CN112558800B - 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置。具体的，本发明提出了一种阵列基板，包括：衬底；触控焊盘，触控焊盘设置在衬底的一侧；第一平坦化层，第一平坦化层设置在触控焊盘远离衬底的一侧；第一钝化层，第一钝化层设置在第一平坦化层远离触控焊盘的一侧；触控电极层，触控电极层设置在第一钝化层远离第一平坦化层的一侧，其中，触控电极层通过第一过孔和触控焊盘电连接，第一过孔依次贯穿第一平坦化层以及第一钝化层。由此，在第一钝化层中刻蚀形成第一过孔时，可同时刻蚀除去第一过孔对应处的触控焊盘远离衬底一侧表面的金属氧化层，降低触控电极层和触控焊盘之间的接触电阻，可降低使用该阵列基板的显示面板的触控不良。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置。
背景技术
随着显示技术的飞速发展，触控显示面板已经广泛地被人们所接受及使用，例如智能手机、平板电脑等均使用了触控显示面板，其中，触控和显示驱动器集成的显示产品(Touch and Display Driver Integration，TDDI)因其整合度较高且厚度较小，具有成本低、超薄和窄边框的优点，已成为未来触控显示技术的主要发展方向。例如，在目前常用的低温多晶硅液晶显示器(LTPS LCD)中，可以将触控电极等集成在液晶显示器的阵列基板(TFT)上，由此，可以简便地将触控驱动器和显示驱动器集成在一起，并且该触控显示面板较为轻薄。
然而，目前用于触控显示面板的阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置仍有待改进。
发明内容
本发明是基于发明人对于以下事实和问题的发现和认识作出的：
发明人发现，目前的触控和显示驱动器集成的显示面板(TDDI面板)，例如触控和显示驱动器集成的液晶显示面板，存在触控不良高发等问题。发明人通过深入研究和大量实验发现，这是由于目前的方法制作的用于触控显示面板的阵列基板中，触控信号由触控焊盘(Touch Pad)给入触控电极(例如Touch ITO)时，接触电阻过大造成的。目前的方法制作的用于触控显示面板的阵列基板中，触控电极和触控焊盘之间通过第一过孔电连接，第一过孔对应处的触控焊盘远离衬底一侧的表面通常具有金属氧化层，该金属氧化层会增大触控电极和触控焊盘之间的接触电阻，当触控信号通过触控焊盘给入触控电极时，触控电极充电不足，容易产生触控不良，影响使用该阵列基板的触控显示面板的使用性能。因此，如果能提出一种新的用于触控显示面板的阵列基板及其制作方法，既可以降低触控电极和触控焊盘之间的接触电阻，降低触控不良，又不会增加生产工艺和生产成本，将能在很大程度上解决上述问题。
在本发明的一个方面，本发明提出了一种阵列基板。根据本发明的实施例，该阵列基板包括：衬底；触控焊盘，所述触控焊盘设置在所述衬底的一侧；第一平坦化层，所述第一平坦化层设置在所述触控焊盘远离所述衬底的一侧；第一钝化层，所述第一钝化层设置在所述第一平坦化层远离所述触控焊盘的一侧；触控电极层，所述触控电极层设置在所述第一钝化层远离所述第一平坦化层的一侧，其中，所述触控电极层通过第一过孔和所述触控焊盘电连接，所述第一过孔依次贯穿所述第一平坦化层以及所述第一钝化层。由此，该阵列基板中，在第一钝化层中刻蚀形成第一过孔时，可同时刻蚀除去第一过孔对应处的触控焊盘远离衬底一侧表面的金属氧化层，进而可以降低该触控电极层和触控焊盘之间的接触电阻，可以降低使用该阵列基板的触控显示面板的触控不良，提高该触控显示面板的使用性能。
根据本发明的实施例，该阵列基板进一步包括：像素电极层，所述像素电极层设置在所述第一平坦化层和所述第一钝化层之间，所述像素电极层包括多个阵列分布的子像素电极，所述触控电极层包括多个阵列分布的触控电极，所述触控电极在所述衬底上的正投影和所述子像素电极在所述衬底上的正投影的至多一部分重合。由此，该触控电极层和像素电极层在衬底上的正投影的重叠面积较小，该阵列基板用于触控显示面板时，可以提高该触控显示面板的开口率和光透过率，提高该触控显示面板的显示性能。
根据本发明的实施例，该阵列基板进一步包括：源漏极层，所述源漏极层和所述触控焊盘同层设置；像素电极层，所述像素电极层设置在所述第一平坦化层和所述第一钝化层之间，所述像素电极层通过第二过孔和所述源漏极层中的源漏焊盘相连，所述第二过孔贯穿所述第一平坦化层。由此，进一步提高了该阵列基板的使用性能。
根据本发明的实施例，该阵列基板进一步包括：源漏极层，所述源漏极层设置在所述衬底的一侧；第二平坦化层，所述第二平坦化层设置在所述源漏极层远离所述衬底的一侧；第二钝化层，所述第二钝化层设置在所述第二平坦化层远离所述源漏极层的一侧；所述触控焊盘设置在所述第二钝化层远离所述第二平坦化层的一侧。由此，进一步提高了该阵列基板的使用性能。
根据本发明的实施例，该阵列基板进一步包括：像素电极层，所述像素电极层设置在所述第一平坦化层和所述第一钝化层之间，所述像素电极层通过第二过孔和所述源漏极层中的源漏焊盘相连，所述第二过孔依次贯穿所述第二平坦化层、所述第二钝化层以及所述第一平坦化层。由此，进一步提高了该阵列基板的使用性能。
根据本发明的实施例，该衬底进一步包括：基板；缓冲层，所述缓冲层设置在所述基板的一侧；有源层，所述有源层设置在所述缓冲层远离所述基板的一侧，所述有源层在所述基板上的正投影覆盖所述基板的部分表面，形成所述有源层的材料包括低温多晶硅栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述有源层远离所述缓冲层的一侧；栅极，所述栅极设置在所述栅极绝缘层远离所述有源层的一侧，且所述栅极在所述基板上的正投影位于所述有源层在所述基板上的正投影区域内；层间绝缘层，所述层间绝缘层设置在所述栅极远离所述栅极绝缘层的一侧；所述阵列基板进一步包括：源漏极层，所述源漏极层设置在所述层间绝缘层远离所述栅极的一侧，所述源漏极层通过第三过孔和所述有源层电连接；所述触控焊盘和所述源漏极层同层设置，或者所述触控焊盘设置在所述源漏极层远离所述层间绝缘层的一侧。由此，进一步提高了该阵列基板的使用性能。
在本发明的另一方面，本发明提出了一种制作阵列基板的方法。根据本发明的实施例，该方法包括：提供衬底；在所述衬底的一侧形成触控焊盘；在所述触控焊盘远离所述衬底的一侧形成第一平坦化层；在所述第一平坦化层远离所述触控焊盘的一侧形成第一钝化层；在所述第一钝化层远离所述第一平坦化层的一侧形成触控电极层，其中，所述触控电极层通过第一过孔和所述触控焊盘电连接。由此，该方法在第一钝化层中刻蚀形成第一过孔时，可同时刻蚀除去第一过孔对应处的触控焊盘远离衬底一侧表面的金属氧化层，进而可以降低触控电极层和触控焊盘之间的接触电阻，可以降低使用该阵列基板的触控显示面板的触控不良，提高该触控显示面板的使用性能；并且不会增加生产工艺和生产成本。
根据本发明的实施例，所述方法进一步包括：在所述第一平坦化层和所述第一钝化层之间形成像素电极层，所述第一过孔包括依次贯穿所述第一平坦化层的第一孔、贯穿所述像素电极层的第二孔以及贯穿所述第一钝化层的第三孔，所述第一孔是通过下述方法实现的：在所述触控焊盘远离所述衬底的一侧涂布平坦化树脂，并利用掩膜对所述平坦化树脂进行曝光固化，所述掩膜在所述衬底上的正投影位于所述触控焊盘在所述衬底上的正投影区域中，在未被所述掩膜覆盖的所述触控焊盘远离所述衬底的一侧形成具有所述第一孔的所述第一平坦化层。由此，可以简便地在第一平坦化层中形成贯穿的第一孔。
根据本发明的实施例，所述第三孔是通过下述方法实现的：在所述像素电极层远离所述第一平坦化层的一侧沉积第一钝化层材料；在所述第一钝化层材料远离所述第一平坦化层的表面涂布光刻胶，并对所述光刻胶进行曝光，形成图形化的光刻胶层，所述光刻胶层具有镂空区域，所述镂空区域在所述衬底上的正投影位于所述第一孔在所述衬底上的正投影区域中；对所述镂空区域对应处的所述第一钝化层材料进行第一干法刻蚀，以便形成所述第三孔；去除所述光刻胶层。由此，可以简便地形成具有贯穿的第三孔的第一钝化层。
根据本发明的实施例，所述对所述镂空区域对应处的所述第一钝化层材料进行所述第一干法刻蚀时，刻蚀气体同时对所述第三孔对应处的所述触控焊盘远离所述衬底一侧的表面进行刻蚀，去除所述第三孔对应处的所述触控焊盘远离所述衬底一侧的表面的氧化层。由此，该方法在刻蚀形成第三孔时，可以同时去除第三孔对应处的所述触控焊盘远离所述衬底一侧的表面的氧化层，进而可以降低触控电极和触控焊盘之间的接触电阻，并且不会增加生产工序，进一步提高了所制备的阵列基板的使用性能。
根据本发明的实施例，所述方法进一步包括：形成源漏极层，所述源漏极层和所述触控焊盘同层设置，所述像素电极层通过第二过孔和所述源漏极层的源漏焊盘电连接，其中，所述第二过孔是通过下述方法实现的：在形成所述第一孔时，所述第一掩膜在所述衬底上的正投影位于所述触控焊盘和所述源漏焊盘在所述衬底上的正投影区域中。由此，可以简便地形成第二过孔。
根据本发明的实施例，形成所述触控焊盘之前，所述方法进一步包括：在所述衬底的一侧形成源漏极层；在所述源漏极层远离所述衬底的一侧形成第二平坦化层；在所述第二平坦化层远离所述衬底的一侧形成第二钝化层；所述触控焊盘形成在所述第二钝化层远离所述第二平坦化层的一侧，其中，所述像素电极层通过第二过孔和所述源漏极层中的源漏焊盘相连，所述第二过孔包括依次贯穿所述第二平坦化层的第四孔、贯穿所述第二钝化层的第五孔以及贯穿所述第一平坦化层的第六孔，其中，所述第五孔是通过对沉积在所述第二平坦化层远离所述源漏极层一侧的第二钝化层材料进行第二干法刻蚀形成的，所述第二干法刻蚀的刻蚀气体同时对所述第五孔对应处的所述源漏焊盘远离所述衬底一侧的表面进行刻蚀，去除所述第五孔对应处的所述源漏焊盘远离所述衬底一侧的表面的氧化层。由此，该方法在形成第五孔的同时，可以去除第五孔对应处的所述源漏焊盘远离所述衬底一侧的表面的氧化层，由此可以降低像素电极和源漏焊盘之间的接触电阻，进一步提高使用该方法制备的阵列基板的触控显示面板的显示效果。
根据本发明的实施例，所述方法进一步包括：在所述第一平坦化层和所述第一钝化层之间形成像素电极层，形成的所述像素电极层包括多个阵列排布的子像素电极，形成所述触控电极层进一步包括：在所述第一钝化层远离所述像素电极层的一侧沉积电极材料，并将沉积的所述电极材料图案化，形成阵列排布的多个触控电极，所述触控电极在所述衬底上的正投影和所述子像素电极在所述衬底上的正投影的至多一部分重合。由此，该方法制备的触控电极层和像素电极层在衬底上的正投影的重叠面积较小，该阵列基板用于触控显示面板时，可以提高该触控显示面板的开口率和光透过率，提高该触控显示面板的显示性能。
在本发明的另一方面，本发明提出了一种显示面板。根据本发明的实施例，该显示面板包括：前面所述的阵列基板，或前面所述的方法所制备的阵列基板。由此，该显示面板具有前面所述的阵列基板，或前面所述的方法所制备的阵列基板所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该显示面板的触控和显示性能较好。
在本发明的又一方面，本发明提出了一种显示装置。根据本发明的实施例，该显示装置包括：前面所述的显示面板。由此，该显示装置具有前面所述的显示面板所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该显示装置的触控和显示性能较好。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1显示了根据本发明一个实施例的阵列基板的结构示意图；
图2显示了现有技术的阵列基板的结构示意图；
图3显示了根据本发明另一个实施例的阵列基板的结构示意图；
图4显示了根据本发明又一个实施例的阵列基板的结构示意图；
图5显示了根据本发明又一个实施例的阵列基板的结构示意图；
图6显示了根据本发明又一个实施例的阵列基板的结构示意图；
图7显示了根据本发明又一个实施例的阵列基板的结构示意图；
图8显示了根据本发明一个实施例的制备阵列基板的方法流程图；以及
图9显示了根据本发明另一个实施例的制备阵列基板的方法流程图。
附图标记说明：
100：衬底；110：基板；120：缓冲层；130：有源层；140：栅极绝缘层；150：栅极；160：层间绝缘层；200：触控焊盘；300：第一平坦化层；400：像素电极层；410：子像素电极；500：第一钝化层；600：触控电极层；610：触控电极；700：源漏极层；710：源漏焊盘；800：第二平坦化层；900：第二钝化层；1000：阵列基板。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的一个方面，本发明提出了一种阵列基板。根据本发明的实施例，该阵列基板可用于触控显示面板，参考图1，该阵列基板1000包括：衬底100、触控焊盘200、第一平坦化层300、第一钝化层500以及触控电极层600，其中，触控焊盘200设置在衬底100的一侧，第一平坦化层300设置在触控焊盘200远离衬底100的一侧，第一钝化层500设置在第一平坦化层300远离触控焊盘200的一侧，触控电极层600设置在第一钝化层500远离第一平坦化层300的一侧，其中，触控电极层600通过第一过孔(图中未标出)和触控焊盘200电连接，第一过孔依次贯穿第一平坦化层300以及第一钝化层500。由此，该阵列基板1000中，在第一钝化层500中刻蚀形成第一过孔时，可同时刻蚀除去第一过孔对应处的触控焊盘200远离衬底100一侧表面的金属氧化层，进而可以降低该触控电极层600和触控焊盘200之间的接触电阻，可以降低使用该阵列基板1000的触控显示面板的触控不良，提高触控显示面板的使用性能。
根据本发明的实施例，参考图3，该阵列基板1000可以进一步包括像素电极层400以及源漏极层700，像素电极层400设置在第一平坦化层300和第一钝化层500之间，源漏极层700可以和触控焊盘200同层设置，源漏极层700可以包括数据线(图中未标出)和源漏焊盘710，像素电极层400通过第二过孔20和源漏极层700中的源漏焊盘710相连，第二过孔20贯穿第一平坦化层300。并且，参考图3，触控电极层600通过第一过孔10和触控焊盘200电连接，第一过孔10依次贯穿第一平坦化层300、像素电极层400以及第一钝化层500。由此，进一步提高了该阵列基板1000的使用性能。需要说明的是，前面所述的第一过孔10贯穿像素电极层400是指第一过孔10贯穿像素电极层400所在的金属层，具体的，该像素电极层400在第一过孔10对应处可以具有开口，即在第一过孔10对应处可以不设置像素电极金属，此时，第一过孔贯穿第一平坦化层300以及第一钝化层500。
需要说明的是，本申请中的附图2-7中，为了更清楚地描述第一过孔10和第二过孔20，图2-7中未画出第一过孔10和第二过孔20中填充的金属导线，本领域技术人员可以理解的是，实际的阵列基板中，第一过孔10和第二过孔20中均填充有金属导线，以实现触控电极层600和触控焊盘200之间的电连接，以及像素电极层400和源漏焊盘710之间的电连接。
为了便于理解，下面对根据本发明实施例的阵列基板能够实现上述有益效果的原理进行简单说明：
如前所述，目前的方法制作的用于触控显示面板的阵列基板中，由于触控电极(例如Touch ITO)和触控焊盘(TPM Pad)之间的接触电阻较大，容易产生触控不良，影响使用该阵列基板的触控显示面板的使用性能。具体的，参考图2，目前的方法制作的用于触控显示面板的阵列基板中，触控电极层600和触控焊盘200之间通过第一过孔10电连接，第一过孔10贯穿第一平坦化层(PLN)300；像素电极层(例如Pixel ITO)400和源漏焊盘(SD Pad)710之间通过第二过孔20电连接，第二过孔20依次贯穿第一平坦化层300、触控电极层600以及第一钝化层(PVX)500。由于第一过孔10对应处的触控焊盘200远离衬底100一侧的表面通常具有金属氧化层，该金属氧化层会增大触控电极层600和触控焊盘200之间的接触电阻(例如经测试，现有方法制备的阵列基板在2～9mA电流下，触控电极和触控焊盘之间的接触电阻达到200欧姆)，当触控信号通过触控焊盘200给入触控电极层600时，触控电极层600充电不足，容易产生触控不良，影响使用该阵列基板的触控显示面板的使用性能。如果采用单独的刻蚀工艺去除第一过孔10对应处的触控焊盘200远离衬底100一侧表面的金属氧化层，则会显著地增加生产工序和生产成本。
并且，参考图2，现有的制备阵列基板的方法中，在制备触控电极层600和触控焊盘200之间的第一过孔10时，第一过孔10只贯穿第一平坦化层300，由于形成第一平坦化层300的材料通常为有机材料，例如亚克力树脂等，因此，一般通过设置掩模的方法形成具有第一过孔10的第一平坦化层300(无需经过刻蚀处理形成第一过孔10)。因此，在现有的制备工艺中，在不增加单独的刻蚀处理的条件下，无法对前面所述的第一过孔10对应处的触控焊盘200远离衬底100一侧表面的金属氧化层进行刻蚀去除。但是，现有的方法在制备像素电极层400和源漏焊盘710之间的第二过孔20时，第二过孔20依次贯穿第一平坦化层300、触控电极层600以及第一钝化层500，由于第一钝化层500通常为无机材料形成的，例如氮化硅等，因此，现有的制备工艺中，在第一钝化层500中形成贯穿的部分第二过孔20时，需要对沉积的无机材料进行干法刻蚀处理，例如利用等离子气体对其进行刻蚀，以便形成贯穿的部分第二过孔20。在该刻蚀处理过程中，刻蚀气体可以沿着第二过孔20扩散，可以对第二过孔20对应处的源漏焊盘710远离衬底100一侧的表面进行刻蚀处理，例如可以刻蚀去除第二过孔20处的源漏焊盘710远离衬底100一侧的表面的金属氧化层等。发明人通过深入研究和大量实现发现，由于和触控焊盘200电连接的触控电极的数目相对较少(例如一个触控焊盘和几百个触控电极相连)，第一过孔10对应处的触控焊盘200远离衬底100一侧表面的金属氧化层，会显著增加每个触控电极和触控焊盘200之间的接触电阻，并且导致使用该阵列基板的显示面板出现触控不良(例如在重载画面下可见的触控不良块高发)等问题，严重影响触控显示面板的触控性能。而由于和源漏焊盘710电连接的像素电极的数目相对较多(例如一个源漏焊盘和上万个像素电极相连)，因此，第二过孔20对应处的源漏焊盘710远离衬底100一侧表面的金属氧化层，对每个像素电极的影响较小，甚至可以忽略。
因此，根据本发明实施例的阵列基板中，通过调换触控电极层和像素电极层的位置，即参考图1以及图3所示出的，将像素电极层400设置在第一平坦化层300远离衬底100的一侧，将触控电极层600设置在第一钝化层500远离像素电极层400的一侧，触控电极层600和源漏焊盘200之间通过第一过孔10电连接，且第一过孔10依次贯穿第一平坦化层300、像素电极层400以及第一钝化层500，像素电极层400和源漏焊盘710之间通过第二过孔20电连接，第二过孔20贯穿第一平坦化层300。因此，在形成具有部分第一过孔10的第一钝化层500时，可以对其进行干法刻蚀处理，在该刻蚀处理过程中，刻蚀气体可以沿着第一过孔10，对第一过孔10对应处的触控焊盘200远离衬底100一侧的表面的金属氧化层进行刻蚀去除，从而可以降低触控电极层600和触控焊盘200之间的接触电阻(例如经测试，根据本发明实施例的阵列基板在2～9mA电流下，触控电极和触控焊盘之间的接触电阻降低至40欧姆)，降低使用该阵列基板1000的触控显示面板的触控不良，提高其使用性能。并且，该方法中，只对现有的制备工艺中的刻蚀处理的位置等进行了调整(例如对现有的在第一钝化层500中刻蚀形成过孔的位置进行调整)，没有增加生产工艺，不会增加生产成本。
综上可知，根据本发明实施例的阵列基板，可以降低触控电极和触控焊盘之间的接触电阻，降低触控不良，又不会增加生产工艺和生产成本，便于大规模生产。
根据本发明的实施例，参考图4，像素电极层400可以包括多个阵列分布的子像素电极410，多个子像素电极410可以分别控制多个子像素区域的液晶分子的偏转等。具体的，触控电极层600也可以包括多个阵列分布的触控电极610，且触控电极610在衬底100上的正投影和子像素电极410在衬底100上的正投影的至多一部分重合。如前所述，参考图2，现有的用于触控显示面板的阵列基板中，触控电极层600通常为整层的金属，触控电极层600和像素电极层400在衬底100上的正投影的重叠面积较大，该阵列基板用于触控显示面板时，会影响该触控显示面板的开口率和光透过率。而根据本发明实施例的阵列基板1000中，参考图4，像素电极层400设置在触控电极层600靠近衬底100的一侧，该阵列基板用于显示面板中时，液晶分子(图中未示出)设置在触控电极层600远离衬底100的一侧，因此，为了使像素电极层400能较好地控制液晶分子的偏转，在现有的整层的触控电极层中形成狭缝(Slit)开孔，即参考图4所示出的，触控电极层600可以包括多个阵列分布的触控电极610，且触控电极610在衬底100上的正投影和子像素电极410在衬底100上的正投影的至多一部分重合(部分重合或完全不重合)。由此，该狭缝开孔对应处的像素电极610可以较好地控制液晶分子偏转，并且，该触控电极层600和像素电极层400在衬底100上的正投影的重叠面积较小，该阵列基板1000用于触控显示面板时，可以提高该触控显示面板的开口率和光透过率，提高该触控显示面板的显示性能。
需要说明的是，前面所述的触控电极可以为透明电极，例如透明的氧化铟锡(ITO)电极，并且该透明电极可以分时用作公共电极(Common ITO，CITO)和触控电极(TouchITO)，在显示阶段，可以向该透明电极提供公共电压信号，该透明电极可用作公共电极；在触控阶段，可以通过触控焊盘向该透明电极施加触控驱动信号，并接收触控反馈信号，可对触控位置进行识别，即在该阶段，透明电极用作触控电极。具体的，一般在一定周期的刷新时间内，会有几毫秒用于Touch信号传输，其余大部分时间用于显示。
根据本发明的实施例，参考图3以及图5，源漏极层700可以和触控焊盘200同层设置(参考图3)，也可以不同层设置。具体的，参考图5，源漏极层700可以设置在衬底100的一侧，该阵列基板1000可以进一步包括第二平坦化层800以及第二钝化层900，第二平坦化层800可以设置在源漏极层700远离衬底100的一侧，第二钝化层900可以设置在第二平坦化层800远离源漏极层700的一侧，触控焊盘200设置在第二钝化层900远离第二平坦化层800的一侧。也即是说，源漏焊盘200可以单独设置为一层。具体的，像素电极层400通过第二过孔20和源漏极层700中的源漏焊盘710相连，第二过孔20依次贯穿第二平坦化层800、第二钝化层900以及第一平坦化层300。由此，该方法中，采用干法刻蚀处理在形成第二钝化层900中形成部分第二过孔20，该干法刻蚀处理过程中，刻蚀气体可以沿着第二过孔20扩散，可以对第二过孔20对应处的源漏焊盘710远离衬底100一侧的表面进行刻蚀处理，进一步提高了阵列基板1000的使用性能。
根据本发明的实施例，衬底100的具体类型不受特别限制，例如衬底100可以包括多层结构，具体的，参考图6以及图7，衬底100可以包括基板110、缓冲层120、有源层130、栅极绝缘层140、栅极150以及层间绝缘层160，其中，缓冲层120设置在基板110的一侧，有源层130设置在缓冲层120远离基板110的一侧，有源层130在基板110上的正投影覆盖基板110的部分表面，形成有源层130的材料可以包括低温多晶硅；栅极绝缘层140设置在有源层130远离缓冲层120的一侧，栅极150设置在栅极绝缘层140远离有源层130的一侧，且栅极150在基板110上的正投影位于有源层130在基板110上的正投影区域内，层间绝缘层160设置在栅极150远离栅极绝缘层140的一侧，源漏极层700设置在层间绝缘层160远离栅极150的一侧，源漏极层700通过第三过孔30和有源层130电连接，触控焊盘200和源漏极层700同层设置(参考图6)，或者触控焊盘200设置在源漏极层700远离层间绝缘层160的一侧(参考图7)。由此，进一步提高了该阵列基板1000的使用性能。
在本发明的另一方面，本发明提出了一种制作阵列基板的方法。根据本发明的实施例，该方法制作的阵列基板可以为前面所述的阵列基板，因此，该该方法所制备的阵列基板具有前面所述的阵列基板所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。
根据本发明的实施例，参考图8，该方法包括：
S100：提供衬底
在该步骤中，提供衬底。根据本发明的实施例，衬底的具体类型不受特别限制，例如衬底可以和前面描述的相同，衬底可以包括多层结构，例如衬底100可以包括依次层叠设置的基板、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极以及层间绝缘层等。
S200：在衬底的一侧形成触控焊盘
在该步骤中，在衬底的一侧形成触控焊盘。根据本发明的实施例，如前所述，触控焊盘可以和源漏极层同层设置，也可以单独设置为一层。具体的，触控焊盘和源漏极层同层设置时，可以在衬底的一侧沉积金属，然后通过构图工艺将其图案化，分别形成触控焊盘、数据线以及源漏焊盘等。具体的，触控焊盘可以形成在衬底上的非显示区中。
S300：形成第一平坦化层
在该步骤中，在触控焊盘远离衬底的一侧形成第一平坦化层。根据本发明的实施例，该方法制备的阵列基板中，后续步骤制备的触控电极层和前面步骤制备的触控焊盘需要通过第一过孔电连接，第一过孔包括依次贯穿第一平坦化层的第一孔、贯穿像素电极层的第二孔以及贯穿第一钝化层的第三孔。且后续步骤制备的像素电极层和源漏焊盘需要通过第二过孔电连接，当源漏焊盘和触控焊盘同层设置时，第二过孔贯穿第一平坦化层。因此，该步骤中形成第一平坦化层时，需要在第一平坦化层中形成第一孔以及第二过孔。具体的，第一平坦化层可以是由有机材料形成的，例如可以是由亚克力树脂形成的等；具体的，首先可以在触控焊盘远离衬底的一侧涂布平坦化树脂，并利用掩膜对涂布的平坦化树脂进行曝光，其中，掩膜在衬底上的正投影可以位于触控焊盘以及源漏焊盘在衬底上的正投影区域中，进而可以在未被掩膜覆盖的触控焊盘以及源漏极层远离衬底的一侧形成具有第一孔和第二过孔的第一平坦化层。由此，可以简便地在第一平坦化层中形成贯穿的第一孔以及第二过孔，便于后续制备的触控电极层和触控焊盘电连接，以及后续制备的像素电极层和源漏焊盘电连接。
S400：形成像素电极层
在该步骤中，在前面步骤中制备的第一平坦化层远离触控焊盘的一侧形成像素电极层。根据本发明的实施例，可以在第一平坦化层远离触控焊盘的一侧沉积电极材料(例如ITO)，然后通过构图工艺将其图案化，形成多个阵列排布的子像素电极，后续将该方法制作的阵列基板用于显示面板时，多个子像素电极可以分别控制多个子像素区域内的液晶分子的偏转。具体的，如前所述，后续步骤制备的触控电极层和前面步骤制备的触控焊盘需要通过第一过孔电连接，第一过孔包括依次贯穿第一平坦化层的第一孔、贯穿像素电极层的第二孔以及贯穿第一钝化层的第三孔。因此，该步骤中形成像素电极层时，可以在像素电极层中的和前面步骤中形成的第一孔对应的位置形成贯穿的第二孔。
S500：形成第一钝化层
在该步骤中，在第一平坦化层远离像素电极层的一侧形成第一钝化层。根据本发明的实施例，形成第一钝化层的材料可以为无机材料，例如可以为氮化硅等。如前所述，后续步骤制备的触控电极层和前面步骤制备的触控焊盘需要通过第一过孔电连接，第一过孔包括依次贯穿第一平坦化层的第一孔、贯穿像素电极层的第二孔以及贯穿第一钝化层的第三孔。因此，该步骤中形成第一钝化层时，需要在第一钝化层中形成贯穿的第三孔。具体的，可以在像素电极层远离第一平坦化层的一侧沉积第一钝化层材料(例如氮化硅)，然后在第一钝化层材料远离第一平坦化层的表面涂布光刻胶，并对涂布的光刻胶进行曝光，形成图案化的光刻胶层，光刻胶层具有镂空区域，镂空区域在衬底上的正投影位于第一孔在衬底上的正投影区域中；然后对镂空区域对应处的第一钝化层材料进行第一干法刻蚀，以便形成第三孔；最后去除光刻胶层。由此，可以简便地形成具有贯穿的第三孔的第一钝化层，便于后续制备的触控电极层和触控焊盘电连接。
根据本发明的实施例，前面所述的对镂空区域对应处的第一钝化层材料进行第一干法刻蚀时，刻蚀气体可以同时对第三孔对应处的触控焊盘远离衬底一侧的表面进行刻蚀，去除第三孔对应处的触控焊盘远离衬底一侧的表面的氧化层。由此，该方法在刻蚀形成第三孔时，可以同时去除第三孔对应处的触控焊盘远离衬底一侧的表面的氧化层，进而可以降低触控电极和触控焊盘之间的接触电阻，并且不会增加生产工序，进一步提高了所制备的阵列基板的使用性能。
具体的，第一刻蚀处理可以在六氟化硫和氧气的混合气体中进行，六氟化硫气体的流量可以为500～700sccm，例如可以为600sccm，氧气的流量可以为1100～1300sccm，例如可以为1200sccm，进行第一刻蚀处理的时间可以为12s到25s，例如可以为15s，可以为20s等。由此，在上述刻蚀条件下，不仅可以较好地在第一钝化层中刻蚀形成第三孔，并且可以去除第三孔对应处的触控焊盘远离衬底一侧的表面的氧化层，进而可以降低触控电极和触控焊盘之间的接触电阻，并且不会增加生产工序，进一步提高了所制备的阵列基板的使用性能。
S600：形成触控电极层
在该步骤中，在前面步骤中制备的第一钝化层远离像素电极层的一侧形成触控电极层。根据本发明的实施例，可以在第一钝化层远离像素电极层的一侧沉积电极材料，并将沉积的电极材料图案化，形成阵列排布的多个触控电极，该触控电极在衬底上的正投影可以和前面步骤中形成的子像素电极在衬底上的正投影的至多一部分重合(部分重合或完全不重合)。如前所述，该方法中制备的像素电极层设置在触控电极层靠近衬底的一侧，该阵列基板用于显示面板中时，液晶分子设置在触控电极层远离衬底的一侧，因此，为了使像素电极层能较好地控制液晶分子的偏转，在现有的整层的触控电极层中形成狭缝(Slit)开孔，即触控电极层可以包括多个阵列分布的触控电极。由此，该方法制备的触控电极层和像素电极层在衬底上的正投影的重叠面积较小，该阵列基板用于触控显示面板时，可以提高该触控显示面板的开口率和光透过率，提高该触控显示面板的显示性能。
根据本发明的实施例，如前所述，源漏极层可以和触控焊盘同层设置，也可以单独设置为一层。当源漏极层单独设置为一层时，参考图9，在形成触控焊盘之前，该方法可以进一步包括：
S110：在衬底的一侧形成源漏极层
在该步骤中，在衬底的一侧形成源漏极层。根据本发明的实施例，源漏极层可以包括数据线和源漏焊盘，具体的，可以在衬底的一侧沉积金属，然后通过构图工艺刻蚀形成源漏极层。
S120：形成第二平坦化层
在该步骤中，在前面步骤中形成的源漏极层远离衬底的一侧形成第二平坦化层。根据本发明的实施例，该方法制备的阵列基板中，后续步骤制备的像素电极层和源漏焊盘需要通过第二过孔电连接，第二过孔包括依次贯穿第二平坦化层的第四孔、贯穿第二钝化层的第五孔以及贯穿第一平坦化层的第六孔。因此，该步骤中形成第二平坦化层时，需要在第二平坦化层中形成第四孔。具体的，形成第二平坦化层的材料以及形成第四孔的方法可以和前面描述的形成第一平坦化层以及第一孔的方法相同，在此不再赘述，例如可以通过设置掩膜的方法在第二平坦化层中形成贯穿的第四孔。
S130：形成第二钝化层
在该步骤中，在第二平坦化层远离衬底的一侧形成第二钝化层。根据本发明的实施例，形成第二钝化层的材料和方法等可以和前面描述的形成第一钝化层的材料和方法等相同。如前所述，该方法制备的阵列基板中，后续步骤制备的像素电极层和源漏焊盘需要通过第二过孔电连接，第二过孔包括依次贯穿第二平坦化层的第四孔、贯穿第二钝化层的第五孔以及贯穿第一平坦化层的第六孔。具体的，可以在第二平坦化层远离衬底的一侧沉积第二钝化层材料，然后对第二钝化层材料进行第二干法刻蚀，以便形成贯穿的第五孔。同样地，第二干法刻蚀的刻蚀气体可以同时对第五孔对应处的源漏焊盘远离衬底一侧的表面进行刻蚀，去除第五孔对应处的源漏焊盘远离衬底一侧的表面的氧化层。由此，该方法在形成第五孔的同时，可以去除第五孔对应处的源漏焊盘远离所述衬底一侧的表面的氧化层，由此可以降低像素电极和源漏焊盘之间的接触电阻，进一步提高使用该方法制备的阵列基板的触控显示面板的显示效果。
根据本发明的实施例，该步骤中，在第二钝化层中形成第五孔时，当第五孔位于显示区域时，也可以不通过专门的第二干法刻蚀形成第五孔，即该步骤中，可以直接形成整层的第二钝化层，第二钝化层中的第五孔和前面所述的第一钝化层中的第三孔可以通过一次干法刻蚀工艺形成，由此，可以节约生产工艺。具体的，当第二钝化层中的第五孔和前面所述的第一钝化层中的第三孔通过一次干法刻蚀工艺形成时，可以设置一个和触控焊盘同层的过渡焊盘，源漏焊盘可以通过贯穿第二平坦化层的第四孔和过渡焊盘电连接，过渡焊盘通过后续刻蚀形成的贯穿第二钝化层的第五孔以及贯穿第一平坦化层的第六孔和像素电极层电连接，由此，也可以实现源漏焊盘和像素电极层的电连接。具体的，利用过渡焊盘将源漏焊盘和像素电极层电连接时，源漏焊盘和过渡焊盘之间的第四孔，源漏焊盘和像素电极层之间的第五孔、第六孔可以为错位孔，由此，既可以通过一次刻蚀形成第三孔和第五孔，又不会影响像素电极层和源漏焊盘之间的电连接。根据本发明的实施例，在形成第二钝化层之后，可以在第二钝化层远离第二平坦化层的一侧形成前面所述的触控焊盘，触控焊盘单独设置一层，后续可以在触控焊盘远离第二钝化层的一侧依次形成第一平坦化层、像素电极层、第一钝化层以及触控电极层等结构，在此不再赘述。
综上所述，该方法制备的触控电极层和触控焊盘之间的电连接性能较好，接触电阻较小，可以降低使用该阵列基板的触控显示面板的触控不良，提高该触控显示面板的使用性能。
在本发明的另一方面，本发明提出了一种显示面板。根据本发明的实施例，该显示面板包括：前面所述的阵列基板，或前面所述的方法所制备的阵列基板。由此，该显示面板具有前面所述的阵列基板，或前面所述的方法所制备的阵列基板所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该显示面板的触控和显示性能较好。
在本发明的又一方面，本发明提出了一种显示装置。根据本发明的实施例，该显示装置包括：前面所述的显示面板。由此，该显示装置具有前面所述的显示面板所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该显示装置的触控和显示性能较好。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“另一个实施例”等的描述意指结合该实施例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。另外，需要说明的是，本说明书中，术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”、“第五”、“第六”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (7)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底；
触控焊盘，所述触控焊盘设置在所述衬底的一侧；
第一平坦化层，所述第一平坦化层设置在所述触控焊盘远离所述衬底的一侧；
第一钝化层，所述第一钝化层设置在所述第一平坦化层远离所述触控焊盘的一侧；
触控电极层，所述触控电极层设置在所述第一钝化层远离所述第一平坦化层的一侧，其中，所述触控电极层通过第一过孔和所述触控焊盘电连接，所述第一过孔依次贯穿所述第一平坦化层以及所述第一钝化层；
源漏极层，所述源漏极层和所述触控焊盘同层设置；像素电极层，所述像素电极层设置在所述第一平坦化层和所述第一钝化层之间，所述像素电极层通过第二过孔和所述源漏极层中的源漏焊盘相连，所述第二过孔贯穿所述第一平坦化层；
或者，
源漏极层，所述源漏极层设置在所述衬底的一侧；第二平坦化层，所述第二平坦化层设置在所述源漏极层远离所述衬底的一侧；第二钝化层，所述第二钝化层设置在所述第二平坦化层远离所述源漏极层的一侧；所述触控焊盘设置在所述第二钝化层远离所述第二平坦化层的一侧；
像素电极层，所述像素电极层设置在所述第一平坦化层和所述第一钝化层之间，所述像素电极层通过第二过孔和所述源漏极层中的源漏焊盘相连，所述第二过孔依次贯穿所述第二平坦化层、所述第二钝化层以及所述第一平坦化层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，进一步包括：像素电极层，所述像素电极层设置在所述第一平坦化层和所述第一钝化层之间，所述像素电极层包括多个阵列分布的子像素电极，
所述触控电极层包括多个阵列分布的触控电极，所述触控电极在所述衬底上的正投影和所述子像素电极在所述衬底上的正投影的至多一部分重合。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底进一步包括：
基板；
缓冲层，所述缓冲层设置在所述基板的一侧；
有源层，所述有源层设置在所述缓冲层远离所述基板的一侧，所述有源层在所述基板上的正投影覆盖所述基板的部分表面，形成所述有源层的材料包括低温多晶硅；
栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述有源层远离所述缓冲层的一侧；
栅极，所述栅极设置在所述栅极绝缘层远离所述有源层的一侧，且所述栅极在所述基板上的正投影位于所述有源层在所述基板上的正投影区域内；
层间绝缘层，所述层间绝缘层设置在所述栅极远离所述栅极绝缘层的一侧；
所述阵列基板进一步包括：
源漏极层，所述源漏极层设置在所述层间绝缘层远离所述栅极的一侧，所述源漏极层通过第三过孔和所述有源层电连接；
所述触控焊盘和所述源漏极层同层设置，或者所述触控焊盘设置在所述源漏极层远离所述层间绝缘层的一侧。
4.一种制作阵列基板的方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底的一侧形成触控焊盘；
在所述触控焊盘远离所述衬底的一侧形成第一平坦化层；
在所述第一平坦化层远离所述触控焊盘的一侧形成第一钝化层；
在所述第一钝化层远离所述第一平坦化层的一侧形成触控电极层，其中，
所述触控电极层通过第一过孔和所述触控焊盘电连接；
在所述第一平坦化层和所述第一钝化层之间形成像素电极层，
所述第一过孔包括依次贯穿所述第一平坦化层的第一孔、贯穿所述像素电极层的第二孔以及贯穿所述第一钝化层的第三孔，
所述第一孔是通过下述方法实现的：
在所述触控焊盘远离所述衬底的一侧涂布平坦化树脂，并利用掩膜对所述平坦化树脂进行曝光固化，所述掩膜在所述衬底上的正投影位于所述触控焊盘在所述衬底上的正投影区域中，在未被所述掩膜覆盖的所述触控焊盘远离所述衬底的一侧形成具有所述第一孔的所述第一平坦化层；
所述第三孔是通过下述方法实现的：
在所述像素电极层远离所述第一平坦化层的一侧沉积第一钝化层材料；
在所述第一钝化层材料远离所述第一平坦化层的表面涂布光刻胶，并对所述光刻胶进行曝光，形成图形化的光刻胶层，所述光刻胶层具有镂空区域，所述镂空区域在所述衬底上的正投影位于所述第一孔在所述衬底上的正投影区域中；
对所述镂空区域对应处的所述第一钝化层材料进行第一干法刻蚀，以便形成所述第三孔；
去除所述光刻胶层；
所述对所述镂空区域对应处的所述第一钝化层材料进行所述第一干法刻蚀时，刻蚀气体同时对所述第三孔对应处的所述触控焊盘远离所述衬底一侧的表面进行刻蚀，去除所述第三孔对应处的所述触控焊盘远离所述衬底一侧的表面的氧化层；
所述方法进一步包括：形成源漏极层，所述源漏极层和所述触控焊盘同层设置，所述像素电极层通过第二过孔和所述源漏极层的源漏焊盘电连接，其中，
所述第二过孔是通过下述方法实现的：
在形成所述第一孔时，所述掩膜在所述衬底上的正投影位于所述触控焊盘和所述源漏焊盘在所述衬底上的正投影区域中；
或者，
形成所述触控焊盘之前，所述方法进一步包括：
在所述衬底的一侧形成源漏极层；
在所述源漏极层远离所述衬底的一侧形成第二平坦化层；
在所述第二平坦化层远离所述衬底的一侧形成第二钝化层；
所述触控焊盘形成在所述第二钝化层远离所述第二平坦化层的一侧，其中，
所述像素电极层通过第二过孔和所述源漏极层中的源漏焊盘相连，所述第二过孔包括依次贯穿所述第二平坦化层的第四孔、贯穿所述第二钝化层的第五孔以及贯穿所述第一平坦化层的第六孔，其中，
所述第五孔是通过对沉积在所述第二平坦化层远离所述源漏极层一侧的第二钝化层材料进行第二干法刻蚀形成的，所述第二干法刻蚀的刻蚀气体同时对所述第五孔对应处的所述源漏焊盘远离所述衬底一侧的表面进行刻蚀，去除所述第五孔对应处的所述源漏焊盘远离所述衬底一侧的表面的氧化层。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：在所述第一平坦化层和所述第一钝化层之间形成像素电极层，形成的所述像素电极层包括多个阵列排布的子像素电极，形成所述触控电极层进一步包括：
在所述第一钝化层远离所述像素电极层的一侧沉积电极材料，并将沉积的所述电极材料图案化，形成阵列排布的多个触控电极，所述触控电极在所述衬底上的正投影和所述子像素电极在所述衬底上的正投影的至多一部分重合。
6.一种显示面板，其特征在于，包括：
权利要求1-3任一项所述的阵列基板，或权利要求4-5任一项所述的方法所制备的阵列基板。
7.一种显示装置，其特征在于，包括：
权利要求6所述的显示面板。
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| CN115016136A (zh) * | 2022-05-06 | 2022-09-06 | 滁州惠科光电科技有限公司 | 显示面板、制备方法及显示装置 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016106876A1 (zh) * | 2014-12-31 | 2016-07-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示装置 |
| CN106206608A (zh) * | 2016-06-15 | 2016-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、触控面板、触控显示装置 |
| CN106775165A (zh) * | 2017-01-06 | 2017-05-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | 内嵌式触控显示面板及电子装置 |
| CN206741462U (zh) * | 2017-06-01 | 2017-12-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
| CN107546234A (zh) * | 2017-08-24 | 2018-01-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、阵列基板及其制备方法 |
| CN107562270A (zh) * | 2017-08-28 | 2018-01-09 | 上海中航光电子有限公司 | 一种触控显示面板及显示装置 |
| CN107957822A (zh) * | 2018-01-11 | 2018-04-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、触控显示面板、触控显示装置 |
| CN109375405A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-02-22 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
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Family Cites Families (5)
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|---|---|---|---|---|
| JP2013140190A (ja) * | 2010-04-21 | 2013-07-18 | Sharp Corp | 表示装置 |
| CN104503172A (zh) * | 2014-12-19 | 2015-04-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板及显示装置 |
| KR102395900B1 (ko) * | 2015-06-26 | 2022-05-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
| CN105789219B (zh) * | 2016-03-22 | 2018-07-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种用于制造显示面板的方法、显示面板以及显示装置 |
| KR20210010733A (ko) * | 2019-07-18 | 2021-01-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
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Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016106876A1 (zh) * | 2014-12-31 | 2016-07-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示装置 |
| CN106206608A (zh) * | 2016-06-15 | 2016-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、触控面板、触控显示装置 |
| CN106775165A (zh) * | 2017-01-06 | 2017-05-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | 内嵌式触控显示面板及电子装置 |
| CN206741462U (zh) * | 2017-06-01 | 2017-12-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
| CN107546234A (zh) * | 2017-08-24 | 2018-01-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、阵列基板及其制备方法 |
| CN107562270A (zh) * | 2017-08-28 | 2018-01-09 | 上海中航光电子有限公司 | 一种触控显示面板及显示装置 |
| CN107957822A (zh) * | 2018-01-11 | 2018-04-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、触控显示面板、触控显示装置 |
| CN109375405A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-02-22 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
| CN109634467A (zh) * | 2019-02-20 | 2019-04-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法 |
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