膜或第4金属膜。在该情况下，下层侧对准标记、下层侧对准标记构成部能设为包括第1金属膜、第2金属膜以及第3金属膜中的任意一种。
(2)在上述各实施方式中，示出了下层侧对准标记、下层侧对准标记构成部包括第1金属膜的情况，但也可以设为下层侧对准标记、下层侧对准标记构成部包括第2金属膜或第3金属膜。在该情况下，上层侧对准标记、上层侧对准标记构成部能设为包括第3金属膜或第4金属膜。
(3)在上述各实施方式中，示出了触摸引出配线包括第1金属膜的情况，但也可以设为触摸引出配线包括第2金属膜或第3金属膜。在该情况下，也能省略第1金属膜，与此相伴地，下层侧对准标记、下层侧对准标记构成部只要如上述(2)所示设为包括第2金属膜或第3金属膜即可。
(4)除了上述各实施方式以外，还能省略第4金属膜。在该情况下，例如只要设为触摸配线包括与源极配线相同的第3金属膜即可。
(5)在上述实施方式1中，示出了在光致抗蚀剂膜形成工序中下层侧对准标记重叠部设为与下层侧对准标记的一部分重叠的配置的情况，但也可以是下层侧对准标记重叠部与下层侧对准标记的整个区域重叠的配置。
(6)在上述实施方式2中，示出了在光致抗蚀剂膜形成工序中下层侧对准标记设为与下层侧对准标记非重叠部的下层侧对准标记重叠开口部的一部分重叠的配置的情况，但也可以是下层侧对准标记与下层侧对准标记重叠开口部的整个区域重叠的配置。
(7)除了上述各实施方式以外，还能适当变更各对准标记的具体平面形状。
(8)在上述各实施方式中，示出了上层侧对准标记配置于母玻璃基板的四角位置附近的情况，但能适当变更母玻璃基板中的上层侧对准标记的具体配置。另外，还能适当变更母玻璃基板中的上层侧对准标记的具体设置数量。
(9)除了上述各实施方式以外，还能适当变更母玻璃基板中的玻璃基板的具体设置数量或配置等。
(10)在上述各实施方式中，示出了触摸面板图案设为自电容方式的情况，但触摸面板图案也可以是互电容方式。另外，也能将触摸面板图案的一部分或全部设置于CF基板。另外，也可以是液晶面板不具有触摸面板图案的构成。
(11)在上述各实施方式中，示出了驱动器以COG方式安装于液晶面板的阵列基板的情况，但也可以是驱动器以COF(Chip On Film：薄膜上芯片)方式安装于柔性基板的构成。
(12)在上述各实施方式中，例示了透射型液晶面板，但即使是反射型液晶面板或半透射型液晶面板，也能应用于本发明。
(13)在上述各实施方式中，示出了液晶面板的平面形状设为纵长的长方形的情况，但液晶面板的平面形状也可以是横长的长方形、正方形、圆形、半圆形、长圆形、椭圆形、梯形等。

Claims (4)

1.一种带对准标记的基板的制造方法，其特征在于，具备：
下层侧金属膜形成工序，通过在基板的上层侧形成下层侧金属膜并对其进行图案化，形成具有包括开口的下层侧对准标记的下层侧对准标记构成部；
上层侧金属膜成膜工序，在上述基板和上述下层侧金属膜的上层侧形成上层侧金属膜；
光致抗蚀剂膜形成工序，通过在上述上层侧金属膜的上层侧形成光致抗蚀剂膜并对其进行图案化，形成与上述下层侧对准标记的至少一部分重叠的下层侧对准标记重叠部；
蚀刻工序，通过选择性地蚀刻并除去上述下层侧金属膜和上述上层侧金属膜中的与上述光致抗蚀剂膜的上述下层侧对准标记重叠部不重叠的部分，形成包括上述上层侧金属膜的上层侧对准标记；以及
光致抗蚀剂膜剥离工序，剥离上述光致抗蚀剂膜。
2.根据权利要求1所述的带对准标记的基板的制造方法，
在上述光致抗蚀剂膜形成工序中，上述下层侧对准标记重叠部形成为比上述下层侧对准标记小一圈。
3.一种带对准标记的基板的制造方法，其特征在于，具备：
下层侧金属膜形成工序，通过在基板的上层侧形成下层侧金属膜并对其进行图案化，形成下层侧对准标记；
上层侧金属膜成膜工序，在上述基板和上述下层侧金属膜的上层侧形成上层侧金属膜；
光致抗蚀剂膜形成工序，通过在上述上层侧金属膜的上层侧形成光致抗蚀剂膜并对其进行图案化，形成与上述下层侧对准标记不重叠的下层侧对准标记非重叠部，上述下层侧对准标记非重叠部具有与上述下层侧对准标记重叠的下层侧对准标记重叠开口部；
蚀刻工序，通过选择性地蚀刻并除去上述下层侧金属膜和上述上层侧金属膜中的与上述光致抗蚀剂膜的上述下层侧对准标记非重叠部不重叠的部分，形成包括上述上层侧金属膜的上层侧对准标记构成部，上述上层侧对准标记构成部具有包括与上述下层侧对准标记重叠开口部重叠的开口的上层侧对准标记；以及
光致抗蚀剂膜剥离工序，剥离上述光致抗蚀剂膜。
4.根据权利要求3所述的带对准标记的基板的制造方法，
在上述光致抗蚀剂膜形成工序中，上述下层侧对准标记非重叠部形成为上述下层侧对准标记重叠开口部比上述下层侧对准标记大一圈。
CN201811015011.1A 2017-09-05 2018-08-31 带对准标记的基板的制造方法 Active CN109427661B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-170136 2017-09-05
JP2017170136A JP6596048B2 (ja) 2017-09-05 2017-09-05 アライメントマーク付き基板の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109427661A true CN109427661A (zh) 2019-03-05
CN109427661B CN109427661B (zh) 2023-09-01

