CN109285771A - 晶片的加工方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种晶片的加工方法，其能够抑制线状的带碎屑的产生。晶片的加工方法是在外周缘具有从表面至背面的圆弧的晶片的加工方法。该晶片的加工方法具备下述步骤：表面保护带粘贴步骤(ST1)，在晶片的表面粘贴表面保护带；保持步骤(ST2)，利用保持工作台对粘贴有表面保护带的晶片的背面侧进行保持；以及切削步骤(ST4)，在实施了保持步骤(ST2)之后将晶片的外周缘与表面保护带一起利用切削刀具进行切削而形成规定的深度和规定的宽度的阶部，在切削步骤(ST4)中，从晶片的外周侧朝向中心逐步形成阶部。
Description
技术领域
本发明涉及在外周缘具有从表面至背面的圆弧的晶片的加工方法。
背景技术
在将晶片磨削得较薄时，外周缘的倒角部分形成为刀刃状(檐状)、产生亏缺、晶片发生破损，为了解决这样的问题，使用了在晶片的外周缘从表面侧除去倒角部(圆弧)之后对晶片的背面进行磨削的晶片的加工方法(例如参见专利文献1)。在专利文献1所记载的晶片的加工方法中，在除去晶片的外周缘的倒角部时，为了防止在晶片的表面附着异物，一边向晶片的表面供给清洗液一边实施加工。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-231057号公报
发明内容
发明所要解决的课题
但是，利用专利文献1所示的方法也难以完全防止异物的附着，迫切希望得到改善。因此考虑了预先粘贴对晶片的表面进行保护的表面保护带。但是，在利用切削刀具从表面侧将晶片外周缘的倒角部连同表面保护带一起进行切削时，在切削中被切削的表面保护带的碎屑逃到晶片的外周侧，产生线状的带碎屑。
线状的带碎屑若产生，则会缠绕在装置的各部分，在装置的工作中产生不良状况，而且还可能产生排水配管堵塞等不良状况。进而，所产生的线状的带碎屑若附着在晶片的表面保护带上，则在后续的磨削时会产生无法磨削成均匀的厚度这样的问题。
本发明是鉴于该问题而完成的，其目的在于提供一种晶片的加工方法，其能够抑制线状的带碎屑的产生。
用于解决课题的手段
为了解决上述课题、实现目的，本发明的晶片的加工方法是在外周缘具有从表面至背面的圆弧的晶片的加工方法，其特征在于，该方法具备下述步骤：表面保护带粘贴步骤，在晶片的表面粘贴表面保护带；保持步骤，利用保持工作台对粘贴有表面保护带的晶片的背面侧进行保持；以及切削步骤，在实施了该保持步骤之后，将晶片的外周缘与该表面保护带一起利用切削刀具进行切削，形成规定深度和规定宽度的阶部，在该切削步骤中，从晶片的外周侧朝向中心逐步形成该阶部。
在上述晶片的加工方法中，也可以是，在实施了该保持步骤之后且在实施该切削步骤之前，进一步具备表面保护带薄化步骤，在与要利用该切削步骤形成的该阶部相对应的区域，利用该切削刀具仅对该表面保护带进行切削而将其薄化。
在上述晶片的加工方法中，也可以是，在该切削步骤中，一边使该保持工作台旋转一边使该切削刀具以规定的速度向晶片的中心侧移动。
在上述晶片的加工方法中，也可以是，在该表面保护带薄化步骤中，一边使该保持工作台旋转一边使该切削刀具以规定的速度下降。
在上述晶片的加工方法中，也可以是，该切削刀具的厚度值为利用该切削步骤形成的该阶部的槽底的宽度值以上。
发明效果
本发明发挥出了能够抑制线状的带碎屑的产生的效果。
附图说明
图1是实施方式1的晶片的加工方法的加工对象的晶片的立体图。
图2是图1所示的晶片的外周缘的截面图。
图3是示出在实施方式1的晶片的加工方法中使用的切削装置的构成例的立体图。
图4是示出实施方式1的晶片的加工方法的流程图。
图5是示出图4所示的晶片的加工方法的表面保护带粘贴步骤的立体图。
图6是图4所示的晶片的加工方法的表面保护带粘贴步骤后的晶片的外周缘的截面图。
图7是示出图4所示的晶片的加工方法的保持步骤的侧视图。
图8是示出图7所示的晶片的加工方法的表面保护带薄化步骤的概要的截面图。
图9是示出图4所示的晶片的加工方法的切削步骤的概要的截面图。
图10是示出实施方式2的晶片的加工方法的流程图。
图11是示出图10所示的晶片的加工方法的表面保护带薄化步骤的概要的主要部分的截面图。
图12是示出实施方式3的晶片的加工方法的流程图。
图13是示出图12所示的晶片的加工方法的切削步骤的概要的主要部分的截面图。
图14是示出实施方式1和实施方式3的变形例1的晶片的加工方法的流程图。
具体实施方式
参照附图对用于实施本发明的方式(实施方式)进行详细说明。本发明并不受以下的实施方式中记载的内容限定。另外，以下记载的构成要素中包括本领域技术人员能够容易想到的内容、实质上相同的内容。进而，以下记载的构成可以适宜地组合。另外，可以在不脱离本发明的要点的范围内进行构成的各种省略、置换或变更。
[实施方式1]
基于附图对本发明的实施方式1的晶片的加工方法进行说明。图1是实施方式1的晶片的加工方法的加工对象的晶片的立体图。图2是图1所示的晶片的外周缘的截面图。
实施方式1的晶片的加工方法为图1所示的晶片200的加工方法，该方法除去晶片200的外周缘205的表面201侧。作为实施方式1的晶片的加工方法的加工对象的晶片200是以硅作为基板的圆板状的半导体晶片或以蓝宝石、SiC(碳化硅)等作为基板的光器件晶片。如图1所示，晶片200在由形成在表面201的格子状的分割预定线203划分出的多个区域中形成有器件202。另外，如图2所示，晶片200在外周缘205具有从表面201至背面204的圆弧。即，晶片200的外周缘205的一部分的截面形成为从表面201至背面204的圆弧状。
接着，对在实施方式1的晶片的加工方法中使用的切削装置1的一例进行说明。图3是示出在实施方式1的晶片的加工方法中使用的切削装置的构成例的立体图。
切削装置1是对晶片200实施所谓边缘修剪加工的装置，在边缘修剪加工中，通过将切削刀具21切入到晶片200中并使晶片200旋转，而对晶片200实施圆形的切削加工，沿着整周除去晶片200的外周缘205的表面201侧，形成阶部300(在图2中由虚线表示)。在实施方式1中，对于切削装置1沿着整周除去晶片200的外周缘205的表面201侧而形成的阶部300，从表面201到槽底301的深度形成为规定的深度302。另外，在实施方式1中，形成在晶片200的阶部300位于比器件202靠晶片200的外周侧的位置，阶部300的径向的宽度沿着整周形成为规定的宽度303(一定的宽度)。
如图3所示，切削装置1具备：保持工作台10，其利用保持面11对晶片200进行吸引保持；切削单元20，其对保持工作台10所保持的晶片200实施边缘修剪加工；X轴移动单元30，其使保持工作台10和切削单元20在平行于水平方向的X轴方向相对移动；Y轴移动单元40，其使保持工作台10和切削单元20在平行于水平方向且与X轴方向正交的Y轴方向相对移动；Z轴移动单元50，其使保持工作台10和切削单元20在与X轴方向和Y轴方向这两个方向正交的Z轴方向相对移动；摄像单元60；以及控制单元100。
对于保持工作台10，构成保持面11的部分为由多孔陶瓷等形成的圆盘形状，经由未图示的真空吸引路径与未图示的真空吸引源连接，通过吸引而保持载置于保持面11的晶片200。另外，保持工作台10利用旋转驱动源12绕与Z轴方向平行的轴心旋转。
X轴移动单元30是通过使保持工作台10与旋转驱动源12一起在X轴方向移动而对保持工作台10在X轴方向进行加工进给的加工进给单元。Y轴移动单元40是通过使切削单元20在Y轴方向移动而对切削单元20进行分度进给的分度进给单元。Z轴移动单元50是通过使切削单元20在Z轴方向移动而对切削单元20进行切入进给的切入进给单元。X轴移动单元30、Y轴移动单元40和Z轴移动单元50具备：公知的滚珠丝杠31、41、51，它们设置成可绕轴心自由旋转；公知的脉冲电动机32、42、52，它们使滚珠丝杠31、41、51绕轴心旋转；以及公知的导轨33、43、53，它们将保持工作台10或切削单元20支承为可在X轴方向、Y轴方向或Z轴方向自由移动。
切削单元20具有：主轴22，其绕与Y轴方向平行的轴心旋转；主轴壳体23，其收纳主轴22且利用Y轴移动单元40和Z轴移动单元50在Y轴方向和Z轴方向移动；以及切削刀具21，其安装在主轴22上。切削刀具21是极薄的形成为环形状的切削磨具，通过一边供给切削水一边利用主轴22使其绕平行于Y轴方向的轴心旋转，对保持工作台10所保持的晶片200进行切削加工。切削单元20的切削刀具21的切刃的厚度值为阶部300的槽底301的规定宽度303的值以上，在实施方式1中，优选具有例如1mm以上的厚度且在边缘修剪加工时不容易弯曲的切削刀具。
摄像单元60对保持工作台10所保持的晶片200进行拍摄，其配设在与切削单元20在X轴方向并列的位置。在实施方式1中，摄像单元60安装于主轴壳体23。摄像单元60由对保持工作台10所保持的晶片200进行拍摄的CCD照相机构成。
控制单元100分别控制切削装置1的上述各构成要素，使切削装置1实施对晶片200的加工动作。控制单元100具有：运算处理装置，其具有CPU(中央处理单元，centralprocessing unit)之类的微处理器；存储装置，其具有ROM(只读存储器，read onlymemory)或RAM(随机存取存储器，random access memory)之类的存储器；以及输入输出接口装置，该控制单元100是能够执行计算机程序的计算机。控制单元100的运算处理装置在RAM上执行存储在ROM中的计算机程序，生成用于控制切削装置1的控制信号。控制单元100的运算处理装置经由输入输出接口装置将所生成的控制信号输出到切削装置1的各构成要素。另外，控制单元100与显示单元、输入单元连接，该显示单元由对加工动作的状态或图像等进行显示的液晶显示装置等构成，该输入单元在操作者登记加工内容信息等时使用。输入单元由设置于显示单元的触控面板和键盘等之中的至少一者构成。
接下来，对实施方式1的晶片的加工方法进行说明。图4是示出实施方式1的晶片的加工方法的流程图。图5是示出图4所示的晶片的加工方法的表面保护带粘贴步骤的立体图。图6是图4所示的晶片的加工方法的表面保护带粘贴步骤后的晶片的外周缘的截面图。图7是示出图4所示的晶片的加工方法的保持步骤的侧视图。图8是示出图7所示的晶片的加工方法的表面保护带薄化步骤的概要的截面图。图9是示出图4所示的晶片的加工方法的切削步骤的概要的截面图。
晶片的加工方法(以下简记为加工方法)为下述的加工方法：将切削刀具21切入到晶片200中，使晶片200绕平行于Z轴方向的轴心旋转，从而对晶片200实施圆形的切削加工，形成阶部300。加工方法如图4所示具备表面保护带粘贴步骤ST1、保持步骤ST2、表面保护带薄化步骤ST3、以及切削步骤ST4。
表面保护带粘贴步骤ST1是在晶片200的表面201粘贴图5所示的表面保护带210的步骤。在实施方式1中，表面保护带210形成为与晶片200相同尺寸的圆形。表面保护带210具备由合成树脂构成的基材层、以及配设在基材层上且粘贴于晶片200的表面201的糊料层，形成为与晶片200同等尺寸的圆板状。在实施方式1中，关于表面保护带210，如图5所示使表面保护带210的糊料层与晶片200对置，之后如图6所示将表面保护带210的糊料层粘贴至晶片200的表面201。加工方法在表面保护带粘贴步骤ST1之后进入到保持步骤ST2。
保持步骤ST2是利用保持工作台10对粘贴有表面保护带210的晶片200的背面204侧进行保持的步骤。在保持步骤ST2中，操作者操作输入单元将加工内容信息登记在控制单元100中，操作者按图7所示使表面保护带210为上表面而将晶片200的背面204载置于保持面11，在有来自操作者的开始加工动作的指示的情况下，控制单元100驱动真空吸引源而将晶片200吸引保持于保持工作台10。这样，在保持步骤ST2中，保持工作台10使表面保护带210为上表面而对粘贴有表面保护带210的晶片200进行保持。加工方法在保持步骤ST2之后进入到表面保护带薄化步骤ST3。
表面保护带薄化步骤ST3为下述步骤：在实施了保持步骤ST2之后且在实施切削步骤ST4之前，在表面保护带210的与要利用切削步骤ST4形成的阶部300相对应的区域211，利用切削刀具21仅对表面保护带210进行切削而将表面保护带210的区域211薄化。需要说明的是，表面保护带210的与阶部300相对应的区域211是表面保护带210的与阶部300在Z轴方向重叠的区域。在表面保护带薄化步骤ST3中，控制单元100利用X轴移动单元30将保持工作台10朝向摄像单元60的下方移动，利用摄像单元60对晶片200进行拍摄，执行对准。
之后，控制单元100基于加工内容信息和对准结果等，一边利用X轴移动单元30、Y轴移动单元40、Z轴移动单元50和旋转驱动源12使保持工作台10绕轴心旋转，一边将利用主轴22旋转的切削刀具21定位在粘贴于保持工作台10所保持的晶片200的表面保护带210的区域211上。控制单元100一边使保持工作台10旋转一边利用Z轴移动单元50使切削单元20以规定的切入进给速度进行切入进给(下降)，使切削刀具21切入到晶片200的外周缘205上的表面保护带210中，如图8所示，将表面保护带210的外周部的区域211薄化。
控制单元100将表面保护带210的外周部的区域211薄化到规定的厚度时，结束表面保护带薄化步骤ST3。需要说明的是，在实施方式1中，表面保护带210的厚度为100μm，在表面保护带薄化步骤ST3中，将表面保护带210的区域211薄化至20μm。加工方法在表面保护带薄化步骤ST3之后进入到切削步骤ST4。
切削步骤ST4为下述的步骤：在实施了保持步骤ST2和表面保护带薄化步骤ST3之后，利用切削刀具21将晶片200的外周缘205与表面保护带210一起进行切削，在外周缘205形成阶部300，对晶片200实施边缘修剪加工。在切削步骤ST4中，控制单元100基于加工内容信息和对准结果等，一边利用X轴移动单元30、Y轴移动单元40、Z轴移动单元50和旋转驱动源12使保持工作台10绕轴心旋转，一边将旋转的切削刀具21的刃尖的下端沿Z轴方向定位在与阶部300的槽底301相同的高度，并且将切削刀具21的刃尖定位在比保持工作台10所保持的晶片200的外周缘205靠外周侧的位置。
控制单元100一边使保持工作台10旋转一边利用Y轴移动单元40使切削单元20以规定的分度进给速度向晶片200的中心侧移动，如图9所示，将切削刀具21切入到晶片200的外周缘205和表面保护带210中。在切削步骤ST4中，切削单元20利用切削刀具21将晶片200的外周缘205与表面保护带210一起切削，形成阶部300。这样，在实施方式1的加工方法中，在切削步骤ST4中，通过使切削刀具21以规定的分度进给速度向晶片200的中心方向移动，切削刀具21实施边缘修剪加工，从晶片200的外周侧朝向中心逐步形成阶部300。即，控制单元100利用切削单元20从晶片200的外周侧朝向中心逐步形成阶部300。
控制单元100将阶部300的宽度形成至规定的宽度303时，切削步骤ST4结束。需要说明的是，在实施方式1中，阶部300的规定的深度302为400μm，阶部300的规定的宽度303为800μm。加工方法在切削步骤ST4后结束。对于晶片200，在加工方法后对背面204侧实施磨削加工等，薄化至规定的完工厚度后，使用其他切削装置等分割成各个器件202。
在实施方式1的加工方法中，在切削步骤ST4中使切削刀具21从晶片200的外周侧朝向晶片200的中心移动，实施边缘修剪加工，逐步形成阶部300。因此，在加工方法中，切削刀具21抑制切削中要逃到外周方向的被切削的表面保护带210的碎屑，能够抑制被切削的表面保护带210的碎屑逃到晶片200的外周侧。其结果，加工方法能够切削除去表面保护带210的区域211，并且能够抑制由从区域211除去的表面保护带210形成的线状的带碎屑的产生。
另外，在实施方式1的加工方法中，在实施切削步骤ST4之前的表面保护带薄化步骤ST3中将表面保护带210的区域211薄化，因而在形成阶部300时，能够抑制在表面保护带210与晶片200的表面201的界面处产生裂纹。
另外，在实施方式1的加工方法中，在表面保护带薄化步骤ST3中将表面保护带210的区域211薄化后，在切削步骤ST4中使切削刀具21从晶片200的外周侧朝向晶片200的中心移动来实施边缘修剪加工，并且切削除去区域211。因此，在实施方式1的加工方法中，由于表面保护带210的区域211的切削除去是在切削步骤ST4中进行的、而未在表面保护带薄化步骤ST3中进行，因而能够抑制区域211的特别是外周侧的部分成为线状的带碎屑。
另外，在实施方式1的加工方法中，在表面保护带薄化步骤ST3中，在使保持工作台10旋转的同时将切削单元20以规定的切入进给速度进行切入进给，将表面保护带210的区域211薄化，因而在将表面保护带210薄化时，能够抑制由构成表面保护带210的基材层的合成树脂形成的须状的毛刺的产生。
[实施方式2]
基于附图对本发明的实施方式2的晶片的加工方法进行说明。图10是示出实施方式2的晶片的加工方法的流程图。图11是示出图10所示的晶片的加工方法的表面保护带薄化步骤的概要的主要部分的截面图。图10和图11中，对于与实施方式1相同的部分附以相同符号，省略说明。
在实施方式2的晶片的加工方法(以下简记为加工方法)中，如图10所示，表面保护带薄化步骤ST3-2与实施方式1不同，除此以外与实施方式1的加工方法是相同的。具体地说，在实施方式2的加工方法的表面保护带薄化步骤ST3-2中，控制单元100基于加工内容信息和对准结果等，利用X轴移动单元30、Y轴移动单元40和Z轴移动单元50将旋转的切削刀具21的刃尖的下端定位在规定高度，该规定高度为比将区域211薄化至规定的厚度的切入深度浅的切入深度(由图11所示的区域211中的最上方的虚线212表示)，在该状态下将切削刀具21切入到表面保护带210的区域211，利用旋转驱动源12使保持工作台10绕轴心旋转1周。在实施方式2的加工方法的表面保护带薄化步骤ST3-2中，控制单元100将比区域211的最上方的虚线212靠上方的区域切削除去。
在表面保护带薄化步骤ST3-2中，控制单元100将切削刀具21的刃尖的下端切入进给到由与区域211的最上方的虚线212相比为第二高的虚线212所表示的位置之后，利用旋转驱动源12使保持工作台10绕轴心旋转1周，将比区域211的第二高的虚线212靠上方的区域切削除去。在表面保护带薄化步骤ST3-2中，控制单元100反复进行多次切削刀具21的切入进给以及保持工作台10的1周旋转，直到区域211达到规定厚度为止。在实施方式2的表面保护带薄化步骤ST3-2中，控制单元100反复进行4次切削刀具21的切入进给以及保持工作台10的1周旋转，将表面保护带210的区域211逐步薄化至规定的厚度。在实施方式2的表面保护带薄化步骤ST3-2中，控制单元100通过1次的切削刀具21的切入进给和保持工作台10的1周旋转将区域211薄化20μm。
在实施方式2的加工方法中，与实施方式1同样地，在切削步骤ST4中，使切削刀具21从晶片200的外周侧朝向晶片200的中心移动，逐步形成阶部300。其结果，在加工方法中，与实施方式1同样地，切削刀具21抑制切削中要逃到外周方向的被切削的表面保护带210的碎屑，能够切削除去表面保护带210的区域211，并且能够抑制由从区域211除去的表面保护带210形成的线状的带碎屑的产生。
另外，在实施方式2的加工方法中，在表面保护带薄化步骤ST3-2中将表面保护带210的区域211逐步薄化，因而在将表面保护带210薄化时，能够抑制由构成表面保护带210的基材层的合成树脂形成的须状的毛刺的产生。
[实施方式3]
基于附图对本发明的实施方式3的晶片的加工方法进行说明。图12是示出实施方式3的晶片的加工方法的流程图。图13是示出图12所示的晶片的加工方法的切削步骤的概要的主要部分的截面图。图12和图13中，对于与实施方式1和实施方式2相同的部分附以相同符号，省略说明。
在实施方式3的晶片的加工方法(以下简记为加工方法)中，如图12所示，切削步骤ST4-3与实施方式1和实施方式2不同，除此以外与实施方式1和实施方式2的加工方法是相同的。在加工方法中，在切削步骤ST4-3中，将切削刀具21从外周侧朝向中心侧多次逐步进行分度进给，利用切削刀具21将晶片200的外周缘205与表面保护带210一起切削，从外周侧朝向晶片200的中心逐步形成阶部300。
具体地说，在实施方式3的加工方法的切削步骤ST4-3中，控制单元100基于加工内容信息和对准结果等，利用X轴移动单元30、Y轴移动单元40和Z轴移动单元50，将旋转的切削刀具21的刃尖的下端定位在与阶部300的槽底301相同的高度，并且将切削刀具21定位在从晶片200的外周缘205向X轴方向退避的位置。此外，在切削步骤ST4-3中，控制单元100将切削刀具21的Y轴方向的位置定位在作为比阶部300的规定的宽度303更窄的除去宽度的Y轴方向的规定位置(由图13所示的阶部300和区域211中的最外周的虚线312表示)。
在实施方式3的加工方法的切削步骤ST4-3中，控制单元100利用X轴移动单元30使保持工作台10朝向切削刀具21移动，使切削刀具21切入到表面保护带210以及晶片200的外周缘205，利用旋转驱动源12使保持工作台10绕轴心旋转1周。在实施方式3的加工方法的切削步骤ST4-3中，控制单元100将比阶部300和区域211的最外周的虚线312靠外侧的区域切削除去，将切削刀具21定位在从晶片200的外周缘205向X轴方向退避的位置。
在切削步骤ST4-3中，控制单元100利用Y轴移动单元40对切削单元20进行分度进给，将切削刀具21的Y轴方向的位置定位在由与阶部300和区域211中的最外周的虚线312相比第二靠近外周侧的虚线312所示的位置。在切削步骤ST4-3中，控制单元100利用X轴移动单元30使保持工作台10朝向切削刀具21移动，使切削刀具21切入到表面保护带210以及晶片200的外周缘205，利用旋转驱动源12使保持工作台10绕轴心旋转1周，将比阶部300和区域211的第二外周侧的虚线312靠外周侧的区域切削除去。
在切削步骤ST4-3中，控制单元100反复进行2次以上的切削刀具21的分度进给、切削刀具21向外周缘205的切入、以及保持工作台10的1周旋转，直至阶部300的宽度达到规定的宽度303为止。在实施方式3的加工方法中，在切削步骤ST4-3中，控制单元100反复进行16次切削刀具21的分度进给、切削刀具21向外周缘205的切入、以及保持工作台10的1周旋转，形成阶部300。在实施方式3中，在切削步骤ST4-3中，控制单元100通过1次的切削刀具21的分度进给、切削刀具21向外周缘205的切入、以及保持工作台10的1周旋转将外周缘205切削除去50μm。
在实施方式3的加工方法中，与实施方式1和实施方式2同样地，在切削步骤ST4-3中，使切削刀具21从晶片200的外周侧朝向晶片200的中心移动，逐步形成阶部300。其结果，实施方式3的加工方法中，与实施方式1和实施方式2同样地，切削刀具21抑制切削中要逃到外周方向的被切削的表面保护带210的碎屑，能够切削除去表面保护带210的区域211，并且能够抑制由从区域211除去的表面保护带210构成的线状的带碎屑的产生。
[变形例1]
基于附图对本发明的实施方式1和实施方式3的变形例1的晶片的加工方法进行说明。图14是示出实施方式1和实施方式3的变形例1的晶片的加工方法的流程图。图14中，对于与实施方式1和实施方式3相同的部分附以相同符号，省略说明。
在实施方式1和实施方式3的晶片的加工方法(以下简记为加工方法)中，如图14所示不实施表面保护带薄化步骤ST3，即具备表面保护带粘贴步骤ST1、保持步骤ST2以及切削步骤ST4、ST4-3，这一点与实施方式1和实施方式3不同，除此以外，与实施方式1和实施方式3的加工方法是相同的。
在变形例1的加工方法中，与实施方式1和实施方式3同样地，在切削步骤ST4、ST4-3中，使切削刀具21从晶片200的外周侧朝向晶片200的中心移动，逐步形成阶部300。其结果，变形例1的加工方法中，与实施方式1和实施方式3同样地，切削刀具21抑制切削中要逃到外周方向的被切削的表面保护带210的碎屑，能够切削除去表面保护带210的区域211，并且能够抑制由从区域211除去的表面保护带210形成的线状的带碎屑的产生。
[变形例2]
对于本发明的实施方式1到实施方式3的变形例2的晶片的加工方法进行说明。实施方式1到实施方式3的晶片的加工方法(以下简记为加工方法)中，使用相互不同的切削刀具21来实施表面保护带薄化步骤ST3、ST3-2与切削步骤ST4、ST4-3，这一点与实施方式1到实施方式3不同，除此以外，与实施方式1到实施方式3的加工方法是相同的。
在变形例2的加工方法中，可以更换图3所示的切削装置1的切削刀具21来实施表面保护带薄化步骤ST3、ST3-2和切削步骤ST4、ST4-3。另外，在变形例2的加工方法中，可以使用具备2个切削单元的切削装置，在一个切削单元中安装表面保护带薄化步骤ST3、ST3-2用的切削刀具21，在另一个切削单元中安装切削步骤ST4、ST4-3用的切削刀具21，来实施表面保护带薄化步骤ST3、ST3-2和切削步骤ST4、ST4-3。
在变形例2的加工方法中，与实施方式1等同样地，在切削步骤ST4、ST4-3中，使切削刀具21从晶片200的外周侧朝向晶片200的中心移动，逐步形成阶部300。其结果，在变形例2的加工方法中，与实施方式1等同样地，切削刀具21抑制切削中要逃到外周方向的被切削的表面保护带210的碎屑，能够切削除去表面保护带210的区域211，并且能够抑制由从区域211除去的表面保护带210形成的线状的带碎屑的产生。
接下来，本发明的发明人确认了实施方式1、实施方式2、实施方式3和变形例1的加工方法的效果以及这些加工方法中的优越性。将结果列于以下的表1至表3。
[表1]
| 本发明品1 | 未产生线状的带碎屑 |
| 本发明品2 | 未产生线状的带碎屑 |
| 本发明品3 | 未产生线状的带碎屑 |
| 本发明品4 | 未产生线状的带碎屑 |
| 比较例 | 产生线状的带碎屑 |
[表2]
| 本发明品1 | 未产生裂纹 |
| 本发明品2 | 未产生裂纹 |
| 本发明品3 | 未产生裂纹 |
| 本发明品4 | 产生裂纹 |
[表3]
| 本发明品1 | 未产生须状的毛刺 |
| 本发明品2 | 未产生须状的毛刺 |
| 比较例2 | 产生须状的毛刺 |
表1为确认了下述各情况中的线状的带碎屑的产生状况的结果，比较例，不从外周侧朝向中心逐步形成阶部300而通过一次切削将表面保护带的每一区域切削除去来形成阶部300；本发明品1，利用实施方式1的加工方法形成了阶部300；本发明品2，利用实施方式2的加工方法形成了阶部300；本发明品3，利用实施方式3的加工方法形成了阶部300；以及本发明品4，利用变形例1的加工方法形成了阶部300。
表2为确认了本发明品1、本发明品2、本发明品3以及本发明品4中的各自的表面保护带210与晶片200的表面201的界面处的裂纹产生状况的结果。
表3为确认了比较例2、本发明品1、以及本发明品2中的各自的由构成表面保护带210的基材层的合成树脂形成的须状的毛刺的产生状况的结果，其中，比较例2在使保持工作台10进行1次旋转期间使表面保护带210的区域211薄化80μm。
根据表1，在比较例中，产生了线状的带碎屑，但在本发明品1、本发明品2、本发明品3和本发明品4中未产生线状的带碎屑。从而根据表1可知，在切削步骤ST4中，通过从晶片200的外周侧朝向中心逐步形成阶部300，能够抑制线状的带碎屑的产生。
根据表2，在本发明品4中产生了裂纹，但在本发明品1、本发明品2和本发明品3中未产生裂纹。从而根据表2可知，通过在实施切削步骤ST4之前实施表面保护带薄化步骤ST3，能够抑制表面保护带210与晶片200的表面201的界面处产生裂纹。
根据表3，在比较例2中，产生了由构成表面保护带210的基材层的合成树脂形成的须状的毛刺，但在本发明品1和本发明品2中未产生须状的毛刺。从而根据表3可知，在表面保护带薄化步骤ST3中，通过一边使保持工作台10旋转一边将切削单元20以规定的切入进给速度进行切入进给来将表面保护带210的区域211薄化，能够抑制由构成表面保护带210的基材层的合成树脂形成的须状的毛刺的产生。另外，根据表3可知，在表面保护带薄化步骤ST3-2中，通过利用多次切削将表面保护带210的区域211逐步薄化，能够抑制由构成表面保护带210的基材层的合成树脂形成的须状的毛刺的产生。
需要说明的是，根据上述实施方式1到实施方式3、变形例1和变形例2的晶片的加工方法，可得到以下的切削装置。
(附录1)
一种切削装置，其对晶片实施切削加工，其特征在于，
该切削装置具备：
保持工作台，其将在表面粘贴有表面保护带的晶片按照该表面保护带为上表面的方式进行保持；
切削单元，其利用切削刀具将该晶片的外周缘与该表面保护带一起切削，形成规定的深度和规定的宽度的阶部；以及
控制单元，其对各构成要素进行控制，
该控制单元利用该切削单元从该晶片的外周侧朝向中心逐步形成该阶部。
对于上述切削装置，与实施方式1等的加工方法同样地，在切削步骤中，使切削刀具从晶片的外周侧朝向晶片的中心移动来实施边缘修剪加工，逐步形成阶部。因此，在切削装置中，切削刀具抑制切削中要逃到外周方向的被切削的表面保护带的碎屑，能够抑制所切削的表面保护带的碎屑逃到晶片的外周侧。其结果，切削装置能够切削除去表面保护带的区域，并且能够抑制由从区域除去的表面保护带形成的线状的带碎屑的产生。
需要说明的是，本发明并不限于上述实施方式和变形例。即，能够在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种变形来实施。
符号说明
10 保持工作台
21 切削刀具
200 晶片
201 表面
204 背面
205 外周缘
210 表面保护带
211 区域
300 阶部
301 槽底
302 规定的深度
303 规定的宽度
ST1 表面保护带粘贴步骤
ST2 保持步骤
ST3 表面保护带薄化步骤
ST4 切削步骤
Claims (5)
1.一种晶片的加工方法，其是在外周缘具有从表面至背面的圆弧的晶片的加工方法，其具备下述步骤：
表面保护带粘贴步骤，在晶片的表面粘贴表面保护带；
保持步骤，利用保持工作台对粘贴有该表面保护带的晶片的背面侧进行保持；以及
切削步骤，在实施了该保持步骤之后，将晶片的外周缘与该表面保护带一起利用切削刀具进行切削，形成规定深度和规定宽度的阶部，
在该切削步骤中，从晶片的外周侧朝向中心逐步形成该阶部。
2.如权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，在实施了该保持步骤之后且在实施该切削步骤之前，进一步具备表面保护带薄化步骤，在与要利用该切削步骤形成的该阶部相对应的区域，利用该切削刀具仅对该表面保护带进行切削而将其薄化。
3.如权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，在该切削步骤中，一边使该保持工作台旋转一边将该切削刀具以规定的速度向晶片的中心侧移动。
4.如权利要求2所述的晶片的加工方法，其中，在该表面保护带薄化步骤中，一边使该保持工作台旋转一边将该切削刀具以规定的速度下降。
5.如权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，该切削刀具的厚度值为利用该切削步骤形成的该阶部的槽底的宽度值以上。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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