CN103824810B - 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 101
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title abstract description 26
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 90
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 75
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 32
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 21
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 13
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 9
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 3
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000012216 screening Methods 0.000 claims description 2
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 claims description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 12
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 2
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 1
- JDZCKJOXGCMJGS-UHFFFAOYSA-N [Li].[S] Chemical compound [Li].[S] JDZCKJOXGCMJGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006280 packaging film Polymers 0.000 description 1
- 239000012785 packaging film Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
- H01L21/3081—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
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Abstract
本发明提供一种薄膜晶体管液晶显示面板及其制造方法。本发明的技术方案是在薄膜晶体管液晶显示面板的平坦化层中划分出移除区，将该移除区内的所有有机光阻材料完全去除，把框胶直接涂布在更易粘牢的保护层上，从而获得更好的框胶粘合效果。这样，本发明提供的薄膜晶体管液晶显示面板的整体结构粘合得更加牢固，相对于现有技术可以有效地提高产品良率，且其制造方法简单易行。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示器领域，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。
背景技术
多媒体社会的急速进步多半是受惠于半导体元件及显示装置的飞跃性进步。就显示面板而言，具有高画质、空间利用效率佳、低功耗、无辐射等优越特性的薄膜晶体管液晶显示面板(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)已经逐渐成为市场的主流。
一般来说，薄膜晶体管液晶显示面板是由薄膜晶体管阵列基板、液晶层以及彩色滤光基板所构成。在制造过程中，通常会在薄膜晶体管阵列基板上涂布一层框胶(sealant)，利用框胶的粘性将薄膜晶体管阵列基板与彩色滤光基板贴合，并将液晶层封装在薄膜晶体管阵列基板与彩色滤光基板之间。
请参阅图1，现有的薄膜晶体管液晶显示面板制程中，薄膜晶体管阵列基板的制造方法一般包括以下步骤：
一、形成薄膜晶体管。具体方法是首先在一基板主体110的上表面使用导电材料(例如金属等)形成薄膜晶体管的栅极111，然后使用绝缘材料(例如氧化硅或氮化硅等)在所述基板主体110的上表面上形成绝缘层112，该绝缘层112在业内一般称为栅极保护层或栅介电层，将所述基板主体110的上表面连同所述栅极111一同覆盖。接下来，采用半导体材料在所述第一保护层112的上表面上与所述栅极111对应的位置形成薄膜晶体管的半导体层113，该半导体层113用作薄膜晶体管的通道区。然后在该半导体层113上用导电材料(例如金属)堆叠形成薄膜晶体管的漏极114和源极115。
二、使用绝缘材料(例如氧化硅或氮化硅等)在所述绝缘层112的上表面上形成保护层120，该保护层120将所述绝缘层112的上表面以及形成于所述绝缘层112的上表面上的上述半导体层113、漏极114和源极115一同覆盖。
三、使用有机光阻材料在所述保护层120的上表面上形成平坦化层130。
四、使用光罩140盖住所述平坦化层130的上表面，然后对所述光罩140的上表面进行曝光。在曝光过程中，所述平坦化层130的被光罩140覆盖的部分不会受到影响，对应于所述光罩140上的开孔的部分则会在光照下变性。例如，图1所示的所述光罩140上设有开孔141，因此在曝光时，所述平坦化层130正对所述开孔141的部分会受到光线照射而变性，从而可以被后续的蚀刻制程移除；其他部分则保持原有的化学性质，不会被后续的蚀刻制程移除。该曝光过程的目的是为了形成从上述漏极114或源极115引出配线的引线孔，因此在将所述光罩140盖在所述平坦化层130上时，所述开孔141应该垂直地对准所述漏极114或源极115。图1的例子中，所述开孔141是对准所述源极115。
五、曝光后，对所述平坦化层130进行光阻显影。在该光阻显影的过程中，所述平坦化层130正对所述开孔141的部分由于化学性质在光照下发生了改变，因此会被蚀刻药剂溶解及移除。所述平坦化层130的其他部分并未受到光线照射，因此不会被蚀刻药剂溶解，仍然覆盖在所述保护层120上方。这样，就在所述平坦化层130上形成了与所述光罩140的开孔141相对准，也就是垂直地对准所述源极115的连通孔150。所述保护层120的一部分从所述连通孔150底部暴露出来。
六、在所述平坦化层130上形成上述连通孔后，进行蚀刻，将所述保护层120通过所述连通孔150暴露出来的部分去除，在所述保护层120上形成和所述连通孔150相通的引线孔160，所述源极115通过所述连通孔150和所述引线孔160部分地暴露出来。这样，从所述源极115引出的配线(图未示)即可通过所述连通孔150和所述引线孔160与外界的其他电子元件建立电性连接，使所述薄膜晶体管发挥功能。
七、在剩余的所述平坦化层130的上表面上涂上框胶，即可利用框胶的粘性将薄膜晶体管阵列基板与彩色滤光基板贴合，同时将所述薄膜晶体管封装在基板主体110与彩色滤光基板之间。
但是，在现有技术中，框胶与构成平坦化层130的有机光阻材料之间的粘合力一般较差，难以取得足够牢固的粘接效果。因此，当采用上述方法制造的薄膜晶体管阵列基板被用于制造薄膜晶体管显示面板时，经常会由于粘接不牢而导致薄膜晶体管阵列基板与彩色滤光基板之间出现缝隙甚至完全脱离，对产品质量造成很大影响。
发明内容
鉴于上述状况，有必要提供一种具有更好的框胶粘合效果，便于组装，有利于提高产品良率的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。
本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，该方法包括以下步骤：
S1，在基板主体上形成薄膜晶体管，使用绝缘材料形成覆盖所述基板主体与所述薄膜晶体管的保护层，使用有机光阻材料在所述保护层表面形成平坦化层；
S2，将所述平坦化层划分为显示区与移除区，对所述显示区的选定区域进行完全曝光，对整个所述移除区进行不完全曝光；
S3，进行光阻显影，在所述显示区的所述选定区域形成连通孔，同时使所述移除区被部分地移除而在所述保护层上形成厚度比所述平坦化层薄的遮蔽层；
S4，进行蚀刻，在所述保护层上形成和所述连通孔相通，用于引出所述薄膜晶体管的配线的引线孔；
S5，形成所述引线孔后，将所述遮蔽层移除，使所述保护层部分地暴露出来形成粘合区，然后在所述粘合区上涂上框胶。
优选地，所述步骤S2包括以下子步骤：
S21，提供光罩，所述光罩为灰阶光罩或半透膜光罩，包括不透光的遮光区与允许光线部分地透过的半透光区，且所述遮光区开设有位置对准所述显示区的所述选定区域的开孔；使用所述遮光区遮住所述显示区，使用所述半透光区遮住所述移除区；
S22，对所述遮光区与所述半透光区的表面同时进行曝光，使所述显示区的所述选定区域在穿过所述开孔的曝光光线的照射下受到完全曝光，而整个所述移除区在部分地透过所述半透光区的曝光光线照射下受到不完全曝光。
优选地，所述步骤S4中，形成所述引线孔的方法为干式蚀刻。
优选地，所述步骤S4中，采用的蚀刻反应气体为氯气或六氟化硫。
优选地，所述步骤S5中，将所述遮蔽层移除的方法为灰化处理。
优选地，所述步骤S1中，在所述基板主体上形成薄膜晶体管的操作包括以下子步骤：
S11，在所述基板主体的表面上形成薄膜晶体管的栅极；
S12，形成将所述基板主体与所述栅极一同覆盖的绝缘层；
S13，采用半导体材料在所述绝缘层的表面上形成用作所述薄膜晶体管的通道区的半导体层；
S14，在所述半导体层上形成所述薄膜晶体管的漏极和源极。
优选地，所述步骤S3中形成的所述连通孔和所述步骤S4中形成的所述引线孔均对准所述漏极或源极，使所述漏极或源极通过所述引线孔部分地暴露出来。
优选地，所述子步骤S12中，形成所述绝缘层的方法为化学气相沉积法。
优选地，所述步骤S1中，形成所述保护层的方法为化学气相沉积法。
本发明还提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括基板主体、形成在所述基板主体表面上的薄膜晶体管、使用绝缘材料形成的覆盖所述基板主体与所述薄膜晶体管的保护层、以及使用有机光阻材料形成在所述保护层的一部分表面上的平坦化层；所述保护层的另一部分表面上涂设有框胶，形成与所述平坦化层相邻的框胶层。
本发明提供的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法在平坦化层中划分出移除区，将该移除区内的所有有机光阻材料完全去除，把框胶直接涂布在更易粘牢的保护层上，从而获得更好的框胶粘合效果。这样，本发明提供的薄膜晶体管液晶显示面板的整体结构粘合得更加牢固，相对于现有技术可以有效地提高产品良率，且制造方法简单易行。
附图说明
图1是现有的薄膜晶体管阵列基板的制造过程示意图。
图2是本发明较佳实施例提供的薄膜晶体管阵列基板的制造过程示意图。
图3是本发明较佳实施例提供的薄膜晶体管阵列基板的横截面示意图。
具体实施方式
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步的详细说明。
请参阅图2，本发明的一个较佳实施例提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，用于制造一种具有更好的框胶粘合效果，便于组装，有利于提高产品良率的薄膜晶体管阵列基板。该方法具体包括以下步骤。
一、在基板主体上形成薄膜晶体管。首先，提供一基板主体210，该基板主体210材料可以为玻璃，材料的具体类型可以根据现有技术选用。然后，在基板主体210的上表面使用导电材料(例如金属等)形成薄膜晶体管的栅极211，然后使用绝缘材料(例如氧化硅或氮化硅等)在所述基板主体210的上表面上形成绝缘层212，该绝缘层212在业内一般称为栅极保护层或栅介电层，将所述基板主体210的上表面连同所述栅极211一同覆盖。在本实施例中，该绝缘层212采用化学气相沉积法形成。接下来，采用半导体材料在所述绝缘层212的上表面上与所述栅极211对应的位置形成薄膜晶体管的半导体层213，该半导体层213用作薄膜晶体管的通道区。然后在该半导体层213上用导电材料(例如金属)堆叠形成薄膜晶体管的漏极214和源极215。
这里需要指出的是，薄膜晶体管阵列基板中包含的薄膜晶体管数量显然应为多个，但由于该多个薄膜晶体管结构均相同，只要清楚地显示出其中任意一个的结构示意图，就足以让本领域技术人员明白所有薄膜晶体管的基本构造。因此，本实施例中仅是为了显示得更加清楚简明，在图2中仅绘出了一个薄膜晶体管的结构示意图，但本领域技术人员显然应当知道所述薄膜晶体管的数量实际上应为多个，并不限定为一个。
另外，图2及图3所示的薄膜晶体管阵列基板并非完全以实际的大小比例绘制，其中所述薄膜晶体管的栅极211、漏极214和源极215远比实际尺寸更大，但其仅用于清楚说明本实施例的技术方案，并非实际的大小比例。
二、使用绝缘材料(例如氧化硅或氮化硅等)在所述绝缘层212的上表面上形成保护层220，该保护层220将所述绝缘层212的上表面以及形成于所述绝缘层212的上表面上的上述半导体层213、漏极114和源极215一同覆盖。在本实施例中，该保护层220也采用化学气相沉积法形成。
三、使用有机光阻材料在所述保护层220的上表面上形成平坦化层230。该平坦化层230的材料及形成方法都可以是现有技术，此处无需赘述。
四、将所述平坦化层230划分为显示区231和移除区232。在本实施例中，显示区231设置在基板主体210的中心区域，所述薄膜晶体管整体完全被所述显示区231覆盖。在后续制程中，薄膜晶体管阵列基板成品中的液晶层(图未示)可以形成在所述显示区231的上方。由于该液晶层及其形成方法均属于现有技术，此处不再赘述。移除区232设置在基板主体210的***区域，其形状及位置与薄膜晶体管阵列基板成品中的框胶涂布区域的形状及位置一致。
五、提供一光罩24，所述光罩24为灰阶光罩或半透膜光罩，包括不允许任何光线透过的遮光区240与允许光线部分地透过的半透光区242。在灰阶光罩或半透膜光罩中形成上述遮光区240与半透光区242的技术属于现有技术，本领域技术人员不需要实施任何创造性劳动即可实现，因此本实施例中无需赘述。
在所述遮光区240中开设开孔241，所述开孔241的位置对准所述显示区231的选定区域。该选定区域可以是所述显示区231上位置与所述薄膜晶体管的漏极214或源极215相对准的部分。在本实施例中，该选定区域是所述显示区231上位置与所述薄膜晶体管的源极215相对准的部分，即所述开孔241的位置垂直地对准所述源极215。
调整光罩24的位置，使得所述遮光区240遮住所述显示区231的上表面，同时所述半透光区242遮住所述移除区232的上表面。
这里需要指出的是，由于薄膜晶体管阵列基板中的薄膜晶体管数量为多个，因此所述遮光区240上开设的开孔241的数量也应该是多个，每个开孔241的位置与一个薄膜晶体管的漏极214或源极215对准。本实施例中仅是为了显示得更加清楚简明，在图2所示的遮光区240上仅绘出了一个与一薄膜晶体管的源极215对准的开孔241，但是本领域技术人员显然应当知道所述开孔241数量实际上应为多个，并不限定为一个。
