CN109365799B - 石墨烯包覆金属粉体的制备方法及金属基-石墨烯电触点 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种金属基‑石墨烯电触点及其制备方法以及包覆石墨烯的金属粉体的制备方法。电触点的材料由石墨烯包覆金属粉组成，所述石墨烯包覆金属粉的含量为80wt％～100wt％。其制备方法为金属盐的球磨细化混合、高温分解成金属、原位生长石墨烯、与金属粉体再经过传统电触点制备工艺得到金属基‑石墨烯触点。本发明的金属基‑石墨烯触点，其中的石墨烯呈3D网络结构，其导电性、导热性及抗氧化性能均优于纯金属导体，本发明制备的金属基‑石墨烯电触点工艺过程简单，成本低，易于实现工业化生产。它将会逐步取代目前的银‑石墨触点的市场地位，在大量节约资源的前提下获得巨大的经济效益。
Description
技术领域
本发明涉及电接触材料及制备的技术领域，具体涉及一种石墨烯包覆金属粉体的制备方法及金属基-石墨烯电触点。
背景技术
电触点材料是电器开关和仪器仪表中十分关键的接触元件。低压配电***与控制***对自动化水平、灵敏程度要求的提高，高压输变电间大容量超高压的发展，甚至是电子工业产品的转型升级，都需要电触点材料研究的不断创新升级。电触头材料包括开闭用电触头材料和在电气接触的同时伴随机械滑动的滑动触头材料。就具体的电触点行业而言，需求客户对电触点的要求越来越多也越来越高，尤其是在降低成本方面的需求逐年递增。传统的中低压电触头材料以贵金属银作为主要成分，这使得电触点行业成为耗银量最大的行业之一。但是我国目前探明的金属银储量低且价格高，为了节约银资源和降低触头材料的生产成本，在世界范围内掀起了研究节银和无银触点材料的高潮。
在20世纪早期就产生了节银触点，采用Ag Me 0和镀层触头材料等，在随后的研发过程中也出现了各种铜基的(Cu W、Cu C和Cu WC等)无银电触点材料，这为进一步发展铜基触头材料奠定了基础。但是铜最大的缺点就是在空气中易氧化，生成导电性极差的Cu0和Cu20，导致触头的接触电阻大幅增加。为了满足电触点在低压电器中的使用要求，可以对加工前的铜粉进行预处理，引入其他元素制备出铜与第二相的复合粉体，以改善铜合金的抗氧化性能，提升产品的品质，已然成为现代铜基电触点的发展趋势。其中第二相的微观形态和润湿性至关重要，可以是稀土元素、金属氧化物，也可以是碳材料，其中碳材料可以是金刚石、碳纤维、石墨烯等等。
石墨烯是目前世界上发现的最薄材料，是一种由碳原子sp2杂化轨道连接形成的二维薄膜，这种结构赋予石墨烯材料许多特性，如禁带宽度近乎为零、载流子迁移率非常高、比表面积大、电学性能导热性能优秀、机械性能优异、杨氏模量及断裂强度等指数与碳纳米管相当。这些特性使石墨烯成为电触点材料中的理想增强体。
现有的实验及产品已经证明，添加石墨烯片的涂料、塑料和铜金属材料的抗氧化、导热、导电和机械性能等已有明显提高，但石墨烯片在铜粉中极易团聚且分散不均匀，使铜与石墨烯片的复合难度增大，限制了铜/石墨烯合金材料性能的进一步提升。为获得良好的导电导热性，现有技术公开了一种大电流开关柜GN30隔离开关，其通过涂覆技术，在静触头的触指表面设置有铜镀石墨烯层。然而，由于石墨烯只存在于触点的表面，在前期能起到一定的作用，但反复使用后表面石墨烯被磨掉后不再具有强化效果。
现有技术还公开了一种石墨烯增强铜-稀土基点触头材料，通过球磨法使石墨烯与金属粉末均匀混合，再压制烧结成石墨烯增强铜-稀土基点触头。然而，由于石墨烯是纳米材料，很容易团聚，该专利采用的球磨法很难使石墨烯与金属粉末均匀混合。另外，混合后的石墨烯团聚在金属晶界不能形成连续的3D石墨烯网络，使石墨烯的特性难以发挥，直接影响到触点的使用性能。
现有技术还公开了一种石墨烯材料及其制备方法，通过磁控溅射的方法将金属镍沉积在石墨烯表面，形成镀镍石墨烯，然后采用球磨法将镀镍石墨烯与铜合金均匀混合，然后压制成型，通过真空电弧熔炼制成石墨烯增强的铜基电触头复合材料。在石墨烯表面镀镍虽然增强了石墨烯与金属的润湿性，然而由于镍是包裹在石墨烯表面的，其导电导热能力限制了石墨烯在复合材料中特性的发挥。另外，石墨烯与金属的密度差很大，导致在熔炼过程中会出现比重偏析，在复合材料中难以形成石墨烯的导电网络，影响石墨烯增强的铜基电触头复合材料的产品稳定性。
另外，现有技术还公开了一种铜石墨烯复合材料的制备方法，通过等离子增强化学气相沉积装置，在高温下得到了铜石墨烯复合粉体，最后通过初压、烧结和复压，得到石墨烯增强铜基复合材料。该工艺采用的原料是铜粉，虽然也实现了铜粉在不烧结的前提下得到铜石墨烯复合材料，但是需要等离子增强设备在负压的条件下来降低生长温度，增大了工艺的难度和成本，而且只是在铜粉上实现。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，解决金属盐高温原位生长石墨烯过程中金属盐烧结团聚问题，提供一种高效原位制备石墨烯包覆金属粉体的方法。
为实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：
一种石墨烯包覆金属粉体的制备方法，包括以下步骤：
步骤S2：在无氧和950～1050℃的高温环境下，金属盐高温分解成金属氧化物粉体；
步骤S3：在950～1050℃的温度下，金属氧化物粉体发生还原反应生成金属粉体，金属粉体与甲烷气体发生化学气相沉积，待化学气相沉积过程结束后降温，石墨烯包覆在金属粉体的表面上，得到石墨烯包覆金属粉体。
优选地，还包括在步骤S2之前进行的步骤S1，
步骤S1：将步骤S2中的金属盐预先进行球磨处理。
优选地，所述步骤S1中，采用行星球磨机对金属盐进行球磨1～24h，球磨后金属盐的球料比为2∶1～10∶1，粒径为500nm～200μm。
优选地，所述步骤S2中，将金属盐装入石英舟后，一并置于化学气相沉积设备中；关闭所有阀门，将化学气相沉积设备抽真空至1x10-2kPa以下，通入流量为150～500sccm的氩气，待化学气相沉积真空室内的压强恢复到常压状态时，打开排气阀门，将多余的氩气排入大气中，达到无氧环境。
优选地，所述步骤S2中，以10～20℃/min的速度升温，使化学气相沉积装置内达到950～1050℃的高温环境。
优选地，所述步骤S3在温度为950～1050℃的化学气相沉积装置内进行，所述的甲烷气体流量为2～10sccm，待化学气相沉积过程结束后，停止通入甲烷，降温至室温，得到石墨烯包覆金属粉体。
优选地，所述步骤S2中的金属盐为硫酸铜、硝酸铜、硫酸镍或硝酸镍中的一种或多种。
本发明的石墨烯包覆金属粉体的制备方法，可以在金属氧化物还原为金属的同时在金属粉体表面均匀的包覆石墨烯层，有效避免高温沉积过程中金属的烧结团聚，得到的石墨烯的结构缺陷少、质量高。本发明采用的原料是金属盐，在常压条件下就能得到铜石墨烯复合粉体、镍石墨烯复合粉体还有铜镍-石墨烯复合粉体，同时不需要等离子增强设备在负压的条件下来降低生长温度，降低了工艺的难度和成本。
本发明的另一目的在于，降低传统电接触材料成本，解决现有金属电触点存在的问题，提供一种电学性能优异、高抗氧化、抗腐蚀可大规模生产的金属基-石墨烯电触点，本发明以石墨烯作为电触点的组元，改善常用金属基电线电缆的导电导热性能、耐氧化性和耐腐蚀等级。
为实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：
一种金属基-石墨烯电触点，由金属粉体和上述技术方案中任一种制备方法制得的石墨烯包覆金属粉体组成，所述金属基-石墨烯电触点中石墨烯和金属的含量为100wt％，所述石墨烯包覆金属粉体的含量为80wt％～100wt％。
优选地，所述金属基-石墨烯电触点中石墨烯含量为0.05wt％～2wt％。
优选地，所述金属基-石墨烯电触点中的金属为铜、镍中的一种或两种。
本发明的金属基-石墨烯电触点，通过金属盐的分解还原以及化学气相沉积技术原位制得了石墨烯包覆金属粉体，再经过压样、烧结、轧制、挤压、冲压的传统电触点制备工艺得到金属基-石墨烯电触点。该导体中的石墨烯呈3D网络结构，其导电性、导热性及其力学性能均优于纯金属导体，它将会逐步取代目前的银-石墨触点的市场地位，在大量节约资源的前提下获得巨大的经济效益。
附图说明
图1是本发明的实施例一中石墨烯包覆铜粉体的拉曼光谱图；
图2是本发明的实施例一中石墨烯包覆铜粉体的场发射扫描电镜图；
图3是本发明的实施例一中铜-石墨烯电触点断面的显微形貌图；
图4是本发明的实施例二中石墨烯包覆镍粉体的拉曼光谱图；
图5是本发明的实施例二中石墨烯包覆镍粉体的场发射扫描电镜图；
图6是本发明的实施例二中镍-石墨烯电触点断面的显微形貌图；
图7是本发明的实施例三中石墨烯包覆铜粉体的拉曼光谱图；
图8是本发明的实施例三中石墨烯包覆铜粉体的场发射扫描电镜图；
图9是本发明的实施例三中铜-石墨烯电触点断面的显微形貌图；
图10是本发明的实施例四中石墨烯包覆铜镍复合粉体的拉曼光谱图；
图11是本发明的实施例四中石墨烯包覆铜镍复合粉体的场发射扫描电镜图；
图12是本发明的实施例四中铜镍-石墨烯电触点断面的显微形貌图。
具体实施方式
以下结合附图1至12给出的实施例，进一步说明本发明的石墨烯包覆金属粉体的制备方法及金属基-石墨烯电触点的具体实施方式。本发明的石墨烯包覆金属粉体的制备方法及金属基-石墨烯电触点不限于以下实施例的描述。
本发明按照下述步骤制备石墨烯包覆金属粉体，具体如下：
步骤S1：将金属盐预先进行球磨处理。
本步骤中采用的金属盐为硫酸铜、硝酸铜、硫酸镍或硝酸镍中的一种或多种，采用行星球磨机对金属盐进行球磨1～24h，球磨后金属盐的球料比为2∶1～10∶1，粒径为500nm～200μm。本发明球磨的目的是粉碎金属盐到特定的尺寸，球磨具有细化作用，同时球磨还具有混粉的作用。当然，能达到这一目的的其他研磨方式同样也落入本发明的保护范围内。
步骤S2：在无氧和950～1050℃的高温环境下，金属盐高温分解成金属氧化物粉体。
具体地，将经过步骤S1球磨处理后的金属盐装入石英舟后，一并置于化学气相沉积设备中；关闭所有阀门，将化学气相沉积设备抽真空至1x10-2kPa以下，通入流量为150～500sccm的氩气，待化学气相沉积真空室内的压强恢复到常压状态时，打开排气阀门，将多余的氩气排入大气中，达到无氧环境；接着，以10～20℃/min的速度升温，使化学气相沉积装置内达到950～1050℃的高温环境。
步骤S3：在950～1050℃的温度下，金属氧化物粉体发生还原反应生成金属粉体，金属粉体与甲烷气体发生化学气相沉积，待化学气相沉积过程结束后降温，石墨烯包覆在金属粉体的表面上，得到石墨烯包覆金属粉体。
步骤S2结束后，步骤S3继续在温度为950～1050℃的化学气相沉积装置内进行。具体地，步骤S3中，将流量为2～10sccm甲烷气体通入化学气相沉积装置中，化学气相沉积装置在950～1050℃的温度下保温一段时间，待化学气相沉积过程结束后，停止通入甲烷，降温至室温，得到石墨烯包覆金属粉体。
