CN108461415B - 擦刷洗净方法及擦刷洗净装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种擦刷洗净方法及擦刷洗净装置，其抑制由辊的旋转所伴随的洗净液的逆流导致的积液的发生，抑制晶片正面的二次污染的发生。本发明为一种擦刷洗净方法，其借助多个辊（2）一边保持半导体基板（W）的外周缘（Wc）一边使其旋转，并且，使洗净部件（3）在半导体基板的洗净面（Wa）上滑动擦刷，由此使前述洗净面清洁化，其中，在使前述洗净部件（3）在半导体基板的洗净面的中心部（O1）滑动擦刷后，从前述中心部（O1），使前述洗净部件（3）在维持滑动擦刷的状态的同时，移动到外伸的距离（d），由此使前述半导体基板的洗净面清洁化，前述外伸的距离（d）是前述洗净部件的一部分从半导体基板的外周缘（Wc）突出的距离。

Description

擦刷洗净方法及擦刷洗净装置

技术领域

本发明涉及擦刷洗净方法及擦刷洗净装置。例如，本发明涉及如下擦刷洗净方法及擦刷洗净装置：借助多个辊保持半导体用基板（以下称为晶片）的外周缘，一边使晶片旋转，一边利用洗净部件洗净。

背景技术

以往以来，在制造半导体用基板的各种制造过程的前后，进行将附着于晶片的正面的微粒等污染物质（异物）除去的擦刷洗净。

例如，在将晶片的正面镜面研磨的CMP（化学机械研磨）过程后，进行如下擦刷洗净：一边向旋转的晶片的正面供给洗净液，一边使作为洗净部件的刷子在晶片的正面滑动擦刷来洗净。

该擦刷洗净方法及擦刷洗净装置的一例在日本特开2010-283150号公报中被表示。

该公报所示的擦刷洗净装置具备基板旋转部、正面洗净部、周缘洗净部和洗净液供给部，前述基板旋转部吸附夹装晶片的背面，使前述基板旋转，前述正面洗净部将前述基板的正面（上表面）洗净，前述周缘洗净部将前述基板的周缘部洗净，前述洗净液供给部向前述基板供给洗净液。

在该擦刷洗净装置中，使用正面洗净部和周缘洗净部进行擦刷洗净。

此外，在日本特开2002-66467号公报中，表示有下述擦刷洗净装置，其具备基板旋转部、擦刷洗净器、喷嘴，前述基板旋转部吸附夹装晶片的背面，使前述基板旋转，前述擦刷洗净器有2个，将前述基板的正面（上表面）洗净，前述喷嘴向前述基板供给洗净液。

在该公报所示的擦刷洗净装置中，使用2个擦刷洗净器进行擦刷洗净。

此外，被使用于近年的元件的制造的半导体用基板（晶片）不仅在其正面，在背面也要求高的洗净度。

但是，在前述日本特开2010-283150号公报、日本特开2002-66467号公报所示的擦刷洗净装置中，将晶片的背面吸附夹装，使晶片旋转，因此不能将晶片的正面及背面同时以高洗净度洗净。

作为解决该问题的方案，提出了日本特开平11-283951号公报所示的擦刷洗净装置。

在该擦刷洗净装置上，设置多个能够旋转的辊，借助这些辊，保持晶片W的外周缘。并且，在前述晶片借助辊来旋转的状态下，刷子在前述晶片的正面和背面上滑动，进行擦刷洗净。

在该擦刷洗净装置中，晶片借助多个辊被能够旋转地保持（没有设置将晶片的背面吸附夹装、使晶片旋转的基板旋转机构）。

结果，能够使洗净器在晶片的正面和背面上滑动擦刷，能够同时洗净晶片的正面和背面。

此外，晶片W的上表面（正面）的洗净通过对晶片W的上表面的中心部滴下洗净液并使洗净器滑动擦刷来进行。此外，晶片W的下表面（背面）的洗净通过对晶片W的下表面（背面）整体地喷射洗净液并使洗净器滑动擦刷来进行。

在前述晶片W的上表面（正面）的洗净中，对晶片W的上表面中心部滴下的洗净液借助晶片W的旋转力从晶片W的中心部向晶片W的外周缘流动，从外周缘向晶片W的外侧被排出。

但是，如图11所示，在设置有辊11的擦刷洗净装置10中，由于辊11的旋转，形成向晶片W的中心部方向流动的流动E。即，已污染的含有微粒等的洗净水从晶片W的外周缘向晶片W的中心部方向逆流。

结果，存在下述可能：已污染的含有微粒等的洗净水没有被从晶片W的外周缘向外侧排出，在晶片的正面的外周缘部产生洗净液的积液X，成为晶片的正面的二次污染的要因。

发明内容

本发明是为了解决前述技术问题而作出的，其目的在于提供一种擦刷洗净方法及擦刷洗净装置，该擦刷洗净方法及擦刷洗净装置在一边借助多个辊保持并旋转晶片一边进行的擦刷洗净中，除去由伴随着辊的旋转的洗净液的逆流导致的积液，抑制晶片的正面的二次污染的发生。

为了实现上述目的而作出的本发明的擦刷洗净方法借助多个辊一边保持半导体基板的外周缘一边使其旋转，并且，使洗净部件在半导体基板的洗净面上滑动擦刷，由此使前述洗净面清洁化，前述擦刷洗净方法的特征在于，在使前述洗净部件在半导体基板的洗净面的中心部滑动擦刷后，从前述中心部，使前述洗净部件在维持滑动擦刷的状态的同时，移动到外伸的距离，由此使前述半导体基板的洗净面清洁化，前述外伸的距离是前述洗净部件的一部分从半导体基板的外周缘突出的距离。

在本发明的擦刷洗净方法中，使前述洗净部件维持滑动擦刷的状态，同时洗净部件移动到外伸的距离，前述外伸的距离是洗净部件的一部分从半导体基板的外周缘突出的距离。因此，已污染的洗净液的积液被除去，已污染的含有微粒等的洗净水被从晶片W的外周缘向外侧排出。即，抑制洗净水从晶片W的外周缘向中心部方向的逆流，防止晶片的洗净面的二次污染。

此外，前述洗净部件不是下述部件：使前述洗净部件在维持滑动擦刷的状态的同时，从外伸的距离再次返回到洗净面的中心部，进行所谓的往复移动。

因此，由于滑动擦刷而附着于洗净部件的微粒等异物不会被洗净部件搬运到晶片的中央部侧，能够抑制由附着于洗净部件的异物导致的洗净面的二次污染。

在此，将由前述辊的旋转产生的向晶片面内逆流的洗净液距前述晶片的外周缘的距离表述为t，将前述圆板状的洗净部件的半径表述为r，将洗净部件的一部分突出的外伸的距离表述为d，此时，优选为外伸的距离d处于0<d≤r-t的范围内。

在外伸的距离d处于0<d≤r-t的范围内的情况下，已污染的洗净液的积液被除去，已污染的含有微粒等的洗净水从晶片W的外周缘向外侧被排出，能够实现进一步的高清洁化。

此外，半导体基板的洗净面的平均光点缺陷数优选地被清洁化至0.2×（外伸的距离d，单位为mm）+140个以下。

此外，优选的是，在前述洗净部件的一部分从半导体基板的外周缘突出的外伸的距离处，停止洗净部件从前述中心部向半导体基板的外周缘方向的移动，在经过规定时间后，前述洗净部件从半导体基板的洗净面离开。

若前述洗净部件维持滑动擦刷的状态并且外伸的距离d超过r-t，则已污染的洗净液的积液残留，已污染的含有微粒等的洗净水变得难以被从晶片W的外周缘向外侧排出，因此优选为，前述洗净部件在滑动规定时间后，从半导体基板的洗净面离开。

此外，优选的是，借助前述辊的旋转而旋转的晶片的旋转方向与洗净部件的旋转方向为同一方向，并且前述洗净部件的转速相对于前述晶片的转速的比至少为10。

在此，在旋转的晶片的旋转方向与洗净部件的旋转方向为不同方向的情况下，刷子与晶片旋转相反地旋转，结果，产生使积液向晶片内周移流（移流）的速度成分，积液的排液性能下降，因此不是优选的。

此外，如果对于晶片的每1次旋转，刷子的旋转为10次旋转以上，则刷子在晶片整面上滑动，因此能获得良好的洗净性能。

另一方面，在对于晶片每1次旋转、刷子的旋转为不足10次旋转的情况下，刷子的滑动相对于晶片变得不均匀，因此存在不能获得良好的洗净性能、不能除去微粒等污染物质（异物）的可能，不是优选的。

涉及为了实现上述目的而作出的本发明的擦刷洗净装置是被使用于上述擦刷洗净方法的擦刷洗净装置，其特征在于，具备辊、洗净液供给机构、洗净部件驱动部、控制部，前述辊有多个，一边保持半导体基板的外周缘一边使其旋转，前述洗净液供给机构向前述半导体基板的洗净面供给洗净液，前述洗净部件驱动部使圆板状的洗净部件一边旋转一边从前述半导体基板的洗净面的中心部向半导体基板的外周侧移动，并且使前述洗净部件在半导体基板的洗净面上滑动擦刷或者从半导体基板的洗净面脱离，前述控制部控制前述洗净部件驱动部。

如上所述，根据本发明的擦刷洗净方法及擦刷洗净装置，在一边借助多个辊保持并旋转晶片、一边进行的擦刷洗净中，能够除去由伴随着辊的旋转的洗净液的逆流导致的积液，能够抑制晶片的正面的二次污染的发生。

附图说明

图1是示意地表示涉及本发明的一实施方式的擦刷洗净装置的概略图。

图2是图1所示的擦刷洗净装置的概略俯视图。

图3是表示洗净部件从晶片正面离开的位置的概略图，是表示外伸距离d设成d=r-t的情况下的洗净部件从晶片正面离开的位置的概略图。

图4是将外伸距离d设成0>d的情况下的洗净部件从晶片正面离开的位置的概略图。

图5是将外伸距离d设成0<d<r-t的情况下的洗净部件从晶片正面离开的位置的概略图。

图6是将外伸距离d设成r-t<d<2r的情况下的洗净部件从晶片正面离开的位置的概略图。

图7是将外伸距离d设成d≥2r的情况下的洗净部件从晶片正面离开的位置的概略图。

图8是表示刷子的最外周的1点在晶片上描绘的扫描轨迹的概略图。

图9是表示实验1的结果的图表。

图10是表示实验2的结果的图表。

图11是用于说明以往的擦刷洗净方法（擦刷洗净装置）的问题的概略图。

具体实施方式

以下，基于图1至图7，对涉及本发明的擦刷洗净装置的一实施方式进行说明。此外，图1是示意地表示涉及一实施方式的擦刷洗净装置的概略图，图2是表示图1所示的擦刷洗净装置的主要结构的概略俯视图。

如图1、图2所示，擦刷洗净装置1具有用于保持半导体基板（晶片）W的外周缘的多个（在该实施方式中为4个）辊2。在前述多个辊2中，对一个辊2A设置有辊用马达M1，能够旋转驱动地构成。另一方面，其他的辊2B构成为不被旋转驱动，而是保持半导体基板（晶片）W的外周缘，伴随着半导体基板（晶片）W的旋转而旋转。

即，前述辊2A借助辊用马达M1，向用箭头A表示的方向旋转，从而被辊2A、2B保持的晶片W向与箭头A相反的方向（用箭头B表示的方向）旋转。

此外，前述擦刷洗净装置1具备将晶片W的上表面（洗净面）滑动擦刷的洗净部件3、将晶片W的下表面（洗净面）滑动擦刷的洗净部件4。此外，前述洗净部件3及洗净部件4是圆板状的刷子，形成为各自的直径比晶片W的直径小。

此外，作为前述洗净部件3及洗净部件4的材料，优选地使用吸水率为至少1000%以上的PVA（聚乙烯醇）制的海绵。

进而，擦刷洗净装置1具备将前述圆板状的洗净部件3、4驱动的洗净部件驱动部5。洗净部件驱动部5以经由晶片W对称的方式，分别被设置于晶片W的正面侧以及背面侧。

该洗净部件驱动部5具备马达M2、可动臂部5a、马达M3，前述马达M2旋转驱动前述圆板状的洗净部件3、4，前述可动臂部5a在一端部装配有前述马达M2，前述马达M3被装配于前述可动臂部5a的另一端部侧，旋转驱动前述可动臂部5a。

即，构成为洗净部件3、4借助前述马达M2旋转，并且以前述马达M3的旋转轴为中心，可动臂部5a转动。

此外，前述马达M3被装配于支承台5b，前述支承台5b被能够滑动地安装于载置台5c。在该载置台5c上安装活塞缸5d，前述支承台5b与活塞缸5d被连结。

即，在该擦刷洗净装置1处，构成为活塞缸5d伸缩，从而前述支承台5b滑动，洗净部件3、4与洗净面滑动接触，或者脱离。

此外，擦刷洗净装置1设置有控制前述马达M1、马达M2、马达M3、活塞缸5d的动作的控制部6。该控制通过所谓的顺序控制来进行控制。

借助该控制部6的控制，前述圆板状的洗净部件3、4以下述方式动作：在旋转的同时，从前述半导体基板W的洗净面Wa、Wb的中心部O1向半导体基板W的外周侧一边滑动擦刷一边移动，或者在规定的位置处从洗净面脱离。

即，如图1所示，前述洗净部件3由于可动臂部5a下降，此外洗净部件4由于可动臂部5a上升，从而与半导体基板W的洗净面Wa、Wb抵接。接着，如图2所示，借助马达M2旋转的洗净部件3、4与晶片W的正面滑动接触，并且从半导体基板W的洗净面Wa、Wb的中心部O1向半导体基板W的外周侧，在穿过晶片W的中心O1的单点划线D所表示的圆弧上移动。并且，若洗净部件3、4到达规定位置（外伸距离），则从半导体基板的洗净面脱离。

此外，虽然未图示，但在前述擦刷洗净装置1上，具备向前述晶片W供给洗净液的洗净液供给机构。

该洗净液供给机构能够使用以往以来被使用的洗净液供给机构。具体而言，向晶片W的上表面供给洗净液的洗净液供给机构构成为，向前述晶片W的上表面（洗净面）的中心部滴下洗净液。此外，向晶片W的下表面（洗净面）供给洗净液的洗净液供给机构构成为，向前述晶片W的下表面（洗净面）整体喷射洗净液。

接着，说明使用擦刷洗净装置1的擦刷洗净方法。此外，洗净部件4的动作与洗净部件3的动作同样，因此省略说明。

首先，借助辊2，保持晶片W的外周缘Wc。接着，借助前述洗净液供给机构将洗净液（未图示）向晶片W的正面Wa上供给，并且借助前述辊用马达M1，使辊2向用箭头A表示的方向旋转，使晶片W向用箭头B表示的方向旋转。此时的晶片W的转速为30rpm~ 60rpm。

此时，在晶片W的外周端部Wc处，在用箭头E表示的方向上，产生伴随着辊2的旋转的洗净液的逆流。并且，洗净液逆流到用虚线F表示的位置，形成环状的积液X。

接着，借助前述洗净部件驱动部5，一边将朝向与晶片W的旋转方向相同的方向（用箭头C表示的方向）旋转的洗净部件3按压于旋转的晶片W的正面，一边使其移动。

该洗净部件3在维持旋转状态的同时（在洗净晶片W的正面的同时），如图2的单点划线所示地从晶片W的中心O1朝向外周缘部并在规定的位置处使洗净部件3从晶片W的正面离开。具体而言，如图3所示，在将洗净部件3的半径设成r、洗净部件3的前述外伸距离设成d、洗净液由于辊2而产生的逆流距离设成t时，在洗净部件3的外伸距离为0<d≤r-t的位置处，使洗净部件3从晶片W的正面离开。此时，优选地在洗净部件3的外伸距离为0<d≤r-t的位置处，使洗净部件3的移动停止。从将前述移动停止到使洗净部件3从晶片W的正面离开的时间为例如1秒~ 1分。

此外，外伸距离d是洗净部件3、4的一部分从半导体基板W的外周缘Wc突出的突出尺寸，如图3所示，是点P1处的半导体基板W的切线L2与点P2处的与前述切线L2平行的线段L3之间的距离，前述点P1是连结半导体基板W的中心O1与洗净部件3的中心O2的线段L1与半导体基板W的外周缘Wc相交的点，前述点P2是连结半导体基板W的中心O1与洗净部件3的中心O2的线段L1与半导体基板W的外周缘Wc相交的点。

此外，洗净液由于辊2而产生的逆流距离t是下述距离：由于辊2的存在或辊的旋转产生的积液X处的半导体基板W的径向的距离。前述逆流距离t随着从前述辊2离开，受到半导体基板W的旋转的离心力的影响而减少，因此在此，如图3所示，设成连结半导体基板W的中心O1与辊的中心O3的线段L4横穿的积液X的长度尺寸。

接着，基于图3至图7，对于使洗净部件3从晶片正面离开的位置进行说明。

如图4所示，在使前述洗净部件3从晶片正面离开的位置为外伸距离d是0以下（即，洗净部件3在不从晶片W的外周缘突出的情况下从晶片正面离开的）的情况下，不能除去在晶片W的外周缘部Wc产生的积液X的全部（或者一部分），洗净面Wa的清洁变得困难。

另一方面，如图3、图5所示，在使前述洗净部件3从晶片正面离开的位置（外伸距离d）为0<d<r-t及d=r-t的条件下，相对于形成积液X的回绕流动E1的行进方向，洗净部件3的旋转方向不会逆行，赋予朝向晶片W的外侧的速度成分Cr（参照图5），因此容易排出积液X，容易除去积液，能够抑制晶片的正面的二次污染的发生。

与此相对，如图6所示，在使前述洗净部件3从晶片正面离开的位置（外伸距离d）为r-t<d<2r的条件下，由于洗净部件3的旋转，产生与回绕流动E1逆行的流动成分Cx。

因此，在洗净部件3的周边产生复杂的液体流动，明显地妨碍含有微粒的纯水（洗净水）的排液性。此外，根据情况，有产生朝向晶片内周侧的流动、发生晶片W的正面的二次污染的可能。

进而，如图7所示，在使前述洗净部件3离开晶片正面的位置（外伸距离d）为d≥2r的情况下，洗净部件3完全地越过晶片W，因此洗净部件自身不能促进洗净。

这样，在使洗净部件3从晶片正面离开的位置（外伸的距离d）处于0<d≤r-t的范围内的情况下，已污染的洗净液的积液被除去，已污染的含有微粒等的洗净水被从晶片W的外周缘向外侧排出，能实现进一步的高清洁化。

此外，洗净部件3相对于晶片W的转速比优选地设成至少10以上。

即，若对于晶片的每1次旋转，刷子的旋转为10次旋转以上，则刷子在晶片整面上滑动，因此能够获得良好的洗净性能。另一方面，在对于晶片的每1次旋转、刷子的旋转为不足10次旋转的情况下，刷子相对于晶片的滑动变得不均匀，因此不能获得良好的洗净性能。结果，存在不能除去微粒等污染物质（异物）的可能，不是优选的。

若要具体地说明，则将晶片的外径设成300mm，使洗净部件3相对于晶片W的转速比变化，以外径30mm的刷子的最外周的1点在晶片上描绘的扫描轨迹3x作为示例在图8中表示。

图8（a）表示设成刷子的转速为30rpm、晶片的转速为30rpm的情况的扫描轨迹3x，图8（b）表示设成刷子的转速为300rpm、晶片的转速为30rpm的情况的扫描轨迹3x，图8（c）表示设成刷子的转速为600rpm、晶片的转速为30rpm的情况的扫描轨迹3x。

这样，能够确认下述情况：增大洗净部件3相对于晶片W的转速比，由此使滑动接触摩擦的程度变大，提高刷子的洗净性能。

并且，能够确认下述情况：在转速比为10以上的情况下，能获得更良好的洗净性能，能够实现高清洁化。

【实施例】

（实验1）

对于

300mm的硅晶片进行化学机械研磨（CMP）。接着，借助用图1及图2进行了说明的擦刷洗净装置（擦刷洗净方法），进行CMP后的硅晶片的正面的洗净。在下面表示洗净条件。

硅晶片的转速设成35rpm，此外，就洗净液而言使用纯水，将其流量设成1.0L/min。此时，逆流距离t是10mm。此外，圆板状的洗净部件的半径r为30mm，洗净部件的移动速度（可动臂部的转动速度）为4mm/s，洗净部件相对于晶片的转速比为约17.1，洗净部件的转速为600rpm，洗净部件使用吸水率为1000%的PVA（聚乙烯醇）制的海绵。

在该条件下，使洗净部件从晶片的中心到外周缘的规定位置（外伸距离）移动（滑动擦刷）1次。并且，在移动中，使外伸距离d在逆流距离t与洗净部件的半径r之间，满足下式地变化：（a）d<0，（b）0<d<r-t，（c）d=r-t，（d）r-t<d<2r，（e）d≥2r。

具体而言，作为比较例1，将外伸距离d设成-10mm（（a）d<0的情况）（参照图4）。作为实施例1，设成+5mm（（b）0<d<r-t的情况）（参照图5）。作为实施例2，设成+15mm（（b）0<d<r-t的情况）（参照图3）。作为实施例3，设成+20mm（（c）d=r-t的情况）（参照图3）。作为比较例2，设成+30mm（（d）r-t<d<2r）（参照图6）。作为比较例3，设成+50mm（（d）r-t<d<2r）（参照图6）。作为比较例4，设成+60mm（（e）d≥2r的情况）（参照图7）。

将外伸距离d设成实施例1~ 3、比较例1~ 4，测量各自的光点缺陷数。此外，样品（硅晶片）数为各10张，求出样品（10张）中的光点缺陷的平均值。

此外，在规定位置（外伸距离）处，洗净部件在可动臂部的移动停止的状态下，在晶片上滑动擦刷、洗净1秒钟后，从晶片正面脱离。

此后，测量各个情况下的洗净后的晶片正面的26nm以上的光点缺陷（Light PointDefect）数。对于光点缺陷的测量，使用暗场激光散射异物检查装置（暗視野レーザー散乱異物検査装置）（KLA-Tencor公司制的Surfscan SP3）。

该结果在图9中表示。此外，在图9中，如上所述，各图表表示样品（10张）的光点缺陷的平均值。此外，各图表中的纵向误差棒表示偏差，横向误差棒表示考虑了规定位置（外伸距离）精度（±5mm）的图像。

从图9能明确，在外伸距离为-10mm的情况下（比较例1），以晶片外周部的洗净部件的未到达区域为中心，检测出10,000个以上的光点缺陷。推断为这是没有用刷子除去原本在晶片外周存在的微粒的情况。

与此相对，在外伸距离为+5mm~+20mm（实施例1~ 3）的情况下，光点缺陷减少至140个左右。另一方面，在外伸距离进一步地增大为+30mm（比较例2）、+50mm（比较例3）、+60mm（比较例4）的情况下，光点缺陷再一次转变成增加倾向，分别成为250、800、400个左右。

如前所述，推断为在0<d<r-t及d=r-t的条件下，相对于形成积液的回绕流动的行进方向，洗净部件的旋转方向不会逆行，赋予朝向晶片外周方向的速度成分，因此容易排出积液，光点缺陷减少。

与此相对，在r-t<d<2r的条件下，相对于回绕流动的行进方向，产生洗净部件的旋转方向逆行的成分，因此妨碍积液的排液性。此外，根据情况，产生朝向晶片内周侧的流动。推断为由于这些原因，光点缺陷增加。

进而，推断为在d≥2r（60mm）的情况下，洗净部件越过晶片，由此减轻洗净水向晶片内周方向的流动，含有微粒的洗净水的一部分被排出，因此光点缺陷数比r-t<d<2r的状态降低。

这样，认定了洗净后的晶片正面的平均光点缺陷数依赖于外伸距离d，并且确认了外伸距离d优选为+5~+20mm的范围内（0<d<r-t及d=r-t）。此外，认定了在外伸距离d为+5~+20mm的范围内的情况下，平均光点缺陷数为0.2d+140个以下。

（实验2）

在实验2中，与实验1的洗净条件相比，使刷子的移动次数及刷子的移动速度变化，来进行了实验。

即，在实验1中，进行了1次使洗净部件从晶片的中心移动（滑动擦刷）到外周缘的规定位置（外伸距离）的洗净，但在该实验2中，进一步地使洗净部件返回到晶片的中心，反复进行洗净，合计进行4次该反复洗净。

此外，在实验1中将洗净部件的移动速度（可动臂部的转动速度）设成4mm/s，但为了将洗净时间设成相同，在实验2中将洗净部件的移动速度（可动臂部的转动速度）设成16mm/s。

并且，与实验1同样，作为实施例4，将外伸距离d设成+5mm（（b）0<d<r-t的情况）（参照图5）。作为实施例5，设成+15mm（（b）0<d<r-t的情况）（参照图5）。作为实施例6，设成+20mm（（c）d=r-t的情况）（参照图3）。作为比较例5，设成+30mm（（d）r-t<d<2r）（参照图6）。作为比较例6，设成+50mm（（d）r-t<d<2r）（参照图6）。作为比较例7，设成+60mm（（e）d≥2r的情况）（参照图7）。

并且，与实验1同样，测量各情况下的洗净后的晶片正面的26nm以上的光点缺陷（Light Point Defect）数。

将该结果在图10中表示。在该实验2中也与实验1同样，在外伸距离为+5~+20mm（0<d<r-t及d=r-t）的范围内的实施例4~6中，光点缺陷减少到140个左右。

另一方面，在外伸距离进一步地增大为+30mm（比较例5）、+50mm（比较例6）、+60mm（比较例7）的情况下，光点缺陷再一次转变成增加倾向，分别成为180、650、530个左右。

如上，在该实验2中也确认了外伸距离优选地处于+5~+20mm的范围内（0<d<r-t及d=r-t）。此外，明白了平均光点缺陷数相对于外伸距离d，满足0.2d+140（平均值光点缺陷数）的关系。

此外，根据实验1与实验2的结果确认了下述倾向，在外伸距离处于+5mm以上~不足+60mm的范围的情况下，如实验2的情况那样，洗净部件的移动次数多（或者移动速度快）的条件的光点缺陷降低效果大。

附图标记说明

1　　擦刷洗净装置（擦刷洗净方法）

2　　辊

3　　洗净部件（刷子）

4　　洗净部件（刷子）

5　　洗净部件驱动部

5a　 可动臂部

W　 半导体基板（晶片）

O1 半导体基板（晶片）

X　　积液

d　　外伸距离

r　　半径

t　　逆流距离。

Claims (4)

1.一种擦刷洗净方法，前述擦刷洗净方法借助多个辊一边保持半导体基板的外周缘一边使其旋转，并且，使洗净部件在半导体基板的洗净面上滑动擦刷，由此使前述洗净面清洁化，前述擦刷洗净方法的特征在于，

在使前述洗净部件在半导体基板的洗净面的中心部滑动擦刷后，

使前述洗净部件在维持滑动擦刷的状态的同时，从前述中心部移动到外伸的距离，由此使前述半导体基板的洗净面清洁化，前述外伸的距离是前述洗净部件的一部分从半导体基板的外周缘突出的距离，

将由前述辊的旋转产生的向半导体基板面内逆流的洗净液距前述半导体基板的外周缘的距离表述为t，将圆板状的洗净部件的半径表述为r，将洗净部件的一部分突出的外伸的距离表述为d，此时，外伸的距离d处于0<d≤r-t的范围内，

在前述洗净部件的一部分从半导体基板的外周缘突出的外伸的距离处，停止洗净部件从前述中心部向半导体基板的外周缘方向的移动，在经过规定时间后，前述洗净部件从半导体基板的洗净面离开。

2.如权利要求1所述的擦刷洗净方法，其特征在于，

前述外伸的距离d处于+5mm以上且+20mm以下的范围。

3.如权利要求1所述的擦刷洗净方法，其特征在于，

借助前述辊的旋转而旋转的半导体基板的旋转方向与洗净部件的旋转方向为同一方向，并且前述洗净部件的转速相对于前述半导体基板的转速的比至少为10。

4.一种擦刷洗净装置，是被使用于权利要求1至3中任一项所述的擦刷洗净方法的洗净装置，前述擦刷洗净装置的特征在于，

具备辊、洗净液供给机构、洗净部件驱动部、控制部，

前述辊有多个，一边保持半导体基板的外周缘一边使其旋转，

前述洗净液供给机构向前述半导体基板的洗净面供给洗净液，

前述洗净部件驱动部使圆板状的洗净部件一边旋转一边从前述半导体基板的洗净面的中心部向半导体基板的外周侧移动，并且使前述洗净部件在半导体基板的洗净面上滑动擦刷或者从半导体基板的洗净面脱离，

前述控制部控制前述洗净部件驱动部。

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