CN109207919B - 蒸镀掩模、蒸镀掩模装置、蒸镀掩模的制造方法和蒸镀掩模装置的制造方法 - Google Patents

蒸镀掩模、蒸镀掩模装置、蒸镀掩模的制造方法和蒸镀掩模装置的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109207919B
CN109207919B CN201810729647.6A CN201810729647A CN109207919B CN 109207919 B CN109207919 B CN 109207919B CN 201810729647 A CN201810729647 A CN 201810729647A CN 109207919 B CN109207919 B CN 109207919B
Authority
CN
China
Prior art keywords
vapor deposition
mask
deposition mask
metal layer
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810729647.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109207919A (zh
Inventor
牛草昌人
中村友祐
冈本英介
村田佳则
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Publication of CN109207919A publication Critical patent/CN109207919A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109207919B publication Critical patent/CN109207919B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02—Local etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0332—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明涉及蒸镀掩模、蒸镀掩模装置、蒸镀掩模的制造方法和蒸镀掩模装置的制造方法。蒸镀掩模(20)具备：第一掩模(30)，其形成有开口部(35)；和第二掩模(40)，其与第一掩模(30)重叠，形成有复数个具有比开口部(35)的面方向尺寸小的面方向尺寸的贯通孔(45)，该蒸镀掩模(20)具有使第二掩模(40)和第一掩模(30)相互接合的复数个接合部(16)，复数个接合部(16)沿着第二掩模(40)的外缘(43)排列，在第二掩模(40)的外缘(43)的与相邻的两个接合部(16)之间对应的位置，形成有切口(46)。

Description

蒸镀掩模、蒸镀掩模装置、蒸镀掩模的制造方法和蒸镀掩模装 置的制造方法
技术领域
本发明涉及在蒸镀材料向被蒸镀基板的蒸镀中所使用的蒸镀掩模、蒸镀掩模装置、蒸镀掩模的制造方法和蒸镀掩模装置的制造方法。
背景技术
近年来，对于在智能手机、平板电脑等可携带的设备中使用的显示装置，要求高精细，例如要求像素密度为400ppi以上。另外，对于可携带的设备而言，对应对超全高清的需要也在不断高涨，这种情况下，要求显示装置的像素密度为例如800ppi以上。
在显示装置中，有机EL显示装置由于响应性良好、耗电低、对比度高而备受关注。作为形成有机EL显示装置的像素的方法，已知有使用包含以所期望的图案排列的贯通孔的蒸镀掩模以所期望的图案形成像素的方法。具体而言，首先将有机EL显示装置用的基板(有机EL基板)投入蒸镀装置中，接着在蒸镀装置内使蒸镀掩模相对于有机EL基板密合，进行使有机材料蒸镀至有机EL基板的蒸镀工序。
作为这样的蒸镀掩模的一例，可以举出JP2016-148112A所公开的蒸镀掩模。JP2016-148112A所公开的蒸镀掩模是利用镀覆处理而制造的。首先，在绝缘性的基材上形成导电性图案，然后使用电镀法在导电性图案上形成金属层。然后，将基材和导电性图案去除，由此得到具有金属层的蒸镀掩模。在该技术中，利用镀覆处理来制造蒸镀掩模，因此具有能够得到厚度变薄的蒸镀掩模的优点。利用厚度变薄的蒸镀掩模，能够使从相对于蒸镀掩模的板面的法线方向大幅地倾斜的方向朝向有机EL基板等被蒸镀基板的蒸镀材料适当地附着于在蒸镀掩模的贯通孔内露出的被蒸镀基板上。
在JP2016-148112A所公开的技术中，利用镀覆处理制造出蒸镀掩模之后，将该蒸镀掩模安装于框架而制造出蒸镀掩模装置。此时，蒸镀掩模装置的框架将蒸镀掩模保持为张紧的状态。即，在固定于框架的状态下，对蒸镀掩模赋予张力。由此，抑制了蒸镀掩模产生挠曲。但是，根据本申请发明人的研究，发现了下述问题：由于对厚度变薄的蒸镀掩模赋予张力，导致在该蒸镀掩模产生褶皱、变形。
为了解决该问题，本申请发明人对于利用如下所述的方法制造蒸镀掩模和蒸镀掩模装置进行了研究。首先，例如在基材上设置由铜等导电性材料构成的导电性图案，在该导电性图案上设置形成蒸镀掩模的金属层，制作出具有基材、导电性图案和金属层的层积体。接着，利用焊接等将层积体的金属层接合于框架。然后，将导电性图案蚀刻去除而将基材与金属层分离。由此，制造出由金属层形成的蒸镀掩模以及具有蒸镀掩模和框架的蒸镀掩模装置。根据这样的方法，将形成蒸镀掩模的层积体的金属层在保持在基材上的状态下接合于框架，因此能够良好地确保蒸镀掩模的平坦性。认为由此能够抑制在蒸镀掩模中产生褶皱、变形。
本申请发明人对于这样的方法进行了进一步研究，结果发现了如下所述的课题。蒸镀掩模为使用镀覆法而析出的金属层的情况下，在该金属层内产生残留应力(内部应力)，由此会在金属层的面内产生拉伸力。该拉伸力的大小根据金属层的厚度、组成等而变化。在由镀覆层构成的蒸镀掩模的面内产生厚度、组成的不可避免的偏差，这种情况下，蒸镀掩模内的拉伸力也会产生面内的偏差。因此，去除基材后的蒸镀掩模由于该拉伸力的面内偏差，有时各贯通孔的位置偏离规定的位置。
发明内容
本发明是考虑了这样的问题而完成的，其目的在于提供能够抑制贯通孔的位置偏移的蒸镀掩模、蒸镀掩模装置以及蒸镀掩模和蒸镀掩模装置的制造方法。
本发明的蒸镀掩模具备：
第一掩模，其至少形成有沿着第一方向排列的复数个开口部；和
第二掩模，其与上述第一掩模重叠，形成有复数个具有比上述开口部的面方向尺寸小的面方向尺寸的贯通孔，
该蒸镀掩模具有使上述第二掩模与上述第一掩模相互接合的复数个接合部，
上述复数个接合部沿着上述第二掩模的外缘排列，
在上述第二掩模的上述外缘处，在与相邻的两个上述接合部之间对应的位置，形成有切口。
本发明的蒸镀掩模装置具备上述蒸镀掩模和安装于上述蒸镀掩模的框架。
本发明的蒸镀掩模的制造方法中，所述蒸镀掩模具备：
第一掩模，其至少形成有沿着第一方向排列的复数个开口部；和
第二掩模，其与上述第一掩模重叠，形成有复数个具有比上述开口部小的尺寸的贯通孔，
该蒸镀掩模的制造方法具有：
接合工序，利用复数个接合部使具有基材、导电性图案和金属层的层积体的上述金属层接合于上述第一掩模，所述导电性图案设置在上述基材上，所述金属层设置在上述导电性图案的与上述基材相反一侧；和
分离工序，将上述导电性图案蚀刻去除，使上述基材与上述金属层分离，由上述金属层形成上述第二掩模。
在本发明的蒸镀掩模的制造方法中，也可以是，
上述复数个接合部沿着上述金属层的外缘排列，
在上述金属层的上述外缘处，在与上述复数个接合部的排列方向上相邻的两个上述接合部之间对应的位置，形成有切口。
本发明的蒸镀掩模装置的制造方法中，所述蒸镀掩模装置具备蒸镀掩模和安装于上述蒸镀掩模的框架，
该蒸镀掩模装置的制造方法具有：
准备工序，准备上述蒸镀掩模、或者利用上述蒸镀掩模的制造方法制造出的蒸镀掩模；和
安装工序，将上述蒸镀掩模安装在框架上。
在本发明的蒸镀掩模装置的制造方法中，也可以是，
在上述安装工序之前，进一步具有使上述蒸镀掩模在其面方向张紧的张紧工序。
发明效果
根据本发明，能够提供可抑制贯通孔的位置偏移的蒸镀掩模、蒸镀掩模装置以及蒸镀掩模和蒸镀掩模装置的制造方法。
附图说明
图1是用于说明本发明的一个实施方式的图，是用于说明具有蒸镀掩模装置的蒸镀装置和使用该蒸镀装置的蒸镀方法的图。
图2是示出利用图1所示的蒸镀装置制造出的有机EL显示装置的一例的截面图。
图3是示意性示出具有蒸镀掩模的蒸镀掩模装置的一例的俯视图。
图4是在与图3的IV-IV线对应的截面中示出蒸镀掩模装置的图。
图5是示出蒸镀掩模的第一掩模的一例的俯视图。
图6是示出蒸镀掩模的第二掩模的一例的俯视图。
图7是蒸镀掩模装置的局部俯视图，是从蒸镀掩模的第二面侧观察图3的带有VII的部分而示出的图。
图8是示出蒸镀掩模的制造方法的一例的一个工序的图。
图9是示出蒸镀掩模的制造方法的一例的一个工序的图。
图10是示出蒸镀掩模的制造方法的一例的一个工序的图。
图11是示出蒸镀掩模的制造方法的一例的一个工序的图。
图12是示出蒸镀掩模的制造方法的一例的一个工序的图。
图13是示出蒸镀掩模装置的制造方法的一例的一个工序的图。
图14是示出蒸镀掩模装置的制造方法的一例的一个工序的图。
图15是示出蒸镀掩模装置的制造方法的一个变形例的一个工序的图。
图16是示出蒸镀掩模装置的制造方法的一个变形例的一个工序的图。
图17是示出蒸镀掩模装置的制造方法的一个变形例的一个工序的图。
图18是示出蒸镀掩模装置的制造方法的另一个变形例的一个工序的图。
图19是示出蒸镀掩模装置的制造方法的另一个变形例的一个工序的图。
图20是示出蒸镀掩模装置的制造方法的又一个变形例的一个工序的图。
图21是示出蒸镀掩模装置的制造方法的又一个变形例的一个工序的图。
图22是示出蒸镀掩模装置的制造方法的又一个变形例的一个工序的图。
图23是示出蒸镀掩模装置的制造方法的又一个变形例的一个工序的图。
图24是示出蒸镀掩模装置的制造方法的又一个变形例的一个工序的图。
图25是示出第二掩模的一个变形例的局部俯视图。
图26是示出第二掩模的另一个变形例的局部俯视图。
图27是示出第二掩模的又一个变形例的局部俯视图。
图28是示出第二掩模的又一个变形例的局部俯视图。
图29是示出第二掩模的又一个变形例的局部俯视图。
图30是示出第二掩模的又一个变形例的局部俯视图。
图31是示出第二掩模的又一个变形例的俯视图。
具体实施方式
以下所示的实施方式为本发明的实施方式的一例，本发明的解释并不限于这些实施方式。
以下，参照附图对本发明的一个实施方式进行说明。需要说明的是，在本申请说明书所附的附图中，为了便于图示和容易理解，根据实物适当地变更比例和纵横的尺寸比等而夸张地示出。
图1～图31是用于说明本发明的一个实施方式的图。在以下的实施方式中，列举如下的蒸镀掩模装置和蒸镀掩模装置的制造方法为例进行说明：该蒸镀掩模装置用于在制造有机EL显示装置时使有机材料以所期望的图案在基板上图案化。但是，并不限于这样的应用，对于在各种用途中使用的蒸镀掩模装置和蒸镀掩模装置的制造方法，均可以应用本发明。
需要说明的是，在本说明书中，“板”、“片”、“膜”的术语并不是仅基于称呼上的不同而被相互区分开的。例如，“板”是也包含可称为片或膜这样的部件在内的概念。。
另外，“板面(片面、膜面)”是指在整体或大体观察作为对象的板状(片状、膜状)的部件的情况下，作为对象的板状部件(片状部件、膜状部件)的与平面方向相一致的面。针对板状(片状、膜状)的部件使用的面方向是指与该部件的板面(片面、膜面)平行的方向。另外，针对板状(片状、膜状)的部件使用的法线方向是指相对于该部件的板面(片面、膜面)的法线方向。
另外，关于本说明书中使用的对形状或几何学的条件和物理特性以及它们的程度进行特定的例如“平行”、“垂直”、“相同”、“同等”等术语、以及长度、角度和物理特性的值等，并不限于严格的定义，而是包含可期待同样功能的程度的范围来进行解释。
首先，参照图1对实施将蒸镀材料蒸镀至对象物的蒸镀处理的蒸镀装置90进行说明。如图1所示，蒸镀装置90在其内部具有蒸镀源(例如坩埚94)、加热器96和蒸镀掩模装置10。另外，蒸镀装置90还具有使蒸镀装置90的内部成为真空气氛的排气单元。坩埚94收纳有机发光材料等蒸镀材料98。加热器96对坩埚94进行加热而在真空气氛下使蒸镀材料98蒸发。蒸镀掩模装置10配置成与坩埚94对置。
如图1所示，蒸镀掩模装置10具有蒸镀掩模20和支撑蒸镀掩模20的框架12。框架12在使蒸镀掩模20在其面方向拉伸的状态下支撑蒸镀掩模20，以使得蒸镀掩模20不发生挠曲。如图1所示，蒸镀掩模装置10以蒸镀掩模20与作为使蒸镀材料98附着的对象物的被蒸镀基板(例如有机EL基板)92对面的方式配置在蒸镀装置90内。
如图1所示，蒸镀掩模装置10可以具有磁铁93，该磁铁93配置在被蒸镀基板92的与蒸镀掩模20相反的侧的面上。通过设置磁铁93，通过磁力将蒸镀掩模20向磁铁93侧吸引而能够使蒸镀掩模20与被蒸镀基板92密合。
如图1所示，蒸镀掩模20具备第一掩模30和与第一掩模30重叠的第二掩模40。第一掩模30具有板部件32和形成在板部件32的复数个开口部35。另外，第二掩模40具有金属层42和形成在金属层42的复数个贯通孔45。作为一例，第一掩模30的厚度为50μm以上3000μm以下，第二掩模40的厚度为2.5μm以上30μm以下。贯通孔45具有比开口部35的面方向尺寸小的面方向尺寸。此处，贯通孔45具有比开口部35的面方向尺寸小的面方向尺寸是指，贯通孔45的尺寸在沿着第一掩模30的板面(第二掩模40的板面)的全部的方向上比开口部35的尺寸小。由此，在图3和图7所示的例子中，在俯视时，划定开口部35的轮廓包围划定位于该开口部35内的贯通孔45的轮廓。贯通孔45的面方向的最大尺寸为例如5μm以上100μm以下。第二掩模40的贯通孔45也形成在不与第一掩模30的开口部35重叠的位置。需要说明的是，贯通孔45在俯视时可以具有狭缝状的形状，其具有长度方向和与该长度方向垂直的宽度方向。这种情况下，可以使贯通孔45的沿着宽度方向的最大宽度为例如5μm以上100μm以下。
如图1所示，蒸镀掩模20具有第一面20a和形成第一面20a相反侧的面的第二面20b。在图示的例子中，蒸镀掩模20配置在被蒸镀基板92与坩埚94之间。蒸镀掩模20以其第二面20b与被蒸镀基板92的下表面对面的方式被支撑在蒸镀装置90内，换言之，以其第一面20a与坩埚94对面的方式被支撑在蒸镀装置90内，在蒸镀材料98向被蒸镀基板92的蒸镀中使用。在图1所示的蒸镀装置90中，从坩埚94蒸发且从第一面20a侧到达蒸镀掩模20的蒸镀材料98通过第一掩模30的开口部35和第二掩模40的贯通孔45而附着在被蒸镀基板92。由此，能够以与第一掩模30的开口部35和第二掩模40的贯通孔45的位置对应的所期望的图案将蒸镀材料98成膜在被蒸镀基板92的表面上。
图2是示出使用图1的蒸镀装置90制造出的有机EL显示装置100的截面图。有机EL显示装置100具备被蒸镀基板(有机EL基板)92和包含设置成图案状的蒸镀材料98的像素。
在希望进行基于复数个颜色的彩色显示的情况下，分别准备搭载有与各颜色对应的蒸镀掩模装置10的蒸镀装置90，并将被蒸镀基板92依次投入各蒸镀装置90中。由此，能够使例如红色用的有机发光材料、绿色用的有机发光材料和蓝色用的有机发光材料依次蒸镀至被蒸镀基板92上。
蒸镀处理有时在高温气氛下的蒸镀装置90的内部实施。这种情况下，在蒸镀处理的期间，保持在蒸镀装置90的内部的蒸镀掩模20、框架12和被蒸镀基板92也被加热。此时，蒸镀掩模20的第一掩模30和第二掩模40、框架12以及被蒸镀基板92显示出基于各自的热膨胀系数的尺寸变化的行为。这种情况下，第一掩模30、第二掩模40、框架12和被蒸镀基板92的热膨胀系数存在很大差异时，由于这些尺寸变化的差异而产生位置偏移，其结果是，附着在被蒸镀基板92上的蒸镀材料的尺寸精度、位置精度会降低。
为了解决这样的课题，优选第一掩模30、第二掩模40和框架12的热膨胀系数是与被蒸镀基板92的热膨胀系数同等的值。例如，在使用玻璃基板作为被蒸镀基板92的情况下，作为第一掩模30、第二掩模40和框架12的主要材料，可以使用含镍的铁合金。例如，可以将含30质量％以上54质量％以下的镍的铁合金用作构成第一掩模30、第二掩模40和框架12的部件的材料。作为含镍的铁合金的具体例，可以举出含34质量％以上38质量％以下的镍的因瓦合金材、除了含30质量％以上34质量％以下的镍外还含有钴的超因瓦合金材、含38质量％以上54质量％以下的镍的低热膨胀Fe-Ni系镀覆合金等。
需要说明的是，在蒸镀处理时，第一掩模30、第二掩模40、框架12和被蒸镀基板92的温度未达到高温的情况下，也可以不使第一掩模30、第二掩模40和框架12的热膨胀系数为与被蒸镀基板92的热膨胀系数同等的值。这种情况下，作为构成第一掩模30和第二掩模40的材料，可以使用上述铁合金以外的材料。例如，可以使用含铬的铁合金等、除了上述含镍的铁合金以外的铁合金。作为含铬的铁合金，例如可以使用被称为所谓的不锈钢的铁合金。另外，也可以使用镍或镍-钴合金等铁合金以外的合金。
接着，参照图1和图3～图7，对蒸镀掩模装置10和蒸镀掩模20进行详细说明。图3是示意性示出具有蒸镀掩模20的蒸镀掩模装置10的一例的俯视图，是从蒸镀掩模20的第一面20a侧观察蒸镀掩模装置10而示出的图。图4是蒸镀掩模装置10的截面图，是在与图3的IV-IV线对应的截面中示出蒸镀掩模装置10的图。
在图3所示的例子中，蒸镀掩模20在俯视时具有近似四边形形状，更正确地说，在俯视时具有近似矩形状的轮廓。框架12形成为近似矩形的框状，蒸镀掩模20以该蒸镀掩模20的各边与框架12的各边对应的方式安装在框架12上。
