CN109119361A - 液处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种在向晶片供给抗蚀剂液并且使晶片旋转进行处理时，将晶片的气氛排气，将从晶片甩落的处理液排液的液处理装置中，除去附着在液处理装置内的固体成分的技术。在向旋转的晶片(W)供给抗蚀剂液进行处理的抗蚀剂涂敷装置中，在罩体(2)的内部的底面(26)设置有具有凹凸图案的液扩散部(5)，该罩体(2)用于使因晶片(W)的旋转而飞散的抗蚀剂液在底面(26)流动来进行排液。因此，在向液扩散部(5)供给了溶解处理液的固体成分的溶剂时，使溶剂的流域的面积扩大并且延长使溶剂滞留的滞留时间。因此，附着在罩体(2)内的抗蚀剂液的固体成分容易与溶剂接触，因此容易被溶解除去。

Description

液处理装置
技术领域
本发明涉及在向基片供给处理液并且使基片旋转来进行处理时，除去从处理液析出的固体成分的技术。
背景技术
在作为半导体制造工序之一的光致抗蚀工序中，进行在半导体晶片(以下称为“晶片”)的表面涂敷抗蚀剂等的各涂敷液的涂敷处理。例如抗蚀剂涂敷装置以包围保持晶片的旋转卡盘的周围的方式包括罩体，对旋转卡盘上的晶片滴下抗蚀剂液等的涂敷液，使晶片旋转，使涂敷膜形成在其整个面。此时，从晶片甩落的涂敷液被罩体接住，从设置在罩体的下方的排液口排液。另外，存在从晶片甩落的抗蚀剂液成为细小的颗粒(雾)，雾附着在晶片而成为污染的问题，因此，使排气管与罩体连接，进行晶片的周围的气氛的排气，抑制雾所导致的污染。但是，飞散到罩体内的涂敷液的固体成分因排气的气流而飞散，附着在罩体内。产生这样的附着物附着在罩体内时，存在排气压发生变动或者妨碍排液等的问题。
近年来，伴随半导体电路的高集成化，研究具有更复杂的三维结构的器件。在制造这样的器件时，从提高耐蚀性的观点出发，要求使抗蚀剂膜为较厚的膜，作为抗蚀剂液需要使用例如200cP以上的高粘度的抗蚀剂液。这样的高粘度的材料，涂敷液中的固体成分的含量较多而容易析出固体成分，需要高频率的维护。专利文献1中记载有将溶剂与气流一起成辐射状供给到罩体内，除去罩体内的固着物的技术。在向罩体内供给了溶剂时产生了溶剂难以被供给的部位，因此，存在无法充分除去固着物的问题。
并且，由于也进行罩体内的气氛的排气，因此，附着物被排气卷起而进入排气通路并附着在排气通路。因此，在排气通路内也需要进行固着物的除去。例如专利文献2公开了在排气通路内设置溶剂供给喷嘴，将流入排气通路、附着在排气通路内的固着物除去的技术，但是，正在寻求更加高效率地除去固着物的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2004-50054号公报
专利文献2：日本特开2004-305966号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
本发明是基于这样的情况而完成的，其目的在于，提供一种在向晶片供给处理液并且使晶片旋转进行处理时，将晶片的气氛排气，将从晶片甩落的处理液排液的液处理装置中，除去附着在液处理装置内的固体成分的技术。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的液处理装置，其特征在于，包括：
水平地保持基片并使其绕铅垂轴旋转的基片保持部；
向被保持于所述基片保持部的基片供给处理液的处理液供给部；
用于将因基片的旋转而飞散的处理液排液的罩体，该罩体以包围所述基片保持部上的基片的方式设置；
供给溶解从所述处理液产生的固体成分的溶剂的溶剂供给部；
在所述罩体内开有排气口的、用于经由所述罩体内将保持于所述基片保持部的基片的周围的气氛排气的排气通路部件；和
具有凹凸图案的液扩散部，其为了利用毛细管现象将从所述溶剂供给部供给的溶剂在用于对所述罩体的内部和排气通路部件的内部的所述基片的周围气氛排气的排气路径的内表面扩散，而在该排气路径的内表面形成有所述凹凸图案。
发明的效果
本发明在具有用于将因基片的旋转而飞散的处理液排液的罩体的、向旋转的基片供给处理液进行处理的液处理装置中，沿着用于将上述罩体的内部和排气通路部件的内部的上述基片的周围气氛排气的排气路径的内表面设置有具有凹凸图案的液扩散部。因此，在向液扩散部供给将从处理液产生的固体成分溶解的溶剂时，因毛细管现象而溶剂的流域容易变大，因此，容易将从处理液产生的固体成分溶解除去。
附图说明
图1是表示抗蚀剂涂敷装置的纵截面图。
图2是表示液接收部的分解立体图。
图3是排气管道的纵截面图。
图4是表示排气管道和排液通路的俯视图。
图5是分支管的横截俯视图。
图6是表示抗蚀剂涂敷装置的作用的说明图。
图7是表示抗蚀剂涂敷装置的作用的说明图。
图8是表示抗蚀剂涂敷装置的作用的说明图。
图9是说明网状体中的溶剂的流路的扩大的说明图。
图10是说明排气管道中的附着物的除去的说明图。
图11是表示液处理装置的另一例的纵截面图。
图12是表示试验例3、试验例4中的排气压的变动的特性图。
附图标记说明
2 罩体
4 抗蚀剂液喷嘴
5 液扩散部
6 排气管道
8 第2溶剂喷嘴
9 辅助喷嘴
11 旋转卡盘
20 液接收部
26 底面
27 排液口
28 排气管
29 开口部
43 溶剂喷嘴
51 网状体
61 分支管
67 第1倾斜部
68 第2倾斜部
W 晶片。
具体实施方式
说明将本发明的实施方式的液处理装置应用于对晶片W通过旋涂来涂敷作为涂敷液的抗蚀剂液的抗蚀剂涂敷装置的实施方式。如图1所示，本实施方式的抗蚀剂涂敷装置具有作为基片保持部的旋转卡盘11，其通过对晶片W的背面中央部进行真空吸附来水平地保持该晶片W。该旋转卡盘11从下方经轴部12与旋转机构13连接，通过该旋转机构13绕铅垂轴旋转。
在旋转卡盘11的下方侧以隔着间隙包围轴部12的方式设置有圆形板14。另外，在圆形板14在周向上形成有三处的贯通孔17，在各贯通孔17分别设置有升降销15。在上述升降销15的下方设置有共同的升降板18，升降销15通过设置在升降板18的下方的升降机构16能够自由升降。
另外，抗蚀剂涂敷装置具有用于向晶片W供给抗蚀剂液的抗蚀剂液喷嘴4。抗蚀剂液喷嘴4经由抗蚀剂液供给管41与抗蚀剂液供给源42连接。另外，抗蚀剂涂敷装置包括溶剂喷嘴43，其向晶片W供给用于将抗蚀剂液稀释的溶剂、例如环己酮(CHN)。溶剂喷嘴43经由溶剂供给管44与溶剂供给源45连接。
另外，以包围旋转卡盘11的方式设置有罩体2。罩体2构成为接收从旋转的晶片W飞散或洒落的排液，并将该排液向抗蚀剂涂敷装置外排出。罩体2包括山型引导部21，其在上述圆形板14的周围设置成截面形状为山型的环状，以从山型引导部21的外周端向下方延伸的方式设置有环状的整流板23。另外，在山型引导部21的下表面中的比整流板23靠内侧的区域设置有成为罩体2的内周壁的环状的垂直壁19。山型引导部21将从晶片W洒落的液向晶片W的外侧下方引导。
另外，以包围山型引导部21的外侧的方式具有上侧罩体3。上侧罩体3包括垂直的筒状部22，在该筒状部22的内表面设置有向内侧上方倾斜地延伸的上侧引导部24。在上侧引导部24在周向上设置有多个开口部25。另外，以从筒状部22的上缘向内侧上方伸出的方式设置有倾斜壁30。另外，罩体2在山型引导部21和整流板23的下方具有接住顺着山型引导部21和整流板23流动的抗蚀剂液和溶剂的液接收部20。
参照图2、图3说明液接收部20的构成。液接收部20例如由不锈钢(SUS)形成为由环状的内壁32和环状的外壁31包围的、截面为凹部型的环状。在液接收部20的底面26中的比整流板23靠外周侧，开口有排液口27，排液口27与排液管33的一端连接。另外，液接收部20中的比整流板23靠内周侧，以夹着液接收部20的中心部的方式配置的2个排气管28设置成贯通液接收部20的底面26，排气管28的开口部29位于比液接收部20的底面26高的位置。如图1所示，液接收部21配置成环状的内壁32***山型引导部21的垂直壁19的内侧并且环状的外壁31包围上侧罩体3的筒状部22的周围。
另外，如图3所示，液接收部20的底面26从中心侧向周缘侧倾斜，并且在通过排液口27和液接收部20的中心的径方向观看时，形成为以排液口27侧变低的方式相对于水平面以倾斜角度θ1倾斜的倾斜面。所以，流到液接收部20的底面的处理液从液接收部20的中心侧向周缘侧流动，并且向排液口27流动。另外，如图1、图2所示，在液接收部20的底面26设置有在液接收部20的底面26中用于扩大溶剂被排出至排液口27的溶剂的流路的液扩散部5。另外，在液扩散部5，溶剂如后文所述通过毛细管现象而扩散，所以，溶剂发挥由于表面张力而被保持在液扩散部5的力，因此，当着眼于在设置液扩散部5前溶剂流动的部位时，溶剂的流速变慢。所以，液扩散部5可以说具有延长溶剂的滞留时间的作用。
如图2所示，液扩散部5例如是遍及液接收部20的底面26的整个面设置的面状体，通过对于液接收部20的底面26粘贴的方式而设置，能够自由拆卸。所以，在液扩散部5对应于液接收部20的底面26的倾斜而形成倾斜，但是，在图2中，为了避免记载变得繁琐而将液接收部20的底面用平面记载，并且，将液扩散部5表示为平板状。另外，在图3中，为了避免记载变得繁琐，省略液接收部20内的液扩散部5的记载。
液扩散部5构成为厚度为1mm，包括例如沿底面26的周缘设置的框部50和设置在框部50的内侧的网状体51。网状体51例如利用线径为0.22mm的线形成为孔口的大小为0.5mm(本说明书中，内侧为网状体51的液扩散部5也是面状体)。液扩散部5构成为与液接收部20的底面26几乎相同大小的概略圆环状，在与2个排气管28对应的位置形成有孔部52，并且，在与排液口27对应的位置形成有切口53。所以，在底面26设置液扩散部5时，各孔部52分别被***对应的排气管28，并且，从切口53面对排液口27。
如图3所示，在液接收部20的下方设置有排气管道6和排液壳体7。排气管道6配置成在水平方向延伸，如图4所示一端侧分支成为分支管61，另一端侧例如成为与工厂排气连接的集合管道62。分支管61的各端部的上表面侧形成有开口部63，在各开口部63如图3所示分别与排气管28的下端部连接。另外，集合管道62包括排气风门64，通过排气风门64的开度的调整，来调整排气管道6内的压力，能够调整罩体2内的排气压。排气管道6和已述的排气管28对应于排气通路部件。
通过工厂排气来进行排气，经由集合管道62、分支管61和排气管28的内部将罩体2的内部的气氛排气。另外，在罩体2的内部，保持在旋转卡盘11的晶片W的周围的气氛流入到上侧引导部24与整流板23之间的沿着罩体2的周向的排气通路，沿液接收部20的底面26流动，从排气管28的开口部29被排气。所以，流入到上侧罩体3与整流板23之间的罩体2的沿着周向形成的排气通路，沿液接收部20的底面流动，流入排气管28的开口部29的路径对应于罩体2的内部的排气路径。另外，集合管道62、分支管61和排气管28的内部对应于排气通路部件的内部中的排气路径。
如图3、图5所示，分支管61的前端的内表面设置有向分支管61的延伸方向排出例如CNH的第2溶剂喷嘴8。第2溶剂喷嘴8与溶剂供给通路81的一端连接，溶剂供给通路81的另一端与储存CHN的溶剂供给源82连接。
分支管61的内部的底面构成为，从分支管61的前端向基端降低的第1倾斜部67、和相对于水平面的角度设定为比第1倾斜部67的倾斜角度θ2平缓的倾斜角度θ3的第2倾斜部68相连，从第2溶剂喷嘴8排出的溶剂向分支管61的基端侧流动。
另外，如图4、图5所示，在排气管道6中的分支管61分支的位置的底面形成有排出到分支管61内的溶剂流入的溶剂积存部600。在溶剂积存部600的底部开口有排液口601，排液口601与排液管602连接。在排液管602设置有排液泵603，流入溶剂积存部600的排液经排液管602排出。
另外，如图3、图5所示，在分支管61中的第1倾斜部67和第2倾斜部68粘贴有液扩散部52。液扩散部52与液扩散部5同样，是配合第1倾斜部67和第2倾斜部68的倾斜面的形状而构成的面状体，由框部50a和设置在框部50a的内侧的网状体51a构成。网状体51a构成为与设置在液扩散部5的网状体51相同的线径和孔口。另外，如图4所示，排液壳体7在上表面包括与排液管33连接的孔部70，能够排出经排液管33流入的排液。
另外，如图1所示，抗蚀剂涂敷装置包括控制部10。控制部10安装有例如保存在软盘、光盘、硬盘、MO(光磁盘)和存储卡等的存储介质的程序。所安装的程序被编入有命令(各步骤)使控制部10向抗蚀剂涂敷装置的各部发送控制信号来控制其动作。
说明上述的抗蚀剂涂敷装置的作用。首先，将作为被处理基片的晶片W载置在旋转卡盘11。接着，进行：使晶片W旋转，开始罩体2内的排气，对旋转的晶片W供给溶剂的预湿处理；和调整晶片W的转速并且向晶片W的中心部供给抗蚀剂液的抗蚀剂涂敷处理。此时，如果供给到晶片W的抗蚀剂液被从晶片W甩落时，被罩体2接住，沿筒状部22的内表面向下方流动。到达液接收部20的底面26的抗蚀剂液沿底面26倾斜地从底面26的中心侧向周缘流动，并且，沿周缘流动，流入排液口27。此时抗蚀剂液所包含的固体成分承载于排气而在罩体2内扩散并附着和析出。因此，例如在达到规定的晶片W的处理个数、或者处理批数时，进行附着在罩体2内的抗蚀剂液的固体成分的清洗处理。
说明抗蚀剂液的固体成分的清洗处理。例如在作为产品的晶片W的处理个数达到规定的个数时，使用晶片W进行清洗处理。作为该晶片W，例如从在配置液处理装置的液处理***内设置的保持架，通过搬送臂将清洗专用晶片取出，搬送到该液处理装置。或者，替代使用清洗专用的晶片W而使用例如在液处理达到规定个数时的晶片W的后续的批次中的先头的晶片W(作为产品的晶片W)进行清洗。具体来讲，在旋转卡盘11载置有处理前的晶片W的状态下使溶剂喷嘴43向晶片W的中心部上方移动。接着，使晶片W旋转，开始罩体2内的排气，并且，从溶剂喷嘴43向晶片W供给溶剂100。此时，如图6所示，溶剂100在晶片W的表面扩展，被甩落。此外，在图6中，省略山型引导部21，并且，将上侧罩体3简化记载。
