CN108749294B - 一种转印装置及转印方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种转印装置及转印方法，涉及显示技术领域。本发明通过剥离机构将形成在转印版上的转印膜层进行剥离，在剥离机构远离转印机构的一侧设置有气体供给机构，在剥离转印版上的转印膜层时，气体供给机构在转印版与转印膜层之间提供剥离气体，以降低转印版与转印膜层之间的结合能，转印机构将剥离后的转印膜层转印至基板上。在剥离转印版上的转印膜层时，通过气体供给机构在转印版与转印膜层之间提供剥离气体，以降低转印版与转印膜层之间的结合能，从而降低从转印版上剥离转印膜层时所需的能量，使得转印膜层更易剥离，当转印膜层为有机发光层薄膜时，可降低有机发光层薄膜的损坏几率。

Description

一种转印装置及转印方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种转印装置及转印方法。

背景技术

目前，转印工艺可应用于有机发光器件的制作，是先在转印版上通过涂布或打印的方法形成有机发光层薄膜，然后将有机发光层薄膜转印到OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)基板上，可充分避免有机发光器件中不同膜层的制作，由于温度、环境等无法克服的因素导致的膜层之间的污染或破坏。

一般常采用干法转印工艺制作有机发光器件，是在转印版上形成有机发光层薄膜后，在有机发光层薄膜干燥的情况下，剥离转印版上的有机发光层薄膜，并将剥离后的有机发光层薄膜与OLED基板进行结合。

但是，由于有机发光层薄膜较为脆弱，在从转印版上直接剥离有机发光层薄膜时，非常容易造成有机发光层薄膜的损坏，进而导致有机发光层薄膜无法使用。

发明内容

本发明提供一种转印装置及转印方法，以解决现有的从转印版上剥离有机发光层薄膜时，易造成有机发光层薄膜的损坏的问题。

为了解决上述问题，本发明公开了一种转印装置，包括：剥离机构、气体供给机构和转印机构；

所述剥离机构，被配置为将形成在转印版上的转印膜层进行剥离；

所述气体供给机构，设置在所述剥离机构远离所述转印机构的一侧，被配置为在剥离所述转印版上的转印膜层时，在所述转印版与所述转印膜层之间提供剥离气体，以降低所述转印版与所述转印膜层之间的结合能；

所述转印机构，被配置为将剥离后的转印膜层转印至基板上。

优选地，所述剥离机构包括切割单元和剥离辊；

所述切割单元，被配置为在所述转印版与所述转印膜层之间形成切口；

所述剥离辊，设置在所述转印膜层远离所述转印版的一侧，被配置在所述切口的位置处，对所述转印膜层进行粘附，并将所述转印膜层拉离所述转印版。

优选地，所述气体供给机构包括：气体发生单元、扩压器和喷嘴；

所述气体发生单元，被配置为供给剥离气体；

所述扩压器，被配置为将所述剥离气体加速至预设速度，并控制所述剥离气体的出射方向；

所述喷嘴，被配置为在所述转印版与所述转印膜层之间，提供加速至预设速度的剥离气体。

优选地，所述预设速度为340m/s至680m/s。

优选地，所述转印机构包括压膜辊，所述压膜辊表面设置有加热单元；

所述压膜辊，被配置为将所述剥离后的转印膜层热压至所述基板上。

优选地，所述转印装置还包括传动机构；

所述传动机构，被配置为吸附所述基板，并将所述基板放置在所述转印膜层远离所述转印版的一侧。

优选地，所述转印装置还包括对位机构；

所述对位机构，被配置为将所述基板与所述转印版进行对位。

优选地，所述转印装置还包括加热机构；

所述加热机构，设置在所述转印版远离所述转印膜层的一侧，被配置为对所述转印膜层进行加热，以提高所述转印膜层的表面活性能。

优选地，所述加热机构的温度为150℃至230℃。

为了解决上述问题，本发明还公开了一种转印方法，应用于上述的转印装置，所述方法包括：

将形成在转印版上的转印膜层进行剥离；

在剥离所述转印版上的转印膜层时，在所述转印版与所述转印膜层之间提供剥离气体，以降低所述转印版与所述转印膜层之间的结合能；

将剥离后的转印膜层转印至基板上。

与现有技术相比，本发明包括以下优点：

通过剥离机构将形成在转印版上的转印膜层进行剥离，在剥离机构远离转印机构的一侧设置有气体供给机构，在剥离转印版上的转印膜层时，气体供给机构在转印版与转印膜层之间提供剥离气体，以降低转印版与转印膜层之间的结合能，转印机构将剥离后的转印膜层转印至基板上。在剥离转印版上的转印膜层时，通过气体供给机构在转印版与转印膜层之间提供剥离气体，以降低转印版与转印膜层之间的结合能，从而降低从转印版上剥离转印膜层时所需的能量，使得转印膜层更易剥离，当转印膜层为有机发光层薄膜时，可降低有机发光层薄膜的损坏几率。

附图说明

图1示出了本发明实施例的一种转印装置的结构示意图；

图2示出了本发明实施例的一种转印方法的流程图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

实施例一

参照图1，示出了本发明实施例的一种转印装置的结构示意图。

本发明实施例提供了一种转印装置，包括剥离机构11、气体供给机构12和转印机构13；剥离机构11，被配置为将形成在转印版21上的转印膜层22进行剥离；气体供给机构12，设置在剥离机构11远离转印机构13的一侧，被配置为在剥离转印版21上的转印膜层22时，在转印版21与转印膜层22之间提供剥离气体，以降低转印版21与转印膜层22之间的结合能；转印机构13，被配置为将剥离后的转印膜层22转印至基板31上。

首先，在转印版21上采用涂布、蒸镀或打印等方式形成转印膜层22，并进行干燥处理。当转印膜层22的材料为低分子有机物时，可采用蒸镀法等干法制程，当转印膜层22的材料为高分子有机物时，则可采用旋涂法、刮刀式涂布法、浸涂法、喷涂法和印刷法等湿法制程。

例如，当在转印版21上采用旋涂法形成转印膜层22时，对应的涂布设备包括涂布转印膜层22的材料至转印版21的涂布单元、控制涂布单元的控制单元，以及测量转印版21上形成的转印膜层22厚度的厚度检测单元；其中，涂布单元包括承载转印版21的旋转台、控制旋转台转动的马达以及向转印版21滴下转印膜层22的材料的滴管，控制单元主要控制涂布单元中的马达进行工作，当然，涂布单元还可包括改变涂布条件的感测器，如涂布速度等，该感测器同样通过控制单元进行控制。

将转印膜层22的材料容纳在密闭的空间中，马达控制旋转台转动，从而带动转印版21转动，转印膜层22的材料通过滴管滴到转动的转印版21上，使得转印膜层22的材料均匀扩散到转印版21上，从而形成转印膜层22，接着对转印膜层22进行干燥处理。

然后，通过剥离机构11将形成在转印版21上的转印膜层22进行剥离，在剥离转印版21上的转印膜层22时，通过气体供给机构12在转印版21与转印膜层22之间提供剥离气体，以降低转印版21与转印膜层22之间的结合能，从而降低从转印版21上剥离转印膜层22时所需的能量，使得转印膜层22更易剥离，剥离机构11无需使用很大的力度即可将转印膜层22从转印版21上剥离成功，降低了转印膜层22的损坏几率。

其中，转印膜层22可以为有机发光层薄膜，由于有机发光层薄膜较为脆弱，采用本发明的转印装置，在从转印版21上剥离有机发光层薄膜时，可降低有机发光层薄膜的损坏几率。有机发光层薄膜包括蓝色发光层薄膜、红色发光层薄膜和绿色发光层薄膜，蓝色发光层薄膜的材料可以为蓝光共轭聚合物，如聚9-9二辛基芴等，红色发光层薄膜的材料可以为红光共轭聚合物，如聚(2—甲氧基，5(2—乙基己氧基)—1，4—苯撑乙烯)等，绿色发光层薄膜的材料可以为绿光共轭聚合物，如聚(2-(4-(3'，7'-二甲基辛氧基苯)-对苯撑乙烯)等；有机发光层薄膜的厚度为45nm至145nm，优选的，有机发光层薄膜的厚度为85nm。

最后，在从转印版21上剥离转印膜层22后，通过转印机构13将剥离后的转印膜层22转印至基板31上，从而在基板31上形成完整的转印膜层22。其中，基板31可以为PET(Polyethylene Terephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)基板。

在本发明实施例中，剥离机构11包括切割单元(未在图1中示出)和剥离辊111；切割单元，被配置为在转印版21与转印膜层22之间形成切口；剥离辊111，设置在转印膜层22远离转印版21的一侧，被配置在切口的位置处，对转印膜层22进行粘附，并将转印膜层22拉离转印版21。

其中，切割单元可以为气刀或其他分离刀，在转印版21与转印膜层22之间制作一个切口，则剥离辊111可以在切口位置处对转印膜层22进行粘附，将转印膜层22拉离转印版21。

在本发明实施例中，气体供给机构12包括：气体发生单元、扩压器和喷嘴；气体发生单元，被配置为供给剥离气体；扩压器，被配置为将剥离气体加速至预设速度，并控制剥离气体的出射方向；喷嘴，被配置为在转印版21与转印膜层22之间，提供加速至预设速度的剥离气体。

气体供给机构12的工作过程主要包括三个阶段，即启动阶段、正常工作阶段和停止工作阶段，在启动阶段，气体供给机构12开始供给剥离气体，在工作阶段，气体供给机构12继续供给剥离气体并保持指定时间，直至停止供给剥离气体，在停止工作阶段，气体供给机构12关闭，停止供给剥离气体。

需要说明的是，气体供给机构12启动的标志是剥离气体被推出扩压器出口，因此，在气体供给机构12的几何尺寸确定后，要求剥离气体的总压必须高于最小启动压力；且剥离气体的最小流量正比于最小启动压力，气体供给机构12的剥离系数的高低受到最小启动压力的影响。剥离气体在扩压器内形成气流通道，在有剥离气体的情况下，扩压器可根据实际情况调节气流通道的大小，节约剥离气体的流量，并保证气体供给机构12能够有效启动，且具有较高的剥离系数。

在气体供给机构12中，气体发生单元供给剥离气体，扩压器对剥离气体进行加压从而将剥离气体加速至预设速度，并控制剥离气体的出射方向，最后通过喷嘴在转印版21与转印膜层22之间，提供加速至预设速度的剥离气体。

其中，预设速度为340m/s至680m/s，剥离气体可以为高速粒子、高速惰性气体或等离子气体等。

在本发明实施例中，转印机构13包括压膜辊131，压膜辊131表面设置有加热单元；压膜辊131，被配置为将剥离后的转印膜层22热压至基板31上。

在压膜辊131表面设置有加热单元，利用压膜辊131在基板31的表面进行热压，在将转印版21上的转印膜层22进行剥离的同时，将基板31与剥离后的转印膜层22粘结。其中，加热单元的温度为150℃至230℃，优选的，加热单元的温度为180℃。

在本发明实施例中，转印装置还包括传动机构；传动机构，被配置为吸附基板31，并将基板31放置在转印膜层22远离转印版21的一侧。

转印装置还包括对位机构；对位机构，被配置为将基板31与转印版21进行对位。

具体的，利用传动机构吸附基板31，将基板31贴放在转印膜层22远离转印版21的一侧，利用对位机构，如激光或CCD(Charge-coupled Device，电荷耦合元件)将基板31与转印版21进行精确对位。其中，可通过基板31与转印版21之间的边缘是否对齐来进行精确对位，还可以在基板31和转印版21上设置mark(标记)，通过对基板31和转印版21上的mark进行对位，来实现基板31和转印版21的精确对位。

在本发明实施例中，转印装置还包括加热机构14；加热机构，设置在转印版21远离转印膜层22的一侧，被配置为对转印膜层22进行加热，以提高转印膜层22的表面活性能。

加热机构14主要是对转印膜层22进行加热，如采用红外或其他加热方法对转印膜层22进行加热，以提高其表面活性能，使得在采用剥离机构11对转印版21上的转印膜层22进行剥离时，进一步使得转印膜层22更易剥离。其中，加热机构14的温度为150℃至230℃，优选的，加热机构14的温度为180℃。

在转印版21上采用涂布、蒸镀或打印等方式形成转印膜层22，并进行干燥处理后，利用传动机构吸附基板31，将基板31贴放在转印膜层22远离转印版21的一侧，利用对位机构将基板31与转印版21进行精确对位，然后，利用切割单元在转印版21与转印膜层22之间制作一个切口，利用剥离辊111在切口位置处对转印膜层22进行粘附，将转印膜层22拉离转印版21，在利用剥离辊111将转印膜层22拉离转印版21的过程中，利用气体供给机构12不断在转印版21与转印膜层22之间，提供加速至预设速度的剥离气体，最后，利用压膜辊131在基板31的表面进行热压，在将转印版21上的转印膜层22进行剥离的同时，将基板31与剥离后的转印膜层22粘结。

当转印至基板31上的转印膜层22有多余时，还可利用激光或其他分离工具将多余的转印膜层22进行切割分离。

假如需要在基板31上转印多层转印膜层22时，则多次重复上述各个步骤。

在本发明实施例中，通过剥离机构将形成在转印版上的转印膜层进行剥离，在剥离机构远离转印机构的一侧设置有气体供给机构，在剥离转印版上的转印膜层时，气体供给机构在转印版与转印膜层之间提供剥离气体，以降低转印版与转印膜层之间的结合能，转印机构将剥离后的转印膜层转印至基板上。在剥离转印版上的转印膜层时，通过气体供给机构在转印版与转印膜层之间提供剥离气体，以降低转印版与转印膜层之间的结合能，从而降低从转印版上剥离转印膜层时所需的能量，使得转印膜层更易剥离，当转印膜层为有机发光层薄膜时，可降低有机发光层薄膜的损坏几率。

实施例二

参照图2，示出了本发明实施例的一种转印方法的流程图，应用于上述实施例一中的转印装置，具体可以包括如下步骤：

步骤201，将形成在转印版上的转印膜层进行剥离。

在本发明实施例中，在转印版21上采用涂布、蒸镀或打印等方式形成转印膜层22，并进行干燥处理后，通过剥离机构11将形成在转印版21上的转印膜层22进行剥离。

具体的，利用传动机构吸附基板31，将基板31贴放在转印膜层22远离转印版21的一侧，利用对位机构将基板31与转印版21进行精确对位，然后，利用切割单元在转印版21与转印膜层22之间制作一个切口，利用剥离辊111在切口位置处对转印膜层22进行粘附，将转印膜层22拉离转印版21。

步骤202，在剥离所述转印版上的转印膜层时，在所述转印版与所述转印膜层之间提供剥离气体，以降低所述转印版与所述转印膜层之间的结合能。

在本发明实施例中，在剥离转印版21上的转印膜层22时，通过气体供给机构12在转印版21与转印膜层22之间提供剥离气体，以降低转印版21与转印膜层22之间的结合能，从而降低从转印版21上剥离转印膜层22时所需的能量，使得转印膜层22更易剥离，剥离机构11无需使用很大的力度即可将转印膜层22从转印版21剥离成功，降低了转印膜层22的损坏几率。

具体的，在利用剥离辊111将转印膜层22拉离转印版21的过程中，利用气体供给机构12不断在转印版21与转印膜层22之间，提供加速至预设速度的剥离气体。其中，预设速度为340m/s至680m/s，剥离气体可以为高速粒子、高速惰性气体或等离子气体等。

步骤203，将剥离后的转印膜层转印至基板上。

在本发明实施例中，在从转印版21上剥离转印膜层22后，通过转印机构13将剥离后的转印膜层22转印至基板31上，从而在基板31上形成完整的转印膜层22。

具体的，在从转印版21上剥离转印膜层22后，利用压膜辊131在基板31的表面进行热压，在将转印版21上的转印膜层22进行剥离的同时，将基板31与剥离后的转印膜层22粘结。

在本发明实施例中，将形成在转印版上的转印膜层进行剥离，在剥离转印版上的转印膜层时，在转印版与转印膜层之间提供剥离气体，以降低转印版与转印膜层之间的结合能，将剥离后的转印膜层转印至基板上。在剥离转印版上的转印膜层时，通过气体供给机构在转印版与转印膜层之间提供剥离气体，以降低转印版与转印膜层之间的结合能，从而降低从转印版上剥离转印膜层时所需的能量，使得转印膜层更易剥离，当转印膜层为有机发光层薄膜时，可降低有机发光层薄膜的损坏几率。

对于前述的方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本发明所必须的。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上对本发明所提供的一种转印装置及转印方法，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (8)

1.一种转印装置，其特征在于，包括：剥离机构、气体供给机构和转印机构；

所述剥离机构，被配置为将形成在转印版上的转印膜层进行剥离；

所述气体供给机构，设置在所述剥离机构远离所述转印机构的一侧，被配置为在剥离所述转印版上的转印膜层时，在所述转印版与所述转印膜层之间提供剥离气体，以降低所述转印版与所述转印膜层之间的结合能；

所述转印机构，被配置为将剥离后的转印膜层转印至基板上；

所述转印装置还包括传动机构；

所述传动机构，被配置为吸附所述基板，并将所述基板放置在所述转印膜层远离所述转印版的一侧；

所述转印装置还包括对位机构；

所述对位机构，被配置为将所述基板与所述转印版进行对位。

2.根据权利要求1所述的转印装置，其特征在于，所述剥离机构包括切割单元和剥离辊；

所述切割单元，被配置为在所述转印版与所述转印膜层之间形成切口；

所述剥离辊，设置在所述转印膜层远离所述转印版的一侧，被配置在所述切口的位置处，对所述转印膜层进行粘附，并将所述转印膜层拉离所述转印版。

3.根据权利要求1所述的转印装置，其特征在于，所述气体供给机构包括：气体发生单元、扩压器和喷嘴；

所述气体发生单元，被配置为供给剥离气体；

所述扩压器，被配置为将所述剥离气体加速至预设速度，并控制所述剥离气体的出射方向；

所述喷嘴，被配置为在所述转印版与所述转印膜层之间，提供加速至预设速度的剥离气体。

4.根据权利要求3所述的转印装置，其特征在于，所述预设速度为340m/s至680m/s。

5.根据权利要求1所述的转印装置，其特征在于，所述转印机构包括压膜辊，所述压膜辊表面设置有加热单元；

所述压膜辊，被配置为将所述剥离后的转印膜层热压至所述基板上。

6.根据权利要求1所述的转印装置，其特征在于，所述转印装置还包括加热机构；

所述加热机构，设置在所述转印版远离所述转印膜层的一侧，被配置为对所述转印膜层进行加热，以提高所述转印膜层的表面活性能。

7.根据权利要求6所述的转印装置，其特征在于，所述加热机构的温度为150℃至230℃。

8.一种转印方法，其特征在于，应用于如权利要求1-7中任一项所述的转印装置，所述方法包括：

吸附所述基板，并将所述基板与所述转印版进行对位；

将形成在转印版上的转印膜层进行剥离；

在剥离所述转印版上的转印膜层时，在所述转印版与所述转印膜层之间提供剥离气体，以降低所述转印版与所述转印膜层之间的结合能；

将剥离后的转印膜层转印至基板上。

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