Family

ID=65514817

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811015011.1A Active CN109427661B (zh) 2017-09-05 2018-08-31 带对准标记的基板的制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10520761B2 (zh)
JP (1) JP6596048B2 (zh)
CN (1) CN109427661B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020199238A1 (zh) * 2019-04-04 2020-10-08 信利半导体有限公司 一种液晶移相器、液晶天线及液晶移相器的制作方法
CN113534626A (zh) * 2020-04-14 2021-10-22 中国科学院微电子研究所 用于套刻精度测量的标记***及量测方法
WO2021226743A1 (zh) * 2020-05-09 2021-11-18 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法和显示装置
CN114628403A (zh) * 2020-11-27 2022-06-14 京东方科技集团股份有限公司 显示基板母板及其制备方法、显示基板及显示装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019061130A (ja) * 2017-09-27 2019-04-18 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置および表示装置の製造方法
US10529593B2 (en) * 2018-04-27 2020-01-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor package comprising molding compound having extended portion and manufacturing method of semiconductor package

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060027926A1 (en) * 2004-08-04 2006-02-09 Fujitsu Limited Semiconductor device, semiconductor substrate and fabrication process of a semiconductor device
US20110018118A1 (en) * 2009-07-21 2011-01-27 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor Device Packages, Redistribution Structures, and Manufacturing Methods Thereof
CN103199084A (zh) * 2013-03-08 2013-07-10 京东方科技集团股份有限公司 基板对位标记及其制作方法、基板
US9633925B1 (en) * 2016-03-25 2017-04-25 Globalfoundries Inc. Visualization of alignment marks on a chip covered by a pre-applied underfill

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5933744A (en) * 1998-04-02 1999-08-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Alignment method for used in chemical mechanical polishing process
JP2004317728A (ja) 2003-04-15 2004-11-11 Seiko Epson Corp アライメントマーク付き基板及びその製造方法並びに電気光学装置用基板及び電気光学装置
JP3962713B2 (ja) * 2003-09-30 2007-08-22 キヤノン株式会社 アライメントマークの形成方法、およびデバイスが構成される基板

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060027926A1 (en) * 2004-08-04 2006-02-09 Fujitsu Limited Semiconductor device, semiconductor substrate and fabrication process of a semiconductor device
US20110018118A1 (en) * 2009-07-21 2011-01-27 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor Device Packages, Redistribution Structures, and Manufacturing Methods Thereof
CN103199084A (zh) * 2013-03-08 2013-07-10 京东方科技集团股份有限公司 基板对位标记及其制作方法、基板
US9633925B1 (en) * 2016-03-25 2017-04-25 Globalfoundries Inc. Visualization of alignment marks on a chip covered by a pre-applied underfill

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020199238A1 (zh) * 2019-04-04 2020-10-08 信利半导体有限公司 一种液晶移相器、液晶天线及液晶移相器的制作方法
CN113534626A (zh) * 2020-04-14 2021-10-22 中国科学院微电子研究所 用于套刻精度测量的标记***及量测方法
WO2021226743A1 (zh) * 2020-05-09 2021-11-18 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法和显示装置
US11957033B2 (en) 2020-05-09 2024-04-09 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel, manufacturing method thereof, and display device
CN114628403A (zh) * 2020-11-27 2022-06-14 京东方科技集团股份有限公司 显示基板母板及其制备方法、显示基板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US10520761B2 (en) 2019-12-31
CN109427661B (zh) 2023-09-01
US20190072790A1 (en) 2019-03-07
JP2019045744A (ja) 2019-03-22
JP6596048B2 (ja) 2019-10-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11714309B2 (en) Display device
CN109427661A (zh) 带对准标记的基板的制造方法
US9678400B2 (en) Array substrate for liquid crystal display and manufacturing method thereof
CN100454122C (zh) 能够减小漏电流的液晶显示装置及其制造方法
RU2510063C1 (ru) Жидкокристаллическое устройство отображения и способ его изготовления
CN101566769B (zh) 液晶显示装置及其制造方法
CN109976056B (zh) 阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置
CN109491116A (zh) 带位置输入功能的显示装置
CN1508614A (zh) Lcd的阵列基板及其制造方法
CN102478737A (zh) 液晶显示装置及其制造方法
CN103092428A (zh) 互动式显示面板
CN101952771A (zh) 液晶显示面板
CN108352139A (zh) 显示基板、显示装置以及显示基板的制造方法
CN104749843A (zh) 阵列基板及其制作方法、驱动方法及显示装置
TWI512582B (zh) 觸控面板與觸控顯示面板
CN109839779A (zh) 液晶面板
CN109491536A (zh) 带位置输入功能的显示装置
CN105096753A (zh) 一种阵列基板、其制作方法及显示装置
CN109599362A (zh) 薄膜晶体管基板的制造方法和薄膜晶体管基板
CN110196521A (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN103534643A (zh) 液晶显示装置以及其制造方法
CN110312963A (zh) 带位置输入功能的显示装置
CN107924091A (zh) 显示面板以及显示面板的制造方法
CN109839773A (zh) 液晶面板
CN109659310A (zh) 像素结构以及像素结构的制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant