CN111640692B - 一种晶圆的清洗辅助装置及清洗装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种晶圆的清洗辅助装置及清洗装置,该清洗辅助装置包括可旋转的若干承片装置,若干承片装置沿晶圆的竖直中线对称设置,用于承载若干晶圆;第一驱动机构,连接若干承片装置,用于驱动位于晶圆的竖直中线一侧的承片装置与另一侧的承片装置以互逆的方向旋转,且当承片装置旋转时,承片装置的下端向靠近晶圆的竖直中线的方向旋转;第二驱动机构,连接用于支撑若干承片装置的支架以驱动晶圆沿竖直方向进行移动。本发明所提供的晶圆的清洗辅助装置可以实现对晶圆与晶圆之间的清洗液的置换,排除晶圆与晶圆之间的气泡,使得晶圆的中心位置也得到较好的清洗,另外还可以使晶圆边缘的所有位置都得到清洗,以改善晶圆的清洗效果。

Description

一种晶圆的清洗辅助装置及清洗装置
技术领域
本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种晶圆的清洗辅助装置及清洗装置。
背景技术
半导体产业是现代电子工业的核心,而半导体产业的基础是硅材料工业,晶圆的原始材料是硅,晶圆表面的污染物会严重影响器件的性能、可靠性和成品率,随着微电子技术的飞速发展以及人们要求的提高,污染物对器件的影响也愈加突出,在晶圆的工艺制造过程中,不可避免遭到尘埃、金属、有机物和无机物的污染,这些污染很容易造成其表面缺陷及孔内污垢,产生发射点、黑点、暗斑等,导致晶圆的良品率下降,使得晶圆的质量不稳定以至失效,因此在晶圆的制造过程中去除晶圆表面的污染物十分重要。
目前常用的清洗晶圆的装置为槽式清洗机,其采用纯水、碱性或弱酸性等水基溶剂作清洗液,多与喷淋、喷流、热浸、鼓泡等清洗方式组合使用,并配以合适的产品干燥方式,以组成清洗设备。在利用槽式清洗机清洗晶圆之前,需要首先将化学药剂按照一定的配比混合后注入槽式清洗机的工艺槽内,然后晶圆通过机械手臂传送至工艺槽内特定位置。请参见图1,通常为了能够同时清洗多片晶圆,一般会将多片晶圆同时垂直放置在工艺槽内的承片装置上,通常可放置晶圆的数量为1~50片,片间距大约为5mm。请参见图2,清洗液在循环泵(pump)的作用下经过过滤器(filter)、加热器(Heat Exchanger)进入工艺槽(Process bath),清洗液在循环泵的作用下将工艺槽填满,然后流向外置于工艺槽外壁的槽中,使得晶圆充分浸泡在清洗液里面。一般在清洗过程中,会使用氮气通入清洗液中以形成气泡,这样有利于清洗液的混合和温度的控制,最主要的是有利于晶圆与晶圆之间的清洗液置换。
但是,当同时放置大量的晶圆在工艺槽中时,由于晶圆与晶圆之间的间距较小,越靠近晶圆中心的区域越难接触清洗液,通常情况下,清洗液由于存在张力且存在于晶圆与晶圆之间的间隙里很难被置换,导致此区域的清洗液浓度异常从而影响清洗效果,并且在清洗过程中,由氮气产生的气泡会残留在晶圆与晶圆之间,造成局部温度升高,清洗液的浓度被动改变甚至污染晶圆,另外,晶圆与承片装置接触的部位无法得到清洗或干燥,同时承片装置会影响晶圆与承片装置接触区域清洗液的流速,从而导致这个区域的颗粒、金属离子残留在晶圆上。
发明内容
为了解决现有技术中存在的上述问题,本发明提供了一种晶圆的清洗辅助装置及清洗装置。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现:
一种晶圆的清洗辅助装置,包括:
可旋转的若干承片装置,所述若干承片装置沿晶圆的竖直中线对称设置,用于承载若干所述晶圆;
第一驱动机构,连接所述若干承片装置,用于驱动位于所述晶圆的竖直中线一侧的所述承片装置与另一侧的所述承片装置以互逆的方向旋转,且当所述承片装置旋转时所述承片装置的下端向靠近所述晶圆的竖直中线的方向旋转;
第二驱动机构,连接用于支撑所述若干承片装置的支架以驱动所述晶圆沿竖直方向进行移动。
在本发明的一个实施例中,所述承片装置的中心至所述晶圆的中心的连线与所述晶圆的竖直中线的夹角范围为60o-80o。
在本发明的一个实施例中,所述第一驱动机构包括若干驱动装置和若干带传动装置,所述驱动装置通过所述带传动装置与所述承片装置连接。
在本发明的一个实施例中,所述带传动装置包括若干第一传动轴、若干第二传动轴、若干第三传动轴、若干齿轮组、若干传送带,且每个所述齿轮组包括若干相互啮合的齿轮,所述第一传动轴的数量、所述齿轮组与所述驱动装置的数量相同,所述第三传动轴、所述齿轮、所述传送带和所述承片装置的数量相同,所述第二传动轴的数量为所述承片装置的数量与所述第一传动轴的数量之差,其中,
所述第一传动轴的第一端连接所述驱动装置,所述第一传动轴穿过一所述齿轮组中的所述齿轮且所述第一传动轴的第二端连接一所述传送带的第一端,所述第二传动轴穿过一所述齿轮组中的所述齿轮且所述第二传动轴连接一所述传送带的第一端,所述传送带的第二端连接所述第三传动轴,所述第三传动轴连接所述承片装置。
在本发明的一个实施例中,所述驱动装置的转速为5-10rpm。
在本发明的一个实施例中,所述支架包括水平设置的第一支撑件和垂直于所述第一支撑件设置的第二支撑件,其中,
所述第一支撑件和所述第二支撑件固定连接,且所述第二驱动机构的驱动端连接所述第一支撑件,所述第三传动轴穿过沿所述第二支撑件的预设方向设置的通孔。
在本发明的一个实施例中,还包括若干第一连接件,其中,
所述驱动装置通过所述第一连接件固定连接所述第一支撑件。
在本发明的一个实施例中,还包括若干第二连接件和若干第三连接件,其中,
所述第一传动轴穿过沿所述第二连接件的预设方向设置的通孔,且所述第二连接件固定连接所述第一支撑件,所述第二传动轴穿过沿所述第三连接件的预设方向设置的通孔,且所述第三连接件固定连接所述第一支撑件。
在本发明的一个实施例中,所述第一驱动机构的行程为10-20cm。
本发明一个实施例还提供一种晶圆的清洗装置,包括上述任一项实施例所述的晶圆的清洗辅助装置。
本发明的有益效果:
本发明所提供的晶圆的清洗辅助装置可以实现对晶圆与晶圆之间的清洗液的置换,排除晶圆与晶圆之间的气泡,使得晶圆的中心位置也得到较好的清洗,另外还可以使晶圆边缘的所有位置都得到清洗,以改善晶圆的清洗效果。
以下将结合附图及实施例对本发明做进一步详细说明。
附图说明
图1是现有技术提供的一种承片装置的示意图;
图2是现有技术提供的一种槽式清洗机的示意图;
图3是本发明实施例提供的一种晶圆的清洗辅助装置的示意图;
图4是本发明实施例提供的另一种晶圆的清洗辅助装置的示意图;
图5是本发明实施例提供的一种晶圆的清洗辅助装置的局部放大示意图;
图6是本发明实施例提供的一种齿轮组的示意图。
附图标记说明:
承片装置-10;第一驱动机构-20;第二驱动机构-30;晶圆-40;支架-50;第一连接件-60;第二连接件-70;驱动装置-201;带传动装置-202;晶圆的竖直中线-401;第一支撑件-501;第二支撑件-502;第一传动轴-2021;第二传动轴-2022;第三传动轴-2023;齿轮组-2024;传送带-2025;齿轮-20241。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明做进一步详细的描述,但本发明的实施方式不限于此。
实施例一
请参见图3、图4和图5,图3是本发明实施例提供的一种晶圆的清洗辅助装置的示意图,图4是本发明实施例提供的另一种晶圆的清洗辅助装置的示意图,图5是本发明实施例提供的一种晶圆的清洗辅助装置的局部放大示意图。本发明实施例提供一种晶圆的清洗辅助装置,该晶圆的清洗辅助装置包括可旋转的若干承片装置10、第一驱动机构20和第二驱动机构30,其中,若干承片装置10沿晶圆40的竖直中线401对称设置,承片装置10用于承载若干晶圆40,第一驱动机构20用于驱动位于晶圆40的竖直中线401一侧的承片装置10与另一侧的承片装置10以互逆的方向旋转,且当承片装置10旋转时承片装置10的下端向靠近晶圆40的竖直中线401的方向旋转,第二驱动机构30连接用于支撑若干承片装置10的支架50以驱动晶圆40沿竖直方向进行移动。
