CN108369906A - 晶圆抛光方法及抛光装置 - Google Patents

晶圆抛光方法及抛光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN108369906A
CN108369906A CN201680074228.2A CN201680074228A CN108369906A CN 108369906 A CN108369906 A CN 108369906A CN 201680074228 A CN201680074228 A CN 201680074228A CN 108369906 A CN108369906 A CN 108369906A
Authority
CN
China
Prior art keywords
polishing
wafer
rotating platform
values
rotary speed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201680074228.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108369906B (zh
Inventor
川崎智宪
寺川良也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumco Corp
Original Assignee
Sumco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumco Corp filed Critical Sumco Corp
Publication of CN108369906A publication Critical patent/CN108369906A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108369906B publication Critical patent/CN108369906B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
    • B24B37/105—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement
    • B24B37/107—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement in a rotary movement only, about an axis being stationary during lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B24B37/015—Temperature control
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/14—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the temperature during grinding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/16—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation taking regard of the load
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/32115—Planarisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

本发明提供一种晶圆抛光方法及抛光装置，其抑制晶圆外周的消除量的形状的偏差使其不随着抛光垫寿命的进展而变化。本发明的晶圆抛光方法其对贴附了抛光垫（12）的旋转平台（10）上供给浆料，并且用加压头（13）加压保持抛光垫（12）上的晶圆的同时使旋转平台（10）及加压头（13）旋转，以对晶圆的单面进行抛光，其监测晶圆抛光中的抛光垫（12）的表面温度T及旋转驱动旋转平台（10）的马达（11a）的负荷电流值（F）而计算出F/T值，并基于所述F/T值控制旋转平台（10）的旋转速度及加压头（13）的抛光压力中的至少一个。

Description

晶圆抛光方法及抛光装置
技术领域
本发明涉及一种晶圆抛光方法及抛光装置，尤其涉及一种硅晶圆的单片抛光工序中抛光条件的控制方法。
背景技术
硅晶圆被广泛用作半导体器件的基板材料。通过对单晶硅锭依次进行如下工序来制造硅晶圆：外周磨削、切片、研磨（lapping）、蚀刻、双面抛光、单面抛光、清洗等。其中，单面抛光工序为去除晶圆表面的凹凸或高低起伏以提高平坦度的必要工序，使用CMP（Chemical Mechanical Polishing：化学机械抛光）法进行镜面加工。
通常，在硅晶圆的单面抛光工序中使用单片式的晶圆抛光装置（CMP装置）。该晶圆抛光装置具备贴附了抛光布的旋转平台及在按压并保持旋转平台上的晶圆的加压头，一边供给浆料，一边使得旋转平台及加压头分别旋转，由此抛光晶圆的单面。
