CN1089396A - 集成微波电路模件及其连接结构 - Google Patents

Abstract

一种集成微波电路模件(80)有介质基片(20)它 是由底层、中层和上层构成的。底层和上层分别包括 底层接地面(40)和上层接地面(43)，中间层包括由有 源电路元件和无源电路元件构成的射频信号电路。 沿着射频信号电路配置有许多填充了金属的通孔，用 以短路上层接地面(43)和底层接地面(40)，以便屏蔽 射频电路。在中间层被除去介质的部分上设置元件 安装空腔(60)，有源电路元件安装在元件安装空腔 内。

Description

本发明涉及集成微波电路模件，更详细地说，涉及微波通信装置使用的微波电路模件，和这种微波电路模件与具有相同结构的模件或外部电路连接的连接结构。

图1所示的现有微波电路模件中、电路基片10包括形成在氧化铝陶瓷介电基片上，或类似基片上的薄膜导体，薄膜导体淀积在有源元件11的每个侧边上，用于连接相互间有一小间隔的有源元件。也就是说，现有的微波电路模件有多个电路基片10。而且，模件有许多连接这些电路基片10的连接线，如连接线12。

另一方面，作为电路元件之一的耦合电容器，单片电容器13安装在电路基片10上，并用连接线连接。而且，像氮化钽薄膜电阻这样的电阻元件，或类似的电阻元件只形成在电路基片10的表面上。而且，为了从外部保护有源元件、将金属帽14用电阻式熔焊法完全接到外壳基体（通常称为“管座”）15上。金属帽15起屏蔽作用。防止射频信号（RF）外漏。

如上所述，现有的微波电路模件要求有许多电路基片10，而且，像单片电容器13这样的电子元件在简化结构，减小装配结构尺寸等方面均存在问题。此外，很多电子元件的连接使接点数增加，这导致射频（RF）特性的损坏，并需要很多装配工序，因此难于降低造价。

近来，微波独石集成电路（以下简称为“MMIC”）已进入实用阶段。尽管MMIC的应用还受到很多限制。MMIC通常是用以光刻技术为基础的半导体制技术在硅（Si）或砷化镓（GaAs）基片上形成的。尽管像晶体管和二极管这样的集总常数电路元件是小规模有源元件，像矢量耦合器和滤波器这样的分布常数电路元件是大规模无源元件，而且当它们装配在MMIC中时还存在问题。大规模单片在其合格率和造价方面均不具优越性。所以通常的MMIC单片中不包括上述的大规模无源电路元件。

由于MMIC不适于无源电路元件的装配，在现有的微波电路中，有源元件包容在小型密封外壳内，而其结构上保留了连接线和有微带线的无源电路元件，这些元件用焊接片使其相互连接。为了屏蔽这些元件和与外部电路的连接线，必须要有复杂而价格昂贵的屏蔽外壳，该屏蔽外壳有许多被分割成的小室。

现有的这种微波电路模件所用的连接结构中，只有有源元件被包封，其引出端是伸出的以便焊接。

然而，緻密的集成微波电路组件也需要有无源元件。由于无源元件的尺寸大，因此，这种元件应用在微波电路模件中会使模件的面积或几何尺寸增大、并使造价增加。

用焊接法将现有的连接结构与集成微波电路模件装配在一起，这就不可能有效地减少工艺步骤的数量，也不能有效提高射频连接性能的可靠性。

为了克服现有技术中存在的缺陷，本发明的目的是，提供一种改进的集成微波电路模件。它不仅包含有源元件，也有无源元件，该模件有与其他模件或器件连接用的引出端、但其引出端不伸出，而允许用微波电路连接结构与外部连接，该微波电路连接结构有与模件引出端连接的特殊排列的接点。

根据本发明，现有技术中所述的有源元件和分立的许多基片以布线图形构成一个多层基片整体，因而避免了由连接造成的性能损坏，并减少了装配工艺步骤。

此外，可以避免因多个微波电路放置在一个公共外壳中产生的电路之间的耦合而引起的干扰，也避免外壳作为空腔而产生的共振，这是因为采用了屏蔽结构或一个包含有源元件的空腔结构，使外部电路统一地包含在内使之一体化和集成化，从而减少许多必须的安装层。这就减小了模件的尺寸和造价。

本发明使先进的MMIC技术可以用于迄今还不适合于组合成一体的无源元件，并实现了包括无源元件和连线的微波电路模件的大规模集成。

本发明还涉及包括以下结构的集成微波电路模件：

一种结构，该结构中包含一个在中间层部分上部的介质层，该中间层由作为元件装配位置的空腔构成，它用作射频信号传输，半导体元件，如MMIC安装在空腔内并用导电板（空腔结构）复盖已被清除的地表面部分。