具体地,本实施例的承片装置10用于放置晶圆40,例如可以在承片装置10上间隔设置若干凹槽,而这些凹槽的尺寸与晶圆40的厚度相适应,那么便可以将晶圆40的外边沿放在凹槽中,例如每个承片装置10上间隔设置50个凹槽,相邻两个凹槽之间的距离为5mm,那么每个承片装置10最多可以放置50个晶圆40。另外,本实施例可以根据实际需求选择不同数量的承片装置10,例如可以为2个,也可以为4个,也可以为6个等,对此本实施例不做具体限定,但是为了不影响清洗液的流动、减少承片装置10和晶圆40的接触位置、减少机械故障的可能性,优选地,承片装置10的数量为2个,本实施例需要所有的承片装置10能够沿晶圆40的竖直中线401对称设置,且要求所有的承片装置10沿晶圆40的周向设置,即要求一半数量的承片装置10设置于晶圆40的竖直中线401的一侧,另一半数量的承片装置10设置于晶圆40的竖直中线401的另一侧,其中,晶圆40的竖直中线401是指在晶圆40垂直放置在承片装置10的凹槽中时的竖直中线。
本实施例通过支架50支撑承片装置10,只要支架50不与晶圆40相接触、不干涉承片装置10的旋转即可,本实施例对于支架50的结构不做具体限定,本领域技术人员可以根据实际的需求选择不同的支架50,只要其满足能够支撑承片装置10且不干涉其旋转即可,因为第二驱动机构30连接支架50,而第二驱动机构30用于驱动支架50沿竖直方向进行上下移动,因此在第二驱动机构30驱动支架50沿竖直方向进行上下移动,同时承片装置10可以在支架50的带动下沿竖直方向进行上下移动,最终承片装置10可以带动晶圆40进行上下移动,因此当将承片装置10上的晶圆40放置在清洗装置的工艺槽中且在清洗时,当使得晶圆40沿竖直方向进行上下移动时,其可以促进工艺槽中清洗液的流动,这样有利于晶圆40和清洗液的充分接触,使得晶圆40中心的区域也能够得到充分的清洗,并且在晶圆40沿竖直方向进行上下移动时还可以促进晶圆40与晶圆40之间的间隙中的清洗液的置换,避免了因张力的存在导致的晶圆40与晶圆40之间的间隙里的清洗液难以置换的问题,这样也有利于排除晶圆40与晶圆40之间的气泡从而改善清洗效果。
需要说明的是,第二驱动机构30沿竖直方向的行程只要满足不会使得晶圆40的上端超出清洗液的液面同时还能达到使得晶圆40与清洗液充分接触且能够使清洗液被置换即可,第二驱动机构30沿竖直方向的行程例如为10-20cm,这个范围既能保证晶圆40在运动到最顶端时不会超出清洗液的液面,同时还能保证晶圆40与清洗液充分接触且晶圆40与晶圆40之间的清洗液能够被置换。第二驱动机构30例如可以为液压装置或者其它能够驱动支架50沿竖直方向进行移动的装置,优选地,第二驱动机构30为气缸。
优选地,承片装置10的形状为圆柱形,这样可以在满足承载晶圆40的基础上还能减少承片装置10和晶圆40的接触面积,从而降低承片装置10对晶圆40产生磨损的可能性。
另外,本实施例的第一驱动机构20能够驱动位于晶圆40的竖直中线401一侧的所有承片装置10与位于晶圆40的竖直中线401另一侧的所有承片装置10以互逆的方向旋转,且还需要承片装置10旋转时承片装置10的下端向靠近晶圆40的竖直中线401的方向旋转,即承片装置10旋转时承片装置10的上端向远离晶圆40的竖直中线401的方向旋转,这样才能在保证不磨损晶圆40与承片装置10接触的边缘区域的情况下,同时使得位于晶圆40的竖直中线401一侧的所有承片装置10与位于晶圆40的竖直中线401另一侧的所有承片装置10以互逆的方向同时旋转时,由此在所有承片装置10旋转时可以使承片装置10上的晶圆40产生轻微的位移,这样可以改变承片装置10和晶圆40的接触位置,由此可以使清洗液充分清洗因为承片装置10与晶圆40相接触而未被清洗的位置,这样在晶圆40缓慢的移动下有利于提升晶圆40边缘的清洗效果。另外,若是在第一驱动机构20和第二驱动机构30同时作用下,即利用第一驱动机构20驱动位于晶圆40的竖直中线401一侧的承片装置10与另一侧的承片装置10以互逆的方向旋转,同时利用第二驱动机构30驱动晶圆40沿竖直方向进行移动,那么晶圆40可以同时沿上下左右进行移动,这样有利于将晶圆40与晶圆40之间的气泡排除,以免存在因为气泡残留在晶圆40上造成的局部温度升高而污染晶圆40的情况产生,且可以使晶圆40与晶圆40之间的清洗液得到置换,使晶圆40中心位置也得到较好的清洗,同时还能使晶圆40边缘的所有位置都得到清洗,以达到彻底清洗晶圆40的效果。
优选地,承片装置10的中心至晶圆40的中心的连线与晶圆40的竖直中线401的夹角θ的范围为60o-80o。因为,夹角θ过小会在第一驱动机构20驱动承片装置10旋转时使承片装置10上的晶圆40不稳定,夹角θ过大不便于晶圆40的放置,因此本实施例的夹角θ的范围设置为60o-80o。
在一个实施例中,第一驱动机构20包括若干驱动装置201和若干带传动装置202,驱动装置201通过带传动装置202与承片装置10连接。
具体地,驱动装置201驱动带传动装置202旋转,则带传动装置202便可以带动承片装置10旋转,在本实施例的驱动装置201和带传动装置202的数量可以根据具体需求进行设定,本实施例对此不做具体限定,本领域技术人员可以根据带传动装置202的具体形式设置不同数量的驱动装置201和带传动装置202,只要其能满足驱动装置201能够通过带传动装置202驱动承片装置10旋转即可。
进一步地,带传动装置202包括若干第一传动轴2021、若干第二传动轴2022、若干第三传动轴2023、若干齿轮组2024、若干传送带2025,且每个齿轮组2024包括若干相互啮合的齿轮20241,第一传动轴2021的数量、齿轮组2024与驱动装置201的数量相同,第三传动轴2023、齿轮20241、传送带2025和承片装置10的数量相同,第二传动轴2022的数量为承片装置10的数量与第一传动轴2021的数量之差,其中,第一传动轴2021的第一端连接驱动装置201,第一传动轴2021穿过一齿轮组2024中的齿轮20241且第一传动轴2021的第二端连接一传送带2025的第一端,第二传动轴2022穿过一齿轮组2024中的齿轮20241且第二传动轴2022连接一传送带2025的第一端,传送带2025的第二端连接第三传动轴2023,第三传动轴2023连接承片装置10。
在本实施例中,本实施将驱动装置201的数量和第一传动轴2021的数量设置为相同,是因为第一传动轴2021的第一端需要连接驱动装置201,因此驱动装置201可以驱动第一传动轴2021进行旋转,同时还需要设置齿轮组2024的数量与驱动装置201的数量相同,是因为本实施例需要每个第一传动轴2021对应穿过一个齿轮组2024中的一个齿轮20241且与该齿轮20241固定连接,则当第一传动轴2021旋转时便可以带动该齿轮20241旋转,请参见图6,又因为齿轮组2024中的所有齿轮20241是相互啮合的,因此当其中一个齿轮20241旋转时便可以带动相互啮合的齿轮20241旋转,本实施例对驱动装置201的数量、齿轮组2024的数量以及齿轮组2024中齿轮20241的数量不做具体限定,本领域技术人员可以根据实际需求进行设置,如可以根据制动情况进行设置,即在不影响制动的情况下可以尽量少的设置驱动装置201的数量以降低成本,例如当本实施例的承片装置10为2个时,那么可以仅设置1个驱动装置201和1个齿轮组2024,且齿轮组2024包含有2个齿轮20241,又例如当本实施例的承片装置10为4个时,那么可以设置1个驱动装置201和1个齿轮组2024,且每个齿轮组2024包含有4个齿轮20241,还例如当本实施例的承片装置10为6个时,那么可以设置2个驱动装置201和2个齿轮组2024,且每个齿轮组2024包含有3个齿轮20241。
