CN108264899A - 一种应用于led的荧光陶瓷及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种应用于LED的荧光陶瓷，其化学通式为(A_1‑xB_x)_m‑yC_y(D_1‑zE_z)_8‑mO₁₂，其中，A为Y、Gd、Tb、Lu中的至少一种；B为La、Yb中的至少一种；C为Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Dy、Ho、Er、Tm、Ti、Cr、Mn中的至少一种；D为Ga；E为B、Al、In、Sc中的至少一种；其中，x、y、z、m表示对应元素的摩尔分数，且0≤x≤0.2，0.0001≤y≤0.2，0≤z≤0.8，2.5≤m≤3.5。本发明还提供一种荧光陶瓷的制备方法，该方法中将荧光粉直接转变为具有透光特性的荧光块体，即以透明荧光陶瓷的形式作为远程荧光体，直接封装于LED芯片上方，不仅将荧光材料与热源分离减小了热光衰，同时还杜绝了环氧树脂或硅胶的使用，延长了LED器件的寿命。

Description

一种应用于LED的荧光陶瓷及其制备方法

技术领域

本发明涉及发光材料领域，特别是涉及一种应用于LED的荧光陶瓷及其制备方法。

背景技术

随着发光二极管(Light Emitting Diode，LED)技术的进步，白光LED已从特种光源应用领域逐渐步入普通照明领域。白光LED以其高亮度、高显色指数、节能、环保、寿命长、体积小、可靠性高等优点，被认为是继白炽灯、荧光灯和高强度气体放电灯之后的***照明光源。

高性能的白光LED灯价格相对较高，这主要由两方面因素造成。一方面，现有的白光LED产品主要依靠直流电驱动，这就意味着需要额外的电子元件。通过电流/电压整流器(电源开关)和恒流源，将110V/220V城市用交流电转换成直流电，以控制白光LED的输入电流。另一方面，传统的白光LED封装工艺中，将环氧树脂或者硅胶和荧光粉混合后直接涂覆在芯片表面而形成白光。随着芯片工作时产生的热量不断积累，很容易导致环氧树脂或硅胶等封装材料的老化、变黄，因此，需要采用额外的散热装置进行热管理。另外，交流-直流转换器和散热***占了LED产品费用的30％～50％，这造成了成本较高。

交流LED器件可直接由城市电力驱动，其不仅省去了大量的电子元器件、降低了价格，同时还具有高的能量利用效率、更加紧凑的体积和更长的使用寿命，相应的产品也得到广泛应用。交流LED中，只有通过回路的电压超过开启电压时，器件才能发光。由于交流电频率和LED器件设计的差异，在整个交流循环过程中通常存在5ms～20ms的时间差，人眼对这一时间虽然不敏感，但长时间的用眼也会引起视觉疲劳。虽然在交流LED中配置电容器可以解决这一问题，但电容器的使用寿命远小于LED的寿命。而通过荧光陶瓷的余辉特性，可解决这一问题。

目前，获得白光LED的主流方案是在蓝光LED芯片上涂敷YAG:Ce³⁺黄色荧光粉，通过LED芯片发出的蓝光和荧光粉发出的黄光混合得到白光。但是YAG:Ce³⁺黄粉不具有长余辉特性。而目前具有长余辉特性的荧光粉只能被紫外光有效激发，如SrSi₂O₂N₂:Eu²⁺,Mn²⁺绿粉(请参见文献Yeh,C.et al，“Appropriate green phosphor of SrSi₂O₂N₂:Eu²⁺,Mn²⁺for ACLEDs,Opt.Express,2012,20,18031-18034.”)和SrAl₂O₄:Eu²⁺,R³⁺绿粉(请参见文献Chen,L.et al,The green phosphor SrAl₂O₄:Eu²⁺,R³⁺(R＝Y,Dy)and its applicationinalternating current light-emitting diodes,Funct.Mater.Lett.,2013,6,1350047.)。因此，可被现有的蓝光LED芯片有效激发的荧光陶瓷亟待开发。

另外，传统的封装工艺中，由于采用的环氧树脂或者硅胶的导热性能较差，而LED芯片工作时的温度高达150℃，这很容易导致荧光粉发光的热衰减以及环氧树脂或者硅胶的老化、变黄。尤其是在大功率LED中，芯片表面会产生大量热量，而导致严重降低器件性能和使用寿命。

发明内容

本发明提供了一种可应用于LED的荧光陶瓷，该产品具有发光强度高的优点，可满***流白光LED的使用要求，也可作为远程荧光块体，用于大功率白光LED中。所述荧光陶瓷的制备方法具有成本低、工艺简单的优点。

本发明提供一种应用于LED的荧光陶瓷，其化学通式为(A_1-xB_x)_m-yC_y(D_1-zE_z)_8-mO₁₂，其中，

A为Y、Gd、Tb、Lu中的至少一种；

B为La、Yb中的至少一种；

C为Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Dy、Ho、Er、Tm、Ti、Cr、Mn中的至少一种；

D为Ga；

E为B、Al、In、Sc中的至少一种；

其中，x、y、z、m表示对应元素的摩尔分数，且0≤x≤0.2，0.0001≤y≤0.2，0≤z≤0.8，2.5≤m≤3.5。

其中，所述荧光陶瓷被波长为420nm～480nm蓝光激发。

其中，x、y、z、m的取值范围为：0≤x≤0.2，0.01≤y≤0.15，0≤z≤0.6，2.5≤m≤3.5。

其中，所述荧光陶瓷的透光率为40％～80％。

本发明还提供一种应用于LED的荧光陶瓷的制备方法，其包括以下步骤：

(1)提供原料并依次进行球磨、干燥、灼烧，得到粉体；

(2)将所述粉体依次进行研磨、成型、以及冷等静压处理，得到素坯；

(3)在氧气气氛中，将所述素坯进行烧结得到预制陶瓷；

(4)在还原气氛中，对所述预制陶瓷进行退火，得到荧光陶瓷。

其中，步骤(1)中所述原料为含有相应A、B、C、D和E元素的氧化物、氟化物、氯化物、碳酸盐、硼酸盐、草酸盐或醋酸盐。

其中，步骤(1)中球磨的过程中，球磨罐和磨球均为聚四氟乙烯制品，磨球大小5mm～10mm，球磨介质为水、乙醇、丙酮、甘油中的至少一种，球磨转速为100rad/min～300rad/min，球磨时间为5小时以上。

其中，步骤(1)中灼烧的温度为600℃～900℃，灼烧的时间为2小时～10小时。

其中，步骤(2)中烧结的温度为1500℃～1800℃，烧结的时间为2小时以上。

其中，步骤(3)中所述还原气氛为氢气气氛、氨气气氛、一氧化碳气氛或氮氢混合气气氛，退火的温度为1000℃～1600℃，退火的时间为2小时～10小时。

本发明所述荧光陶瓷具有以下优点：

第一，与现有的LED封装时使用环氧树脂或者硅胶相比，本发明可直接使用该荧光陶瓷进行LED的封装，而可避免环氧树脂或者硅胶的使用，进而提高LED器件的使用寿命。同时，所述荧光陶瓷导热性能好，且远离芯片热源，进而减小了荧光材料的热光衰，提高了LED器件的发光效率。

第二，与现有商用YAG:Ce³⁺黄色荧光粉相比，本发明提供的荧光陶瓷的发光具有长余辉特性，可弥补交流LED在频闪过程中引起的光损失，满***流LED的应用要求。

第三，所述荧光陶瓷可被波长为420nm～480nm的蓝光有效激发，发射光谱覆盖了480nm～750nm可见光波段，透过率在40％-80％。

所述荧光陶瓷具有发光强、透过率高、余辉时间长，导热性能良好，可作为远程荧光体用于大功率LED中，具有实际应用价值和商业前景。。

本发明所述荧光陶瓷的制备方法具有以下优点：

与现有的荧光玻璃需要以玻璃为载体，然后加入荧光粉工艺相比，本发明所述荧光陶瓷由于直接由单一的荧光组分制备而成，不需要采用玻璃基体，这既工艺简单，又避免了混合时不均匀的问题。另外，与现有的玻璃相比，所述荧光陶瓷具有更好的导热性能。

本制备方法中制备原理如下：

所述荧光陶瓷中含有Ga元素，该元素在高温下极易挥发，尤其是在还原气氛中。因而本发明在第一步烧结中采用氧化气氛，可以有效控制原料中Ga元素的挥发，并使Ga元素与其它元素一起形成稳定的晶体结构，从而对Ga元素起到固定作用；在第二步退火中采用还原气氛，使在第一步烧结得到的具有稳定晶相结构的预制陶瓷进一步被还原，以提升发光材料中发光离子的浓度并得到发光性能优异的荧光陶瓷。

另外，所用原料均来自市售，原料易得、成本较低、过程简单、获得的产品质量稳定可靠，而利于工业化生产。

附图说明

图1为本发明实施例1至3制备得到的荧光陶瓷的照片。

图2为本发明实施例1至3制备得到的荧光陶瓷的透光率图谱。

图3为本发明实施例1至3制备得到的荧光陶瓷的激发光谱图，其中，发射光的波长λ_em＝570nm。

图4为本发明实施例1至3制备得到的荧光陶瓷的发射光谱图，其中，激发波的波长λ_ex＝460nm。

图5为本发明实施例2制备得到的荧光陶瓷在波长为460nm的蓝光激发5分钟后的余辉发射光谱图。

图6为本发明实施例2制备得到的荧光陶瓷在波长为460nm的蓝光激发5分钟后的余辉衰减曲线图。

具体实施方式

为了更好地说明本发明，以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。本领域技术人员应当理解，所举实施例只用于解释本发明，并非用于限制本发明的范围。

本发明提供了一种应用于LED的荧光陶瓷。所述荧光陶瓷的化学通式为(A_1-xB_x)_{m- y}C_y(D_1-zE_z)_8-mO₁₂。其中，

A为Y、Gd、Tb、Lu中的至少一种；

B为La、Yb中的至少一种；

C为Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Dy、Ho、Er、Tm、Ti、Cr、Mn中的至少一种；

D为Ga；

E为B、Al、In、Sc中的至少一种；

其中，x、y、z、m表示对应元素的摩尔分数，且0≤x≤0.2，0.0001≤y≤0.2，0≤z≤0.8，2.5≤m≤3.5。

优选的，x、y、z、m的取值范围为：0≤x≤0.2，0.01≤y≤0.15，0≤z≤0.6，2.5≤m≤3.5。优选的理由为：在此范围内，获得的荧光陶瓷性能更加优异。

本发明还提供了一种应用于LED的荧光陶瓷的制备方法。该制备方法包括以下步骤：

S1，提供原料并依次进行球磨、干燥、灼烧，得到粉体；

S2，将所述粉体依次进行研磨、成型、以及冷等静压处理，得到素坯预制陶瓷预制陶瓷；

S3，在氧气气氛中，将所述素坯进行烧结得到预制陶瓷；

S4，在还原气氛中，对所述预制陶瓷进行退火，得到荧光陶瓷预制陶瓷。

在步骤S1中，按照(A_1-xB_x)_m-yC_y(D_1-zE_z)_8-mO₁₂的化学计量比称取反应原料。可采用市***为99％以上的微米级或纳米级的原料，而无需对原料进行再加工处理，这可节约成本，以便实现工业化。

优选的，所述原料为含有相应A、B、C、D和E元素的氧化物、氟化物、氯化物、碳酸盐、硼酸盐、草酸盐或醋酸盐。

将配制好的原料混合后，并放入球磨罐在行星球磨机进行球磨，得到浆料。在球磨的过程中，球磨罐和磨球均为聚四氟乙烯制品，磨球大小5mm～10mm，球磨介质为水、乙醇、丙酮、甘油中的至少一种，球磨转速为100rad/min～300rad/min，球磨时间为5小时以上。

可将研磨后的浆料采用微波干燥或者鼓风干燥箱进行干燥，得到均匀性良好的干燥粉体。

将干燥粉体进行灼烧，以去除在球磨过程中引入的一些有机杂质。所述灼烧的温度为600℃～900℃，灼烧的时间为2小时～10小时。

在步骤S2中，对灼烧后的粉体进行研磨，并过100目～300目筛。再对过筛后的粉体通过粉体干压成型、注浆成型或凝胶注模进行成型，最后于100-300MPa下进行冷等静压处理，得到素坯。

在步骤S3中，所述烧结的温度为1500℃～1800℃，烧结的时间为2小时以上。优选的，所述烧结的温度为1600℃～1700℃。

该烧结的目的在于：可以有效控制原料中Ga元素的挥发，并使Ga元素与其它元素一起形成稳定的晶体结构，从而对Ga元素起到固定作用。

在步骤S4中，所述还原气氛为氢气气氛、氨气气氛、一氧化碳气氛或氮氢混合气气氛，也可为其他具有较强还原性的气体所营造的气氛。

所述退火的温度为1000℃～1600℃，退火的时间为2小时～10小时。优选的，退火的温度为1200℃～1400℃。

该退火的目的在于：在烧结得到的具有稳定晶相结构的预制陶瓷进一步被还原，以提升发光材料中发光离子的浓度并得到发光性能优异的荧光陶瓷。

所述荧光陶瓷可以被420nm～480nm蓝光有效激发，发射光谱覆盖了480～750nm可见光波段。因此，该荧光陶瓷可与商业的蓝光LED相结合，用以合成白光，同时作为远程荧光体，满足大功率LED的应用要求。另外，该荧光陶瓷还具有发光强度高、余辉时间长的优点，可弥补交流LED在频闪过程中引起的光损失，因此，该荧光陶瓷可满***流LED的应用要求。

本发明所述荧光陶瓷的制备方法过程简单、成本低廉、得到的产品质量稳定可靠，利于工业化生产。

为了更好地理解本发明，下面通过具体的实施例对本发明的荧光陶瓷及其制备方法进行进一步说明。以下实施例中用于制备荧光粉的原料均来自市售(纯度大于99％)。本发明提到的上述特征，或实施例提到的特征可以任意组合。本案说明书所揭示的所有特征可与任何组合物形式并用，说明书中所揭示的各个特征，可以被任何提供相同、均等或相似目的的替代性特征取代。因此，除有特别说明，所揭示的特征仅为均等或相似特征的一般性例子。

实施例1

该荧光陶瓷的化学通式为(Y_0.5Gd_0.5)_2.9999Ce_0.0001(Ga_0.6Al_0.4)₅O₁₂，即x＝0，y＝0.0001，z＝0.4，m＝3，A为Y和Gd，C为Ce，D为Ga，E为Al。

该荧光陶瓷的制备方法如下：

以市售高纯Y₂O₃、Gd₂O₃、Ce₂(CO₃)₃、Ga₂O₃、Al₂O₃为起始原料，按上式准确称量各氧化物或碳酸盐质量。将称取的反应原料以5mm聚四氟乙烯球为磨球，以无水乙醇为球磨介质，按质量比球：料：介质＝7：1：1.5的比例，将称取的反应原料、磨球和介质放入聚四氟乙烯球磨罐中，在行星球磨机中以300rad/min的转速球磨12小时后获得浆料。浆料在鼓风干燥箱中70℃干燥12h后，在600℃灼烧2h，得到粉体。

将所述粉体在刚玉坩埚中研磨，过200目筛子，然后在直径25mm的钢制模具中干压成型后，于200MPa下进行冷等静压处理，得到素坯。

将所述素坯在氧气气氛中，以5℃/min速率升温至1300℃，保温2h，再以5℃/min速率升温至1600℃，保温2h，随炉冷却后，得到预制陶瓷。

将预制陶瓷于体积分数为5％的H₂与体积分数为95％的N₂的混合还原气氛下，在1200℃退火2小时，得到荧光陶瓷。

实施例2

该荧光陶瓷的化学通式为(Y_0.5Gd_0.5)_2.99Ce_0.01(Ga_0.6Sc_0.4)₅O₁₂，即x＝0，y＝0.01，z＝0.4，m＝3，A为Y和Gd，C为Ce，D为Ga，E为Sc。

该荧光陶瓷的制备方法如下：

以市售高纯Y₂O₃、Gd₂O₃、Ce₂(CO₃)₃、Ga₂O₃、Sc₂O₃为起始原料，按上式准确称量各氧化物或碳酸盐质量。将称取的反应原料以5mm聚四氟乙烯球为磨球，以无水乙醇为球磨介质，按质量比球：料：介质＝7：1：1.5的比例，将称取的反应原料、磨球和介质放入聚四氟乙烯球磨罐中，在行星球磨机中以300rad/min的转速球磨12小时后获得浆料。浆料在鼓风干燥箱中70℃干燥12h后，在900℃灼烧2h，得到粉体。

将所述粉体在刚玉坩埚中研磨，过200目筛子，然后在直径25mm的钢制模具中干压成型后，于200MPa下进行冷等静压处理，得到素坯。

将所述素坯在氧气气氛中，以5℃/min速率升温至1400℃，保温2h，再以5℃/min速率升温至1650℃，保温2h，随炉冷却后，得到预制陶瓷。

将预制陶瓷于体积分数为5％的H₂与体积分数为95％的N₂的混合还原气氛下，在1400℃退火2小时，得到荧光陶瓷。

实施例3

该荧光陶瓷的化学通式为(Lu_0.5Gd_0.5)_2.99Ce_0.01(Ga_0.4Al_0.6)₅O₁₂，即x＝0，y＝0.01，z＝0.6，m＝3，A为Lu和Gd，C为Ce，D为Ga，E为Al。

该荧光陶瓷的制备方法如下：

以市售高纯Lu₂O₃、Gd₂O₃、Ce₂(CO₃)₃、Ga₂O₃、Al₂O₃为起始原料，按上式准确称量各氧化物或碳酸盐质量。将称取的反应原料以5mm聚四氟乙烯球为磨球，以无水乙醇为球磨介质，按质量比球：料：介质＝7：1：1.5的比例，将称取的反应原料、磨球和介质放入聚四氟乙烯球磨罐中，在行星球磨机中以300rad/min的转速球磨12小时后获得浆料。浆料在鼓风干燥箱中70℃干燥12h后，在900℃灼烧2h，得到粉体。

将所述粉体在刚玉坩埚中研磨，过200目筛子，然后在直径25mm的钢制模具中干压成型后，于200MPa下进行冷等静压处理，得到素坯。

将所述素坯在氧气气氛中，以5℃/min速率升温至1400℃，保温2h，再以5℃/min速率升温至1800℃，保温2h，随炉冷却后，得到预制陶瓷。

将预制陶瓷于体积分数为5％的H₂与体积分数为95％的N₂的混合还原气氛下，在1600℃退火6小时，得到荧光陶瓷。

实施例4

该荧光陶瓷的化学通式为(Lu_0.5Gd_0.5)_2.49Ce_0.01Ga_5.5O₁₂，即x＝0，y＝0.01，z＝0，m＝2.5，A为Lu和Gd，C为Ce，D为Ga。

该荧光陶瓷的制备方法如下：

以市售高纯Lu₂O₃、Gd₂O₃、Ce₂(CO₃)₃、Ga₂O₃为起始原料，按上式准确称量各氧化物或碳酸盐质量。将称取的反应原料以5mm聚四氟乙烯球为磨球，以无水乙醇为球磨介质，按质量比球：料：介质＝7：1：1.5的比例，将称取的反应原料、磨球和介质放入聚四氟乙烯球磨罐中，在行星球磨机中以300rad/min的转速球磨12小时后获得浆料。浆料在鼓风干燥箱中70℃干燥12h后，在900℃灼烧2h，得到粉体。

将所述粉体在刚玉坩埚中研磨，过200目筛子，然后在直径25mm的钢制模具中干压成型后，于200MPa下进行冷等静压处理，得到素坯。

将所述素坯在氧气气氛中，以5℃/min速率升温至1400℃，保温2h，再以5℃/min速率升温至1600℃，保温2h，随炉冷却后，得到预制陶瓷。

将预制陶瓷于体积分数为5％的H₂与体积分数为95％的N₂的混合还原气氛下，在1000℃退火10小时，得到荧光陶瓷。

实施例5

该荧光陶瓷的化学通式为[(Y_0.5Gd_0.5)_0.8La_0.2]_3.3(Ce_0.5Mn_0.5)_0.2(Ga_0.2Al_0.8)_4.5O₁₂，即x＝0.2，y＝0.2，z＝0.8，m＝3.5，A为Y和Gd，B为La，C为Ce和Mn，D为Ga，E为Al。

该荧光陶瓷的制备方法如下：

以市售高纯Y₂O₃、Gd₂O₃、La₂O₃、Ce₂(CO₃)₃、MnCO₃、Ga₂O₃、Al₂O₃为起始原料，按上式准确称量各氧化物或碳酸盐质量。将称取的反应原料以5mm聚四氟乙烯球为磨球，以无水乙醇为球磨介质，按质量比球：料：介质＝7：1：1.5的比例，将称取的反应原料、磨球和介质放入聚四氟乙烯球磨罐中，在行星球磨机中以300rad/min的转速球磨12小时后获得浆料。浆料在鼓风干燥箱中70℃干燥12h后，在900℃灼烧2h，得到粉体。

将所述粉体在刚玉坩埚中研磨，过200目筛子，然后在直径25mm的钢制模具中干压成型后，于200MPa下进行冷等静压处理，得到素坯。

将所述素坯在氧气气氛中，以5℃/min速率升温至1450℃，保温2h，再以5℃/min速率升温至1700℃，保温2h，随炉冷却后，得到预制陶瓷。

将预制陶瓷于体积分数为5％的H₂与体积分数为95％的N₂的混合还原气氛下，在1600℃退火2小时，得到荧光陶瓷。

实施例1至3得到的荧光陶瓷的厚度为1.5mm。将实施例1至3得到的荧光陶瓷进行实物拍照，图片见图1。

将实施例1至3得到的荧光陶瓷进行透光率以及发光性能测试。结果见图2至图6。

由图1及图2可见，所述荧光陶瓷均匀一致，具有很高的透光特性。在1.5mm厚度下，荧光陶瓷的直线透过率高达72％。

由图3可见，固定发射光的波长为570nm，实施例1至3中的荧光陶瓷均具有宽广的激发带。其中最佳激发范围覆盖了420nm～480nm的蓝光区域，这与商用蓝光LED芯片的发射光谱很好地匹配在一起。因此，本发明所述荧光陶瓷可以和商用蓝光LED芯片相结合，用以制备白光LED。

由图4可见，在波长为460nm蓝光激发下，实施例1至3中的荧光陶瓷均具有宽广的发射带。发射光谱覆盖了480nm～750nm的波长范围，发射光谱的最强峰位于570nm附近，而且发射光谱峰形有较大的半高宽，可达130nm，覆盖了从绿光到红光的可见光波段。

对比图4和图5可知，实施例2的荧光陶瓷的发射光谱和余辉光谱形状保持不变，因此，即使在交流LED频闪过程中，无蓝光激发光源的情况下，荧光陶瓷的发射光谱仍保持不变。

结合5和图6可知，实施例2的荧光陶瓷则具有很高的余辉强度和很长的余辉时间。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种应用于LED的荧光陶瓷，其特征在于，所述荧光陶瓷的化学通式为(A_1-xB_x)_m-yC_y(D_1-zE_z)_8-mO₁₂，其中，

A为Y、Gd、Tb、Lu中的至少一种；

B为La、Yb中的至少一种；

C为Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Dy、Ho、Er、Tm、Ti、Cr、Mn中的至少一种；

D为Ga；

E为B、Al、In、Sc中的至少一种；

其中，x、y、z、m表示对应元素的摩尔分数，且0≤x≤0.2，0.0001≤y≤0.2，0≤z≤0.8，2.5≤m≤3.5。

2.根据权利要求1所述的应用于LED的荧光陶瓷，其特征在于，x、y、z、m的取值范围为：0≤x≤0.2，0.01≤y≤0.15，0≤z≤0.6，2.5≤m≤3.5。

3.根据权利要求1所述的应用于LED的荧光陶瓷，其特征在于，所述荧光陶瓷被波长为420nm～480nm蓝光激发。

4.根据权利要求1所述的应用于LED的荧光陶瓷，其特征在于，所述荧光陶瓷的透光率为40％～80％。

5.一种如权利要求1～4任一项所述的应用于LED的荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：

(1)提供原料并依次进行球磨、干燥、灼烧，得到粉体；

(2)将所述粉体依次进行研磨、成型、以及冷等静压处理，得到素坯；

(3)在氧气气氛中，将所述素坯进行烧结得到预制陶瓷；

(4)在还原气氛中，对所述预制陶瓷进行退火，得到荧光陶瓷。

6.根据权利要求5所述的应用于LED的荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述原料为含有相应A、B、C、D和E元素的氧化物、氟化物、氯化物、碳酸盐、硼酸盐、草酸盐或醋酸盐。

7.根据权利要求5所述的应用于LED的荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(1)中在球磨的过程中，球磨罐和磨球均为聚四氟乙烯制品，磨球大小5mm～10mm，球磨介质为水、乙醇、丙酮、甘油中的至少一种，球磨转速为100rad/min～300rad/min，球磨时间为5小时以上。

8.根据权利要求5所述的应用于LED的荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(1)中灼烧的温度为600℃～900℃，灼烧的时间为2小时～10小时。

9.根据权利要求5所述的应用于LED的荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(2)中烧结的温度为1500℃～1800℃，烧结的时间为2小时以上。

10.根据权利要求5所述的应用于LED的荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述还原气氛为氢气气氛、氨气气氛、一氧化碳气氛或氮氢混合气气氛，退火的温度为1000℃～1600℃，退火的时间为2小时～10小时。