为了提高晶圆的加工精度，例如专利文献1中记载了将磨光平台的温度控制为恒定的现有技术，其用放射温度计测定粘附在磨光平台上表面的抛光布的加工时的温度，并向水冷套供给或阻断冷却水，以使得该温度为恒定。另外，专利文献2中记载了一种半导体晶圆的镜面抛光装置，其用非接触的方式测定平台变位的涡电流式变位检测器测定头设置在相较于平台的半径方向中心更靠外周部的位置。相较于用放射温度计测定抛光垫上的温度或者测定已回收的抛光液温度等所求出的温度变化来预测平台的形状变化的方法，使用涡电流式变位检测器测定头的方法其测定结果不会有延迟，并且能够精确地测定平台的形状变化。
另外，专利文献3中记载了在用马达使具备抛光布的台旋转以抛光被加工物的抛光方法中，按根据抛光工艺被区分的每一区间来获得抛光时的所述马达的转矩电流值，并根据以各区间中的转矩电流值作为解释变量的多元回归方程式确定被加工物的抛光时间。另外，专利文献4中记载了为了要确实且迅速地进行硅基板等被加工物的抛光加工终点的检测，根据旋转驱动用于抛光被加工物的平台的驱动电流的积分值判定加工终点。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平07-171759号公报
专利文献2：日本特开平07-307317号公报
专利文献3：日本特开2004-106123号公报
专利文献4：日本特开平09-70753号公报。
以往，在单片抛光工序中，通过从开始使用到因其磨损而被更换为止的抛光垫寿命中，用恒定的抛光压力及恒定的旋转速度进行抛光加工。但是，抛光垫的物性随着垫寿命的进展而变化，由此有以下的问题：即使是相同的加工条件，在抛光垫开始使用时的初始阶段和更换前的最后阶段中，晶圆外周的消除量的形状有所不同。
为了要从1片晶圆制造出更多的器件，必须要尽可能增加边缘区域附近的芯片获得数。因此，被要求位于晶圆边缘附近且没有制造出器件的区域（边缘刨除区域）的狭小化。
因为晶圆的外周会被倒边，因此优选仅该被倒边的区域为边缘刨除区域。但是，单面抛光工序中，通过与抛光垫的接触而使得晶圆外周部的消除量变多，晶圆的边缘附近会有未预期的厚度减少,即发生外周塌边（边缘滚降），因此很难对相较于被倒边区域更靠内侧的整个区域都以所要求的平坦度加以平坦化。并且如上所述，抛光垫寿命的初始阶段和最后阶段中的塌边量（边缘滚降量）不同，因此要求改善。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种晶圆抛光方法及抛光装置，其能够抑制晶圆外周的消除量的形状的偏差使其不随着抛光垫寿命的进展而变化。
用于解决技术问题的方案
为了解决上述技术问题，基于本发明的晶圆抛光方法，其对贴附了抛光垫的旋转平台上供给浆料，并且用加压头加压保持所述抛光垫上的晶圆的同时使所述旋转平台及所述加压头旋转以对所述晶圆的单面进行抛光，所述晶圆抛光方法的特征在于，监测旋转驱动所述旋转平台的马达的负荷电流值F及所述晶圆抛光中的所述抛光垫的表面温度T而计算出F/T值，并基于所述F/T值控制相对于所述晶圆的所述旋转平台的旋转速度及所述加压头的抛光压力中的至少一个。
在本发明中，负荷电流值F表示机械抛光的强度，表面温度T表示化学抛光的强度，F/T值为表示机械去除作用和化学去除作用的平衡的指标。基于本发明的晶圆抛光方法中，通过持续监测该F/T值能够掌握晶圆的边缘滚降量随着抛光垫寿命的进展而呈现的微妙变化，且通过将F/T值反馈到抛光条件，能够将晶圆的边缘滚降量控制为恒定，并能够抑制外周的消除量的形状的偏差。
基于本发明的晶圆抛光方法，既优选配合所述F/T值的增加使所述旋转平台的旋转速度加快，也优选配合所述F/T值的增加使所述加压头的抛光压力减小。如此，通过配合F/T值的增加而控制旋转平台的旋转速度或加压头的抛光压力而在整个垫寿命中都能够制造出边缘滚降量恒定的晶圆。
基于本发明的晶圆抛光方法，优选相较于所述加压头的抛光压力，优先控制所述旋转平台的旋转速度。通过对加压头的抛光压力增加的控制而使得抛光垫的磨损变快，由于1个抛光垫能够对应的晶圆抛光加工次数的减少而有可能导致生产率降低，但通过尽可能增加旋转平台的控制量，就能够解决此问题。
基于本发明的晶圆抛光方法，优选基于前批次的晶圆加工工序中所测定的所述F/T值，设定下一批次之后的晶圆加工工序中的所述旋转平台的旋转速度或所述加压头的抛光压力。由此能够防止因为在加工中途改变条件而可能对晶圆的品质造成的不良影响，并且也不会有控制延迟的问题。
并且，基于本发明的晶圆抛光装置，其对贴附了抛光垫的旋转平台上供给浆料，并且用加压头加压保持所述抛光垫上的晶圆的同时使所述旋转平台及所述加压头旋转以对所述晶圆的单面进行抛光，所述晶圆抛光装置的特征在于，具备：电流测定电路，测定旋转驱动所述旋转平台的马达的负荷电流值F；温度计，测定所述抛光垫的表面温度T；以及控制部，由所述负荷电流值F及所述表面温度T而计算出F/T值，并基于所述F/T值控制所述旋转平台的旋转速度及所述加压头的抛光压力中的至少一个。
根据本发明，如上所述能够通过抛光垫寿命抑制外周的消除量的形状的偏差，并且能够制造出边缘滚降量恒定的晶圆。
本发明中，既优选所述控制部配合所述F/T值的增加使所述旋转平台的旋转速度加快，也优选配合所述F/T值的增加使所述加压头的抛光压力减小。如此，通过配合F/T值的增加而控制旋转平台的旋转速度或加压头的抛光压力而在整个垫寿命中都能够制造出边缘滚降量恒定的晶圆。
