CN108845449A - 柔性显示面板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开一种柔性显示面板及其制造方法。所述制造方法包括：形成彩膜基板和阵列基板，所述阵列基板包括黄色PI基底，所述彩膜基板包括透明PI基底及形成于透明PI基底上的黑矩阵层，所述黑矩阵层在柔性显示面板的非显示区的部分开设有透光区；将彩膜基板和阵列基板对盒，并在两者之间设置封框胶，封框胶与透光区至少部分重叠；从彩膜基板一侧进行UV光照，使得UV光透过透明PI和透光区照射至封框胶并使其固化。基于此，本申请能够有利于封框胶的固化。

Description

柔性显示面板及其制造方法
技术领域
本申请涉及液晶显示技术领域，具体而言涉及一种柔性显示面板及其制造方法。
背景技术
当前，柔性显示面板一般采用极薄玻璃(即厚度极小的透明玻璃)、透明PI(Polyimide,聚酰亚胺)、黄色PI来制作基底(又称柔性基底)。其中，极薄玻璃在弯折时易碎，业界使用较少，而相比较于黄色PI基底，透明PI基底虽然也具有可挠性强、耐冲击等优点，但其引入脂环结构、含氟结构、砜基或醚键等，破坏了聚酯亚胺分子结构的平面共轭性，热分解温度较低。因此，为了确保柔性基底在柔性显示面板的半导体等高温制程中保持稳定，利用黄色PI制作柔性基底已成为业界主流。但，黄色PI基底对短波长(波长小于430nm)光的透过率较低。
结合图1所示，柔性显示面板10包括相对间隔的彩膜基板12和阵列基板11、以及设置于两者之间的封框胶13，该封框胶13位于柔性显示面板10的非显示区14，且设置于阵列基板11的扇形走线(fanout，又称metal fanout,即金属扇形走线)111上，彩膜基板12朝向阵列基板11的一侧设有黑矩阵层121，且该黑矩阵层121完全覆盖彩膜基板12的非显示区14，在对封框胶13的固化过程中，结合图2所示的空白箭头所示，从阵列基板11的一侧进行UV(Ultraviolet,紫外光)光照，UV光从阵列基板11的黄色PI基底112透过并最终照射至封框胶13，从而使得所述封框胶13固化。但是，UV光为短波光，黄色PI基底112对UV光的透过率较低，这显然不利于封框胶13的固化。
发明内容
有鉴于此，本申请提供一种柔性显示面板及其制造方法，能够有利于封框胶的固化。
本申请一实施例的柔性显示面板的制造方法，包括：
形成彩膜基板和阵列基板，所述彩膜基板包括透明PI基底及形成于所述透明PI基底上的黑矩阵层，所述黑矩阵层在所述柔性显示面板的非显示区的部分开设有透光区；
将所述彩膜基板和阵列基板对盒，并在两者之间设置封框胶，所述封框胶与所述透光区至少部分重叠；
从所述彩膜基板一侧进行UV光照，使得UV光透过所述透明PI基底和所述透光区照射至所述封框胶并使所述封框胶固化。
本申请一实施例的柔性显示面板，包括相对间隔的彩膜基板和阵列基板、以及设置于两者之间的封框胶，所述封框胶位于所述柔性显示面板的非显示区，所述彩膜基板包括透明PI基底及形成于所述透明PI基底上的黑矩阵层，所述黑矩阵层在所述柔性显示面板的非显示区的部分开设有透光区，所述透光区允许UV光透过并照射至所述封框胶以使所述封框胶固化。
有益效果：本申请从所述彩膜基板一侧对封框胶进行UV光照，UV光穿透彩膜基板的透明PI基底以及黑矩阵层的透光区，即可照射至所述封框胶并使所述封框胶固化，由于透明PI基底对短波UV光的透光率较高，因此本申请能够有利于封框胶的固化。
附图说明
图1是现有技术的柔性显示面板一实施例的结构剖面示意图；
图2是本申请一实施例的柔性显示面板的结构剖面示意图；
图3本申请的柔性显示面板的制造方法一实施例的流程示意图；
图4是本申请另一实施例的柔性显示面板的结构剖面示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本申请的各个实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。在不冲突的情况下，下述实施例及其技术特征可以相互组合。并且，全文所采用的方向性术语，例如“上”、“下”等，均是为了更好的描述各个实施例，并非用于限制本申请的保护范围。
图2是本申请一实施例的柔性显示面板的结构剖面示意图。请参阅图2，柔性显示面板20包括相对间隔的阵列基板(Thin Film Transistor Substrate，简称TFT基板,又称薄膜晶体管基板或Array基板)21和彩膜基板(Color Filter Substrate，简称CF基板,又称彩色滤光片基板)22以及填充于两基板之间的液晶(液晶分子)23。该液晶23位于阵列基板21和彩膜基板22叠加且密封形成的液晶盒内。
阵列基板21包括基底211以及形成于该基底211上的各层结构，基底211采用黄色PI材料制得，又称为黄色PI基底，而所述各层结构包括但不限于为：遮光层、缓冲层、薄膜晶体管(Thin-film transistor,TFT)、平坦层和像素电极，其中薄膜晶体管包括依次形成于缓冲层上的多晶硅半导体层(polycrystalline silicon,P-Si)、绝缘层(Gate InsulationLayer,GI,又称栅极绝缘层)、栅极、介质隔离层(Interlayer dielectric isolation,ILD,又称层间介质隔离)以及由源极和漏极形成的源漏电极层，鉴于栅极位于多晶硅半导体层的上方，所述阵列基板21可视为具有顶栅型设计。当然，所述阵列基板21也可以采用底栅型设计。上述各层结构之间的设置及连接，可参阅现有技术，此处不予以赘述。
彩膜基板22包括基底221及形成于基底221上的各层结构，基底221采用透明PI材料制得，又称为透明PI基底，而所述各层结构包括但不限于为：黑矩阵层222和彩色滤光片(又称色阻)和保护层，该彩色滤光片可以包括红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻。
当然，上述彩膜基板22和阵列基板21还可以设置有其他层结构，例如偏光片、扩散片、公共电极等，这些其他层结构可参阅现有技术，本申请在附图中并未全部予以示出。
所述阵列基板21和彩膜基板22之间设置有封框胶24，该封框胶24可以为环状设置，并用于限定所述液晶盒的所在区域，以及粘合阵列基板21和彩膜基板22，并控制所述液晶盒的厚度。于此，该封框胶24位于所述柔性显示面板20的非显示区25中，具体地，该封框胶24可以位于所述阵列基板21的扇形走线212上。
不同于图1所示的现有技术，在非显示区内25，所述黑矩阵层222设置有间隔设置的多个开口223，所述开口223允许短波光(以UV光为例)透过。这些开口223的形状包括但不限于为矩形、圆形。
在柔性显示面板20的制造过程中，具体地，在将彩膜基板22和阵列基板21对盒并在两者之间设置封框胶24之后，所述封框胶24与多个开口223所在区域至少部分重叠(即两者所在区域上下重叠)，此时，参阅图2所示的空白箭头，从彩膜基板22的外侧进行UV光照，UV光穿透彩膜基板22的透明PI基底221以及黑矩阵层222的多个开口223，即可照射至封框胶24，从而使得封框胶24固化。
相比较于图1所示的现有技术从阵列基板11的黄色PI基底112一侧进行UV光照，本申请从所述彩膜基板22的透明PI基底221一侧进行光照，由于所述透明PI基底221对短波UV光的透光率较高，因此本申请能够有利于封框胶24的固化。
为了保证彩膜基板22的各层平坦化，所述开口223内可以填充有透光材料，且在朝向阵列基板21的一侧，所述透光材料与黑矩阵层22的表面平齐。应理解，所述透光材料应具有良好的透光率，其可以为环氧树脂和聚酯树脂中的任一种。
图3本申请的柔性显示面板的制造方法一实施例的流程示意图。如图3所示，所述柔性显示面板的制造方法可包括步骤S31～S33。
S31：形成彩膜基板和阵列基板，所述彩膜基板包括透明PI基底及形成于透明PI基底上的黑矩阵层，所述黑矩阵层在柔性显示面板的非显示区的部分开设有透光区。
S32：将彩膜基板和阵列基板对盒，并在两者之间设置封框胶，所述封框胶与所述透光区至少部分重叠。
S33：从彩膜基板一侧进行UV光照，使得UV光透过所述透明PI基底及所述透光区照射至封框胶并使所述封框胶固化。
本实施例所述方法可用于制得图2所示柔性显示面板20，于此：
结合图2所示，在形成彩膜基板22的步骤S31中，本申请在透明PI基底221上形成的黑矩阵层222可完全覆盖所述非显示区25，然后在所述黑矩阵层222位于所述非显示区25的部分形成多个开口223，所述多个开口223即可视为上述透光区。
其中，本申请可采用刻蚀工艺形成所述开口223，具体地，在黑矩阵层222上形成一层光刻胶，然后采用光罩对光刻胶进行曝光，曝光部分的光刻胶被显影去除，而未曝光部分的光刻胶无法显影去除并得以保留，接着对黑矩阵层222的未被光刻胶遮盖的区域进行刻蚀，去除该区域的黑矩阵层222即形成所述开口223，最后去除剩余光刻胶。
本实施例所述方法可用于制得图2所示柔性显示面板20，因此具有与图2所示实施例相同的有益效果。
图4是本申请另一实施例的柔性显示面板的结构剖面示意图。为便于描述，本申请采用相同的标号来标识相同名称的结构元件。在前述图2所示实施例的描述基础上，但与其不同的是，本实施例的黑矩阵层222仅形成于柔性显示面板20的显示区(Active Area,有效显示区)26，而柔性显示面板20的非显示区25并未有任何黑矩阵层222。
在柔性显示面板20的制造过程中，具体地，在将彩膜基板22和阵列基板21对盒并在两者之间设置封框胶24之后，参阅图4所示的空白箭头，从所述彩膜基板22的外侧进行UV光照，UV光穿透所述彩膜基板22的透明PI基底221以及所述非显示区25，即可照射至封框胶24，从而使得封框胶24固化。
相比较于图1所示的现有技术从阵列基板11的黄色PI基底112一侧进行UV光照，本申请从所述彩膜基板22的透明PI基底221一侧进行光照，由于所述透明PI基底221对短波UV光的透光率较高，因此本申请同样能够有利于封框胶24的固化。
进一步地，为了保证彩膜基板22的各层平坦化，所述非显示区25内也可以填充有透光材料，且在朝向阵列基板21的一侧，所述透光材料与黑矩阵层22的表面平齐。
本实施例的柔性显示面板20也可以采用图3所示的方法制得，具体地，在所述透明PI基底221上形成黑矩阵层222的过程中，所述黑矩阵层222仅形成于所述柔性显示面板20的显示区26。或者，在所述透明PI基底222上形成的黑矩阵层222完全覆盖所述非显示区25，然后去除所述黑矩阵层222位于所述非显示区25的部分。
其中，所述黑矩阵层222未设置于所述非显示区25，可视为所述黑矩阵层222也设置有透光区，该透光区即为所述非显示区25。
应理解，本申请所述透光区还可以有其他设置，并不仅限于图2所示的多个开口223以及图4所示的黑矩阵层222设计，只要该透光区与封框胶24至少部分重叠，且允许UV光从透明PI基底221照射并透过该透光区照射至封框胶24并使所述封框胶24固化即可。
进一步地，本申请的柔性显示面板20包括但不限于为柔性液晶显示面板，例如LTPS(Low Temperature Poly-silicon,低温多晶硅技术)液晶显示面板。
以上所述仅为本申请的实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，例如各实施例之间技术特征的相互结合，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种柔性显示面板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
形成彩膜基板和阵列基板，所述彩膜基板包括透明PI基底及形成于所述透明PI基底上的黑矩阵层，所述黑矩阵层在所述柔性显示面板的非显示区的部分开设有透光区；
将所述彩膜基板和阵列基板对盒，并在两者之间设置封框胶，所述封框胶与所述透光区至少部分重叠；
从所述彩膜基板一侧进行UV光照，使得UV光透过所述透明PI基底和所述透光区照射至所述封框胶并使所述封框胶固化。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述彩膜基板的步骤，包括：
在所述透明PI基底上形成黑矩阵层，所述黑矩阵层完全覆盖所述柔性显示面板的非显示区；
在所述黑矩阵层位于所述非显示区的部分形成多个开口，所述开口允许所述UV光透过并照射至所述封框胶。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述黑矩阵层位于所述非显示区的部分形成多个开口之后，所述方法还包括：
在所述开口内填充透光材料，且在朝向所述阵列基板的一侧，所述透光材料与所述黑矩阵层平齐。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述透光材料包括环氧树脂和聚酯树脂中的任一种。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述彩膜基板的步骤，包括：
在所述透明PI基底上形成黑矩阵层，所述黑矩阵层仅形成于所述柔性显示面板的显示区；
或者，在所述透明PI基底上形成黑矩阵层，所述黑矩阵层完全覆盖所述非显示区，并去除所述黑矩阵层位于所述非显示区的部分。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在形成所述黑矩阵层之后，所述方法还包括：
在所述非显示区填充透光材料，且在朝向所述阵列基板的一侧，所述透光材料与所述黑矩阵层平齐。
7.一种柔性显示面板，包括相对间隔的彩膜基板和阵列基板、以及设置于两者之间的封框胶，所述封框胶位于所述柔性显示面板的非显示区，其特征在于，所述彩膜基板包括透明PI基底及形成于所述透明PI基底上的黑矩阵层，所述黑矩阵层在所述柔性显示面板的非显示区的部分开设有透光区，所述透光区允许UV光透过并照射至所述封框胶。
8.根据权利要求7所述的柔性显示面板，其特征在于，所述黑矩阵层位于所述非显示区的部分设置有间隔设置的多个开口，所述开口允许所述UV光透过并照射至所述封框胶。
9.根据权利要求7所述的柔性显示面板，其特征在于，所述黑矩阵层仅形成于所述柔性显示面板的显示区。
10.根据权利要求7～9任一项所述的柔性显示面板，其特征在于，所述透光区内填充有透光材料，且在朝向所述阵列基板的一侧，所述透光材料与所述黑矩阵层平齐。
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