CN108388085B - 一种oled曝光机 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种OLED曝光机，包括从上往下沿光路设置的曝光光源、掩膜版平台、对位显微镜、设置在所述对位显微镜周围的投影镜头及底座，所述掩膜版平台与所述对位显微镜之间设置有激光探测器，所述掩膜版位置及所述基座上方位置均设置有干涉仪；其中，所述OLED曝光机的坐标精度采用如下方法进行调整，其中，所述掩膜版平台的坐标的补偿基于中性层原理。本方法能保证每次不同时间测量同一张掩膜版得到的测量结果是一致的。
Description
技术领域
本发明涉及OLED曝光机技术的应用。
背景技术
在OLED制作过程中，由于高PPI和多TFT结，图形尺寸越做越小，要求曝光层与层之间的套位精度越来越高。为了解决这个问题，曝光机生产厂家推出了新的机台，如NIKON的FX-86S曝光机，Mask光刻机生产厂家推出了新的Writer如P80光刻机。但是，由于版材的翘曲，光刻完成后，MMS位置测量机认为合格的Mask，放到FX-86S上，图形出现了位置扭曲，最终做出来的OLED套合不良。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种OLED曝光机以解决上述技术问题。
为了解决上述技术问题，具体地，本发明的技术方案如下：
一种OLED曝光机，包括从上往下沿光路设置的曝光光源、掩膜版平台、对位显微镜、设置在所述对位显微镜周围的投影镜头及底座，其特征在于：所述掩膜版平台与所述对位显微镜之间设置有激光探测器，所述掩膜版位置及所述基座上方位置均设置有干涉仪；其中，所述OLED曝光机的坐标精度采用如下方法进行调整：
一、通过所述激光探测器测绘掩膜版上表面的高度地图；
二、利用步骤一中的高度地图计算补偿位置图；
三、对基板平台及投影镜头进行位置坐标校准；
其中，二中高度地图补偿基于中性层原理，具体原理如说明书附图图2所示，为一个弯折的板材的截面图，其中心线弯折前后的长度均为L0，弯折弧度为2α，弯折半径为R，板材厚度为T，则A点现在的坐标为Ax＝(R+T/2)Sinα，A点变性前的坐标为L0/2，A点的补偿值为Ax-A＝(R+T/2)Sinα-L0/2＝L0/2×(Sinα/α-1)+T/2×Sinα。
优选地，所述底座包括基座、设置在所述基座上方的OLED基板平台及设置在所述OLED 基板平台上的支撑架。
优选地，所述基座的底面上设置有防震垫。
与现有技术相比本发明具有以下优点：
常规OLED曝光机，沿光路从上往下是：曝光光源、掩膜版平台、投影物镜、基板平台。在投影物镜中心有一个对位显微镜，能够测量基板上的多个对位Mark，生成基板平台校正M 位置图，但是对于曝光光罩，却是缺少有效的校正。本发明在掩膜版平台与对位显微镜之间增加一个激光探测器，然后采用如下方法进行调整：
一、通过所述激光探测器测绘掩膜版上表面的高度地图；
二、利用步骤一中的高度地图计算补偿位置图；
三、对基板平台及投影镜头进行位置坐标校准；
其中，二中高度地图补偿基于中性层原理，具体原理如说明书附图图2所示，为一个弯折的板材的截面图，其中心线弯折前后的长度均为L0，弯折弧度为2α，弯折半径为R，板材厚度为T，则A点现在的坐标为Ax＝(R+T/2)Sinα，A点变性前的坐标为L0/2，A点的补偿值为Ax-A＝(R+T/2)Sinα-L0/2＝L0/2×(Sinα/α-1)+T/2×Sinα。
目前掩膜版光刻机引入了Z correction技术，校正因为光刻机平台上灰尘或掩膜版背面附着物引起掩膜版变形而产生的位置偏差。在激光绘画掩膜版前，会测绘掩膜版的上表面的 Z地图，并依此预先计算出玻璃变形造成的这个图形位置变化值，补偿到激光绘画时Triger 时序里，从而提升位置精度。但是从这个测量出的地图里，并不能分辨出哪些是掩膜版本身的变形，哪些是掩膜版下面异物引起的变形，因而这个补偿中有很大部分是错误的。
本发明涉及到的是位置补偿技术，在OLED曝光机内引入平整度校正技术，校正因为掩膜版平台上灰尘或掩膜版背面附着物引起掩膜版变形而产生的位置偏差。在测量掩膜版前，会测绘掩膜版的上表面的高度变化地图，并依此预先计算出玻璃变形造成的这个图形位置变化值，补偿到基板平台内，从而与光刻机的Zcorrection搭配，提升位置精度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1是本发明的实施例中的OLED曝光机的光路示意图；
图2是本发明的实施例中的中性层原理图；
附图标记：1、曝光光源；2、干涉仪；3、掩膜版平台；4、激光探测器；5、对位显微镜；6、投影镜头；7、支撑架；8、基板平台；9、基座；10、防震垫。
其中心线弯折前后的长度均为L0，弯折弧度为2α，弯折半径为R，板材厚度为T。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一：
如图2所示的为本OLED曝光机的光路图。所述OLED曝光机，包括从上往下沿光路设置的曝光光源1、掩膜版平台3、对位显微镜5、设置在所述对位显微镜5周围的投影镜头6及底座，所述掩膜版平台3与所述对位显微镜5之间设置有激光探测器4，所述掩膜版平台3 位置及所述基座9上方位置均设置有干涉仪2，所述底座包括基座9、设置在所述基座9上方的OLED基板平台8及设置在所述OLED基板平台8上的支撑架7，所述基座9的底面上设置有防震垫10。
其中，所述OLED曝光机的坐标精度采用如下方法进行调整：
一、通过所述激光探测器测绘掩膜版上表面的高度地图；
二、利用步骤一中的高度地图计算补偿位置图；
三、对基板平台及投影镜头进行位置坐标校准；
如图1所示为本发明的掩膜版光刻机端的及OLED曝光机端的位置补偿技术中性层原理图，为一个弯折的板材的截面图，其中心线弯折前后的长度均为L0，弯折弧度为2α，弯折半径为R，板材厚度为T，则A点现在的坐标为Ax＝(R+T/2)Sinα，A点变性前的坐标为L0/2，A点的补偿值为Ax-A＝(R+T/2)Sinα-L0/2＝L0/2×(Sinα/α-1)+T/2×Sinα。
1、掩膜版光刻机端的位置补偿技术。
在激光绘画掩膜版前，会测绘掩膜版的上表面的高度变化地图。然后计算XY补偿位置图。这个高度变化地图包含了两类高度信息：
固定的部分：光刻机平台的Z变化。这一部分已经被光刻机所校正。
可变的部分：掩膜版上表面、下表面的平整度，光刻机与掩膜版之间的灰尘、气泡。这一部分与光刻机平台表面的洁净度、掩膜版本身的状态紧密相关。
之后，在掩膜版曝光过程中，对这个位置做补偿。
2、OLED曝光机端的位置补偿技术。
FS-86S拥有两组(5个的一排，另6个另一排)，共11个镜头，每个镜头可以根据OLED面板上对位标的测量值做移位、旋转、缩放校正。但是对于掩膜版的补偿，只有一个焦面补偿，FS-86S会监测掩膜版图形表面的位置，使用聚焦执行器，保证物面焦点位于掩膜版表面。本发明在“带自动聚焦的对位显微镜”上方增加一个“掩膜版表面高度激光探测器。在掩膜版安装到曝光机上后，就对整个掩膜版的下表面(掩膜版倒装，相当于放置在光刻机上的上表面)高度进行扫描，得到一个高度地图。
这个高度变化地图包含了两类高度信息：
固定的部分：曝光机掩膜版平台的Z变化。这一部分已经被曝光机所校正。
可变的部分：掩膜版在曝光机上是四边固定，中心悬空下垂的，原掩膜版上表面经过加持及重力效应，形成新的表面高度图。曝光机对这个新的焦面，即Z做了补偿，但是对于这个新的变形产生的XY位置偏移，却没有补偿。
以上对本发明实施例所提供的一种提升光刻机坐标精度的方法，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想和方法，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (3)
1.一种OLED曝光机，包括从上往下沿光路设置的曝光光源、掩膜版平台、对位显微镜、设置在所述对位显微镜周围的投影镜头及底座，其特征在于：所述掩膜版平台与所述对位显微镜之间设置有激光探测器，所述掩膜版平台位置及所述底座上方位置均设置有干涉仪；其中，所述OLED曝光机的坐标精度采用如下方法进行调整：
一、通过所述激光探测器测绘掩膜版上表面的高度地图；
二、利用步骤一中的高度地图计算补偿位置图；
三、对基板平台及投影镜头进行位置坐标校准；
其中，二中高度地图补偿基于中性层原理，具体原理为一个弯折的板材的截面图，其中心线弯折前后的长度均为L0，弯折弧度为2α，弯折半径为R，板材厚度为T，则A点现在的坐标为Ax＝(R+T/2)Sinα，A点变性前的坐标为L0/2，A点的补偿值为Ax-A＝(R+T/2)Sinα-L0/2＝L0/2×(Sinα/α-1)+T/2×Sinα；
拥有两组镜头，每个镜头根据OLED面板上对位标的测量值做移位、旋转、缩放校正；对于掩膜版的补偿，只有一个焦面补偿，监测掩膜版图形表面的位置，使用聚焦执行器，保证物面焦点位于掩膜版表面。
2.根据权利要求1所述的OLED曝光机，其特征在于：所述底座包括基座、设置在所述基座上方的OLED基板平台及设置在所述OLED基板平台上的支撑架。
3.根据权利要求2所述的OLED曝光机，其特征在于：所述基座的底面上设置有防震垫。
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