从晶片W甩落的溶剂被罩体2挡住，沿筒状部22向下方流动。而且，如图7所示，到达液接收部20的底面26的溶剂沿液接收部20的底面26流动。此时在罩体2内进行排气，因此，在液接收部20的内部，如虚线所示，以绕过整流板23的下方的方式形成有流动的气流。因此，溶剂100沿液接收部20的底面的周缘流动，并且，一边借助气流流动，一边流入排液口27
此时在液接收部20的底面26流动的溶剂100沿倾斜面向较低的方向流动，但是，如图9所示，流入网状体51的网眼而因表面张力在网状体51的网眼的内部扩展地流动。并且，溶剂100发挥因表面张力而吸附在网状体51的线的力。因此，溶剂100从更高的位置向该网状体51的网眼流入，溶剂100从该网状体51的网眼溢出时，溶剂100沿网状体51的线的延伸方向流动。因此，不仅向倾斜的较低方向流动，而且流入与该网状体51的网眼相邻的网状体51的网眼。并且，当流入相邻的网状体51的网眼时，溶剂100因表面张力而在所流入的网状体51的网眼扩展。因此，在所流入的网状体51的网眼通过毛细管现象而引入上游侧的溶剂。如上所述，从上游侧流入的溶剂100因表面张力沿网状体51的网眼扩展，因此，如图8所示，溶剂100的流域一边逐渐扩展一边向排液口27流动。
另外，溶剂100沿液接收部20的底面26的倾斜流动，但是，网状体51的表面积越大，作用在溶剂100的表面张力越大，溶剂100被作用保持于网状体51的网眼的内部的力。因此，与不设置液扩散部5的情况相比，溶剂100从到达液接收部20的底面至流入排液口27为止的时间变长。或者，溶剂100成为在网状体51的网眼的内部停留的状态。
如上所述，溶剂100在液接收部20的底面26较广地扩展，并且，滞留在液接收部20的底面26的时间变长。因此，在液接收部20的底面26的较广的范围中，抗蚀剂液的固体成分的附着物暴露于溶剂100，并且，暴露于溶剂的时间变长。所以，附着在液接收部20的底面26的抗蚀剂液的固体成分的附着物被有效地溶解而除去。
另外，如在背景技术中所述抗蚀剂液在罩体2内流动时，抗蚀剂液中的固体成分因罩体2内的排气流而飞散，进入排气管28内，抗蚀剂液的固体成分附着在排气管道6内。另外，从晶片W甩落的抗蚀剂液与罩体2碰撞而产生的雾被排气并且进入排气管28，附着在排气管道6内而形成固体。因此，到达规定的晶片W的处理个数或者处理批数时，进行排气管道6内的维护，进行附着在排气管道6的固体成分的除去。
例如当结束规定的个数的晶片W的处理时，如图10所示，将排液泵603启动，并且从第2溶剂喷嘴8排出溶剂。从第2溶剂喷嘴8排出的溶剂沿排气管道6流动。在排气管道6的上游侧的分支管61的底面设置有液扩散部52，因此，溶剂一边扩大流路宽度一边流动，并且，因表面张力而被保持在液扩散部52的网状体51a。所以，溶剂在分支管61的第1倾斜部67和第2倾斜部68较广地流动，并且滞留在第1倾斜部67和第2倾斜部68的时间变长。所以，溶剂容易供给到附着在分支管61内的固体成分，并且与溶剂接触的时间变长。由此，在排气管道6内也能够更有效地除去固体成分。
根据上述的实施方式，在向旋转的晶片W供给抗蚀剂液来进行处理的抗蚀剂涂敷装置中，在用于使因晶片W的旋转而飞散的抗蚀剂液流到底面来进行排液的罩体2的内部的底面，设置有具有凹凸图案的液扩散部5。因此，在向液扩散部5供给将处理液的固体成分溶解的溶剂时，扩大溶剂的流域的面积并且使溶剂滞留而滞留时间增加。所以，附着在罩体2内的抗蚀剂液的固体成分容易与溶剂接触，因此，容易进行溶解除去。
并且，在排气管道6的内部设置排出溶剂的第2溶剂喷嘴8，并且在排气管道6中的从第2溶剂喷嘴8排出的溶剂流通的区域的底面设置液扩散部52。因此，在从第2溶剂喷嘴52排出溶剂除去排气管道6内的附着物时，能够扩大在排气管道6内流动的溶剂的流路，并且，能够增加溶剂在排气管道6的内表面滞留的时间，因此，附着在排气管道6内的附着物的除去效率提高。
另外，将液扩散部5、52设置在液接收部20的底面26和排气管道6内的倾斜面。使从晶片W甩落的溶剂和涂敷液流动的面为倾斜面，由此排液被可靠地引导到排液口27、601。但是，溶剂容易流动而滞留时间变短，因此，析出的涂敷液的固体成分难以被除去。在上述的实施方式中，在排液流动的倾斜面设置液扩散部5、52使排液可靠地流向排液口27、601，并且能够增长倾斜面中的溶剂的滞留时间，能够高效地除去析出的固体成分。
另外，本发明中，除了向晶片W排出溶剂的溶剂喷嘴43之外，还在罩体2内设置向液扩散部5排出溶剂的溶剂排出喷嘴。上述的实施方式中，液接收部20的底面26从中心侧向周缘侧倾斜。因此，溶剂具有容易在液接收部29的底面26的周缘侧流动的趋势。因此，例如如图11所示设置向液接收部20的底面26的中心侧的区域排出溶剂的辅助喷嘴9。图11中的90是用于向辅助喷嘴9供给溶剂的溶剂供给通路，91是溶剂供给源。从而，例如能够向旋转的晶片W供给溶剂，并且能够从辅助喷嘴9向液接收部20的底面中的中心侧的区域排出溶剂。由此，液接收部20的底面中的中心侧的区域中的溶剂的供给量变多，因此能够更高效地除去附着物。
另外，液扩散部5设置在固体成分附着的部位即可。具体来讲，通过预先驱动液处理装置，掌握罩体2内或者排气管道6内的固体成分附着的部位，设置在该部位即可。此时，例如在将液扩散部5设置在液接收部20的底面26时，当相对于液接收部20的底面26以覆盖面积比80％以上的方式设置时，能够获得效果。
另外，例如将成形为矩形的网状体51以铺满在固体成分附着的部位、例如液接收部20的底面26的方式设置。通过采用这样的构成，能够容易地形成液扩散部5。
另外，液扩散部5可以为在液接收部20的底面或者排气管道6的底面进行了凹凸加工而成的凹凸区域。作为这样的例子，例如能够列举向液接收部20的内侧底面26通过喷砂处理实施了凹凸加工的例子。液接收部20的底面26的表面形成为凹凸的面，由此，底面26的表面积变大，作用于在底面26流动的溶剂的表面张力也变大。因此，溶剂的流路容易变宽，并且，能够延长溶剂的滞留时间，因此，能够获得同样的效果。
或者，可以在液接收部20的底面26形成以液接收部20的中心部为中心的同心圆状地配置的多个槽部(线状的凹凸)。通过在液接收部20的底面26形成槽部，溶剂进入槽部内，由此利用毛细管现象能够扩大流路，并且由于槽部而使溶剂滞留在液接收部20的底面26的时间变长，因此，能够获得同样的效果。
在上述的实施方式中，使液扩散部5、52相对于液接收部20的底面26自由拆装。因此，能够简单地更换液扩散部5、52，因此，具有装置的维护变得简单的效果。
另外，液扩散部5、52利用溶剂的表面张力扩大流路的宽广度，延长溶剂的滞留时间，所以，优选液扩散部5、52的凹部的开口径、或者形成为同心圆状的槽部的宽度为0.8mm以下。另外，例如为了避免较大地阻碍排液的流动，优选凹部的深度为1mm以下。
并且，液扩散部5、52例如可以设置在铅垂面。例如，在上侧罩体3中的筒状部22的内表面设置有液扩散部5的结构中，也能够扩大沿着筒状部22的内表面流动的溶剂的流路，能够获得同样的效果。此外，铅垂面能够为相对于水平面倾斜90°的面，在本说明书中，可以为铅垂面也包含倾斜面。
另外，当处理液的粘度变高时，固体成分容易析出，所以本发明应用于将粘度在50cP以上的处理液供给到基片的液处理装置能够获得显著的效果。另外，溶剂可以为将处理液的固体成分溶解的溶剂、例如稀释剂等。
另外，上述的实施方式中，记载了进行罩体2的清洗工序的方式，但是，例如可以通过增加预湿处理中的、溶剂的供给量进行对晶片W的抗蚀剂膜的涂敷处理的工序，来向液扩散部5供给溶剂。
另外，本发明例如可以适用于显影装置、清洗装置等。或者，可以为在基片涂敷用于粘贴基片的粘结剂的粘结剂涂敷装置等。另外，例如在湿式蚀刻处理、清洗处理等中，例如存在通过酸碱反应等产生的反应生成物附着在排气路径的情况。本发明也能够适用于这样的反应生成物的除去。
并且，例如在进行没有向晶片W供给将处理液的固体成分溶解的溶剂的处理的液处理装置中，通过设置与已述的辅助喷嘴9相同的喷嘴，能够使液扩散部5保持溶剂，因此，能够获得同样的效果。
另外，供给溶剂的溶剂供给部可以为用于清洗基片的背面的背面清洗喷嘴。例如在向晶片W进行了抗蚀剂液的涂敷后，向晶片W的背面周缘供给溶剂进行晶片W的背面周缘的清洗。此时供给到背面周缘的溶剂在罩体2内流动，被供给到液扩散部5，因此，能够获得同样的效果。
另外，网状体可以使用无纺布等的纤维状的部件。在无纺布的表面由构成无纺布的纤维的网眼形成有凹凸，因此，能够保持溶剂并且通过基于溶剂的表面张力的毛细管现象扩大纤维的网眼，能够扩大溶剂的流路。所以，能够获得与使用网状体51的例子相同的效果。
并且，可以在将处理液排液的排液通路、例如图3所示的排液壳体7中的排液的流路的底面设置液扩散部，由此，流入到排液口27的溶剂在排液壳体7内流动时，流路扩大并且滞留时间变长，因此，能够抑制排液壳体7中的处理液的固体成分的附着。
[验证试验]
关于为了验证本发明的实施方式的效果，对设置网状体来进行的液滴的扩展进行了试验。
作为试验例1评价了在矩形的不锈钢板的上表面设置线径为0.22mm、孔口为0.5mm的网状体，向网状体滴下1cc的溶剂(OK73)时的液滴的扩展的大小。另外，评价了向网状体滴下1cc的作为溶剂的环己酮(CHN)时的液滴的扩展的大小。
除了使网状体形成为线径0.04mm、孔口为0.087mm的网状体之外，与试验例1同样地进行了处理的例子为试验例2。
没有设置网状体，在不锈钢板的上表面滴下1cc的溶剂(OK73)的例子和滴下1cc的环己酮(CHN)的例子作为比较例。
试验例1、2和比较例的各自中，分别测定在扩展了的液滴中，不锈钢板的长度方向上的液滴的长度L1和与长度L1垂直的方向上的液滴的长度L2作为液滴的扩展的大小进行了评价。表1表示该结果，表示试验例1、2和比较例各自中的滴下各溶剂时的液滴的扩展的大小的长度L1和长度L2。
[表1]
在比较例中，OK73中的液滴的扩展的大小是，长度L1为40mm、长度L2为35mm。另外，CHN中的液滴的扩展的大小是，长度L1为40mm、长度L2为35mm。
在试验例1中，OK73中的液滴的扩展的大小是，长度L1为50mm、长度L2为70mm。另外，CHN中的液滴的扩展的大小是，长度L1为35mm、长度L2为55mm。
在试验例2中，OK73中的液滴的扩展的大小是，长度L1为85mm、长度L2为55mm。另外，CHN中的液滴的扩展的大小是，长度L1为50mm、长度L2为70mm。
根据该结果可知，在试验例1和试验例2的任一者都比比较例的液滴的扩展的大小大。所以，可以说由于设置网状体，通过利用了表面张力的毛细管现象，能够较大地扩展液滴。
另外，除了没有设置网状体以外，使用图1～图4所示的抗蚀剂涂敷装置对25个晶片W进行了处理的例子作为试验例3。
另外，将实施方式所示的网状体切割为90mm×65mm的大小，在罩体的内部的倾斜面在周向上排列设置6个，除此之外与试验例3同样地进行了处理的例子作为试验例4。
关于试验例3，在晶片W的处理开始前和6个、10个、14个、18个和25个晶片W的处理结束了时，分别测定排气通路的排气压。
另外，关于试验例4在晶片W的处理开始前和6个、10个、14个、18个、22个和25个晶片W的处理结束了时，分别测定排气管道6中的集合管道62内的排气压。图12表示该结果，表示试验例3和试验例4各自中的晶片W的处理个数和排气通路的排气压的特性图。
如图12所示，可知试验例4与试验例3相比，排气压的上升少。另外，关于试验例3和试验例4的各个，观察25个晶片W的处理后的罩体2内的状况时，试验例3在罩体2的整个面较广地发现有固着物，但是，在试验例4中，以网状体的上方为中心能够观察到固着物少的部位。
根据该结果，推测通过在罩体2内设置网状体，溶剂容易滞留在罩体2的底面，能够抑制固着物的附着。因此，流入排气管道6的固体成分变少，排气管道6中的固体成分的附着减少，因此，推测能够抑制排气管道6的排气压的上升。

Claims (9)

1.一种液处理装置，其特征在于，包括：
水平地保持基片并使其绕铅垂轴旋转的基片保持部；
向被保持于所述基片保持部的基片供给处理液的处理液供给部；
用于将因基片的旋转而飞散的处理液排液的罩体，该罩体以包围所述基片保持部上的基片的方式设置；
供给溶解从所述处理液产生的固体成分的溶剂的溶剂供给部；
在所述罩体内开有排气口的、用于经由所述罩体内将保持于所述基片保持部的基片的周围的气氛排气的排气通路部件；和
具有凹凸图案的液扩散部，其为了利用毛细管现象将从所述溶剂供给部供给的溶剂在用于对所述罩体的内部和排气通路部件的内部的所述基片的周围气氛排气的排气路径的内表面扩散，而在该排气路径的内表面形成有所述凹凸图案。
2.如权利要求1所述的液处理装置，其特征在于：
所述液扩散部设置在所述罩体中的排气路径的内表面。
3.如权利要求2所述的液处理装置，其特征在于：
所述溶剂供给部是向保持在所述基片保持部的基片供给溶剂的溶剂喷嘴。
4.如权利要求1～3中任一项所述的液处理装置，其特征在于：
所述液扩散部设置在所述排气通路部件中的排气路径的内表面，所述溶剂供给部是用于对所述排气通路部件的内表面供给溶剂的溶剂喷嘴。
5.如权利要求1～4中任一项所述的液处理装置，其特征在于：
设置所述液扩散部的部位的内表面是倾斜面。
6.如权利要求1～5中任一项所述的液处理装置，其特征在于：
所述凹凸图案是以网状或者多个线状形成有凹凸的图案。
7.如权利要求1～6中任一项所述的液处理装置，其特征在于：
所述液扩散部由在表面形成有凹凸图案的、能够在所述固体成分附着的部位的内表面拆装的面状体构成。
8.如权利要求1～7中任一项所述的液处理装置，其特征在于：
所述面状体是网状体。
9.如权利要求1～8中任一项所述的液处理装置，其特征在于：
所述凹凸图案是由喷砂处理形成的图案。
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SE01 Entry into force of request for substantive examination
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GR01 Patent grant
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