蒸镀掩模20具有相互重叠的第一掩模30和第二掩模40。在图1、图3和图4所示的例子中，第二掩模40相对于第一掩模30配置在第二面20b侧。由此，第一掩模30中的与第二掩模40相反侧的面和第二掩模40中的从第一掩模30的开口部35露出的面形成蒸镀掩模20的第一面20a，第二掩模40中的与第一掩模30相反侧的面形成蒸镀掩模20的第二面20b。在图示的例子中，第一掩模30和第二掩模40分别在俯视时具有近似矩形状的轮廓。特别是在图示的例子中，第一掩模30具有比第二掩模40的面方向尺寸大的面方向尺寸，在俯视时划定第一掩模30的轮廓包围划定第二掩模40的轮廓。
蒸镀掩模20的第一掩模30和第二掩模40相互对面地被固定。因此，蒸镀掩模20具有使第一掩模30和第二掩模40相互接合的复数个第一接合部16。另外，第一掩模30和框架12相互对面地被固定。因此，蒸镀掩模装置10具有使第一掩模30和框架12相互接合的复数个第二接合部18。接合部16、18分别沿着蒸镀掩模20的外缘22排列。特别是在图示的例子中，蒸镀掩模20的外缘22和第二掩模40的外缘43相互平行地延伸，即沿着相同的方向延伸。因此，接合部16、18分别沿着第二掩模40的外缘43排列。如上所述，在图示的例子中，蒸镀掩模20在俯视时具有近似矩形状的轮廓。因此，接合部16、18也分别沿着蒸镀掩模20的外缘22以近似矩形状的图案排列。在图7所示的例子中，接合部16、18分别距蒸镀掩模20的外缘22具有一定的距离，且被排列成一条直线状。即，接合部16、18分别沿着与蒸镀掩模20的外缘22所延伸的方向平行的方向进行排列。另外，在图示的例子中，接合部16、18分别沿着外缘22所延伸的方向相互具有等间隔地排列。需要说明的是，在本说明书中，接合部16、18沿着外缘22、43排列是指，沿着外缘22、43的整个圆周中的至少一部分排列。在图示的例子中，接合部16、18沿着外缘22、43的整个圆周排列，但不限于此，接合部16、18例如也可以仅沿着外缘22、43的整个圆周中的对置的两边排列。在本实施方式中，第一掩模30和第二掩模40通过点焊相互对面地固定。另外，第一掩模30和框架12通过点焊相互对面地固定。因此，各第一接合部16和第二接合部18均构成为基于点焊的焊接部。需要说明的是，不限于此，第一掩模30与第二掩模40之间和/或第一掩模30与框架12之间也可以通过例如接合剂等其它固定方法相互对面地固定。即，各第一接合部16和各第二接合部18例如也可以构成为粘接部。
接着，对第一掩模30进行说明。图5是示出图3的蒸镀掩模装置10的第一掩模30的俯视图。在图示的例子中，第一掩模30具有复数个开口部35，复数个开口部35分别沿着第一方向D1和第二方向D2以规定的间距排列。第一方向D1和第二方向D2均是与第一掩模30的板部件32的平面方向平行的方向。另外，第二方向D2与第一方向D1垂直。需要说明的是，在本实施方式中，对于以单层的方式构成第一掩模30的例子进行说明，但不限于此，第一掩模30也可以构成为具有复数个层。即，第一掩模30可以通过沿着其板面方向层积复数个层而制作。
第一掩模30的一个开口部35与一个有机EL显示装置100的显示区域对应。因此，根据图示的蒸镀掩模装置10，能够对应于第一掩模30的各开口部35进行有机EL显示装置100的拼版蒸镀(多面付蒸着)。
如图3和图5所示，开口部35例如在俯视时具有近似四边形形状，更正确地说，在俯视时具有近似矩形状的轮廓。需要说明的是，虽然未进行图示，但各开口部35可以根据被蒸镀基板(有机EL基板)92的显示区域的形状而具有各种形状的轮廓。例如各开口部35可以具有圆形状的轮廓。在图3中，示出了各开口部35具有彼此相同的俯视形状的例子，但不限于此，各开口部35也可以具有互不相同的开口部形状。换言之，第一掩模30也可以具有这样的复数个开口部35：它们具有互相不同的俯视形状。
在图示的例子中，在第一掩模30的各开口部35的角部附近设置有对准标记37。特别是对于一个开口部35，与其四角对应地设置有四个对准标记37。需要说明的是，在图示的例子中，几个(例如两个)对准标记37在相邻的开口部35之间共有。对准标记37在后述的蒸镀掩模装置10的制造方法的张紧工序中使在各开口部35内露出的第二掩模40的各贯通孔45之间的相对位置与规定的位置对齐时使用。对准标记37的具体的形状只要是能够通过照相机等摄像装置来识别的形状即可，对其没有特别限定。需要说明的是，对于使用该对准标记37的贯通孔45的对位，作为一例，可以与JP4606114B2或JP4562488B2所记载的方法同样地执行。
接着，对第二掩模40进行说明。图6是示出图3的蒸镀掩模装置10的第二掩模40的俯视图。如图6所示，第二掩模40的复数个贯通孔45形成在包含与第一掩模30的复数个开口部35重叠的区域在内的有孔区域44的整个区域。根据图6所示的例子，与仅在与被蒸镀基板(有机EL基板)92的显示区域对应的部分设置贯通孔45的情况相比，能够实现第二掩模40的刚性、第二掩模40内所产生的内部应力(残留应力)的均匀化。由此，能够抑制由于刚性、内部应力的偏差而在第二掩模40产生褶皱等起伏。需要说明的是，在第二掩模40的金属层42中的有孔区域44的外侧可以存在未形成贯通孔45的区域。
返回图1，第二掩模40的贯通孔45中的不与第一掩模30的开口部35重叠的贯通孔45被第一掩模30的板部件32从蒸镀掩模20的第一面20a侧覆盖。这种情况下，从相对于蒸镀掩模20位于第一面20a侧的蒸镀源飞来的蒸镀材料98通过第二掩模40的贯通孔45中的与第一掩模30的开口部35重叠的贯通孔45而到达被蒸镀基板92。
以下，主要参照图7对蒸镀掩模装置10的具体的形状、特别是第二掩模40的具体的形状的一例进行详细说明。图7是蒸镀掩模装置10的局部俯视图，是从蒸镀掩模20的第二面20b侧观察图3的由带有VII的点划线所包围的部分而示出的图。
在图7所示的例子中，贯通孔45在俯视时具有近似四边形形状，更正确地说，在俯视时具有近似矩形状的轮廓。需要说明的是，虽然未进行图示，但各贯通孔45可以根据有机EL显示装置100的像素的形状而具有各种形状的轮廓。例如各贯通孔45可以具有圆形状、狭缝状等轮廓。
在第二掩模40的外缘43的与相邻的两个第一接合部16之间对应的位置，形成有切口46。此处，第二掩模40的外缘43的与相邻的两个第一接合部16之间对应的位置是指，从处于相邻的两个第一接合部16之间的位置起，位于在第二掩模40的板面内与连接该相邻的两个第一接合部16的方向垂直的方向上的、外缘22的部分。特别是在图6和图7所示的例子中，包含第二掩模40的外缘43的与相邻的两个第一接合部16之间的中央对应的位置在内，形成有切口46。即，包含外缘22的如下部分在内形成有切口46：该部分从成为相邻的两个第一接合部16之间的中央的位置起，位于在第二掩模40的板面内与连接该相邻的两个第一接合部16的方向垂直的方向上。
通过使第二掩模40具有这样的切口46，在后述的蒸镀掩模20的制造方法的分离工序中，能够使蚀刻液从第二掩模40的外缘43侧经由该切口46浸入，因此能够容易地将位于外缘43附近的导电性图案52蚀刻去除。
在俯视时，各切口46从第二掩模40的外缘43朝向有孔区域44侧延伸。在图6和图7所示的例子中，切口46从第二掩模40的外缘43朝向有孔区域44侧具有一定的宽度地延伸。在图示的例子中，切口46的有孔区域44侧的端部的角被进行了倒角。特别是切口46的有孔区域44侧的端部具有近似半圆形状。由此，在外力作用于第二掩模40的情况下，能够抑制如下的情况：应力集中于切口46内的特定部位，从而在该部位产生龟裂或变形等。
在相邻的两个切口46之间形成有接合片48。换言之，接合片48位于相邻的两个切口46之间。第二掩模40在该接合片48处接合于第一掩模30。即，接合片48和第一掩模30经由第一接合部16而被相互对面地固定。在图6和图7所示的例子中，在一个接合片48上配置有一个第一接合部16。在图示的例子中，复数个接合片48沿着第二掩模40的外缘43排列。复数个接合片48沿着外缘22所延伸的方向相互具有等间隔地排列。
在俯视时，各接合片48从第二掩模40的外缘43朝向有孔区域44侧延伸。在图6和图7所示的例子中，对于接合片48，除了其有孔区域44侧的一部分区域以外，该接合片从第二掩模40的外缘43朝向有孔区域44侧具有一定的宽度地延伸。
在图示的例子中，各接合片48被配置在第二掩模40的最外周。并且，各接合片48的沿着延伸的方向位于有孔区域44相反侧的端部49构成了第二掩模40的外缘43的一部分。因此，在本实施方式中，将复数个接合片48的各端部49连接而形成的近似矩形状的假想线构成了第二掩模40的外缘43。
在第二掩模40的外缘43中，切口46沿着外缘所延伸的方向具有第一宽度W1。另外，接合片48沿着外缘22所延伸的方向具有第二宽度W2。并且，在本实施方式中，切口46的第一宽度W1大于接合片48的第二宽度W2。由此，在后述的蒸镀掩模20的制造方法的分离工序中，能够使蚀刻液经由具有比接合片48的第二宽度W2大的第一宽度W1的切口46从第二掩模40的外缘43侧浸入，因此能够更加容易地将位于外缘43附近的导电性图案52蚀刻去除。切口46的第一宽度W1可以设为例如1mm以上10mm以下。接合片48的第二宽度W2可以设为例如1mm以上3mm以下。另外，接合片48的长度(切口46的长度)L可以设为例如1mm以上5mm以下。