根据灰阶光罩或半透膜光罩的基本特性，曝光光线照射到所述半透光区242上之后，可以部分地透过所述半透光区242，使得半透光区242之下遮蔽的有机光阻材料不完全曝光。
六、当遮光区240和半透光区242安放到正确的遮蔽位置后，同时对所述遮光区240的上表面与所述半透光区242的上表面进行曝光。在曝光过程中，所述显示区231的被所述遮光区240覆盖的部分不会受到影响，保持原有的化学性质，在后续的蚀刻制程不会被移除；所述选定区域，即正对所述遮光区240上的开孔241的部分则会在穿过开孔241的曝光光线的照射下完全曝光，化学性质发生完全的改变，在后续的光阻显影制程中会被完全移除。而所述移除区232中，曝光光线部分地透过所述半透光区242，以较低的光强对整个移除区232进行照射，即对整个移除区232进行不完全曝光。在不完全曝光的作用下，移除区232的化学性质发生不彻底的改变，在后续的光阻显影制程中，其在蚀刻药剂中的溶解度比所述显示区231中完全曝光的部分在蚀刻药剂中的溶解度低，因此只会被部分移除，使移除区232的厚度减小，但不会将整个移除区232完全移除。
七、上述曝光制程之后，对所述平坦化层230进行光阻显影。在本实施例中，该光阻显影的方法为干式蚀刻，具体方法可以是例如等离子蚀刻、溅射蚀刻、气相腐蚀等等。本实施例中优选气相腐蚀方法。
在该光阻显影制程中，所述显示区231的所述选定区域，即正对所述开孔241的部分由于化学性质在光照下发生了改变，因此会被蚀刻药剂溶解及移除。所述显示区231的其他部分并未受到光线照射，因此不会被蚀刻药剂溶解，仍然覆盖在所述保护层220上方。这样，就在所述显示区231中形成了与所述遮光区240的开孔241相对准，也就是垂直地对准所述源极215的连通孔250。所述保护层220的一部分从所述连通孔250底部暴露出来。与此同时，所述移除区232在该光阻显影制程中被蚀刻药剂部分地溶解及移除，使得所述移除区232厚度减小，在所述保护层220上残留下来一层厚度比原先的平坦化层230薄的遮蔽层232a。
本实施例中，该光阻显影制程可以使用同一个光罩24同时完成两项操作，即形成所述连通孔250与移除移除区232的部分有机光阻材料。因此，若是在两个独立的工艺中分别进行形成所述连通孔250及移除移除区232的全部或部分有机光阻材料这两项操作，则显然会比本实施例提供的技术方案消耗更多的时间及成本。
八、形成所述连通孔250与遮蔽层232a之后，进行蚀刻，将所述保护层220通过所述连通孔250暴露出来的部分去除，在所述保护层220上形成和所述连通孔250相通，且同样对准所述源极215的引线孔260，所述源极215通过所述连通孔250和所述引线孔260部分地暴露出来。这样，从所述源极215引出的配线即可通过所述连通孔250和所述引线孔260与外界的其他电子元件建立电性连接，使所述薄膜晶体管发挥功能。与此同时，所述保护层220中被所述遮蔽层232a遮蔽在其下方的部分则受到所述遮蔽层232a的保护，不会被蚀刻制程移除。本实施例中，该步骤中蚀刻的方法是干式蚀刻，具体方法可以是例如等离子蚀刻、溅射蚀刻、气相腐蚀等等。本实施例中优选气相腐蚀方法，采用的蚀刻气体优选为氯气或六氟化硫。
九、形成引线孔260后，通入灰化反应气体(例如氧气)并对所述遮蔽层232a加热，从而对所述遮蔽层232a在氧气中进行灰化处理。灰化处理之后即可将整个被灰化遮蔽层232a完全移除，使保护层220中原先被平坦化层230的移除区232覆盖的部分完全暴露出来，形成粘合区220a。在本实施例中，在上一个步骤的蚀刻制程完成后，可以不必移动该薄膜晶体管阵列基板，只要向同一个反应室中通入氧气即可紧接着进行该步骤的灰化处理，十分有利于节省时间和劳力。
十、在所述粘合区220a上涂上框胶，即可利用框胶的粘性将薄膜晶体管阵列基板与现有的彩色滤光基板贴合，同时将所述薄膜晶体管封装在基板主体210与彩色滤光基板之间，即制成薄膜晶体管阵列基板。根据现在广泛使用的框胶材料很容易得知，在通常情况下，框胶和构成平坦化层230的有机光阻材料之间的粘合力较小，而框胶与构成保护层220的氧化硅或氮化硅等绝缘材料之间的粘合力较大。因此，采用本实施例提供的方法制造的薄膜晶体管阵列基板与现有技术相比具有更好的框胶粘合效果，可以有效地提高产品良率。
请参阅图3，本发明的另一个较佳实施例提供一种薄膜晶体管阵列基板，该薄膜晶体管阵列基板可以通过上述方法实施例提供的薄膜晶体管阵列基板制造方法制得。具体地，该薄膜晶体管阵列基板包括基板主体210，所述基板主体210表面上设有薄膜晶体管的栅极211，所述栅极211及所述基板主体210表面的其他部分均被绝缘层212覆盖。在所述绝缘层212的上表面上与所述栅极211对应的位置设有薄膜晶体管的半导体层213。在半导体层213的上表面上设有薄膜晶体管的漏极214和源极215。该基板主体210、绝缘层212、以及薄膜晶体管的栅极211、半导体层213、漏极214和源极215的材料和形成方法均与上述方法实施例所采用的方案完全相同，因此这里不再赘述。