本发明的石墨烯包覆金属粉体的制备方法，可以在金属氧化物还原为金属的同时在金属粉体表面均匀的包覆石墨烯层，有效避免高温沉积过程中金属的烧结团聚，得到的石墨烯的结构缺陷少、质量高。本发明采用的原料是金属盐，在常压条件下就能得到铜石墨烯复合粉体、镍石墨烯复合粉体还有铜镍-石墨烯复合粉体，同时不需要等离子增强设备在负压的条件下来降低生长温度，降低了工艺的难度和成本。金属盐在高温下通过分解能够得到纯金属的同时，分解产物还能够促进石墨烯在金属表面的生长，在高温下得到优质的金属石墨烯复合粉体。而且能够采用不同的金属盐混合，在高温下得到不同比例的铜镍石墨烯复合粉体，如果原料是纯铜和纯镍，在高温下会发生烧结而不能得到铜镍石墨烯复合粉体。另外，采用金属盐作为原料可以省去添加一定比例的防烧结剂，故而省去了高温生长前金属粉体与防烧结剂的混合步骤以及得到复合粉体后防烧结剂的分离工序，简化了流程，降低了成本，提高了效率。
步骤S4：将上述步骤制得的石墨烯包覆金属粉体进行冷等静压使粉体成型密度增大，再与金属粉体通过粉末冶金烧结得到石墨烯金属合金，再经过压样、烧结、轧制、挤压、冲压的传统的电触点制备工艺制得金属基-石墨烯电触点，所述金属基-石墨烯电触点中石墨烯和金属的含量为100wt％，所述石墨烯包覆金属粉体的含量为80wt％～100wt％。
经由上述步骤制得的金属基-石墨烯电触点中石墨烯含量为0.05wt％～2wt％。
优选地，本步骤采用的金属粉体为铜、镍中的一种或两种。
本发明的金属基-石墨烯电触点及其制备方法，通过金属盐的分解还原以及化学气相沉积技术原位制得了石墨烯包覆金属粉体，石墨烯包覆金属粉体通过粉末冶金烧结得到石墨烯金属合金，再经过压样、烧结、轧制，挤压、冲压的传统电触点制备工艺得到金属基-石墨烯电触点。金属盐的球磨细化混合、高温分解成金属、原位生长石墨烯、对得到的石墨烯金属复合粉体进行冷等静压使粉体成型密度增大、通过粉末冶金烧结得到石墨烯金属合金、再经过挤压、冲压等手段得到金属基-石墨烯触点。该导体中的石墨烯呈3D网络结构，其导电性、导热性及其力学性能均优于纯金属导体，本发明制备的金属基-石墨烯电触点工艺过程简单，成本低，易于实现工业化生产。它将会逐步取代目前的银-石墨触点的市场地位，在大量节约资源的前提下获得巨大的经济效益。
下面通过实施例一～实施例四对本发明中的石墨烯包覆金属粉体的制备方法及金属基-石墨烯电触点作更具体的说明。
实施例一
本实施例制备石墨烯包覆铜粉体的方法，具体是按照以下步骤进行的：
首先，将硫酸铜和硝酸铜的复合粉体采用行星球磨机对复合粉体研磨24h，球料比为2∶1，球磨后硫酸铜和硝酸铜的复合粉体的粒径为500nm～5μm。
然后，将硫酸铜和硝酸铜的复合粉体装入石英舟后，一并置于化学气相沉积设备中；关闭所有阀门，将化学气相沉积设备抽真空至1x10-2kPa以下，通入流量为150sccm的氩气，待化学气相沉积真空室内的压强恢复到常压状态时，打开排气阀门，将多余的氩气排入大气中；接着，以10℃/min的速度升温，使化学气相沉积装置内达到1050℃的高温并保温30min，使硫酸铜和硝酸铜的复合粉体分解为铜的氧化物。然后通入2sccm的甲烷气体，保温30min，铜的氧化物发生还原反应生成铜粉体，同时，生成铜粉体逐渐与甲烷气体发生化学气相沉积，待化学气相沉积过程结束后停止通入甲烷气体，降至室温得到石墨烯包覆铜粉体。
本实施例中制备出的石墨烯包覆铜粉体的拉曼光谱图如图1所示，通过拉曼光谱结果可以得到石墨烯的特征峰D、G、2D，根据2D峰和G峰的面积比表征可知，石墨烯层数为2层，根据D峰的高低表征可知，石墨烯的结构缺陷较少，质量很好；石墨烯包覆铜粉体的扫描电镜如图2所示，可观察到石墨烯在铜粉表面的覆盖率较高。
最后，将上述制备出的石墨烯包覆铜粉体经过传统的电触点制备工艺得到铜-石墨烯电触点，触点断面如图3所示，铜-石墨烯电触点中石墨烯和铜粉的含量总共为100wt％，其中铜粉的含量为20％，石墨烯包覆铜粉的含量为80％wt，其中石墨烯的含量为0.05wt％。
如图3所示，本实施例制备出的铜-石墨烯电触点的电阻率为1.5x10-6Ω·cm，热导率为429w/m·k，比最好的导电导热金属银还要低。
实施例二
本实施例制备石墨烯包覆镍粉体的方法，具体是按照以下步骤进行的：
首先，将硫酸镍和硝酸镍的复合粉体采用行星球磨机对复合粉体研磨1h，球料比为10∶1，球磨后金属盐的粒径为100μm～200μm。
然后，将硫酸镍和硝酸镍的复合粉体装入石英舟并置于化学气相沉积设备中；关闭所有阀门，将化学气相沉积设备抽真空至1x10-2kPa以下，通入流量为500sccm的氩气，待化学气相沉积真空室内的压强恢复到常压状态时，打开排气阀门，将多余的氩气排入大气中；接着，以20℃/min的速度升温，使化学气相沉积装置内达到950℃的高温并保温30min，使硫酸镍和硝酸镍的复合粉体分解为镍的氧化物。然后通入10sccm的甲烷气体，保温30min，镍的氧化物发生还原反应生成镍粉体，同时，生成的镍粉体逐渐与甲烷气体发生化学气相沉积，待化学气相沉积过程结束后停止通入甲烷气体，降至室温得到石墨烯包覆镍粉体。
本实施例中制备出的石墨烯包覆镍粉体的拉曼光谱图如图4所示，通过拉曼光谱中D、G和2D峰的位置以及峰面积计算可知，石墨烯层数为6-10层，结构缺陷较多，质量较好；石墨烯包覆镍粉体的扫描电镜如图5所示，可观察到石墨烯在镍粉表面的覆盖率较高。
最后，将上述制备出的石墨烯包覆镍粉经过传统的电触点制备工艺得到镍-石墨烯电触点，触点断面如图6所示，镍-石墨烯电触点中石墨烯和镍粉的含量总共为100wt％，其中石墨烯包覆镍粉的含量为100％wt，其中石墨烯的含量为2％wt。
本实施例制备出的镍-石墨烯电触点的电阻率为1.5x10-5Ω·cm，热导率为129w/m·k，比纯镍的导电导热性能还要好。
实施例三
本实施例制备石墨烯包覆铜粉的方法，具体是按照以下步骤进行的：
首先，将硫酸铜粉体采用行星球磨机对复合粉体研磨10h，球料比为5∶1，球磨后金属盐的粒径为10μm～50μm。
所述的石墨烯包覆铜粉的制备方法中与实施例一不同的是通入流量为300sccm的氩气，化学气相沉积装置内达到1010℃的高温并保温30min，使硫酸铜粉体分解为铜的氧化物。然后通入5sccm的甲烷气体，保温30min，最后经过传统的电触点制备工艺得到铜-石墨烯电触点。
本实施例制备出的石墨烯包覆铜粉体的拉曼光谱图如图7所示，通过拉曼光谱中D、G和2D峰的位置以及峰面积计算可知，石墨烯层数为3-6层，结构缺陷较少，质量很好；石墨烯包覆铜粉体的扫描电镜如图8所示，可观察到石墨烯在铜粉表面的覆盖率较高。
最后，将上述制备出的石墨烯包覆铜粉体经过传统的电触点制备工艺得到铜-石墨烯电触点，触点断面如图9所示，铜-石墨烯电触点中石墨烯和铜粉的含量总共为100wt％，其中铜粉的含量为4％，石墨烯包覆铜的含量为96％wt，其中石墨烯含量为0.2％wt。
本实施例制备出的石墨烯包覆铜粉体经过传统的电触点制备工艺得到铜-石墨烯电触点，其电阻率为1.7x10-6Ω·cm，热导率为388w/m·k，与纯铜相近。
实施例四
本实施例制备石墨烯包覆铜镍复合粉体的方法，具体是按照以下步骤进行的：
首先，将复合粉体采用行星球磨机对复合粉体研磨12h，球料比为6∶1，复合粉体是由硫酸铜和硫酸镍粉体组成，其中硫酸铜含量为90wt％，硫酸镍含量为10wt％。球磨后复合粉体的粒径为1μm～10μm。
所述的石墨烯包覆铜镍复合粉体的制备方法中与实施例一、二和三不同的是通入流量为200sccm的氩气，以15℃/min的速度升温使化学气相沉积装置内达到1030℃的高温并保温30min，使硫酸铜和硫酸镍复合粉体分解为铜氧化物和镍氧化物。然后通入8sccm的甲烷气体，保温30min。最后经过传统的电触点制备工艺得到铜镍-石墨烯电触点。
本实施例中制备出的石墨烯包覆铜镍复合粉体的拉曼光谱图如图10所示，通过拉曼光谱中D、G和2D峰的位置以及峰面积计算可知，石墨烯层数为6-10层，结构缺陷较多，质量较好；石墨烯包覆铜镍复合粉体的扫描电镜如图11所示，可观察到石墨烯在镍粉表面的覆盖率较高。
最后，将上述制备出的石墨烯包覆铜镍复合粉体经过传统的电触点制备工艺得到铜镍-石墨烯电触点，触点截面如图12所示，铜镍-石墨烯电触点中石墨烯、镍粉和铜粉的含量总共为100wt％，其中镍粉和铜粉的含量为11％wt，石墨烯包覆铜粉和镍粉的含量为89％wt，其中石墨烯含量为1.2％wt。
本实施制备出的石墨烯包覆铜镍复合粉体经过传统的电触点制备工艺得到铜镍-石墨烯电触点，其电阻率为2.2x10-6Ω·cm，热导率为336w/m·k，介于纯铜和纯镍之间。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种石墨烯包覆金属粉体的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤S2：金属盐置于化学气相沉积设备中，在无氧和950～1050℃的高温环境下，金属盐高温分解成金属氧化物粉体；
步骤S3：继续在温度为950～1050℃的化学气相沉积装置内进行，通入甲烷气体，金属氧化物粉体发生还原反应生成金属粉体，金属粉体与甲烷气体发生化学气相沉积，待化学气相沉积过程结束后降温，石墨烯包覆在金属粉体的表面上，得到石墨烯包覆金属粉体。
2.根据权利要求1所述的石墨烯包覆金属粉体的制备方法，其特征在于：还包括在步骤S2之前进行的步骤S1，
步骤S1：将步骤S2中的金属盐预先进行球磨处理。
3.根据权利要求2所述的石墨烯包覆金属粉体的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中，采用行星球磨机对金属盐进行球磨1～24h，球磨后金属盐的球料比为2:1～10:1，粒径为500nm～200μm。
4.根据权利要求1所述的石墨烯包覆金属粉体的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中，将金属盐装入石英舟后，一并置于化学气相沉积设备中；关闭所有阀门，将化学气相沉积设备抽真空至1x10-2kPa以下，通入流量为150～500sccm的氩气，待化学气相沉积真空室内的压强恢复到常压状态时，打开排气阀门，将多余的氩气排入大气中，达到无氧环境。
5.根据权利要求1所述的石墨烯包覆金属粉体的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中，以10～20℃/min的速度升温，使化学气相沉积装置内达到950～1050℃的高温环境。
6.根据权利要求1所述的石墨烯包覆金属粉体的制备方法，其特征在于：所述的甲烷气体流量为2～10sccm，待化学气相沉积过程结束后，停止通入甲烷，降温至室温，得到石墨烯包覆金属粉体。
7.根据权利要求1所述的石墨烯包覆金属粉体的制备方法，其特征在于：所述步骤S2中的金属盐为硫酸铜、硝酸铜、硫酸镍或硝酸镍中的一种或多种。
8.一种金属基-石墨烯电触点，其特征在于：由金属粉体和根据权利要求书1-7任一所述的石墨烯包覆金属粉体组成，所述金属基-石墨烯电触点中石墨烯和金属的含量为100wt％，所述石墨烯包覆金属粉体的含量为80wt％～100wt％。
9.根据权利要求8所述的金属基-石墨烯电触点，其特征在于：所述金属基-石墨烯电触点中石墨烯含量为0.05wt％～2wt％。
10.根据权利要求8所述的金属基-石墨烯电触点，其特征在于：所述金属基-石墨烯电触点中的金属为铜、镍中的一种或两种。
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