CN115694401B - 一种谐振器及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种谐振器及其制备方法，涉及谐振器技术领域，包括第一衬底以及依次层叠设置于第一衬底上的下电极、压电层和第二衬底；在第二衬底上形成有延伸至压电层的第一导通部和第二导通部；在第二衬底上形成覆盖第一导通部的保护层，以在保护层和上电极之间形成有上空腔；在第二衬底和压电层之间还形成有连通上空腔和第二导通部的侧向释放通道。由此，本申请能够在上空腔和第二导通部填充牺牲层未被释放时，实现由第二导通部侧向依次对侧向释放通道和上空腔内的牺牲层进行释放，从而避免在上空腔正上方对保护层开孔，避免了在上空腔的上方直接形成释放孔时容易掉入异物的问题，从而能够进一步的提高器件的稳定性和可靠性。

Description

一种谐振器及其制备方法

技术领域

本申请涉及谐振器技术领域，具体而言，涉及一种谐振器及其制备方法。

背景技术

利用高Q值和高机电耦合系数的谐振器进行串并连接即可制成带通滤波器。薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Wave Resonator，FBAR)及带通滤波器在目前的通讯***中广泛应用。为了保障通信质量，FBAR及滤波器的性能需要得到保证，该微型器件需要具备高可靠性的品质，即在恶劣条件下例如尘土、高温、潮湿的环境中也能维持稳定的信号输出。

现有技术一般采用三明治堆叠结构(上电极/压电层/下电极)实现机电转换，并且在谐振区域的上方形成空气隙结构，该空气隙结构上的薄膜为谐振器提供了保护，实现了薄膜封装。然而为了形成空气隙结构，会直接在谐振区域上方进行释放，该种方式容易使得灰尘等异物直接从释放孔进入谐振器内部，从而影响器件的性能。

发明内容

本申请的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种谐振器及其制备方法，能够改善异物直接从谐振器上方的释放孔进入谐振器内部进而影响器件性能的问题。

为实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

本申请实施例的一方面，提供一种谐振器，包括预制器件，预制器件包括第一衬底以及依次层叠设置于第一衬底上的下电极、压电层和第二衬底；在第二衬底上形成有延伸至压电层的第一导通部和第二导通部，第二导通部位于第一导通部的周侧且与第一导通部间隔设置；在第一导通部内露出的压电层上设置有上电极；在第二衬底上形成覆盖第一导通部的保护层，以在保护层和上电极之间形成有上空腔；在第二衬底和压电层之间还形成有连通上空腔和第二导通部的侧向释放通道。

可选的，第一导通部和/或第二导通部具有倾斜侧壁，倾斜侧壁与平行于第一衬底的平面的夹角为20°至80°。

可选的，在第一衬底和下电极之间还设置有相键合的第一键合层和第二键合层，压电层为单晶压电层。

可选的，在第一键合层上形成下空腔，下空腔位于第二键合层背离下电极的一侧，在第二键合层背离下电极的一侧表面设置有位于下空腔内的布拉格反射镜。

可选的，第二导通部包括下电极引出孔和上电极引出孔，在下电极引出孔内设置有与下电极电性连接的第一焊盘，在上电极引出孔内设置有与上电极电性连接的第二焊盘，下电极引出孔和/或上电极引出孔通过侧向释放通道与上空腔连通。

本申请实施例的另一方面，提供一种谐振器制备方法，方法包括：

提供预制器件，预制器件包括第一衬底，以及依次层叠设置于第一衬底上的下电极、压电层、第一牺牲层和第二衬底；

通过刻蚀，在第二衬底上形成延伸至压电层的第一导通部和第二导通部，第二导通部位于第一导通部的周侧且与第一导通部间隔设置，第一牺牲层分别于第一导通部和第二导通部内露出，压电层于第一导通部内露出；

在第一导通部内露出的压电层上沉积上电极；

在第一导通部内填充与第一牺牲层接触的第二牺牲层；

在第二衬底上形成覆盖第一导通部的保护层；

通过第二导通部释放第一牺牲层以在压电层和第二衬底之间形成侧向释放通道；

通过侧向释放通道侧向释放第二牺牲层，以在保护层和上电极之间形成有上空腔。

可选的，提供预制器件包括：

提供第二衬底；

在第二衬底上分别沉积第一牺牲层和压电层，压电层为单晶压电层；

在压电层上形成下电极；

通过键合工艺将下电极设置于第一衬底，以得到预制器件。

可选的，通过键合工艺将下电极设置于第一衬底包括：

在下电极依次形成层叠的第二键合层和布拉格反射镜；

在第一衬底上形成具有下空腔的第一键合层；

将第一键合层和第二键合层对应键合，以使布拉格反射镜位于下空腔内。

可选的，通过刻蚀，在第二衬底上形成第一导通部和第二导通部包括：

通过湿法各向同性刻蚀，在第二衬底上形成具有倾斜侧壁的第一导通部和第二导通部，倾斜侧壁与平行于第一衬底的平面的夹角为20°至80°。

可选的，第二导通部包括下电极引出孔和上电极引出孔，下电极引出孔和/或上电极引出孔通过侧向释放通道与上空腔连通；通过刻蚀，在第二衬底上形成第一导通部和第二导通部之后，方法还包括：

在下电极引出孔内设置有与下电极电性连接的第一焊盘，在上电极引出孔内设置有与上电极电性连接的第二焊盘。

本申请的有益效果包括：

本申请提供了一种谐振器及其制备方法，包括预制器件，预制器件包括第一衬底以及依次层叠设置于第一衬底上的下电极、压电层和第二衬底；在第二衬底上形成有延伸至压电层的第一导通部和第二导通部，第二导通部位于第一导通部的周侧且与第一导通部间隔设置；在第一导通部内露出的压电层上设置有上电极；在第二衬底上形成覆盖第一导通部的保护层，以在保护层和上电极之间形成有上空腔；在第二衬底和压电层之间还形成有连通上空腔和第二导通部的侧向释放通道。由此，本申请能够在上空腔和第二导通部填充牺牲层未被释放时，实现由第二导通部侧向依次对侧向释放通道和上空腔内的牺牲层进行释放，从而避免在上空腔正上方对保护层开孔，避免了在上空腔的上方直接形成释放孔时容易掉入异物的问题，从而能够进一步的提高器件的稳定性和可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本申请实施例提供的一种谐振器制备方法的流程示意图；

图2为本申请实施例提供的一种谐振器制备方法的状态示意图之一；

图3为本申请实施例提供的一种谐振器制备方法的状态示意图之二；

图4为本申请实施例提供的一种谐振器制备方法的状态示意图之三；

图5为本申请实施例提供的一种谐振器制备方法的状态示意图之四；

图6为本申请实施例提供的一种谐振器制备方法的状态示意图之五；

图7为本申请实施例提供的一种谐振器制备方法的状态示意图之六；

图8为本申请实施例提供的一种谐振器制备方法的状态示意图之七；

图9为本申请实施例提供的一种谐振器制备方法的状态示意图之八；

图10为本申请实施例提供的一种谐振器制备方法的状态示意图之九；

图11为本申请实施例提供的一种谐振器制备方法的状态示意图之十；

图12为本申请实施例提供的一种谐振器制备方法的状态示意图之十一；

图13为本申请实施例提供的一种谐振器的结构示意图。

图标：10-布拉格反射镜；11-第二衬底；12-第一牺牲层；13-压电层；14-引出电极；15-第二键合层；16-高声阻抗材料层；17-低声阻抗材料层；21-第一衬底；22-第一键合层；31-键合层；32-上电极；33-保护层；34-金球引出端；35-下电极；36-第一引出孔；37-第二引出孔；38-第三引出孔；39-凹槽；40-下空腔；41-第一导通部；42-第二导通部；43-第二牺牲层；44-上空腔；45-侧向释放通道；46-基础层；47-第二焊盘；48-第一焊盘。

具体实施方式

下文陈述的实施方式表示使得本领域技术人员能够实践所述实施方式所必需的信息，并且示出了实践所述实施方式的最佳模式。在参照附图阅读以下描述之后，本领域技术人员将了解本公开的概念，并且将认识到本文中未具体提出的这些概念的应用。应理解，这些概念和应用属于本公开和随附权利要求的范围内。

应当理解，虽然术语第一、第二等可以在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一个元件。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可称为第二元件，并且类似地，第二元件可称为第一元件。如本文所使用，术语“和/或”包括相关联的所列项中的一个或多个的任何和所有组合。

应当理解，当一个元件(诸如层、区域或衬底)被称为“在另一个元件上”或“延伸到另一个元件上”时，其可以直接在另一个元件上或直接延伸到另一个元件上，或者也可以存在介于中间的元件。相反，当一个元件被称为“直接在另一个元件上”或“直接延伸到另一个元件上”时，不存在介于中间的元件。同样，应当理解，当元件(诸如层、区域或衬底)被称为“在另一个元件之上”或“在另一个元件之上延伸”时，其可以直接在另一个元件之上或直接在另一个元件之上延伸，或者也可以存在介于中间的元件。相反，当一个元件被称为“直接在另一个元件之上”或“直接在另一个元件之上延伸”时，不存在介于中间的元件。还应当理解，当一个元件被称为“连接”或“耦接”到另一个元件时，其可以直接连接或耦接到另一个元件，或者可以存在介于中间的元件。相反，当一个元件被称为“直接连接”或“直接耦接”到另一个元件时，不存在介于中间的元件。

诸如“在…下方”或“在…上方”或“上部”或“下部”或“水平”或“垂直”的相关术语在本文中可用来描述一个元件、层或区域与另一个元件、层或区域的关系，如图中所示出。应当理解，这些术语和上文所论述的那些术语意图涵盖装置的除图中所描绘的取向之外的不同取向。

本文中使用的术语仅用于描述特定实施方式的目的，而且并不意图限制本公开。如本文所使用，除非上下文明确地指出，否则单数形式“一”、“一个”和“所述”意图同样包括复数形式。还应当理解，当在本文中使用时，术语“包括”指明存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件，但并不排除存在或者增添一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或上述各项的组。

除非另外定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)的含义与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同。还应当理解，本文所使用的术语应解释为含义与它们在本说明书和相关领域的情况下的含义一致，而不能以理想化或者过度正式的意义进行解释，除非本文中已明确这样定义。

本申请实施例的一方面，提供一种谐振器，如图13所示，包括预制器件，预制器件包括第一衬底21以及依次层叠设置于第一衬底21上的下电极35、压电层13和第二衬底11；在第二衬底11上形成有延伸至压电层13的第一导通部41和第二导通部42，其中，第一导通部41和第二导通部42可以是贯穿第二衬底11的贯穿孔，或由第二衬底11背离压电层13的一侧表面延伸至压电层13的贯穿槽。

请继续参照图13，第二导通部42位于第一导通部41的周侧，并且第二导通部42与第一导通部41间隔设置，由此，使得第一导通部41和第二导通部42在第二衬底11上间隔分布。

在第一导通部41内露出的压电层13上设置有上电极32；在第二衬底11上形成覆盖第一导通部41的保护层33，如此，在侧向释放后，便可以在保护层33和上电极32之间形成有上空腔44；在第二衬底11和压电层13之间还形成有连通上空腔44和第二导通部42的侧向释放通道45。本申请能够在上空腔和第二导通部填充牺牲层未被释放时，实现由第二导通部侧向依次对侧向释放通道和上空腔内的牺牲层进行释放，从而避免在上空腔正上方对保护层开孔，避免了在上空腔的上方直接形成释放孔时容易掉入异物的问题，从而能够进一步的提高器件的稳定性和可靠性。

可选的，第一导通部41和/或第二导通部42具有倾斜侧壁，倾斜侧壁与平行于第一衬底21的平面的夹角为20°至80°，由此，能够利用带有倾斜侧壁结构给横向声波提供各方向的反射，避免形成驻波伪模态，进一步的提高器件性能。

可选的，在第一衬底21和下电极35之间还设置有相键合的第一键合层22和第二键合层15，压电层13为单晶压电层，如图1至图12所示，便可以通过衬底转移加键合的方式实现单晶压电层的制作，如此，有助于提高器件的性能。

可选的，如图13所示，在第一键合层上形成下空腔40(凹槽39)，下空腔40位于第二键合层15背离下电极35的一侧，在第二键合层15背离下电极35的一侧表面设置有位于下空腔40内的布拉格反射镜10。由此，便可以由布拉格反射镜10在下电极35靠近第一衬底21的一侧为谐振器声波反射提供第一次反射，从而提高器件的性能。通过下空腔40能够在下电极35靠近第一衬底21的一侧为谐振器声波反射提供第二次反射，通过下空腔40和布拉格反射镜10配合从而进一步的提高器件的性能。

可选的，如图13所示，第二导通部42包括下电极引出孔和上电极引出孔，两者分别位于第一导通部41的左右两侧，在下电极引出孔内设置有与下电极电性连接的第一焊盘48，在上电极引出孔内设置有与上电极电性连接的第二焊盘47，下电极引出孔和/或上电极引出孔通过侧向释放通道与上空腔连通，由此，便可以通过侧向释放的方式经侧向释放通道对上空腔内的牺牲层进行释放，进而形成上空腔。

本申请实施例的另一方面，提供一种谐振器制备方法，如图1所示，方法包括：

S010：提供预制器件，预制器件包括第一衬底，以及依次层叠设置于第一衬底上的下电极、压电层、第一牺牲层和第二衬底。

如图6所示，先提供预制器件，预制器件可以包括第一衬底21、下电极35、压电层13、第一牺牲层12和第二衬底11，其中，下电极35、压电层13、第一牺牲层12和第二衬底11依次层叠于第一衬底21，仅指代四者之间的位置关系，并不带表制备的工艺顺序，例如以下电极35和压电层13为例，在不同制程中：可以是先制备下电极35再制备压电层13；也可以是先制备压电层13再制备下电极35等。

第一牺牲层12位于第二衬底11靠近第一衬底21的一侧表面，且第一牺牲层12为图案化后的结构，用于形成后续的侧向释放通道45。

S020：通过刻蚀，在第二衬底上形成延伸至压电层的第一导通部和第二导通部，第二导通部位于第一导通部的周侧且与第一导通部间隔设置，第一牺牲层分别于第一导通部和第二导通部内露出，压电层于第一导通部内露出。

如图7所示，对第二衬底11进行刻蚀，从而在第二衬底11背离第一衬底21的表面内分别形成贯穿第二衬底11的第一导通部41和第二导通部42，第二导通部42位于第一导通部41的周侧且和第一导通部41互不连通的间隔设置，换言之，第一导通部41和第二导通部42沿水平方向间隔分布。压电层13和部分第一牺牲层12均于第一导通部41内露出，同时，另一部分第一牺牲层12则于第二导通部42内露出，由此，能够通过第一牺牲层12将第一导通部41和第二导通部42连通。

S030：在第一导通部内露出的压电层上沉积上电极。

如图8所示，可以在第一导通部41内露出的压电层13表面沉积上电极32，且应当理解的是，上电极32、压电层13和下电极35能够形成具有交叠区域的压电堆叠结构，也即三明治结构，其中交叠区域作为谐振器的有效工作区域。为了便于后续进行侧向释放，因此，上电极32形成后，露出于第一导通部41内的第一牺牲层12依然有部分露出。

S040：在第一导通部内填充与第一牺牲层接触的第二牺牲层。

如图10所示，第一导通部41内填充第二牺牲层43，使得第二牺牲层43覆盖上电极32，并且第二牺牲层43还延伸至第一牺牲层12的表面，并与第一牺牲层12接触，即第一牺牲层12和第二牺牲层43形成Z字形结构。

S050：在第二衬底上形成覆盖第一导通部的保护层。

如图11所示，在第二衬底11上形成覆盖第一导通部41的保护层33，即保护层33覆盖于第二牺牲层43之上。保护层33的厚度为500nm。

S060：通过第二导通部释放第一牺牲层以在压电层和第二衬底之间形成侧向释放通道。

如图13所示，由于在第二导通部42内依然有另一部分第一牺牲层12露出，因此，可以通过第二导通部42内露出的第一牺牲层12释放第一牺牲层12从而形成侧向释放通道45。

S070：通过侧向释放通道侧向释放第二牺牲层，以在保护层和上电极之间形成有上空腔。

如图13所示，随着第一牺牲层12完全释放，侧向释放通道45也由第二导通部42向第一导通部41内延伸，从而使得侧向释放通道45连通至第二牺牲层43，进而将第二牺牲层43也一并释放，使得第一导通部41内的空间被释放，在下电极35和保护层33之间形成上空腔44，保护层33则可以作为薄膜对谐振器提供良好的保护，并且能够作为谐振器上方的反射边界，以提高器件的性能。

由此，本申请能够利用相互接触的第一牺牲层12和第二牺牲层43，实现由第二导通部42侧向对第一导通部41内的第二牺牲层43进行释放，在第一导通部41正上方不对保护层33开孔，避免了在第一导通部41的上方直接形成释放孔时容易掉入异物的问题，从而能够进一步的提高器件的稳定性和可靠性。

应当理解的是，第一牺牲层12也可以是一个或多个，当第一牺牲层12为多个时，便可以对应形成多条侧向释放通道45，例如图11所示，第一牺牲层12为两个，如图13所示，在释放后对应形成两条侧向释放通道45。

请参阅图2至图6，通过S010提供预制器件时，可以通过以下步骤进行：

S011：提供第二衬底11。

如图2所示，可以先提供第二衬底11。

S012：在第二衬底11上分别沉积第一牺牲层12和压电层13，压电层13为单晶压电层13。

如图2所示，接着在第二衬底11上分别沉积第一牺牲层12和压电层13，压电层13可以整层沉积，即压电层13覆盖第一牺牲层12的同时，在有效工作区域和第二衬底11贴合，便于在刻蚀形成第一导通部41时露出方便形成上电极32。

S013：在压电层13上形成下电极35。

S014：通过键合工艺将下电极35设置于第一衬底21，以得到预制器件。

如图5和图6所示，通过键合工艺将下电极35设置于第一衬底21，以得到预制器件。

在此制程中，由于压电层13先于下电极35形成，因此，可以先直接在高温环境下形成单晶压电层13，然后再沉积下电极35，从而能够避免因为金属电极对于温度的限制(金属电极容易在高温环境下氧化失效造成缺陷)导致压电层13呈现多晶态，有利于提高压电层13的质量，进而提高谐振器的性能。

例如S012利用金属有机物气相沉积法(Metal-organic Chemical VaporDeposition，MOCVD)在第二衬底11和第一牺牲层12上高温沉积单晶压电层13，沉积温度为1000℃-1300℃之间，沉积厚度范围在10nm-900nm之间。S013在压电层13上低温沉积下电极35时，沉积温度为150℃-250℃之间，沉积厚度范围在10nm-3000nm之间。上电极32可以参照下电极35的制备工艺。

S014在通过键合工艺将下电极35设置于第一衬底21时：如图3所示，首先利用等离子体增强化学气相沉积法在压电层13和下电极35表面沉积第二键合层15，沉积厚度范围在200nm-5000nm之间。如图4所示，然后在第二键合层15上形成位于有效工作区域的布拉格反射镜10，布拉格反射镜10可以采用高声阻抗材料层16和低声阻抗材料层17交替堆叠形成。如图5所示，在第一衬底21上形成具有下空腔40(凹槽39)的第一键合层22，第一键合层22可以利用等离子体增强化学气相沉积法沉积，沉积厚度范围在200nm-5000nm之间。凹槽39用于容置布拉格反射镜10，接着如图6所示，将第一键合层22和第二键合层15对应键合形成键合层31，从而使得布拉格反射镜10被凹槽39容置，以得到预制器件。由此，便可以由布拉格反射镜10在下电极35靠近第一衬底21的一侧为谐振器声波反射提供第一次反射，从而提高器件的性能。

由于布拉格反射镜10形成于单晶压电层13之后，因此，不会像传统工艺一样由于布拉格反射镜10材料与单晶压电薄膜晶体质量的不匹配存在单晶压电层13生长质量差的问题。

在一些实施方式中，如图6所示，凹槽39的内部空间大于布拉格反射镜10所占用的空间，换言之，凹槽39的内壁面与布拉格反射镜10之间具有一定间距，通过下空腔40能够在下电极35靠近第一衬底21的一侧为谐振器声波反射提供第二次反射，通过下空腔40和布拉格反射镜10配合从而进一步的提高器件的性能。

S013在压电层13上形成下电极35包括：如图2所示，通过对压电层13先进行刻蚀，在压电层13上形成相互间隔且贯穿至第二衬底11的第一引出孔36、第二引出孔37和第三引出孔38，然后在压电层13上沉积金属层，并对金属层进行图案化从而形成间隔的两部分，一部分作为下电极35，另一部分作为引出电极14(用作上电极32的侧向引出)，其中，下电极35覆盖有效工作区域并延伸于第一引出孔36内，引出电极14位于第二引出孔37内且延伸至第三引出孔38内。

请参阅图7所示，通过S020在第二衬底11上形成第一导通部41和第二导通部42时，可以形成两个第二导通部42(下电极引出孔和上电极引出孔)，由此，通过S013形成的第一引出孔36在图7中左侧的第二导通部42(上电极引出孔)内露出，第三引出孔38在图7中右侧的第二导通部42(下电极引出孔)内露出，第二引出孔37则在中间的第一导通部41内露出。由此，如图8所示，在第一导通部41内沉积上电极32后，上电极32与第二引出孔37内的引出电极14接触，由此，便可以实现由引出电极14将上电极32侧向引出至右侧的第二导通部42内，方便后续进行封装。

如图13所示，通过S030在第一导通部41内露出的压电层13上沉积上电极32之后，方法还包括：在图12中右侧的第二导通部42内沉积第一焊盘48，第一焊盘48与第一引出孔36内的下电极35接触，由此将下电极35引出；在图12中左侧的第二导通部42内沉积第二焊盘47，第二焊盘47与第三引出孔38内的引出电极14接触，由此，通过第二引出孔37内的引出电极14至第三引出孔38内的引出电极14将上电极32侧向引出。

如图12和图13所示，第一焊盘48和第二焊盘47均可以包括基础层46和位于基础层46上的金球引出端34。具体的：

请继续参阅图8，在具有第一引出孔36和第三引出孔38时，可以通过二者分别将下电极35和上电极32引出至对应的第二导通部42内，为了便于封装，可以在第一导通部41内沉积上电极32时，同步在第一引出孔36和第三引出孔38露出的第二导通部42内也形成基础层46，一个基础层46与第一引出孔36内的下电极35接触，另一个基础层46与第三引出孔38内的引出电极14接触，例如在进行S030时，在第一导通部41和两个第二导通部42内分别沉积金属，位于第一导通部41内的金属为上电极32，位于两个第二导通部42内的金属作为基础层46。

如图12所示，在基础层46上沉积金属，形成覆盖基础层46的金球引出端34，通过先形成基础层46，能够提高金球引出端34的设置面积，从而提高器件的可靠性。

请参阅图7所示，通过S020在第二衬底11上形成第一导通部41以及第二导通部42时：可以通过湿法各向同性刻蚀，在第二衬底11上形成第一导通部41和第二导通部42，从而使得第一导通部41和第二导通部42的侧壁为倾斜侧壁，由此，能够利用带有倾斜侧壁结构给横向声波提供各方向的反射，避免形成驻波伪模态，进一步的提高器件性能。

在一些实施方式中，如图8至图9所示，在第二衬底11上形成覆盖第一导通部41的保护层33之前，方法还包括：对第二衬底11进行减薄，由此利于器件的微型化。

以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种谐振器，其特征在于，包括预制器件，所述预制器件包括第一衬底以及依次层叠设置于所述第一衬底上的下电极、压电层和第二衬底；

在所述第二衬底上形成有延伸至所述压电层的第一导通部和第二导通部，所述第二导通部位于所述第一导通部的周侧且与所述第一导通部间隔设置；

在所述第一导通部内露出的压电层上设置有上电极；

在所述第二衬底上形成覆盖所述第一导通部的保护层，以在所述保护层和所述上电极之间形成有上空腔；

在所述第二衬底和所述压电层之间还形成有连通所述上空腔和所述第二导通部的侧向释放通道；

所述第二导通部包括下电极引出孔和上电极引出孔，在所述下电极引出孔内设置有与所述下电极电性连接的第一焊盘，在所述上电极引出孔内设置有与所述上电极电性连接的第二焊盘，所述下电极引出孔和/或所述上电极引出孔通过所述侧向释放通道与所述上空腔连通。

2.如权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述第一导通部和/或所述第二导通部具有倾斜侧壁，所述倾斜侧壁与平行于所述第一衬底的平面的夹角为20°至80°。

3.如权利要求1所述的谐振器，其特征在于，在所述第一衬底和所述下电极之间还设置有相键合的第一键合层和第二键合层，所述压电层为单晶压电层。

4.如权利要求3所述的谐振器，其特征在于，在所述第一键合层上形成下空腔，所述下空腔位于所述第二键合层背离所述下电极的一侧，在所述第二键合层背离所述下电极的一侧表面设置有位于所述下空腔内的布拉格反射镜。

5.一种谐振器制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供预制器件，所述预制器件包括第一衬底，以及依次层叠设置于所述第一衬底上的下电极、压电层、第一牺牲层和第二衬底；

通过刻蚀，在所述第二衬底上形成延伸至所述压电层的第一导通部和第二导通部，所述第二导通部位于所述第一导通部的周侧且与所述第一导通部间隔设置，所述第一牺牲层分别于所述第一导通部和所述第二导通部内露出，所述压电层于所述第一导通部内露出；

在所述第一导通部内露出的所述压电层上沉积上电极；

在所述第一导通部内填充与所述第一牺牲层接触的第二牺牲层；

在所述第二衬底上形成覆盖所述第一导通部的保护层；

通过所述第二导通部释放所述第一牺牲层以在所述压电层和所述第二衬底之间形成侧向释放通道；

通过所述侧向释放通道侧向释放所述第二牺牲层，以在所述保护层和所述上电极之间形成有上空腔；

所述第二导通部包括下电极引出孔和上电极引出孔，所述下电极引出孔和/或所述上电极引出孔通过所述侧向释放通道与所述上空腔连通；所述通过刻蚀，在所述第二衬底上形成第一导通部和第二导通部之后，所述方法还包括：

在所述下电极引出孔内设置有与所述下电极电性连接的第一焊盘，在所述上电极引出孔内设置有与所述上电极电性连接的第二焊盘。

6.如权利要求5所述的谐振器制备方法，其特征在于，所述提供预制器件包括：

提供第二衬底；

在所述第二衬底上分别沉积所述第一牺牲层和所述压电层，所述压电层为单晶压电层；

在所述压电层上形成所述下电极；

通过键合工艺将所述下电极设置于所述第一衬底，以得到所述预制器件。

7.如权利要求6所述的谐振器制备方法，其特征在于，所述通过键合工艺将所述下电极设置于所述第一衬底包括：

在所述下电极依次形成层叠的第二键合层和布拉格反射镜；

在所述第一衬底上形成具有下空腔的第一键合层；

将所述第一键合层和所述第二键合层对应键合，以使所述布拉格反射镜位于所述下空腔内。

8.如权利要求5所述的谐振器制备方法，其特征在于，所述通过刻蚀，在所述第二衬底上形成第一导通部和第二导通部包括：

通过湿法各向同性刻蚀，在所述第二衬底上形成具有倾斜侧壁的所述第一导通部和所述第二导通部，所述倾斜侧壁与平行于所述第一衬底的平面的夹角为20°至80°。