一种结构，在该结构中用导电板实现了密封，以防止所安装的半导体单片受到来自外部（密封结构）的污染。

一种结构，该结构中在中间层部分有导线焊接区（元件安装表面），并通过许多VIA孔同下面的接地表面连接（以减小射频阻抗），VIA孔填充金属以减少相对于下层的热电阻，获得有效热辐射。一种结构，在该结构中在正下方局部发热部分，如在半导体单片的晶体管区设置VIA孔，使热电阻减小（单片安装结构，热VIA）。

一种结构，该结构中有许多导电层焊接区，它作为处于中间层部分的元件安装表面与下面的接地层之间的交替电容器和接地焊接区，用连接在一起的电容器焊接区，通过VIA孔使接地表面与接地焊接区连在一起，构成一迭层电容器，它作为安装元件（安装单片）的旁路电容器用，散射热从侧面穿过迭层电容器层焊接区，使热电阻下降（电的和热的旁路结构）。

一种结构，该结构中有极薄介质层构成的中间层部分，用该介质层两边上的导体图形连接在一起，电容耦合，因此构成切割直流（DC）元件的传输线（RF电容器结构）。

一种结构，该结构中有一介质层，它形成在上接地层上，有形成在上面的导体图形，该导体图形用作引线图形以获得电源供电线（DC导线结构）。

一种结构，该结构中，与内层连接部分有焊接区，它与在焊接区正下方的接地层一起构成一个作为旁路电容器的电容器，防止RF从内层漏出。

一种结构，该结构中每个内层都具有许多分布的小孔（空腔），这些小孔是除去介质而构成的，以减小有效的介电常数（有效介电常数降低结构）。

一种结构，该结构中每层上的小孔在其位置上都是不同的，以防止重叠，从而提高了基片的机械强度。

一种结构，该结构中，多层基片的外周边也用导体形成了金属化层，以构成一接地表面（在外周边上的金属化屏蔽结构）。

一种结构，该结构有一金属基体用于热辐射和增强机械强度。

这样形成的微波电路模件设有用于连接外部电路的尾销或向外伸出的类似连接结构，而用以下结构替代，即在基板部分的背面带一个凹槽部分（见图10），在凹槽部分中装有不从背面伸出的连接端。模件使用的微波电路连接结构有与上述连接端接触的接触件。

而且，根据本发明的另一种模式，除上述作用之外，还能用于连接集成微波电路模件和其他外部电路，具有接触件的微波电路连接结构弹性地推到模件的连接端。

下面将结合本发明的最佳实施例并参考附图详细说明本发明的上述目的和其他目的，及本发明的优点。

图1是常规的微波电路组件的透视图;

图2是显示本发明的一个实施例结构的部分部件分解透视图;

图3是图2所示实施例的功能***方框图;

图4是按本发明的一个实施例结构的部分断面透视图，用以说明模件的层状结构和带有有源元件的空腔结构;

图5是按本发明的实施例中的发热点位置与VIA孔之间的关系示意图;

图6是按本发明的实施例中的电流与热同时散射结构的示意图;

图7是按本发明的实施例中的具有用除去内层里的介电体而构成的小空腔的结构示意图;

图8是按本发明的一个实施例的结构的部分断面的透视图，用以说明其连接结构和构形;

图9是微波电路连接器的一部分的部分断面的放大图，用以说明集成微波电路模件和微波电路连接器装配在一起的情况;

图10是按本发明的一个实施例的微波电路模件的背面透视图;

图11是与图9所示微波电路连接器类似，但有一个附加的金属基板的，微波电路连接器的一部分的部分断面的放大图;

图12一个微波电路连接器的一部分的放大剖面图，它用了一个弹簧圈，说明要该连接器中集成微波电路模件与波导的连接状态;

图13是一个与图12所示类似的微波电路连接器的一部分的部分剖面放大图，与图12有所不同的是，它有一个附加的金属基板;

图14是一个波导连接器的中心导体的部件分解透视图;

图15是作为按本发明一个实施例的微波电路连接器的一种改型结构的放大剖面图;

图16是沿图15中的A-A线的放大剖面图;

图17是作为本发明另一实施例的连接结构示意图，在该结构中的集成微波电路模件与微波电路连接器以相反位置连接;

图18（a）和18（b）是按本发明的另一实施例的用作顶面连接的结构透视图，图18（a）表示出在结构中安装有电路连接器的情况，图18（b）表示结构中没安装电路连接器的状态。

现在，参考附图说明本发明的最佳实施例。

图2所示的本发明的一个实施例的透视图中，介电基片20焊在金属基板21上，所说的介电基片包括多层陶瓷或类似物。基片20中包含这样一些有源电路，如用MMIC    IC、晶体管、二极管构成的电压控制振荡器（VCO）23，放大器（AMP）24，预定标电路（PSC）25，混合器（MIX）26，可变衰减器（ATT）27，功率放大器，和检波器（DFT）29，也包括这样一些无源电路，如用带线，微带线和共平面线构成的矢量耦合器（DC）30，带通滤波器（BPF）31，和低通滤波器（LPF）32。这些电路相互电耦合或连接，用导电帽33屏蔽有源电路部件，由此构成集成电路模件。图2所示的模件中，与现有技术不同的是，没有用于连接到外部去的向外伸出的尾销，只有其内有连接器结构的模件的背面构成的一个凹部。如图10所示。将在后面详细说明的连接器结构有一个加有弹簧的专用的连接销，通过这种连接结构实现组件与外部电路的连接。

图3是图2所示发明实施例的功能***方框图。该方框图表示了微波发射机的一般结构。现在要说明该部件的工作。在电压控制振荡器（VCO）23的输出耦合到混合器（MIX）26之前用放大器（AMP）24放大。第一矢量耦合器（DC）30将放大器（AMP）24的输出耦合至预定标电路（PSC）25，在使该输出输入到频率监测端（PSC输出）之前分频。来自IF信号输入端（IF    IN）的中间频率信号耦合至混合器26，用于频率转换，以产生一个耦合至带通滤器（BPF）31的输出，用以抑制不需要的频率组分。总信号在耦合到功率放大器（PA）28放大之前耦合到可变衰减器（ATT）27用于电平控制。功率放大器（PA）28的输出耦合到低通滤波器（LPF）23，用于抑制谐波频率。总的输出通过第二矢量耦合器（DC）30，成为从RF信号输出端（RF输出）的输出。部分输出信号也耦合到检波器（DET）29，成为从检波信号输出端（DET-V）来的电平监测信号的输出信号。

图4示出了按本发明形成集成微波电路模件的层状结构和空腔结构的方法的实例。电源和除射频外的信号如偏移信号用的层状结构包括下层接地面40，中间RF信号层41和42。上层接地面43，和布线层44。

除去用于射频信号传输的中间层上的介质，构成空腔部分60，用模片键合法将像MMIC这样的有源功能元件45安装在空腔内，并用连接线46（或TAB技术）将其连接到信号导条47或电源导条48上。

除去介电层露出的用以形成空腔60的上层接地面，用导电帽33复盖并电屏蔽。在空腔之外的整个部分设置许多通孔（VIA孔）50，通过这些通孔使各个下层和上层40和43的接地面相互连接。因而能获得减少模件中电路间耦合和减小与外部电路耦合的屏蔽作用。为降低电源线的阻抗，内层中设置了一个叠层电容器（LC）52作为旁路电容器。

半导体单片安装在位于中间层上的导体的单片安装区53上，单片安装区53通过许多VIA孔55连接到下层接地面40，从而使元件安装接地面具有的RF阻抗有效地降低。VIA孔用金属填充，以便提供一种能降低对低层热辐射的热阻的热VIA结构。

而且，如图5所示，热VIA结构可以设置在正下方的局部发热区56中，如半导体单片中的晶体管区内，以便进一步降低热阻，增加热辐射。而且，电路元件像半导体单片中的发热量大，因此必须再次减小热阻，可以除去最接近下部电路元件的结构部分，允许电路元件直接安装在基板21上，由此能提高热辐射。

除了用半导体自身的保护薄膜保护之外，在半导体单片上涂复树脂或类似物实现像半导体单片45这样的电路元件的保护。但是，除涂复树脂之外，或不用树脂，可以用导体帽33、如上述的，进行密封，以实现对半导体单片的保护。

而且，可以使用图6所示的结构，结构中设置许多导体层区，作为在单片安装区53与带有连接在一起的电容器区61的下层接地层40之间的交替电容器和接地区61和62，并且接地面53与接地区62通过IA孔连接在一起，构成叠层电容器。由于这种叠层电容器像旁路电容器一样连接到安装好的半导体单片45上，热通过叠层电容器区61和63从侧面扩散，由此，使热阻减小，以允许高频电流和热同时散射。

现在说明信号耦合用布线结构，射频信号的耦合主要由中间层部分里的导体图形完成。如图4所示，中间部分内的射频信号层41和42之间设置了极薄的介质层，用薄的介质层两个侧面上的导电图形构成电容耦合，于是获得了传输线，以闭锁DC元件，由此，实现了有源电路之间的去耦。尽管在中间层内都可以制成电源用布线和给每个有源器件提供信号用的布线，然而，具有已制成布线的其他介质层是设置在上层接地层43上的，构成导体图形57作为布线用引线层。

由于导体图形57的布线层放在多层基片的上表面上，其优点是表面安装器件可以连接到导体图形57，以便构成一部分电路。

此外，在制成的连接至内层的连接部分可以设置区58，如图4所示，由它与接地层正下部的区58一起构成电容器。这样构成的电容器用作旁路电容器，以阻止射频信号从内层泄漏。

图7更详细地示出了本发明的结构。如图所示，除去介质构成许多小空腔71，所以这些小空腔分布在每层内层中。该结构能有效地减小介电常数，降低延迟时间和降低电路损耗。

此外，形成小空腔，使它们在每层中的位置不同，从而避免相互重叠，这就有可能提高基片的机械强度，并提高传输线的电气均匀性。

此外，有一种结构，该结构中，多层基片的外圆周表面由用导体形成的金属化层73构成的接地表面形成，导体完全复盖RF电路，因而进一步提高屏蔽。而且，在多层基片20的下边设置一金属基板21，能有效地改善热辐射特性并提高机械强度。

如上面所解释的，按照本发明，可以大大地减少所必须的元件数量和连接所必须的连接线的数量，这两个因素使模件的成本降低，并使射频特性改善。

因此，能够实现令人满意的屏蔽，减少电路之间的干扰和无益的共振并改善所需的性能。除此之外，还不需要任何特殊的屏蔽外壳，这有助于减少设备的体积。

由于外部电路也包括在一个统一的集成整体中这就有可能减少迄今仍然必需的装配层的数量。

因此，本发明对于改善MMIC技术的集成技术有显著作用，它不适于无源元件的组装，尽管它适于有源电路集成。本发明有许多优点，例如，减少电路尺寸，降低造价，这在工作上非常有益。

现在，详细说明将上述微波电路模件与外部电路连接所用的微波电路连接结构。

由于上述的集成微波电路模件既没有突出的接线柱也没有引线，而仅将变成连接端的电极设置在基片背面。因此，模件与外部电路的连接需用具有与模件连接端能弹性接触的接触件的连接结构来实现。集成微波电路模件没有任何突出的接线柱或引线，它是一种非常容易制造的平板式结构。本发明的集成微波电路模件的特征是微波信号限制在多层陶瓷基片内，除了连接外部电路所用的开孔之外没有任何电气开孔。用微波电路连接结构连接与外部屏蔽的基片，微波电路连接结构具有线或图形结构，它也是与外界屏蔽的，这就有可能不用任何屏蔽外壳，使微波电路的连接和安装结构具有小尺寸，而且非常简单。屏蔽外壳的尺寸大，并使装配变的很复杂。就这点而言，假若不用任何屏蔽外壳能构成微波电路将是非常有用的。

图8是集成微波电路模件80和微波电路连接结构81的部分剖面的透视图。图中标号83是安装板，全部微波电路安装在该安装板上，它可以用金属或非金属制造。在此所示的实例中，集成微波电路模件80的微波信号引出端的一个终端连接到波导84。而且，用波导突缘85连接外部电路。标号86是波导连接终端，它通过弹性接触连接到波导84。

集成微波电路模件可以使用其它具有相同结构或类似结构的模件或者可以与常规的MIC（微波集成电路），或装在一密封管座的MMIC模件结合使用。图8中，标号82是包封在管座中的常规MIC。标号87是DC和低频信号接线柱。每个接线柱通过插孔连接器连接到印刷电路板口。标号88是同轴连接件。

图9是微波电路模件80的一部分和微波电路连接器81的一部分的放大图。图10是本发明的微波电路模件的背面透视图。图11所示的结构与图9所示结构类似，其差别仅仅是模件80除包括单一的多层陶瓷基片20外，还包括一个粘接上的金属基板21，用以改善热辐射性和提高机械强度。标号90是带线中心导体，它的一端连接或耦合到图4所示的RF信号层41或42，它的另一端通过填充了导体的通孔92连接到连接端91。

多层陶瓷基片80的底表面除引出端91附近区之外都用接地导体薄膜复盖，引出端91用于连接外部电路，如说明模件背面图的图10所示，微波电路连接器81包括一屏蔽外壳93，屏蔽外壳93中包含有接触弹簧片（也作为中心导体）94，和支承弹簧94的绝缘支架95和96。用屏蔽盖97使中心导体94与外部屏蔽，屏蔽盖97屏蔽了屏蔽外壳93的开孔，并且还用作连接到传输线外导体的导线。接触弹簧片94与基片背面上的引出端91之间***一活塞式接触件98，它借助于设置在绝缘支承体95上的导向轴套在轴向滑动，因此在引出端91与接触弹簧片94之间能达到电气连续。由于接触弹簧片94的弯曲位移产生的力，给活塞式接触件98一个接触压力，使活塞式接触件98与引出端91从而与中心导体90接触。

图12和13是集成微波电路模件80的基片20上的微波引出端91与波导84之间的连接结构的放大剖面图。此，图12中所示结构与图13中所示结构也有差别，前者使用的是单一基片20，后者使用的是在基片20上粘接一个金属基板21。

从图9和11中已发现，基片20中的带线中心导体90与基片表面20上的引出端91是经填充了导体的通孔92相互连接的，对与波导4的连接来说使用完全相同的结构。唯一的差别是用了波导连接器100来代替微波电路连接器81。

现在要说明波导连接器100的结构。波导连接器100由介质元件101和中心导体102构成。介质元件101的顶表面邻接基片20的底表面、中心导体102包括一个外轴套104，一个内轴套106和一个弹簧线圈108。内轴套106是可滑动地***外轴套104中，弹簧线圈108安装在两个轴套中，使两个轴套104和106轴向强制分开。虽然中心导体102的构成部分允许相互移动或滑动，但它们应是电气上的整体。因此，外轴套104形成了多个开槽，如图14所示，因此在两个轴套之间获得了令人满意的电接触，这种结构使集成微波电路模件80与波导84之间容易相互连接。

上面详细说明了按本发明的微波电路连接结构的最佳实施例，这些实施例的各种改型或开发型都是可能的。图15所示的结构所采用的弹簧片中心导体120，它的每一端均有一个整体的接触件120a。与上述实施例比较，该实施例包括较少的元件，而且传输线较少电中断。图16是图15中沿A-A线的剖面图，用于详细说明接触部分。如图中所示，弹簧片形的中心导体120的端部120b与集成微波电路模件80的微波引出端91弹性接触。

其它的可能采用微波连接器的改型，在前述的实施例中，微波电路连接器81掩埋在电路安装板83中。但是，在某些情况下不希望将，例如，波导电路或类似物掩埋在安装板83中。在这样的情况下，如图11所示，基片20中的中心导体90是通过通孔92导引到基片20顶表面上的微波引出端91。

图18（a）和（18）b是顶表面连接***的一个实例的透视图。微波连接器81***浅的凹槽或洼处150中定位，其每一个设置在带微波引出端91的基片的顶表面作为中心，并加压使其固定，凹槽150是定位装置以获得正确接触连接并降低传输线的不连续性。

按照本发明，多个集成微波电路模件可以组装成更大规模的微波电路，由此能得到信号耦合，这种微波电路稳定，并具有令人满意的射频特性，（而，不连续性少）;而且它是用接触连接而不是用性能很不稳定的焊接连接获得的。

而且，除了上述的高性能和稳定耦合之外，按照本发明的微波电路连接结构，由于不用大而笨的屏蔽外壳，也不用任何电缆连接器，因而使电路体积大大地减小，就可能使像电子扫描天线的发射机和接收机模件以及微波和中波通信设备这样的设备的体积大大减小。

用上述的连接和安装结构，很容易用新的模件替换有故障的模件。因而这对于在生产线上进行模件替换有极大好处，而且，也对在使用中或在维修中心对模件修理有很大好处。而且由于连接性能的不稳定性小，因此，只需对模件进行机械性替换，而不需调整。

如上所述，尽管按本发明的微波电路连接和安装结构应用于集成微波电路模件时最有效;但这不能限制它只应用于这里所述的情形。

这里所述的发明实施例不能理解为是对发明的限制，那些在所附加的权利要求书中所要求保护的范围内所作的改变，从广义上说均不脱离本发明的实质和精神。

Claims (17)

1、一种集成微波电路模件(80)包括：

一个由多层介质薄膜叠层构成的介质基片20，它包括底层、中间层和上层，所述的底层和所述的上层分别包括底层接地面(40)和上层接地面(43)，所述中间层包括射频信号传输用射频信号电路，它由至少一导电层(41、42)构成，所述射频信号电路包括有源电路元件和无源电路元件，它们相互连接构成集成结构；

许多通孔(50)，它们沿所述射频信号电路配置，这些通孔填充金属，使所述上层接地面(43)与所述底层接地面(40)短路，所述射频电路用所述通孔屏蔽；和

元件安装腔(60)，它设置在所述的中间层上，所述中间层有一部分介质被除去，有源元件安装在除去介质的中间层部分，所述元件安装腔用导本板件(33)复盖。

2、按照权利要求1的集成微波电路模件，其特征在于所述的有源元件包括由微波单片集成电路、集成电路、晶体管或二极管构成的电压控制振荡电路（23），放大器（24），预定标器（25），混合器（26），可变衰减器（27），功率放大器（28）和检波器（29），所述的无源电路元件包括用带线、微带线或共平面线构成的定向耦合器（30），带通滤波器（31）和低通滤波器（32）。

3、按权利要求1的集成微波电路模件，其特征在于所述元件安装腔（60）有在所述中间层上的元件安装导体区（53），所述元件安装导体区由许多填充有金属的热通孔（55）连接到所述底层接地面（40），以降低热阻，提高相对于所述底层的热辐射。

4、按权利要求3的集成微波电路模件，其特征在于所述的每个热通孔（55）位于安装在所述元件安装区（53）上的所述有源电路元件的正下部的局部发热区。

5、按照权利要求3的集成微波电路模件，其特征在于它包括多个位于所述元件安装导体区（53）与所述底层接地区（40）之间的由导电层构成的导电区，所述导电区是将作为电容器区（61）和作为接地区（62）交替配置的，所述电容器区（61）被连接在一起，所述接地区（62），与所述底层接地面（40）。通过许多填充有金属的热通孔（63）分别连接在一起，形成用作旁路电容器的叠层电容器，以使元件安装在所述元件安装导体区（53），并用于横向热扩散，降低热电阻。

6、按权利要求1的集成微微波电路模件，其特征在于包括形成在所述中间层上的薄介质膜，在它的两个相对边上所述的薄介质薄膜有导电图形，构成电容性耦合，由此构成能闭锁直流元件的传输线。

7、按权利要求1的集成微波电路模件，其特征在于还包括在所述上层上的布线层（57）、它们之间有一介质层，位于所说的布线层的导体区（58），连接到所述中间层中的射频信号电路;所述导电区（58）和所述上层接地面（43）在所述导体的正下方构成电容器，以中断从所述中间层泄漏射频信号。

8、按权利要求1的集成微波电路模件，其特征在于包括焊接在所述介质基片20上的金属基板（21），以便提高热辐射和机械强度。

9、按权利要求1的集成微波电路模件，其特征在于、每层所述底层、中间层和上层除去各层上的介质，在每层上形成分散的小空腔（71）。

10、按权利要求9的集成微波电路模件，其特征在于所述小空腔（71）在每一层上的位置是错开的，以避免相互重迭。

11、按权利要求1的集成微波电路模件，其特征在于还包括连接端（91），它与所述射频信号电路耦合或连接，它淀积在所述介质基片（20）的表面部分，但不从表面上伸出。它使之与外部电连接。

12、按权利要求11的集成微波电路模件，其特征在于还包括微波电路连接结构（81）用于连接所述连接端（91）到其他外部电路的接线端（82、84），所述微波连接结构有接触件，它弹性地推向所述连接端。

13、按权利要求12的集成微波电路模件，其特征在于所述接触件包括活塞式导体柱（98），用弹簧片导体（94）推向所述连接端（91）。

14、按权利要求12的集成微波电路模件，其特征在于所述接触件包括外和内导体轴套（104、106），它们与包容在轴套中的弹簧件（108）套装在一起。

15、按权利要求14的混合集成电路模件，其特征在于所述外导体轴套（104）在其圆周上有多个开槽部分。

16、按权利要求12的集成微波电路模件，其特征在于所述接触件由板簧（120）构成，板簧（120）由接触件（120a、120b）整体地构成，导体弹簧元件将所述接触件推向连接端（91）。

17、按权利要求13的集成微波电路模件，其特征在于所述弹簧片导体（94）和所述接触件（98）被包含在屏蔽外壳（93、97）中。

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