CN108781504A - 处理基板的方法 - Google Patents

处理基板的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108781504A
CN108781504A CN201780014450.8A CN201780014450A CN108781504A CN 108781504 A CN108781504 A CN 108781504A CN 201780014450 A CN201780014450 A CN 201780014450A CN 108781504 A CN108781504 A CN 108781504A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
support
vector
carrier
exterior section
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201780014450.8A
Other languages
English (en)
Inventor
蒂莫西·迈克尔·米勒
约瑟夫·威廉·索伯
罗斯·约翰逊·斯图尔特
加里·卡尔·韦伯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Corning Inc
Original Assignee
Corning Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Corning Inc filed Critical Corning Inc
Publication of CN108781504A publication Critical patent/CN108781504A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/007Manufacture or processing of a substrate for a printed circuit board supported by a temporary or sacrificial carrier
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B43/00Operations specially adapted for layered products and not otherwise provided for, e.g. repairing; Apparatus therefor
    • B32B43/006Delaminating
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04Interconnection of layers
    • B32B7/06Interconnection of layers permitting easy separation
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133305Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00Electrical equipment
    • B32B2457/20Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6835Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used as a support during build up manufacturing of active devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/02Details related to mechanical or acoustic processing, e.g. drilling, punching, cutting, using ultrasound
    • H05K2203/0264Peeling insulating layer, e.g. foil, or separating mask
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/08Treatments involving gases
    • H05K2203/085Using vacuum or low pressure

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

方法包括处理基板,包括以下步骤:将楔形件压靠在载体至少结合到基板的外部部分。方法进一步包括以下步骤:在基板与载体之间的外周边结合的界面的位置处发起脱离。通过在楔形件与基板的外缘部分之间提供相对移动而达成发起脱离的步骤。

Description

处理基板的方法
相关申请
本申请根据35 U.S.C.§119主张2016年1月21日提交的美国临时申请第62/281,302号的优先权的权益,其内容是本申请的依据并且其全文以引用方式并入本文。
技术领域
本公开内容一般涉及用于处理基板的方法,并且更具体地,涉及通过在基板与载体之间的外周边结合的界面的位置处发起脱离而处理基板的方法。
背景技术
在柔性电子或其它装置的制造中使用薄的、柔性玻璃受到关注。柔性玻璃可以具有与电子装置(例如,液晶显示器(LCD)、电泳显示器(EPD)、有机发光二极管显示器(OLED)、等离子体显示面板(PDP)、触摸传感器、光伏器件等)的制造或性能相关的若干有益性质。在使用柔性玻璃中的一个要素是以片材的形式处理玻璃的能力。
在柔性玻璃的处理期间处理柔性玻璃的一种方式中,使用结合剂将柔性玻璃结合到相对刚性的载体上。一旦被结合到载体,载体的相对刚性的特性和尺寸允许结合结构在生产中被处理而不对柔性玻璃造成非所欲的弯曲或损坏。例如,柔性玻璃片可结合到载体,并且接着功能部件(例如,滤色器、触摸传感器或薄膜晶体管(TFT)部件)可附接到柔性玻璃片以产生玻璃基板,玻璃基板可以用于液晶显示器(LCD)的生产。
例如,一旦处理和/或其它处理步骤完成,可能存在从基板移除载体的要求。然而,鉴于基板的易碎本质,当试图移除载体时,载体和/或结合到载体的基板可能不幸地被损坏。例如,对于强的结合界面而言,可能需要施加大量的力,当试图从基板剥离载体时,可能损坏载体和/或基板。此外,用尖锐物体弱化结合界面的尝试可能产生与载体和/或结合基板的进一步的收缩应力,从而损坏载体和/或结合基板。因此,存在用于从载体分离基板而不损坏基板和/或结合到载体的基板的可实践的解决方案的需求。
发明内容
以下给出本公开内容的简化概述,以提供对在实施方式中描述的一些实施方式的基本理解。本发明的实施方式提供处理基板(如,一个或多个单一基板或两个或更多个单一基板的堆叠)的方法。
本公开内容的全文中的单一基板可一包括广泛基板,包括单一玻璃基板(如,单一柔性玻璃基板,或单一刚性玻璃基板)、单一玻璃陶瓷基板、单一陶瓷基板或单一硅基板。在一些实施方式中,单一基板可以包括单一空白材料基板,诸如单一空白玻璃基板(例如,包括原始表面的玻璃片,其可能(例如)已经与通过下拉熔融工艺或其它技术而产生的玻璃带分离)、单一空白玻璃-陶瓷基板或单一空白硅基板(例如,单一空白硅晶片)。如果被提供为单一空白玻璃基板,那么单一空白玻璃基板可以是透明的、半透明的或不透明的,并且可任选地在单一空白玻璃基板的整个厚度上从单一空白玻璃基板的第一主表面到第二主表面包括相同的玻璃成分。在又进一步实施方式中,单一空白玻璃基板可以包括已被化学强化的单一空白玻璃基板。
本公开内容的任何单一基板可任选地包括广泛功能。例如,单一玻璃基板可以包括允许单一基板修改光或结合到显示装置、触摸传感器部件或其他装置中的特征。例如,单一玻璃基板可以包括滤色器、偏振器、薄膜晶体管(TFT)或其他部件。在进一步的实施方式中,如果单一基板被提供为单一硅基板,那么单一硅基板可以包括允许其结合到集成电路,光伏装置或其他电子部件中的特征。
在进一步的实施方式中,基板可以包括单一基板的堆叠,例如,以上讨论的单一基板中的任一个或组合。单一基板的堆叠可通过相对于彼此而堆叠的两个或更多个单一基板来构建,其中相邻单一基板的相面对的主表面彼此结合。在仅一个实施方式中,单一基板的堆叠可以包括单一玻璃基板的堆叠。例如,第一单一玻璃基板可以包括滤色器,并且第二单一玻璃基板可以包括薄膜晶体管。第一单一玻璃基板和第二单一玻璃基板可以(例如)用边缘结合而结合在一起,作为可形成为用于显示应用的显示面板的单一基板的堆叠。因此,本公开内容的基板可以包括以上公开的任一个或多个单一基板或单一基板的堆叠。
本公开内容提供有利于从结合到基板的一个或多个载体移除以上所述的基板的各种方法。在一些实施方式中,基板(例如,一个或多个单一基板、单一基板的堆叠)可移除地结合到一个或多个载体。在一些实施方式中,基板的第一主表面结合到单一载体。在进一步的实施方式中,基板的两个主表面可结合到相应载体,其中基板位于两个载体之间。
在将基板结合到载体之后的某一时刻,可能需要移除载体而不损坏基板。本公开内容提供允许分离载体而不接触结合到载体的基板的实施方式。因此,可以避免因接触基板的传统技术而导致的损坏。此外,本公开内容提供可在完全地从结合到载体的基板移除(例如,通过剥离)载体之前,发起在载体与结合到载体的基板之间的脱离的技术。发起脱离的结合界面的初始位置在结合界面中提供期望的弱化点。因此,后续的剥离技术可以涉及显著更小的力,因为脱离已经发起。由于减小用于将载体完全地移除(例如,通过剥离)的最大的施加力,施加到基板的相关应力可同样地减小,由此进一步减少对基板的可能损坏。
在一个实施方式中,提供一种用于处理基板的方法,其中基板的第一主表面可移除地结合到第一载体的第一主表面,并且基板的第二主表面可移除地结合到第二载体的第一主表面。基板的外缘部分设置在第一载体的外部部分与第二载体的外部部分之间。方法可以包括步骤(I):将楔形件压靠在第一载体和第二载体的外部部分上。方法可进一步包括步骤(II):在基板与第一载体之间的外周边结合的界面的位置处发起脱离。发起脱离的步骤可通过在楔形件和基板的外缘部分之间提供相对移动以撬开第一载体和第二载体的外部部分而达成。
在另一实施方式中,可执行步骤(I)和(II)而不使基板的任何部分与楔形件接触。
在另一实施方式中,***工具的第一部分可以包括限定楔形件的锥形厚度。
在另一实施方式中,在步骤(II)之后,方法可进一步包括以下步骤:用***工具增大在第一载体的脱离部分与第二载体之间的距离,以使第一载体的另外部分从基板脱离。
在另一实施方式中,***工具可进一步包括具有恒定厚度的第二部分。方法可又进一步包括减小在楔形件与基板的外缘部分之间的距离,至少直到第一载体和第二载体的被撬开的外部部分的相面对的内表面间隔开等于***工具的第二部分的恒定厚度的距离。
在另一实施方式中,***工具的第二部分的恒定距离可比在步骤(I)开始时在第一载体和第二载体的外部部分的相面对的内表面之间的距离大约20微米至约40微米。
在另一实施方式中,***工具的第二部分可以包括限定恒定厚度的相对的平行的外表面。
在另一实施方式中,在步骤(II)之后,所述方法可进一步包括以下步骤:增大在第一载体的脱离部分与第二载体之间的距离,其中***工具的第二部分的表面接合第一载体的外部部分的内表面,以使第一载体的另外部分从基板脱离。
在另一实施方式中,方法可进一步包括以下步骤:在步骤(II)期间抑制第二载体的弯曲。
在另一实施方式中,方法可进一步包括将第二载体的第二主表面可移除地附接到板,以在步骤(II)期间抑制第二载体的弯曲。
在另一实施方式中,板可以包括真空板,并且方法可进一步包括将第二载体的第二主表面真空附接到真空板,以在步骤(II)期间抑制第二载体的弯曲。
在另一实施方式中,基板可以包括玻璃基板和硅基板中的至少一种。
在另一实施方式中,基板可以包括具有厚度为从约50微米至约300微米的单一玻璃基板。
在另一实施方式中,第一载体和第二载体中的至少一个可以包括从约200微米至约700微米的厚度。
在另一实施方式中,在基板与第一载体和第二载体的至少一个之间的退后横向距离可为从约2mm至约10mm。
在另一实施方式中,在步骤(II)之后,方法可进一步包括步骤(III):通过在楔形件和基板的外缘部分之间提供相对移动以撬开第一载体和第二载体的外部部分而在基板和第二载体之间的外周边结合的界面的位置处发起脱离。
在另一实施方式中,方法可以包括以下步骤:在步骤(III)期间抑制第一载体的弯曲。
在另一实施方式中,方法可进一步包括将第一载体的第二主表面真空附接到真空板以在步骤(III)期间抑制第一载体的弯曲。
在另一实施方式中,在步骤(III)之后,方法可进一步包括步骤(IV):完全地从基板移除第一载体和第二载体中的一个。
在另一实施方式中,在步骤(IV)之后,方法可进一步包括步骤(V):完全地从基板移除第一载体和第二载体中的另一个。
在另一实施方式中,提供有一种用于处理玻璃基板的方法,其中玻璃基板的第一主表面可移除地结合到第一载体的第一主表面,并且玻璃基板的第二主表面可移除地结合到第二载体的第一主表面。玻璃基板的外缘部分设置在第一载体的外部部分和第二载体的外部部分之间。方法包括以下步骤(I):将第二载体的第二主表面可移除地附接到板,以抑制第二载体的弯曲。方法进一步包括以下步骤(II):将***工具的楔形件压靠在第一载体和第二载体的外部部分上,同时第二载体的第二主表面附接到板。方法进一步包括以下步骤(III):在玻璃基板与第一载体之间的外周边结合的界面的位置处发起脱离,同时第二载体的第二主表面附接到板。发起脱离可通过在楔形件与玻璃基板的外缘之间提供相对移动以撬开第一载体和第二载体的外部部分而达成。可执行步骤(II)和(III)而不使玻璃基板的任何部分与楔形件接触。
在另一实施方式中,***工具可以包括第一部分和第二部分,第一部分包括楔形件,第二部分具有恒定厚度。方法可进一步包括减小在楔形件和玻璃基板的外缘部分之间的距离,至少直到第一载体和第二载体的撬开的外部部分的相面对的内表面间隔开等于***工具的第二部分的恒定厚度的距离。
在另一实施方式中,在步骤(III)之后,进一步包括以下步骤:增大在第一载体的脱离部分与第二载体之间的距离。增加距离可通过***工具的第二部分的表面接合第一载体的外部部分的内表面而达成,以使第一载体的另外部分从玻璃基板脱离。
在另一实施方式中,提供有一种用于处理基板的方法,其中基板的第一主表面可移除地结合到载体的第一主表面。方法包括以下步骤(I):相对于板可移除地附接基板的第二主表面,以抑制基板的弯曲。一旦可移除地附接,基板的外缘部分设置在载体的外部部分和板的表面之间。方法可进一步包括以下步骤(II):将楔形件压靠在载体的外部和板的表面。方法还可进一步包括以下步骤(III):通过提供在楔形件和基板的外缘部分之间的相对移动以撬开载体的外部部分和板的表面而在基板和载体之间的外周边结合的界面的位置处发起脱离,同时基板的第二主表面相对于板的表面维持可移除地附接。
在另一实施方式中,可执行步骤(II)和(III)而不使基板的任何部分与楔形件接触。
在另一实施方式中,***工具的第一部分可以包括限定楔形件的锥形厚度。
在另一实施方式中,在步骤(III)之后,方法可进一步包括以下步骤:用***工具增大在载体的脱离部分与板的表面之间的距离,以使载体的另外部分从基板脱离。
在另一实施方式中,***工具可进一步包括具有恒定厚度的第二部分。方法还可进一步包括减小在楔形件与基板的外缘部分之间的距离,至少直到载体的内表面与板的表面间隔开等于***工具的第二部分的恒定厚度的距离。
在另一实施方式中,***工具的第二部分的恒定距离可比在步骤(II)开始时在载体的内表面与板的表面之间的距离大约20微米至约40微米。
在另一实施方式中,***工具的第二部分可以包括限定恒定厚度的相对的平行的外表面。
在另一实施方式中,在步骤(III)之后,方法可进一步包括以下步骤:增大在载体的脱离部分与板的表面之间的距离,其中***工具接合载体的外部部分的内表面,以使载体的另外部分从基板脱离。
在另一实施方式中,板可以包括真空板,并且步骤(I)包括将基板的第二主表面真空附接到真空板。
在另一实施方式中,基板可以包括玻璃基板和硅基板中的至少一种。
在另一实施方式中,基板可以包括单一基板。
在另一实施方式中,基板可以包括玻璃基板。
在另一实施方式中,基板可以包括具有厚度为从约50微米至约300微米的单一基板。
在另一实施方式中,载体可以包括从约200微米至约700微米的厚度。
在另一实施方式中,在基板与载体之间的退后横向距离可为从约2mm至约10mm。
在另一实施方式中,在步骤(III)之后,方法可进一步包括以下步骤(IV):完全地从基板移除载体。
附图简述
当参考附随图式阅读以下的实施方式时,可更好地理解以上和其他特征,其中:
图1是真空附接到真空板的第二载体的示意性平面图,其中基板的一部分、第一载体和第二载体被剖开以示出真空板的真空端口;
图2是沿图1的线2-2的示意性剖面图;
图3是沿图2的视图3的放大示意图,示出在将楔形件压靠在第一载体和第二载体的外部部分上之前的某个位置处的楔形件;
图4示出本公开内容的任何实施方式的楔形件和/或第一载体和第二载体的外部部分的替代剖面轮廓的实施方式;
图5示出本公开内容的任何实施方式的楔形件和/或第一载体和第二载体的外部部分的替代剖面轮廓的另一实施方式;
图6是类似于图3的放大示意图,但示出将楔形件压靠在第一载体和第二载体的外部部分的步骤;
图7是类似于图6的放大示意图,但示出在第一载体与基板之间发起脱离的步骤;
图8是类似于图7的放大示意图,但示出进一步******工具以使得第一载体和第二载体的被撬开的外部部分间隔开等于***工具的第二部分的恒定厚度的距离的步骤;
图9是类似于图8的放大示意图,但示出用***工具增大在第一载体的脱离部分与第二载体之间的距离的步骤;
图10是类似于图9的放大示意图,但示出完全地从基板移除第一载体的步骤;
图11示出相对于真空板真空附接的基板,其中楔形件被压靠在第二载体的外部部分和真空板的表面上;
图12示出图11的楔形件和/或载体的外部部分的替代剖面轮廓的实施方式;
图13示出图11的楔形件和/或载体的外部部分的替代剖面轮廓的另一实施方式;
图14是类似于图11的放大示意图,但示出在第二载体与基板之间发起脱离的步骤;
图15是类似于图11的放大示意图,但示出进一步******工具的步骤;
图16是类似于图11的放大示意图,但示出增大在第二载体的脱离部分与板的表面之间的距离的步骤;
图17是示出完全地从图16的基板移除第二载体的步骤的放大示意图;
图18是示出本公开内容的替代实施方式的步骤的方块图;和
图19是示出相对于退后横向距离的脱离发起的百分比的曲线图。
具体实施方式
现将在下文中参考附随图式而更全面地描述实施方式,在附随图式中示出各种实施方式。只要可能,使用相同的元件符号在整个图式中,以指代相同或相似的部件。然而,各个方面可以许多不同的形式而实施,并且不应被解释为受限于在此所阐述的实施方式。
为了能够在处理期间处理基板,基板可结合到一个或多个载体。载体的相对刚性的特征和尺寸允许在生产中处理结合的基板,而没有显著弯曲,否则其可能导致对基板和/或安装到基板上的部件的损坏。本公开内容的任何实施方式的基板可如上所述包括一个或多个单一基板或者两个或更多个单一基板的堆叠。单一基板可具有从约50微米到约300微米的厚度,但是在进一步的实施方式中可提供其他厚度。在一个实施方式中,单一柔性玻璃基板或单一柔性玻璃基板的堆叠(其中每一单一柔性玻璃基板具有从约50微米到约300微米的厚度)可使用结合剂(例如聚合物结合剂,或在美国专利申请公开号第US2014/0170378号、第US2015/0329415号中所公开的结合剂,或在国际专利申请公开号第WO2015/113020号、第WO2015/113023号、第WO2015/112958号、第WO2015/157202号中所公开的结合剂,或在2015年6月26日提交的美国临时专利申请US62/185095、2015年5月19日提交的US62/163821、2015年8月5日提交的US62/201245中所公开的结合剂)而可移除地结合到刚性载体。类似地,结合剂可包括如在EP2025650中详述的硅酮材料,或在KR2013044774中详述的表面粗糙度机制。载体可由能够抵抗在可移除地结合到载体的基板的处理期间的条件的玻璃,树脂或其他材料所制成。贯穿本公开的载体可任选地通过提供载体而引入所欲的刚性水平,所述载体具有大于可移除地结合到载体的基板的厚度的厚度。如图所示,载体可包括在载体的第一主表面和第二主表面之间的具有厚度的板(例如,刚性板)。在一些实施方式中,贯穿本公开内容的载体可包括从约200微米至约700微米的厚度。在一些进一步的实施方式中,载体可包括大于结合到载体的单一基板的厚度的厚度。此外,在一些实施方式中,可选择载体的厚度,其中载体和结合到载体的基板的总厚度在可用于已经配置以处理相对厚的玻璃基板的现有处理机械的范围内,所述相对厚的玻璃基板具有在载体和结合到载体的基板的总厚度的范围内的厚度。
如图1和2中所示意性所示的,基板301可任选地包括单一基板或单一基板的堆叠。在仅一个实施方式中,图3示出以两个单一基板的堆叠的任选形式的基板301,基板301包括结合到第二单一玻璃基板315b的第一单一玻璃基板315a。图3的基板可以各种各样的方式而形成。例如,第一单一柔性玻璃片可结合到第一载体307,以产生第一结合结构323a。同样地,第二柔性玻璃片可结合到第二载体313,以产生第二结合结构323b。第一结合结构323a可用经设计以处理第一结合结构的现有机械处理,以向第一柔性玻璃片添加一个或多个功能部件(例如滤色器317),以产生第一单一玻璃基板315a。在一些实施方式中,第一单一玻璃基板315a可由于与刚性的第一载体307的结合而为非柔性的,但是如果从第一载体307完全地脱离,那么将为单一柔性玻璃基板。
第二结合结构323b可用经设计以处理第二结合结构的现有机器处理,并向第二柔性玻璃片添加一个或多个功能部件(例如薄膜晶体管(TFT)部件319),以产生第二单一玻璃基板315b。在一些实施方式中,第二单一玻璃基板315b可由于与刚性的第二载体313结合而为非柔性的,但是如果从第二载体313完全地脱离,那么将为单一柔性玻璃基板。
第一结合结构323a的第一单一玻璃基板315a的外表面可结合到第二结合结构323b的第二单一玻璃基板315b的外表面,以形成基板301(例如,所示的单一基板的堆叠),其包括结合到第二单一基板315b的第一单一基板315a。如图所示,以单一玻璃基板的堆叠的形式的基板301可形成用于显示器应用的玻璃面板,但是在进一步的实施方式中可形成其他结构。在一些实施方式中,由于与刚性的第一载体307和刚性的第二载体313结合,以单一基板的堆叠的形式的基板301可为非柔性的,但如果从第一载体307和第二载体313完全地脱离,那么将为单一基板的柔性堆叠。如图所示,基板301包括第一主表面303和第二主表面309,第一主表面303可移除地结合到第一载体307的第一主表面305,第二主表面309可移除地结合到第二载体313的第一主表面311。
在将基板结合到载体之后的某一时刻,可能需要移除载体而不损坏基板。实际上,在处理单一基板(例如,通过添加一个或多个功能部件)之前,可能需要从载体移除单一基板。在另一实施方式中,可能存在在将基板处理成具有功能部件的单一基板之后且在将基板创建为单一基板的堆叠之前,从载体移除单一基板的要求。在又进一步的实施方式中,可能存在从包括单一基板的堆叠的基板(例如以上所讨论的基板301)移除一个或多个载体的要求。
可能存在最终从以上所讨论的任何基板移除载体的要求。由于基板的易碎本质,在一些实施方式中,可能存在移除载体而不接合基板的外缘部分321的要求。
在一些实施方式中,可能存在在外周边结合的界面的预定位置处发起脱离的要求。这种脱离发起可降低应力,和可能在没有脱离发起步骤的情况下发生对基板和/或载体的可能的损害。事实上,提供脱离发起步骤可针对外周边结合的界面的相对小的位置,以允许在小区域里以第一力起始脱离,由此提供一个弱化点在结合处,这可允许以与第一力相比为减小的第二力从基板更容易地完全移除(例如,通过剥离)载体。
现将首先参考图18而描述处理基板的方法,因为其应用于图3-10中所示的基板301,不过类似或相同的步骤可应用于以上所讨论的任何其他基板。如图所示,方法可通过任选地包括抑制第二载体313的弯曲的步骤1803而开始于1801。例如,第二载体313可实质地固定,以抵抗弯曲力矩下的弯曲。以这种方式,方法允许合理地预测哪个载体将首先释放。实际上,通过抑制第二载体313的弯曲,载体的弯曲主要受限于第一载体307。因此,抑制第二载体313的弯曲可促使脱离,以在基板301和第一载体307之间的外周边结合的界面的位置处发起。
抑制第二载体313的弯曲的步骤1803可以多种方式而达成。例如,方法步骤1803可包括将第二载体313的第二主表面325可移除地附接到板,以抑制第二载体313的弯曲。板可包括由金属(例如,不锈钢、铝等)、塑胶、树脂或其他材料所制成的刚性板。可移除的附接可通过粘着剂结合或其他技术而达成。在一个实施方式中,如图所示,板可包括真空板327。如图所示,真空板327可真空附接到第二载体313的第二主表面325,以相对于真空板327将第二载体313可释放地固定定位。
如图1和2中所示,真空板327可包括一个或多个真空端口,例如所示的复数个真空端口101在真空板327的表面103(例如,实质平坦的表面)处开口。复数个真空端口101可设置成与真空源201(参见图2)(例如真空罐或真空泵)选择性流体连通。如图2中所示,真空导管203(例如柔性软管)可在复数个真空端口101和真空源201之间提供流体连通。在一个实施方式中,如图2中所示,真空板可包括真空腔室205,真空腔室205可设置成与复数个真空端口101流体连通,使得复数个真空端口101与真空导管203流体连通。
虽然未示出,但是可提供一个或多个支座以防止在第二载体313的第二主表面325和真空板327的表面103之间的实际接合。这种支座可包括外周边支座,例如包围复数个真空端口101的环。另外或替代地,支座可包括分布在真空端口之间,遍和于真空端口101的图案的柱。柱可包括各种材料,例如聚合物材料。支座可延伸约1.6毫米(mm)(例如,1/16英寸)的距离,但是在进一步的实施方式中可使用其他距离。
如图18中的箭头1805所示,方法可任选地从抑制第二载体313的弯曲的步骤1803进行到将楔形件601(参见图6)(例如***工具329的楔形件)压靠在第一载体307的外部部分603a和第二载体313的外部部分603b的步骤1807。替代地,如箭头1809所示,方法可开始于将楔形件601压靠在第一载体307和第二载体313的外部部分603a、603b的步骤1807。这可能是期望的,以减少处理时间且如果没有优先选择哪个载体首先释放。然而,为了抓取基板301并提供预先选择的第一载体307的优先脱离,可(例如)利用于上所讨论的真空板327抑制第二载体313弯曲。
参照图1,楔形件601可在方向105上朝向分别包括第一载体307和第二载体313的外部部分603a、603b的倒角拐角107***。这个接近角度可减小在与载体接合的点处的应力集中,同时最大化在基板301的拐角处的应力集中,以促进载体从基板发起脱离。如图1中示意性所示,除了倒角拐角,载体的任何或所有拐角可包括修圆拐角109或其他拐角形状。此外,载体的任何或所有拐角可包括倒角,诸如倒角拐角107、110a、110b。此外,可在一个或多个载体拐角处提供替代形状。如图1中的虚线示意性所示,基板301的拐角可任选地包括修圆拐角113,倒角拐角115或其他拐角形状。此外,基板可包括修圆拐角或倒角拐角的混合或其他拐角形状的混合。又进一步地,所有的拐角可包括修圆拐角、倒角拐角或其他拐角形状。
回到图18,在步骤1807之后,方法可进行到步骤1811,其通过提供在楔形件601和基板301的外缘部分321之间的相对移动以撬开第一载体307和第二载体313的至少一个的外部部分603a、603b而在基板301和第一载体307之间的外周边结合的界面605(参见图6)的位置701(参见图7)处发起脱离。在步骤1811期间,可如以上关于步骤1803所述,抑制第二载体的弯曲。例如,如前面所讨论的,在步骤1803期间,方法可包括将第二载体313的第二主表面325真空附接到真空板327,以在步骤1803期间抑制第二载体313的弯曲。
撬开第一载体307和第二载体313的外部部分603a、603b的至少一个的动作可通过将楔形件601(例如)在图1、6和7中所示的方向105上线性地压靠外部部分603a、603b而达成。由楔形件601所提供的撬开动作通过外部部分603a、603b和楔形件601的相对轮廓形状而达成。在仅一个实施方式中,***工具的锥形厚度限定楔形件601。例如,如图3中所示,***工具329可包括设置有楔形件601的外端,楔形件601在向外方向331上从较大厚度T1渐缩成较小厚度T2。可通过***工具329的锥形厚度而界定提供给楔形件的各种替代形状。例如,图4示出***工具401的另一实施方式,其具有倒角楔形件403,倒角楔形件403包括可终止于钝端407的倾斜侧405。图5示出***工具501的又另一实施方式,其具有圆形楔形件503,圆形楔形件503包括可终止于钝端507的修圆拐角505。为***工具提供锥形楔形件可减少可能提供应力点的尖锐拐角,尖锐拐角可能对***工具和/或外部部分603a、603b造成损坏。此外,锥形楔形件允许外部部分603a、603b被撬开,因为***工具329的最大厚度607(见图6)大于在步骤1807开始时在第一载体307和第二载体313的外部部分603a、603b的相面对的内表面之间的距离“D1”(参见图6)。
如进一步所示,外部部分603a、603b可具有与以上所论述的任何实施方式中所论述的楔形件相似的圆形轮廓。也就是说,外部部分603a、603b可具有如图4、5、12或13的任一个所示的轮廓。此外,还可想到在***工具的楔形件包括由***工具的末端的锥形厚度所限定的楔形件的实施方式中,外部部分603a、603b可具有带90度的拐角的平坦边缘。替代地,在外部部分603a、603b包括锥形端的实施方式中,***工具的楔形件可包括端部,所述端部具有带90度的拐角的平坦边缘。然而,为***工具的外部部分603a、603b和楔形件601提供锥形轮廓(例如,如图所示)可减小应力点,从而减少对***工具和/或载体的磨损和损坏,同时还提供所欲的撬开动作。
在一些实施方式中,方法步骤1807和1811可实施而不使基板301的任何部分与楔形件601接触。实际上,例如,如图8中所示,在完全***位置处,楔形件601的顶点601a与基板301的外缘部分321间隔开。防止在基板301和楔形件601之间的接触可避免对基板301施加压力,从而减少损害基板301的可能性,否则以刀片结合基板和/或载体以试图突破外周边结合的界面605的其他技术可能会发生这种情况。此外,减小在***工具的楔形件上的尖锐点可进一步减少或防止如果不知何故接触发生时对基板301的损坏。例如,提供具有钝端407、570或具有圆形顶点601a的***工具的楔形件可减少或消除尖锐的边缘、点或拐角,并且从而避免如果非故意的接触发生时对基板301的外缘部分321的损坏。
如图18中所示,在发起脱离的步骤1811之后,方法可任选地进行到步骤1813,用***工具329增加在第一载体307的脱离部分和第二载体313之间的距离,以使第一载体307的另外部分从基板301脱离。为获得更可靠的提升界面,***工具可任选地在***方向105上进一步***,直到***工具329的最大厚度位于第一载体307的第一主表面305下方。如图8中所示,在一些实施方式中,***工具包括在***工具329的第二部分801的长度上包括恒定厚度609的第二部分801。如图所示,在一些实施方式中,在第二部分801的长度上的恒定厚度609可包括***工具的最大厚度。在一些实施方式中,如图8中所示,恒定厚度609可由两个相对的平行的外表面803a、803b所提供。平行表面可提供恒定厚度609,恒定厚度609可在第一载体307和第二载体313的外部部分603a、603b之间提供所欲的间隔。在一些实施方式中,恒定厚度609可比在步骤1807开始时在外部部分603a、603b的相面对的内表面之间的距离“D1”大约20微米到约40微米。虽然可采用宽范围的厚度差,但提供小于20微米的厚度差可能不能在一些应用中成功地发起脱离,而当提供大于40微米的厚度差时可能使得***工具在一些应用中太难以***。
如图8中所示,在一些实施方式中,方法可进一步包括减小在楔形件601和基板301的外缘部分321之间的距离,至少直到第一载体307和第二载体313的撬开的外部部分603a、603b的相面对的内表面被间隔开等于***工具329的第二部分801的恒定厚度609的距离“D2”。减小距离可提供重叠的平面界面805,重叠的平面界面805可减少应力以和降低***工具在以下所述的提升操作期间无意地从第一载体307脱离的可能性。减小距离可(例如)通过沿方向105进一步******工具而达成。工具可***的程度可取决于基板301的退后横向距离。为了本公开内容的目的,参考图6,退后横向距离“L1”被认为是在***工具***以发起脱离的位置处,在待提升的载体(例如,第一载体307)的最外点与基板301的外缘部分321的最外点之间的横向距离。可根据本公开内容而使用宽范围的退后横向距离。例如,在一些实施方式中,退后横向距离可从约2mm到约10mm。图19示出在垂直轴上的成功脱离发起百分比对照在水平轴上的以毫米为单位的退后距离的曲线图。正方形表示实际数据,而曲线示出实际数据的函数拟合。如可见的,退后距离越高,基板达成成功脱离发起的百分比越大。如可见的,在具有从约2mm至约10mm的退后横向距离的一些实施方式中,可达成从大于70%至约100%的令人印象深刻的结果。使用从约6mm至约10mm的退后横向距离可达成更高的结果。
在一个实施方式中,如图9中所示,增加在第一载体307的脱离部分和第二载体313之间的距离的步骤1813可包括在远离第二载体313的第一主表面311的方向901上提升***工具329。在一些实施方式中,方向901可垂直于第一主表面311,以减少(诸如防止)第一载体相对于***工具329的侧向滑动。如进一步所示的,可增加距离直到第一载体307和第二载体313的撬开的外部部分603a、603b的相面对的内表面与***工具329的第二部分801的表面(例如,所示的平行表面803a的一部分)(所述表面与第一载体307的外部部分603a的内表面接合)间隔开距离“D3”,以使第一载体307的另外部分从基板301脱离。
如图18中的箭头1815和1817所示,在步骤1811或1813之后,方法可任选地进行到步骤1819,其翻转基板以在相对侧上执行类似的过程,以使第二载体313从基板301发起脱离。例如,可如上所述再次实施图6-9中所示的过程,但是将第一载体307安装到在图式中的真空板327。实际上,方法可通过提供在楔形件601和基板301的外缘部分321之间的相对移动以撬开第一载体307和第二载体313的外部部分603a、603b而在基板301和第二载体313之间的外周边结合的界面的位置处发起脱离。类似于以上所讨论的过程,方法可包括当发起脱离时抑制第一载体的弯曲(例如利用板)的步骤。
在一些实施方式中,可在步骤1821期间,在完全地移除载体307、313中的一者或两者之前进行在载体307、313的每一者与基板301之间的发起脱离。实际上,在一些实施方式中,过程在1830结束,而不移除载体,如箭头1823和1825所示。如果要在不同的时间或位置进行完全移除,那么可能发生此种情况。例如,发起脱离但不完全地将载体从基板脱离可允许载体在运送期间保护基板。同时,由于发起脱离但不完全地脱离载体的工艺,简化在目的地位置处移除载体。此外,参考图1,发起脱离可发生在载体的相对拐角上。例如,可在倒角拐角107处发起脱离第一载体,同时可同样地在相对拐角110a、110b的一个处进行第二载体的发起脱离。在相对的拐角110a、110b的一个处提供脱离发起可在第二载体的第二脱离发起过程期间,帮助维持真空密封抵住真空板的基板或载体的刚性。此外,如图18中的箭头1810所示,任何一个载体(例如,第一载体或第二载体)从基板的脱离发起可发生在多于一个位置,并且这可在翻转堆叠之前完成,以在堆叠的外周边周围的一个或多个位置处将任何其他载体从基板发起脱离。
图10示出从基板301完全地移除第一载体307的步骤1821。如图所示,真空条1001可用于夹持载体已经发起脱离的部分,并继续将那个部分在方向1003上向上提升,以完全地从基板301移除(例如,通过剥离)第一载体307。可执行类似的过程,以从基板301移除第二载体313。
根据前述内容,将理解本公开内容的一个实施方式可包括处理玻璃基板(例如玻璃基板301和包括以上所述的单一玻璃基板的堆叠)的方法。在这个实施方式中,玻璃基板301的第一主表面303可移除地结合到第一载体307的第一主表面305,并且玻璃基板301的第二主表面309可移除地结合到第二载体313的第一主表面311。如图3中所示,玻璃基板301的外缘部分321设置在第一载体307的外部部分603a和第二载体313的外部部分603b之间。在这种实施方式中,方法可包括步骤1803,其将第二载体313的第二主表面325可移除地附接到板(例如,真空板),以抑制第二载体313的弯曲。如图6中所示,方法可进一步包括步骤1807,其将***工具329的楔形件601压靠在第一载体307和第二载体313的外部部分603a、603b之间,同时第二载体313的第二主表面325附接到板(例如,真空板)。方法可进一步包括步骤1811,其在玻璃基板301和第一载体307之间的外周边结合的界面605(参见图6)的位置701(参见图7)处发起脱离,同时第二载体313的第二主表面325附接到板(例如,真空板)。如图7中所示,发起脱离的步骤可通过提供在楔形件601和基板301的外缘部分321之间的相对移动以撬开第一载体307和第二载体313的外部部分而达成,其中步骤1807和1811可执行而不使玻璃基板301的任何部分与楔形件601接触。
如图18中所示,提升的步骤181是任选的。事实上,如箭头1827所示,方法可直接从步骤1811进行到从基板完全地移除载体的步骤1821。例如,不是在步骤1811之后翻转基板,而是可如图10中所示完全地移除第一载体307。接着,如箭头1829所示,方法可任选地进行到翻转的步骤1819。移除第二载体313的工艺在图11-17中示出。除非另有指明,否则与图11-17相关联的工艺可与在图1-10中所指出的工艺类似或相同。此外,当示出在图11-17中的工艺示出从玻璃基板301移除载体时,可采用类似的过程用于任何其他基板。
回到图11,方法可包括处理基板,例如所示的基板301,其中基板301的第二主表面309可移除地结合到第二载体313的第一主表面311。方法可包括以下步骤:相对于板327(例如,真空板)将基板301的第一主表面303可移除地附接,以抑制基板301的弯曲。在一个实施方式中,基板301的第一主表面303或基板301的第一主表面303的至少一部分可不接触板327,而基板的第一主表面303仍然相对于板327而可移除地附接。这样的实施方式在与第一主表面303上的特征(例如,部件)的接触可能在真空附接期间因接触板327而损坏的应用中可能为特别有用的。替代地,在另一实施方式中,基板301的整个第一主表面303可与板327直接接触,同时基板的第一主表面303仍然相对于板327而可移除地附接。
如图所示,基板301的外缘部分321设置在第二载体313的外部部分603b和板327的表面103之间。方法可进一步包括以下步骤:将楔形件601压靠在第二载体313的外部部分603b和板327的表面103之间。图12示出倒角楔形件1201的替代实施方式,其类似于图4中所示的倒角楔形件403。图13示出圆形楔形件1301的另一替代实施方式,其类似于图5中所示的圆形楔形件503。与所有其他示出的楔形件一样,图12和13的楔形件也可通过***工具的锥形厚度而限定。在进一步的实施方式中,楔形件403和503也可用在图11-16的工艺中。
如图14中所示,方法可进一步包括通过提供在楔形件601和基板301的外缘部分321之间的相对移动以撬开第二载体313的外部部分603b和板327的表面103而在基板301和第二载体313之间的外周边结合的界面1101(参见图11)的位置1401处发起脱离,同时基板301的第一主表面303维持可移除地附接到板327的表面103。如图11、14和15中所示,方法可执行而不使基板301的任何部分与楔形件601接触。
在位置1401处发起脱离之后,方法可进一步包括以下步骤:用***工具329增加在第二载体313的脱离部分和板327的表面103之间的距离,以使第二载体313的另外部分从基板301脱离。如前所述,***工具329包括具有恒定厚度609的第二部分801。如图15中所示,方法可进一步包括减小在楔形件601和基板301的外缘部分321之间的距离,至少直到第二载体313的内表面和板327的表面103间隔开等于***工具329的第二部分801的恒定厚度609的距离“D2”。如以上所讨论的,***工具329的第二部分801的恒定距离609可比在将楔形件压靠在第二载体上开始时,在第二载体313的内表面和板327的表面103之间的距离“D1”(参见图11)大约20微米至约40微米。此外,如以上所讨论的,参照图8,***工具329的第二部分801可包括限定恒定厚度609的相对的平行表面803a、803b。
在发起第二载体313的脱离之后,如图16中所示,方法可进一步包括以下步骤:用***工具329增加在第二载体313的脱离部分和板327的表面103之间的距离“D3”,其中***工具329接合第二载体313的外部部分的内表面,以使第二载体313的另外部分从基板301脱离。
如图17中所示,方法可进一步包括从基板301完全地移除第二载体313的步骤。如以上所讨论的,在图11-17中所示的工艺可用于从载体移除任何基板。在一个实施方式中,基板可包括单一玻璃基板和单一硅晶片的至少一个,但是在进一步的实施方式中可提供其他基板。在进一步的实施方式中,单一基板包括包括功能部件的单一基板(例如,具有偏振器、滤色器、薄膜晶体管等的单一玻璃基板)。在又另一实施方式中,基板可包括单一基板的堆叠,例如所示的单一玻璃基板的堆叠。如前所述,任何单一基板(例如,单一玻璃基板)可具有从约50微米至约300微米的厚度,但是在进一步的实施方式中可能有其他厚度。此外,载体可包括从约200微米至约700微米的厚度,但是在进一步的实施方式中可提供其他厚度。又进一步,在基板和载体之间的退后横向距离可为从约2mm至约10mm。
除非另有说明,否则本公开内容的方法步骤可以各种顺序而执行。例如,方法步骤可以图18中所示的任何顺序而执行。在一个实施方式中,具有以上所讨论的在两个载体之间的基板,方法可通过步骤1807和1811,以将第一载体从基板发起脱离,并任选地通过步骤1813。方法可接着包括在步骤1819期间将基板翻转,并接着再次通过步骤1807和1811,以将第二载体从基板发起脱离,并且任选地通过步骤1813。接着,方法可进行到步骤1821,以如图10中所示从基板中完全地移除载体的一个,并接着如图11和14-17中所示完全地移除另一载体。
在另一实施方式中,具有以上所讨论的在两个载体之间结合的基板,方法可通过步骤1807和1811,以将第一载体从基板发起脱离,并任选地通过步骤1813。接着,方法可直接进行到步骤1821,其中第一载体从基板完全地移除,如图10中所示。接着,在步骤1819期间可翻转基板,并且接着方法可再次通过步骤1807和1811,以将第二载体从基板发起脱离,并且任选地通过步骤1813。接着,方法可进行到步骤1821,以完全地从基板移除第二载体,如图11和14-17中所示。
这些仅是可对以上讨论的方法进行变化的几个实施方式。在不背离权利要求书的精神和范围的情况下,可以进行其他各种修改和变化。
实施方式1.一种处理基板的方法,其中基板的第一主表面可移除地结合到第一载体的第一主表面,并且基板的第二主表面可移除地结合到第二载体的第一主表面,其中基板的外缘部分设置在第一载体的外部部分与第二载体的外部部分之间,方法包括以下步骤:
(I)将楔形件压靠在第一载体和第二载体的外部部分;和
(II)通过在楔形件和基板的外缘部分之间提供相对移动以撬开第一载体和第二载体的外部部分而在基板和第一载体之间的外周边结合的界面的位置处发起脱离。
实施方式2.如实施方式1的方法,其中执行步骤(I)和(II)而不使基板的任何部分与楔形件接触。
实施方式3.如实施方式1或实施方式2的方法,其中***工具的第一部分包括限定楔形件的锥形厚度。
实施方式4.如实施方式3的方法,其中在步骤(II)之后,进一步包括以下步骤:用***工具增大在第一载体的脱离部分与第二载体之间的距离,以使第一载体的另外部分从基板脱离。
实施方式5.如实施方式4的方法,其中***工具进一步包括具有恒定厚度的第二部分,并且方法进一步包括减小在楔形件与基板的外缘部分之间的距离,至少直到第一载体和第二载体的被撬开的外部部分的相面对的内表面间隔开等于***工具的第二部分的恒定厚度的距离。
实施方式6.如实施方式5的方法,其中***工具的第二部分的恒定距离比在步骤(I)开始时在第一载体和第二载体的外部部分的相面对的内表面之间的距离大约20微米至约40微米。
实施方式7.如实施方式5或实施方式6的方法,其中***工具的第二部分包括限定恒定厚度的相对的平行的外表面。
实施方式8.如实施方式5-7的任一者的方法,其中在步骤(II)之后,进一步包括以下步骤:增大在第一载体的脱离部分与第二载体之间的距离,其中***工具的第二部分的表面接合第一载体的外部部分的内表面,以使第一载体的另外部分从基板脱离。
实施方式9.如实施方式1-8的任一者的方法,进一步包括以下步骤:在步骤(II)期间抑制第二载体的弯曲。
实施方式10.如实施方式9的方法,进一步包括将第二载体的第二主表面可移除地附接到板,以在步骤(II)期间抑制第二载体的弯曲。
实施方式11.如实施方式10的方法,其中板包括真空板,并且方法进一步包括将第二载体的第二主表面真空附接到真空板,以在步骤(II)期间抑制第二载体的弯曲。
实施方式12.如实施方式1-11的任一者的方法,其中基板包括玻璃基板和硅基板种的至少一种。
实施方式13.如实施方式1-12的任一者的方法,其中基板包括具有厚度为从约50微米至约300微米的单一玻璃基板。
实施方式14.实施方式1-13的任一者的方法,其中第一载体和第二载体的至少一个包括从约200微米到约700微米的厚度。
实施方式15.如实施方式1-14的任一者的方法,其中在基板与第一载体和第二载体中的至少一个之间的退后横向距离为从约2mm至约10mm。
实施方式16.如实施方式1-15的任一者的方法,其中在步骤(II)之后,进一步包括步骤(III):通过提供在楔形件和基板的外缘部分之间的相对移动以撬开第一载体和第二载体的外部部分而在基板和第二载体之间的外周边结合的界面的位置处发起脱离。
实施方式17.如实施方式16的方法,进一步包括以下步骤:在步骤(III)期间抑制第一载体的弯曲。
实施方式18.如实施方式17的方法,进一步包括将第一载体的第二主表面真空附接到真空板,以在步骤(III)期间抑制第一载体的弯曲。
实施方式19.如实施方式16的方法,其中在步骤(III)之后,进一步包括以下步骤(IV):完全地从基板移除第一载体和第二载体中的一个。
实施方式20.如实施方式19的方法,其中在步骤(IV)之后,进一步包括以下步骤(V):完全地从基板移除第一载体和第二载体中的另一个。
实施方式21.一种用于处理玻璃基板的方法,其中玻璃基板的第一主表面可移除地结合到第一载体的第一主表面,并且玻璃基板的第二主表面可移除地结合到第二载体的第一主表面,其中玻璃基板的外缘部分设置在第一载体的外部部分和第二载体的外部部分之间,方法包括以下步骤:
(I)将第二载体的第二主表面可移除地附接到板,以抑制第二载体的弯曲;
(II)将***工具的楔形件压靠在第一载体和第二载体的外部部分上,同时第二载体的第二主表面附接到板;和
(III)在玻璃基板与第一载体之间的外周边结合的界面的位置处发起脱离,同时第二载体的第二主表面附接到板上,其中通过在楔形件和玻璃基板的外缘之间提供相对移动以撬开第一载体和第二载体的外部部分而发起脱离,其中执行步骤(II)和(III)而不使玻璃基板的任何部分与楔形件接触。
实施方式22.如实施方式21的方法,其中***工具包括第一部分和第二部分,第一部分包括楔形件,第二部分具有恒定厚度,并且方法进一步包括减小在楔形件和玻璃基板的外缘部分之间的距离,至少直到第一载体和第二载体的被撬开的外部部分的相面对的内表面间隔开等于***工具的第二部分的恒定厚度的距离。
实施方式23.如实施方式22的方法,其中在步骤(III)之后,进一步包括以下步骤:通过***工具的第二部分的表面接合第一载体的外部部分的内表面,以增大在第一载体的脱离部分与第二载体之间的距离,以使第一载体的另外部分从玻璃基板脱离。
实施方式24.一种用于处理基板的方法,其中基板的第一主表面可移除地结合到载体的第一主表面,方法包括以下步骤:
(I)相对于板可移除地附接基板的第二主表面,以抑制基板的弯曲,其中基板的外缘部分设置在载体的外部部分和板的表面之间;
(II)将楔形件压靠在载体的外部部分和板的表面;和
(III)通过提供在楔形件和基板的外缘部分之间的相对移动以撬开载体的外部部分和板的表面而在基板和载体之间的外周边结合的界面的位置处发起脱离,同时基板的第二主表面相对于板的表面维持可移除地附接。
实施方式25.如实施方式24的方法,其中执行步骤(II)和(III)而不使基板的任何部分与楔形件接触。
实施方式26.如实施方式24或实施方式25的方法,其中***工具的第一部分包括限定楔形件的锥形厚度。
实施方式27.如实施方式26的方法,其中在步骤(III)之后,进一步包括以下步骤:用***工具增大在载体的脱离部分与板的表面之间的距离,以使载体的另外部分从基板脱离。
实施方式28.如实施方式27的方法,其中***工具进一步包括具有恒定厚度的第二部分,并且方法进一步包括减小在楔形件与基板的外缘部分之间的距离,至少直到载体的内表面与板的表面间隔开等于***工具的第二部分的恒定厚度的距离。
实施方式29.如实施方式28的方法,其中***工具的第二部分的恒定距离比在步骤(II)开始时在载体的内表面与板的表面之间的距离大约20微米至约40微米。
实施方式30.如实施方式28或实施方式29的方法,其中***工具的第二部分包括限定恒定厚度的相对的平行的外表面。
实施方式31.如实施方式28-30的任一者的方法,其中在步骤(III)之后,进一步包括以下步骤:用***工具增大在载体的脱离部分与板的表面之间的距离,其中***工具接合载体的外部部分的内表面,以使载体的另外部分从基板脱离。
实施方式32.如实施方式24-31的任一者的方法,其中板包括真空板,并且步骤(I)包括将基板的第二主表面真空附接到真空板。
实施方式33.如实施方式24-32的任一者的方法,其中基板包括玻璃基板和硅基板种的至少一种。
实施方式34.如实施方式24-33的任一者的方法,其中基板包括单一基板。
实施方式35.如实施方式24-34的任一者的方法,其中基板包括玻璃基板。
实施方式36.如实施方式24-35的任一者的方法,其中基板包括厚度为从约50微米至约300微米的单一基板。
实施方式37.如实施方式24-36的任一者的方法,其中载体包括从约200微米至约700微米的厚度。
实施方式38.如实施方式24-37的任一者的方法,其中在基板和载体之间的退后横向距离为从约2mm至约10mm。
实施方式39.如实施方式24-38的任一者的方法,其中在步骤(III)之后,进一步包括以下步骤(IV):完全地从基板移除载体。

Claims (17)

1.一种处理基板的方法,其中所述基板的第一主表面可移除地结合到第一载体的第一主表面,并且所述基板的第二主表面可移除地结合到第二载体的第一主表面,其中所述基板的外缘部分设置在所述第一载体的外部部分与所述第二载体的外部部分之间,所述方法包括以下步骤:
(I)将楔形件压靠在所述第一载体和所述第二载体的所述外部部分;和
(II)通过在所述楔形件与所述基板的所述外缘部分之间提供相对移动以撬开所述第一载体和所述第二载体的所述外部部分而在所述基板与所述第一载体之间的外周边结合的界面的位置处发起脱离。
2.如权利要求1所述的方法,其中执行步骤(I)和(II)而不使所述基板的任何部分与所述楔形件接触。
3.如权利要求1或2所述的方法,其中所述基板包括玻璃基板和硅基板中的至少一种。
4.如权利要求1-3中任一项所述的方法,其中所述第一载体和所述第二载体中的至少一个包括从约200微米至约700微米的厚度。
5.如权利要求1-4中任一项所述的方法,其中在所述基板与所述第一载体和所述第二载体中的至少一个之间的退后横向距离为从约2mm至约10mm。
6.如权利要求1-5中任一项所述的方法,其中所述基板包括厚度为从约50微米至约300微米的单一基板。
7.如权利要求1-6中任一项所述的方法,其中在步骤(II)之后,进一步包括以下步骤(III):完全地从所述基板移除所述载体。
8.如权利要求1-7中任一项所述的方法,其中***工具的第一部分包括限定所述楔形件的锥形厚度。
9.如权利要求8所述的方法,其中在步骤(II)之后,进一步包括以下步骤:用所述***工具增加所述第一载体的脱离部分与所述第二载体之间的距离以将所述第一载体的另外部分从所述基板脱离。
10.如权利要求10所述的方法,其中所述***工具进一步包括具有恒定厚度的第二部分,并且所述方法进一步包括减小在所述楔形件与所述基板的所述外缘部分之间的距离,至少直到所述第一载体和所述第二载体的所述被撬开的外部部分的相面对的内表面被间隔开等于所述***工具的所述第二部分的所述恒定厚度的距离。
11.如权利要求10所述的方法,其中所述***工具的所述第二部分的所述恒定距离比在步骤(I)开始时在所述第一载体和所述第二载体的所述外部部分的所述相面对的内表面之间的距离大约20微米至约40微米。
12.如权利要求10或11所述的方法,其中所述***工具的所述第二部分包括限定所述恒定距离的相反的平行的外表面。
13.如权利要求10-12中任一项所述的方法,其中在步骤(II)之后,进一步包括以下步骤:增大所述第一载体的脱离部分与所述第二载体之间的距离,其中所述***工具的所述第二部分的表面结合所述第一载体的所述外部部分的内表面以使所述第一载体的另外部分从所述基板脱离。
14.如权利要求1-13中任一项所述的方法,进一步包括以下步骤:在步骤(II)期间抑制所述第二载体的弯曲,并且将所述第二载体的第二主表面可移除地附接到板以在步骤(II)期间抑制所述第二载体的弯曲。
15.如权利要求14所述的方法,其中所述板包括真空板,并且所述方法进一步包括将所述第二载体的所述第二主表面真空附接到所述真空板以在步骤(II)期间抑制所述第二载体的弯曲。
16.如权利要求1-15中任一项所述的方法,其中所述基板包括单一基板。
17.如权利要求16所述的方法,其中所述基板包括玻璃基板。
CN201780014450.8A 2016-01-21 2017-01-19 处理基板的方法 Pending CN108781504A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662281302P 2016-01-21 2016-01-21
US62/281,302 2016-01-21
PCT/US2017/014042 WO2017127489A1 (en) 2016-01-21 2017-01-19 Methods for processing a substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108781504A true CN108781504A (zh) 2018-11-09

Family

ID=57963477

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780014450.8A Pending CN108781504A (zh) 2016-01-21 2017-01-19 处理基板的方法

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP3406112A1 (zh)
KR (1) KR20180104674A (zh)
CN (1) CN108781504A (zh)
TW (1) TW201737766A (zh)
WO (1) WO2017127489A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10410883B2 (en) 2016-06-01 2019-09-10 Corning Incorporated Articles and methods of forming vias in substrates
US10794679B2 (en) 2016-06-29 2020-10-06 Corning Incorporated Method and system for measuring geometric parameters of through holes
US11078112B2 (en) 2017-05-25 2021-08-03 Corning Incorporated Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same
US10580725B2 (en) 2017-05-25 2020-03-03 Corning Incorporated Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same
US11554984B2 (en) 2018-02-22 2023-01-17 Corning Incorporated Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness
WO2019203026A1 (ja) * 2018-04-19 2019-10-24 ソーラーフロンティア株式会社 太陽電池モジュールのリサイクル方法及びリサイクル装置
CN112071781A (zh) * 2020-09-11 2020-12-11 北京华卓精科科技股份有限公司 一种解键合装置及方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101080360A (zh) * 2004-10-21 2007-11-28 富士胶卷迪马蒂克斯股份有限公司 用于蚀刻的牺牲基底
CN101635263A (zh) * 2003-11-28 2010-01-27 株式会社半导体能源研究所 显示装置的制造方法
CN102290367A (zh) * 2010-06-21 2011-12-21 布鲁尔科技公司 从载体基底中移去可逆向安装的器件晶片的方法和装置
CN103875062A (zh) * 2011-10-04 2014-06-18 法国原子能及替代能源委员会 双层转移方法
US20150059987A1 (en) * 2013-08-30 2015-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Processing apparatus and processing method of stack
US20150151531A1 (en) * 2013-12-03 2015-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling apparatus and stack manufacturing apparatus
CN105097620A (zh) * 2011-04-11 2015-11-25 Ev集团E·索尔纳有限责任公司 用于使产品基底从承载基底脱离的***

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007129554A1 (ja) 2006-05-08 2007-11-15 Asahi Glass Company, Limited 薄板ガラス積層体、薄板ガラス積層体を用いた表示装置の製造方法および、支持ガラス基板
EP2511092B1 (en) * 2010-07-28 2015-01-28 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Glass film laminate
CA2772110C (en) * 2011-02-01 2013-07-23 Micro Technology Co., Ltd. Thin-sheet glass substrate laminate and method of manufacturing the same
KR101820171B1 (ko) 2011-10-24 2018-01-19 엘지디스플레이 주식회사 경량 박형의 액정표시장치 제조방법
WO2015157202A1 (en) 2014-04-09 2015-10-15 Corning Incorporated Device modified substrate article and methods for making
US10086584B2 (en) 2012-12-13 2018-10-02 Corning Incorporated Glass articles and methods for controlled bonding of glass sheets with carriers
KR20150095822A (ko) 2012-12-13 2015-08-21 코닝 인코포레이티드 유리 및 유리 물품의 제조 방법
EP3099484A1 (en) 2014-01-27 2016-12-07 Corning Incorporated Treatment of a surface modification layer for controlled bonding of thin sheets with carriers
KR20160114687A (ko) 2014-01-27 2016-10-05 코닝 인코포레이티드 캐리어와 고분자 표면의 조절된 결합을 위한 방법 및 제품
JP6770432B2 (ja) 2014-01-27 2020-10-14 コーニング インコーポレイテッド 薄いシートの担体との制御された結合のための物品および方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101635263A (zh) * 2003-11-28 2010-01-27 株式会社半导体能源研究所 显示装置的制造方法
CN101080360A (zh) * 2004-10-21 2007-11-28 富士胶卷迪马蒂克斯股份有限公司 用于蚀刻的牺牲基底
CN102290367A (zh) * 2010-06-21 2011-12-21 布鲁尔科技公司 从载体基底中移去可逆向安装的器件晶片的方法和装置
CN105097620A (zh) * 2011-04-11 2015-11-25 Ev集团E·索尔纳有限责任公司 用于使产品基底从承载基底脱离的***
CN103875062A (zh) * 2011-10-04 2014-06-18 法国原子能及替代能源委员会 双层转移方法
US20150059987A1 (en) * 2013-08-30 2015-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Processing apparatus and processing method of stack
US20150151531A1 (en) * 2013-12-03 2015-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling apparatus and stack manufacturing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180104674A (ko) 2018-09-21
TW201737766A (zh) 2017-10-16
EP3406112A1 (en) 2018-11-28
WO2017127489A1 (en) 2017-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108781504A (zh) 处理基板的方法
MY190282A (en) Tape for electronic device packaging
JP2008233121A (ja) 粘着フィルムの剥離装置及び液晶パネルの製造方法
JP5210060B2 (ja) 剥離装置および剥離方法
TW201408545A (zh) 撕膜機台與撕膜方法
WO2010051212A3 (en) Cyclic olefin compositions for temporary wafer bonding
EP2372442A3 (en) Liquid crystal display panel, method for manufacturing the same, and surface alignment reactant
JP2011514419A5 (zh)
MY147978A (en) Wafer cutting method
WO2007103703A3 (en) Polishing head for polishing semiconductor wafers
CN107108132A (zh) 剥离多层基板的设备和方法
JP7234109B2 (ja) 基板を加工する方法
US20130341240A1 (en) Boxes and Trays Used to Hold LCD Panels
TW201434594A (zh) 拆解平板組的方法及其拆解具
JP6434636B2 (ja) 弾性薄板を用いたフィルム貼り機用のパレット式工程対応ユニット
JP2010199184A (ja) 剥離装置及び剥離方法
TWM355236U (en) Carrier platform structure for vacuum suction apparatus
TW201318095A (zh) 薄型基板承載裝置及其製作方法
CN104576492B (zh) 工夹具
TWI704999B (zh) 具保護膜之導光板之加工方法、加工設備及其導光板
KR20180089609A (ko) 실리콘 지그 및 이를 이용한 윈도우 합착 방법
TWM530415U (zh) 玻璃面板分離裝置
TWI663136B (zh) Plate glass and manufacturing method thereof
TWI331564B (zh)
TWI648213B (zh) 撕箔機構

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20181109

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication