CN106553992B - 金属电极结构的制造方法 - Google Patents

Abstract

一种金属电极结构的制造方法，包括：提供基底，所述基底内形成有器件，在所述基底表面依次形成粘附膜和金属电极膜；对金属电极膜进行第一刻蚀工艺，形成金属电极层；对粘附膜进行第二刻蚀工艺，直至露出位于所述粘附膜内的残留金属电极膜；采用第三刻蚀工艺，去除位于所述粘附膜内残留金属电极膜；对剩余的粘附膜进行第四刻蚀工艺，形成黏附层，所述黏附层与所述金属电极层构成金属电极结构。本发明通过先刻蚀部分粘附膜直至暴露出位于所述粘附膜内的残留金属电极膜，然后刻蚀去除所述残留金属电极膜，最后再刻蚀去除剩余的所述粘附膜，使形成金属电极结构后基底表面的残留物减少，从而提升了器件的性能及良率。

Description

金属电极结构的制造方法

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种金属电极结构的制造方法。

背景技术

金属电极结构用于实现器件的导通和器件与其他器件之间的互连，因此，金属电极结构的制备成为了生产器件的主要工序之一。

比如，MEMS(Micro Electro Mechanical System，微机电***)技术，MESM技术作为一项新兴的细微加工技术，现已被广泛运用于半导体领域中，相应地，MEMS器件金属电极结构的制备也成为了MEMS器件制造的主要工序之一。

目前主要采用Au层作为器件的金属电极层，同时为了增加Au电极层和基底之间的粘附力，一般采用Cr层作为Au电极层和基底之间的粘附层。

但是，现有技术形成的器件性能和良率有待提高。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种金属电极结构的制造方法，提高器件的性能及良率。

为解决上述问题，本发明提供一种金属电极结构的制造方法。包括如下步骤：

提供基底；在所述基底表面形成粘附膜；在所述粘附膜表面形成金属电极膜，部分所述金属电极膜形成于所述粘附膜中；在所述金属电极膜表面形成图形层，以所述图形层为掩膜，对所述金属电极膜进行第一刻蚀工艺，直至暴露所述粘附膜表面，形成金属电极层；以所述图形层为掩膜，对所述粘附膜进行第二刻蚀工艺，去除部分所述粘附膜，直至暴露位于所述粘附膜中的金属电极膜；以所述图形层为掩膜，对位于所述粘附膜中的金属电极膜进行第三刻蚀工艺，去除所述金属电极膜；以所述图形层为掩膜，对所述粘附膜进行第四刻蚀工艺，去除剩余的所述粘附膜，直至露出所述基底表面，形成粘附层；去除所述图形层。

可选的，所述粘附膜的材料为Cr。

可选的，形成粘附膜的步骤中，所述粘附膜的厚度为至

可选的，形成所述粘附膜的工艺为物理气相沉积法。

可选的，所述金属电极膜的材料为Au。

可选的，形成金属电极膜的步骤中，所述金属电极膜的厚度为至

可选的，形成所述金属电极膜的工艺为物理气相沉积法。

可选的，所述第一刻蚀工艺、第二刻蚀工艺、第三刻蚀工艺和第四刻蚀工艺均为湿法刻蚀工艺。

可选的，所述第一刻蚀工艺所采用的刻蚀液为碘、碘化钾和水构成的混合液，碘的体积浓度为1％至1.5％，碘化钾的体积浓度为3.5％至5.5％，工艺温度为20℃至30℃，工艺时间为220秒至260秒。

可选的，所述第二刻蚀工艺所采用的刻蚀液为硝酸、硝酸铵铈和水构成的混合液，硝酸的质量浓度为8％至15％，硝酸铵铈的质量浓度为10％至20％，工艺温度为20℃至30℃，工艺时间为35秒至45秒。

可选的，所述第三刻蚀工艺所采用的刻蚀液为碘、碘化钾和水构成的混合液，碘的体积浓度为1％至1.5％，碘化钾的体积浓度为3.5％至5.5％，工艺温度为20℃至30℃，工艺时间为55秒至65秒。

可选的，所述第四刻蚀工艺所采用的刻蚀液为硝酸、硝酸铵铈和水构成的混合液，硝酸的质量浓度为8％至15％，硝酸铵铈的质量浓度为10％至20％，工艺温度为20℃至30℃，工艺时间为25秒至35秒。

可选的，所述金属电极结构的制造方法还包括：完成第一刻蚀工艺后，进行第二刻蚀工艺之前，对所述基底进行第一清洗工艺；

完成第二刻蚀工艺后，进行第三刻蚀工艺之前，对所述基底进行第二清洗工艺；

完成第三刻蚀工艺后，进行第四刻蚀工艺之前，对所述基底进行第三清洗工艺。

可选的，所述第一清洗工艺、第二清洗工艺和第三清洗工艺采用的清洗液均为去离子水。

可选的，所述金属电极结构为MEMS器件的金属电极结构；

提供基底的步骤中，所述基底为MEMS基底，所述MEMS基底内形成有MEMS器件；

形成粘附膜的步骤包括：在所述MEMS基底表面形成所述粘附膜；

第四刻蚀工艺的步骤包括：以所述图形层为掩膜，对所述粘附膜进行第二刻蚀工艺，去除剩余的所述粘附膜，直至露出所述MEMS基底表面，形成粘附层。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：本发明通过多步刻蚀工艺，先通过第一刻蚀工艺，去除粘附膜表面的金属电极膜；然后对粘附膜进行第二刻蚀工艺，直至暴露出位于所述粘附膜内的残留金属电极膜；随后采用第三刻蚀工艺，去除位于所述粘附膜内残留金属电极膜；最后采用第四刻蚀工艺，去除剩余的粘附膜，直至露出基底表面，形成由所述金属电极层和粘附层构成的金属电极结构。由于通过第三刻蚀工艺去除了位于所述粘附膜内残留金属电极膜，使所述粘附膜的第四刻蚀工艺过程中不会受到所述残留金属电极膜的阻挡，因此，完成所述第四刻蚀工艺后，减少了基底表面的残留物，从而提升了器件的性能及良率。

附图说明

图1至图2是金属电极结构的制造方法一实施例中各步骤对应结构示意图；

图3至图7是本发明金属电极结构的制造方法一实施例中各步骤对应结构示意图。

具体实施方式

现有技术MEMS器件的性能和良率有待提高，结合MEMS器件金属电极结构的制造过程分析其原因。参考图1至图2，示出了一种MEMS器件金属电极结构的制造过程一实施例的结构示意图。MEMS器件金属电极结构的制造工艺包括以下步骤：提供MEMS基底100(如图1所示)，在所述MEMS基底100表面依次形成粘附膜110(如图1所示)和金属电极膜120(如图1所示)；在所述金属电极膜120表面形成图形层130(如图1所示)，所述图形层130定义出了金属电极结构图形，以所述图形层130为掩膜，依次刻蚀所述金属电极膜120和粘附膜110直至露出所述MEMS基底100表面，形成由金属电极层121(如图2所示)和粘附层111(如图2所示)构成的MEMS器件金属电极结构。

现有技术主要采用金属Au作为所述金属电极膜120的材料，金属Cr作为所述粘附膜110的材料，然而采用现有技术形成所述金属电极结构后，在MEMS基底100表面发现大量金属残留物，从而降低了MEMS器件的性能，甚至导致MEMS器件的低良率问题。这是因为在Cr膜110表面形成Au膜120的工艺过程中，部分Au被溅射入所述Cr膜110中，也就是说，所述Cr膜110和所述Au膜120的接触面为由Cr与Au构成的混合膜，当刻蚀去除图形层130暴露的所述Au膜120后，还有部分Au残留于所述Cr膜110中，从而导致在刻蚀所述Cr膜110时，残留的Au阻挡了对所述Cr膜110的刻蚀，进而导致完成刻蚀工艺后在MEMS基底100表面形成金属残留物。

为了解决所述技术问题，本发明提供一种金属电极结构的制造方法，包括：提供基底；在所述基底表面形成粘附膜；在所述粘附膜表面形成金属电极膜；在所述金属电极膜表面形成图形层，以所述图形层为掩膜，对所述金属电极膜进行第一刻蚀工艺，直至暴露所述粘附膜表面，形成金属电极层；以所述图形层为掩膜，对所述粘附膜进行第二刻蚀工艺，去除部分所述粘附膜，直至暴露位于所述粘附膜中的金属电极膜；以所述图形层为掩膜，对位于所述粘附膜中的金属电极膜进行第三刻蚀工艺，去除所述金属电极膜；以所述图形层为掩膜，对所述粘附膜进行第四刻蚀工艺，去除剩余的所述粘附膜，直至露出所述基底表面，形成粘附层；去除所述图形层，形成由所述金属电极层和所述粘附层构成的金属电极结构。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：采用第一刻蚀工艺去除粘附膜表面的金属电极膜以形成金属电极层之后，先采用第二刻蚀工艺去除部分所述粘附膜直至暴露出残留于所述粘附膜内的金属电极膜；随后采用第三刻蚀工艺去除位于所述粘附膜内的残留金属电极膜；最后采用第四刻蚀工艺去除剩余的所述粘附膜直至露出基底表面以形成粘附层，所述金属电极层和所述粘附层构成了金属电极结构。由于通过第三刻蚀工艺去除了位于所述粘附膜内残留金属电极膜，使所述粘附膜的第四刻蚀工艺过程中不会受到所述残留金属电极膜的阻挡，因此，完成所述第四刻蚀工艺后，减少了所述基底表面的残留物，从而提升了器件的性能及良率。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

图3至图7是本发明金属电极结构的制造方法一实施例中各步骤对应结构示意图。

本实施例以MEMS器件金属电极结构的制造方法为例进行说明，但不限制于此，还可以包括应用于其他用途的金属电极结构的制造方法。

参考图3，提供基底200，所述基底200内形成有器件(未示意)。

本实施例中，所述基底200为MEMS基底，所述MEMS基底内形成有MEMS器件。

继续参考图3，在所述基底200表面形成粘附膜210，用于形成粘附层，以提高所述基底200与后续形成的膜层之间的粘附性。

具体地，采用物理气相沉积工艺在基底200表面溅射形成粘附膜210。本实施例中，所述基底200为MEMS基底，形成所述粘附膜210的步骤包括：在所述MEMS基底表面形成所述粘附膜210，所述粘附膜210的材料为Cr，所述粘附膜210的厚度为至

继续参考图3，在所述粘附膜210表面形成金属电极膜220，所述金属电极膜220用于形成金属电极层，以实现器件的导通和器件与其他器件之间的互连。

具体地，采用物理气相沉积工艺在所述粘附膜210表面溅射形成金属电极膜220。本实施例中，所述金属电极膜220的材料为Au，所述金属电极膜220的厚度为至

需要说明的是，由于所述金属电极膜220与所述基底200表面的粘附性较差，因此，为了提高所述金属电极膜220与所述基底200表面之间的粘附性，本实施例在所述基底200与所述金属电极膜220之间形成所述粘附膜210，所述粘附膜210与所述基底200表面具有较好的粘附性。

还需要说明的是，在所述粘附膜210表面溅射形成所述金属电极膜220的工艺过程中，部分金属电极膜材料被溅射入所述粘附膜210中，也就是说，所述粘附膜210和所述金属电极膜220的接触面是金属电极膜材料和粘附膜材料的混合膜230。

结合参考图4，在所述金属电极膜220(如图3所示)表面形成图形层240，以所述图形层240为掩膜，对所述金属电极膜220进行第一刻蚀工艺，直至暴露所述粘附膜210表面，形成金属电极层221。

本实施例中，所述图形层240的材料为光刻胶，形成所述图形层240的工艺步骤包括：形成覆盖所述金属电极膜220表面的光刻胶膜；对所述光刻胶膜进行曝光处理以及显影处理，形成所述图形层240，所述图形层240定义出后续形成的金属电极结构图形。形成所述金属电极层221之后，保留所述图形层240。

具体地，形成所述金属电极层221的步骤包括：在所述金属电极膜220(如图3所示)表面形成图形层240，所述图形层240定义出后续形成的金属电极结构图形，暴露出部分金属电极膜220表面；以所述图形层240为掩膜，刻蚀去除所述图形层240暴露的金属电极膜220，直至露出所述粘附膜210表面，部分所述金属电极膜220因被所述图形层240覆盖而被保留，形成金属电极层221。

本实施例中，所述第一刻蚀工艺为湿法刻蚀工艺，所述第一刻蚀工艺采用对所述金属电极膜220具有较高刻蚀选择比的刻蚀液，从而保证在刻蚀所述金属电极膜220时，其他膜层以及基底200不受损耗。所述第一刻蚀工艺所采用的刻蚀液为碘、碘化钾和水构成的混合液。其中，碘的体积浓度为1％至1.5％，碘化钾的体积浓度为3.5％至5.5％，工艺温度为20℃至30℃，工艺时间为220秒至260秒。

通过设定所述刻蚀液浓度、工艺温度及工艺时间，从而将刻蚀速率控制在合适范围内，便于保证刻蚀工艺的可控性和生产效率。

当刻蚀液浓度过低或工艺温度过低时，导致刻蚀速率过慢，从而在设定工艺时间内难以刻蚀完所述粘附膜210表面的金属电极膜220，进而影响后续的刻蚀工艺，容易对器件的性能及良率产生不良影响，也可以通过增加工艺时间来刻蚀完所述粘附膜210表面的金属电极膜220，但相应会降低生产效率；当刻蚀液浓度过高或工艺温度过高时，导致刻蚀速率过快，同时容易导致所述刻蚀液对所述金属电极膜220的横向蚀刻严重，不利于产品质量及刻蚀工艺的管控。

当所述工艺时间过短时，基于设定的刻蚀液浓度以及工艺时间，难以刻蚀完所述粘附膜210表面的金属电极膜220，从而影响后续的刻蚀工艺，容易对器件的性能及良率产生不良影响；当所述工艺时间过长时，导致所述刻蚀液对所述金属电极膜220的横向蚀刻严重，从而影响后续形成的金属电极层221的形貌，不利于产品质量的管控，容易对器件的性能及良率产生不良影响。

需要说明的是，完成所述第一刻蚀工艺后，采用去离子水对所述基底200进行第一清洗工艺。

参考图5，以所述图形层240为掩膜，对所述粘附膜210进行第二刻蚀工艺，去除部分所述粘附膜210，直至暴露出位于所述粘附膜210中的金属电极膜(未示意)。

本实施例中，在所述粘附膜210表面溅射形成所述金属电极膜220的工艺过程中，部分金属电极膜材料被溅射入所述粘附膜210中，从而在所述粘附膜210和所述金属电极膜220的接触面形成金属电极膜材料和粘附膜材料的混合膜230，所述混合膜230包括位于所述粘附膜210中的残留金属电极膜。

本实施例中，所述金属电极膜材料为Au，所述粘附膜材料为Cr，但不限制于此。

具体地，对所述粘附膜210进行第二刻蚀工艺的步骤包括：以所述图形层240为掩膜，刻蚀去除所述图形层240暴露的部分粘附膜210，直至露出位于所述粘附膜210中的残留金属电极膜。

本实施例中，所述第二刻蚀工艺为湿法刻蚀工艺，所述第二刻蚀工艺采用对所述粘附膜210具有较高刻蚀选择比的刻蚀液，从而保证在刻蚀去除部分所述粘附膜210时，其他膜层以及基底200不受损耗。所述第二刻蚀工艺所采用的刻蚀液为硝酸、硝酸铵铈和水构成的混合液。其中，硝酸的质量浓度为8％至15％，硝酸铵铈的质量浓度为10％至20％，工艺温度为20℃至30℃，工艺时间为35秒至45秒。

通过设定所述刻蚀液浓度、工艺温度及工艺时间，从而将刻蚀速率控制在合适范围内，便于保证刻蚀工艺的可控性和生产效率。

当刻蚀液浓度过低或工艺温度过低时，导致刻蚀速率过慢，从而在设定工艺时间内难以完全露出位于所述粘附膜210中的残留金属电极膜，影响后续所述残留金属电极膜的去除工艺，容易对器件的性能及良率产生不良影响，也可以通过增加工艺时间来刻蚀去除部分所述粘附膜210直至完全露出位于所述粘附膜210中的残留金属电极膜，但相应会降低生产效率；当刻蚀液浓度过高或工艺温度过高时，导致刻蚀速率过快，同时容易导致所述刻蚀液对所述粘附膜210的横向蚀刻严重，不利于产品质量及刻蚀工艺的管控。

当所述工艺时间过短时，基于设定的刻蚀液浓度以及工艺时间，难以完全暴露出位于所述粘附膜210中的残留金属电极膜，影响后续所述残留金属电极膜的去除工艺，容易对器件的性能及良率产生不良影响；当所述工艺时间过长时，由于已完全露出位于所述粘附膜210中的残留金属电极膜，继续增加工艺时间会降低制造效率，且过长的工艺时间容易导致所述刻蚀液对所述粘附膜210的横向蚀刻严重，不利于产品质量的管控。

需要说明的是，完成所述第二刻蚀工艺后，采用去离子水对所述基底200进行第二清洗工艺。

参考图6，以所述图形层240为掩膜，对位于所述粘附膜210中的残留金属电极膜进行第三刻蚀工艺，去除所述残留金属电极膜。

具体地，所述第三刻蚀工艺的步骤包括：以所述图形层240为掩膜，刻蚀去除所述图形层240暴露的残留金属电极膜，直至刻蚀完所述残留金属电极膜并露出所述粘附膜210表面。

本实施例中，所述第三刻蚀工艺为湿法刻蚀工艺，所述第三刻蚀工艺采用对所述残留金属电极膜具有较高刻蚀选择比的刻蚀液，从而保证在刻蚀去除所述残留金属电极膜时，其他膜层以及基底200不受损耗。所述第三刻蚀工艺所采用的刻蚀液为碘、碘化钾和水构成的混合液。其中，碘的体积浓度为1％至1.5％，碘化钾的体积浓度为3.5％至5.5％，工艺温度为20℃至30℃，工艺时间为55秒至65秒。

通过设定所述刻蚀液浓度、工艺温度及工艺时间，从而将刻蚀速率控制在合适范围内，便于保证刻蚀工艺的可控性和生产效率。

当刻蚀液浓度过低或工艺温度过低时，导致刻蚀速率过慢，从而在设定工艺时间内难以刻蚀完所述残留金属电极膜，从而影响后续的刻蚀工艺，容易对器件的性能及良率产生不良影响，也可以通过增加工艺时间来刻蚀完所述残留金属电极膜，但相应会降低生产效率；当刻蚀液浓度过高或工艺温度过高时，导致刻蚀速率过快，同时容易导致所述刻蚀液对所述残留金属电极膜的横向蚀刻严重，不利于产品质量及刻蚀工艺的管控。

当所述工艺时间过短时，基于设定的刻蚀液浓度以及工艺时间，难以刻蚀完所述残留金属电极膜，从而影响后续的刻蚀工艺，容易对器件的性能及良率产生不良影响；当所述工艺时间过长时，由于已完全刻蚀去除所述残留金属电极膜，继续增加工艺时间会降低生产效率，且过长的工艺时间容易导致所述刻蚀液对所述残留金属电极膜的横向蚀刻严重，不利于产品质量的管控。

需要说明的是，完成所述第三刻蚀工艺后，采用去离子水对所述基底200进行第三清洗工艺。

参考图7，以所述图形层240为掩膜，对所述粘附膜210(如图6所示)进行第四刻蚀工艺，去除剩余的所述粘附膜210，直至露出所述基底200表面，形成粘附层211。

具体地，所述第四刻蚀工艺的步骤包括：以所述图形层240为掩膜，刻蚀去除所述图形层240暴露的粘附膜210(如图6所示)，直至露出所述基底200表面，形成粘附层211。本实施例中，所述基底200为MEMS基底，第四刻蚀工艺的步骤包括：去除剩余的所述粘附膜210，直至露出所述MEMS基底表面，形成粘附层211。

本实施例中，所述第四刻蚀工艺为湿法刻蚀工艺，所述第四刻蚀工艺采用对所述粘附膜210具有较高刻蚀选择比的刻蚀液，从而保证在刻蚀去除剩余的所述粘附膜210时，所述基底200不受损耗。所述第四刻蚀工艺所采用的刻蚀液为硝酸、硝酸铵铈和水构成的混合液。其中，硝酸的质量浓度为8％至15％，硝酸铵铈的质量浓度为10％至20％，工艺温度为20℃至30℃，工艺时间为25秒至35秒。

通过设定所述刻蚀液浓度、工艺温度及工艺时间，从而将刻蚀速率控制在合适范围内，便于保证刻蚀工艺的可控性和生产效率。

当刻蚀液浓度过低或工艺温度过低时，导致刻蚀速率过慢，从而在设定工艺时间内难以刻蚀完剩余的所述粘附膜210，容易对器件的性能及良率产生不良影响，也可以通过增加工艺时间来刻蚀完剩余的所述粘附膜210，但相应会降低生产效率；当刻蚀液浓度过高或工艺温度过高时，导致刻蚀速率过快，同时容易导致所述刻蚀液对所述粘附膜210的横向蚀刻严重，不利于产品质量及刻蚀工艺的管控。

当所述工艺时间过短时，基于设定的刻蚀液浓度以及工艺时间，难以刻蚀完剩余的所述粘附膜210，容易对器件的性能及良率产生不良影响；当所述工艺时间过长时，由于已刻蚀完所述图形层240暴露的粘附膜210，过长的工艺时间容易导致所述刻蚀液对所述粘附膜210的横向蚀刻严重，从而影响后续形成的粘附层211的形貌，不利于产品质量的管控，容易降低所述器件的性能及良率。

需要说明的是，完成所述第四刻蚀工艺后，采用去离子水对所述基底200进行第四清洗工艺，且在清洗结束后，对所述基底200进行干燥处理。

本实施例中，对所述基底200进行干燥处理后，采用湿法去胶或灰化工艺去除所述图形层240，形成由所述金属电极层221和所述粘附层211构成的金属电极结构。

由于在对所述粘附膜210(如图6所示)进行第四刻蚀工艺之前，已经去除所述粘附膜210表面的金属电极膜220(如图3所示)，且通过第三刻蚀工艺使所述粘附膜210中无金属电极膜残留，因此，在所述粘附膜210的第四刻蚀过程中不会受到残留金属电极膜的阻挡，从而可以减少形成所述金属电极结构后在所述基底100表面形成的残留物，进而提高器件的性能和良率。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (15)

1.一种金属电极结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底表面形成粘附膜；

在所述粘附膜表面形成金属电极膜，部分所述金属电极膜形成于所述粘附膜中；

在所述金属电极膜表面形成图形层，以所述图形层为掩膜，对所述金属电极膜进行第一刻蚀工艺，直至暴露所述粘附膜表面，形成金属电极层；

以所述图形层为掩膜，对所述粘附膜进行第二刻蚀工艺，去除部分所述粘附膜，直至暴露位于所述粘附膜中的金属电极膜；

以所述图形层为掩膜，对位于所述粘附膜中的金属电极膜进行第三刻蚀工艺，去除所述金属电极膜；

以所述图形层为掩膜，对所述粘附膜进行第四刻蚀工艺，去除剩余的所述粘附膜，直至露出所述基底表面，形成粘附层；

去除所述图形层。

2.如权利要求1所述的金属电极结构的制造方法，其特征在于，所述粘附膜的材料为Cr。

3.如权利要求1所述的金属电极结构的制造方法，其特征在于，形成粘附膜的步骤中，所述粘附膜的厚度为至

4.如权利要求1所述的金属电极结构的制造方法，其特征在于，形成所述粘附膜的工艺为物理气相沉积法。

5.如权利要求1所述的金属电极结构的制造方法，其特征在于，所述金属电极膜的材料为Au。

6.如权利要求1所述的金属电极结构的制造方法，其特征在于，形成金属电极膜的步骤中，所述金属电极膜的厚度为至

7.如权利要求1所述的金属电极结构的制造方法，其特征在于，形成所述金属电极膜的工艺为物理气相沉积法。

8.如权利要求1所述的金属电极结构的制造方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺、第二刻蚀工艺、第三刻蚀工艺和第四刻蚀工艺均为湿法刻蚀工艺。

9.如权利要求8所述的金属电极结构的制造方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺所采用的刻蚀液为碘、碘化钾和水构成的混合液，碘的体积浓度为1％至1.5％，碘化钾的体积浓度为3.5％至5.5％，工艺温度为20℃至30℃，工艺时间为220秒至260秒。

10.如权利要求8所述的金属电极结构的制造方法，其特征在于，所述第二刻蚀工艺所采用的刻蚀液为硝酸、硝酸铵铈和水构成的混合液，硝酸的质量浓度为8％至15％，硝酸铵铈的质量浓度为10％至20％，工艺温度为20℃至30℃，工艺时间为35秒至45秒。

11.如权利要求8所述的金属电极结构的制造方法，其特征在于，所述第三刻蚀工艺所采用的刻蚀液为碘、碘化钾和水构成的混合液，碘的体积浓度为1％至1.5％，碘化钾的体积浓度为3.5％至5.5％，工艺温度为20℃至30℃，工艺时间为55秒至65秒。

12.如权利要求8所述的金属电极结构的制造方法，其特征在于，所述第四刻蚀工艺所采用的刻蚀液为硝酸、硝酸铵铈和水构成的混合液，硝酸的质量浓度为8％至15％，硝酸铵铈的质量浓度为10％至20％，工艺温度为20℃至30℃，工艺时间为25秒至35秒。

13.如权利要求1所述的金属电极结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：完成第一刻蚀工艺后，进行第二刻蚀工艺之前，对所述基底进行第一清洗工艺；

完成第二刻蚀工艺后，进行第三刻蚀工艺之前，对所述基底进行第二清洗工艺；

完成第三刻蚀工艺后，进行第四刻蚀工艺之前，对所述基底进行第三清洗工艺。

14.如权利要求13所述的金属电极结构的制造方法，其特征在于，所述第一清洗工艺、第二清洗工艺和第三清洗工艺采用的清洗液均为去离子水。

15.如权利要求1所述的金属电极结构的制造方法，其特征在于，所述金属电极结构为MEMS器件的金属电极结构；

提供基底的步骤中，所述基底为MEMS基底，所述MEMS基底内形成有MEMS器件；

形成粘附膜的步骤包括：在所述MEMS基底表面形成所述粘附膜；

第四刻蚀工艺的步骤包括：以所述图形层为掩膜，对所述粘附膜进行刻蚀工艺，去除剩余的所述粘附膜，直至露出所述MEMS基底表面，形成粘附层。