另外,本实施例的所有齿轮20241的数量、第三传动轴2023的数量、传送带2025和承片装置10的数量相同,且第二传动轴2022的数量为承片装置10的数量与第一传动轴2021的数量之差,这样设置的原因是因为本实施例的每个第一传动轴2021的第二端连接一个传送带2025的第一端,而该传送带2025的第二端还对应连接一第三传动轴2023,该第三传动轴2023还对应连接一承片装置10,那么第一传动轴2021在旋转时便可以通过传送带2025、第三传动轴2023带动承片装置10旋转,另外为了能够驱动除通过第一传动轴2021驱动的承片装置10旋转的其它的承片装置10也能够旋转,本实施例在其它未与第一传动轴2021连接的齿轮20241中设置一第二传动轴2022,即第二传动轴2022穿过其它的齿轮20241且与齿轮20241固定连接,第二传动轴2022还对应连接一传送带2025的第一端,且该传送带2025的第二端对应连接一第三传动轴2023,该第三传动轴2023对应连接一承片装置10,因此当与第一传动轴2021连接的齿轮20241旋转时,与其啮合的齿轮20241便可以旋转,则第二传动轴2022便可以随与其连接的齿轮20241的旋转进行旋转,从而通过传送带2025、第三传动轴2023带动对应的承片装置10进行旋转,由此便可以实现所有的承片装置10旋转,只需保证位于晶圆40的竖直中线401同一侧的所有的承片装置10是通过旋转方向相同的齿轮20241驱动即可。
优选地,驱动装置201的转速为5-10rpm,因为当旋转速度过快时容易对晶圆40的边缘造成磨损,而当旋转速度过慢时不能达到使晶圆40移动的效果,因此本实施例的驱动装置201的转速为5-10rpm,本实施例的驱动装置201可以为能够驱动第一传动轴2021旋转的任何装置,本实施例对此不做具体限定,驱动装置201例如可以为电机。
在一个具体实施例中,支架50包括水平设置的第一支撑件501和垂直于第一支撑件501设置的第二支撑件502,其中,第一支撑件501和第二支撑件502固定连接,且第二驱动机构30的驱动端连接第一支撑件501,第三传动轴2023穿过沿第二支撑件502的预设方向设置的通孔,预设方向为平行于晶圆40中心轴线的方向。
在本实施例中,第二驱动机构30的驱动端连接第一支撑件501,第一支撑件501和第二支撑件502固定连接,因此在第二驱动机构30驱动第一支撑件501沿竖直方向进行移动时,可以带动第二支撑件502沿竖直方向进行移动,又因为第三传动轴2023穿过沿第二支撑件502的预设方向设置的通孔,同时第三传动轴2023与承片装置10固定连接,则第二支撑件502沿竖直方向进行移动时,可以带动承片装置10上的晶圆40沿竖直方向进行移动,需要说明的是,本实施例不对第一支撑件501和第二支撑件502的具体形状进行限定,本领域技术人员可以根据实际需求和应用场合进行设计,例如第一支撑件501和第二支撑件502均为板状,其中,第二支撑件502的通孔数量应与承片装置10的数量相同,第二支撑件502的通孔的横截面的尺寸可以比第三传动轴2023的横截面的尺寸稍大,例如第二支撑件502的通孔的横截面的尺寸比第三传动轴2023的横截面的尺寸大0.1-0.5mm。
在一个具体实施例中,清洗辅助装置还可以包括若干第一连接件60,其中,驱动装置201通过第一连接件60固定连接第一支撑件501。
本实施例为了更好的固定驱动装置201,因此通过第一连接件60将驱动装置201与第一支撑件501固定连接,以便于使得驱动装置201能够更方便的驱动承片装置10旋转,其中,第一连接件60应与驱动装置201的数量相等。
在一个具体实施例中,清洗辅助装置还可以包括若干第二连接件70和若干第三连接件,其中,第一传动轴2021穿过沿第二连接件70的预设方向设置的通孔,且第二连接件70固定连接第一支撑件501,第二传动轴2022穿过沿第三连接件的预设方向设置的通孔,且第三连接件固定连接第一支撑件501。
本实施例为了更好的固定第一传动轴2021和第二传动轴2022,因此通过第二连接件70与第一支撑件501固定连接,且第一传动轴2021还穿过沿第二连接件70的预设方向设置的通孔,同时第三连接件也与第一支撑件501固定连接,且第二传动轴2022穿过沿第三连接件的预设方向设置的通孔,这样有利于在需要第二驱动机构30驱动承片装置10上的晶圆40沿竖直方向进行移动时,第一驱动机构20随承片装置10上的晶圆40的移动同步进行移动,另外,本实施例不对第二连接件70和第三连接件的数量进行限制,只要能够保证第一驱动机构20能够随承片装置10上的晶圆40的移动同步进行移动即可,例如,第二连接件70的数量与第一传动轴2021的数量相同,第三连接件的数量与第二传动轴2022的数量相同,第二连接件70的通孔的横截面的尺寸可以比第一传动轴2021的横截面的尺寸稍大,第三连接件的通孔的横截面的尺寸可以比第二传动轴2022的横截面的尺寸稍大,例如第二连接件70的通孔的横截面的尺寸比第一传动轴2021的横截面的尺寸大0.1-0.5mm,第三连接件的通孔的横截面的尺寸比第二传动轴2022的横截面的尺寸大0.1-0.5mm。
