CN109023257A - 蒸镀薄膜的蒸镀方法及制作设备、蒸镀薄膜、显示装置 - Google Patents

蒸镀薄膜的蒸镀方法及制作设备、蒸镀薄膜、显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明实施例提供一种蒸镀薄膜的蒸镀方法及制作设备、蒸镀薄膜、显示装置,涉及显示技术领域,能够解决现有技术中相邻的蒸镀图案之间因交叠产生混色的问题;该蒸镀薄膜的蒸镀方法中待形成的蒸镀薄膜包括多个蒸镀单元,每个蒸镀单元包括多个蒸镀图案,且该多个蒸镀图案中包括沿第一方向上并列、且相邻设置的第一蒸镀图案和第二蒸镀图案;该蒸镀方法包括:通过修正原始蒸镀薄膜的蒸镀单元中第一蒸镀图案和第二蒸镀图案之间的原始间距,和/或,通过调整线性蒸镀源的相对第一蒸镀图案和第二蒸镀图案的移动方式,和/或,通过调整掩膜版的对位方式,来调整第一蒸镀图案和第二蒸镀图案的相对位置,以减小相邻两个不同颜色的亚像素之间的混色。

Description

蒸镀薄膜的蒸镀方法及制作设备、蒸镀薄膜、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种蒸镀薄膜的蒸镀方法及制作设备、蒸镀薄膜、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)显示器因其具有自发光、轻薄、功耗低、高对比度、高色域、可实现柔性显示等优点,已被广泛地应用于包括电脑、手机等电子产品在内的各种电子设备中。
其中,OLED显示装置(尤其是AMOLED显示装置)在实际的制作时,一般通过掩膜版将OLED材料通过真空蒸镀方式蒸镀至基板上,以形成各功能层图案。
然而,在OLED材料的蒸镀过程,不可避免的会产生蒸镀阴影(Shadow)的问题,尤其是针对线性蒸镀源而言,在沿线性蒸镀源延伸方向上产生的Shadow更为严重,从而导致各功能层图案的厚度不均、偏移混叠等弊端。
发明内容
本发明的实施例提供一种蒸镀薄膜的蒸镀方法及制作设备、蒸镀薄膜、显示装置,能够解决现有技术中相邻的蒸镀图案之间因交叠产生混色的问题。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
本发明实施例提供一种蒸镀薄膜的蒸镀方法,待形成的所述蒸镀薄膜包括多个蒸镀单元,每个所述蒸镀单元包括多个蒸镀图案,且该多个蒸镀图案中包括:沿第一方向上并列、且相邻设置的第一蒸镀图案和第二蒸镀图案;所述第一蒸镀图案和所述第二蒸镀图案分别与同一像素单元中的相邻两个不同颜色的亚像素对应;所述蒸镀方法包括:通过修正原始蒸镀薄膜的蒸镀单元中第一蒸镀图案和第二蒸镀图案之间的原始间距,和/或,通过调整线性蒸镀源相对所述第一蒸镀图案和所述第二蒸镀图案的移动方式,和/或,通过调整掩膜版的对位方式,来调整所述第一蒸镀图案和所述第二蒸镀图案的相对位置,以减小所述相邻两个不同颜色的亚像素之间的混色;其中,所述原始蒸镀薄膜是按照线性蒸镀源沿所述第一方向延伸,沿第二方向移动的方式进行蒸镀形成的;所述第二方向与所述第一方向不同。
可选的,待形成的所述蒸镀薄膜中的多个蒸镀单元呈矩阵排布;所述蒸镀薄膜中,所述第一蒸镀图案和所述第二蒸镀图案依次交替排布的方向为所述第一方向。
可选的,所述相邻两个不同颜色的亚像素为:红色亚像素和绿色亚像素。
可选的,所述蒸镀单元还包括:第三蒸镀图案;所述第三蒸镀图案的颜色与所述第一蒸镀图案和所述第二蒸镀图案的颜色不同;在沿所述第一方向上,所述第三蒸镀图案的中线位于所述第一蒸镀图案和所述第二蒸镀图案的中线之间。
可选的,所述通过修正原始蒸镀薄膜的蒸镀单元中第一蒸镀图案和第二蒸镀图案之间的原始间距来调整所述第一蒸镀图案和所述第二蒸镀图案的相对位置包括:测量原始蒸镀薄膜中的蒸镀图案沿第一方向上、单侧的掩膜阴影图案的第一尺寸;测量原始蒸镀薄膜中的蒸镀图案沿第二方向上、单侧的掩膜阴影图案的第二尺寸;根据所述原始蒸镀薄膜的蒸镀单元中的蒸镀图案的所述第一尺寸、所述第二尺寸以及第一蒸镀图案和第二蒸镀图案之间的原始间距,确定待形成的所述蒸镀薄膜的蒸镀单元中第一蒸镀图案和第二蒸镀图案之间修正间距;其中,所述修正间距大于所述原始间距;采用沿所述第一方向延伸的线性蒸镀源,以沿所述第二方向移动的方式,按照所述修正间距进行蒸镀,形成蒸镀薄膜。
可选的,所述根据所述原始蒸镀薄膜的蒸镀单元中的蒸镀图案的所述第一尺寸、所述第二尺寸以及第一蒸镀图案和第二蒸镀图案之间的原始间距,确定待形成的所述蒸镀薄膜中第一蒸镀图案和第二蒸镀图案之间修正间距包括:所述修正间距H2=K(L1-L2)+H1;其中,L1为所述第一尺寸;L2为所述第二尺寸;H1为所述原始间距;K∈[1,3]。
可选的,所述原始间距为0~30μm。
可选的,所述通过调整线性蒸镀源的相对所述第一蒸镀图案和所述第二蒸镀图案的移动方式,来调整所述第一蒸镀图案和所述第二蒸镀图案的相对位置包括:采用沿所述第一方向上移动的第一线性蒸镀源,将第一蒸镀材料通过第一掩膜版蒸镀至基板上,形成多个第一蒸镀图案;其中,所述第一线性蒸镀源沿第二方向延伸,所述第二方向与所述第一方向不同;采用沿所述第一方向上移动的第二线性蒸镀源,将第二蒸镀材料通过第二掩膜版蒸镀至形成有所述第一蒸镀图案的基板上,形成多个分别与每一所述第一蒸镀图案沿所述第一方向上并列、且相邻设置的所述第二蒸镀图案;所述第二线性蒸镀沿所述第二方向延伸。
可选的,所述通过调整掩膜版的对位方式,来调整所述第一蒸镀图案和所述第二蒸镀图案的相对位置包括:沿所述第一方向和第二方向移动第一掩膜版,以及沿所述第一掩膜版的中心轴线旋转所述第一掩膜版,在所述第一掩膜版至目标位置的距离沿所述第二方向的误差处于标准误差范围内时,使得该第一掩膜版至目标位置的距离沿所述第一方向的误差最小,以形成所述第一蒸镀图案;所述第一方向与所述第二方向垂直;沿所述第一方向和所述第二方向移动第二掩膜版,以及沿所述第二掩膜版的中心轴线旋转所述第二掩膜版,在所述第二掩膜版至目标位置的距离沿所述第二方向的误差处于标准误差范围内时,使得该第二掩膜版至目标位置的距离沿所述第一方向的误差最小,以形成所述第二蒸镀图案。
可选的,所述标准误差范围为±3.5μm的范围内。
可选的,所述蒸镀图案为有机发光二极管中的发光功能薄膜。
本发明实施例还提供一种蒸镀薄膜,包括采用前述蒸镀薄膜的蒸镀方法形成的第一蒸镀图案和第二蒸镀薄膜。
本发明实施例还提供一种显示装置,包括前述的蒸镀薄膜。
本发明实施例还提供一种蒸镀薄膜制作设备,包括用于确定前述的蒸镀薄膜的蒸镀方法中的修正间距的采集装置;所述修正间距的采集装置包括:测量单元和处理单元;所述测量单元用于测量原始蒸镀薄膜中的原始蒸镀图案沿第一方向上、单侧的掩膜阴影图案的第一尺寸;所述测量单元还用于测量原始蒸镀薄膜中的原始蒸镀图案沿第二方向上、单侧的掩膜阴影图案的第二尺寸;所述处理单元用于根据所述原始蒸镀薄膜的蒸镀单元中的蒸镀图案的所述第一尺寸、所述第二尺寸以及第一蒸镀图案和第二蒸镀图案之间的原始间距,确定待形成的所述蒸镀薄膜中第一蒸镀图案和第二蒸镀图案之间修正间距;其中,所述修正间距大于所述原始间距。
本发明实施例还提供一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质中存储有指令,当所述指令在终端设备上运行时,使得所述终端设备执行如前述的蒸镀薄膜的蒸镀方法。
本发明实施例还提供一种蒸镀设备,包括处理器,存储器和执行机构;所述存储器被配置为存储有实现如前述蒸镀薄膜的蒸镀方法的指令;所述处理器被配置为控制所述执行机构执行所述指令,以形成所述蒸镀薄膜。
本发明实施例提供一种蒸镀薄膜的蒸镀方法及制作设备、蒸镀薄膜、显示装置,该蒸镀薄膜的蒸镀方法中待形成的蒸镀薄膜包括多个蒸镀单元,每个蒸镀单元包括多个蒸镀图案,且该多个蒸镀图案中包括沿第一方向上并列、且相邻设置的第一蒸镀图案和第二蒸镀图案;第一蒸镀图案和第二蒸镀图案分别与同一像素单元中的相邻两个不同颜色的亚像素分别对应;该蒸镀方法包括:通过修正原始蒸镀薄膜的蒸镀单元中第一蒸镀图案和第二蒸镀图案之间的原始间距(其中,原始蒸镀薄膜是按照线性蒸镀源沿第一方向延伸,沿第二方向移动的方式进行蒸镀形成的;第二方向与第一方向不同),和/或,通过调整线性蒸镀源的相对第一蒸镀图案和第二蒸镀图案的移动方式,和/或,通过调整掩膜版的对位方式,来调整第一蒸镀图案和第二蒸镀图案的相对位置,以减小相邻两个不同颜色的亚像素之间的混色,从而提高了显示画面的显示品质,同时提高了产品良率和产能,满足高品质产品的制作需求。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种蒸镀图案的结构示意图;
图2a为本发明实施例提供的一种蒸镀图案的蒸镀过程示意图;
图2b为本发明实施例提供的一种蒸镀图案的蒸镀过程示意图;
图3为本发明实施例提供的一种蒸镀图案沿第一方向和第二方向上的掩膜阴影的尺寸大小对比示意图;
图4为本发明实施例提供的一种蒸镀图案的掩膜阴影的结构示意图;
图5为图4中的蒸镀图案的掩膜阴影的剖面示意图;
图6为修正前后的第一蒸镀图案和第二蒸镀图案之间的间距对比示意图;
图7为本发明实施例提供的一种蒸镀图案的蒸镀过程示意图;
附图标记:
10,10’-蒸镀图案;101、101’-第一蒸镀图案;102、102’-第二蒸镀图案;103、103’-第三蒸镀图案;20-线性蒸镀源;201-第一线性蒸镀源;202-第二线性蒸镀源。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
除非另外定义,本发明实施例中使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
本发明实施例提供一种蒸镀薄膜的蒸镀方法,其中,待形成的蒸镀薄膜包括多个蒸镀单元,如图1,每个蒸镀单元100包括多个蒸镀图案10,且该多个蒸镀图案10中包括沿第一方向A-A’上并列、且相邻设置的第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102;其中,第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102分别与同一像素单元中的相邻两个不同颜色的亚像素(第一亚像素和第二亚像素)分别对应。
具体的,上述蒸镀薄膜的蒸镀方法可以包括:通过修正原始蒸镀薄膜的蒸镀单元中第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102之间的原始间距(其中,原始蒸镀薄膜是按照线性蒸镀源沿第一方向延伸,沿第二方向移动的方式进行蒸镀形成的;第二方向与第一方向不同),和/或,通过调整线性蒸镀源的相对第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102的移动方式,和/或,通过调整掩膜版的对位方式,来调整第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102的相对位置,以减小上述相邻两个不同颜色的亚像素(第一亚像素和第二亚像素)之间的混色现象,从而提高了显示画面的显示品质,同时提高了产品良率和产能,满足高品质产品的制作需求。
此处需要说明的是,第一,上述蒸镀薄膜可以为OLED显示装置中有机发光二极管中的发光功能薄膜,但并不限制于此,也可以为彩色滤光薄膜等;可以理解的是,在上述蒸镀薄膜为有机发光二极管中的发光功能薄膜的情况下,实际蒸镀采用的掩膜版优选的采用精细金属掩膜版(Fine Metal Mask,FMM),并且形成的蒸镀薄膜一般是直接蒸镀至亚像素中的阳极上。
第二,上述沿第一方向A-A’上并列、且相邻设置的第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102是指,针对显示装置而言,第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102对应同行或者同列的亚像素;并且,针对单个蒸镀单元中的第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102而言,沿垂直其并列设置的方向上(也即垂直第一方向A-A’上),第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102基本平齐。
当然,实际中一般设置蒸镀薄膜中的多个蒸镀单元呈矩阵排布(也即对应的像素单元呈矩阵排布),在此情况下,可以理解的是,蒸镀薄膜中,第一蒸镀图案和第二蒸镀图案依次交替排布的方向为第一方向A-A’,也即,蒸镀薄膜中位于同行或者同列的第一蒸镀图案和第二蒸镀图案的排布方向为第一方向A-A’。
第三,对于本发明的所有实施例而言,第一方向A-A’均为第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102并列设置的方向,而针对不同的实施例,可以根据实际的需要来确定第二方向的实际方向,当然,应确保第二方向与第一方向A-A’不同,一般的,可以选取第二方向B-B’为:与第一方向A-A’垂直的方向;以下实施例均是以此为例对本发明作进一步的说明。
第四,对于显示面板而言,每一像素单元中一般包括红色亚像素R、绿色亚像素G和蓝色亚像素B;其中,人眼对绿色亚像素G和红色亚像素R之间出现的混色很敏感,因此在实际制作显示面板时,尽可能的降低绿色亚像素G和红色亚像素R出现混色现象。
基于此,本发明优选的,上述第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102对应的同一像素单元中的相邻两个不同颜色的亚像素分别为:红色亚像素R、绿色亚像素G;也即,红色亚像素R和绿色亚像素G中分别设置第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102,以降低红色亚像素R、绿色亚像素G之间出现混色的现象;其中,可以理解的是,对于第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102而言,可以是第一蒸镀图案101对应绿色亚像素G,第二蒸镀图案102对应红色亚像素R;也可以是第一蒸镀图案101对应红色亚像素R,第二蒸镀图案102对应绿色亚像素G,本发明对此不作限定。
另外,还需要说明的是,上述仅是以像素单元中包括红色亚像素R、绿色亚像素G和蓝色亚像素B为例进行说明的,但本发明并不限制于此;实际中可以优选的,将像素单元中任意颜色组成的像素单元中人眼最为敏感的两个颜色的亚像素中对应的蒸镀薄膜采用本发明中的技术方案中第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102的设置方式进行设置,以解决混色的发生;以下实施例均是以像素单元中包括红色亚像素R、绿色亚像素G和蓝色亚像素B为例进行说明的。
此外,还应理解到,对于显示面板中的像素单元中红色亚像素R和绿色亚像素G以外的蓝色亚像素B而言,参考图1,在沿第一方向A-A’上,蓝色亚像素B(对应第三蒸镀图案103)中线位于红色亚像素R(对应第一蒸镀图案101)和绿色亚像素G(对应第二蒸镀图案102)的中线之间。
在此基础上,以下通过具体实施例对采用本发明中的蒸镀薄膜的蒸镀方法来解决第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102之间出现混色现象的问题做进一步的说明。
首先,本实施例提供一种常规的蒸镀薄膜的蒸镀方法,参考图2a和图2b,该蒸镀方法形成主要由蒸镀图案10’构成的蒸镀薄膜时,线性蒸镀源20沿第二方向B-B’移动,且线性蒸镀源20自身沿第一方向A-A’延伸;也即线性蒸镀源20的延伸方向与移动方向垂直;示意的,对于750×650的显示面板而言,线性蒸镀源20沿650边延伸,沿750边移动。
实际中,在采用该蒸镀方法形成的蒸镀薄膜中,如图3所示,蒸镀图案10’会出现沿第一方向A-A’上的掩膜阴影(Shadow)要明显大于沿第二方向B-B’上的掩膜阴影,从而使得沿第一方向A-A’上并列设置的第一蒸镀图案101’和第二蒸镀图案102’之间出现偏移混叠风险较高,导致出现混色现象的风险较大。
实施例一
上述通过修正原始蒸镀薄膜的蒸镀单元中第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102之间的原始间距H1来调整第一蒸镀图案101和所述第二蒸镀图案102的相对位置包括:(参考图4)
步骤S101、参考图5的(a)中关于图4中的第一蒸镀图案101’沿O1-O1’位置的剖面示意图,测量原始蒸镀薄膜中的蒸镀图案10’沿第一方向A-A’上、单侧的掩膜阴影图案的第一尺寸(L1);当然,此处的蒸镀图案10’可以为图2a中示出的原始蒸镀薄膜中的第一蒸镀图案101’、第二蒸镀图案102’、第三蒸镀图案103’中的任意一个,图4中仅是示意的以原始蒸镀薄膜的第一蒸镀图案101’为例进行说明的。
步骤S102、参考图5的(b)中关于图4中的第一蒸镀图案101’沿O2-O2’位置的剖面示意图,测量原始蒸镀薄膜中的蒸镀图案10’沿第二方向B-B’上、单侧的掩膜阴影图案的第二尺寸(L2);由于实际的工艺,必然的存在第一尺寸(L1)大于第二尺寸(L2),可以参考图3。
需要说明的是,上述步骤S101和步骤S102中关于掩膜阴影的尺寸测量,一般通过测量多个显示面板中相对应的掩膜阴影的尺寸进行平均得到的,以尽可能的降低测量误差。
步骤S103、根据原始蒸镀薄膜的蒸镀单元中,蒸镀图案10’的第一尺寸(L1)、第二尺寸(L2)以及第一蒸镀图案101’和第二蒸镀图案102’之间的原始间距(H1),确定待形成的蒸镀薄膜的蒸镀单元中第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102之间的修正间距(H2)。
步骤S104、采用沿第一方向A-A’延伸的线性蒸镀源,以沿第二方向B-B’移动的方式,按照上述修正间距进行蒸镀,形成蒸镀薄膜。
具体的,参考图2b,设置线性蒸镀源第一方向A-A’延伸,沿第二方向B-B’移动;线性蒸镀源中的蒸镀材料透过掩膜版上的镂空图案,蒸镀至基板上,形成蒸镀图案;本发明中,通过根据确定得到的修正间距(H2),重新设计掩膜版中沿第一方向上镂空位置的距离,以保证在通过两次蒸镀掩膜形成的第一蒸镀图案和第二蒸镀图案之间的间距满足上述修正间距(H2),从而得到实际所预期的蒸镀薄膜。
当然,此处可以理解的是,上述步骤S101、步骤S102、步骤S103的具体过程,是基于原始的蒸镀方法(即在线性蒸镀源沿第二方向B-B’移动,且线性蒸镀源自身沿第一方向A-A’延伸)形成的原始的第一蒸镀图案和原始的第二蒸镀图案之间为原始间距(H1)的蒸镀薄膜为基础,来获得预期的蒸镀薄膜中第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102的修正间距(H2);也即,参考图6,实际所预期的第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102之间的修正间距H2是根据前述的已经制作的原始蒸镀薄膜的蒸镀图案沿第一方向上、单侧的掩膜阴影图案的第一尺寸、沿第二方向上、单侧的掩膜阴影图案的第二尺寸、原始的第一蒸镀图案和原始的第二蒸镀图案之间的原始间距(H1)确定得到的;其中,实际间距(H2)大于原始间距(H1),从而基于该修正间距(H2)进行蒸镀从而获得实际预期的蒸镀薄膜,以使得形成的蒸镀薄膜中第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102出现混色的几率大大降低。
进一步的,上述步骤S103中,根据原始蒸镀薄膜的蒸镀单元中,蒸镀图案10’的第一尺寸(L1)、第二尺寸(L2)以及第一蒸镀图案101’和第二蒸镀图案102’之间的原始间距(H1),确定待形成的蒸镀薄膜的蒸镀单元中第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102之间的修正间距(H2),可以包括:
H2=K(L1-L2)+H1;
其中,K∈[1,3],H2为实际间距;L1为第一尺寸;L2为第二尺寸;H1为原始间距。
需要说明的是,关于K的具体取值,实际中需要根据原始蒸镀薄膜的蒸镀单元中第一蒸镀图案101’和第二蒸镀图案102’之间的原始间距(H1)的大小而定,在一些实施例中,原始间距(H1)较大,则K可以取较小值,例如K可以为1;在一些实施例中,原始间距(H1)较小,则K可以取较大值,例如K可以为3。
在一些实施例中,根据实际中的经验,原始蒸镀薄膜的蒸镀单元中第一蒸镀图案101’和第二蒸镀图案102’之间的原始间距(H1)一般为0~30μm;当然,在一些实施例中,原始间距H1约为21μm~23μm;此时K可以为2,当然本发明中并不限制于此,实际的制作时,可以根据情况,适当的调整K的取值,例如K可以为2.1等,以有效的降低预期形成的蒸镀薄膜中第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102出现偏移混叠风险。
示意的,以原始间距(H1)为22μm,优选的K=2为例;实际测量第一方向上、单侧的掩膜阴影图案的第一尺寸L1为6.83μm,与第二方向上、单侧的掩膜阴影图案的第二尺寸L2为4.88μm;在此情况下,预期形成的蒸镀薄膜中的第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102修正后的实际间距H2为25.9μm,从而保证第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102不会出现偏移混叠风险。
实施例二
由前述可知,实际中,在采用图2a中示出的蒸镀方法形成的蒸镀薄膜中,会出现沿第一方向A-A’上的掩膜阴影(Shadow)要明显大于沿第二方向B-B’上的掩膜阴影(参考图3、图4、图5),从而使得沿第一方向A-A’上并列设置的第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102之间出现偏移混叠风险较高,导致出现混色现象的风险较大。
基于此,本实施例中通过调整线性蒸镀源20相对第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102的移动方式,来调整第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102的相对位置包括:(参考图7)
采用沿第一方向A-A’上移动的第一线性蒸镀源201,将第一蒸镀材料通过第一掩膜版蒸镀至基板上,形成多个第一蒸镀图案101;其中,第一线性蒸镀源10沿第二方向B-B’延伸。
采用沿第一方向A-A’上移动的第二线性蒸镀源202,将第二蒸镀材料通过第二掩膜版蒸镀至形成有第一蒸镀图案101的基板上,形成多个分别与每一第一蒸镀图案101沿第一方向A-A’上并列、且相邻设置的第二蒸镀图案102;第二线性蒸镀202沿第二方向B-B’延伸。
此处需要说明的是,第一,上述第一线性蒸镀源201和第二线性蒸镀源202一般为同型号的线性蒸镀源,但为不同的两个线性蒸镀源。
第二,相比于图2a中线性蒸镀源沿第一方向A-A’延伸而言,该实施例二中线性蒸镀源沿第二方向延伸(也即垂直第一方向A-A’),实际中可以是通过改变线性蒸镀源相对于第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102的方向来满足本实施例中的要求,也可以是通过改变第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102相对与线性蒸镀源的方向来满足要求;当然,本发明中为了统一前后的方向,仅是第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102的相对并列设置的方向(也即第一方向)为参考基准方向进行示意说明的。
基于此,如前述,通过蒸镀工艺形成的蒸镀图案中,在沿线性蒸镀源的延伸方向上的掩膜阴影(Shadow)的尺寸要大于移动方向上的掩膜阴影(Shadow)的尺寸;可以理解的,实施例二中,通过设置线性蒸镀源(包括第一线性蒸镀源201和第二线性蒸镀源202)沿第二方向B-B’(也即沿垂直第一方向延伸),沿第一方向A-A’移动,能够使得形成的沿第一方向A-A’上并列、且相邻设置的第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102在沿第一方向A-A’的掩膜阴影(Shadow)的尺寸相对于沿第二方向B-B’的掩膜阴影(Shadow)的尺寸小,从而有效的降低了第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102出现偏移混叠风险。
另外,对于上述第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102为有机发光二极管中的发光功能薄膜的情况下,优选的,上述第一掩膜版和第二掩膜版均为精细金属掩膜版(也即,FMMMask)。
实施例三
前述通过调整掩膜版的对位方式来调整第一蒸镀图案和第二蒸镀图案的相对位置包括:
沿第一方向A-A’和第二方向B-B’(垂直第一方向)移动第一掩膜版,以及沿第一掩膜版的中心轴线旋转第一掩膜版,在第一掩膜版至目标位置的距离沿垂直第一方向的误差处于标准误差范围内时,使得该第一掩膜版至目标位置的距离沿第一方向的误差最小,以形成第一蒸镀图案101。
沿第一方向A-A’和第二方向B-B’移动第二掩膜版,以及沿第二掩膜版的中心轴线旋转第二掩膜版,在第二掩膜版至目标位置的距离沿垂直第一方向的误差处于标准误差范围内时,使得该第二掩膜版至目标位置的距离沿第一方向的误差最小,以形成第二蒸镀图案102。
其中,为了保证各蒸镀图案的有效对位,上述标准误差范围一般为±3.5μm的范围内;例如在一些实施例中可以是-3.5μm~3.5μm;在一些实施例中可以是-3μm~3μm。在实际的对位中第一掩膜版和第二掩膜版在沿第一方向和第二方向上的误差必然均处于标准误差范围,需要保证的,在沿第二方向上的误差只要保证标准误差范围内(例如其可以是3.5μm),而沿第一方向的误差应达到该方向上的最小值(例如可能是1μm,也可能是0,具体根据实际对位过程而定);当然,对位过程中往往需要通过多次重复的沿第一方向和第二方向移动掩膜版(包括第一掩膜和第二掩膜版在),以及沿掩膜版的中心轴线旋转掩膜版,最终使得掩膜版达到预期的位置。
采用该实施例三中的设计方案,在蒸镀掩膜过程中优先调整沿第一方向A-A’上第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102的位置精度,也即只要保证第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102沿第二方向B-B’上处于标准误差范围内,尽可能的将第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102沿第一方向A-A’上的位置误差调整至最小,从而有效的降低了第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102出现偏移混叠风险。
另外,对于上述第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102为有机发光二极管中的发光功能薄膜的情况下,优选的,上述第一掩膜版和第二掩膜版均为精细金属掩膜版(也即,FMMMask)。
另外,需要说明的是,上述实施例一、实施例二、实施例三,可以单独进行实施,以降低了第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102出现偏移混叠风险;可以同时采用三个实施例中的多个技术方案,例如,在一些实施例中,可以在采用实施例一中修正原始的第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102之间的原始间距的技术方案的同时,采用实施例三中优先对位第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102沿第一方向A-A’上的位置精度的技术方案;又例如,在一些实施例中,在采用实施例二中调整线性蒸镀源的相对移动方式形成第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102的技术方案同时,采用实施例三中优先对位第一蒸镀图案101和第二蒸镀图案102沿第一方向A-A’上的位置精度的技术方案;本发明对此不作具体限定,实际中可以根据需要选择上述实施例一、实施例二、实施例三中的部分或者全部进行蒸镀即可。
本发明实施例还提供一种蒸镀薄膜,包括采用前述的蒸镀薄膜的蒸镀方法形成的第一蒸镀图案和第二蒸镀薄膜,由于前述实施例已经对蒸镀薄膜的蒸镀方法形成的蒸镀薄膜的结构和相关有益效果进行了详细的描述,此处不再赘述。
本发明实施例还提供一种显示装置,包括前述的蒸镀薄膜,同样包括采用前述的蒸镀薄膜的蒸镀方法形成的第一蒸镀图案和第二蒸镀薄膜,由于前述实施例已经对蒸镀薄膜的蒸镀方法形成的蒸镀薄膜的结构和相关有益效果进行了详细的描述,此处不再赘述。
需要说明的是,在本发明实施例中,显示装置具体至少可以包括有机发光二极管显示面板,例如该显示面板可以应用至显示器、电视、数码相框、手机或平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件中。
本发明实施例还提供一种蒸镀薄膜制作设备,该蒸镀薄膜制作设备包括同于确定前述实施例一中的蒸镀薄膜的蒸镀方法中的修正间距的采集装置。
其中,该修正间距的采集装置包括:测量单元和处理单元。
该测量单元用于测量原始蒸镀薄膜中的原始蒸镀图案沿第一方向上、单侧的掩膜阴影图案的第一尺寸;当然,该测量单元还用于测量原始蒸镀薄膜中的原始蒸镀图案沿第二方向上、单侧的掩膜阴影图案的第二尺寸。
处理单元用于根据原始蒸镀薄膜的蒸镀单元中的蒸镀图案的第一尺寸、第二尺寸以及第一蒸镀图案和第二蒸镀图案之间的原始间距,确定待形成的蒸镀薄膜中第一蒸镀图案和第二蒸镀图案之间修正间距;其中,修正间距大于原始间距。
当然,此处可以理解的是,该蒸镀薄膜制作设备还可以包括蒸镀装置,对位装置等,实际中可以根据上述处理单元获取到的修正间距,直接通过控制器控制对位装置按照该修正间距进行对位,并在对位完成后,控制蒸镀装置开始进行蒸镀;本发明并不限制于此,只要依据本发明中的装置、方法获取的修正间距进行蒸镀,均应该属于本发明的保护范围内。
本发明实施例中还提供一种计算机可读存储介质,计算机可读存储介质中存储有指令,当指令在终端设备上运行时,使得终端设备执行如前述实施例一所述的蒸镀薄膜的蒸镀方法。
本发明实施例中还提供一种蒸镀设备,包括处理器,存储器和执行机构;其中,存储器被配置为存储有实现如前述蒸镀薄膜的蒸镀方法的指令;处理器被配置为控制执行机构执行该指令,以形成蒸镀薄膜。所述执行机构包括,测量机构,对位机构,驱动机构,掩膜版,蒸发源等。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (16)

1.一种蒸镀薄膜的蒸镀方法,其特征在于,待形成的所述蒸镀薄膜包括多个蒸镀单元,每个所述蒸镀单元包括多个蒸镀图案,且该多个蒸镀图案中包括:沿第一方向上并列、且相邻设置的第一蒸镀图案和第二蒸镀图案;所述第一蒸镀图案和所述第二蒸镀图案分别与同一像素单元中的相邻两个不同颜色的亚像素对应;
所述蒸镀方法包括:通过修正原始蒸镀薄膜的蒸镀单元中第一蒸镀图案和第二蒸镀图案之间的原始间距,和/或,通过调整线性蒸镀源相对所述第一蒸镀图案和所述第二蒸镀图案的移动方式,和/或,通过调整掩膜版的对位方式,来调整所述第一蒸镀图案和所述第二蒸镀图案的相对位置,以减小所述相邻两个不同颜色的亚像素之间的混色;
其中,所述原始蒸镀薄膜是按照线性蒸镀源沿所述第一方向延伸,沿第二方向移动的方式进行蒸镀形成的;所述第二方向与所述第一方向不同。
2.根据权利要求1所述的蒸镀薄膜的蒸镀方法,其特征在于,
待形成的所述蒸镀薄膜中的多个蒸镀单元呈矩阵排布;
所述蒸镀薄膜中,所述第一蒸镀图案和所述第二蒸镀图案依次交替排布的方向为所述第一方向。
3.根据权利要求1所述的蒸镀薄膜的蒸镀方法,其特征在于,
所述相邻两个不同颜色的亚像素为:红色亚像素和绿色亚像素。
4.根据权利要求1-3任一项所述的蒸镀薄膜的蒸镀方法,其特征在于,
所述蒸镀单元还包括:第三蒸镀图案;所述第三蒸镀图案的颜色与所述第一蒸镀图案和所述第二蒸镀图案的颜色不同;
在沿所述第一方向上,所述第三蒸镀图案的中线位于所述第一蒸镀图案和所述第二蒸镀图案的中线之间。
5.根据权利要求1所述的蒸镀薄膜的蒸镀方法,其特征在于,
所述通过修正原始蒸镀薄膜的蒸镀单元中第一蒸镀图案和第二蒸镀图案之间的原始间距来调整所述第一蒸镀图案和所述第二蒸镀图案的相对位置包括:
测量原始蒸镀薄膜中的蒸镀图案沿第一方向上、单侧的掩膜阴影图案的第一尺寸;
测量原始蒸镀薄膜中的蒸镀图案沿第二方向上、单侧的掩膜阴影图案的第二尺寸;
根据所述原始蒸镀薄膜的蒸镀单元中的蒸镀图案的所述第一尺寸、所述第二尺寸以及第一蒸镀图案和第二蒸镀图案之间的原始间距,确定待形成的所述蒸镀薄膜的蒸镀单元中第一蒸镀图案和第二蒸镀图案之间修正间距;其中,所述修正间距大于所述原始间距;
采用沿所述第一方向延伸的线性蒸镀源,以沿所述第二方向移动的方式,按照所述修正间距进行蒸镀,形成蒸镀薄膜。
6.根据权利要求5所述的蒸镀薄膜的蒸镀方法,其特征在于,
所述根据所述原始蒸镀薄膜的蒸镀单元中的蒸镀图案的所述第一尺寸、所述第二尺寸以及第一蒸镀图案和第二蒸镀图案之间的原始间距,确定待形成的所述蒸镀薄膜中第一蒸镀图案和第二蒸镀图案之间修正间距包括:
所述修正间距H2=K(L1-L2)+H1;
其中,L1为所述第一尺寸;L2为所述第二尺寸;H1为所述原始间距;K∈[1,3]。
7.根据权利要求6所述的蒸镀薄膜的蒸镀方法,其特征在于,所述原始间距为0~30μm。
8.根据权利要求1所述的蒸镀薄膜的蒸镀方法,其特征在于,
所述通过调整线性蒸镀源的相对所述第一蒸镀图案和所述第二蒸镀图案的移动方式,来调整所述第一蒸镀图案和所述第二蒸镀图案的相对位置包括:
采用沿所述第一方向上移动的第一线性蒸镀源,将第一蒸镀材料通过第一掩膜版蒸镀至基板上,形成多个第一蒸镀图案;其中,所述第一线性蒸镀源沿第二方向延伸,所述第二方向与所述第一方向不同;
采用沿所述第一方向上移动的第二线性蒸镀源,将第二蒸镀材料通过第二掩膜版蒸镀至形成有所述第一蒸镀图案的基板上,形成多个分别与每一所述第一蒸镀图案沿所述第一方向上并列、且相邻设置的所述第二蒸镀图案;所述第二线性蒸镀沿所述第二方向延伸。
9.根据权利要求1所述的蒸镀薄膜的蒸镀方法,其特征在于,
所述通过调整掩膜版的对位方式,来调整所述第一蒸镀图案和所述第二蒸镀图案的相对位置包括:
沿所述第一方向和第二方向移动第一掩膜版,以及沿所述第一掩膜版的中心轴线旋转所述第一掩膜版,在所述第一掩膜版至目标位置的距离沿所述第二方向的误差处于标准误差范围内时,使得该第一掩膜版至目标位置的距离沿所述第一方向的误差最小,以形成所述第一蒸镀图案;所述第一方向与所述第二方向垂直;
沿所述第一方向和所述第二方向移动第二掩膜版,以及沿所述第二掩膜版的中心轴线旋转所述第二掩膜版,在所述第二掩膜版至目标位置的距离沿所述第二方向的误差处于标准误差范围内时,使得该第二掩膜版至目标位置的距离沿所述第一方向的误差最小,以形成所述第二蒸镀图案。
10.根据权利要求9所述的蒸镀薄膜的蒸镀方法,其特征在于,所述标准误差范围为±3.5μm的范围内。
11.根据权利要求1所述的蒸镀薄膜的蒸镀方法,其特征在于,
所述蒸镀图案为有机发光二极管中的发光功能薄膜。
12.一种蒸镀薄膜,其特征在于,包括采用权利要求1-11任一项所述蒸镀薄膜的蒸镀方法形成的第一蒸镀图案和第二蒸镀薄膜。
13.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求12所述的蒸镀薄膜。
14.一种蒸镀薄膜制作设备,其特征在于,包括用于确定权利要求5-7任一项所述的蒸镀薄膜的蒸镀方法中的修正间距的采集装置;
所述修正间距的采集装置包括:测量单元和处理单元;
所述测量单元用于测量原始蒸镀薄膜中的原始蒸镀图案沿第一方向上、单侧的掩膜阴影图案的第一尺寸;
所述测量单元还用于测量原始蒸镀薄膜中的原始蒸镀图案沿第二方向上、单侧的掩膜阴影图案的第二尺寸;
所述处理单元用于根据所述原始蒸镀薄膜的蒸镀单元中的蒸镀图案的所述第一尺寸、所述第二尺寸以及第一蒸镀图案和第二蒸镀图案之间的原始间距,确定待形成的所述蒸镀薄膜中第一蒸镀图案和第二蒸镀图案之间修正间距;其中,所述修正间距大于所述原始间距。
15.一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质中存储有指令,其特征在于,当所述指令在终端设备上运行时,使得所述终端设备执行如权利要求1-11任一项所述的蒸镀薄膜的蒸镀方法。
16.一种蒸镀设备,其特征在于,包括处理器,存储器和执行机构;
所述存储器被配置为存储有实现如权利要求1-11任一项所述蒸镀薄膜的蒸镀方法的指令;所述处理器被配置为控制所述执行机构执行所述指令,以形成所述蒸镀薄膜。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110029322A (zh) * 2019-05-27 2019-07-19 京东方科技集团股份有限公司 基板蒸镀对位***以及监控像素位置测量的方法和装置
CN110093584A (zh) * 2019-06-06 2019-08-06 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜版、掩膜***及蒸镀掩膜方法
CN110098239A (zh) * 2019-05-17 2019-08-06 京东方科技集团股份有限公司 像素结构、显示基板、掩模板及蒸镀方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105132859A (zh) * 2015-07-30 2015-12-09 友达光电股份有限公司 一种金属遮罩的对位方法
CN106086786A (zh) * 2016-08-19 2016-11-09 京东方科技集团股份有限公司 偏移校准方法及***
CN106256925A (zh) * 2015-06-18 2016-12-28 佳能特机株式会社 真空蒸镀装置、蒸镀膜的制造方法和有机电子器件的制造方法
CN106373982A (zh) * 2016-09-06 2017-02-01 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、以及显示装置
CN107385391A (zh) * 2017-07-14 2017-11-24 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板、oled显示基板及其制作方法、显示装置
CN107958652A (zh) * 2017-12-29 2018-04-24 北京小米移动软件有限公司 阵列基板、电子设备

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106256925A (zh) * 2015-06-18 2016-12-28 佳能特机株式会社 真空蒸镀装置、蒸镀膜的制造方法和有机电子器件的制造方法
CN105132859A (zh) * 2015-07-30 2015-12-09 友达光电股份有限公司 一种金属遮罩的对位方法
CN106086786A (zh) * 2016-08-19 2016-11-09 京东方科技集团股份有限公司 偏移校准方法及***
CN106373982A (zh) * 2016-09-06 2017-02-01 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、以及显示装置
CN107385391A (zh) * 2017-07-14 2017-11-24 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板、oled显示基板及其制作方法、显示装置
CN107958652A (zh) * 2017-12-29 2018-04-24 北京小米移动软件有限公司 阵列基板、电子设备

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110098239A (zh) * 2019-05-17 2019-08-06 京东方科技集团股份有限公司 像素结构、显示基板、掩模板及蒸镀方法
WO2020233487A1 (zh) * 2019-05-17 2020-11-26 京东方科技集团股份有限公司 像素结构、显示基板、掩膜板及蒸镀方法
CN110098239B (zh) * 2019-05-17 2021-11-02 京东方科技集团股份有限公司 像素结构、显示基板、掩模板及蒸镀方法
US11626560B2 (en) 2019-05-17 2023-04-11 Mianyang Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Pixel structure, display substrate, mask and evaporation method
CN110029322A (zh) * 2019-05-27 2019-07-19 京东方科技集团股份有限公司 基板蒸镀对位***以及监控像素位置测量的方法和装置
CN110029322B (zh) * 2019-05-27 2021-05-04 京东方科技集团股份有限公司 基板蒸镀对位***以及监控像素位置测量的方法和装置
CN110093584A (zh) * 2019-06-06 2019-08-06 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜版、掩膜***及蒸镀掩膜方法
CN110093584B (zh) * 2019-06-06 2021-03-02 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜版、掩膜***及蒸镀掩膜方法

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