本发明中，优选所述控制部相较于所述加压头的抛光压力，优先控制所述旋转平台的旋转速度。通过对加压头的抛光压力增加的控制而使得抛光垫的磨损变快，由于1个抛光垫能够对应的晶圆抛光加工次数的减少而有可能导致生产率降低，但通过尽可能增加旋转平台的控制量，就能够解决此问题。
本发明中，优选所述控制部基于前批次的晶圆加工工序中所测定的所述F/T值，设定下一批次之后的晶圆加工工序中的所述旋转平台的旋转速度或所述加压头的抛光压力。由此能够防止因为在加工中途改变条件而可能对晶圆的品质造成的不良影响，并且也不会有控制延迟的问题。
发明效果
根据本发明，提供一种晶圆抛光方法及抛光装置，其能够抑制晶圆外周的消除量的形状的偏差使其不随着抛光垫寿命的进展而变化。
附图说明
图1为表示基于本发明的实施方式的晶圆抛光装置的结构的概略侧视图。
图2为表示旋转平台的旋转速度和F/T值的关系的曲线图。
图3为表示加压头的抛光压力和F/T值的关系的曲线图。
图4为表示F/T值和晶圆的边缘滚降量的关系的曲线图。
图5为表示基于比较例的晶圆抛光方法中随着抛光垫寿命的进展而变化的晶圆的ESFQR值及F/T值的曲线图。
图6为表示基于实施例1的晶圆抛光方法中随着抛光垫寿命的进展而变化的晶圆的ESFQR值及F/T值的曲线图。
图7为表示基于实施例2的晶圆抛光方法中随着抛光垫寿命的进展而变化的晶圆的ESFQR值及F/T值的曲线图。
具体实施方式
以下，参考附图对本发明的优选的实施方式进行详细说明。
图1为表示基于本发明的实施方式的晶圆抛光装置的结构的概略侧视图。
如图1所示，晶圆抛光装置1具备旋转平台10、旋转平台10的旋转机构11、贴附在旋转平台10上表面的绒面革类型抛光垫12、配置于旋转平台10的上方的加压头13、加压头13的加压/旋转机构14以及将浆料供给至旋转平台10上的浆料供给机构15。并且，晶圆抛光装置1具备在晶圆抛光中以非接触的方式测定抛光垫12的表面温度T的放射温度计16、测定旋转驱动旋转平台10的旋转机构11的马达11a的负荷电流值F的电流测定电路11b以及控制各部的控制部17。
在使用晶圆抛光装置1的晶圆抛光工序中，将含有磨粒的浆料供给至贴附了抛光垫12的旋转平台10上，并且用加压头13加压保持旋转平台10上的晶圆的同时使旋转平台10旋转，以对与抛光垫12接触的晶圆的单面进行抛光。该单面抛光为相对于前段的双面抛光的精加工工序，因此晶圆的抛光量（消除量）为数百nm～1μm，加工时间也只有很短的数分钟左右。这是因为抛光时间太长，晶圆的边缘滚降量会增加而外周的消除量的形状会恶化的关系。
边缘滚降量（edge Roll-Off Amount：ROA）是指，平坦度规格的适用范围外的边缘刨除区域和相较于该区域更靠内侧的区域的边界位置的晶圆表面的塌边量。具体而言，边缘滚降量被定义为，在将晶圆背面矫正为平面的状态下修正晶圆表面的倾斜的基础上，将从最外周起3～6mm的晶圆表面的平坦区域作为基准面，并作为从最外周起例如0.5mm的位置上的从上述基准面的形状位移量。
在晶圆抛光中，控制部17获取放射温度计16所测定的抛光垫12的表面温度T，并且从电流测定电路11b获取将旋转平台10旋转驱动的马达11a的负荷电流值F，持续监测上述数值并计算出F/T值。
马达11a的负荷电流值F被定义为，作为表示摩擦的大小的指标即机械去除作用的强度，负荷电流值F越大F/T值也越大。在旋转平台10的旋转速度为恒定的条件下，负荷电流值F的增加表示相对于旋转平台10的摩擦力的增加。虽然由磨粒造成的机械抛光量的增加使得晶圆的边缘滚降量减少，但晶圆整体的抛光量有变大的倾向。
抛光垫12的表面温度T被定义为，作为表示化学去除作用的强度的指标，表面温度T越大F/T值则越小。表面温度T的增加表示促进浆料的化学反应。虽然由浆料造成的化学抛光量的增加使得晶圆的边缘滚降量变大，但晶圆整体的抛光量有变小的倾向。
图2为表示旋转平台10的旋转速度和F/T值的关系的曲线图，图3为表示加压头13的抛光压力和F/T值的关系的曲线图。
如图2所示，F/T值有旋转平台10的旋转速度越增加则越下降的倾向。因此，通过增加旋转平台10的旋转速度能够使F/T值变小，通过减少旋转速度，能够使F/T值变大。
并且，如图3所示，F/T值有加压头13的抛光压力越增加便越增加的倾向。因此，通过减少加压头13的抛光压力能够使F/T值变小，通过增加抛光压力能够使F/T值变大。
图4为表示F/T值和晶圆的边缘滚降量的关系的曲线图，横轴表示F/T值，纵轴表示滚降量（相对值）。
如图4所示，F/T值越大，则晶圆的边缘滚降量越小，相反地，F/T值越小，则晶圆的边缘滚降量越大的倾向。因此，通过增加F/T值能够使晶圆的边缘滚降量变小，通过减少F/T值能够使晶圆的边缘滚降量变大。
而且，如图2及图3所示，通过减少旋转速度或增加抛光压力能够使F/T值变大，因此，通过如此控制能够使晶圆的边缘滚降量变小。并且，通过增加旋转速度或减小抛光压力能够使F/T值变小，因此，通过如此控制能够使晶圆的边缘滚降量变大。
在抛光垫12的垫寿命的最初，晶圆的边缘滚降量较大，随着垫寿命的进展，晶圆的边缘滚降量渐渐降低，并且，F/T值配合边缘滚降量的降低而随着垫寿命的进展渐渐增加。在垫寿命的初始阶段中，为了抑制这种F/T值的增加，在本实施方式中，加大旋转平台10的旋转速度或减小加压头13的抛光压力。并且配合垫寿命的进展使旋转速度渐渐减小或者使抛光压力渐渐增加。由此能够将F/T值保持为恒定，由此能够抑制晶圆的边缘滚降量的变动，即外周的消除量的形状的偏差。