接着，参照图8～图12对蒸镀掩模20的制造方法的一例进行说明。在图8～图12中，以各部件的截面图示出蒸镀掩模20的制造方法的一例的各工序。
[图案基板准备工序]
首先，对于制作用于制造蒸镀掩模装置10的图案基板50的方法的一例进行说明。首先，准备基材51。只要具有绝缘性和适当的强度，则对于构成基材51的材料、基材51的厚度没有特别限定。如后所述，通过隔着基材51照射激光而将第一掩模30和第二掩模40焊接固定在一起的情况下，作为构成基材51的材料，可以适当地使用具有高透光性的玻璃材料。
接着，在基材51的一个面上形成导电性图案52。在图示的例子中，导电性图案52设置成具有与要在后述的成膜工序中形成的第二掩模40的图案对应的图案。例如导电性图案52设置成与要在后述的成膜工序中形成的第二掩模40的图案相同的图案。作为构成导电性图案52的材料，适当地使用了金属材料或氧化物导电性材料等导电性材料。作为金属材料的例子，可以举出例如铬或铜等。优选的是，将相对于后述的被覆层具有较高的密合性的材料用作构成导电性图案52的材料。例如在通过对含有丙烯酸系光固化性树脂的抗蚀剂膜等、被称为所谓的干膜的膜进行图案化来制作被覆层的情况下，作为构成导电性图案52的材料，优选使用铜。
对于导电性图案52，通过例如蚀刻将设置在基材51上的导电层中的除要形成导电性图案52的部分以外的部位去除，能够形成导电性图案52。详细而言，首先通过溅射或无电镀等在基材51上设置由上述的导电性材料构成的导电层。接着，在导电层上形成具有规定的图案的被覆层。作为形成被覆层的方法，可以采用光刻法等。然后，通过蚀刻将导电层中的未被被覆层覆盖的部分去除，将被覆层去除。由此，能够得到图8所示那样的形成有具有与第二掩模40对应的图案的导电性图案52的图案基板50。需要说明的是，导电性图案52的厚度(导电层的厚度)可以设为例如50nm以上300nm以下。
[成膜工序]
接着，实施成膜工序，在导电性图案52上形成金属层42。在成膜工序中，在导电性图案52上形成设置有贯通孔45的金属层42。具体而言，实施镀覆处理工序，将镀覆液供给至形成有导电性图案52的基材51上，使金属层42在导电性图案52上析出。例如，将形成有导电性图案52的基材51浸渍在填充有镀覆液的镀覆槽中。由此，如图9所示，能够在导电性图案52上形成之后构成第二掩模40的金属层42。
只要能够使金属层42在导电性图案52上析出，则对于镀覆处理工序的具体方法没有特别限定。例如，镀覆处理工序可以作为如下这样的所谓的电镀处理工序来实施：通过使电流流过导电性图案52而在导电性图案52上析出金属层42。或者，镀覆处理工序也可以为无电镀处理工序。需要说明的是，镀覆处理工序为无电镀处理工序的情况下，可以在导电性图案52上设置适当的催化剂层。实施电镀处理工序的情况下，也可以在导电性图案52上设置催化剂层。
所使用的镀覆液的成分可以根据金属层42所要求的特性适当地设定。例如，作为镀覆液，可以使用含镍化合物的溶液与含铁化合物的溶液的混合溶液。例如，可以使用含氨基磺酸镍或溴化镍的溶液和含氨基磺酸亚铁的溶液的混合溶液。在镀覆液中可以含有各种添加剂。作为添加剂，可以使用硼酸等pH缓冲剂、糖精钠等第一光亮剂、丁炔二醇、炔丙醇、香豆素、***、硫脲等第二光亮剂、抗氧化剂等。
通过该成膜工序，能够制作图9所示那样的具有图案基板50和金属层42的层积体60。在图示的例子中，层积体60具有基材51、设置在基材51上的导电性图案52、和设置在导电性图案52的与基材51相反侧的金属层42。需要说明的是，在成膜工序后，可以在要成为第二掩模40的外缘43的部位将层积体60切断。
[接合工序]
接着，实施接合工序，使第一掩模30和金属层42相互接合。在接合工序中，利用复数个第一接合部(接合部)16将层积体60的金属层42接合于第一掩模30。特别是在本实施方式中，将金属层42中的接合片48接合于第一掩模30。作为接合方法，可以采用例如点焊等。在图10所示的例子中，通过激光点焊将第一掩模30和金属层42相互对面地固定。
在图10所示的例子中，以形成有复数个开口部的第一掩模30和金属层42接触的方式使第一掩模30重叠在金属层42上而进行配置。在本实施方式中，如图3和图7清楚地示出，第一掩模30的外缘33在面方向上位于比金属层42的外缘(第二掩模40的外缘)43靠外侧的位置。接着，从基材51侧隔着基材51对金属层42的接合片48照射激光L1，通过因激光L1的照射而产生的热使接合片48的一部分和第一掩模30的一部分熔解，从而将接合片48和第一掩模30焊接固定。此时，如图11所示，以跨越接合片48和第一掩模30的方式形成由熔解后固化的第一掩模30和金属层42的部分构成的第一接合部16。即，第一掩模30和金属层42借助第一接合部16而相互接合。此时，金属层42(第二掩模40)的厚度和导电性图案52的厚度小于第一掩模30的厚度，因此从基材51侧即从金属层42侧对第一掩模30照射激光L1，由此能够短时间且用较少的能量进行金属层42和第一掩模30的接合。
作为激光L1，例如可以使用由YAG激光装置生成的YAG激光。作为YAG激光装置，例如可以使用具备在YAG(钇·铝·石榴石)中添加Nd(钕)而成的结晶来作为振荡用介质的激光装置。
这样，在金属层42被支撑在基材51上的状态下使第一掩模30和金属层42相互接合，由此能够良好地确保金属层42的平坦性。因此，能够抑制在金属层42产生褶皱、变形。需要说明的是，在接合工序中，可以一边将第一掩模30的周围向面内方向外侧拉伸即张紧一边使第一掩模30和金属层42接合。这种情况下，在后述的分离工序后，能够抑制由于金属层42内的残留应力而使第一掩模30变形以及由此使蒸镀掩模20整体变形。
[分离工序]
接着，实施分离工序，使第一掩模30和金属层42的组合体从基材51分离。在分离工序中，首先，将组合体浸渍于能够选择性地蚀刻导电性图案52的蚀刻液中。接着，将组合体从基材51剥离而使它们分离。然后，将组合体再次浸渍于蚀刻液中，将附着于金属层42而残留的导电性图案52完全蚀刻去除。由此，能够将基材51从金属层42分离，由金属层42形成第二掩模40。
在图11所示的例子中，在俯视时位于第一掩模30的开口部35内的导电性图案52在第二掩模40的贯通孔45内露出。因此，导电性图案52从在贯通孔45内露出的面即侧面开始被浸入至贯通孔45内的蚀刻液蚀刻。在图示的例子中，从导电性图案52的侧面朝向内侧进行蚀刻。由此，第二掩模40的金属层42和基材51分离。
另外，在该分离工序中，蚀刻液从第二掩模40的外缘43侧浸入至切口46内。存在于接合片48和基材51之间的导电性图案52在切口46内露出。因此，导电性图案52从在切口46内露出的面即侧面开始被浸入至切口46内的蚀刻液蚀刻。此处，使用仅溶解导电性图案52而不溶解第一掩模30和第二掩模40的蚀刻液来作为蚀刻液，由此能够在第一掩模30和第二掩模40不被蚀刻液侵蚀的情况下仅将导电性图案52溶解、去除。蚀刻从与接合片48的两侧面对应的导电性图案52的侧面朝向内侧进行。由此，第二掩模40的金属层42和基材51分离。
需要说明的是，在导电性图案52的蚀刻去除工序中，金属层42(第二掩模40)和基材51也可以不完全分离。即，金属层42和基材51也可以成为局部通过导电性图案52连接的状态。这种情况下，通过将基材51从第一掩模30和第二掩模40的组合体剥离，能够使将金属层42和基材51局部地连接的导电性图案52断裂，从而使基材51从组合体分离。需要说明的是，通过将组合体再次浸渍于蚀刻液，能够将附着于金属层42而残留的导电性图案52完全蚀刻去除。
通过以上的工序，能够得到图12所示那样的具备第一掩模30和第二掩模40的蒸镀掩模20。
接着，参照图13和图14对蒸镀掩模装置10的制造方法的一例进行说明。图13是示出蒸镀掩模20和框架12的俯视图，特别是从蒸镀掩模20的第一面20a侧观察蒸镀掩模20而示出的图。图14是示出蒸镀掩模20和框架12的截面图。
[准备工序]
首先，准备参照图8～图12利用上述的蒸镀掩模20的制造方法制造出的蒸镀掩模20。
[张紧工序]
接着，进行张紧工序，在面方向上对蒸镀掩模20赋予张力，即、使蒸镀掩模20在其面方向上张紧。如图13所示，分别利用复数个未图示的夹具对形成为矩形状的蒸镀掩模20的各边进行保持，使各夹具相对于蒸镀掩模20朝向面方向外侧拉伸，由此使蒸镀掩模20张紧。
第二掩模40的金属层42是使用镀覆法而析出的金属层，因此在金属层42内产生残留应力(内部应力)，由此会在金属层42的面内产生拉伸力。该拉伸力的大小根据金属层42的厚度、组成等而变化。在由镀覆层构成的金属层42的面内产生不可避免的厚度、组成的偏差，这种情况下，在金属层42内的拉伸力也会产生面内的偏差。因此，去除基材51后的金属层42由于该拉伸力的面内偏差，有时各贯通孔45的位置偏离规定的位置。