在使用时,可以将第二支撑件502、传送带2025、第三传动轴2023、承片装置10及承片装置10上的晶圆40放置在清洗装置的工艺槽中进行清洗,当仅利用第二驱动机构30驱动承片装置10上的晶圆40进行上下移动时,可以实现对晶圆40与晶圆40之间的清洗液的置换,同时可以排除晶圆40与晶圆40之间的气泡,使得晶圆40的中心位置也得到较好的清洗,从而改善清洗效果,当仅利用第一驱动机构20驱动位于晶圆40的竖直中线401一侧的所有承片装置10与位于晶圆40的竖直中线401另一侧的所有承片装置10以互逆的方向旋转时,可以使承片装置10上的晶圆40产生轻微的位移,这样可以改变承片装置10和晶圆40的接触位置,从而使晶圆40边缘的所有位置都得到清洗,当第一驱动机构20和第二驱动机构30同时驱动承片装置10时,承片装置10上的晶圆40可以同时沿上下左右进行移动,这样有利于将晶圆40与晶圆40之间的气泡排除,以免存在因为气泡残留在晶圆40上造成的局部温度升高而污染晶圆40的情况产生,且可以使晶圆40与晶圆40之间的清洗液得到置换,使晶圆40中心位置也得到较好的清洗,同时还能使晶圆40边缘的所有位置都得到清洗,以达到彻底清洗晶圆40的效果。
实施例二
请同时参见图3、图4和图5,本实施例在上述实施例的基础上提供一种清洗装置,该清洗装置用于对晶圆40进行清洗,清洗装置包括上述实施例所述的晶圆40的清洗辅助装置,该清洗辅助装置可进行旋转的若干承片装置10、第一驱动机构20和第二驱动机构30,其中,若干承片装置10沿晶圆40的竖直中线401对称设置,承片装置10用于承载若干晶圆40,第一驱动机构20用于驱动位于晶圆40的竖直中线401一侧的承片装置10与另一侧的承片装置10以互逆的方向旋转,且承片装置10旋转时承片装置10的下端向靠近晶圆40的竖直中线401的方向旋转,第二驱动机构30连接用于支撑若干承片装置10的支架50,第二驱动机构30用于驱动晶圆40沿竖直方向进行移动。
应知道的是,对于清洗装置所需的其它装置,均属于现有技术,本实施例不再赘述。
本发明实施例提供的清洗辅助装置,其实现原理和技术效果与上述实施例的清洗辅助装置类似,在此不再赘述。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“高度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例进行接合和组合。以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明,不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种晶圆的清洗辅助装置,其特征在于,包括:
可旋转的若干承片装置,所述若干承片装置沿晶圆的竖直中线对称设置,用于承载若干所述晶圆;
第一驱动机构,连接所述若干承片装置,用于驱动位于所述晶圆的竖直中线一侧的所述承片装置与另一侧的所述承片装置以互逆的方向旋转,且当所述承片装置旋转时,所述承片装置的下端向靠近所述晶圆的竖直中线的方向旋转;
第二驱动机构,连接用于支撑所述若干承片装置的支架以驱动所述晶圆沿竖直方向进行移动。
2.根据权利要求1所述的晶圆的清洗辅助装置,其特征在于,所述承片装置的中心至所述晶圆的中心的连线与所述晶圆的竖直中线的夹角范围为60°-80°。
3.根据权利要求1所述的晶圆的清洗辅助装置,其特征在于,所述第一驱动机构包括若干驱动装置和若干带传动装置,所述驱动装置通过所述带传动装置与所述承片装置连接。
