CN109036590A - 一种三明治结构偏滤器模块及其整体成形的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种三明治结构偏滤器模块，所述偏滤器模块从上到下依次包括上层、中间层和底层，所述上层由金属A制得，所述金属A选用的材料为适应于面向等离子体的第一壁材料，所述底层由金属B制得，所述底层设有圆形贯穿孔道，所述金属B选用的材料为具有高热导率的热沉材料，所述中间层由金属A和金属B的合金制得，从底层到上层，金属B的质量百分比由100％连续过渡到0，金属A的质量百分比由0连续过渡到100％。本发明还提供一种三明治结构偏滤器模块整体成形的制造方法。本发明提供的制造方法可以实现三明治结构偏滤器模块的上层、中间层和底层的整体成形，无需后续通过焊接等工艺进行不同层的连接，大大缩短了制造流程和制造成本。

Description

一种三明治结构偏滤器模块及其整体成形的制造方法
技术领域
本发明涉及用于核聚变装置中的第一壁材料技术领域，尤其涉及一种三明治结构偏滤器模块及其整体成形的制造方法。
背景技术
核聚变反应产生的聚变能是解决人类能源问题的重要潜在途经，目前主流的可控核聚变方案包括两种：一种是激光约束(惯性约束)核聚变、磁约束核聚变(托卡马克)。其中，利用强磁场约束高温等离子体的托卡马克(Tokamak)是最有希望实现可控热核聚变反应的装置，当前世界上许多著名的核聚变工程，包括国际热核聚变实验反应堆(ITER)和先进超导托卡马克实验装置(EAST)都采用的是磁约束核聚变的方式。
当前实现可控核聚变还主要面临两个难题。首先，发生核聚变的前提条件是将反应原料氘(D)和氚(T)要加热到上亿摄氏度。其次，在如此高的温度下，所有的原子都会发生电离，形成等离子体，如何将这些高温等离子体约束在反应装置内成为制约实现可控核聚变的重大难题。此时，面向等离子体第一壁材料(Plasma Facing Material，PFM)的性能好坏直接决定热核聚变装置能否稳定持续的运行。而其中偏滤器又是第一壁结构中服役环境最为严酷的部件之一，需要耐受超过10MW/m2的高热负荷。第一壁材料结构不仅要承受高的等离子冲击和热流冲击，而且需要快速的热量传导出去。金属钨由于其高的抗等离子体冲刷能力，最有希望用于聚变堆中面向等离子体冲击的靶材。将一面具有高熔点及高温强度的金属钨(W)和另一面具有优良导热性及室温塑性的金属铜(Cu)结合在一起是当前核聚变偏滤器中的主流设计方案。
由于W和Cu有显著的性能差异，其中，两者的热膨胀系数具有很大的差异，直接造成在制备和服役过程中W-Cu界面产生巨大的热应力，进而导致裂纹的产生。为了有效缓和W-Cu界面的热应力，1983年有日本学者首次提出了梯度材料的设计方案，通过两种材料成分配比和结构设计的逐渐变化，降低异质材料界面之间的热应力。在此基础上，又有学者提出骨架渗铜法成形梯度W-Cu复合结构，先使用不同粒度的W粉进行叠层冷压，然后烧结形成W骨架，最后将高温渗铜得到W-Cu梯度材料。该种工艺工艺流程长、成本高，并且无法实现W-Cu材料梯度的连续变化。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种中间层能够实现材料梯度连续变化的三明治结构偏滤器模块，还提供了一种三明治结构偏滤器模块整体成形的制造方法，该制造方法可以实现三明治结构偏滤器模块中的上层、中间层和底层的整体成形，无需后续通过焊接等工艺进行不同层的连接，大大缩短了制造偏滤器模块的制造流程和制造成本。
本发明提供一种三明治结构偏滤器模块，所述偏滤器模块从上到下依次包括上层、中间层和底层，所述上层由金属A制得，所述金属A选用的材料为适应于面向等离子体的第一壁材料，所述底层由金属B制得，所述底层设有圆形贯穿孔道，所述金属B选用的材料为具有高热导率的热沉材料，所述中间层由金属A和金属B的合金制得，从底层到上层，金属B的质量百分比由100％连续过渡到0，金属A的质量百分比由0连续过渡到100％。
进一步地，所述上层的厚度为0.3-5mm,所述中间层的厚度为2-10mm，所述底层的厚度为10-50mm。
进一步地，所述金属A为W、Be、Mo中的任一种，所述金属B为Cu、Al、Cu-Al合金中的任一种。
进一步地，所述金属A为W，所述金属B为Cu，所述中间层为W-Cu合金。
本发明还提供一种上述三明治结构偏滤器模块整体成形的制造方法，包括以下步骤：
S1，利用计算机建立偏滤器模块的三维模型，然后将所述三维模型进行切片处理，获得三维模型的切片数据，将所述切片数据导入到激光选区熔化设备；
S2，将粉末A和粉末B分别放置到改装的激光选区熔化设备的两个送粉缸中，所述粉末A为金属A的粉末，所述粉末B为金属B的粉末，所述改装的激光选区熔化设备包括两个送粉缸和一个微型混粉器；
S3，启动激光选区熔化设备，开放放置粉末B的送粉缸，将粉末B送入成形腔铺一层粉末B，然后采用激光器根据偏滤器模块的底层对应的切片数据成形粉末B，重复送入粉末B、铺设粉末B、成形粉末B的过程，直至形成偏滤器模块的底层；
S4，同时开放放置粉末A的送粉缸和放置粉末B的送粉缸，根据成形中间层不同高度所对应的金属A的质量百分比和金属B的质量百分比，确定每一层粉末A的送粉体积和粉末B的送粉体积，然后将粉末A和粉末B按照体积量送入微型混粉器混合均匀，再将混合均匀的粉末送入成形腔逐层铺到偏滤器模块的底层的上方，采用激光器根据偏滤器模块的中间层的不同高度的切片数据逐层成形混合均匀的粉末，以形成偏滤器模块的中间层；
S5，关闭放置粉末B的送粉缸，将激光选区熔化设备的成形基板下降一个铺粉层高度，将粉末A送入成形腔铺到偏滤器模块的中间层的上方，采用激光器根据偏滤器模块的上层对应的切片数据成形粉末A，重复送入粉末A、铺设粉末A、成形粉末A的过程，直至形成偏滤器模块的上层，即得到成形的偏滤器模块；
S6，从成形基板上取下成形后的偏滤器模块，清除偏滤器模块表面附着的粉末，即得到偏滤器模块成品。
进一步地，步骤S4中，形成偏滤器模块的中间层的具体过程为：
4.1计算成形中间层不同高度所对应的金属A的质量百分比和金属B的质量百分比，金属A的质量百分比和金属B的质量百分比的计算公式为：
φB＝1-φA,
其中，h为中间层某层高度，h1为底层的厚度，h2为中间层的厚度；
4.2利用中间层不同高度的金属A的质量百分比和金属B的质量百分比计算成形中间层每一层所对应的粉末A的送粉体积和粉末B的送粉体积，粉末A的送粉体积和粉末B的送粉体积的计算公式为：
其中，ρA和ρB分别为粉末A和粉末B的松装密度，VA和VB分别为中间层高度为h的粉层对应的粉末A和粉末B的送粉体积，V0为中间层的每层铺粉体积；φA和φB分别为中间层高度为h的粉层对应的金属A和金属B的质量百分比；
4.3将激光选区熔化设备的成形基板下降一个铺粉层高度，根据步骤4.2中计算得到的中间层的最下层所对应的粉末A的送粉体积和粉末B的送粉体积向微型混粉器输送粉末混合，然后将混合均匀的粉末送入成形腔铺到偏滤器模块的底层的上方，采用激光器根据偏滤器模块的中间层的最下层对应的切片数据成形混合均匀的粉末，以形成偏滤器模块的中间层的最下层；
4.4重复步骤4.3，直至形成偏滤器模块的中间层的最上层，以最终得到偏滤器模块的中间层。
进一步地，步骤S3-S5中，激光选区熔化设备的激光器为光纤激光器，最大功率为400W，铺粉层高度不小于20μm，光斑直径为70μm-150μm，使用的保护气为Ar气或He气。
进一步地，所述微型混粉器选择三维混粉器或V形混粉器。
进一步地，步骤S6中，从成形基板上取下成形的偏滤器模块的方法选择线切割、激光切割、等离子切割中的任一种，清除偏滤器模块表面附着的粉末的方法为使用无水乙醇超声波振荡清洗。
进一步地，每一层的铺粉层高度与对应的切片层的厚度相等。
本发明提供的技术方案带来的有益效果是：
(1)本发明通过梯度材料设计和梯度材料成形，使得偏滤器结构从底层到上层有连续的金属成分过渡，最大限度的避免了异质材料界面由于热膨胀系数差异过大而引发热应力集中，可以有效避免材料在较高的热负荷下具有良好的热应力缓和效果，增加零件的服役时间；
(2)本发明通过SLM(selective laser melting，激光选区熔化)的方法整体成形上层、中间层和底层，不仅克服了传统工艺通过焊接、热压等流程实现异质材料连接，从而导致较长的工艺流程和较高的工艺成本的缺点，而且通过异质材料成分的连续梯度变化从宏观上消除了异质材料结合界面，实现更好的结合强度；
(3)本发明使用SLM方法可以直接成形出底层的圆形贯穿孔道，无需通过后续切削加工，大大简化了工艺流程。
附图说明
图1是本发明一种三明治结构偏滤器模块的结构示意图；
图2是本发明一种三明治结构偏滤器模块的整体成形方法的流程示意图；
图3是本发明实施例1的三明治结构偏滤器模块的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地描述。
请参考图1，本发明的实施例提供了一种三明治结构偏滤器模块，从上到下依次包括上层、中间层和底层，上层的厚度为0.3-5mm，中间层的厚度为2-10mm，底层的厚度为10-50mm，上层由金属A制得，金属A选用的材料为适应于面向等离子体的第一壁材料，底层由金属B制得，且设有直径为5-20mm的圆形贯穿孔道，金属B选用的材料为具有高热导率的热沉材料，中间层由金属A和金属B的合金制得，从底层到上层，金属B的质量百分比由100％连续过渡到0，金属A的质量百分比由0连续过渡到100％，金属B可以为Cu、Al、Cu-Al合金中的任一种，金属A可以为W、Be、Mo中的任一种。
参考图2，本发明的实施例还提供了上述三明治结构偏滤器模块整体成形的制造方法，包括以下步骤：
步骤S1，利用计算机建立偏滤器模块的三维模型，然后将三维模型导入到切片软件中进行切片处理，获得三维模型的切片数据，将切片数据导入到激光选区熔化设备。
步骤S2，对传统的选取激光熔化设备进行改装，增加一个送粉缸和一个微型混粉器，将粉末A和粉末B分别放置到改装的激光选区熔化设备的两个送粉缸中，粉末A为金属A的粉末，粉末B为金属B的粉末；微型混粉器选择三维混粉器、V形混粉器等常见混粉器中的任一种；通过增加微型混粉器可以实现双缸送粉以及异质粉末在线混粉的目的。
步骤S3，启动激光选区熔化设备，开放放置粉末B的送粉缸，将粉末B送入成形腔铺一层粉末B，然后采用激光器根据偏滤器模块的底层对应的切片数据成形粉末B，成形一层粉末B后，将激光选区熔化设备的成形基板下降一个铺粉层高度，重复送入粉末B、铺设粉末B、成形粉末B的过程，重复上述步骤直至形成偏滤器模块的底层；一层粉末B代表一层铺粉层高度的粉末B。
步骤S4，同时开放放置粉末A的送粉缸和放置粉末B的送粉缸，根据成形中间层不同高度所对应的金属A的质量百分比和金属B的质量百分比，确定每一层粉末A的送粉体积VA和粉末B的送粉体积VB，然后将粉末A和粉末B按照体积量送入微型混粉器混合均匀，微型混粉器根据每层成形时间和充分混粉的要求合理确定混粉时间，混粉时间为2min-20min，再将混合均匀的粉末送入成形腔逐层铺到偏滤器模块的底层的上方，采用激光器根据偏滤器模块的中间层的不同高度的切片数据逐层成形混合均匀的粉末，以形成偏滤器模块的中间层；
步骤S4中，形成偏滤器模块的中间层的具体过程为：
4.1计算成形中间层不同高度所对应的金属A的质量百分比φA和金属B的质量百分比φB，金属A的质量百分比φA和金属B的质量百分比φB的计算公式为：
φB＝1-φA,
其中，h为中间层某层高度，h1为底层的厚度，h2为中间层的厚度；
4.2利用中间层不同高度的金属A的质量百分比φA和金属B的质量百分比φB计算成形中间层每一层所对应的粉末A的送粉体积VA和粉末B的送粉体积VB，粉末A的送粉体积VA和粉末B的送粉体积VB的计算公式为：
其中，ρA和ρB分别为粉末A和粉末B的松装密度，VA和VB分别为中间层高度为h的粉层对应的粉末A和粉末B的送粉体积，V0为中间层的每层铺粉体积；φA和φB分别为中间层高度为h的粉层对应的金属A和金属B的质量百分比；
4.3将激光选区熔化设备的成形基板下降一个铺粉层高度，根据步骤4.2中计算得到的中间层的最下层所对应的粉末A的送粉体积和粉末B的送粉体积向微型混粉器输送粉末混合，然后将混合均匀的粉末送入成形腔铺到偏滤器模块的底层的上方，采用激光器根据偏滤器模块的中间层的最下层对应的切片数据成形混合均匀的粉末，以形成偏滤器模块的中间层的最下层；
4.4重复步骤4.3，直至形成偏滤器模块的中间层的最上层，以最终得到偏滤器模块的中间层。
步骤S5，关闭放置粉末B的送粉缸，将激光选区熔化设备的成形基板下降一个铺粉层高度，将粉末A送入成形腔铺一层粉末A到偏滤器模块的中间层的上方，采用激光器根据偏滤器模块的上层对应的切片数据成形粉末A，成形一层粉末A后，将激光选区熔化设备的成形基板下降一个铺粉层高度，重复送入粉末A、铺设粉末A、成形粉末A的过程，重复上述步骤直至形成偏滤器模块的上层，即得到成形的偏滤器模块；一层粉末A代表一层铺粉层高度的粉末A。
步骤S3、S4和S5中，每一层的铺粉层高度与对应的切片层的厚度相等；根据每一层对应的金属元素成分比例和切片数据，激光选区熔化设备选择成形工艺数据库中的成形参数完成该层的成形，成形工艺数据库中的成形参数包括激光功率数据、扫描速度数据和扫描间距数据；成形之前对成形基板进行预热，预热温度为50～200℃；成形过程中，激光选区熔化设备采用的激光器为光纤激光器，最大功率为400W，铺粉层高度不小于20μm，光斑直径为70μm-150μm，使用的保护气为Ar气或He气等惰性气体；
步骤S6，将成形后的偏滤器模块从成形基板上取下，清除偏滤器模块表面附着的粉末，即得到偏滤器模块成品；从成形基板上取下成形的偏滤器模块的方法可以选择线切割、激光切割、等离子切割中的任一种，清洗表面附着的粉末的方法为使用无水乙醇超声波振荡清洗。
下面结合实施例对本发明提供的三明治结构偏滤器模块及其整体成形的制造方法进行详细说明。
实施例1：
参考图3，本发明实施例1的三明治结构偏滤器模块，从上到下依次包括纯W层、W-Cu过渡层和纯Cu层，纯W层的高度为1mm,W-Cu过渡层的高度为5mm，纯Cu层的高度为30mm，且纯Cu层设有直径为12mm的圆形贯穿孔道，用于接入冷却流道，从纯Cu层到纯W层，Cu元素质量百分比逐步由100％减少到0，而W元素质量百分比逐步由0增加到100％。
利用选取激光熔化技术整体成形实施例1的三明治结构偏滤器模块的过程为：利用计算机三维设计软件建立实施例1的三明治结构偏滤器模块的三维模型，然后将三维模型导入到切片软件中进行切片处理，每层切片厚度为0.03mm，将切片处理得到的切片数据导入激光选区熔化设备；
在激光选区熔化设备上增加一个送粉缸和一个三维混粉器，三维混粉器的有效混粉量应不超过送粉缸的有效装粉量的两倍，将W粉和Cu粉分别放置到两个送粉缸中；
启动激光选区熔化设备，开放放置Cu粉的送粉缸，将Cu粉送入成形腔铺一层Cu粉，激光选区熔化设备采用的激光器为光纤激光器，最大功率为400W，铺粉层高度不小于20μm，光斑直径为70μm-150μm，在Ar气保护气下，采用功率为250W、扫描速度为800mm/s、扫描间距为0.07mm的激光成形Cu粉，将激光选区熔化设备的成形基板下降0.03mm，重复送入Cu粉、铺设Cu粉、成形Cu粉的过程，重复上述步骤直至形成高度为30mm的纯Cu层；
将激光选区熔化设备的成形基板下降0.03mm，计算成形W-Cu过渡层的最下层高度所对应的Cu粉和W粉的体积，然后同时开放放置Cu粉的送粉缸和放置W粉的送粉缸，将Cu粉和W粉按照体积量输送到三维混粉器混合5min，将混合均匀的粉末送入成形腔铺到纯Cu层的上方，在Ar气保护下，采用激光成形W-Cu过渡层的最下层；重复上述步骤直至成形W-Cu过渡层的最上层，以形成高度为5mm的W-Cu过渡层；成形W-Cu过渡层的每一层时，根据每层所对应的W-Cu成分比例，激光选区熔化设备自动匹配预先建立的工艺数据库，选取对应的最佳成形工艺参数完成该层的成形；成形W-Cu过渡层的工艺参数采用根据已优化的W-Cu复合材料的工艺参数拟合出的任意成分配比的W-Cu复合材料的最佳工艺参数；在实际应用中为了增强W-Cu之间的结合性，通常还可以加入质量百分比为5％～10％的粘合剂，包括Ni、Zr、V、Ti和Cr中的一种和多种；
关闭放置Cu粉的送粉缸，将激光选区熔化设备的成形基板下降0.03mm，然后将W粉送入成形腔铺设一层W粉到W-Cu过渡层的上方，在Ar气保护下，采用功率为200W、扫描速度为200mm/s、扫描间距为0.1mm的激光成形W粉，将激光选区熔化设备的成形基板下降0.03mm，重复送入W粉、铺设W粉、成形W粉的过程，重复上述步骤直至形成高度为1mm的纯W层，即得到成形的三明治结构偏滤器模块；
利用线切割将成形的三明治结构偏滤器模块从成形基板上取下，使用无水乙醇超声波振荡清洗三明治结构偏滤器模块表面的粉末，即得到偏滤器模块成品。
本发明通过梯度材料设计和梯度材料成形，使得偏滤器结构从底层到上层有连续的金属成分过渡，最大限度的避免了异质材料界面由于热膨胀系数差异过大而引发热应力集中，可以有效避免材料在较高的热负荷下具有良好的热应力缓和效果，增加零件的服役时间；本发明通过SLM方法整体成形上层、中间层和底层，不仅克服了传统工艺通过焊接、热压等流程实现异质材料连接，从而导致较长的工艺流程和较高的工艺成本的缺点，而且通过异质材料成分的连续梯度变化从宏观上消除了异质材料结合界面，实现更好的结合强度；本发明使用SLM方法可以直接成形出底层的圆形贯穿孔道，无需通过后续切削加工，大大简化了工艺流程。
在本文中，所涉及的前、后、上、下等方位词是以附图中零部件位于图中以及零部件相互之间的位置来定义的，只是为了表达技术方案的清楚及方便。应当理解，所述方位词的使用不应限制本申请请求保护的范围。
在不冲突的情况下，本文中上述实施例及实施例中的特征可以相互结合。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种三明治结构偏滤器模块，其特征在于，所述偏滤器模块从上到下依次包括上层、中间层和底层，所述上层由金属A制得，所述金属A选用的材料为适应于面向等离子体的第一壁材料，所述底层由金属B制得，所述底层设有圆形贯穿孔道，所述金属B选用的材料为具有高热导率的热沉材料，所述中间层由金属A和金属B的合金制得，从底层到上层，金属B的质量百分比由100％连续过渡到0，金属A的质量百分比由0连续过渡到100％。
2.如权利要求1所述的三明治结构偏滤器模块，其特征在于，所述上层的厚度为0.3-5mm,所述中间层的厚度为2-10mm，所述底层的厚度为10-50mm。
3.如权利要求1所述的三明治结构偏滤器模块，其特征在于，所述金属A为W、Be、Mo中的任一种，所述金属B为Cu、Al、Cu-Al合金中的任一种。
4.如权利要求3所述的三明治结构偏滤器模块，其特征在于，所述金属A为W，所述金属B为Cu，所述中间层为W-Cu合金。
5.一种权利要求1至4任一项所述的三明治结构偏滤器模块整体成形的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，利用计算机建立偏滤器模块的三维模型，然后将所述三维模型进行切片处理，获得三维模型的切片数据，将所述切片数据导入到激光选区熔化设备；
S2，将粉末A和粉末B分别放置到改装的激光选区熔化设备的两个送粉缸中，所述粉末A为金属A的粉末，所述粉末B为金属B的粉末，所述改装的激光选区熔化设备包括两个送粉缸和一个微型混粉器；
S3，启动激光选区熔化设备，开放放置粉末B的送粉缸，将粉末B送入成形腔铺一层粉末B，然后采用激光器根据偏滤器模块的底层对应的切片数据成形粉末B，重复送入粉末B、铺设粉末B、成形粉末B的过程，直至形成偏滤器模块的底层；
S4，同时开放放置粉末A的送粉缸和放置粉末B的送粉缸，根据成形中间层不同高度所对应的金属A的质量百分比和金属B的质量百分比，确定每一层粉末A的送粉体积和粉末B的送粉体积，然后将粉末A和粉末B按照体积量送入微型混粉器混合均匀，再将混合均匀的粉末送入成形腔逐层铺到偏滤器模块的底层的上方，采用激光器根据偏滤器模块的中间层的不同高度的切片数据逐层成形混合均匀的粉末，以形成偏滤器模块的中间层；
S5，关闭放置粉末B的送粉缸，将激光选区熔化设备的成形基板下降一个铺粉层高度，将粉末A送入成形腔铺到偏滤器模块的中间层的上方，采用激光器根据偏滤器模块的上层对应的切片数据成形粉末A，重复送入粉末A、铺设粉末A、成形粉末A的过程，直至形成偏滤器模块的上层，即得到成形的偏滤器模块；
S6，从成形基板上取下成形后的偏滤器模块，清除偏滤器模块表面附着的粉末，即得到偏滤器模块成品。
6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，步骤S4中，形成偏滤器模块的中间层的具体过程为：
4.1计算成形中间层不同高度所对应的金属A的质量百分比和金属B的质量百分比，金属A的质量百分比和金属B的质量百分比的计算公式为：
φB＝1-φA,
其中，h为中间层某层高度，h1为底层的厚度，h2为中间层的厚度；
4.2利用中间层不同高度的金属A的质量百分比和金属B的质量百分比计算成形中间层每一层所对应的粉末A的送粉体积和粉末B的送粉体积，粉末A的送粉体积和粉末B的送粉体积的计算公式为：
其中，ρA和ρB分别为粉末A和粉末B的松装密度，VA和VB分别为中间层高度为h的粉层对应的粉末A和粉末B的送粉体积，V0为中间层的每层铺粉体积；φA和φB分别为中间层高度为h的粉层对应的金属A和金属B的质量百分比；
4.3将激光选区熔化设备的成形基板下降一个铺粉层高度，根据步骤4.2中计算得到的中间层的最下层所对应的粉末A的送粉体积和粉末B的送粉体积向微型混粉器输送粉末混合，然后将混合均匀的粉末送入成形腔铺到偏滤器模块的底层的上方，采用激光器根据偏滤器模块的中间层的最下层对应的切片数据成形混合均匀的粉末，以形成偏滤器模块的中间层的最下层；
4.4重复步骤4.3，直至形成偏滤器模块的中间层的最上层，以最终得到偏滤器模块的中间层。
7.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，步骤S3-S5中，激光选区熔化设备的激光器为光纤激光器，最大功率为400W，铺粉层高度不小于20μm，光斑直径为70μm-150μm，使用的保护气为Ar气或He气。
8.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述微型混粉器选择三维混粉器或V形混粉器。
9.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，步骤S6中，从成形基板上取下成形的偏滤器模块的方法选择线切割、激光切割、等离子切割中的任一种，清除偏滤器模块表面附着的粉末的方法为使用无水乙醇超声波振荡清洗。
10.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，每一层的铺粉层高度与对应的切片层的厚度相等。
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