为了对该各贯通孔45的位置进行校正而将各贯通孔45配置在规定的位置，独立地调整各夹具的拉伸力。此时，通过照相机等摄像装置来识别设置在第一掩模30的对准标记37，独立地对各夹具的拉伸力进行调整，以便将该对准标记37配置在规定的位置，从而将各贯通孔45配置在规定的位置。因此，该张紧工序也可以说是使蒸镀掩模20在其面方向张紧而将各贯通孔45的位置与规定的位置对齐的对位工序。该张紧工序在后述的安装工序之前进行。需要说明的是，对于使用该对准标记37的贯通孔45的对位，作为一例，可以与JP4606114B2或JP4562488B2所记载的方法同样地执行。
[安装工序]
接着，实施安装工序，将蒸镀掩模20安装在框架12上。在安装工序中，借助复数个第二接合部18将蒸镀掩模20接合于框架12。特别是在本实施方式中，将蒸镀掩模20的第一掩模30的外缘33附近接合于框架12。作为接合方法，例如可以采用点焊等。在图14所示的例子中，第一掩模30和框架12通过激光点焊而相互对面地固定。
首先，如图13所示，在张紧的状态下使蒸镀掩模20相对于框架12进行对位，以与框架12接触的方式进行配置。特别是在图示的例子中，如图14清楚地示出，以第一掩模30的外缘33附近的与第二掩模40相反侧的面与框架12接触的方式配置蒸镀掩模20。接着，从第二面20b侧对蒸镀掩模20(第一掩模30)照射激光L2，通过因激光L2的照射而产生的热使第一掩模30的一部分和框架12的一部分熔解，从而将第一掩模30和框架12相互焊接固定。此时，以跨越第一掩模30和框架12的方式，形成由熔解后固化的第一掩模30和框架12的部分构成的第二接合部18。即，第一掩模30和框架12借助第二接合部18而相互接合。由此，能够制造出图4所示的蒸镀掩模装置10。
作为激光L2和射出激光L2的激光装置，可以使用例如在上述的蒸镀掩模20的制造方法的接合工序中所使用的激光和激光装置。
此处，作为比较方式，考虑了如下的情况：蒸镀掩模仅具有第二掩模且将第二掩模直接接合于框架，由此制造出蒸镀掩模装置。
这种情况下，为了制造蒸镀掩模装置，首先进行安装工序。在安装工序中，以使框架与图9所示的层积体的金属层接触的方式进行配置。接着，从基材侧隔着基材对金属层照射激光，通过因激光的照射而产生的热使金属层的一部分和框架的一部分熔解，从而将金属层和框架相互焊接固定。
接着，进行分离工序。在分离工序中，将基材、导电性图案、金属层和框架的组合体浸渍于能够选择性地蚀刻导电性图案的蚀刻液中。接着，将金属层从基材剥离而使它们分离。由此，能够将基材与金属层分离，由金属层形成第二掩模，得到具有第二掩模(蒸镀掩模)和框架12的蒸镀掩模装置。
与基材相比，框架的厚度尺寸大且密度大，因此具有比较大的重量。因此，在比较方式中，以相对于基材使框架位于上方的方式对组合体进行保持时，对基材施加框架的重量，基材有可能破损。因此，在比较方式中，在分离工序中，需要以相对于框架使基材位于上方的方式对组合体进行保持。这种情况下，从上方依次配置基材、导电性图案金属层和框架。在该状态下将组合体浸渍于蚀刻液中时，空气进入至金属层的下方的被框架包围的区域内，会产生气泡。蚀刻液不容易浸入存在气泡的部位，因此在导电性图案中的蚀刻的进行速度会产生面内的偏差。其结果是，产生未将导电性图案充分蚀刻去除的部位，在将基材从金属层剥离时，金属层局部被较强地拉伸，由此金属层会破损、或者会在金属层产生褶皱。
与此相对，在本实施方式中，在分离工序中，接合于第二掩模40的部件是厚度比框架小的第一掩模30。因此，在分离工序中以相对于第一掩模30和第二掩模40使基材51位于上方的方式对第一掩模30、第二掩模40、导电性图案52和基材51进行保持，即使浸渍于蚀刻液中，也不容易在金属层的下方产生气泡。由此，能够抑制在导电性图案中的蚀刻的进行速度产生面内的偏差。因此，在将基材从金属层剥离时，能够抑制金属层发生破损、或者在金属层产生褶皱。
另外，与基材相比，框架的整体的刚性高。因此，在比较方式中，在将基材从金属层剥离时，为了剥离而施加的力集中于基材，会担心基材或金属层发生破损。特别是在导电性图案的蚀刻去除工序中，在金属层和基材未完全分离、金属层和基材成为局部通过导电性图案连接的状态的情况下，基材、金属层发生破损的可能性提高。
与此相对，在本实施方式中，在分离工序中，接合于第二掩模40的部件是整体的刚性小于框架的第一掩模30。因此，在将基材从金属层剥离时，能够抑制为了剥离而施加的力集中于基材。
另外，框架具有比较大的尺寸和重量，因此在比较方式中，对组合体进行处理的装置(传送装置、蚀刻槽等)会大型化。由此，导致装置的成本的上升、设置面积的增大等。
与此相对，在本实施方式中，与框架相比，第一掩模30的尺寸和重量较小，因此能够使对组合体进行处理的装置小型化。特别是在如后述的变形例那样使用尺寸较小的第一掩模30的情况下，能够使对组合体进行处理的装置进一步小型化。
接着，对使用本实施方式的蒸镀掩模20将蒸镀材料98蒸镀至被蒸镀基板92上的蒸镀方法进行说明。
首先，准备参照图8～图12利用上述的蒸镀掩模20的制造方法制造出的蒸镀掩模20(准备工序)。在本实施方式中，参照图13和图14如上述那样，将蒸镀掩模20固定在框架12上，作为蒸镀掩模装置10进行准备。接着，以蒸镀掩模20与被蒸镀基板92对置的方式配置蒸镀掩模装置10(配置工序)。此时，使用磁铁93使蒸镀掩模20与被蒸镀基板92密合。在该状态下将被蒸镀基板92、蒸镀掩模装置10和磁铁93搬入至蒸镀装置90内(搬入工序)。需要说明的是，不限于此，也可以在将被蒸镀基板92、蒸镀掩模装置10和磁铁93分别搬入至蒸镀装置90内之后，以蒸镀掩模20与被蒸镀基板92对置的方式配置蒸镀掩模装置10。然后，通过未图示的排气单元对蒸镀装置90内的气氛(空气)进行排气，对蒸镀装置90内进行减压(排气工序)。接着，使蒸镀材料98蒸发并经由蒸镀掩模20向被蒸镀基板92飞来，由此以与蒸镀掩模20的贯通孔25对应的图案使蒸镀材料98附着于被蒸镀基板92(蒸镀工序)。在蒸镀工序结束后，向蒸镀装置90内导入空气，使蒸镀装置90内恢复常压(导入工序)。最后，将附着有蒸镀材料98的被蒸镀基板92、蒸镀掩模20、框架12和磁铁93从蒸镀装置90中搬出(搬出工序)，将蒸镀掩模20从被蒸镀基板92剥离，将蒸镀掩模20、框架12和磁铁93取下(取下工序)。
本实施方式的蒸镀掩模20具备：第一掩模30，其形成有开口部35；和第二掩模40，其与第一掩模30重叠，形成有复数个具有比开口部35的面方向尺寸小的面方向尺寸的贯通孔45，该蒸镀掩模20具有使第二掩模40和第一掩模30相互接合的复数个接合部16，复数个接合部16沿着第二掩模40的外缘43排列，在第二掩模40的外缘43的与相邻的两个接合部16之间对应的位置，形成有切口46。
另外，本实施方式的蒸镀掩模装置10具有上述蒸镀掩模20和安装于蒸镀掩模20的框架12。
根据这样的蒸镀掩模20，在制造蒸镀掩模20时的、使基材51从第一掩模30和金属层42的组合体分离的分离工序中，能够使蚀刻液经由该切口46从第二掩模40的外缘43侧浸入，因此能够容易地将位于外缘43附近的导电性图案52蚀刻去除。
本实施方式的蒸镀掩模20的制造方法制造出下述蒸镀掩模20，该蒸镀掩模20具备：第一掩模30，其形成有开口部35；和第二掩模40，其与第一掩模30重叠，形成有复数个具有比开口部35小的尺寸的贯通孔45，该蒸镀掩模20的制造方法具有：接合工序，利用复数个接合部16使具有基材51、设置在基材51上的导电性图案52、和设置在导电性图案52的与基材51相反侧的金属层42的层积体60的金属层42接合于第一掩模30；和分离工序，将导电性图案52蚀刻去除，将基材51从金属层42分离，由金属层42形成第二掩模40。
根据这样的蒸镀掩模20的制造方法，在金属层42被支撑在基材51上的状态下，使第一掩模30和金属层42相互接合，由此能够良好地确保金属层42的平坦性。因此，能够有效地抑制在金属层42产生褶皱、变形。
在本实施方式的蒸镀掩模20的制造方法中，复数个接合部16沿着金属层42的外缘43排列，在金属层42的外缘43的与在复数个接合部16的排列方向上相邻的两个接合部16之间对应的位置，形成有切口46。
根据这样的蒸镀掩模20的制造方法，在使基材51从第一掩模30和金属层42的组合体分离的分离工序中，能够使蚀刻液经由该切口46从第二掩模40的外缘43侧浸入，因此能够容易地将位于外缘43附近的导电性图案52蚀刻去除。
本实施方式的蒸镀掩模装置10的制造方法制造出具备蒸镀掩模20和安装于蒸镀掩模20的框架12的蒸镀掩模装置10，该蒸镀掩模装置10的制造方法具有：准备工序，准备上述蒸镀掩模20、或者利用上述蒸镀掩模20的制造方法制造出的蒸镀掩模20；和安装工序，将蒸镀掩模20安装在框架12上。
另外，本实施方式的蒸镀掩模装置10的制造方法在安装工序之前进一步具有使蒸镀掩模20在其面方向张紧的张紧工序。
第二掩模40的金属层42是使用镀覆法而析出的金属层的情况下，在金属层42内产生残留应力(内部应力)，由此会在金属层42的面内产生拉伸力。该拉伸力的大小根据金属层42的厚度、组成等而变化。在由镀覆层构成的金属层42的面内产生不可避免的厚度、组成的偏差，这种情况下，在金属层42内的拉伸力也会产生面内的偏差。因此，在去除基材51后的金属层42中，由于该拉伸力的面内偏差，有时各贯通孔45的位置偏离规定的位置。