在绝缘层212的上表面上设有保护层220，且该保护层220将绝缘层212的上表面以及形成于绝缘层212的上表面上的半导体层213、漏极114和源极215一同覆盖。另外，保护层220上与薄膜晶体管的漏极214或源极215对应的位置上开设有引线孔260，薄膜晶体管的漏极214或源极215通过引线孔260部分地暴露出来。本实施例中通过引线孔260部分地暴露出来的是源极215。该保护层220的材料和形成方法均与上述方法实施例所采用的方案完全相同，因此这里不再赘述。
在该保护层220的一部分上表面上设有平坦化层230，且该平坦化层230的布设区域与薄膜晶体管的布设区域一致。平坦化层230上开设有连通孔250，该连通孔250与引线孔260垂直地相互对准，且连通孔250的底部与引线孔260相通。该平坦化层230的材料和形成方法，以及该连通孔250的形成方法均与上述方法实施例所采用的方案完全相同，因此这里不再赘述。
连通孔250与引线孔260中设有配线270，该配线270一端连接到薄膜晶体管的源极215从引线孔260底部暴露出来的部分，另一端延伸到平坦化层230的表面，用于与外界的其他电子元件(图未示)建立电性连接，使所述薄膜晶体管发挥功能。在其他实施例中，如果是薄膜晶体管的漏极214通过引线孔260及连通孔250部分地暴露出来，则该配线270也可用于将漏极214与其他电子元件电性连接。如果是薄膜晶体管的漏极214和源极215分别通过两个引线孔260及与该两个引线孔260分别连通的两个连通孔250部分地暴露出来，则也可以对应地设置两根配线270，用于将漏极214和源极215分别与其他电子元件电性连接。
这里需要指出的是，薄膜晶体管阵列基板中包含的薄膜晶体管及其对应的配线270数量显然都应该为多个，但由于该多个薄膜晶体管及其对应的配线270结构均相同，只要清楚地显示出其中任意一个的结构示意图，就足以让本领域技术人员明白所有薄膜晶体管的基本构造。因此，本实施例中仅是为了显示得更加清楚简明，在图3中仅绘出了一个薄膜晶体管及其对应的一根配线270的结构示意图，但本领域技术人员显然应当知道所述薄膜晶体管及其对应的配线270的数量实际上应为多个，并不限定为一个。
在该保护层220的另一部分上表面上涂设有框胶，形成与平坦化层230相邻的框胶层280。根据现在广泛使用的框胶材料很容易得知，在通常情况下，框胶和构成平坦化层230的有机光阻材料之间的粘合力较小，而框胶与构成保护层220a的氧化硅或氮化硅等绝缘材料之间的粘合力较大。因此，与现有技术中将框胶与有机光阻材料构成的平坦化层粘接的薄膜阵列基板相比，本实施例提供的薄膜晶体管阵列基板具有更好的框胶粘合效果，制造时可以有效地提高产品良率。
本实施例提供的薄膜晶体管阵列基板还包括彩色滤光基板300和保护面板400。彩色滤光基板300可以是现有的彩色滤光片，而保护面板400可以是现有的玻璃基板，这里无需赘述。该彩色滤光基板300粘合在框胶层280的上表面，将所述薄膜晶体管封装在基板主体210与彩色滤光基板300之间.保护面板400固定在彩色滤光基板300的上表面，对彩色滤光基板300、平坦化层230及薄膜晶体管加以保护。在本实施例中，该框胶层280的厚度大于该平坦化层230的厚度，因此使得彩色滤光基板300与平坦化层230之间相隔一定距离，形成一个装配空间290。该装配空间290可用于封装薄膜晶体管阵列基板的液晶层(图未示)及其他必要的装配结构。该液晶层及其他装配结构均为现有技术，因此这里不再赘述。
本发明提供的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法在平坦化层230中划分出移除区232，通过两个步骤将该移除区232内的所有有机光阻材料完全去除，把框胶直接涂布在更易粘牢的保护层220上，从而获得更好的框胶粘合效果。这样，本发明提供的薄膜晶体管阵列基板的整体结构粘合得更加牢固，相对于现有技术可以有效地提高产品良率。另外，在用于移除该移除区232内的有机光阻材料的两个步骤中，前一个步骤可以与用于在平坦化层230上形成连通孔250的蚀刻制程合并起来，使整体制程得到简化，整个方法简单易行。
以上所述仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (9)
1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
S1，在基板主体(210)上形成薄膜晶体管，使用绝缘材料形成覆盖所述基板主体(210)与所述薄膜晶体管的保护层(220)，使用有机光阻材料在所述保护层(220)表面形成平坦化层(230)；
S2，将所述平坦化层(230)划分为显示区(231)与移除区(232)，对所述显示区(231)的选定区域进行完全曝光，对整个所述移除区(232)进行不完全曝光；
S3，进行光阻显影，在所述显示区(231)的所述选定区域形成连通孔(250)，同时使所述移除区(232)被部分地移除而在所述保护层(220)上形成厚度比所述平坦化层(230)薄的遮蔽层(232a)；
S4，在所述保护层(220)上形成和所述连通孔(250)相通，用于引出所述薄膜晶体管的配线的引线孔(260)；
S5，形成所述引线孔(260)后，将所述遮蔽层(232a)移除，使所述保护层(220)部分地暴露出来形成粘合区(220a)，然后在所述粘合区(220a)上涂上框胶；
其中，所述步骤S1中，在所述基板主体(210)上形成薄膜晶体管的操作包括以下子步骤：
S11，在所述基板主体(210)的表面上形成薄膜晶体管的栅极(211)；
S12，形成将所述基板主体(210)与所述栅极(211)一同覆盖的绝缘层(212)；
S13，采用半导体材料在所述绝缘层(212)的表面上形成用作所述薄膜晶体管的通道区的半导体层(213)；
S14，在所述半导体层(213)上形成所述薄膜晶体管的漏极(214)和源极(215)。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2包括以下子步骤：
S21，提供光罩(24)，所述光罩(24)为灰阶光罩或半透膜光罩，包括不透光的遮光区(240)与允许光线部分地透过的半透光区(242)，且所述遮光区(240)开设有位置对准所述显示区(231)的所述选定区域的开孔(241)；使用所述遮光区(240)遮住所述显示区(231)，使用所述半透光区(242)遮住所述移除区(232)；
S22，对所述遮光区(240)与所述半透光区(242)的表面同时进行曝光，使所述显示区(231)的所述选定区域在穿过所述开孔(241)的曝光光线的照射下受到完全曝光，而整个所述移除区(232)在部分地透过所述半透光区(242)的曝光光线照射下受到不完全曝光。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤S4中，形成所述引线孔(260)的方法为干式蚀刻。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述步骤S4中，采用的蚀刻反应气体为氯气或六氟化硫。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤S5中，将所述遮蔽层(232a)移除的方法为灰化处理。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤S3中形成的所述连通孔(250)和所述步骤S4中形成的所述引线孔(260)均对准所述漏极(214)或源极(215)，使所述漏极(214)或源极(215)通过所述引线孔(260)部分地暴露出来。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述子步骤S12中，形成所述绝缘层(212)的方法为化学气相沉积法。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤S1中，形成所述保护层(220)的方法为化学气相沉积法。
9.一种基于权利要求1所述的方法制造的薄膜晶体管阵列基板，包括基板主体(210)、形成在所述基板主体(210)表面上的薄膜晶体管、使用绝缘材料形成的覆盖所述基板主体(210)与所述薄膜晶体管的保护层(220)、以及使用有机光阻材料形成在所述保护层(220)的一部分表面上的平坦化层(230)；其特征在于：
所述平坦化层(230)划分为显示区(231)与移除区(232)，对所述显示区(231)的选定区域进行完全曝光，对整个所述移除区(232)进行不完全曝光；
在所述显示区(231)的所述选定区域形成连通孔(250)，所述保护层(220)上形成和所述连通孔(250)相通、用于引出所述薄膜晶体管的配线的引线孔(260)，与所述移除区(232)相对应位置的所述保护层(220)部分地暴露出来形成粘合区(220a)，在所述粘合区(220a)涂设有框胶，形成与所述平坦化层(230)相邻的框胶层(280)。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410063283.4A CN103824810B (zh) | 2014-02-24 | 2014-02-24 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 |
| US14/349,661 US20150318315A1 (en) | 2014-02-24 | 2014-02-27 | Thin film transistor array substrate and method for making the same |
| PCT/CN2014/072639 WO2015123894A1 (zh) | 2014-02-24 | 2014-02-27 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410063283.4A CN103824810B (zh) | 2014-02-24 | 2014-02-24 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103824810A CN103824810A (zh) | 2014-05-28 |
| CN103824810B true CN103824810B (zh) | 2017-05-24 |
Family
ID=50759798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410063283.4A Active CN103824810B (zh) | 2014-02-24 | 2014-02-24 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20150318315A1 (zh) |
| CN (1) | CN103824810B (zh) |
| WO (1) | WO2015123894A1 (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105045010B (zh) * | 2015-08-26 | 2019-01-22 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板和显示装置 |
| KR102418375B1 (ko) * | 2015-09-25 | 2022-07-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| CN110646967A (zh) * | 2019-10-12 | 2020-01-03 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法 |
| CN115390320B (zh) * | 2022-08-25 | 2024-06-21 | 武汉华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000305094A (ja) * | 1999-04-22 | 2000-11-02 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及びその製造方法 |
| JP2001337334A (ja) * | 2000-05-26 | 2001-12-07 | Toshiba Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
| KR100611146B1 (ko) * | 2003-11-25 | 2006-08-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 실런트 침투 방지막을 포함하는 평판 표시 소자 및 이의제조 방법 |
| TWI291589B (en) * | 2004-03-04 | 2007-12-21 | Au Optronics Corp | Liquid crystal display panel and TFT array substrate thereof |
| CN1324374C (zh) * | 2004-03-11 | 2007-07-04 | 友达光电股份有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板 |
| TWI349823B (en) * | 2006-12-15 | 2011-10-01 | Prime View Int Co Ltd | Electronic-ink display panel and the forming method thereof |
| KR100836472B1 (ko) * | 2007-03-22 | 2008-06-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
| CN105158989A (zh) * | 2011-06-29 | 2015-12-16 | 群创光电股份有限公司 | 影像显示*** |
| TWI453513B (zh) * | 2011-11-18 | 2014-09-21 | Au Optronics Corp | 顯示面板 |
-
2014
- 2014-02-24 CN CN201410063283.4A patent/CN103824810B/zh active Active
- 2014-02-27 US US14/349,661 patent/US20150318315A1/en not_active Abandoned
- 2014-02-27 WO PCT/CN2014/072639 patent/WO2015123894A1/zh active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103824810A (zh) | 2014-05-28 |
| WO2015123894A1 (zh) | 2015-08-27 |
| US20150318315A1 (en) | 2015-11-05 |
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant |