CN108322029A - 半导体电路 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种半导体电路，能够在相对的两个母线中略微产生电感。集电极侧母线(46)与发射极侧母线(41)在相互绝缘的状态下并排且相互固定地配置，在集电极侧母线(46)与发射极侧母线(41)的一方或者双方具备使集电极侧母线(46)与发射极侧母线(41)之间产生电感之差的电感产生部(411)。

Description

半导体电路
技术领域
本发明涉及在半导体电力转换装置中使用的半导体电路，该半导体电力转换装置具备如下功能，即，保护半导体开关免受因多个半导体开关的个体差异而产生的半导体开关的断开的延迟所引起的破坏。
背景技术
一直以来，在具备并联连接的多个半导体开关的半导体电力转换装置中，已知具有在半导体开关的接通时保护半导体开关的电路的结构(例如，专利文献1)。在并联连接的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)的发射极辅助端子电连接具有相同匝数的两个绕组的转换器。根据并联连接的IGBT的特性的不同，利用两个绕组的阻抗抑制在接通时向发射极辅助端子流动电流。
另外，在具备并联连接的多个半导体开关的半导体电力转换装置中，已知具有防止与半导体开关的短路相伴的半导体开关的故障的电路的结构(例如，专利文献2)。在用于使半导体开关同时接通或者断开的驱动电路与半导体开关的栅极(控制信号输入端子)以及发射极(电流输出端子)之间的信号线分别设置有作为开关间电流抑制部的共模抑制元件。共模抑制元件由对置的线圈彼此通过所谓的同向卷绕构成的共模线圈等构成。
在专利文献2中，多个半导体开关并联连接而构成臂，但在伴随着下臂的半导体开关的短路而半导体开关发生了故障的状态下，若上臂的半导体开关处于接通的状态，则上下臂短路。此时，借助共模抑制元件的作用，抑制发射极间电流的流通，抑制电压的偏向。
在上述现有技术中，通过由发射极的主电路的电感而引起的发射极电位上升，流入发射极辅助线的电流通过加入电感而被抑制，但产生多个开关元件中的电流的差异。另外，当想要降低损失而使发射极主电路的电感降低时，多个开关元件的电流的差异增加。
另外，在具备并联连接的多个半导体开关的半导体电力转换装置中，当半导体开关的断开时，由于半导体开关的个体差异，产生半导体开关成为断开的状态的时刻的延迟。由此，产生电流的偏向，在成为断开的状态的时刻延迟了的半导体开关流动不应在已经成为断开的状态的半导体开关中流动的电流，半导体开关被破坏。对此，考虑在多个半导体开关间设置开关间电流抑制部。在该情况下，开关间电流抑制部例如设置于驱动电路与半导体开关的控制信号输入端子以及电流输出端子之间的信号线，例如由对置的相互反绕的线圈构成。
此外，从正极与半导体开关的集电极端子连接的电流导线由相邻的半导体开关的集电极端子分别分支出的集电极侧母线构成。另外，从半导体开关的发射极侧端子与负极连接的电流导线由相邻的半导体开关的发射极端子分别分支出的发射极侧母线构成。
另外，一直以来，已知将连接各端子的母线设为相同长度，并且以使两个母线相对且流动的电流反向的方式通过包括铁芯的平衡部，由此使电流良好地平衡(例如，参照专利文献3)。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：专利第3456836号公报
专利文献2：日本特开2015-029397号公报
专利文献3：日本特开平6-113549号公报
发明内容
发明要解决的课题
在上述公报所记载的现有技术中，如上所述，构成为两个母线相对，且使流动的电流反向，从而抵消无用的电感。由此，抑制断开浪涌电压分量变大，能够避免开关元件被破坏。但是，若无用的电感被抵消，则设置于多个半导体开关间的开关间电流抑制部不发挥功能。
本发明的目的在于提供一种在相对的两个母线中能够略微产生电感的半导体电路。
用于解决课题的方案
为了实现上述目的，本发明提供一种半导体电路(例如，后述的半导体电力转换装置1)，其中，所述半导体电路具备：多个半导体开关(例如，后述的半导体开关30)，它们相互并联连接，并构成在直流电源的正负极间连接的臂；以及驱动电路(例如，后述的栅极驱动电路10)，其使各所述臂的多个所述半导体开关同时成为接通的状态或者断开的状态，所述驱动电路具有检测所述半导体开关的短路并且使短路的所述半导体开关成为断开的状态的机构，在所述驱动电路与所述半导体开关的控制信号输入端子以及电流输出端子之间的信号线(例如，后述的发射极辅助线311、321、331、312、322、323以及信号线313、323、333、314、324、334)上以电连接的方式设置有开关间电流抑制部(例如，后述的开关间电流抑制部20)，所述开关间电流抑制部具有对置的相互反绕的线圈，使用在多个所述半导体开关的所述电流输出端子间流动的开关间电流而促进利用所述驱动电路使所述半导体开关成为断开的状态，其中，从正极(例如，后述的半导体电路100)与所述半导体开关的集电极端子连接的电流导线由向相邻的所述半导体开关的集电极端子分别分支出相等长度的集电极侧母线(例如，后述的集电极侧母线46)构成，从所述半导体开关的发射极侧端子与负极(例如，后述的交流输出端子(负极)U)连接的电流导线由向相邻的所述半导体开关的发射极端子分别分支出相等长度的发射极侧母线(例如，后述的发射极侧母线41)构成，所述集电极侧母线与所述发射极侧母线配置为在相互绝缘的状态下并列而相互固定在一起，在所述集电极侧母线与所述发射极侧母线的一方或者双方具备电感产生部(例如，后述的突出槽部411、突出槽部411B、切口411C、母线间分离部411D)，该电感产生部使所述集电极侧母线与所述发射极侧母线之间产生电感的差。
根据本发明，在电感产生部中，在发射极侧母线侧产生的电感与在集电极侧母线侧产生的电感不会被完全抵消，能够确保电感。其结果是，在因多个半导体开关的个体差异而在某一半导体开关中产生了成为断开的状态的时刻的延迟的情况下，能够对产生了延迟的半导体开关的控制信号输入端子进行反馈，能够使产生了延迟的半导体开关尽早成为断开的状态。因此，能够避免不应在已经成为了断开的状态的半导体开关中流动的电流偏向产生了延迟的半导体开关流动大电流而导致半导体开关破坏。另外，开关间电流抑制部的输出向减小因断开时的电流偏向所引起的电压对控制信号输入端子施加的电压的方向起作用，能够将电流偏向的产生抑制为极小。
此外，所述电感产生部由形成于所述集电极侧母线与所述发射极侧母线中的至少一方的槽(例如，后述的突出槽部411、突出槽部411B)构成。因此，集电极侧母线与发射极侧母线的各个对置面通过形成槽而以规定的距离分离地配置，由此磁通的耦合率变差，在发射极侧母线侧产生的电感与在集电极侧母线侧产生的电感不会被完全抵消或者抵消变弱。由此，能够确保电感。
另外，所述电感产生部由形成于所述集电极侧母线与所述发射极侧母线中的至少一方的切口(例如，后述的切口411C)构成。因此，由于形成切口，因此相应地使集电极侧母线与发射极侧母线的各个对置面以规定的距离分离地配置，由此磁通的耦合率变差，在发射极侧母线侧产生的电感与在集电极侧母线侧产生的电感不会被完全抵消或者抵消变弱。
另外，所述电感产生部由使所述集电极侧母线与所述发射极侧母线配置为相互以规定的距离分离的部分(例如，后述的母线间分离部411D)构成。
因此，能够将集电极侧母线与发射极侧母线以相同形状构成，集电极侧母线与发射极侧母线的各个对置面以规定的距离分离地配置，由此磁通的耦合率变差，在发射极侧母线侧产生的电感与在集电极侧母线侧产生的电感不会被完全抵消或者抵消变弱，能够构成电感产生部。因此，无需对发射极侧母线、集电极侧母线实施特别的加工便能够构成半导体电路。
发明效果
根据本发明，能够提供一种在相对的两个母线中能够略微产生电感的半导体电路。
附图说明
图1是示出具有本发明的第一实施方式所涉及的半导体电路100的半导体电力转换装置1的电路图。
图2是示出具有本发明的第一实施方式所涉及的半导体电路100的半导体电力转换装置1中的第一半导体开关31～第三半导体开关33的断开时的电流的流动的电路图。
图3是示出本发明的第一实施方式所涉及的半导体电路100的发射极侧母线41以及集电极侧母线46的立体图。
图4是示出半导体电路100的发射极侧母线41以及集电极侧母线46的连接的概念图。
图5是示出本发明的第一实施方式所涉及的半导体电路100的发射极侧母线41的图，(a)是立体图，(b)是侧视图。
图6是示出本发明的第二实施方式所涉及的半导体电路的发射极侧母线41B的图，(a)是立体图，(b)是侧视图。
图7是示出本发明的第三实施方式所涉及的半导体电路的发射极侧母线41C的立体图。
图8是示出本发明的第四实施方式所涉及的半导体电路的发射极侧母线41D的图，(a)是立体图，(b)是侧视图。
具体实施方式
参照附图对本发明的第一实施方式进行详细说明。图1是示出具有本发明的第一实施方式所涉及的半导体电路100的半导体电力转换装置1的电路图。
如图1所示，半导体电力转换装置1具有栅极驱动电路10、开关间电流抑制部20以及三个半导体开关30。栅极驱动电路10具有控制部(未图示)。通过基于控制部的控制，使向半导体开关30的栅极端子供给的栅极驱动电压相对于发射极端子的电位变化，由此能够同时切换三个半导体开关30的断开的状态与接通的状态。通过基于控制部的控制，栅极驱动电路10能够检测半导体开关30的短路并使半导体开关30成为断开的状态。
三个半导体开关30具有第一半导体开关31、第二半导体开关32以及第三半导体开关33，它们分别由IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)构成。三个半导体开关30在半导体电力转换装置1中构成臂，在直流电源(未图示)的正极P与交流输出端子(负极)U之间相互并列电连接。具体而言，半导体开关30的各集电极端子经由作为电流导线的后述的集电极侧母线46、47、48分别与直流电源(未图示)的正极P电连接。半导体开关30的各发射极端子经由作为电流导线的后述的发射极侧母线41、42、43分别与交流输出端子U电连接。另外，半导体开关30的各发射极端子经由由信号线构成的发射极辅助线311、321、331、312、322、323与栅极驱动电路10电连接。半导体开关30的各栅极端子经由信号线313、323、333、314、324、334分别与栅极驱动电路10电连接。
在各半导体开关31～33与栅极驱动电路10之间设置有作为开关间电流抑制部20的变压器(转换器)。即，在第一半导体开关31与栅极驱动电路10之间设置有第一变压器21，在第二半导体开关32与栅极驱动电路10之间设置有第二变压器22，在第三半导体开关33与栅极驱动电路10之间设置有第三变压器23。开关间电流抑制部20当利用栅极驱动电路10进行使第一半导体开关31～第三半导体开关33成为断开的状态的控制时，利用从作为三个半导体开关30的电流输出端子的发射极端子向发射极辅助线311、321、331流动的开关间电流，对于产生了成为断开的状态的时刻的延迟的第一半导体开关31～第三半导体开关33中的任一个，促进利用栅极驱动电路10使半导体开关30断开的动作。
具体而言，构成第一变压器21～第三变压器23的变压器具备具有一次侧绕组(图1、图2所示的I)以及二次侧绕组(图1、图2所示的II)的两个绕组的线圈。一次侧绕组的匝数与二次侧绕组处于相互反绕的状态、即处于二次侧绕组的卷绕方向相对于一次侧绕组的卷绕方向为反方向地卷绕的状态。例如，配置为使一次侧绕组的轴心与二次侧绕组的轴心处于平行的位置关系，在从轴心方向上的一端侧观察一次侧绕组的轴心以及二次侧绕组的情况下，一次侧绕组右卷卷绕且二次侧绕组左卷卷绕，或者一次侧绕组左卷卷绕且二次侧绕组右卷卷绕。
另外，二次侧绕组的匝数被设定为与一次侧绕组的匝数相同或者大于一次侧绕组的匝数。一次侧绕组与二次侧绕组相互对置而构成变压器(变压器21～23)。变压器21、22、23的一次侧绕组的一端部经由由信号线构成的发射极辅助线311、321、331与各半导体开关31～33的发射极端子电连接。变压器的一次侧绕组的另一端部经由由信号线构成的发射极辅助线312、322、332与栅极驱动电路10电连接。变压器的二次侧绕组的一端部经由信号线314、324、334与栅极驱动电路10电连接。变压器的二次侧绕组的另一端部经由信号线313、323、333与各半导体开关31～33的栅极端子电连接。
接着，对发射极侧母线41、42、43以及集电极侧母线46、47、48进行说明。图3是示出本发明的第一实施方式所涉及的半导体电路100的发射极侧母线41以及集电极侧母线46的立体图。图5是示出本发明的第一实施方式所涉及的半导体电路100的发射极侧母线41的图，(a)是立体图，(b)是侧视图。
发射极侧母线41、42、43具有相同的结构，因此仅对发射极侧母线41进行说明。同样地，集电极侧母线46、47、48具有相同的结构，因此仅对集电极侧母线46进行说明。
发射极侧母线41与集电极侧母线46分别具备具有大致相同的轮廓形状的大致コ字形状的平板状。平板状的发射极侧母线41的一面经由绝缘材料粘贴于平板状的集电极侧母线46的一面而被固定。即，发射极侧母线41与集电极侧母线46在被绝缘的状态下以极其近的距离配置，成为相互密接的位置关系。此处，极其近的距离是指，有可能发生通过在发射极侧母线41中流动电流而在发射极侧母线41侧产生的电感、与通过在集电极侧母线46中流动电流而在集电极侧母线46侧产生的电感的相互抵消的程度的距离。需要说明的是，在图3中，在近前侧呈现发射极侧母线41，集电极侧母线46位于里侧。
集电极侧母线46、47、48的一端部与第一半导体开关31～第三半导体开关33的集电极中的任一者分别电连接。第一半导体开关31～第三半导体开关33并联配置，集电极侧母线46、47、48的另一端部与相对于集电极侧母线46、47、48的一端部电连接的第一半导体开关31～第三半导体开关33相邻的第一半导体开关31～第三半导体开关33中的任一个集电极分别电连接。
具体而言，集电极侧母线46的一端部与第一半导体开关31的集电极连接，集电极侧母线46的另一端部经由集电极侧母线47与第二半导体开关32的集电极连接。另外，集电极侧母线48的一端部与第三半导体开关33的集电极连接，集电极侧母线48的另一端部经由集电极侧母线47与第二半导体开关32的集电极连接。集电极侧母线46、47、48的中途的部分与直流电源(未图示)的正极P电连接。
发射极侧母线41、42、43的一端部与第一半导体开关31～第三半导体开关33的发射极中的任一者分别电连接。发射极侧母线41、42、43的另一端部与相对于发射极侧母线41、42、43的一端部电连接的第一半导体开关31～第三半导体开关33相邻的第一半导体开关31～第三半导体开关33中的任一个发射极分别电连接。
具体而言，发射极侧母线41的一端部与第一半导体开关31的发射极连接，发射极侧母线41的另一端部经由发射极侧母线42与第二半导体开关32的发射极连接。另外，发射极侧母线43的一端部与第三半导体开关33的发射极连接，发射极侧母线43的另一端部经由发射极侧母线42与第二半导体开关32的发射极连接。发射极侧母线41、42、43的中途的部分与交流输出端子U电连接。
发射极侧母线41具有作为电感产生部的突出槽部411。突出槽部411构成U字状的槽，如图3、图5所示，在发射极侧母线41的中途，沿着发射极侧母线41的宽度方向(图3的上下方向)，从发射极侧母线41的宽度的一端缘延伸至另一端缘。在突出槽部411中，在平板状的发射极侧母线41的一面凹陷，在平板状的发射极侧母线41的另一面突出在发射极侧母线41的一面凹陷的量。
与此相对，集电极侧母线46不具有突出槽部411，平板状的集电极侧母线46的一面、另一面分别由平坦面构成。因此，集电极侧母线46与发射极侧母线41的各个对置面配置为通过形成突出槽部411而以规定的距离分离，由此，磁通的耦合率变差，在发射极侧母线41侧产生的电感与在集电极侧母线46侧产生的电感不会被完全抵消或者抵消变弱。由此，能够确保小的电感。
此外，发射极侧母线向相邻的半导体开关的发射极端子分别分支出相等长度，集电极侧母线向相邻的半导体开关的集电极端子分别分支出相等长度。具体而言，例如，如图4所示，发射极侧母线41A、42A、43A以及集电极侧母线46A、47A、48A分别恰如取得下一轮的比赛权式淘汰赛的对战表那样以相等长度均匀地分支并与第一半导体开关31A～第四半导体开关34A电连接。图4是示出半导体电路100的发射极侧母线41以及集电极侧母线46的连接的概念图。
以下，基于图2对使半导体开关30成为断开的状态时的半导体电路100以及半导体电力转换装置1的作用进行说明。
图2是示出具有本发明的第一实施方式所涉及的半导体电路100的半导体电力转换装置1的第一半导体开关31～第三半导体开关33的断开时的电流的流动的电路图。
首先，通过基于栅极驱动电路10的控制部的控制，向第一半导体开关31～第三半导体开关33的各个栅极端子开始相对于发射极端子为正的电压的供给，使全部处于断开的状态的三个半导体开关30向接通的状态转变。由此，第一半导体开关31～第三半导体开关33的集电极端子的电流值上升。
接着，通过基于栅极驱动电路10的控制部的控制，停止向第一半导体开关31～第三半导体开关33的各个栅极端子供给的正的电压的供给，使全部处于接通的状态的三个半导体开关30向断开状态转变。此时，由于三个半导体开关30的个体差异，在某一个半导体开关30中，产生成为断开的状态的时刻的延迟。此处，例如，假定仅第二半导体开关32产生成为断开的状态的时刻的延迟。
由此，在比第二半导体开关32早成为断开的状态的第一半导体开关31以及第三半导体开关33中流动的电流如图2中箭头A所示，向第二半导体开关32流动，第二半导体开关32的发射极端子的电位上升。由此，如图2中箭头B所示，对设置于第二半导体开关32与栅极驱动电路10之间的第二变压器22的一次侧绕组施加在第二半导体开关32的发射极端子中上升后的电位。另外，如图2中箭头C所示，对与第二半导体开关32的发射极电连接的发射极侧母线41、42、43施加在第二半导体开关32的发射极端子中上升后的电位。
此时，在发射极侧母线41、42、43、集电极侧母线46、47、48中流动相互反向的电流，因此，在发射极侧母线41、42、43侧产生的电感与在集电极侧母线46、47、48侧产生的电感之间产生相互抵消。
但是，集电极侧母线46与发射极侧母线41的各个对置面配置为通过形成突出槽部411而以规定的距离分离，由此，磁通的耦合率变差，在发射极侧母线41侧产生的电感与在集电极侧母线46侧产生的电感不会被完全抵消或者抵消变弱。由此，能够确保小的电感。同样地，集电极侧母线47与发射极侧母线42的各个对置面配置为通过形成突出槽部411而以规定的距离分离，由此，磁通的耦合率变差，在发射极侧母线42侧产生的电感与集电极侧母线47侧产生的电感不会被完全抵消或者抵消变弱。由此，能够确保小的电感。同样地，集电极侧母线48与发射极侧母线43的各个对置面配置为通过形成突出槽部411而以规定的距离分离，由此，磁通的耦合率变差，在发射极侧母线43侧产生的电感与在集电极侧母线48侧产生的电感不会被完全抵消或者抵消变弱。由此，能够确保小的电感。
由此，在第二变压器22的二次侧绕组通过第二变压器22的相互感应而感应出电压。此时，由于第二变压器22的二次侧绕组相对于第二变压器22的一次侧绕组反绕，因此，在第二变压器22的二次侧绕组感应出的电压促进从第二半导体开关32的栅极端子向栅极驱动电路10的电流的流动。即，向使第二半导体开关32提早成为断开的状态的方向流动反馈电流。同样地，由于第一半导体开关31以及第三半导体开关33提早转变为断开状态，因此当电流被提早缩小时，变压器21以及23向阻止从栅极端子向栅极驱动电路的电流的流动的方向起作用，以抑制因元件的差异而引起的断开电流的差异的方式动作。此外，抑制因在第二半导体开关32流动大电流而导致第二半导体开关32破损。另外，第一半导体开关31、第二半导体开关32的集电极端子的电流的偏向被抑制，在第一半导体开关31～第三半导体开关33的集电极端子中大致均匀地流动电流。
根据本实施方式，起到以下的效果。
在本实施方式中，半导体电路100具备：多个半导体开关30，其构成与直流电源的正负极P、U间连接的臂且相互并联连接；以及作为驱动电路的栅极驱动电路10，其使各臂的多个半导体开关30同时成为接通的状态或者断开的状态。栅极驱动电路10具有检测半导体开关30的短路并且使短路的半导体开关30成为断开的状态的机构。在栅极驱动电路10与作为半导体开关30的控制信号输入端子的栅极端子以及作为电流输出端子的发射极端子之间的发射极辅助线311、321、331、312、322、323以及信号线313、323、333、314、324、334以电连接的方式设置有开关间电流抑制部20。开关间电流抑制部20具有对置的相互反绕的线圈，使用在多个半导体开关30的电流输出端子间流动的开关间电流而促进利用栅极驱动电路10使半导体开关30成为断开的状态。
从正极P与半导体开关30的集电极端子连接的电流导线由向相邻的半导体开关30的集电极端子分别分支出相等长度的集电极侧母线46、47、48构成。从半导体开关30的发射极侧端子与负极U连接的电流导线由向相邻的半导体开关30的发射极端子分别分支出相等长度的发射极侧母线41、42、43构成。
集电极侧母线46、47、48与发射极侧母线41、42、43配置为在相互绝缘的状态下并列且相互固定在一起。在发射极侧母线41、42、43具备作为电感产生部的突出槽部411，其使集电极侧母线46、47、48与发射极侧母线41、42、43之间产生电感的差。
因此，集电极侧母线46、47、48与发射极侧母线41、42、43的各个对置面配置为通过形成突出槽部411而以规定的距离分离，由此磁通的耦合率变差，在发射极侧母线41、42、43侧产生的电感与在集电极侧母线46、47、48侧产生的电感不会被完全抵消或者抵消变弱。由此，能够确保小的电感。
其结果是，在因多个半导体开关30(第一半导体开关31～第三半导体开关33)的个体差异而在某一个半导体开关30中产生了成为断开的状态的时刻的延迟的情况下，能够对产生了延迟的半导体开关30的栅极端子电压进行反馈，能够使产生了延迟的半导体开关30尽早成为断开的状态。因此，能够避免不应在已经成为断开的状态的半导体开关30中流动的电流偏向产生了延迟的半导体开关30，在该产生了延迟的半导体开关30流动大电流而导致半导体开关30破坏。尤其是，在流动大电流的电路中，即便利用母线等导线产生电感，也会成为浪涌电压的原因，流动突发的大电流，但在这样的电路中能够有效地避免半导体开关30破坏。另外，借助因断开时略微产生的电流偏差而引起的电压，变压器的输出向减小栅极电压的方向起作用，因此，能够将电流偏差的产生抑制为极小。
此外，电感产生部由形成于发射极侧母线41的突出槽部411构成。由此，突出槽部411的突出的形状的部分的内表面与平坦的集电极侧母线46的表面配置为以规定的距离分离，能够使磁通的耦合率变差。
接着，参照附图对本发明的第二实施方式进行详细说明。图6是示出本发明的第二实施方式所涉及的半导体电路的发射极侧母线41B的图，(a)是立体图，(b)是侧视图。
以下，对与上述第一实施方式相同的结构标注相同的附图标记，并省略对其详细说明。本实施方式所涉及的半导体电路的电感产生部的结构与第一实施方式的电感产生部的结构不同。
发射极侧母线41B具有作为电感产生部的突出槽部411B。突出槽部411B构成V字状的槽，如图6所示，在发射极侧母线41B的中途，沿着发射极侧母线41B的宽度方向从发射极侧母线41B的宽度的一端缘延伸至另一端缘。
在突出槽部411B中，在平板状的发射极侧母线41B的一面凹陷，在平板状的发射极侧母线41B的另一面突出在发射极侧母线41B的一面凹陷的量。
接着，参照附图对本发明的第三实施方式进行详细说明。图7是示出本发明的第三实施方式所涉及的半导体电路的发射极侧母线41C的立体图。
以下，对与上述第一实施方式相同的结构标注相同的附图标记，并省略对其详细说明。本实施方式所涉及的半导体电路的电感产生部的结构与第一实施方式的电感产生部的结构不同。
发射极侧母线41C具有作为电感产生部的切口411C。如图7所示，切口411C在发射极侧母线41C的中途，沿着发射极侧母线41C的宽度方向从发射极侧母线41C的宽度的一端缘朝另一端缘延伸至规定位置。另外，如图7所示，切口411C在发射极侧母线41C的中途，沿着发射极侧母线41C的宽度方向从发射极侧母线41C的宽度的另一端缘朝一端缘延伸至规定位置。这些切口方向不同的切口411C在与发射极侧母线41C的宽度方向正交的方向(图7中连结右下与左上的方向)上交替地形成。
根据本实施方式，起到以下的效果。在本实施方式中，电感产生部由形成于发射极侧母线41C的切口411C构成。因此，由于形成切口411C，因此相应地集电极侧母线46与发射极侧母线41C的各个对置面配置为通过形成切口411C而以规定的距离分离，由此磁通的耦合率变差，在发射极侧母线41C侧产生的电感与在集电极侧母线46侧产生的电感不会被完全抵消或者抵消变弱。
接着，参照附图对本发明的第四实施方式进行详细说明。图8是示出本发明的第四实施方式所涉及的半导体电路的发射极侧母线41D的图，(a)是立体图，(b)是侧视图。
以下，对与上述第一实施方式相同的结构标注相同的附图标记，并省略对其详细说明。本实施方式所涉及的半导体电路的电感产生部的结构与第一实施方式的电感产生部的结构不同。
发射极侧母线41D作为电感产生部具有使集电极侧母线46D与发射极侧母线41D相互以规定的距离分离地配置的母线间分离部411D。母线间分离部411D的规定的距离是成为在发射极侧母线41D侧产生的电感与集电极侧母线46D侧产生的电感之间电感不会被完全抵消或者确保少许的电感的状态的距离。
根据本实施方式，起到以下的效果。在本实施方式中，电感产生部由使集电极侧母线46D与发射极侧母线41D相互以规定的距离分离地配置的部分即母线间分离部411D构成。集电极侧母线46D与发射极侧母线41D的各个对置面配置为以规定的距离分离，由此磁通的耦合率变差。因此，能够将集电极侧母线46D与发射极侧母线41D以相同形状构成并构成电感产生部。因此，无需对发射极侧母线41D、集电极侧母线46D实施特别的加工便能够构成半导体电路。
本发明并不限定于上述实施方式，能够实现本发明的目的的范围内的变形、改良等也包含于本发明。
例如，在第一实施方式～第三实施方式中，将U字状的槽即突出槽部411、V字状的槽即突出槽部411B、切口411C形成于发射极侧母线41、41B、41C，由此构成电感产生部，但并不限定于此。
例如，也可以不将U字状的槽、V字状的槽、切口不形成于发射极侧母线，而形成于集电极侧母线，构成电感产生部。
另外，也可以将U字状的槽、V字状的槽、切口形成于发射极侧母线以及集电极侧母线，构成电感产生部。在该情况下，只要使发射极侧母线的U字状的槽、V字状的槽、切口与集电极侧母线的U字状的槽、V字状的槽、切口的尺寸、形状不同，集电极侧母线与发射极侧母线的各个对置面以规定的距离分离地配置，由此磁通的耦合率变差，在发射极侧母线侧产生的电感与在集电极侧母线侧产生的电感不会被完全抵消或者抵消变弱即可。
另外，构成半导体电力转换装置的各构件(部件)、各构件的个数并不限定于本实施方式中的构成半导体电力转换装置1的各构件(部件)的个数。例如，在本实施方式中，具有第一半导体开关31～第三半导体开关33的三个半导体开关30，但并不限定于此。例如，半导体电力转换装置也可以具有两个或者四个以上的个数的半导体开关。在该情况下，只要将与半导体开关的个数相同个数的变压器相对于各半导体开关一一对应地电连接即可。
附图标记说明：
1：半导体电力转换装置
10：栅极驱动电路(驱动电路)
20：开关间电流抑制部
30：半导体开关
31：第一半导体开关
32：第二半导体开关
33：第三半导体开关
41：发射极侧母线
46：集电极侧母线
100：半导体电路
311、321、331、312、322、323：发射极辅助线(信号线)
313、323、333、314、324、334：信号线
411，411B：突出槽部
411C：切口
411D：母线间分离部
P：正极
U：交流输出端子(负极)

Claims (4)

1.一种半导体电路，其构成半导体电力转换装置，
所述半导体电路具备：
多个半导体开关，它们相互并联连接，并构成在直流电源的正负极间连接的臂；以及
驱动电路，其使各所述臂的多个所述半导体开关同时成为接通的状态或者断开的状态，
所述驱动电路具有检测所述半导体开关的短路并且使短路的所述半导体开关成为断开的状态的机构，
在所述驱动电路与所述半导体开关的控制信号输入端子以及电流输出端子之间的信号线上以电连接的方式设置有开关间电流抑制部，
所述开关间电流抑制部具有对置的相互反绕的线圈，使用在多个所述半导体开关的所述电流输出端子间流动的开关间电流而促进利用所述驱动电路使所述半导体开关成为断开的状态，其中，
从正极与所述半导体开关的集电极端子连接的电流导线由向相邻的所述半导体开关的集电极端子分别分支出相等长度的集电极侧母线构成，
从所述半导体开关的发射极侧端子与负极连接的电流导线由向相邻的所述半导体开关的发射极端子分别分支出相等长度的发射极侧母线构成，
所述集电极侧母线与所述发射极侧母线配置为在相互绝缘的状态下并列而相互固定在一起，
在所述集电极侧母线与所述发射极侧母线的一方或者双方具备电感产生部，该电感产生部使所述集电极侧母线与所述发射极侧母线之间产生电感的差。
2.根据权利要求1所述的半导体电路，其中，
所述电感产生部由形成于所述集电极侧母线与所述发射极侧母线中的至少一方的槽构成。
3.根据权利要求1所述的半导体电路，其中，
所述电感产生部由形成于所述集电极侧母线与所述发射极侧母线中的至少一方的切口构成。
4.根据权利要求1所述的半导体电路，其中，
所述电感产生部由使所述集电极侧母线与所述发射极侧母线配置为相互以规定的距离分离的部分构成。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102019206821A1 (de) * 2019-05-10 2020-11-12 Robert Bosch Gmbh Halbleiterleistungsmodul

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06113549A (ja) * 1992-09-29 1994-04-22 Mitsubishi Electric Corp スイッチング素子の並列運転回路および半導体モジュール
JP2012055149A (ja) * 2010-08-06 2012-03-15 Nabtesco Corp インダイレクトマトリクスコンバータ
CN104242605A (zh) * 2013-06-07 2014-12-24 台达电子工业股份有限公司 均流母排
JP2015029397A (ja) * 2013-07-31 2015-02-12 富士電機株式会社 半導体電力変換装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3456836B2 (ja) * 1996-06-17 2003-10-14 株式会社東芝 ゲート駆動回路
JP2005012053A (ja) * 2003-06-20 2005-01-13 Toshiba Corp 電力用半導体装置
JP2008178261A (ja) * 2007-01-22 2008-07-31 Meidensha Corp 電力変換装置
CN104009446B (zh) * 2014-02-27 2018-05-18 南京南瑞继保电气有限公司 一种直流输电保护装置、换流器及保护方法
TW201703406A (zh) * 2015-04-14 2017-01-16 電源整合有限責任公司 切換裝置及功率模組
US10210982B1 (en) * 2018-04-30 2019-02-19 Ford Global Technologies, Llc Common-mode choke for paralleled power semiconductor with integrated current sensor
US10574223B1 (en) * 2019-03-15 2020-02-25 Ford Global Technologies, Llc Paralleled power semiconductors with chokes in gate path

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06113549A (ja) * 1992-09-29 1994-04-22 Mitsubishi Electric Corp スイッチング素子の並列運転回路および半導体モジュール
JP2012055149A (ja) * 2010-08-06 2012-03-15 Nabtesco Corp インダイレクトマトリクスコンバータ
CN104242605A (zh) * 2013-06-07 2014-12-24 台达电子工业股份有限公司 均流母排
JP2015029397A (ja) * 2013-07-31 2015-02-12 富士電機株式会社 半導体電力変換装置

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Publication number Publication date
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