如上所述，晶圆的边缘滚降量的控制，可以通过旋转平台10的旋转速度来进行，也可以通过加压头13的抛光压力来进行，但是更优选用旋转平台10的旋转速度来进行。这是因为，通过加压头13的抛光压力进行控制的情况下，加大抛光压力会加快抛光垫12的磨损（更换时期），由1片抛光垫12能够抛光的晶圆片数减少而使生产率降低。优先控制旋转平台10的旋转速度的情况下，例如优选在选择了最接近目标F/T值的旋转平台10的旋转速度后，调整抛光压力以修正与目标值的误差量。由此能够抑制抛光垫12的磨损，同时能够提高晶圆的边缘滚降量的控制精度。
在晶圆的加工工序中，并不需要实时变更旋转平台10的旋转速度或加压头13的抛光压力，可以基于前批次的晶圆抛光工序中已测定的F/T值，设定下一批次或下一批次之后的晶圆抛光工序中的旋转速度或抛光压力后实施抛光加工。这是因为在加工中途改变条件可能会对晶圆品质造成不良影响，并且，在下一批次的晶圆抛光工序中进行变更也几乎不会有控制延迟的问题。
晶圆抛光装置1，例如将晶圆盒的最大容纳片数的晶圆统一地批次处理。例如，在1个晶圆盒中可以容纳25片晶圆时，晶圆抛光装置1在相同抛光条件下连续处理25片晶圆，在结束了25片晶圆的抛光处理之后，再实施接下来25片晶圆的抛光处理，并且在接下来的25片晶圆的抛光处理开始时能够对其设定新的抛光条件。另外，在相同抛光条件下，优选被批次处理的晶圆的片数为10～30片左右，但是仅1片也可以。即，可以在每结束1片晶圆的抛光处理时，重新设定抛光条件。如此，以不会对晶圆品质造成不良影响的最短周期并配合F/T值的变化而设定抛光条件，由此能够在垫寿命中将晶圆的边缘滚降量维持为恒定。
如以上说明，基于本实施方式的晶圆抛光方法，将旋转驱动旋转平台10的马达11a的负荷电流值F作为机械抛光强度的指标，将通过放射温度计16的抛光垫12的表面温度T作为化学抛光强度的指标，并且通过持续监测两者，能够将F/T值反馈给旋转平台10的旋转速度或加压头13的抛光压力的控制，因此即使在抛光垫12的物性值随着抛光垫寿命的进展而变化的情况下，也能够抑制外周的消除量的形状的偏差，并且能够制造出边缘滚降量恒定的晶圆。并且，相较于配合垫寿命的进展而使旋转平台10的旋转速度以一定的变化率变化的被动式控制，本发明具有如下优点，即能够更正确掌握并调整抛光垫12的物性值的个别差异或因为使用寿命而产生的变动。
以上，对本发明的优选实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内可以进行各种变更，这些当然也包含于本发明的范围内。
实施例
对于通过切克劳斯基法所培育的直径300mm的单晶硅锭进行外周磨削、切片、研磨、蚀刻、及双面抛光，得到了776μm厚度的硅晶圆样本。接着，使用如图1所示的晶圆抛光装置，实施硅晶圆样本的单面抛光工序。在单面抛光工序中，将晶圆的目标消除量设为1μm。并且采用绒面革类型的布垫作为抛光垫12，浆料则采用了含有0.3wt%的粒径35nm的胶体二氧化硅。
之后，评价从抛光垫寿命初期到结束（更换）为止的垫寿命中被抛光加工的多片硅晶圆的ESFQR（Edge Site Front least sQuares Range：边缘部位正面基准最小平方范围）的变化。ESFQR是关注平坦度容易恶化的边缘的平坦度的评价指标（站点平面），其表示边缘滚降量的大小。ESFQR沿着晶圆边缘的环状区域在周向均等分割所得到的单位区域（站点）作为对象，并定义为从站点内的厚度分布以最小平方法求出的基准面（Site Best FitSurface）的偏差的最大值和最小值的差值。在此，测定晶圆最外周起2～32mm的范围（片段长30mm）内所设定的环状外周区域在周向分割为72个的站点的ESFQR，进而求出全站点的平均值ESFQR_mean。
在比较例中，分别将加压头13的抛光压力固定为150g/cm2，并将旋转平台10的旋转速度固定为30rpm，对多片晶圆进行抛光而求出这些晶圆的ESFQR_mean值。
图5为表示随着抛光垫寿命的进展而变化的晶圆的ESFQR值及F/T值的曲线图，横轴为批次处理次数，纵轴为ESFQR_mean（nm），箱线图分别表示在同一批次内被处理的25片晶圆的ESFQR_mean的偏差。如图5所示，在垫寿命的初始阶段中，F/T值大于目标范围，ESFQR_mean值成为大于目标值的值，ESFQR_mean值的偏差也很大。
另一方面，在实施例1中，将加压头13的抛光压力固定为150g/cm2，并且一边将旋转平台10的旋转速度控制在20～60rpm的范围内，以使F/T值在目标范围内，一边对多片晶圆进行抛光，并求出这些晶圆的ESFQR值。其结果，如图6所示，能够在整个垫寿命中将ESFQR_mean值控制在目标范围内，使F/T值也稳定。
并且，在实施例2中，将旋转平台10的旋转速度固定为30rpm，并且一边将加压头13的抛光压力控制在100～200g/cm2的范围内，以使F/T值在目标范围内，一边对多片晶圆进行抛光，并求出这些晶圆的ESFQR_mean值。其结果，如图7所示，能够在整个垫寿命中将ESFQR_mean值控制在目标范围内，使F/T值也稳定。但是，由于抛光垫12的寿命变短，处理片数减少，因此使得生产率恶化。
附图标记说明
1-晶圆抛光装置，10-旋转平台，11-旋转平台的旋转机构，11a-马达，11b-电流测定电路，12-抛光垫，13-加压头，14-加压头的加压/旋转机构，15-浆料供给机构，16-放射温度计，17-控制部，F-马达的负荷电流值，T-抛光垫的表面温度。

Claims (10)

1.一种晶圆抛光方法，其对贴附了抛光垫的旋转平台上供给浆料并且用加压头加压保持所述抛光垫上的晶圆的同时使所述旋转平台及所述加压头旋转以对所述晶圆的单面进行抛光，所述晶圆抛光方法的特征在于，
监测旋转驱动所述旋转平台的马达的负荷电流值F及所述晶圆抛光中的所述抛光垫的表面温度T而计算出F/T值，并基于所述F/T值控制所述旋转平台的旋转速度及所述加压头的抛光压力中的至少一个。
2.根据权利要求1所述的晶圆抛光方法，其中，
配合所述F/T值的增加而使所述旋转平台的旋转速度加快。
3.根据权利要求1或2所述的晶圆抛光方法，其中，
配合所述F/T值的增加使所述加压头的抛光压力减小。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的晶圆抛光方法，其中,
相较于所述加压头的抛光压力，优先控制所述旋转平台的旋转速度。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的晶圆抛光方法，其中，
基于前批次的晶圆加工工序中已测定的所述F/T值，设定下一批次之后的晶圆加工工序中的所述旋转平台的旋转速度或所述加压头的抛光压力。
6.一种晶圆抛光装置，其对贴附了抛光垫的旋转平台上供给浆料，并且用加压头加压保持所述抛光垫上的晶圆的同时使所述旋转平台及所述加压头旋转以对所述晶圆的单面进行抛光，所述晶圆抛光装置的特征在于，具备：
电流测定电路，测定旋转驱动所述旋转平台的马达的负荷电流值F；
温度计，测定所述抛光垫的表面温度T；以及
控制部，由所述负荷电流值F及所述表面温度T而计算出F/T值，并基于所述F/T值控制所述旋转平台的旋转速度及所述加压头的抛光压力中的至少一个。
7.根据权利要求6所述的晶圆抛光装置，其中,
所述控制部配合所述F/T值的增加而使所述旋转平台的旋转速度加快。
8.根据权利要求6或7所述的晶圆抛光装置，其中，
所述控制部配合所述F/T值的增加而使所述加压头的抛光压力减小。
9.根据权利要求6至8中任一项所述的晶圆抛光装置，其中,
所述控制部相较于所述加压头的抛光压力，优先控制所述旋转平台的旋转速度。
10.根据权利要求6至9中任一项所述的晶圆抛光装置，其中，
所述控制部基于前批次的晶圆加工工序中已测定的所述F/T值，设定下一批次之后的晶圆加工工序中的所述旋转平台的旋转速度或所述加压头的抛光压力。
CN201680074228.2A 2015-12-18 2016-11-04 晶圆抛光方法及抛光装置 Active CN108369906B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-247341 2015-12-18
JP2015247341A JP6406238B2 (ja) 2015-12-18 2015-12-18 ウェーハ研磨方法および研磨装置
PCT/JP2016/082765 WO2017104285A1 (ja) 2015-12-18 2016-11-04 ウェーハ研磨方法および研磨装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108369906A true CN108369906A (zh) 2018-08-03
CN108369906B CN108369906B (zh) 2022-07-05

Family

ID=59056040

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680074228.2A Active CN108369906B (zh) 2015-12-18 2016-11-04 晶圆抛光方法及抛光装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10744616B2 (zh)
JP (1) JP6406238B2 (zh)
KR (1) KR102075480B1 (zh)
CN (1) CN108369906B (zh)
DE (1) DE112016005815B4 (zh)
TW (1) TWI614802B (zh)
WO (1) WO2017104285A1 (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109904094A (zh) * 2019-01-17 2019-06-18 安徽华顺半导体发展有限公司 一种多晶硅铸锭硅片清洗设备
CN111761419A (zh) * 2020-06-11 2020-10-13 上海新欣晶圆半导体科技有限公司 用于修复晶圆边缘损伤的胶带研磨工艺
CN113001395A (zh) * 2019-12-19 2021-06-22 胜高股份有限公司 研磨头、化学机械研磨装置及化学机械研磨方法
CN113165137A (zh) * 2018-09-10 2021-07-23 环球晶圆股份有限公司 依据垫对垫变化量进行调整的半导体衬底抛光方法
CN113573843A (zh) * 2019-03-22 2021-10-29 胜高股份有限公司 工件的两面抛光方法及工件的两面抛光装置