根据本实施方式的蒸镀掩模装置10的制造方法，通过使蒸镀掩模20张紧，能够以将各贯通孔45配置在规定的位置的方式对该各贯通孔45的位置进行校正而将蒸镀掩模20安装在框架12上，因此能够提高蒸镀掩模20的贯通孔45的位置精度。即，能够有效地抑制会在蒸镀掩模20的贯通孔45产生的位置偏移。
需要说明的是，可以对上述实施方式施加各种变更。以下，根据需要，参照附图对变形例进行说明。在以下的说明和以下的说明所用的附图中，对于能够与上述的实施方式同样地构成的部分，使用与上述的实施方式中的对应的部分所用的符号相同的符号，并省略了重复的说明。另外，在上述实施方式中所得到的作用效果很明显也能够在变形例中得到的情况下，有时也省略了其说明。
图15～图17是用于说明蒸镀掩模装置10的制造方法的一个变形例的图。在图15～图17中，以各部件的俯视图示出本变形例的蒸镀掩模装置10的制造方法的各工序。
在本变形例中，首先利用切断线C将与参照图8～图12进行了说明的蒸镀掩模20的制造方法同样地进行制造的、图15所示的蒸镀掩模20切断，制造出例如两个蒸镀掩模20。
接着，使两个蒸镀掩模20张紧并分别安装在图16所示的框架12上，制造出图17所示的蒸镀掩模装置10。在图16所示的例子中，框架12具有：框部件，其在俯视时形成为近似矩形状；和连接部件，其将构成该框部件的二组对边中的一组对边的中央部彼此连接。需要说明的是，蒸镀掩模20向框架12的安装可以与上述安装工序同样地进行。
根据本变形例，能够各自独立地使分割得到的各蒸镀掩模20张紧，因此能够更高精度地进行各蒸镀掩模20的各贯通孔45的位置的校正。
图18和图19是用于说明蒸镀掩模装置10的制造方法的另一个变形例的图。在图18和图19中，以各部件的俯视图示出本变形例的蒸镀掩模装置10的制造方法的各工序。
如图18所示，在本变形例中，首先制作出复数个层积体60。此处，各层积体60具有与第一掩模30的一个开口部35对应的尺寸。接着，对于各层积体60进行上述的接合工序和分离工序。例如，将各层积体60分别相对于第一掩模30的开口部35进行对位而使其接合于第一掩模30。层积体60向第一掩模30的接合可以与上述接合工序同样地实施。然后，将各层积体60的基材51从金属层42分离。由此，制作出蒸镀掩模20。在本变形例中，制作出两个蒸镀掩模20。
接着，使各蒸镀掩模20张紧并分别安装在例如图16所示的框架12上，制造出图19所示的蒸镀掩模装置10。需要说明的是，不限于此，也可以制作出一个大的蒸镀掩模20，并将其安装在与图3所示的例子中的框架12同样的框状的框架12上。
根据本变形例，使一个层积体60(第二掩模40)的尺寸为与第一掩模30的一个开口部35对应的尺寸，因此能够减少层积体60中的由于贯通孔45的形状不良等所废弃的部分，能够整体上提高成品率。
图20～图22是用于说明蒸镀掩模装置10的制造方法的又一个变形例的图。在图20～图22中，以各部件的俯视图示出本变形例的蒸镀掩模装置10的制造方法的各工序。
如图20所示，在本变形例中，首先制作出复数个层积体60和复数个第一掩模30。各第一掩模30具有一个开口部35，各层积体60具有与第一掩模30的一个开口部35对应的尺寸。接着，对于各层积体60和第一掩模30进行上述的接合工序和分离工序。例如，使一个层积体60相对于一个第一掩模30进行对位而使其接合于第一掩模30。层积体60向第一掩模30的接合可以与上述接合工序同样地实施。然后，将层积体60的基材51从金属层42分离。由此，制作出一个蒸镀掩模20。反复进行两次以上的上述过程，制作出复数个蒸镀掩模20。
接着，使各蒸镀掩模20张紧并分别对位并安装在例如图21所示的具有格子状的平面形状的框架12的各开口部，制造出图22所示的蒸镀掩模装置10。
根据本变形例，使一个层积体60(第二掩模40)的尺寸为与第一掩模30的一个开口部35对应的尺寸，因此能够减少层积体60中的由于贯通孔45的形状不良等所废弃的部分，能够整体上提高成品率。
图23和图24是用于说明蒸镀掩模装置10的制造方法的又一个变形例的图。在图23和图24中，以各部件的俯视图示出本变形例的蒸镀掩模装置10的制造方法的各工序。
在本变形例中，首先制作出复数个蒸镀掩模20。如图23所示，各蒸镀掩模20具备第一掩模30并且具有整体上沿一个方向延伸的棒状的平面形状，其中，该第一掩模30具有沿着一个方向(第二方向D2)排列的复数个开口部35。
接着，使各蒸镀掩模20张紧并分别安装在与例如图3所示的例子中的框架12同样的框状的框架12上，制造出图24所示的蒸镀掩模装置10。蒸镀掩模20向框架12的安装可以与上述安装工序同样地进行。但是，在本变形例中，在张紧工序中，利用复数个夹具仅对具有棒状的平面形状的蒸镀掩模20的长度方向的各端部分别进行保持，能够沿着长度方向(第二方向D2)张紧。
根据本变形例，在张紧工序中，沿着蒸镀掩模20的长度方向张紧，由此能够进行各贯通孔45的位置的校正，因此能够实现张紧工序的简易化。
作为又一个变形例，在参照图15～图24进行了说明的上述各变形例中，在各蒸镀掩模20的第二掩模40的外缘部也可以参照图6和图7设置与上述的切口46和接合片48同样的切口和接合片。
图25是示出蒸镀掩模20的第二掩模40的一个变形例的局部俯视图。在图示的例子中，沿着第二掩模40的长边(沿着第一方向D1)排列的复数个切口46的沿着该长边的宽度W11大于参照图6进行了说明的实施方式中的切口46的第一宽度W1。
沿着第二掩模40的长边(沿着第一方向D1)排列的复数个切口46和接合片48分别具有宽度W11和宽度W12。另外，沿着第二掩模40的短边(沿着第二方向D2)排列的复数个切口46和接合片48分别具有宽度W21和宽度W22。特别是在图示的例子中，宽度W11大于宽度W21。需要说明的是，宽度W12和宽度W22也可以彼此相同。
第二掩模40具有使用镀覆法而析出的金属层42的情况下，在该金属层42内产生残留应力(内部应力)，由此在金属层42的面内会产生拉伸力。该拉伸力的大小根据金属层的厚度而变化。通过焊接使第二掩模40的接合片48接合于第一掩模30的情况下，为了确保适当的接合性，第二掩模40的接合片48的厚度设定得比有孔区域44的厚度大。因此，在接合片48会产生比有孔区域44大的面内拉伸力。
在本变形例中，沿着第二掩模40的长边排列的复数个切口46的沿着该长边的宽度W11大于参照图6进行了说明的实施方式中的切口46的第一宽度W1，因此能够降低接合片48的面内拉伸力，能够有效地抑制由于该面内拉伸力所导致的有孔区域44内的贯通孔45的位置精度的降低。
图26是示出第二掩模40的另一个变形例的局部俯视图。在图示的例子中，沿着第二掩模40的长边(沿着第一方向D1)排列的复数个切口46的沿着该长边的宽度W11大于参照图6进行了说明的实施方式中的切口46的第一宽度W1，且沿着第二掩模40的短边(沿着第二方向D2)排列的复数个切口46的沿着该短边的宽度W21大于参照图6进行了说明的实施方式中的切口46的第一宽度W1。需要说明的是，宽度W11和宽度W21也可以彼此相同，宽度W12和宽度W22也可以彼此相同。
根据这样的变形例，与参照图25进行了说明的变形例同样地，能够有效地抑制有孔区域44内的贯通孔45的位置精度的降低。
图27是示出第二掩模40的又一个变形例的局部俯视图。在本变形例中，沿着第二掩模40的长边(沿着第一方向D1)排列的复数个切口46中的一部分的切口46的宽度W112大于其它切口46的宽度W111。特别是在图示的例子中，三个中的一个切口46的宽度W112大于其它切口46的宽度W111。
另外，在图示的例子中，沿着第二掩模40的短边(沿着第二方向D2)排列的复数个切口46中的一部分的切口46的宽度W212大于其它切口46的宽度W211。特别是在图示的例子中，三个中的一个切口46的宽度W212大于其它切口46的宽度W211。
由此，在图27所示的例子中，第二掩模40具有沿着其外缘排列的复数个接合片组G。一个接合片组G包含复数个接合片48。特别是在图示的例子中，一个接合片组G包含三个接合片48。
根据这样的变形例，也与参照图25进行了说明的变形例和参照图26进行了说明的变形例同样地，能够有效地抑制有孔区域44内的贯通孔45的位置精度的降低。
图28和图29是示出第二掩模40的又一个变形例的局部俯视图。在图示的例子中，接合片48的前端部48a的宽度大于基端部48b的宽度。特别是在图28所示的例子中，前端部48a在俯视时具有近似圆形形状的轮廓。另外，在图29所示的例子中，前端部48a在俯视时具有近似矩形形状的轮廓。需要说明的是，前端部48a的形状不限于近似圆形形状或近似矩形形状，可以为任意的形状。
在图28和图29所示的变形例中，在前端部48a上能够通过焊接对第一掩模30进行接合。因此，通过具有相对较大的宽度的前端部48a，能够确保对于第一掩模30的适当的接合性，并且通过具有相对较小的宽度的基端部48b，能够降低由接合片48作用至有孔区域44的面内拉伸力，能够有效地抑制由于该面内拉伸力所导致的有孔区域44内的贯通孔45的位置精度的降低。
图30是示出第二掩模40的又一个变形例的局部俯视图。在图示的例子中，接合片48的宽度随着从该接合片48的前端侧(端部49侧)朝向基端侧(有孔区域44侧)而变大。由此，接合片48在俯视时具有近似梯形形状的轮廓。特别是在图示的例子中，接合片48在俯视时具有近似等腰梯形形状的轮廓。
在图30所示的变形例中，接合片48的基端侧的宽度变大，因此能够使由接合片48作用至有孔区域44的面内拉伸力分散。因此，能够使接合片48的面内拉伸力均等地作用于有孔区域44的各部分，由此能够有效地抑制由于接合片48的面内拉伸力所导致的有孔区域44内的贯通孔45的位置精度的降低。
图31是示出第二掩模40的又一个变形例的俯视图。在图31所示的例子中，与参照图30进行了说明的变形例同样地，接合片48的宽度随着从该接合片48的前端侧朝向基端侧而变大。由此，能够有效地抑制由于接合片48的面内拉伸力所导致的有孔区域44内的贯通孔45的位置精度的降低。
在图31所示的例子中，沿着第二掩模40的长边排列的复数个接合片48夹着该长边的中心，具有互不相同的形状。另外，沿着第二掩模40的短边排列的复数个接合片48夹着该短边的中心，具有互不相同的形状。接合片48在俯视时具有近似梯形形状的轮廓，具有：端部49和基端部，它们构成该梯形形状的上底和下底；和两个侧边481、482，它们构成近似梯形形状的腿。两个侧边481、482包含：第一侧边481，其与最接近该接合片48的第二掩模40的角部对面；和第二侧边482，其朝向与该角部相反的侧。
接合片48的第二侧边482与通过该接合片48的端部49的外缘43所成的角度大于该接合片48的第一侧边481与通过该接合片48的端部49的外缘43所成的角度。此处，侧边481、482与外缘43所成的角度在超过0度且为90度以下的范围内进行定义。特别是在图示的例子中，第一侧边481与外缘43所成的角度为90度，第二侧边482与外缘43所成的角度小于90度。
根据本申请发明人的研究，使用镀覆法而析出的金属层42中的面内拉伸力沿着将第二掩模40的中心与各角部连接起来的方向(对角线方向)较大地作用。根据本变形例，接合片48能够使从其基端部朝向前端部延伸的朝向与金属层42中的面内拉伸力较大地作用的朝向所成的角度减小。因此，能够抑制在作用于有孔区域44内的面内拉伸力产生偏差。

Claims (6)

1.一种蒸镀掩模，其具备：
第一掩模，其由含30质量％以上54质量％以下的镍的铁合金形成并且形成有开口部；和
第二掩模，其与所述第一掩模重叠，形成有复数个具有比所述开口部的面方向尺寸小的面方向尺寸的贯通孔，
该蒸镀掩模具有使所述第二掩模和所述第一掩模相互接合的复数个接合部，
所述复数个接合部沿着所述第二掩模的外缘排列，
在所述第二掩模的所述外缘处，在与相邻的两个所述接合部之间对应的位置，形成有切口。
2.一种蒸镀掩模装置，其具备权利要求1所述的蒸镀掩模和安装于所述蒸镀掩模的框架。
3.一种蒸镀掩模的制造方法，所述蒸镀掩模具备：
第一掩模，其形成有开口部；和
第二掩模，其与所述第一掩模重叠，形成有复数个具有比所述开口部小的尺寸的贯通孔，
该蒸镀掩模的制造方法具有：
接合工序，利用复数个接合部使具有基材、导电性图案和金属层的层积体的所述金属层接合于所述第一掩模，所述导电性图案设置在所述基材上，所述金属层设置在所述导电性图案的与所述基材相反一侧；和
分离工序，将所述导电性图案蚀刻去除，使所述基材与所述金属层分离，由所述金属层形成所述第二掩模。
4.如权利要求3所述的蒸镀掩模的制造方法，其中，
所述复数个接合部沿着所述金属层的外缘排列，
在所述金属层的所述外缘处，在与所述复数个接合部的排列方向上相邻的两个所述接合部之间对应的位置，形成有切口。
5.一种蒸镀掩模装置的制造方法，所述蒸镀掩模装置具备蒸镀掩模和安装于所述蒸镀掩模的框架，该蒸镀掩模装置的制造方法具有：
准备工序，准备权利要求1所述的蒸镀掩模、或者利用权利要求3所述的蒸镀掩模的制造方法制造出的蒸镀掩模；和
安装工序，将所述蒸镀掩模安装在框架上。
6.如权利要求5所述的蒸镀掩模装置的制造方法，其中，
在所述安装工序之前进一步具有使所述蒸镀掩模在其面方向张紧的张紧工序。
CN201810729647.6A 2017-07-05 2018-07-05 蒸镀掩模、蒸镀掩模装置、蒸镀掩模的制造方法和蒸镀掩模装置的制造方法 Active CN109207919B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-132162 2017-07-05
JP2017132162 2017-07-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109207919A CN109207919A (zh) 2019-01-15
CN109207919B true CN109207919B (zh) 2020-12-08

Family

ID=64949937

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201821059026.3U Active CN208485938U (zh) 2017-07-05 2018-07-05 蒸镀掩模和蒸镀掩模装置
CN201810729647.6A Active CN109207919B (zh) 2017-07-05 2018-07-05 蒸镀掩模、蒸镀掩模装置、蒸镀掩模的制造方法和蒸镀掩模装置的制造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201821059026.3U Active CN208485938U (zh) 2017-07-05 2018-07-05 蒸镀掩模和蒸镀掩模装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11380546B2 (zh)
EP (1) EP3650575A4 (zh)
JP (1) JP7008288B2 (zh)
KR (1) KR102418174B1 (zh)
CN (2) CN208485938U (zh)
TW (1) TWI684653B (zh)
WO (1) WO2019009050A1 (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3650575A4 (en) 2017-07-05 2021-04-21 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Vapor deposition mask, vapor deposition mask device, vapor deposition mask manufacturing method, and vapor deposition mask device manufacturing method
WO2020009088A1 (ja) * 2018-07-03 2020-01-09 大日本印刷株式会社 マスク及びその製造方法
JP6838693B2 (ja) * 2019-01-31 2021-03-03 大日本印刷株式会社 蒸着マスク群、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
JP7149196B2 (ja) * 2019-02-01 2022-10-06 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスク
KR20200096877A (ko) * 2019-02-06 2020-08-14 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크 장치, 마스크 지지 기구 및 증착 마스크 장치의 제조 방법
CN109913805B (zh) * 2019-03-27 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜版
JP7449485B2 (ja) * 2019-03-28 2024-03-14 大日本印刷株式会社 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
JP7473298B2 (ja) * 2019-03-29 2024-04-23 マクセル株式会社 蒸着マスク
CN111394692B (zh) * 2020-05-09 2022-05-13 京东方科技集团股份有限公司 掩膜版
KR20220056914A (ko) * 2020-10-28 2022-05-09 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 및 이를 포함하는 증착 장치
KR20220113588A (ko) * 2021-02-05 2022-08-16 삼성디스플레이 주식회사 마스크 및 이의 제조 방법
CN113005401A (zh) * 2021-02-26 2021-06-22 昆山国显光电有限公司 张网方法及张网装置
WO2023145950A1 (ja) * 2022-01-31 2023-08-03 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、有機デバイスの製造方法及びフレーム付き蒸着マスクの製造方法
CN115948710A (zh) * 2022-10-20 2023-04-11 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸镀掩膜版及其制作方法、蒸镀设备

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1480011A (zh) * 2001-08-24 2004-03-03 ���ձ�ӡˢ��ʽ���� 真空蒸镀用多面成形掩模装置
JP2006124761A (ja) * 2004-10-28 2006-05-18 Canon Inc 蒸着装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0885869A (ja) * 1994-09-19 1996-04-02 Murata Mfg Co Ltd 電子部品の電極形成方法およびその方法に用いられるジグ
JP4562488B2 (ja) 2004-10-15 2010-10-13 大日本印刷株式会社 メタルマスク位置アラインメント方法及び装置
JP4606114B2 (ja) 2004-10-15 2011-01-05 大日本印刷株式会社 メタルマスク位置アラインメント方法及び装置
JP2005268822A (ja) 2005-05-27 2005-09-29 Rohm Co Ltd 半導体の電極形成方法及び蒸着用マスク
KR101202346B1 (ko) * 2009-04-16 2012-11-16 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착용 마스크 프레임 조립체, 그 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR20120105292A (ko) * 2011-03-15 2012-09-25 삼성디스플레이 주식회사 증착 마스크 및 증착 마스크 제조 방법
CN103781935B (zh) * 2011-08-25 2017-07-11 应用材料公司 用以沉积层于基板上的遮罩结构、设备及方法
US20160043319A1 (en) * 2013-04-22 2016-02-11 Applied Materials, Inc. Actively-aligned fine metal mask
KR102218656B1 (ko) * 2013-05-08 2021-02-23 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체 및 이의 제조 방법
JP5780350B2 (ja) * 2013-11-14 2015-09-16 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、及び有機半導体素子の製造方法
JP6288497B2 (ja) 2013-12-13 2018-03-07 株式会社ブイ・テクノロジー マスク及びその製造方法
WO2016129534A1 (ja) 2015-02-10 2016-08-18 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法および蒸着マスク
KR102444178B1 (ko) * 2015-04-27 2022-09-19 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체, 마스크 조립체 제조방법 및 표시 장치 제조방법
JP6443457B2 (ja) * 2015-09-30 2018-12-26 大日本印刷株式会社 蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法
CN106086781B (zh) 2016-06-15 2018-09-11 京东方科技集团股份有限公司 掩膜组件及其制造方法、显示装置
JP7121918B2 (ja) * 2016-12-14 2022-08-19 大日本印刷株式会社 蒸着マスク装置及び蒸着マスク装置の製造方法
EP3650575A4 (en) * 2017-07-05 2021-04-21 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Vapor deposition mask, vapor deposition mask device, vapor deposition mask manufacturing method, and vapor deposition mask device manufacturing method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1480011A (zh) * 2001-08-24 2004-03-03 ���ձ�ӡˢ��ʽ���� 真空蒸镀用多面成形掩模装置
JP2006124761A (ja) * 2004-10-28 2006-05-18 Canon Inc 蒸着装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11380546B2 (en) 2022-07-05
EP3650575A1 (en) 2020-05-13
JP7008288B2 (ja) 2022-01-25
CN109207919A (zh) 2019-01-15
KR20200026280A (ko) 2020-03-10
TWI684653B (zh) 2020-02-11
EP3650575A4 (en) 2021-04-21
US20200152463A1 (en) 2020-05-14
WO2019009050A1 (ja) 2019-01-10
CN208485938U (zh) 2019-02-12
TW201907029A (zh) 2019-02-16
KR102418174B1 (ko) 2022-07-08
JPWO2019009050A1 (ja) 2020-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109207919B (zh) 蒸镀掩模、蒸镀掩模装置、蒸镀掩模的制造方法和蒸镀掩模装置的制造方法
CN108220885B (zh) 蒸镀掩模装置和蒸镀掩模装置的制造方法
US11211558B2 (en) Deposition mask device and method of manufacturing deposition mask device
JP6510126B2 (ja) 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク、および有機半導体素子の製造方法
TWI614354B (zh) 成膜遮罩
CN110234783B (zh) 蒸镀掩模、蒸镀掩模及有机半导体元件的制造方法
CN213232465U (zh) 蒸镀掩模、蒸镀掩模装置以及中间体
JP7222376B2 (ja) 蒸着マスクの製造方法
CN110819938B (zh) 蒸镀掩模、蒸镀掩模装置及其制造方法、蒸镀方法
JP2021147705A (ja) 蒸着マスク装置の製造方法および有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP6701543B2 (ja) 蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法
JP6709534B2 (ja) 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
CN111485194A (zh) 蒸镀掩模、蒸镀掩模装置及其制造方法、中间体、蒸镀方法及有机el显示装置的制造方法
TW201945571A (zh) 框架一體型掩模的製造裝置
TW202419649A (zh) 蒸鍍罩及其製造方法、蒸鍍罩裝置及其製造方法、中間體、蒸鍍方法、以及有機el顯示裝置之製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant