CN108539055B - 一种oled产品的制作方法和oled产品 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种OLED产品的制作方法和产品，该步骤包括：步骤1、提供一ITO基板；步骤2、对ITO基板上的第一ITO层进行刻蚀，形成ITO阳极层；步骤3、在ITO阳极层上制作Mo合金层，在ITO基板的另一面上制作第二ITO层；步骤4、对第二ITO层进行刻蚀，形成第一ITO触摸层；步骤5、在第一ITO触摸层上制作并刻蚀形成第一Mo/Al/Mo图案层；步骤6、在第一ITO触摸层和第一Mo/Al/Mo图案层上制作硬质保护层；步骤7、去除所述Mo合金层；步骤8、在ITO阳极层上制作并刻蚀形成第二Mo/Al/Mo图案层；步骤9：制作OLED功能层和金属阴极层。本发明能够解决现有的采用ON CELL技术的OLED产品制作过程中加辅助金属的技术方案与Mo合金保护方案制程兼容性差的问题，能够有效提高产品质量和生产效率。

Description

一种OLED产品的制作方法和OLED产品
技术领域
本发明涉及了显示技术领域，特别是涉及了一种OLED产品的制作方法和OLED产品。
背景技术
ON CELL技术是OLED产品集成触摸功能的最佳解决方案之一，该技术将ITO触摸层设置在OLED产品的出光面表面上，在刻蚀ITO触摸层的触摸图案时需要先将基板背面上的ITO阳极层保护起来，常用的保护方法是在ITO阳极层上丝印或者粘贴一层保护膜。这类保护方法虽然设备和制程都相对简单，但容易产生残胶、ITO阳极层被压伤等问题，且在蚀刻完ITO触摸层之后需要手动撕掉保护膜，因而不利于工艺的自动化和高世代产线的量产。现也有采用Mo合金来做保护的技术方案，能够有效提高生产效率，但是现有的采用Mo合金保护方案的OLED产品形成的触控电极仅有ITO触摸层，电阻较大，使得报点率下降且难以获取高灵敏度；为了解决ITO触摸层电阻大的问题可以采用加辅助金属的技术方案，但是现有的加辅助金属的技术方案与Mo合金保护方案制程兼容性差，使得产品质量低且生产效率低。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是能够解决现有的采用ON CELL技术的OLED产品制作过程中加辅助金属的技术方案与Mo合金保护方案制程兼容性差的问题，能够有效提高产品质量和生产效率。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种OLED产品的制作方法，包括以下步骤：
步骤1、提供一ITO基板；
步骤2、采用ITO刻蚀液对所述ITO基板上的第一ITO层进行刻蚀，制作阳极图案，形成ITO阳极层；
步骤3、在所述ITO阳极层上制作Mo合金层，在所述ITO基板的另一面上制作第二ITO层；
步骤4、采用ITO刻蚀液对所述第二ITO层进行刻蚀，制作第一触摸图案，形成第一ITO触摸层；
步骤5、在所述第一ITO触摸层上制作面阻小于第一ITO触摸层的第一Mo/Al/Mo层并采用酸刻液刻蚀形成第一Mo/Al/Mo图案层；
步骤6、在所述第一ITO触摸层和第一Mo/Al/Mo图案层上制作硬质保护层；
步骤7、采用酸刻液去除所述Mo合金层；
步骤8、在所述ITO阳极层上制作第二Mo/Al/Mo层并采用酸刻液刻蚀形成第二Mo/Al/Mo图案层；
步骤9：依次在所述ITO阳极层上制作OLED功能层和金属阴极层。
作为本发明的一种优选方案，所述第二ITO层的厚度小于500Å。
作为本发明的一种优选方案，其特征在于，所述ITO刻蚀液为包括HNO3、HCL和H2O的混合液，其中，HCL的质量浓度为36～38%，HNO3的质量浓度为65～68%；所述ITO蚀刻液的温度为25~50℃；所述酸刻液为包括HNO3、CH3COOH和H3PO4的混合液。
作为本发明的一种优选方案，其特征在于，所述Mo合金层中Mo的质量百分比为80%-95%，所述Mo合金层的厚度为3000-5000Å。
作为本发明的一种优选方案，所述第一Mo/Al/Mo图案层中Mo在Mo合金膜中的质量百分比大于95%，Al在Al合金膜中的质量百分比大于等于95%；所述第一Mo/Al/Mo图案层的厚度为1000~3000Å。
作为本发明的一种优选方案，所述硬质保护层全部覆盖所述第一Mo/Al/Mo图案层。
作为本发明的一种优选方案，所述步骤5中的第一Mo/Al/Mo层替换为第一Mo层，第一Mo/Al/Mo图案层替换为第一Mo图案层。
作为本发明的一种优选方案，所述第一Mo图案层中的Mo的质量百分比大于或等于95%，所述第一Mo图案层的厚度为1000~3000Å。
进一步地，还提供一种OLED产品，采用以上任一所述的OLED产品的制作方法获得。
本发明具有如下技术效果：本实施例提供的一种OLED产品的制作方法在对所述第二ITO层进行刻蚀之前，先在已经完成刻蚀的所述ITO阳极层上制作一层Mo合金层，以包裹覆盖所述ITO阳极层，利用所述Mo合金层具有表面平整、高熔点、高硬度、高致密性，以及在所述ITO刻蚀液里具有短暂的惰性等特点，在所述第一ITO触摸层的刻蚀过程中，保护所述ITO阳极层，以使所述ITO阳极层能够避免所述ITO刻蚀液的侵蚀和外力的划伤、压伤；同时，通过在第一ITO触摸层上制作面阻小于ITO触摸层的第一Mo/Al/Mo层或第一Mo层并采用酸刻液刻蚀形成第一Mo/Al/Mo图案层或第一Mo图案层，能够有效起到降低OLED产品触控电极的面阻，提高灵敏度；且本实施例提供的制作方法有效保证了第一Mo/Al/Mo图案层或第一Mo图案层的制作和Mo合金层在整个制作过程中的保护作用，制程兼容性强，能够有效提高产品质量和生产效率。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的一种OLED产品的制作方法的流程框图；
图2为本发明实施例二提供的一种OLED产品的制作方法的流程框图。
具体实施方式
为使本发明的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本发明实施方式作进一步详细说明。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另外定义，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。
实施例一
如图1所示，其表示了本发明提供的一种OLED产品的制作方法。该OLED产品的制作方法具体包括以下步骤：
步骤1、提供一ITO基板；具体地，所述步骤1可以包括：步骤1.1、提供一透明基板；步骤1.2、在所述透明基板上制作SiO2层；步骤1.2、在所述SiO2层上镀第一ITO层。其中，所述透明基板优选为玻璃基板，在制作SiO2层之前对其表面进行抛光处理，所述SiO2层的厚度为200~300 Å；所述第一ITO层的制作方法为磁控溅射，沉积温度在200-280℃之间，厚度可以为800~2200Å，所述第一ITO层在制作完成后，还需对其表面进行软抛光处理，控制其表面粗糙度Ra＜10Å。
步骤2、采用ITO刻蚀液对所述ITO基板上的第一ITO层进行刻蚀，制作阳极图案，形成ITO阳极层；具体地，优选但不限于在黄光湿制程中采用ITO蚀刻液对所述第一ITO层进行刻蚀，所述ITO刻蚀液优选为包括HNO3、HCL和H2O的混合液，其中，HCL的质量浓度为36～38%，HNO3的质量浓度为65～68%；所述ITO蚀刻液的温度为25~50℃；所述酸刻液为包括HNO3、CH3COOH和H3PO4的混合液。
步骤3、在所述ITO阳极层上制作Mo合金层，在所述ITO基板的另一面上制作第二ITO层；具体地，可以先在所述ITO阳极层上制作Mo合金层，再在所述ITO基板的另一面上制作第二ITO层，或者，也可以先在所述ITO基板的另一面上制作第二ITO层，再在所述ITO阳极层上制作Mo合金层；当然，优选为先在所述ITO阳极层上制作Mo合金层，再在所述ITO基板的另一面上制作第二ITO层，这样可以有效避免ITO阳极层的制作过程中ITO阳极层受到压伤或者污染。其中，所述Mo合金层的制作方式为磁控溅射，由于所述Mo合金层具有表面平整、高熔点、高硬度、高致密性，其包裹覆盖所述ITO阳极层之后，能够对所述ITO阳极层起到保护作用，其硬度能够使所述ITO阳极层上的阳极图案免受外力作用而划伤、压伤；所述Mo合金层中Mo的质量百分比为80%-95%，所述Mo合金层的厚度为3000-5000Å。优选地，所述步骤3还可以包括在第二ITO层和ITO基板之间设置增透膜，可以用于消影或增加透过率。
步骤4、采用ITO刻蚀液对所述第二ITO层进行刻蚀，制作第一触摸图案，形成第一ITO触摸层；具体地，所述第二ITO层的厚度小于500Å，在黄光湿制程中采用ITO刻液进行刻蚀，优选地，采用下喷淋方式、完全不用上喷淋方式进行刻蚀，即所述ITO蚀刻液直接喷淋到所述第二ITO层的表面进行反应和刻蚀。
所述ITO刻蚀液为包括HNO3、HCL和H2O的混合液，其中，HCL的质量浓度为36～38%（AR级），HNO3的质量浓度为65～68%（AR级）；所述ITO刻蚀液的温度为25~50℃。
由于所述Mo合金层在所述ITO刻蚀液中具有短暂的惰性，所述Mo合金层能够利用这短暂的惰性来避免自身的致密膜结构在所述第一ITO触摸层的刻蚀过程中被所述ITO刻蚀液所破坏，从而避免所述ITO阳极层在所述第一ITO触摸层的刻蚀过程中受到所述ITO刻蚀液的侵蚀。
步骤5、在所述第一ITO触摸层上制作面阻小于ITO触摸层的第一Mo/Al/Mo层并采用酸刻液刻蚀形成第一Mo/Al/Mo图案层；具体地，所述第一Mo/Al/Mo图案层中Mo在Mo合金膜中的质量百分比大于95%，Al在Al合金膜中的质量百分比大于等于95%；所述第一Mo/Al/Mo图案层的厚度为1000-3000Å。具体地，由于Mo合金层的设置，在刻蚀形成第一Mo/Al/Mo图案层的过程中，Mo合金层会出现一定程度的受损，但依然可以有效保证残留厚度，在本实施例中，步骤3形成的Mo合金层的厚度为3000-5000Å，进行步骤5还可以形成大于或等于1000Å的残留厚度。
步骤6、在所述第一ITO触摸层和第一Mo/Al/Mo图案层上制作硬质保护层；具体地，所述硬质保护层的制作方法包括但不限于丝印、移印、刮涂或旋涂等，固化后硬度达到7-9H。硬质保护层可以有效保护第一ITO触摸层和第一Mo/Al/Mo图案层，避免在后续制程中受到损伤，具体地，硬质保护层全部覆盖所述第一Mo/Al/Mo图案层，同时覆盖第一ITO触摸层并将第一ITO触摸层的绑定位置留出。
步骤7、采用酸刻液去除所述Mo合金层；具体地，所述酸刻液为包括HNO3、CH3COOH和H3PO4的混合液，由于所述Mo刻蚀液不会侵蚀ITO材料，因此本步骤对刻蚀时间、刻蚀温度等可以无特殊要求，只需将所述Mo合金层完全去除，不留下任何残留即可，且由于步骤5的进行过程中已经形成了对Mo合金层的部分去除，能够有效加快本步骤去除Mo合金层的效果。
步骤8、在所述ITO阳极层上制作第二Mo/Al/Mo层并采用酸刻液刻蚀形成第二Mo/Al/Mo图案层；步骤9：依次在所述ITO阳极层上制作OLED功能层和金属阴极层。
本实施例提供的一种OLED产品的制作方法在对所述第二ITO层进行刻蚀之前，先在已经完成刻蚀的所述ITO阳极层上制作一层Mo合金层，以包裹覆盖所述ITO阳极层，利用所述Mo合金层具有表面平整、高熔点、高硬度、高致密性，以及在所述ITO刻蚀液里具有短暂的惰性等特点，在所述第一ITO触摸层的刻蚀过程中，保护所述ITO阳极层，以使所述ITO阳极层能够避免所述ITO刻蚀液的侵蚀和外力的划伤、压伤；同时，通过在第一ITO触摸层上制作面阻小于ITO触摸层的第一Mo/Al/Mo层并采用酸刻液刻蚀形成第一Mo/Al/Mo图案层，能够有效起到降低OLED产品触控电极的面阻，提高灵敏度；且本实施例提供的制作方法有效保证了第一Mo/Al/Mo图案层的制作和Mo合金层在整个制作过程中的保护作用，制程兼容性强，能够有效提高产品质量和生产效率。
实施例二
本实施例与前一实施例原理相同，结构相似，其区别仅在于，如图2所示，所述第一Mo/Al/Mo层替换为第一Mo层，第一Mo/Al/Mo图案层替换为第一Mo图案层；
具体地，本实施例提供的一种OLED产品的制作方法具体包括以下步骤：
步骤1、提供一ITO基板；
步骤2、采用ITO刻蚀液对所述ITO基板上的第一ITO层进行刻蚀，制作阳极图案，形成ITO阳极层；
步骤3、在所述ITO阳极层上制作Mo合金层，在所述ITO基板的另一面上制作第二ITO层；
步骤4、采用ITO刻蚀液对所述第二ITO层进行刻蚀，制作第一触摸图案，形成第一ITO触摸层；
步骤5、在所述第一ITO触摸层上制作面阻小于ITO触摸层的第一Mo层并采用酸刻液刻蚀形成第一Mo图案层；具体地，所述第一Mo图案层中的Mo的质量百分比大于或等于95%，所述第一Mo图案层的厚度为1000-3000 Å。
步骤6、在所述第一ITO触摸层和第一Mo/Al/Mo图案层上制作硬质保护层；
步骤7、采用酸刻液去除所述Mo合金层；
步骤8、在所述ITO阳极层上制作第二Mo/Al/Mo层并采用酸刻液刻蚀形成第二Mo/Al/Mo图案层；
步骤9：依次在所述ITO阳极层上制作OLED功能层和金属阴极层。
本实施例提供的一种OLED产品的制作方法在对所述第二ITO层进行刻蚀之前，先在已经完成刻蚀的所述ITO阳极层上制作一层Mo合金层，以包裹覆盖所述ITO阳极层，利用所述Mo合金层具有表面平整、高熔点、高硬度、高致密性，以及在所述ITO刻蚀液里具有短暂的惰性等特点，在所述第一ITO触摸层的刻蚀过程中，保护所述ITO阳极层，以使所述ITO阳极层能够避免所述ITO刻蚀液的侵蚀和外力的划伤、压伤；同时，通过在第一ITO触摸层上制作面阻小于ITO触摸层的第一Mo层并采用酸刻液刻蚀形成第一Mo图案层，能够有效起到降低OLED产品触控电极的面阻，提高灵敏度；且本实施例提供的制作方法有效保证了第一Mo/Al/Mo图案层的制作和Mo合金层在整个制作过程中的保护作用，制程兼容性强，能够有效提高产品质量和生产效率。
实施例三
本实施例提供一种OLED产品，采用以上任一实施例所述的OLED产品的制作方法获得。
以上所述实施例仅表达了本发明的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制，但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均应落在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种OLED产品的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、提供一ITO基板；
步骤2、采用ITO刻蚀液对所述ITO基板上的第一ITO层进行刻蚀，制作阳极图案，形成ITO阳极层；
步骤3、在所述ITO阳极层上制作Mo合金层，在所述ITO基板的另一面上制作第二ITO层；
步骤4、采用ITO刻蚀液对所述第二ITO层进行刻蚀，制作第一触摸图案，形成第一ITO触摸层；
步骤5、在所述第一ITO触摸层上制作面阻小于第一ITO触摸层的第一Mo/Al/Mo层并采用酸刻液刻蚀形成第一Mo/Al/Mo图案层；
步骤6、在所述第一ITO触摸层和第一Mo/Al/Mo图案层上制作硬质保护层；
步骤7、采用酸刻液去除所述Mo合金层；
步骤8、在所述ITO阳极层上制作第二Mo/Al/Mo层并采用酸刻液刻蚀形成第二Mo/Al/Mo图案层；
步骤9：依次在所述ITO阳极层上制作OLED功能层和金属阴极层。
2.根据权利要求1所述的OLED产品的制作方法，其特征在于，所述第二ITO层的厚度小于500Å。
3.根据权利要求1所述的OLED产品的制作方法，其特征在于，所述ITO刻蚀液为包括HNO3、HCL和H2O的混合液，其中，HCL的质量浓度为36～38%，HNO3的质量浓度为65～68%；所述ITO蚀刻液的温度为25~50℃；所述酸刻液为包括HNO3、CH3COOH和H3PO4的混合液。
4.根据权利要求1所述的OLED产品的制作方法，其特征在于，所述Mo合金层中Mo的质量百分比为80%-95%，所述Mo合金层的厚度为3000-5000Å。
5.根据权利要求1-4任一项所述的OLED产品的制作方法，其特征在于，所述第一Mo/Al/Mo层替换为第一Mo层，所述第一Mo/Al/Mo图案层替换为第一Mo图案层。
6.根据权利要求5所述的OLED产品的制作方法，其特征在于，所述第一Mo图案层中的Mo的质量百分比大于或等于95%，所述第一Mo图案层的厚度为1000~3000Å。
7.一种OLED产品，其特征在于，采用权利要求1-6中任一所述的OLED产品的制作方法获得。
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