4.根据权利要求3所述的晶圆的清洗辅助装置,其特征在于,所述带传动装置包括若干第一传动轴、若干第二传动轴、若干第三传动轴、若干齿轮组、若干传送带,且每个所述齿轮组包括若干相互啮合的齿轮,所述第一传动轴的数量、所述齿轮组与所述驱动装置的数量相同,所述第三传动轴、所述齿轮、所述传送带和所述承片装置的数量相同,所述第二传动轴的数量为所述承片装置的数量与所述第一传动轴的数量之差,其中,
所述第一传动轴的第一端连接所述驱动装置,所述第一传动轴穿过一所述齿轮组中的所述齿轮且所述第一传动轴的第二端连接一所述传送带的第一端,所述第二传动轴穿过一所述齿轮组中的所述齿轮且所述第二传动轴连接一所述传送带的第一端,所述传送带的第二端连接所述第三传动轴,所述第三传动轴连接所述承片装置。
5.根据权利要求3或4所述的晶圆的清洗辅助装置,其特征在于,所述驱动装置的转速为5-10rpm。
6.根据权利要求4所述的晶圆的清洗辅助装置,其特征在于,所述支架包括水平设置的第一支撑件和垂直于所述第一支撑件设置的第二支撑件,其中,
所述第一支撑件和所述第二支撑件固定连接,且所述第二驱动机构的驱动端连接所述第一支撑件,所述第三传动轴穿过沿所述第二支撑件的预设方向设置的通孔。
7.根据权利要求6所述的晶圆的清洗辅助装置,其特征在于,还包括若干第一连接件,其中,
所述驱动装置通过所述第一连接件固定连接所述第一支撑件。
8.根据权利要求6所述的晶圆的清洗辅助装置,其特征在于,还包括若干第二连接件和若干第三连接件,其中,
所述第一传动轴穿过沿所述第二连接件的预设方向设置的通孔,且所述第二连接件固定连接所述第一支撑件,所述第二传动轴穿过沿所述第三连接件的预设方向设置的通孔,且所述第三连接件固定连接所述第一支撑件。
9.根据权利要求1所述的晶圆的清洗辅助装置,其特征在于,所述第一驱动机构的行程为10-20cm。
10.一种晶圆的清洗装置,其特征在于,包括权利要求1至9任一项所述的晶圆的清洗辅助装置。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112992747B (zh) * 2021-02-10 2022-01-25 江苏亚电科技有限公司 一种晶圆清洗的进出料装置

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62283632A (ja) * 1986-05-31 1987-12-09 Toshiba Corp ウエハ処理装置
JPH06163500A (ja) * 1992-11-26 1994-06-10 Sugai:Kk 基板の洗浄方法およびその装置
US6070284A (en) * 1998-02-04 2000-06-06 Silikinetic Technology, Inc. Wafer cleaning method and system
JP2002141321A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Mitsubishi Materials Silicon Corp ウェーハ洗浄装置
US6438781B1 (en) * 2000-04-21 2002-08-27 Toda Citron Technologies, Inc. Washer for cleaning substrates
US6625835B1 (en) * 1999-05-27 2003-09-30 Lam Research Corporation Disk cascade scrubber
US7007333B1 (en) * 2002-06-28 2006-03-07 Lam Research Corporation System and method for a combined contact and non-contact wafer cleaning module
WO2014069187A1 (ja) * 2012-11-02 2014-05-08 倉敷紡績株式会社 ウエハ回転装置及びウエハ回転方法
JP2018137257A (ja) * 2017-02-20 2018-08-30 グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 スクラブ洗浄方法およびスクラブ洗浄装置
CN110335841A (zh) * 2019-07-15 2019-10-15 北京北方华创微电子装备有限公司 承载装置、晶圆花篮及晶圆清洗设备
CN110603629A (zh) * 2017-02-06 2019-12-20 平面半导体公司 亚纳米级光基基板清洁机构
CN110957208A (zh) * 2019-12-16 2020-04-03 长江存储科技有限责任公司 晶圆洗边方法及晶圆清洗装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9202725B2 (en) * 2006-07-24 2015-12-01 Planar Semiconductor, Inc. Holding and rotary driving mechanism for flat objects

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62283632A (ja) * 1986-05-31 1987-12-09 Toshiba Corp ウエハ処理装置
JPH06163500A (ja) * 1992-11-26 1994-06-10 Sugai:Kk 基板の洗浄方法およびその装置
US6070284A (en) * 1998-02-04 2000-06-06 Silikinetic Technology, Inc. Wafer cleaning method and system
US6625835B1 (en) * 1999-05-27 2003-09-30 Lam Research Corporation Disk cascade scrubber
US6438781B1 (en) * 2000-04-21 2002-08-27 Toda Citron Technologies, Inc. Washer for cleaning substrates
JP2002141321A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Mitsubishi Materials Silicon Corp ウェーハ洗浄装置
US7007333B1 (en) * 2002-06-28 2006-03-07 Lam Research Corporation System and method for a combined contact and non-contact wafer cleaning module
WO2014069187A1 (ja) * 2012-11-02 2014-05-08 倉敷紡績株式会社 ウエハ回転装置及びウエハ回転方法
CN110603629A (zh) * 2017-02-06 2019-12-20 平面半导体公司 亚纳米级光基基板清洁机构
JP2018137257A (ja) * 2017-02-20 2018-08-30 グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 スクラブ洗浄方法およびスクラブ洗浄装置
CN110335841A (zh) * 2019-07-15 2019-10-15 北京北方华创微电子装备有限公司 承载装置、晶圆花篮及晶圆清洗设备
CN110957208A (zh) * 2019-12-16 2020-04-03 长江存储科技有限责任公司 晶圆洗边方法及晶圆清洗装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
李东旭 ; 陈立新 ; 郭晓婷 ; 马岩 ; 蒋兴桥 ; 荣宇 ; .晶圆清洗技术应用.清洗世界.2018,(第07期),全文. *

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