CN114290156A (zh) * 2021-11-30 2022-04-08 浙江晶盛机电股份有限公司 硅片抛光过程中的测厚方法、***及抛光装置
CN115741453A (zh) * 2022-11-30 2023-03-07 大连理工大学 一种多传感器融合的智能双面研磨机

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7306234B2 (ja) * 2019-11-19 2023-07-11 株式会社Sumco ウェーハの研磨方法及びシリコンウェーハ
CN118043171A (zh) 2021-09-30 2024-05-14 三樱工业株式会社 研磨装置、研磨方法以及程序

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1474734A (zh) * 2000-07-31 2004-02-11 Asml 化学机械抛光的方法
WO2004049417A1 (ja) * 2002-11-27 2004-06-10 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. 研磨パッド及び半導体デバイスの製造方法
JP2005005317A (ja) * 2003-06-09 2005-01-06 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp 半導体ウェーハの研磨方法およびその研磨装置
US20070205112A1 (en) * 2004-08-27 2007-09-06 Masako Kodera Polishing apparatus and polishing method
CN101239457A (zh) * 2006-12-21 2008-08-13 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 高弹体改性的化学机械抛光垫
CN101362309A (zh) * 2007-08-09 2009-02-11 富士通株式会社 抛光装置、抛光方法、基板制造方法及电子装置制造方法
WO2009139912A2 (en) * 2008-05-15 2009-11-19 Confluense Llc In-line effluent analysis method and apparatus for cmp process control
CN102799793A (zh) * 2012-07-27 2012-11-28 中国科学院微电子研究所 化学机械研磨去除率计算的方法及设备
CN103493184A (zh) * 2011-04-26 2014-01-01 信越半导体股份有限公司 半导体晶片及其制造方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4450652A (en) * 1981-09-04 1984-05-29 Monsanto Company Temperature control for wafer polishing
JPH07171759A (ja) 1993-12-20 1995-07-11 Toshiba Mach Co Ltd ポリッシング定盤の温度制御方法
JPH07307317A (ja) 1994-05-16 1995-11-21 Nippon Steel Corp 半導体ウェーハ研磨装置
JPH0970753A (ja) 1995-06-28 1997-03-18 Toshiba Corp 研磨方法及び研磨装置
US6191037B1 (en) * 1998-09-03 2001-02-20 Micron Technology, Inc. Methods, apparatuses and substrate assembly structures for fabricating microelectronic components using mechanical and chemical-mechanical planarization processes
US6568989B1 (en) * 1999-04-01 2003-05-27 Beaver Creek Concepts Inc Semiconductor wafer finishing control
DE10314212B4 (de) * 2002-03-29 2010-06-02 Hoya Corp. Verfahren zur Herstellung eines Maskenrohlings, Verfahren zur Herstellung einer Transfermaske
JP2004106123A (ja) 2002-09-19 2004-04-08 Toshiba Corp 研磨方法、ｃｍｐ装置及び膜厚測定装置
JP2004306173A (ja) * 2003-04-03 2004-11-04 Sharp Corp 基板研磨装置
KR100506942B1 (ko) * 2003-09-03 2005-08-05 삼성전자주식회사 화학적 기계적 연마장치
JP2005342841A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Renesas Technology Corp 研磨装置
JP4597634B2 (ja) * 2004-11-01 2010-12-15 株式会社荏原製作所 トップリング、基板の研磨装置及び研磨方法
EP2418677B1 (en) * 2004-11-01 2016-12-07 Ebara Corporation Polishing apparatus
US20100279435A1 (en) * 2009-04-30 2010-11-04 Applied Materials, Inc. Temperature control of chemical mechanical polishing
US8562849B2 (en) * 2009-11-30 2013-10-22 Corning Incorporated Methods and apparatus for edge chamfering of semiconductor wafers using chemical mechanical polishing
US9707659B2 (en) * 2010-12-27 2017-07-18 Sumco Corporation Method and apparatus for polishing workpiece
JP5695963B2 (ja) * 2011-04-28 2015-04-08 株式会社荏原製作所 研磨方法
US10702972B2 (en) * 2012-05-31 2020-07-07 Ebara Corporation Polishing apparatus
JP2014124730A (ja) * 2012-12-27 2014-07-07 Ebara Corp 基板研磨装置、熱伝達部材、および、研磨パッドの表面温度制御方法
KR101699197B1 (ko) * 2013-03-15 2017-01-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 인-시튜 프로파일 제어(ｉｓｐｃ)를 이용한 동적 잔류물 클리어링 제어
CN104678897B (zh) * 2015-01-27 2017-10-27 合肥京东方光电科技有限公司 监控装置及方法、显示基板切割及磨边装置
CN104742002B (zh) * 2015-03-19 2017-03-08 华南理工大学 一种短脉冲电熔排屑冷却的智能磨削装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1474734A (zh) * 2000-07-31 2004-02-11 Asml 化学机械抛光的方法
WO2004049417A1 (ja) * 2002-11-27 2004-06-10 Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. 研磨パッド及び半導体デバイスの製造方法
JP2005005317A (ja) * 2003-06-09 2005-01-06 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp 半導体ウェーハの研磨方法およびその研磨装置
US20070205112A1 (en) * 2004-08-27 2007-09-06 Masako Kodera Polishing apparatus and polishing method
CN101239457A (zh) * 2006-12-21 2008-08-13 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 高弹体改性的化学机械抛光垫
CN101362309A (zh) * 2007-08-09 2009-02-11 富士通株式会社 抛光装置、抛光方法、基板制造方法及电子装置制造方法
WO2009139912A2 (en) * 2008-05-15 2009-11-19 Confluense Llc In-line effluent analysis method and apparatus for cmp process control
CN103493184A (zh) * 2011-04-26 2014-01-01 信越半导体股份有限公司 半导体晶片及其制造方法
CN102799793A (zh) * 2012-07-27 2012-11-28 中国科学院微电子研究所 化学机械研磨去除率计算的方法及设备

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
周国安等: "CMP综合终点检测研究", 《微纳电子技术》 *

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114734373A (zh) * 2018-09-10 2022-07-12 环球晶圆股份有限公司 依据垫对垫变化量进行调整的半导体衬底抛光方法
CN113165137B (zh) * 2018-09-10 2022-06-14 环球晶圆股份有限公司 依据垫对垫变化量进行调整的半导体衬底抛光方法
CN113165137A (zh) * 2018-09-10 2021-07-23 环球晶圆股份有限公司 依据垫对垫变化量进行调整的半导体衬底抛光方法
CN109904094A (zh) * 2019-01-17 2019-06-18 安徽华顺半导体发展有限公司 一种多晶硅铸锭硅片清洗设备
CN109904094B (zh) * 2019-01-17 2021-02-19 安徽华顺半导体发展有限公司 一种多晶硅铸锭硅片清洗设备
CN113573843A (zh) * 2019-03-22 2021-10-29 胜高股份有限公司 工件的两面抛光方法及工件的两面抛光装置
CN113573843B (zh) * 2019-03-22 2023-10-31 胜高股份有限公司 工件的两面抛光方法及工件的两面抛光装置
CN113001395A (zh) * 2019-12-19 2021-06-22 胜高股份有限公司 研磨头、化学机械研磨装置及化学机械研磨方法
CN111761419B (zh) * 2020-06-11 2021-10-15 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 用于修复晶圆边缘损伤的胶带研磨工艺
CN111761419A (zh) * 2020-06-11 2020-10-13 上海新欣晶圆半导体科技有限公司 用于修复晶圆边缘损伤的胶带研磨工艺
CN114290156A (zh) * 2021-11-30 2022-04-08 浙江晶盛机电股份有限公司 硅片抛光过程中的测厚方法、***及抛光装置
CN115741453A (zh) * 2022-11-30 2023-03-07 大连理工大学 一种多传感器融合的智能双面研磨机
CN115741453B (zh) * 2022-11-30 2024-02-27 大连理工大学 一种多传感器融合的智能双面研磨机

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017112302A (ja) 2017-06-22
KR20180075669A (ko) 2018-07-04
US10744616B2 (en) 2020-08-18
KR102075480B1 (ko) 2020-02-10
TWI614802B (zh) 2018-02-11
DE112016005815B4 (de) 2023-11-30
TW201730951A (zh) 2017-09-01
CN108369906B (zh) 2022-07-05
US20180369985A1 (en) 2018-12-27
WO2017104285A1 (ja) 2017-06-22
DE112016005815T5 (de) 2018-09-06
JP6406238B2 (ja) 2018-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108369906A (zh) 晶圆抛光方法及抛光装置
US7147541B2 (en) Thickness control method and double side polisher
KR100701356B1 (ko) Ｃｍｐ 공정 최적화 방법
TWI511839B (zh) 用於經改良的研磨墊外形之閉迴路控制
JP5635957B2 (ja) 被研磨物の研磨方法、及び研磨パッド
JP5453459B2 (ja) 皿形砥石を用いたレンズ球面の研削加工方法
CN101909817A (zh) 使用来自翘曲数据的反馈的纳米形貌控制和优化
JPH11207572A (ja) 研磨パッドの摩耗監視手段を組み込んだ研磨装置及びその操作方法
US20130217306A1 (en) CMP Groove Depth and Conditioning Disk Monitoring
JP2009285768A (ja) 半導体ウェーハの研削方法および研削装置
JP2008068338A (ja) 研磨装置、研磨方法、および半導体装置の製造方法
JP5716612B2 (ja) シリコンウェーハの研磨方法及び研磨装置
JP2010034479A (ja) ウェーハの研磨方法
CN101456150B (zh) 化学机械抛光方法
WO2020208967A1 (ja) 両面研磨方法
CN103029035B (zh) 一种研磨垫及利用该研磨垫进行研磨时的损耗检测方法
CN208663464U (zh) 化学机械研磨装置
TWI673135B (zh) 晶圓的兩面研磨方法
JP7159861B2 (ja) 両頭研削方法
CN113547446B (zh) 研磨速率的修正方法
Menk et al. Method for improved CMP pad conditioning performance
CN115592565A (zh) 一种用于修整研磨轮的装置和方法
JP2024024161A (ja) ウェーハの片面研磨方法、ウェーハの製造方法、およびウェーハの片面研磨装置
JP2005081461A (ja) ウェハ等の研磨方法およびその装置
JP2006102830A (ja) 研磨方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant